JPS6349366B2 - - Google Patents

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JPS6349366B2
JPS6349366B2 JP17079683A JP17079683A JPS6349366B2 JP S6349366 B2 JPS6349366 B2 JP S6349366B2 JP 17079683 A JP17079683 A JP 17079683A JP 17079683 A JP17079683 A JP 17079683A JP S6349366 B2 JPS6349366 B2 JP S6349366B2
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、マスクパターンの露光方法時に、ウ
エハまたはフオトマスク用乾板へのパターン焼付
けに際して該パターンが正常か否かを検査するシ
ステムに関する。
従来技術と問題点 集積回路の製作工程ではウエハに逐次同じ集積
回路のパターンを焼付け、拡散その他の処理を行
ない、スクライブして個々のチツプに分散すると
いう作業が行なわれる。パターン焼付けにはマス
クを使用し、マスクはレチクル像をフオトマスク
用ガラス乾板に焼付けて作るが、レチクルそれ自
身をウエハーへ焼付けする方式も開発されてい
る。
パターン焼付けでは勿論原（設計）パターンが
その通りに正確にウエハー上に焼付けられること
が必要であるが、常にその通りになるとは限らな
い。特に集積回路の集積度が高くなり、パターン
各部のサイズが小さくなると、原パターンとは異
なる不良パターンが焼付けられる確率が高くな
る。第１図は不良パターンの例を説明する図で、
ａは原（設計）パターン、ｂ，ｃは原パターン１
０に基ずいてレチクル上に形成させたパターンを
示す。ｂではパターン１０の一部１０ａが異常で
ありかゝる異常は主に現像などの処理工程が原因
で発生する。ｃではパターン１０の一部１０ｂが
途切れておりかゝる異常は主に露光工程が原因で
発生する。かゝる異常はガラス乾板を用いてレチ
クルからフオトマスクを作る工程でも発生する。
またレチクル又はガラス乾板などは正常でも露光
時にレチクルにゴミが付着していたりすると、や
はりパターン異常を生じる。第２図はこれを説明
する図で、１２はレチクル、１４はレチクル上の
ゴミである。かゝるものがあるとウエハー１６上
の焼付け像１８にゴミ１４の像１４ａが生じてし
まう。なお２０は光学系である。マスクパターン
に欠陥がある、或いはマスクにゴミが付着してい
ると、それにより焼付けられるパターンは全て不
良となる。不良パターンには後続の工程で正しい
処理をしても製品はやはり不良であり、集積回路
の製造工程が複雑化する程、如何に早く（工程の
初期段階で）不良原因を発見し除去するかが、集
積回路製造コスト面で重要な意味を持つてくる。
そこでパターンを焼付けたら直ちにその正常、
異常をチエツクすることが行なわれており、そし
て該チエツクには焼付けられたパターン相互を比
較する（各集積回路パターンは同じあるから、相
互比較して異なつているなら異常）という方法を
通常はとつている。しかしこの方法では、個々の
集積回路パターンの焼付けで生じた異常は検出で
きるものの、マスク異常など共通に発生する異常
は検出できない。
発明の目的 本発明は、パターン不良及びゴミ付着を含むフ
オトマスクの異常を確実に検出し、正確なパター
ン焼付けを可能にする露光方法を提供しようとす
るものである。
発明の構成 本発明のマスクパターンの露光方法は、被露光
体が置かれるステージの１部にイメージセンサ部
を設け、露光に先立つてフオトマスクパターン像
を光学系により該イメージセンサ部に投射し、そ
のビデオ出力を第１の画像メモリに格納し、また
該マスクの設計データよりマスクパターンを示す
ビデオ信号を発生させ、該ビデオ信号を第２の画
像メモリに格納し、これら第１、第２の画像メモ
リを同時に読出し、各々の出力ビデオ信号を比較
してその一致、不一致によりマスクパターン像の
正、異常をチエツクし、正常であれば、前記フオ
トマスクパターン像を前記光学系により被露光体
に照射することを特徴とするが、次に実施例を参
照しながらこれを詳細に説明する。
発明の実施例 第３図は本発明の実施例装置概要を示すブロツ
ク図、第４図はステージ部の構造を示す説明図で
あり、第５図はステージ部の一例の断面図であ
る。これらの図で３０はステージ部であり、ウエ
ハーまたはフオトマスク用ガラス乾板などの被露
光体本例ではウエハー２６が置かれる窓２２と原
パターン１０の正、異常チエツク用受光部２８が
置かれる窓２４を備える。受光部２８は本例では
イメージセンサで構成され、走査部３６はその電
気的走査を行なう。ステージ部３０は図示しない
がステージ駆動機構にのつており、Ｘ、Ｙ方向に
移動可能である。制御部３８はそのＸ、Ｙ方向駆
動制御を行なう。４０及び４２は画像メモリであ
り、４４，４６はその書込み部である。５０は設
計データを格納された磁気テープであり、４８は
該データより映像信号を作成する信号発生部、５
２はメモリ４０，４２の読出しデータを比較する
比較器である。第５図のステージ部３０で３２は
シヤツタ（カバースライド）でありウエハー２６
の露光時に開いてパターンを該ウエハーへ入射さ
せる。３４はステージ部の外筐、３４ａは同底板
である。ステージ部３０はその駆動機構および原
（レチクル）パターン１０の支持機構などと共に
気密容器内に収容される。
操作を説明するに、ステージ部３０にフオトレ
ジストを塗布したウエハー２６をのせ、またレチ
クル１２を取付けたりして露光準備する。従来方
式なら次はステージを移動させてウエハー２６上
の所望位置（図面では格子で区切られた矩形の１
つ）がパターン投射されるようにし、露光したら
再びステージを移動させて次の矩形がパターン投
射されるようにし、露光し、以下同様操作を図面
の全矩形に対して行なつていくが、本発明では
かゝる露光処理に入る前に光学系２０を操作して
レチクルパターン１０を窓２４に投射する。窓２
４には受光部本例ではイメージセンサ２８が配設
されているから投射されたパターン１０の光像は
イメージセンサ２８でスキヤンされ、光電変換さ
れてビデオ信号Vaとなる。このビデオ信号Vaは
メモリの書込み制御部４４を通して該メモリ４０
へ逐次書込まれて該メモリに、不良部があればそ
れをまたゴミが付着しておけばそれを含むパター
ン１０の画像を記憶させる。
一方、磁気テープ５０などに収められた設計デ
ータが読出され、映像信号発生部４８でビデオ信
号に変換され、書込み部４６を通してメモリ４２
へ書込まれ、設計仕様に基ずくパターンが該メモ
リ４２に格納される。レチクルパターン１０もこ
の設計仕様に基ずいて作成されたものであるが、
前述のようにその製作過程で異常が生じ得る。画
像メモリ４０，４２はその対応するメモリセルが
順次読出され、その読出し出力が比較器５２で逐
次比較される。レチクルパターン１０が正常に作
成されておりまたゴミ付着などがなければこの比
較結果は最後のメモリセルのそれまで一致してお
り、これによりマスク正常を知ることができる。
マスク正常のとき、光学系２０を操作してパタ
