JP5445179B2 - ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、有機電子デバイス - Google Patents
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Description
本発明のガスバリアフィルムは、有機樹脂成分を含有する基板または膜(樹脂基板)の表面にケイ素化合物を含有する液を塗布することで、少なくとも1層(本発明では1ユニットともいう)のガスバリア層を形成することで得られる。
本発明は、樹脂基板上に少なくとも一面に、ガスバリア層A、ガスバリア層B、バスバリア層Cがこの順に積層された層構成を有するガスバリアユニットを、1以上含むガスバリアフィルムであって、A、B、C各層は酸化珪素および/または酸窒化珪素からなる層であり、各層に含まれる酸素元素と窒素元素の比(N原子数/O原子数)が下記式1を満たすことが特徴である。
層の順序は基板側から層A、層B、層Cの順になっていることが必要である。酸化窒化珪素は含有する窒素原子比率が高いほど高密度で硬くガスバリア性が高い層になるが、反面脆い層となりクラック等の欠陥が入りやすくなってしまうことは前述の通りである。
(複数ユニットの積層)
上記のように複数ユニットを積層する場合、下記のような態様が好ましい。
本発明において、層A、層Cは少なくとも酸化珪素あるいは酸窒化珪素を含有する。密着性の観点からは、式1を満足しながら該N/O比が層A<層Cの構成を1ユニットとする場合にはすべてのユニットに於いて該N/O比が層A<層Cとする、または該N/O比が層A>層Cの構成を1ユニットとする場合にはすべてのユニットに於いて該N/O比が層A>層Cとすることが好ましい。
本発明に係る無機層はポリシラザン化合物を塗布し、改質処理によって得られることが好ましい。層A、層B、層Cの1ユニット構造は雰囲気の制御や改質のために与えるエネルギーを制御することによって1回の塗布で上記3層構成の1ユニットの形成が可能である。
ポリシラザンの酸化処理としては、水蒸気酸化および/または加熱処理(乾燥処理を含む)、紫外線照射による処理等が知られている。
本発明において、好ましい方法として、真空紫外線照射による改質処理が挙げられる。真空紫外線照射による処理は、化合物内の原子間結合力より大きい100〜200nmの光エネルギーを用い、原子の結合を光量子プロセスと呼ばれる光子のみによる作用により、直接切断しながら活性酸素やオゾンによる酸化反応を進行させることで、比較的低温で、膜の形成を行う方法である。
e+Xe→e+Xe*
Xe*+Xe+Xe→Xe2 *+Xe
となり、励起されたエキシマ分子であるXe2 *が基底状態に遷移するときに172nmのエキシマ光を発光する。エキシマランプの特徴としては、放射が一つの波長に集中し、必要な光以外がほとんど放射されないので効率が高いことが挙げられる。加えて発光効率が他の希ガスよりも高いことや大面積へ照射するためのランプを石英ガラスで作製できることからXeエキシマランプを好ましく使用することが出来る。
照射強度が高ければ、光子とポリシラザン内の化学結合が衝突する確率が増え、改質反応を短時間化することができる。また、内部まで侵入する光子の数も増加するため改質膜厚も増加および/または膜質の良化(高密度化)が可能である。但し、照射時間を長くしすぎると平面性の劣化やバリア性フィルムの他の材料にダメージを与える場合がある。一般的には、照射強度と照射時間の積で表される積算光量で反応進行具合を考えるが、酸化シリコンの様に組成は同一でも、様々な構造形態をとること材料に於いては、照射強度の絶対値が重要になる場合もある。
照射時間は、任意に設定可能であるが、基板ダメージや膜欠陥生成の観点およびガスバリア性能のバラつき低減の観点から高照度工程での照射時間は0.1秒〜3分間が好ましい。より好ましくは0.5秒〜1分である。
