JP5175577B2 - 集積回路パターンの欠陥検査方法、及びその装置 - Google Patents
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Description
2…シールド線パターン(図形2)
3…CMP用のダミーパターン(図形3)
4…LAN
5…設計情報
6…設計意図情報
7…ホットスポット情報
8、68…インタフェース
9、69…バッファ記憶部
10…設計意図及びホットスポットによる検査図形選択機能部
11…検出信号処理部
12…電子ビーム
13…検出画像記憶部
14…偏向器
15…信号検出器
16…ウエハステージ
17…半導体集積回路が形成されたウエハ
18…検出信号画像表示部
19…露光装置情報、レジスト情報、プロセス情報等の設計意図以外の情報
20…露光に用いる実際のマスクから得られたマスクパターン寸法、位置情報
40…設計情報ファイル
41…設計意図情報ファイル
42…設計情報と設計意図情報ファイル
43…ホットスポット情報ファイル
50…ホットスポット部分
51、54…設計意図情報“1”の回路図形パターン
52…設計意図情報“2”の回路図形パターン
53…設計意図情報“3”の回路図形パターン
60…ホットスポット情報抽出部。
Claims (4)
- 集積回路パターンが形成された半導体基板上に荷電粒子ビームを走査し、検出信号に基づく検出画像を用いて、回路パターンの欠陥を検査する検査システムにおける集積回路パターンの欠陥検査方法であって、
前記検査システムは、前記集積回路パターンの設計意図情報及び前記集積回路において作製したマスクのマスク情報を入力し、
入力した前記設計意図情報に基づき、前記回路パターンの重要度を判定した結果重要と判定された回路パターンであり、且つ、入力した前記マスク情報に基づき、パターン転写上変形が生じやすいホットスポットパターンを抽出し、前記ホットスポットパターンに係る前記回路パターンを優先的に検査する、
ことを特徴とする集積回路パターンの欠陥検査方法。 - 請求項1記載の集積回路パターンの欠陥検査方法であって、
前記検査システムは、設計情報と前記設計意図情報と共に、転写に用いる露光装置毎の特性データおよび露光条件データを入力し、入力された当該データを用いて転写パターンを予測して前記ホットスポットパターンを得る、
ことを特徴とする集積回路パターンの欠陥検査方法。 - 集積回路上で電子ビームを走査し、前記集積回路上からの二次電子を検出した検出信号に基づく検出画像を用いて、前記集積回路の回路パターンの欠陥を検査する集積回路パターンの欠陥検査装置であって、
前記集積回路パターンの設計意図データ及び前記集積回路において作成したマスクのマスクデータが入力されるインタフェース部と、
入力された前記設計意図データに基づき、前記回路パターンの重要度を判定し、且つ、入力した前記マスク情報に基づき、パターン転写上変形が生じやすいホットスポットパターンを抽出し、
前記判定の結果、重要と判定された前記回路パターンであって、且つ、前記ホットスポットパターンに係る前記回路パターンを選択して検査する検査図形選択機能部とを有する、
ことを特徴とする集積回路パターンの欠陥検査装置。 - 請求項3記載の集積回路パターンの欠陥検査装置であって、
前記インタフェース部は、前記設計意図データと共に、設計データ、および転写に用いる露光装置毎の特性データおよび露光条件データを入力し、
入力された前記転写に用いる露光装置の特性データおよび露光条件データを用いて転写パターンを予測し、選択して検査する前記ホットスポットパターンの前記位置情報を得るホットスポット情報抽出部を有する、
ことを特徴とする集積回路パターンの欠陥検査装置。
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