CN114341742A - 确定图案的像差灵敏度的方法 - Google Patents

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Abstract

本文描述一种用于基于与图案形成设备相关联的像差灵敏度来确定过程窗口限制图案(PWLP)的方法(300)。所述方法包括：P(301)获得(i)与所述图案形成设备的像差波前相关联的第一核集合(301)和第二核集合(302)，和(ii)待经由所述图案形成设备而被印制于衬底上的设计布局(303)；和经由使用所述设计布局、所述第一核集合、和所述第二核集合的过程模拟，确定P(303)与所述像差波前相关联的像差灵敏度映射，所述像差灵敏度映射指示所述设计布局的一个或更多个部分对于单独像差以及在不同像差之间的交互作用的灵敏程度；以及基于所述像差灵敏度映射，确定P(305)与相较于所述设计布局的其它部分具有相对高灵敏度的所述设计布局相关联的所述PWLP(315)。

Description

确定图案的像差灵敏度的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年9月03日递交的美国申请62/895,372的优先权，所述美国申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本说明书总体涉及图案的像差灵敏度以及优化图案化过程的设备和方法，或关于基于所述像差灵敏度的图案化过程的方面。
背景技术
光刻投影设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包含或提供与IC的单层对应的图案(“设计布局”)，并且这一图案可以通过诸如穿过图案形成装置上的图案照射已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个的管芯)的方法，被转印到所述目标部分上。通常，单个衬底包含被光刻投影设备连续地、一次一个目标部分地将所述图案转印到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的所述图案被一次转印到一个目标部分上；这样的设备通常称作为步进器。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描，而同时沿与此参考方向平行或反向平行的方向同步地移动所述衬底。所述图案形成装置上的所述图案的不同部分被逐渐地转印到一个目标部分上。因为通常所述光刻投影设备将具有减小比率M(例如，4)，则上述衬底被移动的速率F将是所述投影束扫描所述图案形成装置的速率的1/M倍。关于本文描述的光刻装置的更多信息可以从例如US 6,046,792中搜集到，该文献通过引用而被合并入本文中。
在将所述图案从所述图案形成装置转印至所述衬底之前，所述衬底可能经历各种工序，诸如涂底料、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后，所述衬底可能经历其它工序(“曝光后工序”)，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所转印的图案的测量/检查。这一系列的工序被用作为用以制造器件(例如IC)的单个层的基础。之后所述衬底可能经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有的这些过程都旨在最终完成所述器件的单个层。如果所述器件中需要若干层，则针对每一层重复整个工序或其变形。最终，器件将存在于所述衬底上的每一目标部分中。之后通过诸如切片或切割之类技术，将这些器件互相分离开，据此多个单独的器件可以被安装在载体上，连接至引脚，等等。
因而，制造器件(诸如半导体器件)通常涉及使用多个制造过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成器件的各种特征和多个层。这些层和特征通常使用例如淀积、光刻、蚀刻、化学机械抛光、和离子注入来制造和处理。可在衬底上的多个管芯上制造多个器件，且然后将其分离成多个单独的器件。此器件制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案形成步骤，诸如在光刻设备中使用图案形成装置的光学和/或纳米压印光刻，以将所述图案形成装置上的图案转印到衬底上，并且通常但可选地涉及到一个或更多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备的抗蚀剂显影、使用焙烤工具的衬底焙烤、使用蚀刻设备而使用所述图案进行蚀刻，等等。
如所提及的，光刻术是制造器件(诸如IC)中的核心步骤，其中，形成于衬底上的图案限定所述器件的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片，等等。类似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)和其它器件。
随着半导体制造过程继续进步，几十年来，功能元件的尺寸已经持续不断地减小而同时每一个器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经稳定地增加，这遵循着通常称为“摩尔定律”的趋势。在当前的技术状态下，使用光刻投影设备来制造器件的多个层，光刻投影设备使用来自深紫外线照射源的照射将设计布局投影到衬底上，从而形成具有远低于100nm(即，小于来自照射源(例如193nm照射源)的辐射的波长的一半)的尺寸的多个单独功能元件。
其中具有尺寸小于光刻投影设备的经典分辨率极限的特征被印制的这种过程通常被称为低k1光刻术，它所依据的分辨率公式是CD＝k1×λ/NA，其中，λ是所采用的辐射的波长(当前大多数情况下是248nm或193nm)，NA是所述光刻投影设备中的投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常是所印制的最小特征尺寸)以及，k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，则在所述衬底上再现类似于由设计者所规划的形状和尺寸以便实现特定电学功能性和性能的图案就变得越困难。为了克服这些困难，将复杂的精调整步骤应用于所述光刻投影设备、所述设计布局、或所述图案形成装置。这些步骤包括例如但不限于：NA和光学相干性设定的优化、自定义照射方案、使用相移图案形成装置、所述设计布局中的光学邻近效应校正(OPC，有时也称作“光学和过程校正”)，或通常被定义为“分辨率增强技术”(RET)的其它方法。如本文中使用的术语“投影光学器件”应该被宽泛地解释为涵盖各种类型的光学系统，包括例如折射型光学器件、反射型光学器件、孔阑和反射折射型光学器件。术语“投影光学器件”也可以包括用于共同地或单个地引导、成形或控制投影辐射束的根据这些设计类型中的任一个来操作的部件。术语“投影光学元件”可以包括所述光刻投影设备中的任何光学部件，无论所述光学部件位于所述光刻投影设备的光学路径上的什么地方。投影光学器件可以包括用于在来自所述源的辐射传递通过所述图案形成装置之前成形、调整和/或投影该辐射的光学部件，或者用于在所述辐射通过所述图案形成装置之后成形、调整和/或投影所述辐射的光学部件。所述投影光学器件通常不包括所述源和所述图案形成装置。
发明内容
根据实施例，提供一种基于与图案形成设备相关联的像差灵敏度来确定过程窗口限制图案(PWLP)的方法。所述方法包括：获得(i)与所述图案形成设备的像差波前相关联的第一核集合和第二核集合，和(ii)待经由所述图案形成设备而被印制于衬底上的设计布局；和经由使用所述设计布局、所述第一核集合、和所述第二核集合的过程模拟，确定与所述像差波前相关联的像差灵敏度映射，所述像差灵敏度映射指示所述设计布局的一个或更多个部分对于特定像差以及在不同像差之间的交互作用的灵敏程度；以及基于所述像差灵敏度映射，确定与相较于所述设计布局的其它部分具有相对高灵敏度的所述设计布局相关联的所述PWLP。
附图说明
现将参考随附附图而仅借助于示例描述实施例，在随附附图中：
图1示意性地描绘根据实施例的光刻设备；
图2示意性地描绘根据实施例的光刻元或光刻簇的实施例；
图3是根据实施例的基于与图案形成设备相关联的像差灵敏度来确定图案窗口限制图案(PWLP)的方法300的流程图；
图4A图示了根据实施例的呈图像格式的示例泽尼克多项式Z7；
图4B图示了根据实施例的针对泽尼克多项式Z7所获得的示例一阶核；
图5A图示了根据实施例的使用用于设计图案的第一核集合而获得的示例一阶空间图像；
图5B图示了根据实施例的用于所述设计图案的无像差空间图像；
图6A至图6H图示了根据实施例的与示例一阶ZCC核相关联的示例一阶图像，所述示例一阶ZCC核与泽尼克多项式Z5至Z36集合中的泽尼克多项式Z5至Z10和Z35至Z36相关联；
图7图示了根据实施例的使用泽尼克图像中的每个泽尼克图像的像素强度所产生的示例矩阵；
图8是根据实施例的所述泽尼克图像(例如图6A至图6H中)的示例PCA成分PC1的图形表示；
图9是根据实施例的示例设计布局；
图10A是根据实施例的用于图9中的所述设计布局的像差灵敏度映射的示例；
图10B示出根据实施例的图9的所述设计布局的4个选定片段和图10A的所述像差映射的对应像差映射片段的示例；
图11图示了根据实施例的与在应用波前优化之后的设计图案的2个选定片段相对应的示例像差灵敏度片段；
图12图示根据实施例的确定用以确定热点的EPE、CD、PPE的示例方式；
图13是根据实施例的图案化过程的模拟的流程图；
图14是根据实施例的确定热点图案的流程图；
图15是根据实施例的示例计算机系统的框图；
图16是根据实施例的另一光刻投影设备的示意图；
图17是根据实施例的用于极紫外扫描器的图1中的所述设备的视图；
图18是根据实施例的图16和图17的所述设备的源收集器模块SO的更详细视图。
具体实施方式
在详细描述实施例之前，呈现可以实施实施例的示例环境是具指导性的。
图1示意性地描绘光刻设备LA的实施例。所述设备包括：
-照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如UV辐射或DUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位所述图案形成装置的第一定位装置PM；
-衬底台(例如晶片台)WT(例如，WTa、WTb或两者)，所述衬底台被构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位所述衬底的第二定位装置PW；和
-投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至所述辐射束B的图案投影至所述衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯，且通常被称为场)上，所述投影系统被支撑在参考框架(RF)上。
如这里所描绘的，所述设备属于透射类型(例如，采用透射型掩模)。替代地，所述设备可以属于反射类型(例如，采用上文提及的类型的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。
照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如，当所述源是准分子激光器时，所述源和所述光刻设备可以是分离的实体。在这种情况下，不认为所述源形成所述光刻设备的一部分，且所述辐射束借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助从所述源SO被传递至所述照射器IL。在其他情况下，例如当所述源是汞灯时，所述源可以是所述设备的组成部分。所述源SO和所述照射器IL、以及所述束传递系统BD(如果需要的话)可被称作辐射系统。
所述照射器IL可以改变所述束的强度分布。所述照射器可以被布置成限制所述辐射束的径向范围，使得所述强度分布在所述照射器IL的光瞳平面中的环形区域内为非零的。另外地或替代地，所述照射器IL可能可操作以限制所述束在所述光瞳平面中的分布，从而使得所述强度分布在所述光瞳平面中的多个等距地间隔开的部段中为非零的。所述辐射束的在所述照射器IL的光瞳平面中的所述强度分布可以被称为照射模式。