本発明における、真空紫外光照射時の酸素濃度は10ppm〜50000ppm(5%)とすることが好ましい。より好ましくは、1000ppm〜30000ppm(1%)である。前記の濃度範囲より酸素濃度が高いと、酸素過多のガスバリア膜となり、ガスバリア性が劣化する。また前記範囲より低い酸素濃度の場合、大気との置換時間が長くなり生産性を落とすのと同時に、ロール・トゥ・ロールの様な連続生産を行う場合はウエッブ搬送によって真空紫外光照射庫内に巻き込む空気量(酸素を含む)が多くなり、多大な流量のガスを流さないと酸素濃度を調整できなくなってくる。
樹脂基板は、バリア層を保持することができる有機材料で形成されたものであれば特に限定されるものではない。
本発明では、バリアフィルムの曲げに対する応力を緩和する目的のほかに、突起等が存在する透明樹脂基板の粗面を平坦化し、あるいは、透明樹脂基板に存在する突起により透明無機化合物層に生じた凹凸やピンホールを埋めて平坦化するために、有機層を少なくとも樹脂基板と無機化合物層の間に設けてもよい。このような有機層は、たとえば感光性樹脂を含有する組成物を塗布乾燥後、硬化させて形成されることが好ましい態様である。
本発明において、該有機層は基板とガスバリア層との間に、ガスバリアフィルムにかかる応力を緩和するための層として設けても良い。特に、樹脂基板などの上に、前述した本発明の塗布型バリア層を形成する場合、無機酸化物などの前駆体であるポリシラザンなどの塗布膜が、二酸化珪素膜および酸化窒化珪素膜に転化する際、高密度化し、膜の収縮が起こるため、応力が集中することで、バリア層にクラックが発生するなどの問題が生じる場合がある。
好ましい態様の一つは、前述の感光性樹脂中に表面に光重合反応性を有する感光性基が導入された反応性シリカ粒子(以下、単に「反応性シリカ粒子」ともいう)を含むものである。
ブリードアウト防止層は、平滑層を有するフィルムを加熱した際に、フィルム基板中から未反応のオリゴマーなどが表面へ移行して、接触する面を汚染してしまう現象を抑制する目的で、平滑層を有する基板の反対面に設けられる。ブリードアウト防止層は、この機能を有していれば、基本的に平滑層と同じ構成をとっても構わない。
本発明のガスバリアフィルムは、種々の封止用材料、フィルムとして用いることができる。
本発明の有機電子デバイスの基本的構成の例を図1に示す。
本発明のバリア性フィルムを、有機電子デバイスとして適用する場合について説明する。
本発明のガスバリア性フィルムは、連続生産しロール形態に巻き取ることが出来る(いわゆるロール・トゥ・ロール生産)。その際、ガスバリア層を形成した面に保護シートを貼合して巻き取ることが好ましい。特に有機薄膜デバイスの封止材として用いる場合、表面に付着したゴミ(パーティクル)が原因で欠陥となる場合が多く、クリーン度の高い場所で保護シートを貼合してゴミの付着を防止することは非常に有効である。併せて、巻取り時に入るガスバリア層表面への傷の防止に有効である。
本発明における1ユニットとは窒素原子と酸素原子の比率N/Oが異なる層層A層BCが、本発明の順番と勾配で連続して存在している領域を1ユニットと判断する。複数ユニットの積層とは、上記の1ユニット領域が基板上に複数存在することを指す。複数ユニットは連続で積層されていても良く、不連続で複数存在していても良い。また、基板の両面に1ユニットずつ配置した構成も2ユニットと見なし、基板の片側に1ユニット、反対の側に2ユニットの3ユニット構成等様々な組み合わせも本発明内では複数ユニットと見なすことができる。
<測定方法>
<各層の膜厚>
透過型電子顕微鏡(TEM)による断面観察により、画像の濃淡および電子線ダメージの度合いから各層の膜厚を測定した。
断面TEM観察
観察試料を以下のFIB加工装置により薄片作成後、TEM観察を行う。このとき試料に電子線を照射し続けると電子線ダメージを受ける部分とそうでない部分にコントラスト差が現れるため、その領域を測定することで算出できる。改質処理側で密度が高い領域は電子線ダメージを受けにくいが、そうでない部分は電子線ダメージを受け変質が確認される。
(FIB加工)
装置:SII製SMI2050
加工イオン:(Ga 30kV)
試料厚み:100nm〜200nm
(TEM観察)
装置:日本電子製JEM2000FX(加速電圧:200kV)
電子線照射時間:5秒から60秒
<各層の窒素原子数と酸素原子数の比N/O>
