JP6026395B2 - 有機機能層付き基板およびその製造方法 - Google Patents
有機機能層付き基板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6026395B2 JP6026395B2 JP2013252293A JP2013252293A JP6026395B2 JP 6026395 B2 JP6026395 B2 JP 6026395B2 JP 2013252293 A JP2013252293 A JP 2013252293A JP 2013252293 A JP2013252293 A JP 2013252293A JP 6026395 B2 JP6026395 B2 JP 6026395B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- protective film
- organic
- substrate
- organic functional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 102
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 title claims description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 335
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 165
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 109
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 109
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 108
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 77
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 42
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 268
- 239000000463 material Substances 0.000 description 64
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 34
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- -1 titanium oxide Chemical class 0.000 description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 24
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002585 base Substances 0.000 description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical class C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical class C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 3
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 3
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 2
- ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(3-methylanilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001601 aromatic carbocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATFCOADKYSRZES-UHFFFAOYSA-N indium;oxotungsten Chemical compound [In].[W]=O ATFCOADKYSRZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical compound C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000412 polyarylene Chemical class 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 1,8-naphthyridine Chemical group N1=CC=CC2=CC=CN=C21 FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=N1 XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXGVMFHEKMGWMA-UHFFFAOYSA-N 2-benzofuran Chemical group C1=CC=CC2=COC=C21 UXGVMFHEKMGWMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPFDTWHBEBJTLE-UHFFFAOYSA-N 2h-acridin-1-one Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(=O)CC=CC3=NC2=C1 IPFDTWHBEBJTLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBHTTYDJRXOHHL-UHFFFAOYSA-N 2h-triazolo[4,5-c]pyridazine Chemical compound N1=NC=CC2=C1N=NN2 CBHTTYDJRXOHHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydro-4H-imidazol-4-one Chemical compound O=C1CNC=N1 CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 4-azabenzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=N1 GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGTWRLJTMHIQZ-UHFFFAOYSA-N 5H-dibenzo[b,f]azepine Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2NC2=CC=CC=C21 LCGTWRLJTMHIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000660 7-membered heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N C70 fullerene Chemical compound C12=C(C3=C4C5=C67)C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C(C%14=C%15C%16=%17)=C%18C%19=C%20C%21=C%22C%23=C%24C%21=C%21C(C=%25%26)=C%20C%18=C%12C%26=C%10C8=C4C=%25C%21=C5C%24=C6C(C4=C56)=C%23C5=C5C%22=C%19C%14=C5C=%17C6=C5C6=C4C7=C3C1=C6C1=C5C%16=C3C%15=C%13C%11=C4C9=C2C1=C34 ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N Imidazolidine Chemical compound C1CNCN1 WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- LFRXCNXVZHVRSE-JEZACWOJSA-N [(2r,3s,4s,5r,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-[(2r,3r,4s,5s,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-[[(2r,3r)-3-hydroxy-2-tetradecyloctadecanoyl]oxymethyl]oxan-2-yl]oxyoxan-2-yl]methyl (2r,3r)-3-hydroxy-2-tetradecyloctadecanoate Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](COC(=O)[C@H](CCCCCCCCCCCCCC)[C@H](O)CCCCCCCCCCCCCCC)O[C@@H]1O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](COC(=O)[C@H](CCCCCCCCCCCCCC)[C@H](O)CCCCCCCCCCCCCCC)O1 LFRXCNXVZHVRSE-JEZACWOJSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRSXMVQXAKTVLS-UHFFFAOYSA-N [Cu]=O.[In] Chemical compound [Cu]=O.[In] PRSXMVQXAKTVLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBAJOOJQFFMVGM-UHFFFAOYSA-N [Cu]=O.[Sr] Chemical compound [Cu]=O.[Sr] PBAJOOJQFFMVGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000999 acridine dye Substances 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 150000004646 arylidenes Chemical group 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQRWAZOLUJHNDT-UHFFFAOYSA-N c12c3c4c5c6c7c8c9c%10c%11c%12c%13c%14c%15c%16c%17c(c1c1c4c7c%10c%13c%161)c1c2c2c4c7c%10c%13c%16c%18c%19c%20c%21c%22c%23c%24c%25c%26c%27c%28c%29c(c7c7c%13c%19c%22c%25c%287)c4c1c1c%17c%15c(c%27c%291)c1c%14c%12c(c%24c%261)c1c%11c9c(c%21c%231)c1c8c6c(c%18c%201)c1c5c3c2c%10c%161 Chemical compound c12c3c4c5c6c7c8c9c%10c%11c%12c%13c%14c%15c%16c%17c(c1c1c4c7c%10c%13c%161)c1c2c2c4c7c%10c%13c%16c%18c%19c%20c%21c%22c%23c%24c%25c%26c%27c%28c%29c(c7c7c%13c%19c%22c%25c%287)c4c1c1c%17c%15c(c%27c%291)c1c%14c%12c(c%24c%261)c1c%11c9c(c%21c%231)c1c8c6c(c%18c%201)c1c5c3c2c%10c%161 FQRWAZOLUJHNDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229930002875 chlorophyll Natural products 0.000 description 1
- 235000019804 chlorophyll Nutrition 0.000 description 1
- ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M chlorophyll a Chemical compound C1([C@@H](C(=O)OC)C(=O)C2=C3C)=C2N2C3=CC(C(CC)=C3C)=[N+]4C3=CC3=C(C=C)C(C)=C5N3[Mg-2]42[N+]2=C1[C@@H](CCC(=O)OC\C=C(/C)CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H](C)C2=C5 ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M 0.000 description 1