因此，所述照射器IL可以包括被配置用以调整所述束的(角度/空间)强度分布的调节器AM。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。所述照射器IL可能可操作以改变所述束的角向分布。例如，所述照射器可能可操作以改变在所述光瞳平面中所述强度分布为非零的部段的数量和角向范围。通过调整所述束在所述照射器的所述光瞳平面中的所述强度分布，可以实现不同的照射模式。例如，通过限制所述照射器IL的所述光瞳平面中的所述强度分布的径向范围和角向范围，所述强度分布可以具有多极分布，诸如例如偶极、四极或六极分布。可以例如通过将提供照射模式的光学器件插入所述照射器IL中或使用空间光调制器，来获得期望的照射模式。
所述照射器IL可能可操作以改变所述束的偏振并且可能可操作以使用调节器AM来调整所述偏振。所述辐射束的跨越所述照射器IL的整个光瞳平面上的偏振状态可以被称为偏振模式。不同的偏振模式的使用可以允许在所述衬底W上所形成的图像中获得较大的对比度。所述辐射束可以是非偏振的。替代地，所述照射器可以被布置成线性地偏振所述辐射束。所述辐射束的所述偏振方向可以跨越所述照射器IL的整个光瞳平面而变化。辐射的偏振方向在所述照射器IL的所述光瞳平面中的不同区域中可以是不同的。可以根据所述照射模式来选择所述辐射的所述偏振状态。对于多极照射模式，所述辐射束的每个极的所述偏振通常可以垂直于该极在所述照射器IL的所述光瞳平面中的位置矢量。例如，对于偶极照射模式，所述辐射可以在实质上与将偶极的两个相对的部段二等分的线垂直的方向上被线性地偏振。所述辐射束可以在两个不同的正交方向之一上被偏振，这可以被称为X偏振态和Y偏振态。对于四极照射模式，每个极的部段中的辐射可以在实质上与将该部段二等分的线垂直的方向上被线性地偏振。这种偏振模式可以被称为XY偏振。类似地，对于六极照射模式，每个极的部段中的辐射可以在实质上与将该部段二等分的线垂直的方向上被线性地偏振。此偏振模式可以被称为TE偏振。
另外，所述照射器IL通常包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。所述照射系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合。
因而，所述照射器提供经调节的辐射束PB，在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。
所述支撑结构MT以取决于所述图案形成装置的取向、所述光刻设备的设计、和其它条件(诸如例如所述图案形成装置是否被保持在真空环境中)的方式来支撑图案形成装置。所述支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术以保持所述图案形成装置。所述支撑结构可以是例如框架或台，其可以根据需要而是固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保所述图案形成装置例如相对于所述投影系统处于期望的位置。可以认为本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用都与更上位的术语“图案形成装置”同义。
本文中所使用的术语“图案形成装置”应被广泛地解释为是指可以用于在所述衬底的目标部分中赋予图案的任何装置。在实施例中，图案形成装置是可以用于在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以便在所述衬底的目标部分中创建图案的任何装置。应注意，例如，如果被赋予至所述辐射束的所述图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则所述图案可以不确切地对应于所述衬底的所述目标部分中的期望的图案。通常，被赋予至所述辐射束的所述图案将对应于所述目标部分中所创建的器件(诸如集成电路)中的特定功能层。
图案形成装置可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二元掩模、交替相移掩模和衰减相移掩模、以及各种混合式掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，所述小反射镜中的每个小反射镜可以被单独地倾斜，以便在不同方向上对入射辐射束进行反射。倾斜的反射镜在由反射镜矩阵所反射的辐射束中赋予图案。
本文中所使用的术语“投影系统”应被广泛地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射、或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或其任何组合。可以认为本文中对术语“投影透镜”的任何使用都与更上位的术语“投影系统”同义。
所述投影系统PS具有可以是非均一的且可能影响成像到所述衬底W上的所述图案的光学传递函数。对于非偏振辐射，这些效应可以由两个标量映射或标量图相当良好地描述，所述两个标量映射描述了作为所述投影系统PS的光瞳平面中的位置的函数的射出所述投影系统PS的辐射的透射(变迹)和相对相位(像差)。可以将可以被称作透射映射和相对相位映射的这些标量映射表达为基函数的完整集合的线性组合。特别方便的集合是泽尼克多项式，所述泽尼克多项式形成了在单位圆上定义的正交多项式的集合。每个标量映射的确定可以涉及确定在这种展开式中的系数。由于泽尼克多项式在单位圆上正交，则可以通过依次计算所测量的标量映射与每个泽尼克多项式的内积、并且将这种内积除以所述泽尼克多项式的范数的平方，来确定所述泽尼克系数。
透射映射和相对相位映射取决于场和系统。即，通常，每个投影系统PS将针对每个场点(即，针对投影系统PS的像平面中的每个空间部位)具有不同的泽尼克展开式。可以通过将辐射(例如)从所述投影系统PS的物平面(即，所述图案形成装置MA的平面)中的点状源投影通过所述投影系统PS且使用剪切干涉仪以测量波前(即，具有相同相位的点的轨迹)来确定所述投影系统PS在其光瞳平面中的相对相位。剪切干涉仪是共同路径干涉仪，且因此，有利地，无需次级参考束来测量所述波前。所述剪切干涉仪可以包括衍射光栅，例如，在所述投影系统的像平面(即，衬底台WT)中的二维栅格；和检测器，所述检测器被布置成检测与所述投影系统PS的光瞳平面共轭的平面中的干涉图案。所述干涉图案是与所述辐射的相位的相对于在剪切方向上在光瞳平面中的坐标的导数相关的。所述检测器可以包括感测元件的阵列，诸如例如电荷耦合器件(CCD)。
光刻设备的所述投影系统PS可以不产生可见的条纹，且因此，可以使用相位步进技术(诸如例如移动所述衍射光栅)来增强确定所述波前的准确度。可以在所述衍射光栅的平面中和在与测量的扫描方向垂直的方向上执行步进。步进范围可以是一个光栅周期，并且可以使用至少三个(均一地分布的)相位步进。因而，例如，可以在y方向上执行三次扫描测量，每次扫描测量针对在x方向上的不同位置来执行。衍射光栅的这种步进将相位变化有效地转换成强度变化，从而允许确定相位信息。所述光栅可以在与所述衍射光栅垂直的方向(z方向)上步进以校准所述检测器。
可以在两个垂直方向上顺序地扫描所述衍射光栅，该两个垂直方向可以与所述投影系统PS的坐标系的轴(x和y)重合，或者可以与这些轴成诸如45度的角度。扫描可以在整数个光栅周期(例如一个光栅周期)内被执行。所述扫描将一个方向上的相位变化平均化，从而允许重构另一方向上的相位变化。这允许将所述波前确定为两个方向的函数。
可以通过将辐射(例如)从所述投影系统PS的物平面(即，所述图案形成装置MA的平面)中的点状源投影通过所述投影系统PS、且使用检测器来测量所述辐射的在与所述投影系统PS的光瞳平面共轭的平面中的强度，来确定所述投影系统PS在其光瞳平面中的透射(变迹)。可以使用与用于测量波前以确定像差的检测器同一个检测器。
所述投影系统PS可以包括多个光学(例如，透镜)元件且还可以包括调整机构AM，所述调整机构被配置成调整所述光学元件中的一个或更多个光学元件以便校正像差(跨越遍及所述场的整个所述光瞳平面的相位变化)。为了实现这种校正，所述调整机构可能可操作以根据一种或更多种不同的方式操控所述投影系统PS内的一个或更多个光学(例如，透镜)元件。所述投影系统可以具有一坐标系，其中其光轴在z方向上延伸。所述调整机构可能可操作的以进行以下各项的任何组合：使一个或更多个光学元件移位；使一个或更多个光学元件倾斜；和/或使一个或更多个光学元件变形。光学元件的移位可以在任何方向(x、y、z或其组合)上进行。光学元件的倾斜典型地是通过围绕在x和/或y方向上的轴旋转来从垂直于光轴的平面偏离，尽管对于非旋转对称的非球面光学元件，可以使用围绕z轴的旋转。光学元件的变形可以包括低频形状(例如，像散)和/或高频形状(例如，自由形式非球面)。可以例如通过使用一个或更多个致动器以对所述光学元件的一个或更多个侧上施加力、和/或通过使用一个或更多个加热元件以加热所述光学元件的一个或更多个选定区，来执行光学元件的变形。通常，不可能调整所述投影系统PS来校正变迹(即，跨越整个所述光瞳平面的透射变化)。可以当设计用于所述光刻设备LA的图案形成装置(例如，掩模)MA时使用投影系统PS的透射映射。使用计算光刻技术，所述图案形成装置MA可以被设计为用于至少部分地校正变迹。
所述光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多个台(例如，两个或更多个衬底台WTa、WTb，两个或更多个图案形成装置台，在没有专用于例如促成测量和/或清洁等的衬底的情况下在所述投影系统下方的衬底台WTa和台WTb)的类型。在这些“多平台”机器中，可能并行地使用额外的台，或可在一个或更多个台上执行预备步骤的同时将一个或更多个其它台用于曝光。例如，可以进行使用对准传感器AS的对准测量和/或使用水平传感器LS的水平(高度、倾角等)测量。
所述光刻设备也可以属于如下类型：其中所述衬底的至少一部分可以由具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充介于所述投影系统与所述衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至所述光刻设备中的其它空间，例如，介于所述图案形成装置与所述投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中被众所周知地用于增大投影系统的数值孔径。如本文中所使用的术语“浸没”不意味着诸如衬底之类的结构必须被浸没在液体中，而是仅意味着液体在曝光期间位于所述投影系统与所述衬底之间。
因此，在所述光刻设备的操作中，由所述照射系统IL调节并且提供辐射束。所述辐射束B入射到被保持在所述支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且由所述图案形成装置图案化。在已穿越所述图案形成装置MA的情况下，所述辐射束B传递通过所述投影系统PS，所述投影系统PS将所述束聚焦至所述衬底W的目标部分C上。借助于所述第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉测量装置、线性编码器、二维编码器或电容式传感器)，可以准确地移动所述衬底台WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在所述辐射束B的路径中。类似地，所述第一定位装置PM和另一位置传感器(其在图1中没有被明确地描绘)可以用于例如在从掩模库的机械获取之后、或在扫描期间相对于所述辐射束B的路径来准确地定位所述图案形成装置MA。通常，可以借助于形成所述第一定位装置PM的部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现所述支撑结构MT的移动。类似地，可以使用形成所述第二定位装置PW的部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进器的情况下(与扫描器截然相反)，所述支撑结构MT可以仅连接至短行程致动器，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管如所图示的所述衬底对准标记占据专用的目标部分，但所述衬底对准标记可以位于目标部分之间的空间中(这些标记被称为划道对准标记)。类似地，在多于一个管芯被设置于所述图案形成装置MA上的情形中，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。
