JP4228417B2 - 欠陥検査方法及びその装置 - Google Patents
欠陥検査方法及びその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4228417B2 JP4228417B2 JP21335098A JP21335098A JP4228417B2 JP 4228417 B2 JP4228417 B2 JP 4228417B2 JP 21335098 A JP21335098 A JP 21335098A JP 21335098 A JP21335098 A JP 21335098A JP 4228417 B2 JP4228417 B2 JP 4228417B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inspection
- pattern
- substrate
- defect
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンの欠陥検査方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の欠陥検査方法としては、例えば、図７に示すものがあり、これによれば、設計パターンの画像１１とマスク基板（または半導体基板）上に形成された同一のパターンの画像１２との比較、またはマスク基板（または半導体基板）上に形成された設計パターンの画像１１と、これと同一のマスク基板（または半導体基板）上の異なる位置に繰り返して形成された同一のパターンの画像１２との比較によって、欠陥１３、１４、１５、１６を検出するようにしている。
【０００３】
従来、この方法を使用した欠陥検査装置としては、例えば、（１）図８に示すような設計パターン比較型検査装置、または、（２）図９に示すようなチップ比較型検査装置がある。
【０００４】
（１）まず、設計パターン比較型検査装置の構成と動作について説明する。
【０００５】
図８に示すように、光源１より発生した光を照明レンズ２で調整した後にマスク基板３に照射し、これより透過した光を対物レンズ４を通して検出器５に結像させることによって、マスク基板３上のパターン画像信号を得、さらにアンプ６により、このパターン画像信号を増幅する。
【０００６】
一方、記憶装置７に格納されている設計パターンから成る検査用データを、パターン発生回路８によりパターン画像信号に変換する。これら両者のパターン画像信号を比較回路９により比較することによって、相違箇所を欠陥として認識し、この欠陥情報を制御コンピュータ１０に格納する。
【０００７】
（２）次に、チップ比較型検査装置の構成と動作について説明する。
【０００８】
図９に示すように、光源１より発生した光を二つの光路に分配し、これらを照明レンズ２で調整した後にマスク基板３に各々照射し、これより透過した各々の光を対物レンズ４を通して検出器５に結像させることによって、マスク基板３上の異なる位置に繰り返して形成された同一のパターンからのパターン画像信号を得、さらにアンプ６により各々のパターン画像信号を増幅する。
【０００９】
さらに、これら両者のパターン画像信号を比較回路９により比較することによって相違箇所を欠陥と認識し、この欠陥情報を制御コンピュータ１０に格納する。
【００１０】
このほかに透過型光学系の代わりに反射型光学系を用いた装置、光の代わりに電子線を用いた装置があるが、基本的な検出方法及び主要な検出動作は同じである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
半導体素子の高集積化、微細化の進展により、近年半導体デバイス製造において解像限界近傍の光リソグラフィの使用を余儀なくされている。今後もさらにこの状況は深刻さを増すものと予想される。このため、露光余裕度を向上させるための種々の工夫が成されているが、その一つに本来パターン形成を不要としていた領域にダミーパターンを形成し、これにより半導体基板表面の平坦度を向上させるという方法があり、実用化が進んできている。
【００１２】
また、この方法は、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦度向上プロセスにおいてもその併用が必要とも言われている。
【００１３】
しかしながら、上記した従来の欠陥検査方法及びその装置では、マスクの製造における欠陥検査工程で、ダミーパターン挿入により図形数が増加し、このために検査データ量が膨大化するという問題と、本来検査を要しないダミーパターンにおいて検出されるパターン欠陥により、総検出欠陥数が増加し、このため欠陥確認に多大な時間を要するという問題が生じていた。後者の問題は、マスク基板の欠陥検査のみならず、半導体基板上での欠陥検査においても同様であった。
【００１４】
本発明は、上記問題点を除去し、修正を要しないため検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにすることにより、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる欠陥検査方法及びその装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、予め検査除外パターンを指定した検査用データ（１７）と設計パターンから成る検査用データ（１１）を作成し、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１２）と前記検査除外パターンを指定した検査用データ（１７）とを合成して得られた画像情報（１８）を、前記設計パターンから成る検査用データ（１１）と比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンに生じた欠陥（１４）を除いた前記検査除外パターン以外の領域に生じた欠陥（１３，１５，１６）を検出するようにしたものである。
【００１６】
〔２〕マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、予め検査除外領域を指定した検査用データ（１９）と設計パターンから成る検査用データ（２０）を作成し、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１２）と検査除外領域を指定した検査用データ（１９）とを合成して得られた画像情報（２１）を、前記設計パターンから成る検査用データ（２０）と比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外領域に生じた欠陥（１３，１４）を除いた前記検査 除外領域以外の領域に生じた欠陥（１５，１６）を検出するようにしたものである。
【００１７】
〔３〕マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査装置において、予め検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データ（１７または１９）と設計パターンから成る検査用データ（１１または２０）を作成する手段と、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１２）と検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データ（１７または１９）とを合成して得られた画像情報（１８または２１）を、前記設計パターンから成る検査用データ（１１または２０）と比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンまたは領域に生じた欠陥（１４または１３，１４）を除いた前記検査除外パターンまたは領域以外の領域に生じた欠陥（１３，１５，１６または１５，１６）を検出する手段とを具備するようにしたものである。
【００１８】
〔４〕マスク基板上または半導体基板上に繰り返して形成された同一の半導体素子パターン同士を比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、予め検査除外パターンを指定した検査用データ（１７）を作成し、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された複数で同一の半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１１，１２）の各々に対し、前記検査除外パターンを指定した検査用データ（１７）を合成して得られた複数の画像情報（２４，２５）同士を比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンに生じた欠陥（１４，２２）を除いた前記検査除外パターン以外の領域に生じた欠陥（１３，１５，１６，２３）を検出するようにしたものである。