ーン１０が窓２２のウエハー上に投射されるよう
にし、ステージ駆動機構と共に前述の露光を行な
う。この間、フオトマスク１２を容器外へ出した
りはしないから検査後にゴミが付着することはな
く、フオトマスク正常性がよく確保される。
レチクル像受光部２８の構成及びそれへのパタ
ーン投射法には種々のものが考えられる。例えば
該受光部２８には２次元イメージセンサを用いそ
して窓２２の格子内矩形（これは１つのICチツ
プに相当）と同じ大きさとし、マスク１２のパタ
ーン１０を該センサ一杯に投射すればステージを
移動させることなく該パターンの光電変換、ビデ
オ信号発生が可能である。この代りに該受光部２
８にはラインセンサを用い、レチクル（マスク）
１２の１ライン分（縦辺または横辺に平行な線の
全長）またはその複数分の１を投射し、Ｘ方向ま
たはＸ方向とＹ方向へステージを移動させながら
（機械的走査を行ないながら）パターン１０の光
電変換、ビデオ信号化を行なつてもよい。レチク
ル像受光部２８をウエハー２６が置かれるステー
ジに設けると、上記Ｘ、Ｙ移動はステージの駆動
系を用いて簡単に実行できる。
又、レチクル１２と受光部２４の中間に２０の
光学系とは別の光学系をさらに使用し、レチクル
のマスクパターン像を拡大して取らえる方法も考
えられる。
設計データがマスクパターンのビデオ信号の形
で磁気テープ５０に格納されているなら勿論映像
信号発生部４８は不要である。しかし一般には該
パターンを示すベクトルなどのデータで保管され
ることが多く、この場合は該ベクトルデータに従
つて線分を発生し、ひいてはパターンを発生する
必要がある。映像信号発生部４８はかゝるベクト
ルデータからイメージデータへの変換を行なう。
画像メモリ４０，４２はその読出し出力を各メ
モリセル（ビツト）対応で比較するから同期がと
れる必要がある。これにはマスクをＮライン、ラ
イン当りビツト数をＭとしてＮ×Ｍビツト（又は
画素）に分解し、メモリ４０，４２もＮ×Ｍビツ
ト構成にしてこれに、Ｎ×Ｍビツトのビデオ信号
を格納するとよい。
レチクルパターンに微小欠陥または微小ゴミが
あつてもそれが受光部の解像度以下であると検出
されないが、余りに微小な欠陥は露光されてもウ
エハーにパターン形成しないからこの点は格別問
題ない。逆に言えば、受光部の解像度をかゝる点
を考慮して決定しておく。
発明の効果 以上説明したように本発明によればマスクの正
常、異常をそのパターン不良だけでゴミ付着など
も含めて確実に検査してレチクルのマスクパター
ン像の正常性を保持することができ、ひいては正
確な、信頼性の高い露光を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はマスクパターンの異常を説明する図、
第２図はゴミ付着によるパターン異常を説明する
図である。第３図〜第５図は本発明の実施例を示
し、第３図はブロツク図、第４図は斜視説明図、
第５図は断面図である。 図面で、２６は被露光体、３０はステージ部、
２８は受光部、４０，４２は第１、第２の画像メ
モリ、５０は設計データ、５２は比較器である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 被露光体が置かれるステージの１部にイメー
    ジセンサ部を設け、露光に先立つてフオトマスク
    パターン像を光学系により該イメージセンサ部に
    投射し、そのビデオ出力を第１の画像メモリに格
    納し、 また該マスクの設計データよりマスクパターン
    を示すビデオ信号を発生させ、該ビデオ信号を第
    ２の画像メモリに格納し、 これら第１、第２の画像メモリを同時に読出
    し、各々の出力ビデオ信号を比較してその一致、
    不一致によりマスクパターン像の正、異常をチエ
    ツクし、 正常であれば、前記フオトマスクパターン像を
    前記光学系により被露光体に照射することを特徴
    とするマスクパターンの露光方法。
JP58170796A 1983-09-16 1983-09-16 マスクパターンの露光方法 Granted JPS6062122A (ja)

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EP84401661A EP0138639B1 (en) 1983-09-16 1984-08-13 Inspection method for mask pattern used in semiconductor device fabrication
DE8484401661T DE3485474D1 (de) 1983-09-16 1984-08-13 Verfahren fuer die kontrolle eines maskenmotivs verwendet bei der herstellung eines halbleiterelementes.
KR1019840005290A KR890003145B1 (ko) 1983-09-16 1984-08-29 반도체장치 제조용 마스크패턴 검사방법
US06/648,911 US4641353A (en) 1983-09-16 1984-09-10 Inspection method and apparatus for a mask pattern used in semiconductor device fabrication

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05303193A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Mitsubishi Electric Corp マスク検査方法およびマスク検出装置

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60235136A (ja) * 1984-05-09 1985-11-21 Kyodo Printing Co Ltd 検版方法
GB2190215B (en) * 1986-05-01 1989-12-13 Smiths Industries Plc Integrated circuit substrates and masks
GB8610655D0 (en) * 1986-05-01 1986-06-04 Smiths Industries Plc Integrated circuit substrates
JPS62263646A (ja) * 1986-05-12 1987-11-16 Toshiba Corp ウエハ検査装置
US4734923A (en) * 1986-05-19 1988-03-29 Hampshire Instruments, Inc Lithographic system mask inspection device
US4809341A (en) * 1986-07-18 1989-02-28 Fujitsu Limited Test method and apparatus for a reticle or mask pattern used in semiconductor device fabrication