所描绘的设备可以用于以下模式中的至少一种模式中：
1.在步进模式中，在将被赋予至所述辐射束的整个图案一次性被投影至目标部分C上的同时，使所述支撑结构MT和所述衬底台WT保持基本上静止(即，单次静态曝光)。接着，使所述衬底台WT在X和/或Y方向上移位，使得可以曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大大小限制了在单次静态曝光中所成像的所述目标部分C的大小。
2.在扫描模式中，在将被赋予至所述辐射束的图案被投影至目标部分C上的同时，同步地扫描所述支撑结构MT和所述衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以由所述投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定所述衬底台WT相对于所述支撑结构MT的速度和方向。在扫描模式中，所述曝光场的最大大小限制了在单次动态曝光中的所述目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(在扫描方向上)。
3.在另一模式中，在将被赋予至所述辐射束的图案被投影至目标部分C上的同时，所述支撑结构MT被保持基本上静止从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台WT。在这种模式中，通常采用脉冲式辐射源，并且在所述衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要来更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于被应用至运用可编程图案形成装置(诸如上文提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。
也可以采用对上文描述的使用模式的组合和/或变型，或完全不同的使用模式。
尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应该理解，本文描述的所述光刻设备可以具有其他应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和探测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的情境中，术语“晶片”或“管芯”在本文中的任何使用可以分别被认为与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里提到的所述衬底可以在曝光之前或之后在例如涂覆显影系统或轨道(track)(一种通常将抗蚀剂层施加到衬底并且使经曝光的抗蚀剂显影的工具)、或量测工具或检查工具中受处理。在适用的情况下，本文的公开内容可以被应用于这种和其他衬底处理工具。此外，所述衬底可以被处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得本文中所使用的术语衬底也可以指代已经包含多个经处理层的衬底。
本文中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖全部类型的电磁辐射，所述电磁辐射包括紫外(UV)辐射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5nm至20nm的范围内的波长)、以及诸如离子束或电子束之类的粒子束。
图案形成装置上的各种图案或由图案形成装置所提供的各种图案可以具有不同的过程窗口(即，将在其下产生规格内的图案的处理变量的空间)。与潜在的系统性缺陷有关的图案规格的示例包括针对颈缩、线拉回、线薄化、CD、边缘放置、重叠、抗蚀剂顶部损耗、抗蚀剂底切和/或桥接的检查。可以通过合并(例如，重叠)每个单独的图案的过程窗口来获得图案形成装置上或图案形成装置的区域上的所有图案的过程窗口。所有图案的过程窗口的边界包含多个单独的图案中的一些图案的过程窗口的边界。换句话说，这些单独的图案限制了所有图案的过程窗口。这些图案可以称为“热点”或“过程窗口限制图案(PWLP)”，在本文中可以互换地使用。当控制图案化过程的一部分时，有可能且经济地聚焦于所述热点上。当所述热点没有缺陷时，最可能的是所有图案都没有缺陷。
如图2所示出的，所述光刻设备LA可以形成光刻单元LC(有时也被称作光刻元或光刻簇)的部分，光刻单元LC也包括用于对衬底执行曝光前过程和曝光后过程的设备。通常，这些设备包括用于沉积一个或更多个抗蚀剂层的一个或更多个旋涂器SC、用于显影经曝光的抗蚀剂的一个或更多个显影器DE、一个或更多个激冷板CH和/或一个或更多个焙烤板BK。衬底输送装置、或机器人RO从输入端口I/O1、输出端口I/O2拾取一个或更多个衬底，在不同的过程设备之间移动这些衬底、且将它们传递至所述光刻设备的进料台LB。常常被统称为涂覆显影系统或轨道(track)的这些设备处于涂覆显影系统控制单元或轨道控制单元TCU的控制下，涂覆显影系统控制单元或轨道控制单元TCU自身受管理控制系统SCS控制，所述管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU来控制所述光刻设备。因而，不同的设备可以被操作以最大化吞吐量和处理效率。
为了正确地且一致地曝光由所述光刻设备曝光的衬底，和/或为了监控所述图案化过程(例如，器件制造过程)的包括至少一个图案转印步骤(例如，光学光刻步骤)的一部分，则希望检查衬底或其他物体以测量或确定一个或更多个性质，诸如对准、重叠(其可以例如在叠置层中的结构之间，或在同一层中的已由例如双重图案化过程分别提供至所述层的结构之间)、线厚度、临界尺寸(CD)、聚焦偏移、材料性质等。因此，其中定位有所述光刻元LC的制造设施也典型地包括量测系统MET，所述量测系统MET测量在所述光刻元中已经被处理过的一些或全部衬底W或所述光刻元中的其他物体。所述量测系统MET可以是所述光刻元LC的部分，例如，其可以是所述光刻设备LA(诸如对准传感器AS)的部分。
一个或更多个所测量的参数可以包括例如在经图案化的衬底中或之上所形成的连续层之间的重叠、例如在经图案化的衬底中或之上所形成的特征的临界尺寸(CD)(例如，临界线宽)、光学光刻步骤的聚焦或聚焦误差、光学光刻步骤的剂量或剂量误差、光学光刻步骤的光学像差，等等。可以在产品衬底本身的目标上和/或设置于所述衬底上的专用量测目标上执行此测量。所述测量可以在抗蚀剂显影之后但在蚀刻之前执行，或者可以在蚀刻之后执行。
存在着用于对在所述图案化过程中所形成的结构进行测量的多种技术，包括使用扫描电子显微镜、基于图像的测量工具和/或各种专用工具。如上所描述，专用量测工具的一种快速且非侵入性的形式中，辐射束被引导到所述衬底的表面上的目标上，并且测量了散射(衍射/反射)束的性质。通过评估由所述衬底所散射的辐射的一种或更多种性质，可以确定所述衬底的一种或更多种性质。这可以称为基于衍射的量测。这种基于衍射的量测的一种这样的应用是在对目标内的特征不对称性的测量中。例如，这可以用作重叠的量测，但是其他应用也是已知的。例如，可以通过比较所述衍射光谱的相反部分(例如，比较周期性光栅的衍射光谱中的-1和+1阶)来测量不对称性。这可以如上文所述地实现，并且可以如例如在美国专利申请公开US2006-066855中所描述般实现，该文献通过引用整体而被合并入本文。基于衍射的量测的另一个应用是在对目标内的特征宽度(CD)的测量中。这样的技术可以使用下文描述的设备和方法。
因而，在器件制作过程(例如，图案化过程或光刻过程)中，衬底或其他物体可以在所述过程期间或所述过程之后经受进行各种类型的测量。所述测量可以确定特定衬底是否有缺陷、可以对所述过程和所述过程中所使用的设备进行调整(例如，将所述衬底上的两层对准，或将所述图案形成装置与所述衬底对准)、可以测量所述过程和所述设备的性能、或可用于其他目的。测量的示例包括光学成像(例如，光学显微镜)、非成像光学测量(例如，基于衍射的测量，诸如ASML YieldStar量测工具、ASML SMASH量测系统)、机械测量(例如，使用触笔的仿形测量、原子力显微镜(AFM))、和/或非光学成像(例如，扫描电子显微镜(SEM))。美国专利号6,961,116(其全部内容通过引用而被合并入本文)中描述了SMASH(智能型对准传感器混合式)系统，其采用了一种自参考干涉仪，该干涉仪产生对准标记的两个交叠的且相对地旋转的图像，检测在所述图像的傅立叶变换会产生干扰的光瞳平面中的强度，并且根据两个图像的衍射阶之间的相位差提取位置信息，其表现为干涉阶的强度变化。
可以将量测结果直接或间接地提供至所述管理控制系统SCS。如果检测到误差，则可以对后续衬底的曝光(尤其在如果可以足够迅速且快速完成检查使得所述批量的一个或更多个其它衬底仍待曝光的情况下)和/或对经曝光的衬底的后续曝光进行调整。此外，已被曝光的衬底可以被剥离和返工以改善产率，或被舍弃，由此避免对已知有缺陷的衬底执行进一步处理。在衬底的仅一些目标部分有缺陷的情况下，可以仅对良好的那些目标部分执行另外的曝光。
在量测系统MET内，量测设备用于确定所述衬底的一个或更多个性质，并且特别是确定不同衬底的一个或更多个属性如何变化、或同一衬底的不同层在不同层间如何变化。如上所述，所述量测设备可被集成于所述光刻设备LA或所述光刻元LC中，或可以是单独器件。
为了实现所述量测，可以将一个或更多个目标设置于所述衬底上。在实施例中，目标被专门设计且可以包括周期性结构。在实施例中，所述目标是器件图案的一部分，例如是所述器件图案的周期性结构。在实施例中，所述器件图案是存储器装置的周期性结构(例如，双极晶体管(BPT)、位线接触部(BLC)等结构)。
在实施例中，衬底上的所述目标可以包括一个或更多个一维周期性结构(例如，光栅)，其被印制成使得在显影之后，所述周期性结构特征由实体抗蚀剂线形成。在实施例中，所述目标可以包括一个或更多个二维周期性结构(例如，光栅)，其被印制成使得在显影之后，所述一个或更多个周期性结构由所述抗蚀剂中的实体抗蚀剂柱或通孔形成。栅条、柱或通孔可被替代地被蚀刻至所述衬底中(例如，被蚀刻至所述衬底上的一个或更多个层中)。
所述制作过程(例如图2)包括呈现不同性能(例如，根据印制于衬底上的图案)的多于一个扫描器(即光刻设备)。为了在不同扫描器之间或相对于参考性能提供一致性能(例如一致轮廓或CD)，可以根据本公开的方法来执行波前优化。
在实施例中，可使用例如目标函数来执行优化，目标函数诸如
Figure BDA0003528793070000171
其中(z1,z2,…,zN)是N个设计变量或其值；fp(z1,z2,…,zN)可以是(z1,z2,…,zN)的所述设计变量的值的集合的第p个评估点处的特性的实际值与预期值之间的差的函数。wp是被指派至第p个评估点的权重常数。可以向比其它评估点或图案更关键的评估点或图案指派较高wp值。也可以向具有较大出现次数的图案和/或评估点指派较高wp值。评估点的示例可以是所述衬底上的任何实体点或图案，或图案形成装置图案、或抗蚀剂图像、或空间图像上的任何点。
所述目标函数可以表示诸如对所述光刻投影设备或所述衬底之类进行的图案化过程的任何合适的特性，例如聚焦、CD、图像移位、图像变形、图像旋转等。例如，所述目标函数可以是以下光刻指标中的一个或更多个函数：边缘放置误差、临界尺寸、抗蚀剂轮廓距离、最差缺陷大小、图案移位、随机效应、所述图案形成装置的三维效应、所述抗蚀剂的三维效应、最佳焦点移位、光瞳填充因子、曝光时间、和/或吞吐量。因为所述抗蚀剂图像常常规定衬底上的所述图案，则所述目标函数常常包括表示所述抗蚀剂图像的一些特性的函数。例如，这种评估点的fp(z1,z2,…,zN)可以仅是所述抗蚀剂图像中的点与所述点的预期位置之间的距离(即边缘放置误差EPEp(z1,z2,…,zN))。所述设计变量可以是任何可调整参数，诸如波前的可调整参数。
所述光刻设备可以包括可以用以调整所述辐射束的波前形状、强度分布、和/或相移的一个或更多个部件，统称为“波前操控器”。可以在沿所述光刻投影设备的光学路径的任何部位处调整所述波前，诸如在所述图案形成装置之前、接近光瞳平面、接近像平面、或接近聚焦平面。所述投影光学器件可以用以校正或补偿由例如照射件、所述图案形成装置、所述光刻投影设备中的温度变化、和/或所述光刻投影设备的部件的热膨胀所引起的所述波前的某些变形。调整所述波前可以改变所述评估点和所述目标函数的值。可以根据模型来模拟这些变化或实际上测量这些变化。