【００１９】
〔５〕マスク基板上または半導体基板上に繰り返して形成された同一の半導体素子パターン同士を比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、予め検査除外領域を指定した検査用データ（１９）を作成し、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された複数で同一の半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１１，１２）の各々に対し、前記検査除外領域を指定した検査用データ（１９）を合成して得られた複数の画像情報（２６，２７）同士を比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外領域に生じた欠陥（１３，１４，２２，２３）を除いた前記検査除外領域以外の領域に生じた欠陥（１５，１６）を検出するようにしたものである。
【００２０】
〔６〕マスク基板上または半導体基板上に繰り返して形成された同一の半導体素子パターン同士を比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査装置において、予め検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データ（１７または１９）を作成する手段と、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された複数で同一の半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１１，１２）の各々に対し、前記検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データ（１７または１９）を合成して得られた複数の画像情報（２４，２５または２６，２７）同士を比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンまたは領域に生じた欠陥（１４，２２または１３，１４，２２，２３）を除いた前記検査除外パターンまたは領域以外の領域に生じた欠陥（１３，１５，１６，２３または１５，１６）を検出する手段とを具備するようにしたものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２２】
まず、本発明の第１実施例について説明する。
【００２３】
ここでは、設計パターン比較型検査方法について、図１を参照しながら説明する。ここで、従来のものと同じ部分については、同じ符号を付して、それらの説明は省略する。
【００２４】
まず、図１（ａ）に示すように、設計パターンから成る検査用データ１１と、図１（ｃ）に示すように、設計パターンにおいて検査を除外したいパターンのみを抽出した検査用データ１７を作成する。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すように、マスク基板上に形成されたパターンから光学的にパターン画像１２を得る。ここには、検査を除外したいパターンに生じた欠陥１４とそれ以外の領域に生じた欠陥１３、１５、１６が存在する。さらに、上記検査用データ１７と上記パターン画像１２の合成処理を行うことによって、図１（ｄ）に示すように、新たにパターン画像１８を得る。
【００２６】
最後に、検査用データ１１とパターン画像１８を比較することによって、欠陥１３、１５、１６を検出する。これによって、検査を除外したいパターンに生じた欠陥１４は検出されなくなる。
【００２７】
このように、第１実施例によれば、修正を要しないため、検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。
【００２８】
したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減を図ることができる。
【００２９】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００３０】
ここでは、設計パターン比較型検査方法について、図２を参照しながら説明する。
【００３１】
まず、図２（ｃ）に示すように、設計パターンにおいて検査を除外したい領域をパターンとして指定した検査用データ１９を作成すると共に、図２（ａ）に示すように、設計パターンから成る検査用データ１１と、上記検査用データ１９を合成した検査用データ２０を、図２（ｅ）に示すように、新たに作製する。
【００３２】
次に、図２（ｂ）に示すように、マスク基板上に形成されたパターンから光学的にパターン画像１２を得る。ここには、検査を除外したい領域に生じた欠陥１３、１４とそれ以外の領域に生じた欠陥１５、１６が存在する。さらに、上記検査用データ１９とパターン画像１２の合成処理を行うことによって、図２（ｄ）に示すように、新たにパターン画像２１を得る。
【００３３】
最後に、検査用データ２０とパターン画像２１を比較することによって、欠陥１５、１６を検出する。これによって、検査を除外したい領域に生じた欠陥１３、１４は検出されなくなる。
【００３４】
本実施例では、検査用データ同士の合成で新たな検査用データを作成したが、勿論設計パターンを作成する段階で合成することができることは言うまでもない。また、検査対象からの除外を所望する領域は、矩形に限らず、任意の形状、大きさにできることも言うまでもない。
【００３５】
このように、第２実施例によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望する領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数をさらに短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減効果がさらに大きく期待できる。
【００３６】
さらに、設計パターンからなる検査用データに含まれる図形の中で、検査対象外を所望する領域の図形を排除することができるため、検査用データ量を削減することができる。したがって、設計パターンから検査用データへの変換時間の短縮と、これによるマスク製造コストのさらなる削減が期待できる。
【００３７】
次に、本発明の実施例を示す設計パターン比較型検査装置について、図３を参照しながら説明する。
【００３８】
まず、光源１より発生した光を照明レンズ２で調整した後にマスク基板３に照射し、これより透過した光を対物レンズ４を通して検出器５に結像させることによって、マスク基板上のパターン画像信号を得、さらに、アンプ６によりこのパターン画像信号を増幅する。
【００３９】
一方、記憶装置７に格納してある、設計パターン、または設計パターンと検査対象からの除外を所望する領域を指定したパターンとを合成したパターンから成る検査用データをパターン発生回路８によりパターン画像信号に変換する。
【００４０】
一方、同じく記憶装置７に格納してある検査対象からの除外を所望するパターンまたは領域を指定したパターンから成る検査用データをパターン発生回路２８によりパターン画像信号に変換した後に、そのパターン画像信号とアンプ６により増幅されたパターン画像信号を画像合成回路２９により合成する。
【００４１】
最後に、パターン発生回路８から出力されるパターン画像信号と画像合成回路２９より出力される画像信号の両者を比較回路９により比較することによって相違箇所を欠陥と認識し、この欠陥情報を制御コンピュータ１０に格納する。
【００４２】
本実施例によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターン、または、領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減効果が期待できる。
【００４３】
さらに、検査用データに含まれる図形の中で、検査対象外を所望する領域の図形を排除することができるため、検査用データ量を削減することができる。
【００４４】
