TWI549012B - 計算晶圓檢測 - Google Patents

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TWI549012B TW104118649A TW104118649A TWI549012B TW I549012 B TWI549012 B TW I549012B TW 104118649 A TW104118649 A TW 104118649A TW 104118649 A TW104118649 A TW 104118649A TW I549012 B TWI549012 B TW I549012B
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伯納多 凱斯川普
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詹姆士 班乃迪克 卡瓦那
詹姆士 派崔克 庫曼
尼爾 派翠克 柯蘭斯
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Description

計算晶圓檢測
本發明係關於一種最佳化半導體製造製程之效能之方法。該方法可結合微影裝置使用。
微影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分上的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造。在該情形中，圖案化器件(其或者稱作光罩或主光罩)可用以產生一對應於IC之個別層的電路圖案，且此圖案可成像於具有一輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或若干個晶粒的部分)上。一般而言，單一基板將含有被順次曝光之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描儀，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
一態樣包含一種用於器件製造製程之電腦實施之缺陷預測方法，該器件製造製程涉及將設計佈局的一部分處理至基板上，該方法包含：自設計佈局之部分識別熱點；針對熱點判定器件製造製程的處理參數之值的範圍，其中在處理參數具有在該範圍之外的值時，藉由器件製造製程自熱點產生缺陷；判定處理參數之實際值；使用實際值 判定或預測藉由器件製造製程自熱點產生之缺陷的存在、存在機率、特性或其組合。
在該方法之一實施例中，判定或預測存在、存在機率、特性或其組合進一步使用熱點之特性、設計佈局之特性或兩者。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含使用缺陷之存在、存在機率、特性或其組合來調整或補償處理參數。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含反覆進行判定或預測缺陷之存在、存在機率、特性或其組合，且調整或補償處理參數。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含使用經調整或補償處理參數來判定或預測使用器件製造製程自熱點產生之殘留缺陷的存在、存在機率、特性或其組合。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含至少部分基於殘留缺陷之經判定或預測的存在、存在機率、特性或其組合以指示是否檢測熱點。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含至少部分基於缺陷之經判定或預測的存在、存在機率、特性或其組合來指示是否檢測熱點。
在該方法之一實施例中，使用經驗模型或計算模型識別熱點。
在該方法之一實施例中，處理參數為選自以下各者中的任何一者或多者：實際晶圓載物台位置及傾角、實際比例光罩載物台位置及傾角、焦點、劑量、源參數、投影光學器件參數、自度量衡獲得的資料及/或來自用於器件製造製程中之處理裝置的操作者之資料。
在該方法之一實施例中，該處理參數為自度量衡獲得之資料，且自一繞射工具或一電子顯微鏡獲得自度量衡獲得之該資料。
在該方法之一實施例中，使用模型或藉由查詢資料庫來判定或預測處理參數。
在該方法之一實施例中，該判定或預測該缺陷之該存在、該存在 機率、該特性或其該組合包含依據該處理參數來模擬該熱點之一影像或所預期圖案化輪廓且判定一影像或輪廓參數。
在該方法之一實施例中，使用部分之圖案對於處理參數的敏感度來識別熱點。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含檢測熱點。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含至少部分基於熱點之檢測來調整值之範圍。
在該方法之一實施例中，器件製造製程涉及使用微影裝置。
在該方法之一實施例中，緊接在處理熱點之前判定處理參數。
在該方法之一實施例中，處理參數選自局域處理參數或全域處理參數。
在該方法之一實施例中，熱點之識別包括識別其位置。
在該方法之一實施例中，該缺陷在不可逆地處理該基板之前不可偵測。
另一態樣包含一種製造器件之方法，該方法涉及將圖案處理至基板上或處理至基板之晶粒上，該方法包含：在處理基板或晶粒之前判定處理參數；使用在處理基板或晶粒之前的處理參數且使用基板或晶粒之特性、待處理至基板或晶粒上之圖案之幾何形狀的特性或兩者來預測或判定缺陷之存在、缺陷之存在機率、缺陷之特性或其組合；基於預測或判定調整處理參數以便消除、減小缺陷之機率或減小缺陷之嚴重性。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含自圖案識別熱點。
在該方法之一實施例中，缺陷為自熱點產生之缺陷。
在該方法之一實施例中，基板或晶粒之特性為熱點之製程窗。
又一態樣包含一種用於器件製造製程之電腦實施之缺陷預測方法，該器件製造製程涉及將設計佈局的一部分處理至基板上，該方法 包含：自設計佈局之部分識別熱點；藉由器件製造製程判定或預測自熱點產生之缺陷的存在、存在機率、特性或其組合；至少部分基於缺陷之存在、存在機率、特性或其組合之判定或預測來判定是否檢測熱點。
又一態樣包含一種用於器件製造製程之電腦實施之缺陷預測方法，該器件製造製程涉及將設計佈局的一部分處理至基板上，該方法包含：自設計佈局之部分識別熱點；針對熱點判定熱點對於器件製造製程的處理參數之敏感度；產生具有相同敏感度之標記；將標記添加至設計佈局中。