应注意，fp(z1,z2,…,zN)的正态加权均方根(RMS)被定义为
Figure BDA0003528793070000181
因此，例如，最小化fp(z1,z2,…,zN)的加权RMS被等效于最小化在方程式1中所定义的所述目标函数
Figure BDA0003528793070000182
因而，为了本文中的标识简化，可以互换地运用fp(z1,z2,…,zN)的加权RMS和方程式1。
所述优化过程是在约束条件(z1,z2,…,zN)∈Z下寻找例如使得所述目标函数最小化的所述设计变量的值集合，即，寻找
Figure BDA0003528793070000183
所述优化不必产生针对所述设计变量(例如波前参数)的值的单个集合。另外，可以存在由诸如光瞳填充因子、抗蚀剂化学物质、吞吐量等因子所引起的物理约束。所述优化可以提供针对设计变量和相关联性能特性(例如吞吐量)的值的多个集合，并且允许所述光刻设备的用户选取一个或更多个集合。
在实施例中，可以应用诸如高斯-牛顿(Gauss-Newton)算法、莱文贝格-马夸特(Levenberg-Marquardt)算法、梯度下降算法、模拟退火、基因算法等的算法来评估且求解目标函数。
用以确定(例如设计布局的)图案的像差灵敏度的现有方法基于例如针对CD的泽尼克灵敏度分析、或图案的图案放置误差(PPE)。这种基于CD或PPE的分析包括在评估点(例如在跨越所述图案的切线上，参见图12)处确定CD和/或PPE。这种CD和/或PPE确定需要关于像差热点的先验知识。例如，基于光刻可制造性检查(LMC)的热点确定包括对所有热点进行分类、排序即分拣、和排名。随后，由像差所引起的热点必须被识别。
在示例现有方法中，热点检测基于例如0.05nm误差预算内的追踪图像轮廓。例如，获得了衬底上的图案的经模拟图像或测量图像(例如SEM图像)。根据所述图像，使用例如诸如边缘检测或其它边缘追踪算法之类的图像处理算法来追踪图案轮廓。随后，使用所追踪的轮廓来计算相对于期望的轮廓的差。此外，执行所述差是否超出误差预算(例如0.05nm)的检查。
此外，确定热点需要获得所述图案的准确轮廓。因此，所述图案的轮廓追踪(或图案的模拟)的计算应尽可能准确。因此，现有模型可能需要48个传递交叉系数(TCC)核，其是计算昂贵的。例如，空间图像可以使用具有用于表示图像强度的48个传递交叉系数(TCC)的霍普金(Hopkin)的公式来确定。TCC是照射光瞳乘以投影光瞳(例如透镜光瞳)的自相关。
因此，现有方法需要大量预处理以识别热点且随后确定这样的热点的像差灵敏度。
除计算限制性外，现有方法具有若干其它限制性。例如，基于LMC的热点是每泽尼克项所检测到的，且不考虑高估所述热点的组合泽尼克项的相长/相消效应。例如，当泽尼克多项式交互作用时，一些交互作用放大了所述图案上的像差效应，而同时一些交互作用抵消了所述像差效应。在现有方法中这样的交互作用可能不被考虑。而且，通过有像差空间图像与无像差空间图像之间的有限差而进行的当前计算可能需要48阶或更高阶TCC核，其对于全芯片应用是计算密集型的。
本公开的所述方法可以使用例如泽尼克交叉系数(ZCC)核来识别像差引起的热点检测。ZCC核的数目与用于晶片轮廓追踪和CD计算的TCC核的数目相比是显著更少的(例如，4个ZCC核)。因而，本方法相较于现有方法极大地减少计算负担。此外，本方法不需要轮廓追踪、CD和/或PPE确定。因而，本方法相较于现有方法在计算上更快和/或在计算上更不资源密集。
图3是基于与图案形成设备相关联的像差灵敏来确定图案窗口限制图案(PWLP)的方法300的流程图。图案形成装置上的、或由图案形成装置所提供的各种图案可以具有不同的过程窗口，即，将产生规格内的图案所处的处理变量的空间。与潜在系统性缺陷有关的图案规格的示例包括检查颈缩、线拉回、线薄化、CD、边缘放置、重叠、抗蚀剂顶部损耗、抗蚀剂底切和/或桥接。这是缺陷的非详尽清单，并且可以限定额外的缺陷类型和对应的缺陷检测器。可以通过合并每个单独的图案的过程窗口(例如，使所述过程窗口重叠)来获得图案形成装置或其区域上的所有图案的所述过程窗口。所有图案的过程窗口的边界包含多个单独图案中的一些图案的过程窗口的边界。换句话说，这些单独的图案限制所有图案的过程窗口。这些图案可以被称作“热点”或“过程窗口限制图案(PWLP)”，“热点”或“过程窗口限制图案(PWLP)”在本发明中可互换使用。当控制图案化过程的一部分时，关注聚焦于热点是可能的且经济的。当热点无缺陷时，最可能的是所有图案均无缺陷。
这样的热点可以由于过程参数(例如剂量、聚焦等)、设备的特性(例如光刻设备的透镜光瞳的像差)、或与热点相关的其它变量中的一个或更多引起。根据本公开，描述了用于确定像差引起的热点的方法。
本方法300具有若干优势。如先前提及的，本方法与用于追踪图像轮廓和基于轮廓的热点检测的那些核相比，需要显著更少数目的核以计算像差灵敏度映射。在实施例中，由电场(例如掩模图像)与ZCC核之间的卷积来计算泽尼克图像。所述计算可以在粗略栅格大小(例如对于＞4nm的EUV模型像素大小)上被执行而无密集计算负担。快速的基于图像的像差灵敏度计算方法能够进行全芯片计算。
此外，所述方法300适用于波前的任何多项式展开，包括泽尼克多项式、贝塞尔(Bessel)函数和勒让德(Legendre)多项式等。所述方法300不受特定过程模型限制，并且适用于用以对图案化过程进行建模的任何(例如)光学模型和抗蚀剂模型。所述方法300适用于任何NA和波长。所述方法300适用于包括全芯片设计的任何芯片设计(存储器、逻辑器件和微处理器)。所述方法300的步骤或过程详细描述如下。
工序P301包括获得(i)与所述图案形成设备的像差波前相关联的第一核集合301和第二核集合302，以及(ii)待经由所述图案形成设备而被印制于衬底上的设计布局303。
在实施例中，所述像差波前由任何正态且完整的函数集表示，诸如泽尼克、贝塞尔函数、或标准正交的(orthonormal)用户定义函数。作为非限制性示例，所述像差波前由泽尼克多项式的集合或位图图像来表示。本方法提出以下示例公式以获得图案的像差灵敏度。例如，像差波前W(ρ)可以由泽尼克多项式展开：
Figure BDA0003528793070000211
在实施例中，所述像差波前可以被扰动以确定像差灵敏度。例如，对于W(ρ)的波前扰动，泰勒(Taylor)展开式可以被执行如下：
Figure BDA0003528793070000212
在上述公式中，W是所述像差波前，k0是波矢量(nm-1)，ρ是归一化波矢量(无单位)，Zm表示泽尼克多项式，cm表示表征由相关联的泽尼克多项式Zm所解释的像差的量(nm)的泽尼克系数。上述示例泰勒级数展开式为多达2阶项。然而，本公开不限于这种展开式且也可以包括其它更高阶项。
在实施例中，通过与包括所述像差波前的线性像差项的一阶空间图像相关联的第一矢量的特征分解来获得所述第一核集合301。在实施例中，通过源函数、光瞳函数和一阶像差的卷积来计算所述第一空间图像，所述一阶像差表征线性像差项的影响。在实施例中，所述源函数是表征所述图案形成设备的照射源的数学表示，并且所述光瞳函数是表征所述图案形成设备的透镜光瞳的另一数学表示。所述光瞳和照射源的这样的数学表示是已知的且不限制本公开的范围。
在实施例中，可以使用以下来确定一阶空间图像：
Figure BDA0003528793070000221
在上述方程式中，I1是泽尼克m(nm1)的一阶像差灵敏度，x表示所述空间图像的任何部位(例如图案上的评估点)，S是所述照射源的数学表示，H是每个源点ρ0处的所述空间图像，M(ρ)是掩模衍射图案，且P是所述光瞳函数。在实施例中，所述源函数被表示为由所述图案形成设备所使用的所述照射源的像素化图像。上述公式中的第一矢量
Figure BDA0003528793070000222
可以被计算如下：
Figure BDA0003528793070000223
在确定针对特定泽尼克(例如图4A和4B中所图示的Z7)的
Figure BDA0003528793070000224
之后，执行
Figure BDA0003528793070000225
的特征分解以获得第一泽尼克核(也称为第一泽尼克交叉系数(ZCC)核)。在实施例中，所述第一ZCC核可以被视为针对特定泽尼克项m的一阶像差灵敏度滤波器。
图4A图示了呈图像格式的示例泽尼克多项式Z7且图4B图示了针对所述泽尼克多项式Z7所获得的示例一阶核(所述第一核集合的示例)。应用方程式即
Figure BDA0003528793070000226
方程式，其中m＝7且给定源函数(例如，源图像)和给定光瞳函数(例如，透镜光瞳图像)，可以计算所述第一矢量
Figure BDA0003528793070000227
另外，可以对
Figure BDA0003528793070000228
执行特征分解以产生一阶核的元素。在图4B中，所述第一核的前三个元素是ZCC1、ZCC2和ZCC3。在本示例中，ZCC1、ZCC2和ZCC3被表示为图像。然而，在实施例中，核可以被表示呈矢量或矩阵格式以用于计算目的。
进一步使用所述一阶核，可以产生针对任何掩模(例如M)的一阶空间图像500A(例如在图5A中)。
Figure BDA0003528793070000229
图5A图示了使用上述方程式
Figure BDA00035287930700002210
所获得的示例一阶空间图像500A，其中所述掩模或设计布局(M)包括竖直线。
在实施例中，通过与包括所述像差波前的二阶像差项的第二空间图像相关联的二阶矢量的特征分解来获得第二核集合302。在实施例中，通过卷积所述源函数、所述光瞳函数和所述二阶像差来计算所述二阶空间图像，所述二阶像差表征单独的像差之间的交互作用的效应。所述源函数是表征所述图案形成设备的所述照射源的数学表示，并且所述光瞳函数是表征所述图案形成设备的所述透镜光瞳的另一数学表示。
在实施例中，二阶空间图像可以使用以下来确定：
Figure BDA0003528793070000231
在上述方程式中，
Figure BDA0003528793070000232
是泽尼克m,n(nm-2)的二阶像差灵敏度，S是所述照射源的数学表示，H是每个源点ρ0处的空间图像，M(ρ)是所述掩模衍射图案，且P是所述光瞳函数。在实施例中，所述源函数被表示为由所述图案形成设备所使用的所述照射源的像素化图像。上述公式中的第二矢量
Figure BDA0003528793070000233
可以被计算如下：
Figure BDA0003528793070000234
在确定针对特定泽尼克交互作用(例如Z5与Z7)的
Figure BDA0003528793070000235
之后，执行
Figure BDA0003528793070000236
的特征分解以获得第二泽尼克核(也称为第二泽尼克交叉系数(ZCC)核)。在实施例中，所述第一ZCC核可以被视为针对特定泽尼克项m,n的二阶像差灵敏度滤波器。
在实施例中，所述第一核集合301和所述第二核集合302取决于与所述图案形成设备的照射源、所述图案形成设备的透镜光瞳相关联的参数，和描述与所述图案形成设备相关联的所述像差波前的泽尼克项，但所述第一核集合和所述第二核集合与所述设计布局303的形状无关。
在实施例中，所述设计布局303是以下各项中的至少一个：预OPC掩模布局(例如在应用了光学邻近效应校正(OPC)之前的设计布局)；后OPC掩模布局(例如在应用了光学邻近效应校正(OPC)之后的设计布局)；或根据所述后OPC掩模布局而产生的掩模图像，其中所述掩模图像表示通过利用所述照射源照射所述后OPC掩模布局而获得的掩模衍射图案。通常，所述设计布局303将包括一个或更多个图案，其中图案还可以包括多个特征(例如线、接触孔等)。
在本方法中，任何形状的图案可以被用于所述设计布局中。例如，在实施例中，一个或更多个图案中的图案包括多个特征且所述图案的一部分是所述多个特征中的特征。在实施例中，所述一个或更多个图案包括直线掩模图案；线和间隔；接触孔；和/或曲线掩模图案。
工序P303包括：经由过程模拟(例如在图13中)且使用所述设计布局303、所述第一核集合301、和所述第二核集合302来确定与所述像差波前相关联的像差灵敏度映射310。在实施例中，所述像差灵敏度映射310指示所述设计布局303的一个或更多个部分对于单独的像差(例如特定泽尼克多项式)和在不同像差之间(例如两个泽尼克多项式(诸如Z5与Z7)之间)的交互作用的灵敏程度。
在实施例中，所述像差灵敏度映射310是泽尼克多项式集合和与其相关联的泽尼克系数集合的函数，每个泽尼克系数指示由相关联的泽尼克多项式所解释的像差的量。在实施例中，所述像差灵敏度映射310是像素化图像，其中像素值指示所述像差灵敏度。
在实施例中，确定所述像差灵敏度映射310包括：通过将所述第一核集合301应用于所述设计布局303来确定一阶像差灵敏度映射(例如在图4B中示出)；通过将所述第二核集合302应用于所述设计布局303来确定二阶像差灵敏度映射(未示出)；并且将像差灵敏度映射310确定为一阶像差灵敏度映射与二阶像差灵敏度映射的总和。此外，所述像差灵敏度映射包括无像差空间图像。因此，所述像差灵敏度映射可以被称为差量图像或增量图像(delta image)，其中所述差量图像表征无像差空间图像与有像差空间图像之间的差。
图4B图示所述第一核集合301的示例，还基于核301获得所述一阶空间图像(参见图5A)。类似地，第二核集合302可以被用以确定所述二阶空间图像。在实施例中，可以例如使用霍普金斯公式获得图5B中所示出的无像差空间图像500B(例如理想空间图像)。随后，可以将所述像差灵敏度映射确定为所述无像差空间图像、一阶图像和二阶图像的合计。在实施例中，所述像差灵敏度映射310使用以下公式来确定：
Figure BDA0003528793070000251
在上述方程式中，先前解决/处理了多个项。例如，Zm是指泽尼克多项式，cm是泽尼克系数，I0(x)是无像差空间图像，
Figure BDA0003528793070000252
是所述一阶空间图像，
Figure BDA0003528793070000253
是所述二阶空间图像，并且I(x)是根据本公开的总空间图像或像差灵敏度映射。在实施例中，所述像差灵敏度映射I(x)用作映射310以识别热点。此外，可以执行波前优化以确定波前参数(例如，所述光瞳的反射镜的倾斜、定向等)，使得降低所述热点的像差灵敏度。
在实施例中，所述第一核集合301可以被视为针对泽尼克多项式集合中的给定泽尼克的一阶像差灵敏度滤波器。在实施例中，所述第二核集合302可以被视为针对泽尼克多项式集合中的给定泽尼克多项式的二阶像差灵敏度滤波器。换句话说，可以使用所述第一核集合301和所述第二核集合302来分别滤除所述像差灵敏度映射的一阶和二阶分量/成分。
工序P305包括基于所述像差灵敏度映射310来确定与相较于设计布局303的其它部分具有相对高灵敏度的设计布局303相关联的PWLP 315。在实施例中，确定所述PWLP 315包括确定所述像差灵敏度映射310的像素的强度是否超出热点阈值。热点阈值指代相较于与所述像差灵敏度映射相关联的标称强度值范围(例如在所述图像的平均强度值的3个标准差内)可以相对高或相对低的强度值。
随后，响应于所述强度突破所述阈值，识别了所述设计布局303内与突破所述阈值的像素相关联的一个或更多个图案。基于所识别的图案，所述方法将所识别的图案或所识别的图案周围的部位分类为所述PWLP 315。
在实施例中，在不追踪所印制的图案或模拟图案的轮廓，或不计算与所印制的衬底相关联的临界尺寸或边缘放置误差或缺陷数据的情况下，所述PWLP 315基于所述像差灵敏度映射310而被确定。因此，与现有方法相关联的若干计算步骤不由本方法执行。如此，热点确定的计算效率被极大地改善。在现有技术中，正确地计算和识别所述热点所需的轮廓准确性需要大量核，例如多于48个TCC核。另一方面，像差灵敏度映射可以在可以用作性能指示符即指标的显著较少数目个核(例如4个ZCC核)中实现这种热点检测。
此外，本方法包括二阶像差灵敏度分析，所述二阶像差灵敏度分析改善像差校正。换句话说，如果组合了(例如抵消)某些泽尼克效应，则可以基于其它泽尼克来应用适当校正。因此，可以对像差波前执行较准确校正。当用以对热点图案进行成像时，这种经改善的像差波前产生满足设计规格的印制图案，由此减小缺陷出现的机会。
在实施例中，所述方法还包括用于基于所述像差灵敏度映射来确定源参数、掩模参数和/或波前参数317的工序P307。例如，所述工序P307包括：基于无像差空间图像和有像差空间图像来确定泽尼克图像，其中所述有像差空间图像基于一阶、二阶和更高阶(阶＞2)灵敏度映射来确定；经由对所述泽尼克图像的主成分分析，来确定所述泽尼克图像的一个或更多个主成分，主成分是泽尼克多项式与相关联的泽尼克系数的线性组合，其中泽尼克系数的值指示所述泽尼克图像中的由相关联的泽尼克多项式所解释的变化量；基于所述主成分中的至少一个主成分，选择与对于特定泽尼克多项式的相对高灵敏度值相关联的图案；以及经由使用所选择的图案执行源掩模优化或波前优化过程，来确定源参数、掩模参数和/或波前参数，使得改善性能指标。
在实施例中，源掩模优化修改了针对所述设计布局的所选择图案(例如，热点315)的源参数(例如，照射强度、聚焦、形状等)、掩模参数(例如，OPC)、或源参数和掩模参数两者。这种修改导致了所述图案形成设备的像差透镜的改善的成像性能(例如，较少缺陷)。在实施例中，所使用的性能指标可以是与所选择的图案相关联的边缘放置误差或CD的函数。
在实施例中，可以经由与所述图案形成设备的所述投影系统相关联的致动器来修改波前参数。例如，所述波前参数与所述泽尼克多项式的系数相关。在实施例中，波前参数可以是用于图案形成设备中的透镜的反射镜的倾斜、偏移和/或取向。当调整这些波前参数时，产生新波前。在实施例中，确定所述波前参数以最小化所选择的图案的像差灵敏度。一旦确定用于调谐所述图案形成设备的经优化波前，则所述方法还可以涉及经由所述透镜模型将所述波前参数转换为致动器移动、以及基于所述致动器移动来致动所述调谐设备的光学系统。
图6A至图6H、图7和8图示了基于一阶核获得一阶泽尼克图像的主成分的示例。图6A至6H图示了与示例一阶ZCC核相关联的示例一阶图像，所述示例一阶ZCC核与泽尼克多项式Z5至Z36的集合中的泽尼克多项式Z5至Z10以及Z35至Z36相关联。在本示例中，可以使用Z5的一阶核来获得Z5的一阶图像605。类似地，可以分别针对泽尼克多项式Z6至Z36中的每个泽尼克多项式而获得一阶空间图像606、607、608、609、610、……、635和636。在本示例中，所述空间图像(也被称为一阶泽尼克图像)605至636用于所述设计布局的包含两条竖直线的一部分。
图7图示了使用泽尼克图像中的每个泽尼克图像的像素强度而产生的示例图像矩阵700。例如，如所图示的，图像具有N×N个像素，随后针对每个泽尼克多项式所获得的一阶泽尼克图像可以被表示为N2×1矩阵的列。进一步使用泽尼克图像矩阵，可以执行主成分分析。例如，可以如下计算第一主成分：
PC1＝∑iαiZi，使得∑i|αi|2＝1
在上述方程式中，PC1是所述第一主成分，αi是与特定泽尼克多项式i相关联的PCA系数。所述PCA系数指示了由特定泽尼克多项式来解释泽尼克图像矩阵中的变化程度。
图8是示例PCA成分PC1的图形表示，所述PC1指示泽尼克多项式Z7和Z23解释所述泽尼克图像(例如图6A至图6H中的605至636)中的大部分变化。这种PCA是泽尼克多项式和相关联系数的线性组合。因此，在像差灵敏度分析中考虑泽尼克的组合效应。此外，这种PCA可以用以确定热点图案，如相对于示例图9至图11所论述的。
图9至图11图示了基于用于波前优化(例如相位受控优化)的ZCC核根据设计布局获得所选择的图案的示例。例如，如所述方法300中所论述的，ZCC核可以被应用于设计布局900(图9中)以获得所述像差灵敏度映射950(参见图10A)。
在图10A中，所述像差灵敏度映射950示出各种部分(或部位)，其中像素的强度相较于其它部位是实质上更高的。例如，在映射950内标记6个部位1、2、3、4、5和6。在实施例中，可以由像素强度的阈值来选择这些部位。例如，所述图像950中的像素强度值可以从-10至10变化。阈值可以被选择为8和-8。因此，如果像素强度值突破所述像素的阈值，则将像素分类为待针对热点被分析的部位。另外，基于所识别的6个部位，可以选择所述设计布局900中的对应部位。在实施例中，可以围绕所选定的6个部位选择所述设计布局900的片段或一部分。
图10B是示出所述设计布局900的4个选定片段(例如cDL1、cDL2、cDL3和cDL4)和所述像差映射950的对应像差映射片段(例如cASM1、cASM2、cASM3和cASM4)的表。在像差片段cASM1中，部位P1、P2、P3和P4具有实质上高灵敏度值。部位P3和P4可以具有最高灵敏度值，这些部位可以用以识别所述设计布局中的图案。例如，基于部位P3和P4而识别片段cDL1的设计图案CL5和CL9。类似地，基于像差映射片段cASM2、cASM3和cASM4，可以将部位P5至P9识别为相较于其它部位具有实质上更高灵敏度。随后，基于P5至P9的部位，可以分别从设计布局片段cDL2、cDL3和cDL4识别对应设计图案。在实施例中，对应于P1至P9或其子集的所识别的设计图案可以被分类为热点。
另外，对于所识别的热点(例如图10B中的片段cDL1和cDL4中的CL5、CL7和CL9)，可以执行波前优化，使得减小或最小化所识别的设计图案的所述像差灵敏度。在实施例中，可以针对所识别的设计图案执行源和/或掩模优化，使得减小或最小化了所述像差灵敏度。
例如，图11图示了在应用波前优化之后与片段cDL1和cDL4中的所述设计图案对应的示例像差灵敏度片段cASM1'和cASM4'。在实施例中，可以经由对图案化过程进行模拟(例如在图13中)来执行所述波前优化以确定片段cDL1和cDL2的模拟的衬底图案。在模拟期间，可以确定与所述波前相关联的一个或更多个波前参数(例如泽尼克系数)，使得在印制于衬底上之后(例如在抗蚀剂之后或在蚀刻过程之后)例如cDL1和cDL4中的所述设计图案没有变得有缺陷。例如，可以针对所述设计图案cDL1和cDL4使用模拟的衬底图案来最小化性能指标CD/PPE或EPE。
此外，在实施例中，可以对cDL1和cDL4的所模拟的衬底图案执行LMC检查和/或CD分析以确定所述图案是否有缺陷(例如不满足设计规格)。
在本示例中，泽尼克图像用以选择6个热点以供波前优化。在波前优化之后，观测到LMC缺陷的显著减少。此外，识别到2个热点和1个弱点(例如基于所述像差灵敏度值)用于差量CD分析。对于两个热点，应用相位控制优化过程(波前优化过程的示例)导致针对负狭缝部位的显著差量CD改善。此外，也观测到Z8成分在负狭缝部位中的偏移移动。对于所述弱点，在与弱泽尼克图像对准的波前优化之前和之后存在非常小的CD不对称性。因此，实验结果表明了显著改进所述图案化过程，例如减少LMC缺陷。因而，使用本公开的方法所确定的对所述像差灵敏度映射的使用改进了技术的现有状态。
因此，在实施例中，基于所述像差灵敏度映射且在不执行CD/PPE或EPE计算的情况下，可以识别热点图案。因而，在示例中，本公开改善了确定热点的计算时间。较快的计算允许确定全芯片的热点，所述全芯片包括百万或甚至数十亿个图案。现有方法涉及CD/PPE和EPE(例如图12)计算，其需要大量计算工作量和时间(这阻碍了这样的全芯片模拟以确定热点)。图14中论述了获得热点图案的另一示例方法。
图12图示了确定进一步用以确定热点的EPE的现有示例方式。在图12中，从所模拟的图案提取轮廓，在所模拟的图案中针对7个不同的过程窗口条件执行所述模拟。另外，对于每个轮廓，在所述轮廓上的不同部位(被标记为点，也称为评估点)处将EPE计算为在给定轮廓上的所述评估点与所述目标轮廓之间的差(或距离)。
在实施例中，所述方法300可以用于各种应用中。例如，所述方法300还可以包括基于所述像差灵敏度映射310来确定所述图案化过程的参数，使得减小所述PWLP 315的灵敏度。例如，可以调整剂量、聚焦、透镜调谐、和其它过程参数的值。
在实施例中，所述方法300还可以包括：基于所述像差灵敏度映射310的灵敏度值或所述像差灵敏度映射310的性能指示符即指标，对所述设计布局303的一个或更多个图案进行排名，其中与相对高灵敏度值相关的所述一个或更多个图案中的图案相较于其它图案被排名更高；基于所述排名来选择具有相对高排名的一个或更多个图案；以及使用所述像差灵敏度映射310和掩模优化过程来修改所述设计布局303的所选择的图案，使得降低所选择的图案的灵敏度。在实施例中，所述性能指示符即指标可以是如由例如图11中示出的两个栅条图案的泽尼克图像的正值和负值所指示的CD/PPE不对称性。
在实施例中，一种计算机程序产品(例如图15)包括其上记录有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实施本文中所描述的方法的过程中的任一工序。
根据本公开，所披露元件的组合和子组合构成单独的实施例。例如，第一组合可以是基于像差灵敏度确定过程窗口限制图案(PWLP)。另一示例组合可以是确定像差灵敏度映射自身。
图13中图示了用于对图案化过程的部分(例如在光刻设备中的光刻)进行建模和/或模拟的示例性流程图。如将了解的，所述模型可以表示不同图案化过程且不必包括以下所描述的所有模型。源模型1300表示图案形成装置的照射的光学特性(包括辐射强度分布、带宽和/或相位分布)。所述源模型1300可以表示所述照射的光学特性，包括但不限于数值孔径设置、照射标准差(σ)设置以及任何特定照射形状(例如，离轴辐射形状，诸如环形、四极、偶极等)，其中σ(或标准差)是所述照射器的外部径向范围。
投影光学器件模型1310表示所述投影光学器件的光学特性(包括对由所述投影光学器件所引起的所述辐射强度分布和/或所述相位分布的改变)。所述投影光学器件模型1310可以表示所述投影光学器件的光学特性，所述光学特性包括像差、变形、一个或更多个折射率、一个或更多个物理大小、一个或更多个物理尺寸等。
图案形成装置模型模块120捕获设计特征如何被布置于所述图案形成装置的图案中，并且可以包括对所述图案形成装置的详细物理性质的表示，如例如在美国专利号7,587,704中所描述的。所述模拟的目标是准确地预测例如边缘放置和CD，接着可以将它们与器件设计进行比较。所述器件设计通常被定义为预OPC图案形成装置布局，并且将以诸如GDSII或OASIS之类的标准化数字文件格式提供。
设计布局模型1320表示设计布局(例如，与集成电路、存储器、电子器件等的特征对应的器件设计布局)的光学特性(包括对于由给定设计布局所引起的辐射强度分布和/或相位分布的改变)，所述设计布局是所述图案形成装置上的、或由所述图案形成装置所形成的特征的布置的表示。所述设计布局模型1320可以表示实体图案形成装置的一个或更多个物理性质，如(例如)在美国专利号7,587,704中所描述的，所述美国专利以全文引用的方式而被合并入本文中。由于可以改变用于所述光刻投影设备中的所述图案形成装置，因此期望的是将所述图案形成装置的所述光学性质与所述光刻投影设备的至少包括照射件和所述投影光学器件的其余部分的光学性质分离。
可以根据所述源模型1300、所述投影光学器件模型1310和所述设计布局模型1320来模拟空间图像1330。空间图像(AI)是在衬底水平处的辐射强度分布。所述光刻投影设备的光学性质(例如，所述照射件、所述图案形成装置和所述投影光学器件的性质)规定所述空间图像。
所述衬底上的抗蚀剂层由所述空间图像曝光，并且所述空间图像作为其中的潜在“抗蚀剂图像”(RI)而被转印至所述抗蚀剂层。所述抗蚀剂图像(RI)可以被定义为所述抗蚀剂的在所述抗蚀剂层中的溶解度的空间分布。可以使用抗蚀剂模型1340根据所述空间图像1330来模拟抗蚀剂图像1350。可以使用所述抗蚀剂模型以根据所述空间图像来计算所述抗蚀剂图像，可以在美国专利申请公开号US 2009-0157360中找到其示例，所述公开的公开内容由此以全文引用的方式而被合并入本文中。所述抗蚀剂模型通常描述了在抗蚀剂曝光、后曝光焙烤(PEB)和显影期间发生的化学过程的影响，以便预测例如被形成在所述衬底上的抗蚀剂特征的轮廓，并且因此其通常仅与所述抗蚀剂层的这些性质(例如在曝光、后曝光焙烤和显影期间发生的化学过程的影响)相关。在实施例中，所述抗蚀剂层的光学性质(例如折射率、膜厚度、传播和偏振效应)可以作为所述投影光学器件建模1310的部分而被捕获。
因此，通常，所述光学模型与所述抗蚀剂模型之间的连接是所述抗蚀剂层内的模拟空间图像强度，其起因于辐射至所述衬底上的投影、抗蚀剂界面处的折射、和在抗蚀剂膜叠层中的多次反射。所述辐射强度分布(空间图像强度)通过对入射能量的吸收而变为潜在“抗蚀剂图像”，其通过扩散过程和各种负载效应而被被进一步修改。对于全芯片应用足够快的高效模拟方法由2维空间图像(和抗蚀剂图像)来近似在抗蚀剂叠层中的实际3维强度分布。
在实施例中，可以将所述抗蚀剂图像用作后图案转印过程模型模块150的输入。后图案转印过程模型150限定一个或更多个后抗蚀剂显影过程(例如蚀刻、显影等)的性能。
对所述图案化过程的模拟可以例如预测所述抗蚀剂和/或经蚀刻的图像中的轮廓、CD、边缘放置(例如边缘放置误差)等。因而，所述模拟的目标是准确地预测例如所述印制图案的边缘放置，和/或空间图像强度斜率，和/或CD等。可以比较这些值与预期设计以例如校正所述图案化过程、识别出预测何处出现缺陷等。所述预期设计通常被定义为可以诸如以GDSII或OASIS之类的标准化数字文件格式或其它文件格式而提供的预OPC设计布局。
因而，模型公式描述总体过程中的大多数(如果不是全部)已知物理和化学方法，并且所述模型参数中的每个模型参数期望地对应于不同的物理或化学效应。所述模型公式因而设置了关于所述模型可以用以模拟总体制造过程的良好程度的上限。
常常利用基于光学器件的亚分辨率工具(亮场检查)进行例如半导体晶片的检查。然而，在一些情况下，待测量的某些特征过小而不能有效地使用亮场检查来测量。例如，半导体器件的特征中的缺陷的亮场检查可以是具有挑战性的。此外，随着时间推移，使用图案化过程而产生的特征(例如，使用光刻而制成的半导体特征)变得更小，并且在许多情况下，特征的密度也逐渐增加。因此，使用且期望较高分辨率的检查技术。示例检查技术是电子束检查。电子束检查涉及将电子束聚焦于待检查的所述衬底上的较小斑即较小光点上。图像通过以下操作形成：在所检查的所述衬底的区域上提供所述束与所述衬底之间的相对移动(在下文中称为扫描所述电子束)且利用电子检测器收集次级电子和/或背散射电子。接着处理图像数据以(例如)识别缺陷。
因此，在实施例中，所述检查设备可以是产生在所述衬底上被曝光或转印的结构(例如，诸如集成电路之类的器件的一些或全部结构)的图像的电子束检查设备(例如，与扫描电子显微镜(SEM)相同或类似)。
图14示出了根据实施例的确定在光刻过程中的缺陷的存在的方法的流程图。在过程P411中，使用任何适合的方法从图案(例如图案形成装置上的图案)来识别热点或其部位。例如，可以通过使用经验模型或计算模型对图案上的图案进行分析来识别热点。在经验模型中，没有对所述图案的图像(例如抗蚀剂图像、光学图像、蚀刻图像)进行模拟；替代地，所述经验模型基于处理参数、图案的参数与缺陷之间的相关性来预测缺陷或缺陷的概率。例如，经验模型可以是分类模型或有缺陷倾向的图案的数据库。在计算模型中，计算或模拟所述图像的一部分或特性，并且基于所述部分或所述特性来识别缺陷。例如，可以通过寻找太远离其期望的部位的线端来识别线拉回缺陷；可以通过寻找两条线不期望地接合的部位来识别桥接缺陷；可以通过寻找单独层上不期望地叠置或不期望地未叠置的两个特征来识别叠置缺陷。经验模型相比于计算模型通常在计算上较不昂贵。可能基于多个单独热点的热点部位和过程窗口来确定所述热点的过程窗口和/或将热点的过程窗口编译成映射—即，确定根据部位的过程窗口。这种过程窗口映射可以表征所述图案的布局特定灵敏度和处理裕度。在另一示例中，可以诸如通过FEM晶片检查或合适的量测工具以实验方式确定热点、它们的部位、和/或它们的过程窗口。缺陷可以包括在显影后检查(ADI)(通常为光学检查)中无法检测的那些缺陷，诸如，抗蚀剂顶部损失、抗蚀剂底切等。常规检查仅在不可逆地处理(例如，蚀刻)所述衬底之后揭示这些缺陷，这时无法返工所述晶片。因此，在草拟此文档时无法使用当前光学技术来检测这样的抗蚀剂顶部损失缺陷。然而，可以使用模拟来确定可能在何处发生抗蚀剂顶部损失且严重性将会达到何种程度。基于这种信息，可以决定使用较准确检查方法(并且通常更耗时)来检查特定的可能缺陷以确定所述缺陷是否需要返工，或可以决定在进行不可逆处理(例如，蚀刻)之前返工对特定抗蚀剂层的成像(移除具有抗蚀剂顶部损失缺陷的所述抗蚀剂层且重新涂覆所述晶片以重新进行对特定层的成像)。
在过程P412中，确定所述热点受处理(例如成像或蚀刻至衬底上)的处理参数。所述处理参数可以是局部的—取决于所述热点、所述管芯、或所述热点和所述管芯两者的部位。所述处理参数可以是全局的—不取决于所述热点和所述管芯的部位，即与所述热点和所述管芯的部位无关。用以确定所述处理参数的一个示例性方式是确定所述光刻设备的状态。例如，可以从所述光刻设备测量激光带宽、聚焦、剂量、源参数、投影光学器件参数、和这些参数的空间或时间变化。另一示例性方式是从根据对衬底所执行的量测、或根据所述处理设备的操作者而获得的数据来推断所述处理参数。例如，量测可以包括使用衍射工具(例如ASML YieldStar)、电子显微镜、或其它合适的检查工具来检查衬底。可以获得针对经处理的衬底上的任何部位的处理参数，包括所识别的热点。可以将所述处理参数编译成作为部位的函数的映射—光刻参数或过程条件。当然，其它处理参数可以被表示为部位的函数，即映射。在实施例中，可以在处理每个热点之前且优选地紧接在处理每个热点之前确定处理参数。
在过程P413中，使用对所述热点进行处理的处理参数来确定热点处的缺陷的存在、存在概率、特性、或其组合。这种确定可以是仅比较所述处理参数与所述热点的所述过程窗口—如果所述处理参数落在所述过程窗口内，则不存在缺陷；如果所述处理参数落在所述过程窗口外部，则预期将存在至少一个缺陷。也可以使用合适的经验模型(包括统计模型)来进行这种确定。例如，分类模型可以用以提供缺陷的存在概率。用以进行这种确定的另一方式是使用计算模型以依据所述处理参数来模拟所述热点的图像或所述热点的所预期图案化轮廓，并且测量所述图像或轮廓参数。在实施例中，可以在处理图案或衬底之后立即(即，在处理所述图案或下一衬底之前)确定所述处理参数。缺陷的所确定的存在和/或特性可用作用于进行处置(返工或接受)的决策的基础。在实施例中，所述处理参数可以用以计算所述光刻参数的移动平均值。移动平均值对于捕获所述光刻参数的长期漂移是有用的，而不受短期波动的干扰。
在实施例中，基于衬底上的图案的模拟图像来检测热点。一旦完成对所述图案化过程(例如，包括这种OPC和可制造性检查的过程模型)的模拟，则可以根据一个或更多个定义(例如，某些规则、阈值、或指标)来计算在设计中根据过程条件的潜在弱点，即热点。热点可以基于以下各项来确定：绝对CD值、CD随着在所述模拟中变化的参数中的一个或更多个参数而变化的变化率(“CD灵敏度”)、空间图像强度的斜率、或NILS(即“边缘斜率”或“归一化图像对数斜率”，常常缩写为“NILS.”，指示锐度即清晰度的缺失或图像模糊)，其中所述抗蚀剂特征的所述边缘是预期的(根据简单阈值/偏置模型或较完整的抗蚀剂模型来计算)。替代地，可以基于预定规则的集合(诸如用于设计规则检查系统中的那些预定规则)来确定热点，所述预定规则包括但不限于线端拉回、拐角倒圆、与相邻特征的接近度、图案颈缩或箍缩(pinching)、和图案变形的相对于期望图案的其它指标。对掩模CD的较小改变的CD灵敏度是特别重要的光刻参数，被称为掩模误差因子(MEF)或掩模误差增强因子(MEEF)。对MEF随焦距和曝光而变化的计算提供了关于与晶片过程变化进行卷积的掩模过程变化将导致特定图案元素的不可接受的图案劣化的概率的临界度量/指标。也可以基于重叠误差相对于底层或后续过程层的变化以及CD变化，或通过对多曝光过程中的曝光之间的重叠和/或CD的变化的灵敏度来识别热点。
图15是图示可辅助实施本文中所披露的所述方法、流程或设备的计算机系统100的框图。计算机系统100包括用于通信信息的总线102或其他通信机构，和与总线102联接以用于处理信息的处理器104(或多个处理器104和105)。计算机系统100也包括联接至总线102以用于储存待由处理器104执行的信息和指令的主存储器106，诸如随机存取存储器(RAM)或其他动态储存装置。主存储器106也可以用于在待由处理器104执行的指令的执行期间储存暂时性变量或其他中间信息。计算机系统100还包括联接至总线102以用于储存用于处理器104的静态信息和指令的只读存储器(ROM)108或其他静态储存装置。设置诸如磁盘或光盘之类的储存装置110，且将该储存装置联接至总线102以用于储存信息和指令。
计算机系统100可以经由总线102而被联接至用于向计算机使用者显示信息的显示器112，诸如阴极射线管(CRT)或平板显示器或触控面板显示器。包括字母数字键和其他键的输入装置114被联接至总线102以用于将信息和命令选择通信至处理器104。另一类型的使用者输入装置是光标控制器116(诸如鼠标、轨迹球或光标方向键)，用于将方向信息和命令选择通信至处理器104且用于控制显示器112上的光标移动。这种输入装置典型地在两个轴线(第一轴线(例如x)和第二轴线(例如y))上具有两个自由度，这允许所述装置指定平面中的位置。触摸面板(屏)显示器也可以用作输入装置。
根据一个实施例，本文中所描述的一个或更多个方法的部分可以由计算机系统100响应于处理器104执行被包含于主存储器106中的一个或更多个指令的一个或更多个序列而被执行。这样的指令可以被从另一计算机可读介质(诸如储存装置110)读取到主存储器106中。包含在主存储器106中的指令的序列的执行使得处理器104执行本文中所描述的过程步骤。在多处理布置中的一个或更多个处理器也可以被用于执行被包含在主存储器106中的指令的序列。在替代的实施例中，硬接线电路可以用于替代软件指令或与软件指令相结合。因而，本文的描述不限于硬件电路和软件的任何特定的组合。
本文中所使用的术语“计算机可读介质”指代参与向处理器104提供指令以供执行的任何介质。这样的介质可以采用很多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如储存装置110。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器106。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤，包括电线(其包括总线102)。传输介质也可以采用声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间所生成的声波或光波。常见形式的计算机可读介质包括例如软盘、柔性盘、硬盘、磁带、任何其他磁性介质、CD-ROM、DVD、任何其他光学介质、穿孔卡、纸带、具有孔图案的任何其他物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM、任何其他存储器芯片或盒、如下文中所描述的载波、或计算机可以从其进行读取的任何其他介质。
各种形式的计算机可读介质可以涉及将一个或更多个指令的一个或更多个序列携载至处理器104以供执行。例如，所述指令最初可以承载在远程计算机的磁盘上。所述远程计算机可以将指令加载到其动态存储器中，并且使用调制解调器通过电话线发送指令。计算机系统100本地的调制解调器可以在电话线上接收所述数据并且使用红外发射器将所述数据转换成红外信号。联接到总线102的红外检测器可以接收红外信号中所携带的所述数据并且将所述数据放置在总线102上。总线102将数据携载至主存储器106，处理器104从主存储器106检索并且执行所述指令。由主存储器106所接收的指令可以可选地在由处理器104执行之前或之后储存在储存装置110上。
计算机系统100也可以包括被联接到总线102的通信接口118。通信接口118提供联接至网络链路120的双向数据通信，所述网络链路连接到本地网络122。例如，通信接口118可以是用于提供与相对应类型的电话线的数据通信连接的综合业务数字网(ISDN)卡或调制解调器。作为另一示例，通信接口118可以是用于提供与兼容LAN的数据通信连接的局域网(LAN)卡。也可以实施无线链路。在任何这样的实施方式中，通信接口118发送和接收携带表示各种类型的信息的数字数据流的电信号、电磁信号或光学信号。
网络链路120典型地通过一个或更多个网络提供与其他数据装置的数据通信。例如，网络链路120可以通过本地网络122提供与主计算机124的连接、或提供与由因特网服务提供商(ISP)126操作的数据设备的连接。ISP 126继而通过现在通常称为“因特网”128的全球分组数据通信网络来提供数据通信服务。本地网络122和因特网128两者都使用携带数字数据流的电信号、电磁信号或光学信号。通过各种网络的信号和在网络链路120上并且通过通信接口118的信号(其将所述数字数据携载至计算机系统100和从计算机系统100携载所述数字数据)是输送所述信息的载波的示例性形式。
计算机系统100可以通过网络、网络链路120、和通信接口118(从数据库152)发送讯息和接收数据，包括程序代码。在因特网示例中，服务器130可以通过因特网128、ISP126、本地网络122和通信接口118传输用于应用程序的所请求的代码。例如，一个这样的下载的应用可以提供本文中所描述的方法的所有或部分。所接收的代码可以在其被接收时由处理器104执行，和/或储存在储存装置110或其他非易失性储存器中以供稍后执行。以这种方式，计算机系统100可以获取呈载波的形式的应用代码。
参照图16，所述照射器IL接收从所述源收集器模块SO发出的极紫外辐射束。用于产生EUV辐射的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态，其具有在EUV范围内具有一个或更多个发射线的至少一种元素(例如氙、锂或锡)。在通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的一个这种方法中，所述等离子体可以通过利用激光束照射燃料(诸如具有线发射元素的材料的液滴、束流或簇)来产生。所述源收集器模块SO可以是EUV辐射系统的包括用于提供激发所述燃料的激光束的激光器(图16中未示出)的一部分。所得到的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用被设置在所述源收集器模块内的辐射收集器而被收集。所述激光器和所述源收集器模块可以是单独的实体，例如当使用CO2激光器以提供用于燃料激发的激光束时。
在这些情况下，不会认为所述激光器形成所述光刻设备的一部分，并且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统，所述辐射束被从所述激光器传递到所述源收集器模块。在其它情况下，所述源可以是所述源收集器模块的组成部分，例如，当所述源是放电产生等离子体EUV发生器(通常被称为DPP源)时。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以调整所述照射器的光瞳平面中的所述强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为σ-外部和σ-内部)。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，诸如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。所述照射器可以用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到被保持在所述支撑结构(例如，图案形成装置台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且由所述图案形成装置来形成图案即图案化。已经被从所述图案形成装置(例如，掩模)MA反射后，所述辐射束B传递穿过所述投影系统PS，所述投影系统将所述辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。借助于所述第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)，可以准确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径准确地定位所述图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。
所描绘出的设备1000可以用于下列模式中的至少一种：
1.在步进模式中，在将所述支撑结构(例如图案形成装置台)MT和所述衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移位，使得可以对不同目标部分C曝光。
2.在扫描模式中，在对所述支撑结构(例如图案形成装置台)MT和所述衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。所述衬底台WT相对于所述支撑结构(例如图案形成装置台)MT的速度和方向可以由所述投影系统PS的放大(缩小)率和图像反转特性来确定。
3.在另一模式中，将保持可编程图案形成装置的所述支撑结构(例如图案形成装置台)MT保持为基本上静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于运用可编程图案形成装置(诸如，如上所提及类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
图17更详细地示出所述设备1000，包括所述源收集器模块SO、所述照射系统IL以及所述投影系统PS。所述源收集器模块SO被构造和布置成在所述源收集器模块SO的围封结构220中维持真空环境。发射EUV辐射的等离子体210可以由放电产生等离子体源形成。EUV辐射可以由气体或蒸汽产生，例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽，其中产生非常热的等离子体210以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。例如，由引起至少部分地电离的等离子体的放电而产生所述非常热的等离子体210。为了有效产生所述辐射，可能需要为例如分压为10Pa的氙、锂、锡蒸汽或任何其他适当的气体或蒸汽。在实施例中，提供被激发的锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。
由所述热等离子体210所发射的所述辐射经由定位于源腔室211中的开口中或后方的可选的气体阻挡件或污染物截留器230(在一些情况下，也被称作污染物阻挡件或箔片阱)而从源腔室211传递到收集器腔室212中。污染物截留器230可以包括通道结构。污染物截留器230也可以包括气体阻挡件，或气体阻挡件与通道结构的组合。如本领域中已知的，本文中进一步指示的所述污染物截留器或污染物阻挡件230至少包括通道结构。
所述收集器腔室211可以包括可以是所谓的掠入射收集器的辐射收集器CO。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿越收集器CO的辐射可以从光栅光谱滤光器240反射离开，以沿着由点划线‘O’所指示的所述光轴而聚焦在虚源点IF处。所述虚源点IF通常被称作中间焦点，并且所述源收集器模块被布置成使得中间焦点IF位于所述围封结构220中的开口221处或附近。所述虚源点IF是所述辐射发射等离子体210的图像。
随后，所述辐射穿越所述照射系统IL，所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，所述琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24被布置成在所述图案形成装置MA处提供所述辐射束21的期望的角分布，以及在所述图案形成装置MA处提供具有辐射强度的期望的均匀性。在辐射束21在由所述支撑结构MT所保持的所述图案形成装置MA处反射之后，形成图案化的束26，并且由所述投影系统PS将图案化的束26经由反射元件28、30而成像到由所述衬底台WT所保持的衬底W上。
在照射光学器件单元IL和投影系统PS中通常可以存在比示出的元件更多的元件。取决于光刻设备的类型，可以可选地存在所述光栅光谱滤光器240。此外，可以存在比图中所示出的反射镜更多的反射镜，例如在实施投影系统PS中可以存在有与在图17中示出的元件相比1至6个额外的反射元件。
如图17所示的收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。所述掠入射反射器253、254和255被设置成围绕光轴O轴对称的，并且这种类型的收集器光学器件CO可以与经常被称作DPP源的放电产生等离子体源组合使用。
替代地，所述源收集器模块SO可以是如图18所示的LPP辐射系统的一部分。激光器LA被布置成将激光能量沉积到诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)之类的燃料中，从而产生具有几十电子伏特的电子温度的高度电离化的等离子体210。在这些离子的去激发和再结合即复合期间所产生的高能辐射从所述等离子体发射，由近正入射收集器光学器件CO收集，并且被聚焦到所述围封结构220中的开口221上。
可以使用以下方面进一步描述实施例：
1.一种基于与图案形成设备相关联的像差灵敏度来确定过程窗口限制图案(PWLP)的方法，所述方法包括：
获得(i)与所述图案形成设备的像差波前相关联的第一核集合和第二核集合，和(ii)待经由所述图案形成设备而被印制于衬底上的设计布局；
经由使用所述设计布局、所述第一核集合、和所述第二核集合的过程模拟，确定与所述像差波前相关联的像差灵敏度映射，所述像差灵敏度映射指示所述设计布局的一个或更多个部分对于特定像差以及在不同像差之间的交互作用的灵敏程度；以及
基于所述像差灵敏度映射，确定与相较于所述设计布局的其它部分具有相对高灵敏度的所述设计布局相关联的所述PWLP。
2.根据方面1所述的方法，其中所述像差波前由泽尼克多项式集合、贝塞尔函数、正态的完整函数集、或位图图像来表示。
3.根据方面1至2中任一项所述的方法，其中所述像差灵敏度映射是像素化图像，其中像素值指示所述像差灵敏度。
4.根据方面1至3中任一项所述的方法，其中通过与一阶空间图像相关联的第一矢量的特征分解来获得所述第一核集合，所述一阶空间图像包括所述像差波前的线性像差项，其中：
通过源函数、光瞳函数、和一阶像差的卷积来计算所述第一空间图像，所述一阶像差表征线性像差项的效应，
所述源函数是表征所述图案形成设备的照射源的数学表示，以及
所述光瞳函数是表征所述图案形成设备的透镜光瞳的另一数学表示。
5.根据方面1至3中任一项所述的方法，其中通过与第二空间图像相关联的二阶矢量的特征分解来获得所述第二核集合，所述第二空间图像包括所述像差波前的二阶像差项，其中：
通过所述源函数、所述光瞳函数、和二阶像差的卷积来计算所述二阶空间图像，所述二阶像差表征不同像差之间的交互作用的效应，
所述源函数是表征所述图案形成设备的所述照射源的所述数学表示，以及
所述光瞳函数是表征所述图案形成设备的所述透镜光瞳的所述另一数学表示。
6.根据方面2至5中任一项所述的方法，其中所述像差灵敏度映射是所述泽尼克多项式集合和与其相关联的泽尼克系数集合的函数，每个泽尼克系数指示由相关联的泽尼克多项式所解释的像差的量。
7.根据方面1至6中任一项所述的方法，其中所述像差灵敏度映射的确定包括：
通过将所述第一核集合应用于所述设计布局来确定一阶像差灵敏度映射；
通过将所述第二核集合应用于所述设计布局来确定二阶像差灵敏度映射；以及
将所述像差灵敏度映射确定为所述一阶像差灵敏度映射与所述二阶像差灵敏度映射的总和。
8.根据方面中1至7中任一项所述的方法，其中所述第一核集合和所述第二核集合取决于与所述图案形成设备的照射源相关联的参数、所述图案形成设备的透镜光瞳、以及描述与所述图案形成设备相关联的所述像差波前的泽尼克项，但所述第一核集合和所述第二核集合与所述设计布局的形状无关。
9.根据方面1至8中任一项所述的方法，其中所述PWLP的确定包括：
确定所述像差灵敏度映射的像素的强度是否超出热点阈值；
响应于所述强度突破所述阈值，识别所述设计布局内的与突破所述阈值的像素相关联的一个或更多个图案；以及
将所识别的图案或所识别的图案周围的部位分类为所述PWLP。
10.根据方面9所述的方法，其中所述一个或更多个图案中的图案包括多个特征，并且所述图案的一部分是所述多个特征中的特征。
11.根据方面9至10中任一项所述的方法，其中所述一个或更多个图案包括：
直线掩模图案；
线和间隔；
接触孔；和/或
曲线掩模图案。
12.根据方面1至11中任一项所述的方法，其中在不追踪所印制的图案或模拟图案的轮廓、或不计算与所印制的衬底相关联的临界尺寸或边缘放置误差或缺陷数据的情况下，基于所述像差灵敏度映射确定所述PWLP。
13.根据方面1至12中任一项所述的方法，还包括：
基于无像差空间图像和有像差空间图像确定泽尼克图像，其中所述有像差空间图像是基于一阶灵敏度映射、二阶灵敏度映射或更高阶(阶大于2)灵敏度映射来确定的；
经由所述泽尼克图像的主成分分析，确定所述泽尼克图像的一个或更多个主成分，主成分是泽尼克多项式和相关联的泽尼克系数的线性组合，其中泽尼克系数的值指示由相关联的泽尼克多项式所解释的泽尼克图像中的变化量；
基于所述主成分中的至少一个主成分，选择与对于特定泽尼克多项式的相对高灵敏度值相关联的图案；以及
经由使用所选择的图案执行源掩模优化或波前优化过程，确定源参数、掩模参数和/或波前参数，使得改善性能指标。
14.根据方面13所述的方法，其中所述性能指标是与所选择的图案相关联的CD或边缘放置误差的函数。
15.根据方面1至14中任一项所述的方法，其中所述第一核集合是针对所述泽尼克多项式集合中的给定泽尼克的一阶像差灵敏度滤波器。
16.根据方面1至14中任一项所述的方法，其中所述第二核集合是针对所述泽尼克多项式集合中的给定泽尼克的二阶像差灵敏度滤波器。
17.根据方面1至16中任一项所述的方法，其中所述源函数被表示为由所述图案形成设备所使用的照射源的像素化图像。
18.根据方面1至17中任一项所述的方法，其中所述设计布局是以下中的至少一个：
预OPC掩模布局；
后OPC掩模布局；或
掩模图像，所述掩模图像根据所述后OPC掩模布局而产生，其中所述掩模图像表示通过利用所述照射源照射所述后OPC掩模布局而获得的掩模衍射图案。
19.根据方面1至18中任一项所述的方法，还包括：
基于所述像差灵敏度映射确定所述图案化过程的参数，使得所述PWLP的所述灵敏度减小。
20.根据方面1至18中任一项所述的方法，还包括：
基于所述像差灵敏度映射的所述灵敏度值或所述像差灵敏度映射的性能指示符，对所述设计布局的一个或更多个图案进行排名，其中与相对高灵敏度值相关的一个或更多个图案中的图案相较于其它图案排名更高；
基于所述排名选择具有相对高排名的一个或更多个图案；以及
使用所述像差灵敏度映射和掩模优化过程来修改所述设计布局的所选择的图案，使得所选择的图案的所述灵敏度减小。
21.一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括其上记录有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实施以上方面中任一项所述的方法。
本文中所披露的构思可以模拟或以数学方法对用于使亚波长特征成像的任何通用的成像系统进行建模，并且可以尤其与能够产生越来越短的波长的新兴成像技术一起使用。已经处于使用中的新兴技术包括极紫外(EUV)光刻术、能够通过使用ArF激光器来产生193nm波长并且甚至能够通过使用氟激光器来产生157nm波长的深紫外(DUV)光刻术。此外，EUV光刻术能够通过使用同步加速器或通过利用高能电子来撞击材料(固体或等离子体)产生5nm至20nm范围内的波长，以便产生此范围内的光子。
虽然本文中所披露的构思可以用于在衬底(诸如硅晶片)上成像，但是应当理解，所披露的构思可以与任何类型的光刻成像系统一起使用，例如用于在除了硅晶片之外的衬底上成像的光刻成像系统。
上文描述旨在是例示性的而不是限制性的。因此，本领域的技术人员将明白，在不背离下面阐述的权利要求书的范围的情况下，可以如所描述进行修改。

Claims (15)

1.一种基于与图案形成设备相关联的像差灵敏度来确定过程窗口限制图案(PWLP)的方法，所述方法包括：
获得(i)与所述图案形成设备的像差波前相关联的第一核集合和第二核集合，和(ii)待经由所述图案形成设备而被印制于衬底上的设计布局；
经由使用所述设计布局、所述第一核集合、和所述第二核集合的过程模拟，确定与所述像差波前相关联的像差灵敏度映射，所述像差灵敏度映射指示所述设计布局的一个或更多个部分对于特定像差以及在不同像差之间的交互作用的灵敏程度；以及
基于所述像差灵敏度映射，确定与相较于所述设计布局的其它部分具有相对高灵敏度的所述设计布局相关联的所述PWLP。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述像差波前由泽尼克多项式集合、贝塞尔函数、正态的完整函数集、或位图图像来表示。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述像差灵敏度映射是像素化图像，其中像素值指示所述像差灵敏度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中通过与一阶空间图像相关联的第一矢量的特征分解来获得所述第一核集合，所述一阶空间图像包括所述像差波前的线性像差项，其中：
通过源函数、光瞳函数、和一阶像差的卷积来计算所述第一空间图像，所述一阶像差表征线性像差项的效应，
所述源函数是表征所述图案形成设备的照射源的数学表示，以及
所述光瞳函数是表征所述图案形成设备的透镜光瞳的另一数学表示。
5.根据权利要求1所述的方法，其中通过与第二空间图像相关联的二阶矢量的特征分解来获得所述第二核集合，所述第二空间图像包括所述像差波前的二阶像差项，其中：
通过所述源函数、所述光瞳函数、和二阶像差的卷积来计算所述二阶空间图像，所述二阶像差表征不同像差之间的交互作用的效应，
所述源函数是表征所述图案形成设备的所述照射源的所述数学表示，以及
所述光瞳函数是表征所述图案形成设备的所述透镜光瞳的所述另一数学表示。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述像差灵敏度映射是所述泽尼克多项式集合和与其相关联的泽尼克系数集合的函数，每个泽尼克系数指示由相关联的泽尼克多项式所解释的像差的量。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述像差灵敏度映射的确定包括：
通过将所述第一核集合应用于所述设计布局来确定一阶像差灵敏度映射；
通过将所述第二核集合应用于所述设计布局来确定二阶像差灵敏度映射；以及
将所述像差灵敏度映射确定为所述一阶像差灵敏度映射与所述二阶像差灵敏度映射的总和。
8.根据权利要求中1所述的方法，其中所述第一核集合和所述第二核集合取决于与所述图案形成设备的照射源相关联的参数、所述图案形成设备的透镜光瞳、以及描述与所述图案形成设备相关联的所述像差波前的泽尼克项，但所述第一核集合和所述第二核集合与所述设计布局的形状无关。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述PWLP的确定包括：
确定所述像差灵敏度映射的像素的强度是否超出热点阈值；
响应于所述强度突破所述阈值，识别所述设计布局内的与突破所述阈值的像素相关联的一个或更多个图案；以及
将所识别的图案或所识别的图案周围的部位分类为所述PWLP。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述一个或更多个图案中的图案包括多个特征，并且所述图案的一部分是所述多个特征中的特征；以及
其中所述一个或更多个图案包括：
直线掩模图案；
线和间隔；
接触孔；和/或
曲线掩模图案。
11.根据权利要求1所述的方法，其中在不追踪所印制的图案或模拟图案的轮廓、或不计算与所印制的衬底相关联的临界尺寸或边缘放置误差或缺陷数据的情况下，基于所述像差灵敏度映射确定所述PWLP。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括：
基于无像差空间图像和有像差空间图像确定泽尼克图像，其中所述有像差空间图像是基于一阶灵敏度映射、二阶灵敏度映射或更高阶(阶大于2)灵敏度映射来确定的；
经由所述泽尼克图像的主成分分析，确定所述泽尼克图像的一个或更多个主成分，主成分是泽尼克多项式和相关联的泽尼克系数的线性组合，其中泽尼克系数的值指示由相关联的泽尼克多项式所解释的泽尼克图像中的变化量；
基于所述主成分中的至少一个主成分，选择与对于特定泽尼克多项式的相对高灵敏度值相关联的图案；以及
经由使用所选择的图案执行源掩模优化或波前优化过程，确定源参数、掩模参数和/或波前参数，使得改善性能指标。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述性能指标是与所选择的图案相关联的CD或边缘放置误差的函数。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一核集合是针对所述泽尼克多项式集合中的给定泽尼克的一阶像差灵敏度滤波器。
15.一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括其上记录有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实施权利要求1所述的方法。
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