したがって、設計パターンから検査用データへの変換時間の短縮と、これによるマスク製造コストのさらなる削減が期待できる。
【００４５】
次に、本発明の第３実施例について説明する。
【００４６】
ここでは、チップ比較型検査方法について、図４を参照しながら説明する。
【００４７】
まず、図４（ｃ）に示す設計パターンにおいて、検査を除外したいパターンのみを抽出した検査用データ１７を作成する。
【００４８】
次に、図４（ａ）に示すマスク基板上に同一で、かつ繰り返して形成されているパターン群の中で、異なる２箇所から光学的に得られたパターン画像（検査用データ）１１と、図４（ｂ）に示すパターン画像１２を得る。これらには、検査を除外したいパターンに生じた欠陥１４、２２とそれ以外の領域に生じた欠陥１３、１５、１６、２３が存在する。
【００４９】
さらに、検査を除外したいパターンのみを抽出した検査用データ１７とパターン画像１１、検査用データ１７とパターン画像１２のそれぞれの合成処理を行うことによって、新たに、図４（ｄ）に示すパターン画像２４と、図４（ｅ）に示すパターン画像２５を得る。
【００５０】
最後に、パターン画像２４とパターン画像２５を比較することによって、欠陥１３、１５、１６、２３を検出する。これによって、検査を除外したいパターンに生じた欠陥１４、２２は検出されなくなる。
【００５１】
このように、第３実施例によれば、修正を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減を図ることができる。
【００５２】
次に、本発明の第４実施例について説明する。
【００５３】
ここでは、チップ比較型検査方法について図５を参照しながら説明する。
【００５４】
まず、図５（ｃ）に示すように、設計パターンにおいて検査を除外したい領域をパターンとして指定した検査用データ１９を作成する。
【００５５】
次に、図５（ａ）に示すマスク基板上に同一でかつ繰り返して形成されているパターン群の中で異なる２箇所から光学的に得られたパターン画像１１と、図５（ｂ）に示すパターン画像１２を得る。これらには、検査を除外したい領域に生じた欠陥１３、１４、２２、２３とそれ以外の領域に生じた欠陥１５、１６が存在する。
【００５６】
さらに、検査を除外したい領域をパターンとして指定した検査用データ１９とパターン画像１１、検査用データ１９とパターン画像１２のそれぞれの合成処理を行うことによって、新たに、図５（ｄ）に示すパターン画像２６と、図５（ｅ）に示すパターン画像２７を得る。
【００５７】
最後に、パターン画像２６とパターン画像２７を比較することによって、欠陥１５、１６を検出する。これによって、検査を除外したい領域に生じた欠陥１３、１４、２２、２３は検出されなくなる。
【００５８】
本実施例では、検査対象からの除外を所望する領域を矩形としたが、任意の形状、大きさにもできることは言うまでもない。
【００５９】
このように、第４実施例によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望する領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数をさらに短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減効果がさらに大きく期待できる。
【００６０】
次に、本発明の実施例を示すチップ比較型検査装置について、図６を参照しながら説明する。
【００６１】
光源１より発生した光を二つの光路に分配し、これらを照明レンズ２で調整した後にマスク基板３に照射し、これより透過した光を対物レンズ４を通して検出器５に結像させることによって、マスク基板上の異なる位置に繰り返して形成された同一のパターンからの二つのパターン画像信号を得、さらにアンプ６により各々のパターン画像信号を増幅する。
【００６２】
一方、記憶装置７に格納してある検査対象からの除外を所望するパターンまたは領域を指定したパターンから成る検査用データをパターン発生回路２８によりパターン画像信号に変換した後に、そのパターン画像信号と先にアンプ６により増幅された二つのパターン画像信号を画像合成回路２９により各々合成する。
【００６３】
最後に、画像合成回路２９より出力される二つのパターン画像信号の両者を比較回路９により比較することによって相違箇所を欠陥と認識し、この欠陥情報を制御コンピュータ１０に格納する。
【００６４】
このように、本実施例によれば、修正及び、異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターンまたは領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減効果が期待できる。
【００６５】
なお、本発明は以下のような利用形態を有する。
【００６６】
図３に示した実施例、及び図６に示した実施例では、透過型光学系を用いたが、反射型光学系または透過型光学系と、反射型光学系の双方を用いることも可能である。
【００６７】
また、実施例の全般を通して光学的なパターン画像の取得方法を用いたが、光の代わりに電子線やイオン線を用いることも可能である。
【００６８】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００６９】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
【００７０】
（１）請求項１記載の発明によれば、修正及び異物除去を要しないため検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにしたので、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。
【００７１】
したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減を図ることができる。
【００７２】
（２）請求項２記載の発明によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望する領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数をさらに短縮することができる。
【００７３】
したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減を図ることができる。
【００７４】
さらに、検査用データに含まれる図形の中で、検査対象外を所望する領域の図形を排除することができるため、検査用データ量を削減することができる。よって、設計パターンから検査用データへの変換時間の短縮効果と、これによるマスク製造コストのさらなる削減が期待できる。
【００７５】
（３）請求項３記載の発明によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターン、または、領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減化を図ることができる。
【００７６】
さらに、検査用データに含まれる図形の中で、検査対象外を所望する領域の図形を排除することができるため、検査用データ量を削減することができる。
【００７７】
よって、設計パターンから検査用データへの変換時間の短縮効果と、これによるマスク製造コストのさらなる削減が期待できる。
【００７８】
（４）請求項４記載の発明によれば、修正及び異物検出を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮と、マスク製造コストの削減化を図ることができる。
【００７９】
（５）請求項５記載の発明によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望する領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数をさらに短縮することができる。よって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮と、マスク製造コストの削減がさらに大きく期待できる。
【００８０】