另一態樣包含一種製造器件之方法，其包含：根據先前實施例中之任一者的電腦實施之缺陷預測方法；及至少部分基於缺陷之經判定或預測的存在、存在機率、特性或其組合來指示檢測複數個熱點中之哪一者。
在該方法之一實施例中，該缺陷為選自如下各者中之一或多者：頸縮、線拉回、線薄化、CD誤差、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。
另一態樣包含一種用於器件製造製程之缺陷預測之方法，該器件製造製程涉及將設計佈局的一部分處理至基板上，該方法包含：判定器件製造製程之處理參數之實際值；至少部分基於實際值建構檢測映像，其中檢測映像包含基板上之潛在缺陷的位置。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含在潛在缺陷之位置處檢測基板。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含僅在潛在缺陷之位置處檢測基板。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含向使用者呈現檢測映像。
另一態樣包含一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施該等先前實施例中之任一者之該方法。
另一態樣包含一種度量衡工具，其經組態以檢測由器件製造製程處理設計佈局的一部分之基板，該度量衡工具包含：資料傳送單元，其經組態以接收基板上之潛在缺陷之位置；檢測單元，其經組態以選擇性在該等位置處檢測基板。
在度量衡工具之一實施例中，度量衡工具為繞射工具或電子顯微鏡。
在該方法之一實施例中，使用電子顯微鏡或明視場檢測工具執行基板之檢測。
在該方法之一實施例中，該方法進一步包含向使用者呈現檢測映像。
在該方法之一實施例中，檢測映像之建構進一步包含使用製程模擬模型來模擬所識別潛在缺陷中的至少一些。
在該方法之一實施例中，檢測映像之建構進一步包含以可由缺陷檢測工具讀取之格式建構檢測映像。
另一態樣包含一種度量衡工具，其經組態以檢測由器件製造製程處理設計佈局的一部分之基板，該度量衡工具包含：資料傳送單元，其經組態以接收基板上之潛在缺陷之位置；檢測單元，其經組態以選擇性在該等位置處檢測基板。
在度量衡工具之一實施例中，度量衡工具為繞射工具或電子顯微鏡。
另一態樣包含一種用於檢測處理設計佈局的一部分之基板之度量衡系統，該度量衡系統包含用於判定處理參數之實際值的第一度量衡工具，及經組態以用於執行先前實施例中之任一者的電腦實施之方 法之缺陷預測單元。
211‧‧‧步驟
212‧‧‧步驟
213‧‧‧步驟
214‧‧‧步驟
215‧‧‧選用之步驟
216‧‧‧選用之步驟
217‧‧‧選用之步驟
310‧‧‧處理裝置之資料
320‧‧‧來自各種基板度量衡工具之資料
330‧‧‧來自各種圖案化器件度量衡工具、光罩CDU映像、光罩膜堆疊參數變化等等之資料
340‧‧‧來自處理裝置之操作者的資料
350‧‧‧處理參數
420‧‧‧處理參數
430‧‧‧分類模型
440‧‧‧類別
610‧‧‧步驟
620‧‧‧步驟
630‧‧‧步驟
811‧‧‧步驟
812‧‧‧步驟
813‧‧‧步驟
814‧‧‧步驟
911‧‧‧步驟
912‧‧‧步驟
913‧‧‧步驟
914‧‧‧步驟
BD‧‧‧光束傳遞系統
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PB‧‧‧輻射光束
PM‧‧‧第一定位器件
PW‧‧‧第二定位器件
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
在已描述本發明之特定實施例後，應理解，其許多修改將易於被呈現或可向熟習此項技術者進行建議，且因此，意欲使本發明僅係由以下申請專利範圍之精神及範疇限制。
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2展示根據實施例之用於器件製造製程的缺陷預測之方法的流程圖；圖3展示處理參數之例示性源；圖4展示圖2之步驟214之實施；圖5A展示具有許多晶粒之例示性基板；圖5B展示使用傳統方法而獲得的可用聚焦深度(uDOF)；圖5C展示使用根據本文所描述之一實施例之方法而獲得的可用聚焦深度(uDOF)；圖6展示用於處理流程之示意性流程圖；圖7展示用於聚焦之例示性映像；圖8展示根據實施例之用於器件製造製程的缺陷預測之方法的流程圖，該器件製造製程涉及將設計佈局的一部分處理至基板上；圖9展示根據實施例之用於器件製造製程的缺陷預測之方法的流程圖，該器件製造製程涉及將設計佈局的一部分處理至基板上。
儘管本文特定參考了微影裝置於IC製造中之使用，但應瞭解，本文所述之微影裝置亦可具有其他應用，諸如製造積體光學系統、磁域記憶體之引導及偵測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、等等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之情形中，可認為本文之術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標 部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影所曝光抗蝕劑之工具)或度量工具或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及遠紫外(EUV)輻射(例如，具有在5nm至20nm之範圍內的波長)；以及粒子束，諸如，離子束或電子束。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以在基板之目標部分中產生圖案的器件。應注意，經賦予至輻射光束之圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射型或反射型的。圖案化器件之實例包括光罩、可程序化鏡面數組，及可程序化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程序化鏡面數組之一實例使用小鏡面矩陣配置，小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束；以此方式，圖案化經反射光束。
支撐結構固持圖案化器件。支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐可使用機械夾持、真空或其他夾持技術，例如，在真空條件下之靜電夾持。支撐結構可為框架或台，例如，其可根據需要而為固定或可移動的，且其可確保圖案化器件(例 如)相對於投影系統而處於所要位置。本文中對術語「比例光罩」、「設計佈局」或「光罩」之任何使用可被視為與更通用術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用的術語「投影系統」應廣義解釋為涵蓋各種類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射光學系統，只要其適合於(例如)所使用之曝光輻射或諸如浸沒流體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
照明系統亦可涵蓋各種類型之光學組件，包括用於引導、成形或控制輻射光束的折射、反射及反射折射光學組件，且該等組件以下亦可共同或單個稱作「透鏡」。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上支撐結構)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終器件與基板之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。
圖1示意性地描繪根據本發明之特定實施例的微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其用以調節輻射光束PB(例如，UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構MT，其用以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至用以相對於物品PL準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其用於固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至用於相對於物品PL準確地定位該基板之第二定位器 件PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡)PL，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束PB之圖案成像至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，該裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程序化鏡面數組)。
照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在該等情形中，不認為該輻射源形成微影裝置之部分，且該輻射光束借助於包含(例如)適當之引導鏡面及/或光束放大器的光束傳遞系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳遞系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可變更光束之強度分佈。照明器可經配置以限制輻射光束之徑向範圍使得在照明器IL之光瞳平面中之環形區內之強度分佈為非零。另外或替代地，照明器IL可操作以限制光束在光瞳平面中之分佈使得在光瞳平面中之複數個同等間隔之區段中的強度分佈為非零。輻射光束在照明器IL之光瞳平面中之強度分佈可被稱作照明模式。
照明器IL可包含經組態以調整光束之強度分佈之調整器AM。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ-外部(σ-outer)及σ-內部(σ-inner))。照明器IL可操作以變化光束之角度分佈。舉例而言，照明器可操作以變更強度分佈為非零的光瞳平面中之區段之數目及角度範圍。藉由調整光束在照明器之光瞳平面中之強度分佈，可達成不同照明模式。舉例而言，藉由限制照明器IL之光瞳平面中之強度分佈之徑向及角度範 圍，強度分佈可具有多極分佈，諸如，偶極、四極或六極分佈。可(例如)藉由將提供彼照明模式之光學件插入至照明器IL中或使用空間光調變器來獲得所要照明模式。
照明器IL可操作以變更光束之偏振且可操作以使用調整器AM來調整偏振。橫越照明器IL之光瞳平面之輻射光束的偏振狀態可被稱作偏振模式。使用不同偏振模式可允許在形成於基板W上之影像中達成較大對比度。輻射光束可為非偏振的。替代地，照明器可經配置以使輻射光束線性地偏振。輻射光束之偏振方向可橫越照明器IL之光瞳平面而變化。輻射之偏振方向在照明器IL之光瞳平面中之不同區中可不同。可取決於照明模式來選擇輻射之偏振狀態。對於多極照明模式，輻射光束之每一極之偏振可大體上垂直於照明器IL之光瞳平面中之彼極的位置向量。舉例而言，對於偶極照明模式，輻射可在實質上垂直於將偶極之兩個對置區段二等分之線的方向上線性地偏振。輻射光束可在可被稱作經X偏振狀態及經Y偏振狀態之兩個不同正交方向中之一者上偏振。對於四極照明模式，每一極之區段中之輻射可在實質上垂直於將彼區段二等分之線之方向上線性地偏振。此偏振模式可被稱作XY偏振。類似地，對於六極照明模式，每一極之區段中之輻射可在實質上垂直於將彼區段二等分之線之方向上線性地偏振。此偏振模式可被稱作TE偏振。
另外，照明器IL通常包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器提供在橫截面中具有所要均一性及強度分佈的經調節輻射光束PB。
輻射光束PB入射於圖案化器件(例如，光罩)MA上，圖案化器件MA被固持於支撐結構MT上。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，光束PB傳遞通過透鏡PL，透鏡PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件)，可準確 地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於光束PB之路徑中。類似地，(例如)在自光罩庫以機械方式獲取之後或在掃描期間，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確描繪)可用以相對於光束PB之路徑準確地定位圖案化器件MA。一般而言，將借助於形成定位器件PM及PW之部分的長衝程模塊(粗定位)及短衝程模塊(精定位)來實現載物台MT及WT之移動。然而，在步進器(與掃描儀相對)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下較佳模式中：
1.在步進模式中，當將一被賦予至光束PB之整個圖案一次性投影至一目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，當將一被賦予至光束PB之圖案投影至一目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程序化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程序化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可 程序化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程序化鏡面數組)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
投影系統PL具有可非均一之光學轉移函數，其可影響成像於基板W上之圖案。對於非偏振輻射，此等效應可由兩個純量映像相當良好地描述，該兩個純量映像描述依據射出投影系統之輻射光瞳之平面中之位置而變化的該輻射之透射(變跡)及相對相位(像差)。可將可被稱作透射映像及相對相位映像之此等純量映像表達為基底函數之完整集合之線性組合。一特別方便集合為任尼克多項式，其形成單位圓上所定義之正交多項式集合。每一純量映像之判定可涉及判定此展開式中之係數。因為任尼克多項式在單位圓上正交，所以可藉由依次演算測定純量映像與每一任尼克多項式之內積且將此內積除以彼任尼克多項式之範數之平方來判定任尼克係數。
透射映像及相對相位映像係場及系統相依的。亦即，一般而言，每一投影系統PL將針對每一場點(亦即，針對投影系統PL之影像平面中之每一空間位置)具有一不同任尼克展開式。可藉由將輻射(例如)自投影系統PL之物件平面(亦即，圖案化器件MA之平面)中之類點源投影通過投影系統PL且使用剪切干涉計以量測波前(亦即，具有相同相位之點之軌跡)來判定投影系統PL在其光瞳平面中之相對相位。剪切干涉計係常見路徑干涉計且因此，有利的是，無需次級參考光束來量測波前。剪切干涉計可包含一繞射光柵，例如，投影系統之影像平面(亦即，基板台WT)中之二維柵格；及一偵測器，其經配置以偵測與投影系統PL之光瞳平面共軛的平面中之干涉圖案。干涉圖案係與輻射相位相對於在剪切方向上之光瞳平面中之座標之導數有關。偵測器可包含感測元件陣列，諸如，電荷耦合器件(CCD)。
可在兩個垂直方向上順序地掃描繞射光柵，該兩個垂直方向可與投影系統PL之座標系統之軸線(x及y)重合或可與此等軸線成諸如45度之角度。可遍及整數個光柵週期(例如，一個光柵週期)執行掃描。該掃描使在一個方向上之相位變化達到平均數，從而允許重新建構在另一方向上之相位變化。此情形允許依據兩個方向來判定波前。
目前先進技術之微影裝置LA之投影系統PL可能不產生可見條紋，且因此，可使用相位步進技術(諸如，移動繞射光柵)來增強波前之判定之準確度。可在繞射光柵之平面中且在垂直於量測之掃描方向之方向上執行步進。步進範圍可為一個光柵週期，且可使用至少三個(均一地分佈)相位步進。因此，舉例而言，可在y方向上執行三個掃描量測，在x方向上針對一不同位置執行每一掃描量測。繞射光柵之此步進將相位變化有效地變換成強度變化，從而允許判定相位資訊。光柵可在垂直於繞射光柵之方向(z方向)上步進以校準偵測器。
可藉由將輻射(例如)自投影系統PL之物件平面(亦即，圖案化器件MA之平面)中之類點源投影通過投影系統PL且使用偵測器來量測與投影系統PL之光瞳平面共軛的平面中之輻射強度來判定投影系統PL在其光瞳平面中之透射(變跡)。可使用與用以量測波前以判定像差的偵測器同一個偵測器。投影系統PL可包含複數個光學(例如，透鏡)元件，且可進一步包含一調整機構PA，該調整機構PA經組態以調整光學元件中之一或多者以便校正像差(橫越遍及場之光瞳平面之相位變化)。為了達成此調整，調整機構PA可操作而以一或多個不同方式操控投影系統PL內之一或多個光學(例如，透鏡)元件。投影系統可具有一座標系統，其中該投影系統之光軸在z方向上延伸。調整機構PA可操作以進行以下各項之任何組合：使一或多個光學元件位移；使一或多個光學元件傾斜；及/或使一或多個光學元件變形。光學元件之位移可在任何方向(x、y、z或其組合)上進行。光學元件之傾斜通常出自垂直於光軸之 平面藉由圍繞在x或y方向上之軸線旋轉而進行，但對於非可旋轉對稱之非球面光學元件可使用圍繞z軸之旋轉。光學元件之變形可包括低頻形狀(例如，散光)及高頻形狀(例如，自由形式非球面)兩者。可(例如)藉由使用一或多個致動器以對光學元件之一或多個側施加力及/或藉由使用一或多個加熱元件以加熱光學元件之一或多個選定區來執行光學元件之變形。一般而言，沒有可能調整投影系統PL以校正變跡(橫越光瞳平面之透射變化)。可在設計用於微影裝置LA之圖案化器件(例如，光罩)MA時使用投影系統PL之透射映像。在使用計算微影技術的情況下，圖案化器件MA可經設計成用以至少部分地校正變跡。
將在規格內產生圖案之處理參數的空間可被稱作用於彼圖案之製程窗。若圖案不按規格產生，則其為缺陷。圖案化器件上之圖案可不同地受到處理參數之變化的影響。舉例而言，與另一圖案相比，一圖案可對劑量之變化較敏感。因此，圖案化器件上之圖案可具有不同製程窗。一圖案對於處理參數之敏感度可例如由圖案之特性相對於處理參數的偏導數量測。關於潛在系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查頸縮、線拉回、線薄化、CD、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及橋接。可藉由合併每一個別圖案之製程窗(例如，將每一個別圖案之製程窗重疊)來獲得圖案化器件上之所有圖案之製程窗。所有圖案之製程窗之邊界含有一些個別圖案之製程窗之邊界。換言之，此等個別圖案限制所有圖案之製程窗。此等圖案可被稱作「熱點」或「製程窗限制圖案(PWLP)」，「熱點」與「製程窗限制圖案(PWLP)」可在本文中可互換地使用。當控制微影製程時，有可能集中於熱點且集中於熱點係低成本的。當熱點並未有缺陷時，最有可能的是，所有圖案未有缺陷。
處理參數可隨著基板上之位置且隨著時間(例如，在若干基板之間、在若干晶粒之間)而變化。此等變化可由諸如溫度及濕度之環境之 改變造成。此等變化之其他原因可包括諸如源、投影光學件、基板台之處理裝置中之一或多個組件之漂移，微影裝置中之基板表面之高度變化等等。意識到此等變化及其對PWLP之影響或潛在圖案化缺陷且調整微影製程以適應此等變化以便減少實際缺陷將有用。為了減小追蹤此等變化之計算成本，吾人可選擇僅監視熱點。
圖2展示根據實施例之用於器件製造製程的缺陷預測之方法的流程圖。在步驟211中，使用任何合適的方法自設計佈局的一部分識別至少一熱點。舉例而言，可藉由使用經驗模型或計算模型分析設計佈局之部分中的圖案來識別熱點。在經驗模型中，不模擬圖案之影像(例如，抗蝕劑影像、光學影像、蝕刻影像)；取而代之，經驗模型基於處理參數、圖案之參數及缺陷之間的相關性來預測缺陷或缺陷之機率。舉例而言，經驗模型可為容易有缺陷之分類模型或圖案之資料庫。在計算模型中，計算或模擬影像之部分或特性，且基於部分或特性識別缺陷。舉例而言，線拉回缺陷可藉由發現距離其所要位置太遠的線端來識別；橋接缺陷可藉由發現兩條線不合需要地接合的位置來識別；可藉由發現單獨層上之兩個特徵不合需要地重疊或不合需要地不重疊來識別重疊缺陷。經驗模型在計算上通常比計算模型代價低。在一實例中，可諸如藉由FEM晶圓檢測一合適的度量衡工具以實驗方式判定熱點及/或其位置。
在一實施例中，可使用圖案對於處理參數之敏感度來識別熱點。舉例而言，若圖案之敏感度大於臨限值，則彼圖案可被識別為熱點。
缺陷可包括在顯影後檢測(ADI)(通常為光學檢測)中無法偵測之彼等缺陷，諸如，抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切，等等。習知檢測僅在不可逆地處理(例如，蝕刻)基板之後揭露此等缺陷，此時無法重工晶圓。因此，在草擬此文件時無法使用當前光學技術來偵測此等抗蝕劑頂部損耗缺陷。然而，模擬可用以判定可在何處發生抗蝕劑頂部損 耗且嚴重性將達何種程度。基於此資訊，可決定使用更準確檢測方法(且通常更耗時)來檢測特定可能缺陷以判定缺陷是否需要重工，或可決定在進行不可逆處理(例如，蝕刻)之前重工特定抗蝕劑層之成像(移除具有抗蝕劑頂部損耗缺陷之抗蝕劑層且重新塗佈晶圓以重新進行該特定層之成像)。
在步驟212中，針對熱點判定器件製造製程之處理參數的值之範圍，其中器件製造製程在處理參數具有在該範圍之外的值時自熱點產生缺陷。亦可針對熱點判定多個處理參數之值的多個範圍。經判定之一或多個範圍可經編譯為熱點之製程窗。有可能基於熱點位置及個別熱點之製程窗判定多個熱點多個製程窗及/或將其編譯成映像，亦即判定隨熱點位置變化的製程窗。此製程窗映像可表徵圖案之佈局特定靈敏度及處理裕度。處理參數可為局域的，取決於熱點之位置、晶粒或兩者。處理參數可為全域的，獨立於熱點之位置及晶粒。
在步驟213中，判定處理參數之實際值。在微影製程期間可使用處理參數之特定設置產生圖案，可選擇該等特定設置以確保將在製程窗內處理圖案。然而，產生圖案之實際處理參數可不同於設置參數，例如歸因於微影製程之漂移或例如歸因於可在局域有偏差的全域設置處理參數。全域設置處理參數之一個此局域偏差可例如為聚焦位置，該聚焦位置可在全域處於設置處理參數，但在局域可歸因於例如在微影製程期間基板之傾角而不同。因此對於特定熱點，處理參數之實際值可不同於設置處理參數。用以判定處理參數之實際值的一個例示性方式為判定微影裝置之狀態。舉例而言，實際晶圓載物台位置及傾角可用以計算處理參數之局域實際值。並且可自微影裝置直接量測實際比例光罩載物台位置及傾角、雷射頻寬、焦點、劑量、源參數、投影光學器件參數及此等參數之空間或時間變化，且將其用於判定處理參數之實際值。另一例示性方式為自獲自執行於基板上之度量衡的資料 推斷處理參數。此度量衡執行於已經曝光之基板上，且可例如用以識別機器漂移。或者，可自處理裝置之操作者獲得處理參數之實際值。舉例而言，度量衡可包括使用繞射工具(例如，ASML YieldStar或繞射相位顯微法)、電子顯微鏡或其他合適的檢測工具來檢測基板。有可能獲得關於經處理基板上之任何位置(包括經識別熱點)之處理參數。可將處理參數編譯成依據位置而變化之映像--微影參數或製程條件。圖7展示用於聚焦之例示性映像。當然，其他處理參數可被表示為依據位置而變化，亦即，映像。在一實施例中，可在處理每一熱點之前，且較佳地緊接在處理每一熱點之前或甚至在處理每一熱點期間判定處理參數。
在步驟214中，使用處理參數之實際值判定自熱點產生之缺陷的存在、存在機率、特性或其組合。可簡單地藉由比較處理參數之實際值與步驟212中所判定的其值之範圍來作出此判定或預測-若實際值屬於該範圍，則將預期不存在缺陷；若實際值屬於該範圍之外，則將預期存在至少一個缺陷。此判定或預測亦可使用合適的經驗模型(包括統計學模型)來進行。舉例而言，分類模型可用以提供缺陷之存在機率。用以進行此判定之另一方式為使用計算模型以依據實際值來模擬熱點之影像或所預期圖案化輪廓且自此模擬判定預期影像或輪廓參數。缺陷之經判定存在及/或特性可充當處置決定之根據：重工、使用例如諸如電子顯微鏡之檢測工具進行詳細檢測或接受可能缺陷。在一實施例中，實際值為處理參數之移動平均值。移動平均值係用以捕捉處理參數之長期漂移，而不受到短期波動擾亂。
在選用之步驟215中，可使用如在步驟214中判定之存在、存在機率、特性或其組合來調整或補償處理參數(亦即，回饋預測或判定以調整處理參數)，以使得消除缺陷或減小其嚴重性。此製程可例如用以持續監視微影製程中之漂移，且減小此漂移。在前饋實例中，若待成像 之熱點將位於基板之凸塊上，藉此導致焦點之實際值屬於焦點之值的範圍之外，則可在將熱點成像至基板上之前調整晶粒之焦點或整平以屬於該範圍中，藉此消除或極大地減小彼熱點上之缺陷。在此實例中，若調整焦點為非所要的(例如，歸因於硬體之限制或此調整之副作用)，則可藉由調整其他參數來進行補償，藉此改變總處理參數之範圍以使得焦點之實際值屬於可接受範圍內。較佳地，緊接在處理熱點之前調整或補償處理參數。步驟214及215可反覆。亦可在處理一個或多個基板之後，尤其在判定處理參數之平均值(例如，移動平均值)時調整或補償處理參數，以便適應系統性或緩慢變化製程變化，或處理較大數目可調整的處理參數。處理參數之調整或補償可包括調整晶圓載物台位置及傾角、比例光罩載物台位置及傾角、焦點、劑量、源或瞳孔相位。
在選用之步驟216中，可使用經調整處理參數判定殘留缺陷之存在及/或特性。殘留缺陷為無法藉由調整處理參數而消除之缺陷。此判定可簡單地比較經調整處理參數與範圍-若經調整處理參數屬於該範圍，則預期不存在殘留缺陷；若經調整處理參數屬於該範圍之外，則將預期存在至少一個殘留缺陷。此判定亦可使用合適的經驗模型(包括統計學模型)來進行。舉例而言，分類模型可用以提供殘留缺陷之存在機率。用以作出此判定之另一方式為使用計算模型依據經調整處理參數來模擬熱點之影像或預期圖案化輪廓，且自此模擬判定經預期影像或輪廓參數。殘留缺陷之經判定存在及/或特性可充當處置決定之根據：重工、使用例如檢測工具進行詳細檢測或接受。
在選用之步驟217中，哪些熱點經受檢測之指示可至少部分基於殘留缺陷或缺陷之經判定或預測的存在、存在機率、一或多個特性或其組合來作出。舉例而言，若基板具有一具有一或多個殘留缺陷或缺陷之機率，則基板可經受基板檢測。殘留缺陷或缺陷之預測或判定前 饋至檢測。此等熱點可實際上使用合適的檢測工具檢測以確認缺陷實際上是否存在，此情形使得有可能避免檢測設計佈局之部分中的所有圖案。在已知微影製程流程中，實質上對全部基板執行初始明視場檢測(通常「晶粒對晶粒」或「晶粒對資料庫」)以獲得可能缺陷可位於基板上之初始指示。此情形為相對費時的製程，其中可隨機識別可能缺陷。當前已知的明視場檢測工具捕捉相對低解析度的影像，可自該相對低解析度的影像獲取可能缺陷之僅有指示(常常經由有經驗的操作者對影像進行之解譯)。如由明視場檢測工具識別之此等可能缺陷的經識別位置通常將使用諸如電子顯微鏡之詳細檢測工具進一步檢測。使用根據本發明之電腦實施之缺陷預測工具可替換明視場檢測步驟的至少一部分。使用在製造製程期間存在的處理參數之實際值允許在不使用此等明視場檢查的情況下預測可預期缺陷在哪，及詳細檢測工具應在什麼位置進一步研究或應在什麼位置確認缺陷之存在。此外，根據本發明之電腦實施之缺陷預測工具的使用使得能夠主動地找尋缺陷，此舉係由處理參數之局域實際值導引。缺陷預測工具之此使用可使發現可能缺陷之製程的隨機性較低。在替代製程流程中，電腦實施之缺陷預測工具可用以導引明視場檢測工具以研究基板的僅一部分，藉此允許顯著減小明視場檢測工具處之總檢測時間，且使明視場工具進行之總缺陷檢測的隨機性較低。檢測之結果可用以自當前使用之微影製程步驟決定對圖案做什麼動作：接受當前製程步驟，或在可能且必要的情況下，重工當前微影製程步驟。此重工可例如包括有缺陷的抗蝕劑層之剝離及重新塗覆新抗蝕劑層，且重複微影製程步驟。檢測之結果亦可用以調整器件製造製程之處理參數的值之範圍，該器件製造製程用以判定熱點在以具有在該範圍之外的值之處理參數進行處理時是否可變為缺陷。值之範圍的此調整可使缺陷判定或預測更精確。亦可能藉由在步驟214之前在步驟212中增加或減小範圍來調整檢測之 嚴格度。減小範圍致使缺陷的更多發現及可能更多的誤報。
圖3展示處理參數350之例示性源。一個源可為處理裝置之資料310，諸如，微影裝置之源、投影光學件、基板載物台等等之參數。另一源可為來自各種基板度量衡工具之資料320，諸如，晶圓高度映像、聚焦映像、CDU映像、覆疊映像，等等。可在使基板經受步驟(例如，蝕刻)(此情形防止基板之重工)之前獲得資料320。另一源可為來自各種圖案化器件度量衡工具、光罩CDU映像、光罩膜堆疊參數變化等等之資料330。另一源可為來自處理裝置之操作者的資料340。
圖4展示圖2之步驟214的例示性實施。處理參數420可用作至分類模型430之輸入(例如，獨立變數)。處理參數420可包括源之特性(例如，強度、瞳孔輪廓等)、投影光學器件之特性、劑量、焦點、抗蝕劑之特性、抗蝕劑之顯影及曝光後焙烤的特性或蝕刻之特性、實際晶圓載物台位置及傾角、實際比例光罩載物台位置及傾角。術語「分類器」或「分類模型」有時亦係指藉由分類演算法實施之將輸入資料映射至一類別之數學函數。在機器學習及統計學中，分類為基於含有類別成員資格為吾人所知之觀測(或例項)之資料之訓練集而識別新觀測屬於類別440集合(子群體)之哪一類別的問題。個別觀測經分析成可定量屬性集合，其被稱為各種解釋性變數、特徵，等等。此等屬性可不同地為分類的(例如，「良好」--不產生缺陷之微影製程，或「不良」--產生缺陷之微影製程；「類型1」、「類型2」、......「類型n」--不同類型之缺陷)。分類被認為是監督學習之個例，亦即，經正確識別觀測之訓練集可用的學習。分類模型之實例為邏輯回歸及多項式對數優劣比、機率單位回歸、感知器演算法、支援向量機器、匯入向量機器，及線性判別分析。
處理參數之一個實例為基板位階量測。圖5A展示具有許多晶粒(被描繪為柵格)之例示性基板。在所召集之晶粒中，識別熱點(被描繪 為圓圈)連同該晶粒中之圖案中之較不關鍵位置(亦即，並非製程窗限制之位置，其被描繪為菱形)。圖5B展示使用傳統方法而獲得的可用聚焦深度(uDOF)。uDOF為落在曝光隙縫中之所有圖案之製程窗內的聚焦深度。圖5C展示使用根據本文所描述之一實施例之方法而獲得的可用聚焦深度(uDOF)，其中較不關鍵位置區(菱形)被允許漂移較遠離其各別最佳焦點以藉由調整包括基板位階量測之處理參數而使熱點(圓圈)之最佳焦點較接近，藉此增加uDOF。
根據實施例，本文中所描述的方法允許調整每一基板或甚至每一晶粒或甚至在晶粒內之特定位置處的處理參數。圖6展示用於處理流程之示意性流程圖。在步驟610中，判定緊接在處理基板或晶粒之前(例如，在處理緊接著的先前基板或晶粒之後)的處理參數。在步驟620中，使用緊接在處理基板或晶粒之前的處理參數且使用基板或晶粒之特性(例如，如自度量衡對基板或晶粒所判定)及/或待處理至基板或晶粒上之圖案之幾何形狀的特性來進行缺陷之存在、缺陷之存在機率、缺陷之特性或其組合的預測或判定。在步驟630中，基於預測調整處理參數以便消除、減小缺陷之機率或嚴重性。替代地，自待處理之佈局之模擬可知，PWLP可位於晶粒內之特定區域處。在此情形下，成像工具中之確保晶粒在成像工具中之曝光之前的位階量測的系統可確保此特定區域焦點對準，從而允許晶粒之其他區域自焦點轉向較遠以確保PWLP係在規格內成像。模擬可進一步用以判定較不關鍵結構歸因於由於含有PWLP之區域之較佳位階量測準確度之較不有利處理條件是否仍正確地成像。根據一實施例，本文所描述之方法允許在生產批量當中檢測較少基板，同時維持可比得上習知處理流程中之缺陷率的缺陷率。習知處理流程涉及處理(例如，在微影裝置中曝光)一基板批量，該批量之2%至3%或更多必須經檢測以便捕獲大多數缺陷。檢測通常為破壞性的。因此，該批量之2%至3%或更多浪費且增加處理之成本。本文中 所描述的方法允許處理流程，其中在無不良作用(諸如增加缺陷率)的情況下檢測一基板批量之小於2%、小於1.5%、或小於1%。具體言之，本文中所描述的方法實現製造器件之方法，該方法涉及例如使用微影裝置將圖案處理至一基板批量上，該方法包括：處理基板批量，破壞性地檢測批量之小於2%、小於1.5%或小於1%以判定處理至基板上之圖案中的缺陷之存在。
圖8展示根據實施例之用於器件製造製程的缺陷預測之方法的流程圖，該器件製造製程涉及將設計佈局的一部分處理至基板上。在步驟811中，自設計佈局之部分識別熱點。可使用諸如上文所描述之彼等方法的任何合適的方法來識別熱點。在步驟812中，判定熱點對於器件製造製程之處理參數的敏感度。用以判定敏感度之一種方式係簡單地藉由自至少部分基於處理參數模擬特性之模型推導熱點之特性相對於處理參數之偏導數。另一方式為依據處理參數之至少兩個值模擬熱點之特性。在步驟813中，產生具有相同或類似敏感度之標記或具有相同或(最)類似敏感度之標記選自針對特定微影工具或特定度量衡工具設計之標記的集區。標記可為適合於ADI或顯影後檢測(AEI)的散射量測目標。散射量測目標可包括均一地建構及均一地隔開之週期性特徵的陣列(例如，100nm直徑點之陣列)。在步驟814中，將經設計或選擇之標記添加至設計佈局中，且以與基板上之設計佈局相同的方式進行處理。舉例而言，可將標記添加至晶粒中-整合至設計佈局中，添加在晶粒之間-添加至基板上所謂的劃線道，或在基板之邊緣處或以其他方式將晶粒之間。代替熱點或除了熱點之外，可檢測標記。產生或選擇標記之更多資訊可在共同授予之美國專利申請案第13/542625、61/921874、61/921907、61/921939、61/921817號中發現，該等申請案中的每一者全文特此以引用之方式併入。
圖9展示根據實施例之用於器件製造製程的缺陷預測之方法的流 程圖，該器件製造製程涉及將設計佈局的一部分處理至基板上。在步驟911中，判定器件製造製程之處理參數之實際值。用以判定處理參數之一個例示性方式為判定微影裝置之狀態。舉例而言，實際晶圓載物台位置及傾角、實際比例光罩載物台位置及傾角、雷射頻寬、焦點、劑量、源參數、投影光學器件參數及此等參數之空間或時間變化可自微影裝置量測。另一例示性方式為自對基板執行之度量衡獲得之資料或自處理裝置之操作者推斷處理參數。舉例而言，度量衡可包括使用繞射工具(例如，ASML YieldStar)、電子顯微鏡或其他合適檢測工具來檢測基板。有可能獲得關於經處理基板上之任何位置(包括經識別熱點)之處理參數。在步驟912中，至少部分基於實際值建構檢測映像。檢測映像包括基板上之潛在缺陷的位置。可藉由比較實際值與位置相依範圍來識別潛在缺陷，其中在一位置處之實際值屬於該範圍之外的情況下，潛在缺陷存在於彼位置處。在步驟913中，在潛在缺陷之位置處檢測基板。在一實施例中，僅在潛在缺陷之位置處檢測基板。或者，在步驟914中，向使用者呈現檢測映像。
根據實施例，經組態以檢測基板之度量衡工具可經組態以自上文所描述之方法中的任一者接收潛在缺陷之位置。舉例而言，度量衡工具可為繞射工具、明視場檢測工具或電子顯微鏡。
可使用以下條項來進一步描述本發明：
1.一種用於一器件製造製程之電腦實施之缺陷預測方法，該器件製造製程涉及將一設計佈局的一部分處理至一基板上，該方法包含：自該設計佈局之該部分識別一熱點；針對該熱點判定該器件製造製程之一處理參數之值的一範圍，其中在該處理參數具有在該範圍之外的一值時，藉由該器件製造製程自該熱點產生一缺陷；判定該處理參數之一實際值； 使用該實際值判定或預測藉由該器件製造製程自該熱點產生之一缺陷的存在、存在機率、一特性或其一組合。
2.如條項1之方法，其中該判定或預測該存在、該存在機率、該特性或其該組合進一步使用該熱點之一特性、該設計佈局之一特性或兩者。
3.如條項1或條項2之方法，其進一步包含使用該缺陷之該存在、該存在機率、該特性或其該組合來調整或補償該處理參數。
4.如條項3之方法，其進一步包含反覆進行該判定或預測該缺陷之該存在、該存在機率、該特性或其該組合，且調整或補償該處理參數。
5.如條項3或條項4之方法，其進一步包含使用該經調整或補償處理參數判定或預測使用該器件製造製程自該熱點產生之一殘留缺陷的存在、存在機率、一特性或其一組合。
6.如條項5之方法，其進一步包含至少部分基於該殘留缺陷之該經判定或預測的存在、存在機率、該特性或其該組合指示是否檢測該熱點。
7.如條項1至4中任一項之方法，其進一步包含至少部分基於該缺陷之該經判定或預測的存在、存在機率、該特性或其該組合指示是否檢測該熱點。
8.如條項1至7中任一項之方法，其中使用一經驗模型或一計算模型識別該熱點。
9.如條項1至8中任一項之方法，其中該處理參數為選自以下各者中的任何一者或多者：實際晶圓載物台位置及傾角、實際比例光罩載物台位置及傾角、焦點、劑量、一源參數、一投影光學器件參數、自度量衡獲得的資料及/或來自用於該器件製造製程中之一處理裝置的一操作者之資料。
10.如條項9之方法，其中該處理參數為自度量衡獲得之資料，且自一繞射工具或一電子顯微鏡獲得自度量衡獲得之該資料。
11.如條項1至10中任一項之方法，其中使用一模型或藉由查詢一資料庫而判定或預測該處理參數。
12.如條項1至11中任一項之方法，其中該判定或預測該缺陷之該存在、該存在機率、該特性或其該組合包含依據該處理參數來模擬該熱點之一影像或所預期圖案化輪廓且判定一影像或輪廓參數。
13.如條項8之方法，其中使用該部分之圖案對於該處理參數的一敏感度來識別該熱點。
14.如條項6至7中任一項之方法，其進一步包含檢測該熱點。
15.如條項14之方法，其進一步包含至少部分基於該熱點之檢測調整值之該範圍。
16.如條項1至15中任一項之方法，其中該器件製造製程涉及使用一微影裝置。
17.如條項1至16中任一項之方法，其中緊接在處理該熱點之前判定該處理參數。
18.如條項1至17中任一項之方法，其中該處理參數係選自局域處理參數或全域處理參數。
19.如條項1至18中任一項之方法，其中識別該熱點包括識別其一位置。
20.如條項1至19中任一項之方法，其中該缺陷在不可逆地處理該基板之前不可偵測。
21.一種製造一器件之方法，其涉及將一圖案處理至一基板上或處理至該基板之一晶粒上，該方法包含：在處理該基板或該晶粒之前判定一處理參數；使用在處理該基板或該晶粒之前的該處理參數且使用該基板或 該晶粒之一特性、待處理至該基板或該晶粒上之一圖案之幾何形狀的一特性或兩者來預測或判定一缺陷之存在、一缺陷之存在機率、一缺陷之一特性，或其一組合；基於該預測或判定調整該處理參數以便消除、減小該缺陷之機率或減小該缺陷之嚴重性。
22.如條項21之方法，其進一步包含自該圖案識別一熱點。
23.如條項21之方法，其中該缺陷為自該熱點產生之一缺陷。
24.如條項21之方法，其中該基板或該晶粒之該特性為該熱點之一製程窗。
25.一種用於一器件製造製程之電腦實施之缺陷預測方法，該器件製造製程涉及將一設計佈局的一部分處理至一基板上，該方法包含：自該設計佈局之該部分識別一熱點；判定或預測藉由該器件製造製程自該熱點產生之一缺陷的存在、存在機率、一特性或其一組合；至少部分基於該缺陷之該存在、存在機率、一特性或其一組合的該判定或預測來判定是否檢測該熱點。
26.一種用於一器件製造製程之電腦實施之缺陷預測方法，該器件製造製程涉及將一設計佈局的一部分處理至一基板上，該方法包含：自該設計佈局之該部分識別一熱點；針對該熱點判定該熱點對於該器件製造製程之一處理參數的一敏感度；產生具有相同敏感度之一標記；將該標記添加至該設計佈局中。
27.一種製造一器件之方法，其包含：如條項1至26中任一項之電腦實施之缺陷預測方法；及至少部分基於該缺陷之該經判定或預測的存在、存在機率、特性 或其該組合指示檢測複數個熱點中的哪一者。
28.如條項1至27中任一項之方法，其中該缺陷為選自如下各者中之一或多者：頸縮、線拉回、線薄化、CD誤差、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。
29.一種用於一器件製造製程之缺陷預測之方法，該器件製造製程涉及將一設計佈局的一部分處理至一基板上，該方法包含：判定該器件製造製程之一處理參數之一實際值；至少部分基於該實際值建構一檢測映像，其中該檢測映像包含該基板上之潛在缺陷的位置。
30.如條項29之方法，其進一步包含在潛在缺陷之該等位置處檢測該基板。
31.如條項29之方法，其進一步包含僅在潛在缺陷之該等位置處檢測該基板。
32.如條項30或31之方法，其中使用一電子顯微鏡或一明視場檢測工具執行檢測該基板。
33.如條項29之方法，其進一步包含向一使用者呈現該檢測映像。
34.如條項29之方法，其中建構該檢測映像進一步包含使用一製程模擬模型來模擬該等所識別潛在缺陷中的至少一些。
35.如條項29或34之方法，其中建構該檢測映像進一步包含以可由一缺陷檢測工具讀取之一格式建構該檢測映像。
36.一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如條項1至35中任一項之方法。
37.一種度量衡工具，其經組態以檢測由一器件製造製程處理一設計佈局的一部分之一基板，該度量衡工具包含：一資料傳送單元，其經組態以接收該基板上之潛在缺陷的位置；一檢測單元，其經組態以在該等位置處選擇性地檢測該基板。
38.如條項37之度量衡工具，其中該度量衡工具為一繞射工具或一電子顯微鏡。
39.一種用於檢測處理一設計佈局的一部分之一基板之度量衡系統，該度量衡系統包含用於判定處理參數之一實際值的第一度量衡工具，及經組態以用於執行如條項1至35中任一項之電腦實施方法之一缺陷預測單元。
40.如條項39之度量衡系統，其中該度量衡系統進一步包含一第二度量衡工具，該第二度量衡工具為如條項37及38中任一項之度量衡工具。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合進行實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之信息的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。該描述不意欲限制本發明。

Claims (15)

  1. 一種用於一器件製造製程之電腦實施之缺陷預測方法，該器件製造製程涉及將一設計佈局的一部分處理至一基板上，該方法包含：自該設計佈局之該部分識別一熱點；針對該熱點判定該器件製造製程之一處理參數之值的一範圍，其中在該處理參數具有在該範圍之外的一值時，藉由該器件製造製程自該熱點產生一缺陷；判定該處理參數之一實際值；使用該實際值判定或預測藉由該器件製造製程自該熱點產生之一缺陷的存在、存在機率、一特性或其一組合。
  2. 如請求項1之方法，其中該判定或預測該存在、該存在機率、該特性或其該組合進一步使用該熱點之一特性、該設計佈局之一特性或兩者。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包含使用該缺陷之該存在、該存在機率、該特性或其該組合來調整或補償該處理參數。
  4. 如請求項3之方法，其進一步包含使用該經調整或補償處理參數判定或預測使用該器件製造製程自該熱點產生之一殘留缺陷的存在、存在機率、一特性或其一組合。
  5. 如請求項1之方法，其進一步包含至少部分基於該缺陷之該經判定或預測的存在、存在機率、該特性或其該組合指示是否檢測該熱點。
  6. 如請求項1之方法，其中使用一經驗模型或一計算模型識別該熱點。
  7. 如請求項1之方法，其中該處理參數為選自以下各者中的任何一 者或多者：實際晶圓載物台位置及傾角、實際比例光罩載物台位置及傾角、焦點、劑量、一源參數、一投影光學器件參數、自度量衡獲得的資料及/或來自用於該器件製造製程中之一處理裝置的一操作者之資料。
  8. 如請求項1之方法，其中該判定或預測該缺陷之該存在、該存在機率、該特性或其該組合包含：依據該處理參數來模擬該熱點之一影像或所預期圖案化輪廓且判定一影像或輪廓參數。
  9. 如請求項6之方法，其中使用該部分之圖案對於該處理參數的一敏感度來識別該熱點。
  10. 如請求項5之方法，其進一步包含檢測該熱點。
  11. 一種製造一器件之方法，其涉及將一圖案處理至一基板上或處理至該基板之一晶粒上，該方法包含：在處理該基板或該晶粒之前判定一處理參數；使用在處理該基板或該晶粒之前的該處理參數且使用該基板或該晶粒之一特性、待處理至該基板或該晶粒上之一圖案之幾何形狀的一特性或兩者來預測或判定一缺陷之存在、一缺陷之存在機率、一缺陷之一特性，或其一組合；基於該預測或判定調整該處理參數以便消除、減小該缺陷之機率或減小該缺陷之嚴重性。
  12. 一種用於一器件製造製程之電腦實施之缺陷預測方法，該器件製造製程涉及將一設計佈局的一部分處理至一基板上，該方法包含：自該設計佈局之該部分識別一熱點；判定或預測藉由該器件製造製程自該熱點產生之一缺陷的存在、存在機率、一特性或其一組合；至少部分基於該缺陷之該存在、存在機率、一特性或其一組合 的該判定或預測來判定是否檢測該熱點。
  13. 一種用於一器件製造製程之電腦實施之缺陷預測方法，該器件製造製程涉及將一設計佈局的一部分處理至一基板上，該方法包含：自該設計佈局之該部分識別一熱點；針對該熱點判定該熱點對於該器件製造製程之一處理參數的一敏感度；產生具有相同敏感度之一標記；將該標記添加至該設計佈局中。
  14. 一種用於一器件製造製程之缺陷預測之方法，該器件製造製程涉及將一設計佈局的一部分處理至一基板上，該方法包含：判定該器件製造製程之一處理參數之一實際值；至少部分基於該實際值建構一檢測映像，其中該檢測映像包含該基板上之潛在缺陷的位置。
  15. 如請求項14之方法，其中建構該檢測映像進一步包含使用一製程模擬模型來模擬該等所識別潛在缺陷中的至少一些。
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