CA1242815A (en) * 1987-03-20 1988-10-04 Pak K. Leung Defect detection method of semiconductor wafer patterns
US4758094A (en) * 1987-05-15 1988-07-19 Kla Instruments Corp. Process and apparatus for in-situ qualification of master patterns used in patterning systems
US5014326A (en) * 1989-03-03 1991-05-07 Greyhawk Systems, Inc. Projected image linewidth correction apparatus and method
GB9021444D0 (en) * 1990-10-02 1990-11-14 Delco Electronic Overseas Corp Light mask
US5795688A (en) * 1996-08-14 1998-08-18 Micron Technology, Inc. Process for detecting defects in photomasks through aerial image comparisons
US6091845A (en) * 1998-02-24 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Inspection technique of photomask
US6297879B1 (en) * 1998-02-27 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Inspection method and apparatus for detecting defects on photomasks
US6466314B1 (en) * 1998-09-17 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Reticle design inspection system
US6625800B1 (en) 1999-12-30 2003-09-23 Intel Corporation Method and apparatus for physical image based inspection system
WO2004047443A1 (en) * 2002-11-21 2004-06-03 Xtend Networks Ltd. Apparatus, system and method for the transmission of a dymatic bandwidth signal across a catv network
US6950183B2 (en) * 2003-02-20 2005-09-27 International Business Machines Corporation Apparatus and method for inspection of photolithographic mask
WO2004088417A1 (ja) * 2003-03-31 2004-10-14 Fujitsu Limited フォトマスクのパターン検査方法、フォトマスクのパターン検査装置、およびフォトマスクのパターン検査プログラム
US7221788B2 (en) * 2003-07-01 2007-05-22 Infineon Technologies Ag Method of inspecting a mask or reticle for detecting a defect, and mask or reticle inspection system
US7271891B1 (en) * 2003-08-29 2007-09-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for providing selective defect sensitivity
JP4758358B2 (ja) * 2004-01-29 2011-08-24 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法
JP4125273B2 (ja) * 2004-08-24 2008-07-30 キヤノン株式会社 画像処理装置及びその方法、プログラム
JP4904034B2 (ja) * 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
DE102005032601A1 (de) * 2005-01-07 2006-07-20 Heidelberger Druckmaschinen Ag Druckmaschine
JP4664688B2 (ja) * 2005-01-14 2011-04-06 東芝メモリシステムズ株式会社 工業製品の製造方法
US7769225B2 (en) 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US8041103B2 (en) * 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7676077B2 (en) * 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7570796B2 (en) * 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
JP2007142275A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Toshiba Corp フォトマスクの判定方法、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP5427609B2 (ja) 2006-12-19 2014-02-26 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 検査レシピ作成システムおよびその方法
US8194968B2 (en) * 2007-01-05 2012-06-05 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US7962863B2 (en) * 2007-05-07 2011-06-14 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer
US7738093B2 (en) * 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
US8213704B2 (en) * 2007-05-09 2012-07-03 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7796804B2 (en) * 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US7711514B2 (en) * 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
KR101448971B1 (ko) * 2007-08-20 2014-10-13 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 실제 결함들이 잠재적으로 조직적인 결함들인지 또는 잠재적으로 랜덤인 결함들인지를 결정하기 위한 컴퓨터-구현 방법들
US8139844B2 (en) * 2008-04-14 2012-03-20 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
JP2009300426A (ja) * 2008-05-16 2009-12-24 Nuflare Technology Inc レチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法
WO2010014609A2 (en) * 2008-07-28 2010-02-04 Kla-Tencor Corporation Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer
US8775101B2 (en) 2009-02-13 2014-07-08 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US8204297B1 (en) 2009-02-27 2012-06-19 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for classifying defects detected on a reticle
US8112241B2 (en) * 2009-03-13 2012-02-07 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating an inspection process for a wafer
US8781781B2 (en) 2010-07-30 2014-07-15 Kla-Tencor Corp. Dynamic care areas
US9170211B2 (en) 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US9087367B2 (en) 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
US8831334B2 (en) 2012-01-20 2014-09-09 Kla-Tencor Corp. Segmentation for wafer inspection
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
WO2014149197A1 (en) 2013-02-01 2014-09-25 Kla-Tencor Corporation Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54102837A (en) * 1978-01-28 1979-08-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern check system
JPS5553425A (en) * 1978-10-16 1980-04-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern inspection
JPS58152243A (ja) * 1982-03-05 1983-09-09 Hitachi Ltd レチクル異物検出装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57198851A (en) * 1981-05-30 1982-12-06 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Inspecting device for defect of pattern
JPS5837923A (ja) * 1981-08-31 1983-03-05 Toshiba Corp フオトマスクの検査装置
US4542404A (en) * 1982-06-14 1985-09-17 Rca Corporation Charge coupled device based system and method for inspecting and modifying images
US4532650A (en) * 1983-05-12 1985-07-30 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm
US4555798A (en) * 1983-06-20 1985-11-26 Kla Instruments Corporation Automatic system and method for inspecting hole quality

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54102837A (en) * 1978-01-28 1979-08-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern check system
JPS5553425A (en) * 1978-10-16 1980-04-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern inspection
JPS58152243A (ja) * 1982-03-05 1983-09-09 Hitachi Ltd レチクル異物検出装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05303193A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Mitsubishi Electric Corp マスク検査方法およびマスク検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0138639A2 (en) 1985-04-24
JPS6062122A (ja) 1985-04-10
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KR890003145B1 (ko) 1989-08-23
EP0138639B1 (en) 1992-01-22
US4641353A (en) 1987-02-03
DE3485474D1 (de) 1992-03-05
KR850002681A (ko) 1985-05-15

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