（６）請求項６記載の発明によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターンまたは領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。よって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮と、マスク製造コストの削減が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例を示す設計パターン比較型検査方法の説明図である。
【図２】 本発明の第２実施例を示す設計パターン比較型検査方法の説明図である。
【図３】 本発明の実施例を示す設計パターン比較型検査装置のブロック図である。
【図４】 本発明の第３実施例を示すチップ比較型検査方法の説明図である。
【図５】 本発明の第４実施例を示すチップ比較型検査方法の説明図である。
【図６】 本発明の実施例を示すチップ比較型検査装置のブロック図である。
【図７】 従来の欠陥検査方法の説明図である。
【図８】 従来の設計パターン比較型検査装置のブロック図である。
【図９】 従来のチップ比較型検査装置のブロック図である。
【符号の説明】
１ 光源
２ 照明レンズ
３ マスク基板
４ 対物レンズ
５ 検出器
６ アンプ
７ 記憶装置
８，２８ パターン発生回路
９ 比較回路
１０ 制御コンピュータ
１１，１７，１９，２０ 検査用データ
１２，１８，２１，２４，２５，２６，２７ パターン画像
１３，１４，１５，１６，２２，２３ 欠陥
２９ 画像合成回路
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンの欠陥検査方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の欠陥検査方法としては、例えば、図７に示すものがあり、これによれば、設計パターンの画像１１とマスク基板（または半導体基板）上に形成された同一のパターンの画像１２との比較、またはマスク基板（または半導体基板）上に形成された設計パターンの画像１１と、これと同一のマスク基板（または半導体基板）上の異なる位置に繰り返して形成された同一のパターンの画像１２との比較によって、欠陥１３、１４、１５、１６を検出するようにしている。
【０００３】
従来、この方法を使用した欠陥検査装置としては、例えば、（１）図８に示すような設計パターン比較型検査装置、または、（２）図９に示すようなチップ比較型検査装置がある。
【０００４】
（１）まず、設計パターン比較型検査装置の構成と動作について説明する。
【０００５】
図８に示すように、光源１より発生した光を照明レンズ２で調整した後にマスク基板３に照射し、これより透過した光を対物レンズ４を通して検出器５に結像させることによって、マスク基板３上のパターン画像信号を得、さらにアンプ６により、このパターン画像信号を増幅する。
【０００６】
一方、記憶装置７に格納されている設計パターンから成る検査用データを、パターン発生回路８によりパターン画像信号に変換する。これら両者のパターン画像信号を比較回路９により比較することによって、相違箇所を欠陥として認識し、この欠陥情報を制御コンピュータ１０に格納する。
【０００７】
（２）次に、チップ比較型検査装置の構成と動作について説明する。
【０００８】
図９に示すように、光源１より発生した光を二つの光路に分配し、これらを照明レンズ２で調整した後にマスク基板３に各々照射し、これより透過した各々の光を対物レンズ４を通して検出器５に結像させることによって、マスク基板３上の異なる位置に繰り返して形成された同一のパターンからのパターン画像信号を得、さらにアンプ６により各々のパターン画像信号を増幅する。
【０００９】
さらに、これら両者のパターン画像信号を比較回路９により比較することによって相違箇所を欠陥と認識し、この欠陥情報を制御コンピュータ１０に格納する。
【００１０】
このほかに透過型光学系の代わりに反射型光学系を用いた装置、光の代わりに電子線を用いた装置があるが、基本的な検出方法及び主要な検出動作は同じである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
半導体素子の高集積化、微細化の進展により、近年半導体デバイス製造において解像限界近傍の光リソグラフィの使用を余儀なくされている。今後もさらにこの状況は深刻さを増すものと予想される。このため、露光余裕度を向上させるための種々の工夫が成されているが、その一つに本来パターン形成を不要としていた領域にダミーパターンを形成し、これにより半導体基板表面の平坦度を向上させるという方法があり、実用化が進んできている。
【００１２】
また、この方法は、化学機械研磨（ＣＭＰ）による平坦度向上プロセスにおいてもその併用が必要とも言われている。
【００１３】
しかしながら、上記した従来の欠陥検査方法及びその装置では、マスクの製造における欠陥検査工程で、ダミーパターン挿入により図形数が増加し、このために検査データ量が膨大化するという問題と、本来検査を要しないダミーパターンにおいて検出されるパターン欠陥により、総検出欠陥数が増加し、このため欠陥確認に多大な時間を要するという問題が生じていた。後者の問題は、マスク基板の欠陥検査のみならず、半導体基板上での欠陥検査においても同様であった。
【００１４】
本発明は、上記問題点を除去し、修正を要しないため検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにすることにより、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる欠陥検査方法及びその装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、予め検査除外パターンを指定した検査用データ（１７）と設計パターンから成る検査用データ（１１）を作成し、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１２）と前記検査除外パターンを指定した検査用データ（１７）とを合成して得られた画像情報（１８）を、前記設計パターンから成る検査用データ（１１）と比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンに生じた欠陥（１４）を除いた前記検査除外パターン以外の領域に生じた欠陥（１３，１５，１６）を検出するようにしたものである。
【００１６】
〔２〕マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、予め検査除外領域を指定した検査用データ（１９）と設計パターンから成る検査用データ（２０）を作成し、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１２）と検査除外領域を指定した検査用データ（１９）とを合成して得られた画像情報（２１）を、前記設計パターンから成る検査用データ（２０）と比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外領域に生じた欠陥（１３，１４）を除いた前記検査 除外領域以外の領域に生じた欠陥（１５，１６）を検出するようにしたものである。
【００１７】
〔３〕マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査装置において、予め検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データ（１７または１９）と設計パターンから成る検査用データ（１１または２０）を作成する手段と、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１２）と検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データ（１７または１９）とを合成して得られた画像情報（１８または２１）を、前記設計パターンから成る検査用データ（１１または２０）と比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンまたは領域に生じた欠陥（１４または１３，１４）を除いた前記検査除外パターンまたは領域以外の領域に生じた欠陥（１３，１５，１６または１５，１６）を検出する手段とを具備するようにしたものである。
【００１８】