- QZHPTGXQGDFGEN-UHFFFAOYSA-N chromene Chemical group C1=CC=C2C=C[CH]OC2=C1 QZHPTGXQGDFGEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- OSDANZNEPXWSQQ-UHFFFAOYSA-N copper chromium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Cr+3].[Cu++] OSDANZNEPXWSQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000004857 imidazopyridinyl group Chemical group N1C(=NC2=C1C=CC=N2)* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- LJDSOABMJSBRJV-UHFFFAOYSA-N indium;oxosilver Chemical compound [In].[Ag]=O LJDSOABMJSBRJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003406 indolizinyl group Chemical group C=1(C=CN2C=CC=CC12)* 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N pentaporphyrin i Chemical compound N1C(C=C2NC(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N phenanthridine Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=NC2=C1 RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001791 phenazinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C12)* 0.000 description 1
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- GJSGGHOYGKMUPT-UHFFFAOYSA-N phenoxathiine Chemical group C1=CC=C2OC3=CC=CC=C3SC2=C1 GJSGGHOYGKMUPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 150000004291 polyenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole-5,6-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)C(=O)N=C21 FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- VELSFHQDWXAPNK-UHFFFAOYSA-N tetracontacyclo[25.6.5.516,28.44,32.35,11.321,34.28,10.212,15.222,35.229,31.113,20.124,38.02,6.014,19.017,25.018,23.030,37.033,36.547,54.446,53.448,58.126,51.150,52.03,45.07,42.09,61.039,40.041,43.044,63.049,76.055,78.056,62.057,68.059,64.060,67.065,69.066,71.070,73.072,75.074,77]octaheptaconta-1,3(45),4(48),5(61),6,8,10,12,14,16,18,20,22,24(39),25,27(38),28,30,32,34(42),35(40),36,41(43),44(63),46,49(76),50(77),51,53,55(78),56(62),57,59,64,66,68,70(73),71,74-nonatriacontaene Chemical compound c12c3c4c5c6c1c1c7c8c2c2c3c3c9c4c4c5c5c%10c%11c%12c%13c%14c%15c%12c%12c%16c%17c%18c%19c%20c%21c%17c%17c%22c%21c%21c%23c%20c%20c%19c%19c%24c%18c%16c%15c%15c%24c%16c(c7c%15c%14c1c6c5%13)c8c1c2c2c3c3c(c%21c5c%22c(c%11c%12%17)c%10c4c5c93)c%23c2c%20c1c%19%16 VELSFHQDWXAPNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVIJJXMXTUZIOD-UHFFFAOYSA-N thianthrene Chemical group C1=CC=C2SC3=CC=CC=C3SC2=C1 GVIJJXMXTUZIOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- YWBFPKPWMSWWEA-UHFFFAOYSA-O triazolopyrimidine Chemical compound BrC1=CC=CC(C=2N=C3N=CN[N+]3=C(NCC=3C=CN=CC=3)C=2)=C1 YWBFPKPWMSWWEA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001834 xanthenyl group Chemical group C1=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3C(C12)* 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
- B32B2307/418—Refractive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/12—Photovoltaic modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
また、これ以外にも、耐溶剤層(アクリル系の硬化樹脂)上にガスバリア層としてSiOxNy層をスパッタリングで形成し、その上にカルドポリマー層を形成し、このカルドポリマー層上に酸窒化珪素層を形成したガスバリアフィルムが記載されている。
特許文献2では、バリア性に適したSiNxOyの組成として、x=0.5〜1.5、y=0.15〜1であることが記載されている。xの好ましい範囲として0.5〜1.5、より好ましい範囲として0.7〜1.3、yの好ましい範囲として0.15〜1、より好ましい範囲として0.3〜0.7が記載されている。
また、特許文献1〜3には、高温高湿度でのSiOxNy膜の安定性については何ら示されておらず、湿熱保管安定性について何ら考慮されていない。
現状では、保護膜として用いるSiOxNy膜において、上述の適正な膜応力とし、かつ高温高湿度環境でもガスバリア性能が劣化しないものがない。
例えば、有機機能層は、光が照射されると電荷を発生する有機光電変換層であり、有機光電変換層は、基材側に下部電極が設けられ、基材の反対側に透明な上部電極が設けられており、上部電極上に保護膜が配置されていることが好ましい。
また、例えば、有機機能層は、有機物を含むカラーフィルタ層であり、カラーフィルタ層上に保護膜が配置されている。
なお、x、yは0.5≦x≦1.0、かつ−2.2y+2.1≦x≦−2.2y+2.32を満たすことが好ましい。
また、本発明によれば、反射光による損失を抑制でき、膜応力が所定の範囲にあり、かつ高温高湿度環境下での安定性に優れた保護膜を有する有機機能層付き基板を製造することができる。
図1(a)は、本発明の実施形態の有機機能層付き基板を示す模式図であり、(b)は、本発明の実施形態の有機機能層付き基板の他の例を示す模式図であり、(c)は、本発明の実施形態の有機機能層付き基板の他の例を示す模式図であり、(d)は、図1(a)の有機機能層付き基板において保護膜が形成される前の状態を示す模式図である。
基材12は、有機機能層14と保護膜16とを支持するものである。基材12は、有機機能層14と保護膜16とを支持することができ、かつ有機機能層14および保護膜16の作製時にかかる熱等に対して所定の強度を有するものである。例えば、平板で構成される。基材12としては、例えば、ガラス基材、絶縁層付き金属基材、樹脂基材および金属基材等を用いることができる。なお、基材12については、有機機能層14の種類等に応じて導電性または絶縁性の基材を適宜用いることができる。
有機機能層14は、使用形態としてはカラーフィルタのように単体で使うもの、撮像素子に用いられる有機光電変換層、有機太陽電池に用いられる有機物を含む光電変換層および有機EL層のように電極が設けられて使用されるもの等がある。
耐熱性とは、有機機能層14の機能を維持できる状態の温度のことである。本発明では245℃以下であるため、温度が245℃を超えると、有機機能層14の機能が損なわれる。例えば、カラーフィルタであれば透過度、色味が変わる等の不具合が生じ、もともとの分光特性が変化してしまう。有機光電変換層であれば、暗電流の上昇等の性能低下が生じる。有機EL層であれば発光強度が低下する。
保護膜16は、SiOxNyで表わされる酸窒化珪素層が複数積層された多層構造体である。図1(a)に示す例では、保護膜16は第1の酸窒化珪素層16aと第2の酸窒化珪素層16bである。しかし、層数は、特に限定されるものではない。また、図1(a)の保護膜16では、有機機能層14上に直接設けられているが、有機機能層14を保護することができれば、保護膜16の配置は、これに限定されるものではない。例えば、有機機能層14上に電極、透明電極、他の構成部または構造部等が設けられており、その電極、他の構成部または構造部上に保護膜16が設けられる構成でもよい。
なお、xの値は少なくとも0.05以上大きい組成であるが、より好ましくは0.1以上、さらにより好ましくは0.15以上である。
また、保護膜16は有機機能層付基板の最上層である必要はなく、保護膜16上に更に、膜を形成してもよい。この場合、膜の構成および組成は特に限定されるものではない。
本発明においては、保護膜16の構成によらず、総厚で50nm以上であることが好ましい。
ここで、透明とは、波長400〜800nm(可視光域)の波長範囲において、光吸収率が0.2%未満であるこという。すなわち、透明とは、波長400〜800nmの波長範囲での光吸収率は最大値で0.2%未満であるこという。上述の可視光域での光吸収率が0.2%であれば、光吸収を無視できる。
保護膜16は、上記組成の範囲から外れると、透明ではなく、かつ屈折率が1.65〜1.75の範囲に入らない。なお、透明ではないとは、上述の可視光域での光吸収率が0.2%以上であることをいう。
保護膜16において、各酸窒化珪素層は屈折率差が絶対値で0.1以内、より好ましくは0.05以内である。具体的には、図1(a)に示す例では、第1の酸窒化珪素層16aと第2の酸窒化珪素層16bとの屈折率差が絶対値で0.1以内である。また、保護膜16の層数が3以上である場合、全ての酸窒化珪素層の屈折率差が絶対値で0.1以内である。すなわち、保護膜16においては、酸窒化珪素層の屈折率の最大値と最小値との差が0.1以内である。これにより、保護膜16の第1の酸窒化珪素層16aと第2の酸窒化珪素層16bとの界面での入射光Lの反射を抑制することができる。なお、屈折率差は絶対値で0.03以内であることが好ましい。
図1(a)の有機機能層付き基板10では、例えば、図1(d)に示すように、基材12上に有機機能層14を形成した後、有機機能層14上に、保護膜16として、上述のように、基板温度(成膜温度)245℃以下で、プラズマCVD法を用いて、上記組成の範囲の酸窒化珪素層を形成する。酸窒化珪素層の組成およびその密度については、予め反応ガスの流量等を変えて酸窒化珪素層を形成し、成膜条件(成膜温度(基板温度)、成膜時の反応室内の圧力(以下、成膜時の圧力という)、成膜時の高周波電力、ガス種(SiH4、NH3、N2O)およびガスの混合比等)を決めておくことにより上記組成の範囲にある酸窒化珪素層を形成することができる。
図2(a)は、本発明の実施形態の撮像素子を示す模式的断面図であり、(b)は、本発明の実施形態の撮像素子の他の例を示す模式的断面図である。
図2(a)に示す撮像素子20は、有機CMOSと呼ばれるものであり、可視光像を電気信号に変換する。撮像素子20は、基板30と、絶縁層32と、画素電極(下部電極)34と、有機層36と、対向電極(上部電極)38と、保護膜(封止層)40と、カラーフィルタ42と、隔壁44と、遮光層46と、オーバーコート層48とを有する。基板30には読出し回路60と、対向電極電圧供給部62とが形成されている。
絶縁層32には、画素電極34と読出し回路60とを接続する第1の接続部64が形成されている。更には、対向電極38と対向電極電圧供給部62とを接続する第2の接続部66が形成されている。第2の接続部66は、画素電極34および有機層36に接続されない位置に形成されている。第1の接続部64および第2の接続部66は、導電性材料で形成されている。
上述のように、基板30上の絶縁層32の表面32aに、各第1の接続部64に接続された画素電極34が形成されたものを回路基板35という。なお、この回路基板35はCMOS基板ともいう。
有機層36は、電子ブロッキング層50が画素電極34側に形成されており、電子ブロッキング層50の表面50aに光電変換層52が形成されている。なお、有機層36は、電子ブロッキング層50を設けることなく、光電変換層52単層であってもよい。
光電変換層52は、入射光L、例えば、可視光等の受光した光の光量に応じた電荷を発生するものである。光電変換層52は、主に有機材料で構成されている有機光電変換層であり、電子ブロッキング層50上に、複数の画素電極34に跨って形成されている。
光電変換層52および電子ブロッキング層50は、画素電極34上で一定の膜厚であれば、それ以外で膜厚が一定でなくてもよい。この場合、膜厚とは膜厚が一定で領域での厚さのことである。なお、光電変換層52については、後に詳細に説明する。
対向電極38は、光電変換層52に光を入射させるため、入射光L(少なくとも可視光を含む光)に対して透明な導電性材料で構成されている。対向電極38は、光電変換層52よりも外側に配置された第2の接続部66と電気的に接続されており、第2の接続部66を介して対向電極電圧供給部62に接続されている。
対向電極38は、厚さが5〜30nmであることが好ましい。対向電極38を5nm以上の膜厚にすることにより、下層を十分に被覆することができ、均一な性能が得られる。一方、対向電極38の膜厚が30nmを超えると、対向電極38と画素電極34が局所的に短絡してしまい、暗電流が上昇してしまうことがある。対向電極38を30nm以下の膜厚にすることで、局所的な短絡が発生するのを抑制することができる。
なお、図示しないが、例えば、基板30にp領域によって囲まれた高濃度のn領域が形成されており、このn領域に第1の接続部64が接続されている。p領域に読出し回路60が設けられている。n領域は光電変換層52の電荷を蓄積する電荷蓄積部として機能する。n領域に蓄積された信号電荷は読出し回路60によって、その電荷量に応じた信号に変換されて、例えば、配線層68を介して撮像素子20の外部等に出力される。
保護膜40により、撮像素子20の各製造工程において、有機溶媒等の溶液、プラズマ等に含まれる有機の光電変換材料を劣化させる因子の浸入を阻止して有機層36を保護する。また、撮像素子20の製造後に、水分子、酸素等の有機の光電変換材料を劣化させる因子の浸入を阻止して、長期間の保存、および長期の使用にわたって、有機層36の劣化を防止する。更には、保護膜40を形成する際、既に形成された有機層36を劣化させない。また、入射光Lは保護膜40を通じて有機層36に到達する。このため、保護膜40は、有機層36で検知する波長の光、例えば、可視光に対して透明である。
また、例えば、保護膜40は、総膜厚が50〜500nmである。
保護膜40の総膜厚が50nmを下回るとバリア性が低下したり、カラーフィルタの現像液に対する耐性が低下する虞がある。一方、保護膜40の総膜厚が500nmを超えると、画素サイズが1μmを切る場合に、混色を抑制することが難しくなる。
なお、カラーフィルタ42を設ける構成としたが、カラーフィルタ42を設けなくてもよい。この場合、カラーフィルタ42以外に隔壁44および遮光層46を設けないので、保護膜40が最上層になる。保護膜40においても、上述の保護膜16と同様に第1の酸窒化珪素層41aと第2の酸窒化珪素層41bとの間に他の構成層を有する構成でもよい。
撮像素子20においては、有機層36、対向電極38およびカラーフィルタ42が上方に設けられた画素電極34、1つが単位画素になる。
カラーフィルタ42は、有機物を含むものであり、本発明の有機機能層に相当する。このため、オーバーコート層48を、上述の保護膜40と同様に、上述の保護膜16と同じ組成および密度を有し、SiOxNyで表わされる酸窒化珪素層が2層形成されたものであってもよい。この場合、図2(b)に示す撮像素子20aのように、オーバーコート層48が第1の酸窒化珪素層48aと第2の酸窒化珪素層48bとが積層されたものであってもよい。なお、図2(b)に示す撮像素子20aは、図2(a)に示す撮像素子20に比してオーバーコート層48の構成が異なる以外は、同一の構成物であるため、その詳細な説明は省略する。
また、保護膜40は、屈折率差が0.1以内、好ましくは0.05以内と小さく反射光の発生が抑制され、撮像素子20での感度ロスも少ない。これにより、撮像素子20の効率を高くすることができる。
光電変換層52は、p型有機半導体材料とn型有機半導体材料とを含むものである。p型有機半導体材料とn型有機半導体材料を接合させてドナーアクセプタ界面を形成することにより励起子解離効率を増加させることができる。このために、p型有機半導体材料とn型有機半導体材料を接合させた構成の光電変換層は高い光電変換効率を発現する。特に、p型有機半導体材料とn型有機半導体材料を混合した光電変換層は、接合界面が増大して光電変換効率が向上するので好ましい。
電子ブロッキング層50が単層の場合にはその層を無機材料からなる層にでき、複数層の場合には1つまたは2以上の層を無機材料からなる層にできる。
図3(a)および(b)は、本発明の実施形態の撮像素子の製造方法を工程順に示す模式的断面図であり、図4(a)および(b)は、本発明の実施形態の撮像素子の製造方法を工程順に示す模式的断面図であり、図3(b)の後工程を示す。
本発明の実施形態の撮像素子20の製造方法においては、まず、図3(a)に示すように、読出し回路60と対向電極電圧供給部62とが形成された基板30上に、第1の接続部64と第2の接続部66と、配線層68が設けられた絶縁層32が形成され、更に絶縁層32の表面32aに、各第1の接続部64に接続された画素電極34が形成された回路基板35(CMOS基板)を用意する。この場合、上述の如く、第1の接続部64と読出し回路60とが接続されており、第2の接続部66と対向電極電圧供給部62とが接続されている。画素電極34は、例えば、TiNで形成される。
この場合、保護膜40として、基板温度(成膜温度)245℃以下で、プラズマCVD法を用いて、上記組成および密度の範囲の酸窒化珪素層を形成する。酸窒化珪素層の組成およびその密度については、予め反応ガスの流量等を変えて酸窒化珪素層を形成し、成膜条件(成膜温度、成膜時の圧力、成膜時の高周波電力、ガス種(SiH4、NH3、N2O)およびガスの混合比等)を決めておくことにより上記組成の範囲にある酸窒化珪素層を形成することができる。
また、成膜条件のうち、高周波電力だけを変えて、成膜ガスを止めることなく連続して第1の酸窒化珪素層41aと第2の酸窒化珪素層41bとを形成することができる。
オーバーコート層48を多層の酸窒化珪素層(SiOxNy層)で構成する場合、保護膜40と同様の方法で形成することができる。
本発明の有機機能層付き基板は、例えば、有機太陽電池および有機EL素子と呼ばれるものとすることもできる。
図5(a)は、本発明の実施形態の有機太陽電池を示す模式的断面図であり、(b)は、本発明の実施形態の有機EL素子を示す模式的断面図である。
図5(a)に示す有機太陽電池70は有機光電変換層76を有する。この有機光電変換層76が本発明の有機機能層に相当し、耐熱性が245℃以下である。有機太陽電池70は、基板72上に下部電極74と、有機光電変換層76と、透明電極(上部電極)78と、保護膜80とが、この順で積層されてなる。透明電極78側から入射光Lが入射される。
保護膜80は、第1の酸窒化珪素層81aと第2の酸窒化珪素層81bとで構成される。保護膜80は、保護膜16と同じく図1(b)、(c)に示す構成とすることもできる。
入射光Lの照射により有機光電変換層76で発生した電流は下部電極74と透明電極78で外部に取り出される。
このような構成の有機太陽電池70においても、上述の保護膜16と同じ保護膜80を設けることにより、高温高湿度環境下で、長時間に亘り有機光電変換層76を保護することができる。これにより、有機太陽電池70の耐久性を向上させることができる。しかも、保護膜80は、上述のように透明であり、有機光電変換層76への入射光Lの入射を妨げることがない。
有機EL層86が本発明の有機機能層に相当し、耐熱性が245℃以下である。有機EL素子70aは、基板72上にTFT82と、陰極84と、有機EL層86と、透明電極(上部電極)78と、保護膜80とが、この順で積層されている。TFT82、陰極84および透明電極78に電源88が接続されている。保護膜80は、上述の図5(a)に示す有機太陽電池70と同じものであり、2層構造である。この場合でも、保護膜80は、保護膜16と同じく図1(b)、(c)に示す構成とすることもできる。
陰極84と透明電極78とは有機EL層86を発光させるに必要な電圧を印加するためのものであり、TFT82は、有機EL素子70aの発光を制御するためのものである。
電源88は、有機EL層86を発光させるに必要な電圧を発生するものであるとともに、TFT82を駆動するものである。
なお、TFT82、陰極84、有機EL層86および透明電極78は、公知の有機EL素子に用いられる一般的なもので適宜構成される。このため、その詳細な説明は省略する。
図6(a)および(b)に示すように、保護膜16に相当する薄膜102が形成された基板100を例にして、薄膜102に作用する応力を、保護膜16に作用する応力として説明する。保護膜16は多層構造体であり、多層構造体を1つの膜として応力を測定すれば、保護膜16の膜応力を得ることができる。また、保護膜16の各酸窒化珪素層の応力を、それぞれ単層状態で測定し、各応力の平均を求めることにより、保護膜16の膜応力を測定することもできる。
図7は、薄膜が形成された基板の反り量を測定する測定装置を示す模式図である。図7に示す測定装置200は、レーザ光を照射するレーザ照射部202と、レーザ照射部202から照射された光のうち一部の光を反射すると共に他の光を透過するスプリッタ204と、スプリッタ204を透過した光を反射するミラー206とを備えている。基板100の一方の面には、被測定物である薄膜102が成膜されている。スプリッタ204で反射した光を基板100の薄膜102に照射し、その際に薄膜102の表面で反射した光の反射角度を第1の検出部208で検出する。ミラー206で反射した光を基板100の薄膜102に照射し、その際に薄膜102の表面で反射した光の反射角度を第2の検出部210で検出する。
なお、図7では、基板100を薄膜102が成膜された側の面を突出させるように反らせることで、薄膜102に働く圧縮応力を測定する例を示している。ここで、基板100の厚さをhとし、薄膜102の厚さをtとする。
測定に用いる装置としては、例えば、東朋テクノロジー社製、薄膜ストレス測定装置FLX−2320−Sを用いることができる。以下に、この装置を用いた場合の測定条件を示す。
使用レーザ:KLA−Tencor−2320−S
レーザ出力:4mW
レーザ波長:670nm
走査速度:30mm/s
基板材質:シリコン(Si)
方位:<100>
Type:P型(ドーパント:Boron)
厚み:250±25μm若しくは、280±25μm
予め薄膜102を成膜する基板100の反り量を計測しておき、基板100の曲率半径R1を求める。続いて、基板100の一方の面に薄膜102を成膜し、基板100の反り量を計測し、曲率半径R2を求める。ここで、反り量は、図7に示すようにレーザで基板100の薄膜102が形成された側の面を走査し、基板100から反射してくるレーザ光の反射角度から反り量を算出し、反り量を元に曲率半径R=R1・R2/(R1−R2)を算出している。
σ=E×h2/6(1−ν)Rt
但し、E/(1−ν):下地基板の2軸弾性係数(Pa)、ν:ポアソン比
h:下地基板の厚さ(m)、
t:薄膜の膜厚(m)、
R:下地基板の曲率半径(m)、
σ:薄膜の平均応力(Pa)とする。
本実施例においては、実施例1、2および比較例1〜9のサンプルを作製し、本発明の保護膜の効果を確認した。
なお、保護膜には、SiOxNyで表わされる酸窒化珪素層の2層構造のものを用いた。各酸窒化珪素層
実施例1、2および比較例1〜9のサンプルは、保護膜の構成以外、同じ構成の後述の素子ユニットを用いた。
各サンプルには、以下のようにして形成された素子ユニットを用意した。
基材として、厚さが0.7mmの無アルカリガラス基材を用意し、この基材上に、画素電極として、スパッタ法により、厚さ100nmの酸化インジウム錫(ITO)膜を形成した。
次に、基材上に、画像電極を覆うようにして、電子ブロッキング層として、抵抗加熱蒸着法により下記化学式1で示す材料を、蒸着速度10〜20nm/sで厚み100nmとなるように蒸着した。次に、有機層(光電変換層)として、下記化学式2で示す材料(フラーレンC60)と下記化学式3で示す材料を、それぞれ蒸着速度16〜18nm/s、25〜28nm/sで、下記化学式2に示す材料と下記化学式3に示す材料の体積比が1:3になるように共蒸着して、400nmの厚さに形成した。
次に、対向電極上に、原子層化学気相蒸着法(AL−CVD法)により、厚さ30nmの酸化アルミニウム膜(AlOx膜)を形成した。
このようにして準備された素子ユニットの対向電極を覆うようにして、酸化アルミニウム膜上および基材上に、保護膜として、プラズマCVD法により、酸窒化珪素層(SiOxNy層)を、300nmの厚さに形成した。このようにして、実施例1のサンプルを作製した。
実施例1、2および比較例1〜9は、下記表1に成膜温度が明記されてないものは成膜温度を154℃とした。特に断りがない限り、成膜にはSiH4、NH3、N2Oの成分比が固定された同じガス種のものを用いた。
また、比較例6の下層と比較例7の上層は、成膜温度を350℃に変え、ガス種をガス種Aに変えて成膜した。比較例8の下層と比較例9の上層は、成膜温度を350℃に変え、ガス種をガス種Bに変えて成膜した。なお、ガス種Aは、上記特に断りがない限り成膜に用いられるガス種に比して、上記成分のうちNH3の成分量が多いものである。ガス種Bは、上記特に断りがない限り成膜に用いられるガス種に比して、上記成分のうちN2Oの成分量が多いものである。
また、実施例1、2および比較例1〜9の各サンプルを、温度85℃相対湿度85%の環境に放置し、前述の環境下で放置後の暗電流が、前述の環境に放置する前の2倍の値になる迄の時間を測定した。この測定時間を寿命とした。この結果を下記表1に示す。
膜応力については、上述の図7に示す方法を用いて測定した。
膜組成の測定機器には、PHI製QuanteraSXMとX線源として15kV−25Wの単色化したAl−Kα線を使用した。深さ方向分析はAr+エッチング/XPSで行った。Ar+エッチングに関してはAr+の加速電圧を3kVとし、エッチング面積を2×2mm2とした。XPSに関してはX線照射範囲および分析範囲を300×300μm2とし、Pass Energyを112eV、Stepを0.2eVとした。帯電補正はありとし(電子銃・低速イオン銃併用)、C1s,O1s,N1s,Si2pの各強度を感度係数で補正し、原子数比に変換した。
なお、比較例6〜9は、保護膜を形成する際に、上層および下層のうち、いずれか一方の成膜温度が350℃と高く、保護膜を形成することができたものの有機層(光電変換層)が損傷してしまった。このため、下記表1の「85℃85%RH経時耐性(相対時間)」の欄には「NG」と記した。
比較例2は、保護膜の上層と下層とが同じ組成であり、保護膜の全体膜応力が−120MPaと圧縮応力が作用しているが、温度85℃相対湿度85%耐性が350時間と低い。
比較例3は、保護膜の上層と下層とが同じ組成であり、保護膜の全体膜応力が−280MPaと圧縮応力が作用している。温度85℃相対湿度85%耐性が1000時間であった。
比較例4は、保護膜の下層が、xの値の上限値を超えている。また、比較例4では保護膜の上層と下層とを形成するには、下層の形成時に成膜温度を変える必要がある。このため、比較例4は、本発明の製造方法では製造することができない。
比較例6〜9は、上述のように成膜温度が350℃と高く保護膜は形成できたものの、有機層(光電変換層)が損傷してしまった。
また、比較例6、7は、いずれも屈折率差が0.12と本発明の範囲を超えているため、入射光の反射を抑制することができず、反射率が増大し、光電変換素子本体の感度が低下した。
比較例8は、下層がyの式を満たさず、上層がxの値およびyの式を満たすものである。比較例8は、保護膜全体の膜応力が−350MPaと大きく膜剥れが生じる。
比較例9は、下層がxの値およびyの式を満たし、上層がyの式を満たさないものである。比較例9は、保護膜全体の膜応力が−350MPaと大きく膜剥れが生じる。
12 基材
14 有機機能層
16、40、80 保護膜
16a、41a、81a 第1の酸窒化珪素層
16b、41b、81b 第2の酸窒化珪素層
20 撮像素子
30 基板
32 絶縁層
34 画素電極(下部電極)
36 有機層
48 オーバーコート層
50 電子ブロッキング層
52 光電変換層
70 有機太陽電池
70a 有機EL素子
Claims (7)
- 基材と、
基材上に配置された245℃以下の耐熱性を有する有機機能層と、
前記有機機能層上に配置された保護膜とを有し、
前記保護膜は、SiOxNyで表わされる酸窒化珪素層を複数有し、前記各酸窒化珪素層は屈折率差が絶対値で0.1以内であり、
前記x、yは0.5≦x≦1.0、かつ−2.2y+2.1≦x≦−2.2y+2.41を満たしており、
前記保護膜では、複数の前記酸窒化珪素層のうち、前記有機機能層から遠い側の酸窒化珪素層は、前記xの値が前記有機機能層に最も近い位置に形成された酸窒化珪素層のxの値よりも0.05以上大きいことを特徴とする有機機能層付き基板。 - 前記保護膜は、総厚が50nm以上である請求項1に記載の有機機能層付き基板。
- 前記保護膜は、各酸窒化珪素層の間に他の層を有する請求項1または2に記載の有機機能層付き基板。
- 前記有機機能層は、光が照射されると電荷を発生する有機光電変換層であり、
前記有機光電変換層は、前記基材側に下部電極が設けられ、前記基材の反対側に透明な上部電極が設けられており、
前記上部電極上に前記保護膜が配置されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機機能層付き基板。 - 前記有機機能層は、有機物を含むカラーフィルタ層であり、
前記カラーフィルタ層上に前記保護膜が配置されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機機能層付き基板。 - 前記x、yは0.5≦x≦1.0、かつ−2.2y+2.1≦x≦−2.2y+2.32を満たす請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機機能層付き基板。
- 基材上に配置された245℃以下の耐熱性を有する有機機能層上に、プラズマCVD法を用いて、SiOxNyで表わされる酸窒化珪素層を複数、保護膜として形成する保護膜形成工程を有し、
前記保護膜形成工程では、前記プラズマCVD法における成膜条件のうち高周波電力だけを変えて、前記有機機能層から遠い側の酸窒化珪素層を、前記xの値が前記有機機能層に最も近い位置に形成された酸窒化珪素層のxの値よりも0.05以上大きい組成で形成することを特徴とする有機機能層付き基板の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013252293A JP6026395B2 (ja) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 有機機能層付き基板およびその製造方法 |
PCT/JP2014/079726 WO2015083497A1 (ja) | 2013-12-05 | 2014-11-10 | 有機機能層付き基板およびその製造方法 |
TW103139392A TW201523894A (zh) | 2013-12-05 | 2014-11-13 | 帶有機機能層基板及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013252293A JP6026395B2 (ja) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 有機機能層付き基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015109384A JP2015109384A (ja) | 2015-06-11 |
JP6026395B2 true JP6026395B2 (ja) | 2016-11-16 |
Family
ID=53273268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013252293A Active JP6026395B2 (ja) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 有機機能層付き基板およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6026395B2 (ja) |
TW (1) | TW201523894A (ja) |
WO (1) | WO2015083497A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6799282B2 (ja) * | 2015-07-27 | 2020-12-16 | コニカミノルタ株式会社 | 銀反射鏡並びにその製造方法及び検査方法 |
CN111065514B (zh) * | 2017-09-27 | 2022-01-25 | 富士胶片株式会社 | 阻气膜 |
KR102469745B1 (ko) * | 2017-10-23 | 2022-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP7077889B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2022-05-31 | 住友電気工業株式会社 | 半導体受光素子 |
JP7109565B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-07-29 | 富士フイルム株式会社 | 遮光性組成物、硬化膜、遮光膜、固体撮像素子 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161709A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3977974B2 (ja) * | 1998-12-29 | 2007-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP4493779B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP5445179B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2014-03-19 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、有機電子デバイス |
JP5625648B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2014-11-19 | 株式会社村田製作所 | 酸窒化シリコン膜の成膜方法及び弾性境界波装置の製造方法 |
JP5800682B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2015-10-28 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子の製造方法、および撮像素子の製造方法 |
JP2014056879A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
-
2013
- 2013-12-05 JP JP2013252293A patent/JP6026395B2/ja active Active
-
2014
- 2014-11-10 WO PCT/JP2014/079726 patent/WO2015083497A1/ja active Application Filing
- 2014-11-13 TW TW103139392A patent/TW201523894A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201523894A (zh) | 2015-06-16 |
JP2015109384A (ja) | 2015-06-11 |
WO2015083497A1 (ja) | 2015-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5819799B2 (ja) | 光電変換素子及び撮像素子 | |
JP5730265B2 (ja) | 撮像素子 | |
JP6025243B2 (ja) | 光電変換素子及びそれを用いた撮像素子 | |
JP6010514B2 (ja) | 光電変換素子および撮像素子 | |
WO2015045806A1 (ja) | 光電変換素子および撮像素子 | |
WO2013042444A1 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP6026395B2 (ja) | 有機機能層付き基板およびその製造方法 | |
JP5681597B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP6055789B2 (ja) | 有機機能層付き基板およびその製造方法 | |
JP2011228648A (ja) | 撮像素子 | |
JP6128593B2 (ja) | 有機光電変換素子および撮像素子 | |
WO2015076058A1 (ja) | 有機機能層付き基板およびその製造方法 | |
JP5520647B2 (ja) | 有機光電変換素子の製造方法 | |
JP5800682B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法、および撮像素子の製造方法 | |
WO2013031471A1 (ja) | 光電変換素子の製造方法、および撮像素子の製造方法 | |
JP2012124343A (ja) | 撮像素子及び撮像素子の製造方法 | |
JP5651507B2 (ja) | 有機光電変換素子の製造方法、有機光電変換素子、撮像素子、撮像装置 | |
JP2013055248A (ja) | 光電変換素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161012 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6026395 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |