TWI550129B - 用於處理塑膠基板之方法及用於將至少部分處理溶液再生之裝置 - Google Patents

用於處理塑膠基板之方法及用於將至少部分處理溶液再生之裝置 Download PDF

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Description

用於處理塑膠基板之方法及用於將至少部分處理溶液再生之裝置
本發明係關於一種利用包含過錳酸鹽之處理溶液處理(特定言之蝕刻)塑膠基板(特定言之，印刷電路板及印刷電路箔片)之方法，其中該處理溶液具有獨立方法技術方案1之特徵。本發明亦關於一種用於將包含過錳酸鹽之處理溶液至少部分再生之裝置，該處理溶液係用於處理及/或蝕刻塑膠零件，特定言之，印刷電路板及印刷電路箔片，該裝置具有獨立裝置技術方案8之特徵。
利用包含過錳酸鹽之溶液處理或蝕刻塑膠基板(如塑膠模製零件或特定言之，印刷電路板或印刷電路箔片)常實施為將基板之表面或孔金屬化之預備步驟。因此，使基板與合適處理溶液於浸漬機或具有水平運送方向之穿隧機的處理槽中接觸，其中該溶液之溫度可介於50℃與近100℃之間。
EP 1 657 324 B1揭示一種透過利用蝕刻溶液蝕刻使絕緣或非導電基板金屬化之方法，其中控制用於使基板表面粗糙化及金屬化之濃度、溫度及時間。
由於此處理溶液在使用較長時間後會喪失其處理性質，故需定期補充或完全或部分更換，此花費巨大。
本發明之第一目的係提供一種利用包含過錳酸鹽之處理溶液處理(特定言之，蝕刻)塑膠基板(特定言之，印刷電路板及印刷電路箔片之方法，該方法可延長該處理溶液之使 用。第二目的係提供一種將處理溶液有效且節省成本地再生以達成該方法目的之裝置。
此等目的可透過獨立技術方案之主要內容達成。本發明之具優勢較佳實施例之特徵係自獨立技術方案獲得。為了達成所提及的第一目的，本發明提出一種利用包含過錳酸鹽之處理溶液處理(特定言之，蝕刻)塑膠基板(如塑膠模製零件及特定言之印刷電路板及印刷電路箔片)之方法。此方法意欲透過將碳酸鹽化合物自處理溶液移除而將基於碳酸鈉Na2CO3計之碳酸鹽濃度設定為碳酸鹽化合物在處理溶液中呈溶解形式之所需值。在此透過凍出使經溶解之碳酸鹽化合物轉化為固體形式，及隨後藉由過濾自處理溶液移除。就本發明而言，過濾需理解為將固體顆粒自溶液移除之過程。
於本發明中，所需值係經設定為小於200 g/l之值，較佳就該方法而言於處理溶液中之碳酸鹽化合物之濃度係設定為30至150 g/l之值，及更佳地，於處理溶液中之碳酸鹽化合物之濃度係經設定為50至100 g/l之值。碳酸鹽係來自處理溶液與塑膠基板之反應的反應產物。
碳酸鹽化合物之凍出可藉由將處理溶液完全或部份轉移至冷卻槽及隨後在冷卻槽中冷卻處理溶液而達成。隨後將包含經冷卻並凍出之碳酸鹽之處理溶液自冷卻槽轉移至下游過濾器裝置使碳酸鹽可透過過濾自溶液移除。
為透過凍出及後續過濾來將碳酸鹽化合物自處理溶液移除，該處理溶液包含過錳酸鈉。於處理溶液中之過錳酸鹽 之百分比係由多於50%過錳酸鈉(Na2MnO4)組成。
於本發明方法中，碳酸鹽化合物之凍出特定言之可透過將處理溶液冷卻至-12至+12℃，較佳-9至+10℃，及更佳-7至+5℃之凍出溫度來進行。
用於移除碳酸鹽之方法可依將展現(例如)50℃至98℃之處理溫度之待再生之過錳酸鹽溶液自處理槽轉移至冷卻槽的方式來執行。該溶液可藉此通過一或兩個預冷卻器。於冷卻槽中，使該溶液冷卻至凍出溫度，即，0℃或更低之溫度，以致在溶液中因低溫而形成固體碳酸鹽晶體。於達到凍出溫度後，亦可在達到凍出溫度並再等待一段時間後，將具有碳酸鹽晶體之溶液完全地(或更佳部分地)自冷卻槽移至過濾裝置。在此處，可藉由施加至過濾器之負壓之支援濾出晶體。可將濾液移回至處理槽，期間其可通過預冷卻器中之一者，藉此可再次自動加熱。可將由碳酸鹽晶體形成之濾餅沖出過濾器並傳送至流出液。
除上述方法外，該方法之另一有利實施例包含如例如WO 01 90 442 A1中所描述以實現處理溶液之電解過錳酸鹽再生。將由處理槽中之處理溶液之過錳酸鹽與塑膠基板反應生成之過錳酸鹽藉由使處理溶液與合適電解槽接觸之陽極氧化而轉化回過錳酸鹽。尤其藉由組合本發明方法中之至少一者用於透過電解過錳酸鹽再生來設定處理溶液中之特定碳酸鹽濃度，可使過錳酸鹽再生之效率提高及可使處理溶液獲得經改善之較長使用時間。
本發明之第二目的係透過提供將包含過錳酸鹽之處理溶 液至少部分再生之裝置而達成，該裝置透過降低包含於處理溶液中之碳酸鹽化合物之濃度來實施根據申請專利範圍之方法。因此，該裝置包含至少一個冷卻槽，該冷卻槽將接收待再生之處理溶液，其進一步包含導向該冷卻槽之冷卻裝置及提供用於將碳酸鹽化合物自處理溶液分離之下游過濾器裝置。
過濾裝置可包含至少一個過濾槽及一個過濾器，例如，過濾器濾網。該過濾槽可連接至負壓裝置以增大過濾期間於過濾器上之壓力差，藉此達成較快速過濾。
於過濾槽中之過濾器可經佈置成可移動，例如，可傾斜或可旋轉，以利於清潔過濾器。
根據本發明先前實施例中之一者之本發明裝置適於實施根據本發明之先前方法實施例中之一者之方法。
在下文中，本發明之示例性實施例將更詳細地展示本發明及其等益處，尤其是基於所包含之附圖。於圖中個別元件相對於彼此之尺寸比不對應於真實比，係因某些形式已藉由簡化方式說明，而其他形式已相對其他元件以放大比例顯示來提供更佳的視覺觀察。
將相同參考符號用於相同元件或本發明之相同作用元件。所顯示之實施例僅呈現本發明之裝置及方法可如何實現之實例且不呈現任何決定性限制。
圖1之示意圖顯示本發明之裝置10之一實施例，其用於將處理槽14中包含過錳酸鹽之處理溶液12至少部分再生。處 理槽14係用於處理(例如蝕刻)塑膠基板。裝置10將降低處理溶液12中之碳酸鹽化合物之濃度。裝置10包含冷卻槽16及下游過濾裝置20作為必需元件。使待再生之處理溶液12自處理槽14轉移至冷卻槽16，其中冷卻裝置18係供冷卻槽16專用。冷卻裝置18透過有冷卻劑流過之熱交換器中之一者，更佳在冷卻槽16周圍之冷卻夾套19，將冷釋放至冷卻槽16中之處理溶液。冷卻槽16之排水管35係連接至過濾裝置20用於使待分離之固體碳酸鹽化合物自處理溶液分離。
可將預冷卻器22安裝在處理槽14與冷卻槽16之間，其例如可經設計成熱交換器，以致可使用經冷卻及再生之處理溶液12(即，過濾裝置20之濾液或沖洗用水)來預冷卻導入冷卻槽16之待再生之處理溶液12。
過濾裝置20可耦合至負壓單元24，其促進固體部分自處理溶液分離。已顯示，若過濾過程以快速方式進行，則可濾出顯著更大量之碳酸鹽晶體。由於負壓單元24，故在用於過濾之過濾器上存在明顯較高壓力差，進而達成顯著較快速的過濾。可利用沖洗裝置28沖洗包含濾出碳酸鹽晶體之濾餅以移除黏性過錳酸鹽。所獲得之沖洗水溶液可轉移至處理槽14。藉由沖洗裝置28將濾餅沖出過濾器，同時可經由排水管26將所獲得之溶液或淤泥傳送至例如排水系統。積累在過濾裝置20中之濾液(經如此再生之處理溶液)較佳轉移回至處理槽14。因此，經再生之處理溶液流過預冷卻器22，在預冷卻器22中，其再次經自動加熱，其中自處理槽14轉移至冷卻槽之處理溶液則經冷卻。
冷卻槽16較佳具有，例如，馬達攪拌裝置32，該馬達攪拌裝置例如具有帶垂直棒之旋轉攪拌刮刀，該等垂直棒一般緊貼槽內壁移動以將形成於槽內壁上之碳酸鹽種晶自該壁剝離，及將其等分配於溶液中。攪拌刮刀較佳係於冷卻槽16之漏斗形地板34中延伸(此處未顯示)，及延伸至其中以便能捕獲已沈積於壁上之處理溶液12之或多或少的所有固體部分。棒與壁之間之距離可為例如小於20 mm，特定言之，小於5 mm，較佳約1 mm。攪拌裝置可延伸直達冷卻槽之排水管35中以便亦能將碳酸鹽晶體自該壁移除。
處理溶液12之再生可延長其等之使用期間，而處理溶液12之正常壽命一般相對短。此極大程度取決於溶液中碳酸鹽化合物之形成，該碳酸鹽化合物可對蝕刻行為具有負面作用。因此，本發明之再生裝置10係用於將碳酸鹽濃度降低至較佳小於200 g/l之值，特定言之降至介於30與150 g/l之間之值，其中介於50與100 g/l之間之濃度值(測量為克碳酸鈉/公升處理溶液)更適宜獲得最優結果。為設定處理溶液12之所需濃度範圍，利用裝置10將蝕刻製程所形成之碳酸鹽自溶液12移除。此係透過在冷卻槽16中使碳酸鹽自處理溶液12凍出而達成，藉此將其自溶解態轉化為不溶解形式。就經濟原因而言，應使盡可能少的過錳酸鹽轉化為不溶解形式。透過使用過錳酸鈉，可選擇合適的凍出溫度，在該溫度下可凍出碳酸鹽而不凍出過大量之過錳酸鹽。
過濾裝置20係用於快速分離凍出之碳酸鹽與可能溶解的凍出之碳酸鹽。
冷卻槽16中之溫度係以使碳酸鹽晶體形成於處理溶液中或內壁上之方式設定。為了凍出碳酸鹽，設定-12至+12℃，特定言之-9至+10℃，及較佳-7至+5℃之溶液溫度。冷卻液之溫度分別應更低。
轉移至冷卻槽16之處理溶液之量係以不超過凍出碳酸鹽所需之溫度之方式提供，以防止業已形成之碳酸鹽種晶重新溶解，此會顯著降低凍出碳酸鹽之形成速率。部分處理溶液之轉移至冷卻槽16及包含經冷卻及凍出之碳酸鹽之處理溶液之自冷卻槽16轉移至下游過濾裝置20可以使冷卻槽中之處理溶液之溫度不超過凍出溫度的方式進行。較佳地，亦基於冷卻槽16之操作體積(例如，大於501)而輸入及輸出冷卻槽16中之一部分體積的處理溶液，例如，小於101。相應的部分體積可經設定及藉由供應泵21及轉移泵37傳送。回流泵23使去碳酸鹽化之再生處理溶液及來自濾餅沖洗之沖洗溶液返回至處理槽14，其中此等溶液可流過預冷卻器22。
圖2之示意性區塊圖顯示相較於圖1之清洗單元36的其他結構細節，清洗單元36基本上包含過濾裝置20。過濾裝置20可基本上包含過濾槽42及過濾器，如過濾器濾網56。
為了獲得高的經過濾碳酸鹽產率，已證實以盡可能短的時間執行過濾過程甚為有利，該時間係自將經冷卻的處理溶液(較佳冷卻槽16中部分量之處理溶液)添加至過濾裝置20之時間起測量直至濾餅之形成結束為止。因此，過濾過程係在小於10分鐘內，較佳在小於200秒內完成。或者，過 濾裝置20亦可例如利用冷卻夾套冷卻。則亦可能有較長過濾時間。
冷卻槽16、冷卻槽16與過濾裝置20之間之轉移管線38及其等之槽42可經熱絕緣。
可利用壓力差達成改良之過濾作用及分離作用。藉由真空管46，可以來自負壓單元24之負壓填充槽42。
過濾後，可以水(較佳以低於10℃之冷水)沖洗濾餅，該水係自沖洗用水管線40經噴嘴52(參見圖3)導入。可藉此洗去任何黏性過錳酸鹽溶液及供料回至處理槽14。沖洗用水可因此藉由負壓或真空抽吸通過過濾器56。在濾餅(其由碳酸鹽晶體組成)之過濾過程後，藉由水(較佳未冷卻或熱水)經噴嘴52清洗過濾器56及經由排水管26移除碳酸化溶液或淤泥。
圖3之示意圖顯示本發明過濾裝置20之一可行實施例。在過濾槽42之頂部區域周圍，過濾槽42包含位於過濾器或過濾器濾網56高度處之噴嘴52。噴嘴係用於藉由來自沖洗用水管線40之水沖洗濾餅或將濾餅自過濾器洗去。濾液係藉由回流管44移除。
過濾器56可經佈置成可傾斜，例如，可圍繞水平軸旋轉。過濾器56在操作模式中係處於水平位置及可移動至傾斜或垂直位置用於清洗目的。其亦可傾斜或旋轉180°。為了適當清洗過濾器濾網56，使噴嘴52位於水平佈置濾網56之基準面上方或下方的高度處。於清洗期間，使過濾器濾網56傾斜或旋轉及利用沖洗用水噴射頂及底側面。
通風裝置30與負壓單元24之負壓管46在槽42之上方區域中，但低於過濾器處相會。負壓單元24可基本上由負壓泵59、負壓槽58及截止閥57組成。
如圖1所顯示，用於設定處理溶液中之特定碳酸鹽濃度之裝置10亦可與用於氧化在蝕刻反應期間於過錳酸鹽中產生之錳酸鹽的電解再生裝置11組合。兩再生裝置隨後可經由供應及回流管25、44、64、65連接至處理槽14。
10‧‧‧裝置
11‧‧‧電解再生裝置
12‧‧‧處理溶液
14‧‧‧處理槽
16‧‧‧冷卻槽
18‧‧‧冷卻裝置
19‧‧‧冷卻夾套
20‧‧‧過濾裝置
21‧‧‧供料泵
22‧‧‧預冷卻器
23‧‧‧回流泵
24‧‧‧負壓單元
25‧‧‧供應泵
26‧‧‧排水管、廢料
28‧‧‧沖洗裝置
30‧‧‧通風裝置
32‧‧‧攪拌裝置
34‧‧‧地板、漏斗形地板
35‧‧‧排水管
36‧‧‧清洗單元
37‧‧‧轉移泵
38‧‧‧轉移管線
40‧‧‧沖洗用水管線
42‧‧‧槽、過濾槽
44‧‧‧回流管
46‧‧‧負壓管
52‧‧‧噴嘴
56‧‧‧過濾器濾網
57‧‧‧截止閥
58‧‧‧負壓槽
59‧‧‧負壓泵
64‧‧‧回流管
65‧‧‧供應管
圖1顯示本發明之一實施例，其中提供將用於處理(例如蝕刻)諸如印刷電路板或其類似物之塑膠零件之處理溶液再生之裝置。
圖2顯示根據圖1之裝置之清洗單元之示意圖。
圖3顯示過濾單元之示意圖，該過濾單元係根據圖1及圖2之過濾裝置之一部分。
10‧‧‧裝置
11‧‧‧電解再生裝置
12‧‧‧處理溶液
14‧‧‧處理槽
16‧‧‧冷卻槽
18‧‧‧冷卻裝置
19‧‧‧冷卻夾套
20‧‧‧過濾裝置
21‧‧‧供料泵
22‧‧‧預冷卻器
23‧‧‧回流泵
24‧‧‧負壓單元
25‧‧‧供應泵
26‧‧‧排水管、廢料
28‧‧‧沖洗裝置
30‧‧‧通風裝置
32‧‧‧攪拌裝置
34‧‧‧地板、漏斗形地板
35‧‧‧排水管
37‧‧‧轉移泵
38‧‧‧轉移管線
44‧‧‧回流管
64‧‧‧回流管
65‧‧‧供應管

Claims (12)

  1. 一種利用包含過錳酸鹽之處理溶液處理塑膠零件之方法，其特徵在於該處理溶液中之碳酸鹽化合物之濃度係透過凍出及後續過濾將碳酸鹽化合物自該處理溶液移除而設定為小於200g/l之值，其中該處理溶液包含過錳酸鈉。
  2. 如請求項1之方法，其中於該處理溶液中之碳酸鹽化合物之濃度係經設定為30至150g/l之值。
  3. 如請求項1之方法，其中於該處理溶液中之碳酸鹽化合物之濃度係經設定為50至100g/l之值。
  4. 如請求項1之方法，其中於該處理溶液中之過錳酸鹽之百分比係由大於50%過錳酸鈉組成。
  5. 如請求項1之方法，其中該碳酸鹽化合物之凍出係透過將該處理溶液冷卻至-12至+12℃之凍出溫度來執行。
  6. 如請求項1之方法，其中該碳酸鹽化合物之凍出係透過將該處理溶液冷卻至-9至+10℃之凍出溫度來執行。
  7. 如請求項1之方法，其中該碳酸鹽化合物之凍出係透過將該處理溶液冷卻至-7至+5℃之凍出溫度來執行。
  8. 如請求項1之方法，其中將部分該處理溶液轉移至冷卻槽及將包含經冷卻且凍出之碳酸鹽之處理溶液自冷卻槽轉移至下游過濾裝置係以使該冷卻槽中之處理溶液之溫度不超過該凍出溫度之方式達成。
  9. 如請求項1之方法，其中由該處理槽中之處理溶液之過錳酸鹽與該塑膠基板反應生成之錳酸鹽係透過使該處理溶 液與電解槽接觸而轉化為過錳酸鹽。
  10. 一種將包含過錳酸鹽之處理溶液至少部分再生之裝置，該處理溶液係用於處理及/或蝕刻塑膠零件，該裝置藉由降低包含於該處理溶液中之碳酸鹽化合物之濃度來實施如請求項1之方法，其中該裝置包含至少一個冷卻槽，該冷卻槽接收待再生之處理溶液，及提供用於將該等碳酸鹽化合物自該處理溶液分離之下游過濾裝置。
  11. 如請求項10之裝置，其中該過濾裝置包含至少一個過濾槽及一個過濾器，其中該過濾槽係與負壓單元連接。
  12. 一種如請求項10之裝置之用途，其係用於實施如請求項1之方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL3168326T5 (pl) * 2014-07-10 2024-02-05 Okuno Chemical Industries Co., Ltd. Sposób powlekania żywicy
CN104357811A (zh) * 2014-12-01 2015-02-18 中核(天津)科技发展有限公司 用于化学镀的装置
MX2019007128A (es) * 2016-12-21 2019-09-19 Hso Herbert Schmidt Gmbh & Co Kg Solucion de decapado para decapar materiales sinteticos.
MX2019015038A (es) * 2017-07-10 2020-08-17 Srg Global Llc Sistema de recuperacion de manganeso de grabado libre de cromo hexavalente.
CN110438506A (zh) * 2019-07-08 2019-11-12 深圳市裕展精密科技有限公司 退镀液的再生制备方法
EP4105361A1 (en) 2021-06-16 2022-12-21 Atotech Deutschland GmbH & Co. KG Method for oxidizing manganese species in a treatment device
EP4105362A1 (en) 2021-06-16 2022-12-21 Atotech Deutschland GmbH & Co. KG Method for oxidizing manganese species in a treatment device and treatment device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030141198A1 (en) * 2000-05-19 2003-07-31 Reinhard De Boer Cathode for electrochemical regeneration of permanganate etching solutions

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3843504A (en) 1972-08-16 1974-10-22 Western Electric Co Method of continuously regenerating and recycling a spent etching solution
US4042729A (en) * 1972-12-13 1977-08-16 Kollmorgen Technologies Corporation Process for the activation of resinous bodies for adherent metallization
US4054693A (en) * 1974-11-07 1977-10-18 Kollmorgen Technologies Corporation Processes for the preparation of resinous bodies for adherent metallization comprising treatment with manganate/permanganate composition
US4601784A (en) * 1985-05-31 1986-07-22 Morton Thiokol, Inc. Sodium permanganate etch baths containing a co-ion for permanganate and their use in desmearing and/or etching printed circuit boards
NZ215546A (en) * 1985-05-31 1988-10-28 Thiokol Morton Inc Method of regenerating permanganate etching solution
US4859300A (en) * 1987-07-13 1989-08-22 Enthone, Incorporated Process for treating plastics with alkaline permanganate solutions
JPH0253967U (zh) * 1988-10-11 1990-04-18
MXPA01004811A (es) * 1998-11-13 2002-09-18 Enthone Omi Inc Proceso para metalizar una superficie de plastico.
JP2001156428A (ja) * 1999-11-26 2001-06-08 Hitachi Ltd エッチング処理装置及びエッチング処理方法
JP2001234368A (ja) * 2000-02-18 2001-08-31 Hitachi Ltd 回路基板の製造方法、エッチング方法及びエッチング装置
EP1657324B1 (en) 2004-11-10 2007-10-31 ATOTECH Deutschland GmbH Method for metallizing insulating substrates wherein the roughening and etching processes are controlled by means of gloss measurement
JP4275157B2 (ja) * 2006-07-27 2009-06-10 荏原ユージライト株式会社 プラスチック表面の金属化方法
US7695638B2 (en) * 2006-11-24 2010-04-13 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Regeneration process of alkaline permanganate etching solution and unit therefor
JP5403535B2 (ja) * 2008-12-10 2014-01-29 奥野製薬工業株式会社 エッチング液の電解処理方法
JP5238854B2 (ja) * 2010-08-27 2013-07-17 上村工業株式会社 電解再生処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030141198A1 (en) * 2000-05-19 2003-07-31 Reinhard De Boer Cathode for electrochemical regeneration of permanganate etching solutions

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