〔４〕マスク基板上または半導体基板上に繰り返して形成された同一の半導体素子パターン同士を比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、予め検査除外パターンを指定した検査用データ（１７）を作成し、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された複数で同一の半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１１，１２）の各々に対し、前記検査除外パターンを指定した検査用データ（１７）を合成して得られた複数の画像情報（２４，２５）同士を比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンに生じた欠陥（１４，２２）を除いた前記検査除外パターン以外の領域に生じた欠陥（１３，１５，１６，２３）を検出するようにしたものである。
【００１９】
〔５〕マスク基板上または半導体基板上に繰り返して形成された同一の半導体素子パターン同士を比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、予め検査除外領域を指定した検査用データ（１９）を作成し、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された複数で同一の半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１１，１２）の各々に対し、前記検査除外領域を指定した検査用データ（１９）を合成して得られた複数の画像情報（２６，２７）同士を比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外領域に生じた欠陥（１３，１４，２２，２３）を除いた前記検査除外領域以外の領域に生じた欠陥（１５，１６）を検出するようにしたものである。
【００２０】
〔６〕マスク基板上または半導体基板上に繰り返して形成された同一の半導体素子パターン同士を比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査装置において、予め検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データ（１７または１９）を作成する手段と、前記マスク基板上または半導体基板上に形成された複数で同一の半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報（１１，１２）の各々に対し、前記検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データ（１７または１９）を合成して得られた複数の画像情報（２４，２５または２６，２７）同士を比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンまたは領域に生じた欠陥（１４，２２または１３，１４，２２，２３）を除いた前記検査除外パターンまたは領域以外の領域に生じた欠陥（１３，１５，１６，２３または１５，１６）を検出する手段とを具備するようにしたものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２２】
まず、本発明の第１実施例について説明する。
【００２３】
ここでは、設計パターン比較型検査方法について、図１を参照しながら説明する。ここで、従来のものと同じ部分については、同じ符号を付して、それらの説明は省略する。
【００２４】
まず、図１（ａ）に示すように、設計パターンから成る検査用データ１１と、図１（ｃ）に示すように、設計パターンにおいて検査を除外したいパターンのみを抽出した検査用データ１７を作成する。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すように、マスク基板上に形成されたパターンから光学的にパターン画像１２を得る。ここには、検査を除外したいパターンに生じた欠陥１４とそれ以外の領域に生じた欠陥１３、１５、１６が存在する。さらに、上記検査用データ１７と上記パターン画像１２の合成処理を行うことによって、図１（ｄ）に示すように、新たにパターン画像１８を得る。
【００２６】
最後に、検査用データ１１とパターン画像１８を比較することによって、欠陥１３、１５、１６を検出する。これによって、検査を除外したいパターンに生じた欠陥１４は検出されなくなる。
【００２７】
このように、第１実施例によれば、修正を要しないため、検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。
【００２８】
したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減を図ることができる。
【００２９】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００３０】
ここでは、設計パターン比較型検査方法について、図２を参照しながら説明する。
【００３１】
まず、図２（ｃ）に示すように、設計パターンにおいて検査を除外したい領域をパターンとして指定した検査用データ１９を作成すると共に、図２（ａ）に示すように、設計パターンから成る検査用データ１１と、上記検査用データ１９を合成した検査用データ２０を、図２（ｅ）に示すように、新たに作製する。
【００３２】
次に、図２（ｂ）に示すように、マスク基板上に形成されたパターンから光学的にパターン画像１２を得る。ここには、検査を除外したい領域に生じた欠陥１３、１４とそれ以外の領域に生じた欠陥１５、１６が存在する。さらに、上記検査用データ１９とパターン画像１２の合成処理を行うことによって、図２（ｄ）に示すように、新たにパターン画像２１を得る。
【００３３】
最後に、検査用データ２０とパターン画像２１を比較することによって、欠陥１５、１６を検出する。これによって、検査を除外したい領域に生じた欠陥１３、１４は検出されなくなる。
【００３４】
本実施例では、検査用データ同士の合成で新たな検査用データを作成したが、勿論設計パターンを作成する段階で合成することができることは言うまでもない。また、検査対象からの除外を所望する領域は、矩形に限らず、任意の形状、大きさにできることも言うまでもない。
【００３５】
このように、第２実施例によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望する領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数をさらに短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減効果がさらに大きく期待できる。
【００３６】
さらに、設計パターンからなる検査用データに含まれる図形の中で、検査対象外を所望する領域の図形を排除することができるため、検査用データ量を削減することができる。したがって、設計パターンから検査用データへの変換時間の短縮と、これによるマスク製造コストのさらなる削減が期待できる。
【００３７】
次に、本発明の実施例を示す設計パターン比較型検査装置について、図３を参照しながら説明する。
【００３８】
まず、光源１より発生した光を照明レンズ２で調整した後にマスク基板３に照射し、これより透過した光を対物レンズ４を通して検出器５に結像させることによって、マスク基板上のパターン画像信号を得、さらに、アンプ６によりこのパターン画像信号を増幅する。
【００３９】
一方、記憶装置７に格納してある、設計パターン、または設計パターンと検査対象からの除外を所望する領域を指定したパターンとを合成したパターンから成る検査用データをパターン発生回路８によりパターン画像信号に変換する。
【００４０】
一方、同じく記憶装置７に格納してある検査対象からの除外を所望するパターンまたは領域を指定したパターンから成る検査用データをパターン発生回路２８によりパターン画像信号に変換した後に、そのパターン画像信号とアンプ６により増幅されたパターン画像信号を画像合成回路２９により合成する。
【００４１】
最後に、パターン発生回路８から出力されるパターン画像信号と画像合成回路２９より出力される画像信号の両者を比較回路９により比較することによって相違箇所を欠陥と認識し、この欠陥情報を制御コンピュータ１０に格納する。
【００４２】
本実施例によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターン、または、領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減効果が期待できる。