Arによるスパッタで膜面から深さ方向に削りながら、X線光電子分光法(XPS)により、膜厚方向の組成分布を知ることが出来る。このデータと前述の断層TEM画像から算出した膜厚と照合し、XPSのデータから窒素原子数と酸素原子数の比率を算出した。
イオン種:Arイオン
加速電圧:1kV
(X線光電子分光測定条件)
装置:VGサイエンティフィックス社製ESCALAB−200R
X線アノード材:Mg
出力:600W(加速電圧15kV、エミッション電流40mA)
<屈曲処理>
作成したガスバリア性フィルムを、曲率50mmφとなるようにガスバリア層のある側の面を内側になるように1回、外側となるように1回屈曲させる変形を1往復とし、100往復繰り返す屈曲処理を施した。
前述のJIS K 7129B法に従って水蒸気透過率を測定には種々の方法が提案されている。例えば、カップ法、乾湿センサー法(Lassy法)、赤外線センサー法(mocon法)が代表として上げられるが、ガスバリア性が向上するに伴って、これらの方法では測定限界に達してしまう場合があり、以下に示方法も提案されている。水蒸気透過率の測定方法は特に限定するところではないが、本発明に於いてはCa法による評価を行った。
Ca法
ガスバリア性フィルムに金属Caを蒸着し、該フィルムを透過した水分で金属Caが腐食される現象を利用する方法。腐食面積とそこに到達する時間から水蒸気透過率を算出する。
大気圧下の試料空間と超高真空中の質量分析計の間で水蒸気の冷却トラップを介して受け渡す方法。
三重水素を用いて水蒸気透過率を算出する方法。
水蒸気または酸素により電気抵抗が変化する材料(例えばCa、Mg)をセンサーに用いて電気抵抗変化とそれに内在する1/f揺らぎ成分から水蒸気透過率を算出する方法。
蒸着装置:日本電子(株)製真空蒸着装置JEE−400
恒温恒湿度オーブン:Yamato Humidic ChamberIG47M
水分と反応して腐食する金属:カルシウム(粒状)
水蒸気不透過性の金属:アルミニウム(φ3〜5mm、粒状)
水蒸気バリア性評価用セルの作製
バリアフィルム試料のガスバリア層面に、真空蒸着装置(日本電子製真空蒸着装置JEE−400)を用い、透明導電膜を付ける前のバリアフィルム試料の蒸着させたい部分(12mm×12mmを9箇所)以外をマスクし、金属カルシウムを蒸着させた。その後、真空状態のままマスクを取り去り、シート片側全面にアルミニウムをもう一つの金属蒸着源から蒸着させた。アルミニウム封止後、真空状態を解除し、速やかに乾燥窒素ガス雰囲気下で、厚さ0.2mmの石英ガラスに封止用紫外線硬化樹脂(ナガセケムテックス製、)を介してアルミニウム封止側と対面させ、紫外線を照射することで、評価用セルを作製した。また、屈曲前後のガスバリア性の変化を確認するために、上記屈曲の処理を行わなかったバリアフィルムについても同様に、水蒸気バリア性評価用セルを作製した。
<参考例1:1ユニットでの比較>
<試料1−1の作製>
(樹脂基板)
樹脂基板として、両面に易接着加工された125μmの厚さのポリエステルフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、テトロンO3)の基板を、170℃で30分アニール加熱処理したものを用いた。
上記樹脂基板上に、JSR株式会社製 UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTAR Z7501を塗布、乾燥後の(平均)膜厚が4μmになるようにワイヤーバーで塗布した後、乾燥条件;80℃、3分で乾燥後、空気雰囲気下、高圧水銀ランプ使用、硬化条件;1.0J/cm2硬化を行い、平滑層を形成した。
SAMCO社製UVオゾンクリーナー Model UV−1を用いて照射時の雰囲気を窒素置換しながら、オゾン濃度を300ppmとなるように調整して、80℃5分間の表面処理を行った。
エキシマ光強度:60mW/cm2(172nm)
試料と光源の距離:1mm
ステージ加熱温度:100℃
(試料1−1の雰囲気条件)
1〜3往復目:酸素濃度0.05%
4〜5往復目:酸素濃度1.5%
<試料1−2の作製>
改質後のトータル膜厚が20nmとなるように、パーヒドロポリシラザン溶液塗膜の厚みを調整した以外は試料1−1と同様にして試料1−2を作製した。
改質後のトータル膜厚が40nmとなるように、パーヒドロポリシラザン溶液塗膜の厚みを調整した以外は試料1−1と同様にして試料1−3を作製した。
改質後のトータル膜厚が550nmとなるように、パーヒドロポリシラザン溶液塗膜の厚みを調整した以外は試料1−1と同様にして試料1−4を作製した。
雰囲気条件を酸素濃度1.5%一定にした以外は試料1−1と同様にして試料1−5を作製した。
雰囲気条件を酸素濃度0.01%一定、往復搬送の回数を10回にした以外は試料1−1と同様にして試料1−6を作製した。
雰囲気条件を酸素濃度1%一定、往復搬送の回数を3回にした以外は試料1−1と同様にして試料1−7を作製した。
雰囲気条件を以下のように変更にした以外は試料1−1と同様にして試料1−8を作製した。
1〜2往復目:酸素濃度0.5%
3〜5往復目:酸素濃度0.01%
<試料1−9の作製>
特開2009−196155記載の実施例1と同様の方法でN/O比率が表1の記載の比率になる様にトータル膜厚150nmで成膜した。尚、上記引用公開特許文献に記載の成分傾斜層を層Aと層Bの間、および層Bと層Cの間に、各5nmの膜厚で設置した。
上記したような屈曲処理を行う前と後とにおいて、上記した測定方法で、水蒸気透過率を測定し、バリア性能、折り曲げ耐性を評価した。
実施例1の1ユニット作製の方法を3回繰り返して、3ユニットのガスバリア性フィルムを作製した。尚試料2−2については、後述するように各ユニット毎に異なる雰囲気制御を行っている。
試料1−1の1ユニットを3ユニット積層した。
雰囲気の条件を、以下のように各ユニット毎に変化させて、3ユニットの積層を行った。
1〜3往復目:酸素濃度0.01%
4〜5往復目:酸素濃度0.1%
(2ユニット目の雰囲気条件)
1〜2往復目:酸素濃度0.1%
3〜4往復目:酸素濃度0.01%
5往復目:酸素濃度2%
(3ユニット目の雰囲気条件)
1〜2往復目:酸素濃度0.1%
3〜4往復目:酸素濃度0.05%
5往復目:酸素濃度2%
<試料2−3の作製>
試料1−5の1ユニットを3ユニット積層した。
試料1−6の1ユニットを3ユニット積層した。
試料1−8の1ユニットを3ユニット積層した。
試料1−9の1ユニットを3ユニット積層した。
実施例2で作製した試料2−1〜2−5のガスバリア性フィルムの屈曲処理有り無しを、それぞれ準備し、有機光電変換素子と有機EL素子を作製して、屈曲処理有り無しで有機薄膜素子の性能劣化具合を評価した。
<有機光電変換素子の作製方法>
ガスバリア性フィルムに、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(シート抵抗10Ω/□)を、通常のフォトリソグラフィ技術と湿式エッチングとを用いて2mm幅にパターニングし第1の電極を作製した。
窒素ガス(不活性ガス)によりパージされた環境下で、ガスバリア性フィルム二枚を用い、ガスバリア層を設けた面に、シール材としてエポキシ系光硬化型接着剤を塗布したものを、封止用フィルムとして作製した。
ガスバリア性フィルムの無機層の上に厚さ150nmのITO(インジウムチンオキシド)をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第1電極層を形成した。なお、パターンは発光面積が50mm平方になるようなパターンとした。
第1電極層が形成されたバリア性フィルムの第1電極層の上に、以下に示す正孔輸送層形成用塗布液を押出し塗布機で塗布した後、乾燥し正孔輸送層を形成した。正孔輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚みが50nmになるように塗布した。
塗布工程は大気中、25℃相対湿度50%の環境で行った。
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製 Bytron P AI 4083)を純水で65%、メタノール5%で希釈した溶液を正孔輸送層形成用塗布液として準備した。
正孔輸送層形成用塗布液を塗布した後、製膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度100℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理装置を用い温度150℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、正孔輸送層を形成した。
引き続き、正孔輸送層迄を形成したバリア性フィルム1の正孔輸送層の上に、以下に示す白色発光層形成用塗布液を押出し塗布機で塗布した後、乾燥し発光層を形成した。白色発光層形成用塗布液は乾燥後の厚みが40nmになるように塗布した。
ホスト材のH−Aを1.0gと、ドーパント材D−Aを100mg、ドーパント材D−Bを0.2mg、ドーパント材D−Cを0.2mg、100gのトルエンに溶解し白色発光層形成用塗布液として準備した。
塗布工程を窒素ガス濃度99%以上の雰囲気で、塗布温度を25℃とし、塗布速度1m/minで行った。
白色発光層形成用塗布液を塗布した後、製膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度60℃で溶媒を除去した後、引き続き、温度130℃で加熱処理を行い、発光層を形成した。
引き続き、発光層迄を形成したのち、以下に示す電子輸送層形成用塗布液を押出し塗布機で塗布した後、乾燥し電子輸送層を形成した。電子輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚みが30nmになるように塗布した。
塗布工程は窒素ガス濃度99%以上の雰囲気で、電子輸送層形成用塗布液の塗布温度を25℃とし、塗布速度1m/minで行った。
電子輸送層はE−Aを2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール中に溶解し0.5質量%溶液とし電子輸送層形成用塗布液とした。
電子輸送層形成用塗布液を塗布した後、製膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度60℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理部で温度200℃で加熱処理を行い、電子輸送層を形成した。
引き続き、形成された電子輸送層の上に電子注入層を形成した。まず、基板を減圧チャンバーに投入し、5×10−4Paまで減圧した。あらかじめ、真空チャンバーにタンタル製蒸着ボートに用意しておいたフッ化セシウムを加熱し、厚さ3nmの電子注入層を形成した。
引き続き、形成された電子注入層の上に第1電極の上に取り出し電極になる部分を除き、形成された電子注入層の上に5×10−4Paの真空下にて第2電極形成材料としてアルミニウムを使用し、取り出し電極を有するように蒸着法にて、発光面積が50mm平方になるようにマスクパターン成膜し、厚さ100nmの第2電極を積層した。
第2電極まで形成したバリア性フィルム1を、再び窒素雰囲気に移動し、規定の大きさに裁断し、有機EL素子を作製した。
断裁の方法として、特に限定するところではないが、紫外線レーザー(例えば、波長266nm)、赤外線レーザー、炭酸ガスレーザー等の高エネルギーレーザーによるアブレーション加工で行うことが好ましい。ガスバリア性フィルムは割れやすい無機の薄膜を有しているため、通常のカッターで断裁すると断細部で亀裂が発生することがある。素子の断裁だけでなく、ガスバリア性フィルム単体での断裁も同様である。更には無機層表面に有機成分を含む保護層を設置することでも断裁時のヒビ割れを抑制することが可能である。
作製した有機EL素子に、ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社製異方性導電フィルムDP3232S9を用いて、フレキシブルプリント基板(ベースフィルム:ポリイミド12.5μm、圧延銅箔18μm、カバーレイ:ポリイミド12.5μm、表面処理NiAuメッキ)を接続した。
電極リード(フレキシブルプリント基板)を接続した有機EL素子を、市販のロールラミネート装置を用いて封止部材を接着し、有機EL素子101を製作した。
ジシアンジアミド(DICY)
エポキシアダクト系硬化促進剤
しかる後、封止基板を、取り出し電極および電極リードの接合部を覆うようにして密着・配置して、圧着ロールを用いて圧着条件、圧着ロール温度120℃、圧力0.5MPa、装置速度0.3m/minで密着封止した。
評価は以下の基準で各素子をランク付けした。実用可能範囲は○以上である。
ソーラーシミュレーター(AM1.5Gフィルタ)の100mW/cm2の強度の光を照射し、有効面積を4.0mm2にしたマスクを受光部に重ね、IV特性を評価することで、短絡電流密度Jsc(mA/cm2)、開放電圧Voc(V)およびフィルファクターFF(%)を、同素子上に形成した4箇所の受光部をそれぞれ測定し、下記式1に従って求めたエネルギー変換効率PCE(%)の4点平均値を見積もった。
PCE(%)=〔Jsc(mA/cm2)×Voc(V)×FF(%)〕/100mW/cm2
ガスバリア性フィルムの屈曲処理無しに対して、屈曲処理有りのフィルムを用いた場合の変換効率維持率を算出し以下の様にランク付けを行った。
◎:90%以上
○:60%以上、90%未満
△:20%以上、60%未満
×:20%未満
(有機EL素子のランク)
(黒点の評価)
試料に1mA/cm2の電流を印加し、300時間連続発光させた後、100倍のマイクロスコープ(株式会社モリテックス製MS−804、レンズMP−ZE25−200)でパネルの一部分を拡大し、撮影を行った。撮影画像を2mm四方に切り抜き、目視で観察を行い、黒点の状況を調べ、ガスバリア性フィルムの屈曲無しに対して、屈曲有りのフィルムを用いた場合の性能維持率を算出して以下のランク付けを行った。
◎:90%以上
○:60%以上、90%未満
△:20%以上、60%未満
×:20%未満
実施例3の評価結果を表3に示す。
2 ガスバリア性フィルム
3 第一電極
4 有機機能層
5 第二電極
6 基材
Claims (6)
- 樹脂基板の少なくとも一面上に、各々酸化珪素および/または酸化窒化珪素からなるガスバリア層A、ガスバリア層Bおよびガスバリア層Cからなるガスバリアユニットを2ユニット以上有し、該ガスバリアユニットには、基板側から、前記ガスバリア層A、ガスバリア層B及びガスバリア層Cをこの順に配置されており、前記ガスバリアユニットにおける前記ガスバリア層Cの膜厚は15nmであり、前記ガスバリア層Aとガスバリア層Bとの膜厚比が2:1であり、各層の酸化珪素および/または酸化窒化珪素中の窒素原子数と酸素原子数の比(N原子数/O原子数)の値がガスバリア層A<ガスバリア層B>ガスバリア層Cであり、基板に最も近い側の前記ガスバリアユニットのガスバリア層Bの、前記窒素原子数と酸素原子数の比(N原子数/O原子数)の値が、全てのガスバリアユニットのガスバリア層Bの中で最も小さいことを特徴とするガスバリア性フィルム。
- 少なくとも3以上のガスバリアユニットが積層されており、樹脂基板側から数えて2ユニット目以降隣接する各ユニットにおけるガスバリア層Bが、前記樹脂基板に遠い側に隣接するユニットにおけるガスバリア層Bよりも前記樹脂基板に近い側のガスバリア層Bのほうが、前記窒素原子数と酸素原子数の比(N原子数/O原子数)が大きく、2ユニット目以降で隣接するいずれのユニットにおいて、この関係が成立することを特徴とする請求項1に記載のガスバリア性フィルム。
- 請求項1に記載のガスバリア性フィルムを製造するガスバリア性フィルムの製造方法であって、ポリシラザン骨格を有する珪素化合物の溶液を塗布し、波長200nm以下の真空紫外光を、照射時の雰囲気中の酸素と窒素の比を制御しながら照射し、改質する工程を有することを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。
- 請求項1または2に記載のガスバリア性フィルムを用いたことを特徴とする有機電子デバイス。
- 前記有機電子デバイスが有機光電変換素子であることを特徴とする請求項4に記載の有機電子デバイス。
- 前記有機電子デバイスが有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項4に記載の有機電子デバイス。
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