【００４３】
さらに、検査用データに含まれる図形の中で、検査対象外を所望する領域の図形を排除することができるため、検査用データ量を削減することができる。
【００４４】
したがって、設計パターンから検査用データへの変換時間の短縮と、これによるマスク製造コストのさらなる削減が期待できる。
【００４５】
次に、本発明の第３実施例について説明する。
【００４６】
ここでは、チップ比較型検査方法について、図４を参照しながら説明する。
【００４７】
まず、図４（ｃ）に示す設計パターンにおいて、検査を除外したいパターンのみを抽出した検査用データ１７を作成する。
【００４８】
次に、図４（ａ）に示すマスク基板上に同一で、かつ繰り返して形成されているパターン群の中で、異なる２箇所から光学的に得られたパターン画像（検査用データ）１１と、図４（ｂ）に示すパターン画像１２を得る。これらには、検査を除外したいパターンに生じた欠陥１４、２２とそれ以外の領域に生じた欠陥１３、１５、１６、２３が存在する。
【００４９】
さらに、検査を除外したいパターンのみを抽出した検査用データ１７とパターン画像１１、検査用データ１７とパターン画像１２のそれぞれの合成処理を行うことによって、新たに、図４（ｄ）に示すパターン画像２４と、図４（ｅ）に示すパターン画像２５を得る。
【００５０】
最後に、パターン画像２４とパターン画像２５を比較することによって、欠陥１３、１５、１６、２３を検出する。これによって、検査を除外したいパターンに生じた欠陥１４、２２は検出されなくなる。
【００５１】
このように、第３実施例によれば、修正を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減を図ることができる。
【００５２】
次に、本発明の第４実施例について説明する。
【００５３】
ここでは、チップ比較型検査方法について図５を参照しながら説明する。
【００５４】
まず、図５（ｃ）に示すように、設計パターンにおいて検査を除外したい領域をパターンとして指定した検査用データ１９を作成する。
【００５５】
次に、図５（ａ）に示すマスク基板上に同一でかつ繰り返して形成されているパターン群の中で異なる２箇所から光学的に得られたパターン画像１１と、図５（ｂ）に示すパターン画像１２を得る。これらには、検査を除外したい領域に生じた欠陥１３、１４、２２、２３とそれ以外の領域に生じた欠陥１５、１６が存在する。
【００５６】
さらに、検査を除外したい領域をパターンとして指定した検査用データ１９とパターン画像１１、検査用データ１９とパターン画像１２のそれぞれの合成処理を行うことによって、新たに、図５（ｄ）に示すパターン画像２６と、図５（ｅ）に示すパターン画像２７を得る。
【００５７】
最後に、パターン画像２６とパターン画像２７を比較することによって、欠陥１５、１６を検出する。これによって、検査を除外したい領域に生じた欠陥１３、１４、２２、２３は検出されなくなる。
【００５８】
本実施例では、検査対象からの除外を所望する領域を矩形としたが、任意の形状、大きさにもできることは言うまでもない。
【００５９】
このように、第４実施例によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望する領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数をさらに短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減効果がさらに大きく期待できる。
【００６０】
次に、本発明の実施例を示すチップ比較型検査装置について、図６を参照しながら説明する。
【００６１】
光源１より発生した光を二つの光路に分配し、これらを照明レンズ２で調整した後にマスク基板３に照射し、これより透過した光を対物レンズ４を通して検出器５に結像させることによって、マスク基板上の異なる位置に繰り返して形成された同一のパターンからの二つのパターン画像信号を得、さらにアンプ６により各々のパターン画像信号を増幅する。
【００６２】
一方、記憶装置７に格納してある検査対象からの除外を所望するパターンまたは領域を指定したパターンから成る検査用データをパターン発生回路２８によりパターン画像信号に変換した後に、そのパターン画像信号と先にアンプ６により増幅された二つのパターン画像信号を画像合成回路２９により各々合成する。
【００６３】
最後に、画像合成回路２９より出力される二つのパターン画像信号の両者を比較回路９により比較することによって相違箇所を欠陥と認識し、この欠陥情報を制御コンピュータ１０に格納する。
【００６４】
このように、本実施例によれば、修正及び、異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターンまたは領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減効果が期待できる。
【００６５】
なお、本発明は以下のような利用形態を有する。
【００６６】
図３に示した実施例、及び図６に示した実施例では、透過型光学系を用いたが、反射型光学系または透過型光学系と、反射型光学系の双方を用いることも可能である。
【００６７】
また、実施例の全般を通して光学的なパターン画像の取得方法を用いたが、光の代わりに電子線やイオン線を用いることも可能である。
【００６８】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００６９】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
【００７０】
（１）請求項１記載の発明によれば、修正及び異物除去を要しないため検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにしたので、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。
【００７１】
したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減を図ることができる。
【００７２】
（２）請求項２記載の発明によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望する領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数をさらに短縮することができる。
【００７３】
したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減を図ることができる。
【００７４】
さらに、検査用データに含まれる図形の中で、検査対象外を所望する領域の図形を排除することができるため、検査用データ量を削減することができる。よって、設計パターンから検査用データへの変換時間の短縮効果と、これによるマスク製造コストのさらなる削減が期待できる。
【００７５】
（３）請求項３記載の発明によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターン、または、領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮効果と、マスク製造コストの削減化を図ることができる。
【００７６】
さらに、検査用データに含まれる図形の中で、検査対象外を所望する領域の図形を排除することができるため、検査用データ量を削減することができる。
【００７７】
よって、設計パターンから検査用データへの変換時間の短縮効果と、これによるマスク製造コストのさらなる削減が期待できる。
【００７８】
（４）請求項４記載の発明によれば、修正及び異物検出を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。したがって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮と、マスク製造コストの削減化を図ることができる。
【００７９】
（５）請求項５記載の発明によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望する領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数をさらに短縮することができる。よって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮と、マスク製造コストの削減がさらに大きく期待できる。
【００８０】
（６）請求項６記載の発明によれば、修正及び異物除去を要しないために、検査対象からの除外を所望するパターンまたは領域に生じた欠陥及び異物を検出しないようにすることができるため、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる。よって、検査スループットの向上によるマスク製造時間の短縮と、マスク製造コストの削減が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例を示す設計パターン比較型検査方法の説明図である。
【図２】 本発明の第２実施例を示す設計パターン比較型検査方法の説明図である。
【図３】 本発明の実施例を示す設計パターン比較型検査装置のブロック図である。
【図４】 本発明の第３実施例を示すチップ比較型検査方法の説明図である。
【図５】 本発明の第４実施例を示すチップ比較型検査方法の説明図である。
【図６】 本発明の実施例を示すチップ比較型検査装置のブロック図である。
【図７】 従来の欠陥検査方法の説明図である。
【図８】 従来の設計パターン比較型検査装置のブロック図である。
【図９】 従来のチップ比較型検査装置のブロック図である。
【符号の説明】
１ 光源
２ 照明レンズ
３ マスク基板
４ 対物レンズ
５ 検出器
６ アンプ
７ 記憶装置
８，２８ パターン発生回路
９ 比較回路
１０ 制御コンピュータ
１１，１７，１９，２０ 検査用データ
１２，１８，２１，２４，２５，２６，２７ パターン画像
１３，１４，１５，１６，２２，２３ 欠陥
２９ 画像合成回路
Claims (6)
- マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、
（ａ）予め検査除外パターンを指定した検査用データと設計パターンから成る検査用データを作成し、
（ｂ）前記マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報と前記検査除外パターンを指定した検査用データとを合成して得られた画像情報を、前記設計パターンから成る検査用データと比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンに生じた欠陥を除いた前記検査除外パターン以外の領域に生じた欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法。 - マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、
（ａ）予め検査除外領域を指定した検査用データと設計パターンから成る検査用データを作成し、
（ｂ）前記マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報と検査除外領域を指定した検査用データとを合成して得られた画像情報を、前記設計パターンから成る検査用データと比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外領域に生じた欠陥を除いた前記検査除外領域以外の領域に生じた欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法。 - マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査装置において、
（ａ）予め検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データと設計パターンから成る検査用データを作成する手段と、
（ｂ）前記マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報と検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データとを合成して得られた画像情報を、前記設計パターンから成る検査用データと比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンまたは領域に生じた欠陥を除いた前記検査除外パターンまたは領域以外の領域に生じた欠陥を検出する手段とを具備することを特徴とする欠陥検査装置。 - マスク基板上または半導体基板上に繰り返して形成された同一の半導体素子パターン同士を比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、
（ａ）予め検査除外パターンを指定した検査用データを作成し、
（ｂ）前記マスク基板上または半導体基板上に形成された複数で同一の半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報の各々に対し、前記検査除外パターンを指定した検査用データを合成して得られた複数の画像情報同士を比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンに生じた欠陥を除いた前記検査除外パターン以外の領域に生じた欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法。 - マスク基板上または半導体基板上に繰り返して形成された同一の半導体素子パターン同士を比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、
（ａ）予め検査除外領域を指定した検査用データを作成し、
（ｂ）前記マスク基板上または半導体基板上に形成された複数で同一の半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報の各々に対し、前記検査除外領域を指定した検査用データを合成して得られた複数の画像情報同士を比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外領域に生じた欠陥を除いた前記検査除外領域以外の領域に生じた欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法。 - マスク基板上または半導体基板上に繰り返して形成された同一の半導体素子パターン同士を比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査装置において、
（ａ）予め検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データを作成する手段と、
（ｂ）前記マスク基板上または半導体基板上に形成された複数で同一の半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報の各々に対し、前記検査除外パターンまたは領域を指定した検査用データを合成して得られた複数の画像情報同士を比較照合し、前記マスク基板上または半導体基板上の前記検査除外パターンまたは領域に生じた欠陥を除いた前記検査除外パターンまたは領域以外の領域に生じた欠陥を検出する手段とを具備することを特徴とする欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21335098A JP4228417B2 (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 欠陥検査方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21335098A JP4228417B2 (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 欠陥検査方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000047369A JP2000047369A (ja) | 2000-02-18 |
| JP4228417B2 true JP4228417B2 (ja) | 2009-02-25 |
Family
ID=16637717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21335098A Expired - Fee Related JP4228417B2 (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 欠陥検査方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4228417B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002157581A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Ibiden Co Ltd | 画像データの容量削減方法およびその装置 |
| US7014955B2 (en) | 2001-08-28 | 2006-03-21 | Synopsys, Inc. | System and method for indentifying dummy features on a mask layer |
| US9002497B2 (en) | 2003-07-03 | 2015-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data |
| JP4652024B2 (ja) | 2004-11-22 | 2011-03-16 | 富士通株式会社 | 表面検査方法及び装置 |
| JP5175577B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-04-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 集積回路パターンの欠陥検査方法、及びその装置 |
| JP2010060904A (ja) | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | フォトマスクの検査方法、半導体デバイスの検査方法及びパターン検査装置 |
| CN107045259B (zh) * | 2016-02-05 | 2020-06-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 包含有监测图形的掩膜版以及监测方法 |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP21335098A patent/JP4228417B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000047369A (ja) | 2000-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4809341A (en) | Test method and apparatus for a reticle or mask pattern used in semiconductor device fabrication | |
| US6272236B1 (en) | Inspection technique of photomask | |
| US8737676B2 (en) | Defect estimation device and method and inspection system and method | |
| US7275006B2 (en) | Workpiece inspection apparatus assisting device, workpiece inspection method and computer-readable recording media storing program therefor | |
| TWI295479B (en) | A novel wafer repair method using direct-writing | |
| JPS6349366B2 (ja) | ||
| JPH05303193A (ja) | マスク検査方法およびマスク検出装置 | |
| KR20010062513A (ko) | 패턴 검사 방법 및 패턴 검사 장치 | |
| JP4856047B2 (ja) | マスクパターン寸法検査方法およびマスクパターン寸法検査装置 | |
| JP4644210B2 (ja) | パターン欠陥検査方法 | |
| JP2017216392A (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
| JP4228417B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
| US6925629B2 (en) | Reticle fabrication method | |
| US6444374B1 (en) | Manufacturing method of mask for electron beam proximity exposure and mask | |
| US5331370A (en) | Method and apparatus for determining a feature-forming variant of a lithographic system | |
| US7160650B2 (en) | Method of inspecting a mask | |
| JP3045114B2 (ja) | 荷電粒子線描画用データ作成方法並びに描画用パターンデータ作成プログラムを記録した記録媒体 | |
| US6327379B2 (en) | Pattern inspection method and apparatus | |
| US20140310662A1 (en) | Pattern inspection method | |
| US8264535B2 (en) | Method and apparatus for analyzing a group of photolithographic masks | |
| US7251015B2 (en) | Photolithography mask critical dimension metrology system and method | |
| JP6255191B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
| US6662145B1 (en) | Method, equipment, and recording medium for controlling exposure accuracy | |
| CN220064616U (zh) | 一种基于数字叠栅条纹的光刻对准系统 | |
| JP2532110B2 (ja) | 電子線露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050628 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080725 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080805 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080902 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081111 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081124 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111212 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111212 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121212 Year of fee payment: 4 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121212 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121212 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131212 Year of fee payment: 5 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |