TWI699615B - 用於識別塑形特徵之方法及電腦程式產品 - Google Patents
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Abstract
本發明揭示一種方法,其包括:自一組塑形特徵選擇一塑形特徵,該組塑形特徵之每一塑形特徵在該塑形特徵之形狀之一周邊上具有一組點;產生用於該經選擇塑形特徵之複數個形狀內容脈絡描述符,其中每一形狀內容脈絡描述符提供該組點之一第一焦點相對於該組點之一第二點在一形狀內容脈絡描述符構架中的一部位之一指示;及基於來自該複數個形狀內容脈絡描述符之資料自該組塑形特徵識別具有與該經選擇塑形特徵相同或相似的一形狀之一塑形特徵。
Description
本文中之揭示內容大體而言係關於諸如藉由製造流程使用或產生之物件的物件之影像處理。
微影裝置為將所要圖案施加至基板之目標部分上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下,被替代地稱作光罩或倍縮光罩之圖案化器件可用以產生對應於IC之個別層之圖案,且可將此圖案成像至基板(例如矽晶圓)上之具有輻射敏感材料(抗蝕劑,諸如光阻)層之目標部分(例如包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言,單一基板將含有經順次地曝光之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括:所謂的步進器,其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分;及所謂的掃描器,其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
在將圖案自圖案化器件轉印至基板之前,基板可經歷各種工序,諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後,基板可經受其他工序,諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤,及經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列係用作製造一器件(例如IC)之個別層的基礎。基板接著可經歷各種製
程,諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學-機械拋光等,該等製程皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層,則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終,在基板上之每一目標部分中將存在一器件。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術來使此等器件彼此分離,據此,可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘,等。雖然術語基板涵蓋底層基底(例如矽),但在適用時其亦可涵蓋上覆該基底之一或多個層。因此,將圖案轉印至基板中或基板上可包括將圖案轉印至基板上之一或多個層上。
因此,製造諸如半導體器件之器件通常涉及使用數個製造製程來處理基板(例如半導體晶圓)以形成該等器件之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此等層及特徵。可在一基板上之複數個晶粒上製造多個器件,且接著將該等器件分離成個別器件。此器件製造製程可被認為是圖案化製程。圖案化製程涉及使用微影裝置中之圖案化器件進行圖案化步驟,諸如光學及/或奈米壓印微影,以將圖案化器件上之圖案轉印至基板,且圖案化製程通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟,諸如藉由顯影裝置進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻裝置而使用圖案進行蝕刻等。
使用圖案化製程進行之器件(諸如半導體器件)之製造包括將圖案轉印至基板以便產生該等器件之元件。圖案至基板之高效及有效轉印會引起具有可再現效能特性之器件。
為了實現使用圖案化製程之此製造,通常產生圖案化器件之數位佈局檔案(諸如GDS檔案、GDSII檔案、OASIS檔案或用於輸送關於器件元件佈局之資訊以用於圖案轉印的另一格式)且接著使用其以基於儲存於該
數位佈局檔案中的資料來產生或控制圖案化器件。接著將圖案化器件之圖案轉印至基板。通常在產生圖案化器件之後及/或在將圖案化器件之圖案轉印至基板之後執行檢測。檢測可包括缺陷檢測及/或圖案品質檢測。檢測可揭露缺陷或不良圖案品質,其可導致圖案化器件修復、替換等且在圖案化製程中進行補救步驟(例如製程控制、基板重工,防止基板被進一步處理、圖案化器件圖案改變等)。檢測可在蝕刻之後進行,而作為圖案化製程之部分。
因此,為了實現設計、控制、修改等圖案化製程之態樣,需要能夠依據形狀來識別用於圖案化製程中之圖案之特徵(例如結構),而不論該圖案是處於數位佈局檔案中、體現於圖案化器件處及/或被轉印至基板。另外,需要能夠依據形狀找到圖案中之相同或相似的特徵。識別特徵及/或發現相同或相似特徵可基於在諸如上文所描述之檢測中捕捉之一或多個影像來進行。
舉例而言,根據形狀對產生於基板上之特徵之識別及/或根據形狀發現產生於基板上之相同或相似特徵可輔助判定該等特徵是否具有與所要器件結構一致或與其他相似特徵一致的預期外觀。若預期外觀與設計意圖一致或與設計意圖不一致,則可採取適當動作(例如改變圖案化製程、變更圖案化製程之態樣之設計、識別及校正製程移位等)。
相似地,根據形狀對數位佈局檔案或圖案化器件中之特徵之識別及/或發現數位佈局檔案或圖案化器件中之相同或相似特徵可輔助判定該等特徵是否具有與設計意圖一致之預期外觀。若預期外觀與設計意圖一致或不與設計意圖一致,則可採取適當動作(例如判定在將圖案化器件用於製造製程中之前,圖案化器件上之圖案是否可經修改以在基板上產生改良之圖
案、判定由於圖案降級或污染而是否應替換、修復等圖案化器件,等)。
因此,本文中描述用以使能夠依據形狀識別特徵及/或根據形狀發現相同或相似特徵之各種特定技術。
在一實施例中,提供一種方法,其包含:自一組塑形特徵選擇一塑形特徵,該組塑形特徵之每一塑形特徵在該塑形特徵之形狀之一周邊上具有一組點;藉由一硬體電腦產生用於該經選擇塑形特徵之複數個形狀內容脈絡描述符,其中每一形狀內容脈絡描述符提供該組點之一第一焦點相對於該組點之一第二點在一形狀內容脈絡描述符構架中的一部位之一指示;及藉由該硬體電腦基於來自該複數個形狀內容脈絡描述符之資料自該組塑形特徵識別具有與該經選擇塑形特徵相同或相似的一形狀之一塑形特徵。
在一實施例中,提供一種電腦程式產品,其包含其上經記錄有指令之一電腦可讀媒體,該等指令在藉由一電腦執行時實施如本文中所描述之一方法。
在參考隨附圖式考慮以下描述及所附申請專利範圍時,此等及其他特徵,以及結構之相關元件以及製造部件及經濟之組合的操作方法及功能將變得較顯而易見,所有該等圖式形成本說明書之一部分。然而,應明確地理解,圖式係僅出於說明及描述之目的,且並不意欲作為本發明之限制的定義。
1:特徵
2:特徵
3:特徵
100:構築體
102:形狀
104:形狀內容脈絡描述符構架
106:片段
108:徑向片段分隔物
110:環形片段分隔物
112:形狀內容脈絡描述符構架(SCDF)原點
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500:構築體
502:形狀內容脈絡描述符構架
504:相對簡單形狀
506:形狀內容脈絡描述符構架(SCDF)原點
508:焦點
600:表格表示/表
710:多維空間
720:叢集
730:叢集
740:叢集
800:形狀體矩陣
802:形狀體
804:形狀體
806:形狀體
808:形狀體
810:頻帶
812:頻帶
814:頻帶
816:雜湊結果
818:桶
820:桶
822:桶
824:記錄
826:形狀體解集合/結果
900:方法
902:操作
904:操作
906:操作
908:操作
910:操作
1700:電腦系統
1702:匯流排
1704:處理器
1705:處理器
1706:主記憶體
1708:唯讀記憶體ROM
1710:儲存器件
1712:顯示器
1714:輸入器件
1716:游標控制件
1718:通信介面
1720:網路鏈路
1722:區域網路
1724:主機電腦
1726:網際網路服務提供者ISP
1728:網際網路
1730:伺服器
AD:調整器
AS:對準感測器
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
BK:烘烤板
C:目標部分
CH:冷卻板
CO:聚光器
DE:顯影器
I/O1:輸入/輸出埠
I/O2:輸入/輸出埠
IF:位置感測器
IL:照明光學系統/照明器
IN:積光器
LA:微影裝置
LACU:微影控制單元
LB:裝載匣
LC:微影製造單元
LS:位階感測器
M1:圖案化器件對準標記
M2:圖案化器件對準標記
MA:圖案化器件
MT:圖案化器件支撐件或支撐結構
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位器
PS:投影光學系統
PW:第二定位器
RO:基板處置器或機器人
SC:旋塗器
SCS:監督控制系統
SO:輻射源
TCU:塗佈顯影系統控制單元
W:基板
WTa:基板台
WTb:基板台
作為實例而非作為限制,在隨附圖式之諸圖中說明實施例,且在該等圖式中,類似元件符號係指相似元件。
圖1描繪微影裝置之實施例的示意圖。
圖2描繪微影製造單元之實施例的示意圖。
圖3描繪根據一實施例的用以產生形狀內容脈絡描述符以用於形狀識別及/或比較的構築體。
圖4描繪根據一實施例的用以產生形狀內容脈絡描述符以用於形狀識別及/或比較的構築體。
圖5描繪根據一實施例的用以產生形狀內容脈絡描述符以用於形狀識別及/或比較的構築體。
圖6描繪根據一實施例之形狀內容脈絡描述符向量。
圖7描繪根據一實施例的在多維空間之內容背景中的形狀內容脈絡描述符向量。
圖8描繪根據一實施例的表示複數個形狀內容脈絡描述符向量之多維空間。
圖9A、圖9B及圖9C描繪以直方圖形式表示之實例特徵形狀及關聯形狀體(shapeme)描述。
圖10描繪根據一實施例的使用形狀體之局部性敏感雜湊之示意性矩陣。
圖11描繪根據一實施例的用於使用形狀體之局部性敏感雜湊之實例流程圖。
圖12描繪實例電腦系統之方塊圖。
圖1示意性地描繪可與其相關聯地利用本文中所描述之技術的微影裝置LA。該裝置包括:照明光學系統(照明器)IL,其經組態以調節輻射光束B(例如紫外線(UV)、深紫外線(DUV)或極紫外線(EUV)輻射)、圖案化器件支撐件或支撐結構(例如光罩台)MT,其經建構以支撐圖案化器件(例
如光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM;一或多個基板台(例如晶圓台)WTa、WTb,其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW;及投影光學系統(例如折射、反射、反射或反射折射光學系統)PS,其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包括一或多個晶粒)上。
照明光學系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件,諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。在此特定狀況下,照明系統亦包含輻射源SO。
圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如,圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台,其可根據需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意,舉例而言,若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵,則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常,被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可
程式化鏡面陣列,及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的,且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型,以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置,該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜,以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。作為另一實例,圖案化器件包含LCD矩陣。
如此處所描繪,裝置屬於透射類型(例如使用透射圖案化器件)。然而,裝置可屬於反射類型(例如使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列,或使用反射光罩(例如用於EUV系統))。
微影裝置亦可屬於以下類型:其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋,以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間,例如光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中,而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1,照明器IL自輻射源SO(例如水銀燈或準分子雷射、雷射產生電漿(LPP)EUV源)接收輻射光束。舉例而言,當源為準分子雷射時,源及微影裝置可為單獨實體。在此類狀況下,不認為源形成微影裝置之部分,且輻射光束係憑藉包括例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下,舉例而言,當源為水銀燈時,源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之空間及/或角度強度分佈之調整
器AD。通常,可調節照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外,照明器IL可包括各種其他組件,諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束,以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如光罩台)MT上之圖案化器件(例如光罩)MA上,且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如光罩)MA的情況下,輻射光束B傳遞通過投影光學系統PS,該投影光學系統將光束聚焦至基板W之目標部分C上,藉此將圖案之影像投影於目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如干涉器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器),可準確地移動基板台WT,例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地,第一定位器PM及另一位置感測器(其並未在圖1中明確地描繪)可用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如光罩)MA。
可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分,但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地,在多於一個晶粒被提供於圖案化器件(例如光罩)MA上之情形中,圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記物亦可包括於器件特徵當中之晶粒內,在此狀況下,需要使標記物儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或製程條件。下文進一步描述偵測對準標記物之對準系統。
此實例中之微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型,其具有兩個基板
台WTa、WTb及兩個站-曝光站及量測站-在該兩個站之間可交換基板台。在曝光站處曝光一個台上之一基板的同時,可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制,使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記物之位置,執行任何其他類型之度量衡或檢測等。此情形實現裝置之產出率之相當大增加。更一般而言,微影裝置可屬於具有兩個或多於兩個台(例如兩個或多於兩個基板台、基板台及測量台、兩個或多於兩個圖案化器件台等)之類型。在此等「多載物台」器件中,可並行地使用複數多個台,或可在一或多個台上進行預備步驟,同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言,全文以引用方式併入本文中之美國專利第5,969,441號中描述雙載物台微影裝置。
雖然位階感測器LS及對準感測器AS展示為鄰近基板台WTb,但應瞭解,另外或替代地,位階感測器LS及對準感測器AS可被提供為鄰近於投影系統PS以相對於基板台WTa進行量測。
所描繪裝置可用於多種模式中,包括例如步進模式或掃描模式。微影裝置之構造及操作為熟習此項技術者所熟知,且為理解實施例,無需對其進行進一步描述。
如圖2中所展示,微影裝置LA形成微影系統之部分,微影系統被稱作微影製造單元(lithographic cell或lithocell)LC或叢集。微影製造單元LC亦可包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程之裝置。通常,此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同製程裝置之間移動基板,且接著將基板遞送
至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下,塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制,監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此,不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
圖案化器件將體現或產生具有用以在基板(諸如基板W)上產生圖案之眾多個別特徵的圖案。在一實施例中,轉印至基板之圖案在例如蝕刻及/或沈積之後用以產生器件之元件。圖案之個別特徵通常對應於例如積體電路之元件:一些特徵對應於閘極結構、一些特徵對應於接點,等。如應瞭解,彼等特徵(例如圖案化器件圖案之特徵、形成於基板上之圖案之特徵等)中之每一者將通常具有一形狀。
如上文所提及,可有用的是識別圖案中之具有某些形狀之特徵。此圖案可為屬於或用於圖案化器件之圖案、可為使用圖案化器件而產生於基板上之圖案,等。
識別具有相同或相似形狀(諸如基板之一或多個掃描電子顯微鏡影像中之形狀)之特徵之一種方法為直接疊對影像以便查看形狀上之點是否處於相同或相似部位。然而,舉例而言,當經疊對影像中之形狀處於不同定向時,影像之直接疊對未能識別相同形狀。相似地,當形狀具有不同大小時使用直接疊對並不會將具有不同大小之相同形狀識別為相同形狀,除非該等形狀中之一者相對於另一形狀而按比例調整或正規化。另外,直接疊對可不適合於識別形狀上相似但不相同的形狀。
此外,影像可用以評估例如圖案化器件圖案至基板之轉印。但用於例如典型半導體器件之圖案中之大量形狀可使得尋找所關注特徵以供檢測
係困難的。取決於大量特徵及一些特徵彼此之近接性,尋找影像中具有某一形狀之特徵或特徵之組合可為耗時的。因此,將需要具有知曉特定塑形特徵或塑形特徵之組合之部位以便例如降低尋找具有相同或相似形狀之特徵所需的時間之改良之方式。雖然可得到特徵之部位之索引,但該索引可並不提供知曉特徵之形狀或尋找具有相同或相似形狀之特徵之有效方式。因此,需要使能夠識別具有相同或相似形狀之特徵的改良之特徵識別及/或比較方法。此改良之特徵識別及/或比較方法之結果可出於各種目的而使用,諸如圖案化製程之設計、控制等、減少檢查之量及/或時間,等。
因此,在一實施例中,需要具有特徵識別及/或比較之改良之方法。此改良之方法認識到,相同或相似特徵具有大體上相同或相似輪廓或周邊,及沿著周邊之點之大體上相似部位。此可為是否已旋轉、按比例調整、平移形狀等。在一實施例中,沿著形狀周邊之點可包括形狀周邊之邊緣與之相交之頂點及沿著邊緣遠離形狀周邊之頂點的點。
在一實施例中,形狀識別涉及將特徵之形狀分析或提取為表示該特徵之周邊或輪廓的描述符。在一實施例中,形狀相似度識別或形狀比較涉及使用描述符來分析或提取複數個特徵之形狀之操作,以判定特徵之參考或目標形狀與比較形狀是否相似或相同。
在一實施例中,提供用以識別影像中之特徵之形狀的技術,其在本文中將被稱作形狀識別。舉例而言,雖然影像可描繪特徵之形狀,但對影像之純粹描繪並不使吾人能夠在影像中定位彼形狀之另一例項或識別出相似形狀。因此,舉例而言,識別出特徵之形狀可實現該特徵在影像之任何其他部分中或完全在另一影像中之定位。另外或替代地,識別出形狀可使能夠判定另一特徵之形狀是否相同或相似(如本文中進一步描述)且因此實
現此另一特徵之定位。此將被稱作形狀搜尋。
在一實施例中,提供用以識別具有相同或相似形狀之特徵之技術,其在本文中將被稱作形狀比較。舉例而言,使用複數個特徵之形狀之識別,可判定該複數個特徵之一或多個特徵是否具有與一或多個其他特徵相同或相似的形狀。此可用以例如將圖案中之如具有相同或相似形狀且可接著用於缺陷預測分析之特徵分組(此係由於例如相同或相似形狀被預期為待以相似方式處理且因此相對而言同樣很可能有缺陷或沒有缺陷)、用於加速檢測(例如藉由輔助檢測技術以檢測具有相同或相似形狀之特徵之彼等部位(若彼形狀受關注或很可能有缺陷))等。
因此,存在此等識別及/或比較技術之結果的眾多應用。舉例而言,在給出一組經量測影像的情況下,具有特定形狀之特徵可位於彼資料中,且來自彼等特徵部位之量測結果可用於針對特定特徵形狀之圖案化製程分析(諸如製程窗分析)中。經定位之特定特徵可為具有經由形狀識別製程而判定之專用的特定形狀之特徵,或可為使用形狀比較製程之結果而判定的在形狀上相同或相似之特徵。作為另一實例,用於任何圖案化製程分析中之該組量測部位影響經導出結果(例如數學模型)之品質及有效性。若僅量測或使用或過多地量測或使用圖案之非關鍵性或冗餘態樣,則結果可過於樂觀(例如過於樂觀的製程窗),從而導致可能發生故障器件。相似地,量測或使用來自提供關於製程窗之基本上相同資訊的部位之資料可為浪費的且低效的。但量測或使用來自完整圖案之資料經常可花費過長時間而並不實務的。因此,本文中之形狀識別及/或形狀比較製程之結果可導引資料之選擇及/或量測以供圖案化製程分析。作為另一實例,雖然數位佈局檔案提供關於圖案之特徵之形狀的資訊,但其可能不提供用以識別具有相同
或相似形狀之特徵之機制,亦不提供用以定位特定形狀之機制。舉例而言,數位佈局檔案並不提供特徵之完整形狀之任何識別符使得可定位特定形狀,更不必說提供識別哪些特徵具有相似形狀之任何資訊。因此,其無法區分哪些設計特徵(例如剪輯)相似或不同。因此,本文中之形狀識別及/或形狀比較製程之結果可用作用以搜尋、分段等數位佈局檔案中之資料以查找特定相同或相似形狀之方式。
作為另一實例,經量測(例如SEM)資料可難以再用於未來未見過的圖案,此係由於資料是否相關(例如含有關於特定形狀之資料或含有關於與特定形狀相同或相似的形狀之資料)可並非已知的。因此,本文中之形狀識別及/或比較製程可使能夠自動判定相關資料(例如SEM資料)。結果,存檔SEM資料可用以對於未來圖案佈局作出預測,而未必量測圖案佈局。
作為另一實例,在使用形狀識別製程及/或形狀比較製程之實施例中,可針對影像自動地導出形狀類型之基礎分佈。在一實施例中,可接著根據形狀基於該等形狀之設計特徵而針對完整圖案設計具代表性的程度來對該等形狀進行順位。在給出有限數目個量測資料(例如SEM量測資料)的情況下,可接著最佳化量測部位(供量測或應使用來自該等量測部位之資料)以儘可能多地覆蓋「形狀空間」。接著,在給出一組此等量測部位的情況下,可導出例如代表性製程窗。
在另一實例中,可使用形狀識別製程及/或形狀比較製程之結果藉由形狀之類型來標註圖案中之特徵。此可允許例如判定哪些形狀經常彼此接近,哪些輔助特徵經常接近於哪些光學近接校正之特徵,及/或哪些形狀經常印刷於彼此上方(例如針對多重圖案化及/或針對多個實體層)。此資訊
可接著用於圖案化製程設計、控制等。
在一實施例中,形狀識別製程及/或形狀比較製程可用以組織影像。若相異形狀類型在製程窗之內容背景中相關,則有用的是貫穿一影像或複數個影像(例如影像之存檔)尋找此等形狀類型位於何處。因此,在一實施例中,本文中之形狀識別製程及/或形狀比較製程可用以將一或多個影像分段以提取形狀物件。以相同方式,吾人可接著在此等經提取形狀物件上建置搜尋引擎。因此,在一實施例中,提供用以尋找及定位具有特定形狀之特徵及/或定位具有相同或相似形狀之特徵之搜尋引擎。此途徑之益處為:其可處理大資料量(例如圖案可容易具有數百萬或數十億個形狀,且影像資料存檔亦可在此等數量級下生長),同時仍導致相對快速查詢時間。
另外,在一實施例中,可在不同資料集之間交叉識別特徵。舉例而言,可將針對圖案化器件圖案佈局而識別之特徵(例如描述圖案化器件圖案佈局之數位佈局檔案、體現圖案化器件圖案佈局之經製造圖案化器件等)與在使用該圖案化器件圖案佈局而產生於基板上之形狀方面之相同或相似特徵一起交叉識別。作為另一實例,可將針對用於圖案化器件之數位佈局檔案而識別之特徵與在體現由該數位佈局檔案所描述之圖案的經製造圖案化器件之形狀方面之相同或相似特徵一起交叉識別。因此,若例如形狀「語言」(例如如本文中進一步描述之形狀內容脈絡描述符構架之選擇、如本文中進一步描述之形狀體判定之選擇等)相同或極相似,則吾人可橫越不同類型之圖案資料進行查詢。舉例而言,在給出SEM影像形狀的情況下可識別數位佈局檔案中之形狀,且反之亦然。因此,舉例而言,數位佈局檔案及SEM影像可不僅基於座標而且基於內容(即相同或相似形狀)
而鏈接。
又,在一實施例中,由於針對經圖案化基板(且視情況針對特定應用之處理步驟)可提供一組後設資料,故亦可藉由此資訊豐富查詢。因此,舉例而言,可進行可能查詢,諸如:「位於基板之邊緣上的在其上方之層上具有W型形狀的所有G型形狀」。
藉由彼內容背景,在下文中進一步詳細地描述改良之形狀識別製程及/或形狀比較製程之實施例。
現在,應注意,本文中之描述將集中於識別影像中之特徵之形狀。舉例而言,影像可關於基板、圖案化器件等。影像可屬於不同類型。實例影像可為掃描電子顯微鏡影像。取決於影像之類型,可需要處理影像資料以使用適用影像處理技術自影像提取特徵(物件)。
但本文中之技術可適用於關於一特徵之其他資料,該特徵具有關於該特徵之形狀之資訊。作為一實例,數位佈局檔案可具有關於圖案特徵之形狀之資訊,且因此本文中之技術亦可適用於彼資料。在一實施例中,為此可將數位佈局檔案變換成x-y座標系中之多邊形。
另外,雖然本文中之特徵在器件圖案之內容背景中加以描述(無論是供圖案化器件使用或體現於圖案化器件中、無論是否藉由圖案化器件產生於基板上等),但該等特徵可作為影像中之任何塑形物件或在描述物件之形狀之資訊中予以表示。
在一實施例中,形狀識別包括使用形狀內容脈絡描述符構架(SCDF)來將形狀分段以便產生形狀內容脈絡描述符。在一實施例中,形狀內容脈絡描述符對應於形狀周邊上之屬於形狀內容脈絡描述符構架之片段的點之
部位。因此,在一實施例中,每一形狀內容脈絡描述符描述針對一特定點,該點屬於哪一片段。可進行屬於形狀內容脈絡描述符構架(SCDF)之每一片段的點之數目之計數,且針對所有片段之計數之集合可給出形狀之表示。
圖3描繪根據一實施例的用以產生用於形狀之形狀內容脈絡描述符(SCD)之構築體100。構築體100包括形狀內容脈絡描述符構架104。在一實施例中,形狀內容脈絡描述符構架104包含複數個片段106。在此實施例中,片段106係由徑向片段分隔物108及環形片段分隔物110界定。在此狀況下,形狀內容脈絡描述符構架104為具有80個片段的極座標柵格,該80個片段係由十六個(16個)徑向片段分隔物108及五個(5個)環形片段分隔物110分離。因此,在此狀況下存在80個片段。在一實施例中,可由使用者界定徑向片段分隔物108之間的角度。在一實施例中,可由使用者界定環形片段分隔物110之間的距離。在一實施例中,形狀內容脈絡描述符構架104之最大半徑(亦即最外環形片段分隔物110)可由使用者界定。在一實施例中,形狀內容脈絡描述符構架中之分隔部之數目(例如沿著笛卡爾柵格之x軸及/或y軸,或針對極座標柵格之r及/或θ)不同,從而調整形狀識別及/或形狀比較之敏感度。在一實施例中,軸線之尺度為線性尺度。在一實施例中,軸線之尺度係對數的。另外,在此實施例中,以圖形方式描繪形狀內容脈絡描述符構架104以實現較佳理解,但如應瞭解,無需以圖形方式表示構架且構架可僅僅被視為資料分段之方式。
雖然可依據諸如圖3中所展示之極座標來界定形狀內容脈絡描述符構架,但形狀內容脈絡描述符構架可為另一類型之座標系,諸如笛卡爾座標系。另外,形狀內容脈絡描述符構架可為二維的(如圖3中所展示)或三維
的。形狀內容脈絡描述符構架104具有SCDF原點112。
圖3進一步展示形狀102以供相對於形狀內容脈絡描述符構架104進行分析。形狀102具有位於形狀內容脈絡描述符構架104之不同片段106中的複數個點114。
因此,為了產生形狀內容脈絡描述符,使形狀內容脈絡描述符構架之原點112位於形狀102之周邊上之焦點116處。焦點116為形狀上之一點,相對於該點判定複數個形狀內容脈絡描述符,如下文進一步描述。在此狀況下,焦點116位於形狀102之頂點處,但且可替代地沿著邊緣而定位。
可接著針對形狀之周邊上相對於焦點116(及(因此)當位於焦點112處時之原點)之另一點界定形狀內容脈絡描述符,作為描述彼另一點在形狀內容脈絡描述符構架104內之部位(例如在片段106中)的資訊。在一實施例中,用於特定點之形狀內容脈絡描述符為在焦點116處相對於原點112界定之半徑及角度的組合。在一實施例中,半徑可為半徑之對數。在一實施例中,角度為角度範圍。因此,在一實施例中,半徑及角度範圍可界定特定片段106。
作為一實例,形狀內容脈絡描述符可界定於點118與焦點116之間,且可為描述點118之部位(且因此在一實施例中,描述點118位於之片段106)的向量120。形狀之周邊上之點的另一實例為點122,且可界定描述點122之部位之向量124。
可接著針對形狀周邊上及周圍之複數個點相對於焦點116來界定形狀內容脈絡描述符。在一實施例中,複數個點包括形狀之所有頂點之子集。在一實施例中,複數個點包括形狀之所有頂點及形狀上之一或多個其他
點。在一實施例中,複數個點僅包括形狀之頂點。在一實施例中,對於形狀102,複數個點包括圖3中所展示之所有周邊點。在一實施例中,複數個點為為界定形狀的以數位佈局檔案表示之點。在一實施例中,複數個點可由使用者界定(且若彼數目小於形狀之可用點,則可存在形狀之過度取樣)。點之數目可為10個或多於10個點、15個或多於15個點、20個或多於20個點、50個或多於50個點、100個或多於100個點、500個或多於500個點、1000個或多於1000個點、5000個或多於5000個點,或10,000個或多於10,000個點。所使用之點之數目可基於準確度量度予以判定。舉例而言,可評估某數目個點之準確度,且若其滿足準確度臨限值(例如大於或等於1中之0.9),則可使用其;否則若準確度不足,則可增大點之數目。在一實施例中,圍繞形狀對來自可用於該形狀之總數n個點的k個點均一地取樣,其中k小於或等於n。在一實施例中,針對經歷分析之每一特徵形狀,經判定之形狀內容脈絡描述符之數目係相同的(包括例如在可用點之數目不同時,在此狀況下將存在過度取樣)。在一實施例中,針對不同特徵形狀判定之形狀內容脈絡描述符之數目可不同。在一實施例中,具有大量形狀內容脈絡描述符的形狀可在分析中藉由該形狀之形狀內容脈絡描述符之子集來表示。
焦點116可接著經移位至形狀周邊上之另一點,諸如點118或點122。可接著針對形狀周邊上之複數個其他點相對於彼新焦點116來判定形狀內容脈絡描述符。此情形之實例在圖4中加以描繪,在圖4中焦點116現在位於形狀周邊上之不同點處。如所見,原點112現在亦位於焦點116處。使用此新焦點116,可以與已經描述之方式相似之方式獲得相對於周邊上及周圍之其他點的複數個形狀內容脈絡描述符。
因此,在一實施例中,形狀上之周邊上之點(為了參考起見為焦點)可具有一組一或多個形狀內容脈絡描述符,每一形狀內容脈絡描述符係與該形狀之周邊上之另一點相關且使該焦點作為原點。在一實施例中,焦點可具有用於焦點且與圍繞形狀之周邊之複數個此類其他點相關的複數個形狀內容脈絡描述符。另外,形狀上之周邊上之複數個點中的每一者(為了參考起見各自為焦點)可具有一組一或多個形狀內容脈絡描述符,每個此類形狀內容脈絡描述符係與該形狀周邊上之另一點相關且使該各別焦點作為原點。因此,形狀可具有形狀內容脈絡描述符之複數個此類集合,每一集合係與圍繞該形狀周邊而定位之複數個點中之一點相關。
另外,如應瞭解,可以相似方式分析具有相同或相似形狀之多個不同特徵。在一實施例中,可以相似方式分析影像中之100個或多於100個、1000個或多於1000個、100,000個或多於100,000個,1,000,000個或多於1,000,000個、10,000,000個或多於10,000,000個、100,000,000個或多於100,000,000個或500,000,000個或多於500,000,000個特徵。
上文所描述之形狀識別可捕捉為旋轉變體、平移不變且按比例調整變體(或其子集)的局部特徵形狀屬性。亦即,針對具有相同形狀但相對於彼此而旋轉或按比例調整的兩個特徵將產生形狀描述符資料之不同集合。然而,針對具有相同形狀但相對於彼此而平移的兩個特徵將產生形狀描述符資料之相同集合。但儘管針對具有相同形狀之經旋轉及/或按比例調整特徵之形狀描述符資料可不同,但用於該等特徵中之一者之形狀內容脈絡描述符資料仍可使能夠尋找具有所關注形狀之其他特徵,儘管該特徵具有所關注形狀之經旋轉版本及/或所關注形狀之按比例調整版本,如本文中進一步描述。
然而,在一些狀況下,可需要無關於所關注形狀之旋轉來尋找形狀。在彼狀況下,在一實施例中,可使形狀內容脈絡描述符為旋轉不變的,亦即,其將在任何旋轉下捕捉形狀。進行此操作之一種方式為判定形狀之重心且接著判定自重心至焦點之角度。接著,可判定如以上所描述之形狀內容脈絡描述符資料,惟角度經修改以自其減去自重心至焦點之角度除外。相似地,在一些狀況下,可需要無關於所關注形狀之均一按比例調整來尋找形狀。在彼狀況下,在一實施例中,可使形狀內容脈絡描述符為按比例調整不變的,亦即,其將在任何均一按比例調整下捕捉形狀。進行此操作之一種方式為允許使形狀內容脈絡描述符構架104之最大半徑(亦即最外環形片段分隔物110)變化且依賴於形狀之最大橫向維度。
現在,用於特徵形狀上之點之形狀內容脈絡描述符可經處理以獲得向量以供進一步分析(如將在下文進一步所描述)。在一實施例中,形狀內容脈絡描述符向量包含在形狀內容脈絡描述符構架104內之特定部位處(例如在片段106內、在片段106之環形頻帶內、在片段106之徑向頻帶內等)之點之數目的計數。在一實施例中,可基於例如半徑及/或角度來格化儲存形狀內容脈絡描述符,以獲得形狀內容脈絡描述符計數向量。舉例而言,參看圖3,點118位於之片段106可由半徑及角度界定且如在圖3中所見,在彼片段中存在兩個點。因此,可針對焦點116界定針對彼片段指定計數2的形狀內容脈絡描述符向量。相似地,點122位於之片段106可由半徑及角度界定且如在圖3中所見,在彼片段中僅存在1個點。因此,用於焦點116之形狀內容脈絡描述符向量可針對彼片段進一步指定計數1。因此,在一實施例中,可針對特徵形狀上之特定焦點產生根據形狀內容脈絡描述
符構架104內之特定部位(例如片段106)具有相對於彼焦點而界定的在彼特定部位中終止之形狀內容脈絡描述符之計數的形狀內容脈絡描述符向量。在一實施例中,可將形狀內容脈絡描述符向量表示為具有根據部位而界定之計數的直方圖。雖然在本文中根據形狀上之焦點來描述單一形狀內容脈絡描述符向量,但有可能具有根據部位而界定之形狀內容脈絡描述符向量。
為了幫助進一步解釋此情形,圖5描繪形狀內容脈絡描述符構架502及相對簡單形狀504之實例構築體500。形狀內容脈絡描述符構架502包括兩個環中總共16個片段,該兩個環具有圍繞SCDF原點506之八個徑向分隔部。此處出於方便起見,將形狀內容脈絡描述符構架502之片段以範圍為1至16之數字進行編號。替代地,可依據半徑及/或角度來界定該等片段。另外,描繪焦點508,相對於該焦點508來判定形狀內容脈絡描述符之實例集合。如應瞭解,可選擇形狀上之其他焦點且可導出形狀內容脈絡描述符之另外集合。
圖6為針對圖5中之片段中之每一者相對於焦點508而界定的形狀內容脈絡描述符之數目之計數的表格表示600。表600在第一行中按來自圖5之對應數字列出片段。另外,該表在第二行中提供形狀內容脈絡描述符已相對於焦點508而被界定之每一適用片段中的數點之計數。舉例而言,如圖5中所見,片段13具有形狀內容脈絡描述符相對於焦點508而界定之3個點,且片段12具有形狀內容脈絡描述符相對於焦點508而界定之2個點。因此,在一實施例中,形狀內容脈絡描述符向量可對應於列及其關聯計數之集合。
如上文所論述,可對圍繞特定形狀之複數個焦點執行此分析,以獲
得複數組形狀內容脈絡描述符且接著獲得複數個形狀內容脈絡描述符。此外,可將此分析應用至複數個不同特徵以提取若干組形狀內容脈絡描述符及關聯形狀內容脈絡描述符向量。
一旦在一實施例中獲得用於不同特徵之形狀內容脈絡描述符之此等集合,就提取形狀內容脈絡描述符。此可啟用形狀比較製程以判定哪些特徵具有相同或相似形狀或識別出與參考或目標形狀相同或相似的彼等特徵,及/或啟用形狀搜尋製程。在一實施例中,針對形狀比較製程提取形狀內容脈絡描述符包含對形狀內容脈絡描述符之多維分析。在一實施例中,多維分析包括多維空間中之表示形狀之形狀內容脈絡描述符的點之叢集,從而獲得複數個叢集。在一實施例中,多維空間點中之每一者對應於一形狀內容脈絡描述符向量。在一實施例中,叢集可接著用以界定用於特徵之形狀訊跡或形狀體。此形狀訊跡可接著用以例如在複數個特徵當中尋找相同或相似塑形特徵。
因此,為了啟用多維分析,在一實施例中,使用包括複數個相互垂直維度(例如軸線)之多維空間。在一實施例中,該等維度中之每一者表示形狀內容脈絡描述符構架內之一特定部位(例如片段106)。在一實施例中,多維空間包括針對形狀內容脈絡描述符構架內之每一特定部位(例如片段106)之一維度。在一實施例中,維度中之每一者表示一組自然數。
在一實施例中,維度中之每一者表示形狀內容脈絡描述符在形狀內容脈絡描述符構架內之維度之關聯特定部位(例如片段106)中終止的出現數目之計數。因此,在一實施例中,多維空間中之點係與特定特徵之形狀內容脈絡描述符向量相關聯。
在一實施例中,每一多維空間點係與對應於特定特徵之形狀上之焦點的形狀內容脈絡描述符向量相關聯。詳言之,在一實施例中,多維空間點使形狀內容脈絡描述符構架內如以形狀內容脈絡描述符向量提供的複數個特定部位(例如片段106)作為其座標,且具有對應於在關聯特定部位中終止的形狀內容脈絡描述符之計數之座標值,例如來自形狀內容脈絡描述符向量之量值。因此,在一實施例中,特徵可具有與多維空間關聯之許多點,例如針對形狀特徵上之每一焦點有一個關聯點。
為了輔助理解,圖7中展示用於特徵形狀之特定焦點之資料的實例。此處之資料對應於用於圖5及圖6之焦點之資料。在此實例中,多維空間具有16個正交維度(例如軸線)。因此,彼多維空間內之點將具有16個座標且針對每一座標具有關聯值。因此,參看圖7,可在此實例中將多維空間界定為:針對對應於與形狀內容脈絡描述符構架502內之片段6相關聯的維度之座標具有值1、針對對應於與形狀內容脈絡描述符構架502內之片段11相關聯的維度之座標具有值3、針對對應於與形狀內容脈絡描述符構架502內之片段12相關聯的維度之座標具有值1、針對對應於與形狀內容脈絡描述符構架502內之片段13相關聯的維度之座標具有值2,且針對所有其他座標具有值0。因此,多維空間點可被界定為(0,0,0,0,0,1,0,0,0,0,3,1,2,0,0,0),其中座標按自左至右之次序為圖7中之維度1至16(且因此為分別對應於圖6中之片段1至16的維度)。針對沿著一特定特徵之形狀之複數個焦點而將可用相似資料,以獲得該特徵之多維空間內之複數個點。
因此,在一實施例中,多維空間可被填入有對應於一特徵之複數個點。在一實施例中,多維空間可被填入有對應於一或多個影像內之複數個
不同特徵(經評估為具有相同形狀內容脈絡描述符構架)中之每一者的複數個點。因此,雖然下文所描述之叢集製程將集中於填入有對應於複數個不同特徵中之每一者的複數個點之多維空間,但其可使用填入有對應於單一特徵之複數個點之多維空間。
圖8中展示填入有對應於複數個特徵中之每一者的複數個點之多維空間710之高度示意性實例。此圖形表示並非必需用於分析本文中之技術且在此處僅僅被展示為有助於解釋。
如圖8中所見,其展示複數個多維空間點,每一多維空間點對應於圍繞一各別特徵形狀之一不同焦點,且複數個多維空間點之每一多維空間點對應於三個特徵,即特徵1、2及3中之一者。特徵1、2及3之形狀之示意性表示分別在圖9A、圖9B及圖9C中被展示。維度可對應於例如形狀內容脈絡描述符構架104內之片段102,其中每一片段對應於半徑r與角度θ之特定組合。
現在運用填入有對應於一或多個特徵中之每一者的複數個點之多維空間,多維分析可繼續進行至多維空間點之叢集分析以獲得複數個叢集。叢集可給出特徵之特定形狀之某些形狀特性的流行率之指示且得到該特徵之形狀指紋。且藉由分析形狀內容脈絡描述符構架內之複數個不同特徵且共同考慮多維空間點,可識別出由該等不同特徵共用之主導形狀特性且使用該等主導形狀特性以獲得用於該等不同特徵中之每一者之形狀指紋。彼等形狀指紋將聚焦於主導共用形狀特性,使得並不貢獻於界定特徵之主要形狀特性的形狀內容脈絡描述符資料得以最小化。
因此,在一實施例中,叢集涉及判定形狀內容脈絡描述符資料在多維空間中是否彼此接近。若是,則叢集分析藉由將此類集總在一起之鄰近
形狀內容脈絡描述符資料指定為叢集從而識別彼等一或多個特徵之一或多個主導形狀特性。可識別多個此類叢集。此外,在分析多個不同特徵的情況下,可藉由將不同特徵之集總在一起之鄰近形狀內容脈絡描述符資料指定為叢集從而識別在不同特徵當中共用之主導形狀特性。
在此項技術中可運用一或多個不同叢集演算法來執行叢集分析。在一實施例中,叢集涉及計算多維空間中表示形狀之形狀內容脈絡描述符的點之近接性,從而獲得多維空間點之複數個叢集。在一實施例中,多維空間中之點之間的距離(例如歐幾里德(Euclidian)距離)可用以出於識別叢集之目的而識別多維空間中之點之間的相似度。
在一實施例中,叢集為k均值叢集方法。儘管k均值叢集在本文中被描述為識別相似形狀內容脈絡描述符之例示性方法,但本發明預想到將形狀內容脈絡描述符資料指派成叢集或群組之其他方法,包括反覆地分割形狀內容脈絡描述符資料。舉例而言,可使用尋找叢集之數目之叢集方法。在彼狀況下,舉例而言,叢集方法可作出關於資料產生數個叢集(例如以開始諸如用於k均值叢集中之反覆方案)之假定。
在一實施例中,k均值叢集分析包括判定多維空間中之叢集質心之數目。將數個初始叢集質心添加至多維空間(例如在多維空間資料中經識別)。在一實施例中,初始質心之數目為3個或多於3個、5個或多於5個、10個或多於10個、20個或多個20個、50個或多於50個,或100個或多於100個。在一實施例中,初始叢集質心橫越多維空間而隨機地分佈。在一實施例中,初始叢集質心橫越多維空間均一地分佈。
在添加初始叢集質心之後,計算每一初始叢集質心與多維空間點之間的距離(例如歐幾里德距離)。基於初始叢集質心與多維空間點之間的距
離之計算,將每一多維空間點指派給其附近叢集質心以形成具有彼質心之關聯叢集。基於此屬性,針對彼叢集計算新叢集質心且新叢集質心替換先前叢集質心。具有具新叢集質心的一或多個多維空間叢集之多維空間為叢集製程之中間叢集解決方案。重複進行距離判定、指派至叢集及判定新質心,以獲得另外中間叢集解決方案直至滿足退出條件為止。在一實施例中,退出條件可為某數目次反覆。在一實施例中,當多維空間點分配至中間叢集解決方案已穩定時(例如在預定數目次反覆之後、點至關聯質心之距離的平均改變低於某一量等)出現退出條件。在一實施例中,當多維空間點分配至一或多個叢集針對中間叢集解決方案計算之預定數目次反覆保持不變(或少於發生之改變之臨限量)時存在退出條件。穩定的中間叢集解決方案被認為係最終叢集解決方案且將識別具有形狀內容脈絡資料之數個叢集。可接著基於最終叢集解決方案而產生形狀描述訊跡,如下文所描述。在一實施例中,當中間叢集解決方案並不穩定時,可在重複叢集分析製程之前將不同組叢集質心應用至多維空間資料。
參看圖8,描繪最終叢集解決方案之實例。在此高度示意性實施例中,藉由例如具有例如3個初始叢集質心之k均值叢集來識別三個叢集720、730及740。
在叢集經識別的情況下,叢集可接著用以界定用於特徵之形狀訊跡或形狀體。
在一實施例中,形狀之形狀體含有關於該形狀之多維空間點在針對形狀識別及比較製程之最終叢集解決方案之叢集當中的分佈之資訊。在一實施例中,將用於一特定特徵之形狀體界定為在用於該特定特徵之每一叢集內之多維空間點之數目的計數。因此,在一實施例中,可針對可具有不
同形狀之複數個特徵產生形狀體,以獲得複數個形狀體。
為了有助於解釋此概念,圖9A、圖9B及圖9C示意性地且分別描繪形狀體定義之實施例。在一實施例中,形狀體可被表示為具有等於用以在叢集製程期間產生最終叢集解決方案之叢集之數目的數個形狀體場且具有對應於用於各別叢集中之特徵形狀之多維空間點之計數的量值之直方圖。
圖9A展示實例特徵形狀1(該特徵形狀之多維空間點被界定,且叢集被識別,如圖8中所展示)及示意性地描繪用於特徵形狀1之形狀體定義的關聯直方圖。如上文所提及,形狀體為用於每一叢集中之特徵之多維空間點的計數。圖9A中之直方圖以圖形方式展示用於特徵形狀1之此形狀體描述(或向量),其中參看圖8,用於特徵形狀1之形狀體描述在叢集720中具有零個多維空間點之計數、在叢集730中具有5個多維空間點之計數且在叢集730中具有1個多維空間點之計數。因此,可將用於特徵形狀1之形狀體描述(或向量)定義為(0,5,1),其中座標對應於叢集。
圖9B展示實例特徵形狀2(該特徵形狀之多維空間點被界定,且叢集被識別,如圖8中所展示)及示意性地描繪用於特徵形狀2之形狀體定義的關聯直方圖。圖9B中之直方圖以圖形方式展示用於特徵形狀2之形狀體描述(或向量),其中參看圖8,用於特徵形狀2之形狀體描述在叢集720中具有1個多維空間點之計數、在叢集730中具有5個多維空間點之計數且在叢集730中具有1個多維空間點之計數。因此,可將用於特徵形狀2之形狀體描述(或向量)定義為(1,5,1),其中座標對應於叢集。
圖9C展示實例特徵形狀3(該特徵形狀之多維空間點被界定,且叢集被識別,如圖8中所展示)及示意性地描繪用於特徵形狀3之形狀體定義的關聯直方圖。圖9C中之直方圖以圖形方式展示用於特徵形狀3之形狀體描
述(或向量),其中參看圖8,用於特徵形狀3之形狀體描述在叢集720中具有2個多維空間點之計數、在叢集730中具有1個多維空間點之計數且在叢集730中具有4個多維空間點之計數。因此,可將用於特徵形狀3之形狀體描述(或向量)定義為(2,1,4),其中座標對應於叢集。
形狀體可接著出於各種目的而使用。作為一實例,形狀體可用以尋找影像內具有相同形狀之特徵,即使該形狀已經旋轉、經按比例調整或經平移。此可藉由將複數個特徵編碼成形狀體且接著尋找具有相同形狀體之特徵來進行。因此,吾人可接著在此等形狀體上建置搜尋引擎。因此,在一實施例中,提供用以使用形狀體來尋找及定位具有特定形狀之特徵之搜尋引擎。另外,此可擴展至藉由尋找相似形狀體來尋找具有相同或相似形狀之特徵。此途徑之益處為:其可處理大資料量(例如圖案可容易具有數百萬或數十億個形狀,且影像資料存檔亦可在此等數量級下生長),同時仍導致對特定形狀之相對快速查詢時間。
另外,在一實施例中,可在不同資料集之間交叉識別特徵。舉例而言,可將針對圖案化器件圖案佈局而識別之特徵(例如描述圖案化器件圖案佈局之數位佈局檔案、體現圖案化器件圖案佈局之經製造圖案化器件等)與在經由形狀體使用該圖案化器件圖案佈局而產生於基板上之形狀方面之相同或相似的特徵一起交叉識別。作為另一實例,可將針對用於圖案化器件之數位佈局檔案而識別之特徵與在體現經由形狀體由該數位佈局檔案所描述之圖案的經製造圖案化器件之形狀方面之相同或相似特徵一起交叉識別。因此,使用關於相同形狀內容脈絡描述符構架所定義之形狀體,吾人可橫越不同類型之圖案資料進行查詢。舉例而言,在給出SEM影像形狀體的情況下可識別數位佈局檔案中之形狀,且反之亦然。因此,舉例而
言,數位佈局檔案及SEM影像可不僅基於座標而且基於內容(即相同或相似形狀)而鏈接。
又,在一實施例中,由於針對經圖案化基板(且視情況針對特定應用之處理步驟)可提供一組後設資料,故亦可藉由此資訊豐富查詢。因此,舉例而言,可藉由使用形狀體進行搜尋來進行可能查詢,諸如:「位於基板之邊緣上的在其上方之層上具有W型形狀的所有G型形狀」。
作為另一實例,可針對影像藉由計數具有相同(或相似)形狀體之特徵之數目且針對複數個不同形狀體中之每一者進行此操作而自動導出形狀類型之基礎分佈。在一實施例中,可接著根據形狀基於該等形狀之設計特徵而針對完整圖案設計具代表性的程度來對該等形狀進行順位。在給出有限數目個量測資料(例如SEM量測資料)的情況下,可接著最佳化量測部位以儘可能多地覆蓋「形狀空間」。接著,在給出一組此等量測部位的情況下,可導出例如代表性製程窗。
作為另一實例,可使用形狀體以形狀之類型來標註圖案中之特徵。此可允許例如判定哪些形狀經常彼此接近,哪些輔助特徵經常接近於哪些光學近接校正之特徵,及/或哪些形狀經常印刷於彼此上方(例如針對多重圖案化及/或針對多個實體層)。
如上文所提及,形狀體可用以識別具有相同形狀之特徵。在一實施例中,另外或替代地,形狀體可用以識別具有相似形狀之特徵。在一實施例中,可使用一或多個不同相似度技術來判定形狀體之相似度。在一實施例中,藉由相似度技術,可在複數個特徵當中藉由使用針對在考慮中之所有特徵而獲得的形狀體而相對快速地找到相似塑形特徵。
在一實施例中,藉由對形狀體矩陣中之複數個形狀體執行雜湊函數來判定相似度。詳言之,在一實施例中,局部性敏感雜湊(LSH)係用以理想地以減小之錯誤肯定及錯誤否定結果來識別相似形狀。
將關於圖10描述用以識別相似形狀體之局部性敏感度雜湊的實施例。在一實施例中,局部性敏感雜湊涉及將一組形狀體資料劃分成區塊且基於形狀體資料之雜湊區塊之結果來判定相似形狀體。
形狀體矩陣800包含在考慮中之形狀體。在一實施例中,矩陣800包含行中的在考慮中之複數個不同形狀體,及在列中供界定形狀體之叢集。雖然在此示意性表示中僅展示5個行及12個列,但可使用不同數目個行及/或列。
另外,將矩陣劃分成b個頻帶810、812、814且每一頻帶包含r個列。在一實施例中,每一頻帶810、812、814具有相同數目r個列。雖然在此處識別三個頻帶810、812、814,但頻帶之數目可不同。頻帶810、812、814將矩陣劃分成若干區塊,每一區塊係由關聯行及關聯頻帶界定。
將雜湊函數h(x)應用至每一區塊。亦即,根據形狀體且針對由頻帶810、812、814界定之彼形狀體的某數目個叢集來應用雜湊。結果為區塊中之每一者雜湊至桶中,而作為雜湊結果816之部分。雜湊得到在同一桶中相似的形狀體之格化儲存,此係由於雜湊識別出一個形狀體之至少部分相同於或高度相似於另一形狀體之至少部分。因此,將形狀體訊跡重複地雜湊至數個雜湊桶中,使得t相似形狀體很可能(p可能)處於同一桶中。在一實施例中,桶之數目相對較高,例如10個或多於10個桶、20個或多於20個桶、50個或多於50個桶、100個或多於100個桶,或500個或多於500個桶。雜湊函數h(x)可為當被應用至形狀體或應用至形狀體之一部分時引
起指示一形狀體何時至少部分相似於另一形狀體之解的任何數學函數或方案。在一實施例中,雜湊函數h(x)之輸出為純量。在一實施例中,局部性敏感雜湊使用隨機超平面投影。
舉例而言,由頻帶810針對形狀體802界定之區塊可經雜湊至桶818中。相似地,由頻帶810針對形狀體804界定之區塊亦可經雜湊至桶818中。因此,僅基於此結果,形狀體802及形狀體804藉由格化儲存至同一桶818而為相似的。因此,在一實施例中,可將此匹配雜湊結果記錄824為形狀體802及804之形狀體解集合826。
然而,由頻帶810針對形狀體806界定之區塊可經雜湊至不同於桶818的桶820中,且由頻帶810針對形狀體808界定之區塊可經雜湊至不同桶822中。因此,僅基於此結果,形狀體806及形狀體808藉由經格化儲存至不同桶820及822而為不相似的。
如應瞭解,針對所有形狀體且針對所有頻帶重複雜湊以導致使形狀體資料之複數個區塊成雜湊。結果為所有區塊經雜湊至各別桶中。接著,經格化儲存至同一桶之形狀體被識別為針對彼頻帶彼此相似。由於形狀體表示特定特徵之形狀,則對應於一起經格化儲存之形狀體之特徵具有相似形狀。因此,可識別經相似塑形特徵。在一實施例中,若針對一個頻帶將塑形特徵之形狀體一起格化儲存於同一桶中,則該等塑形特徵可被指定為相似的。在一實施例中,若針對複數個頻帶(例如所有頻帶)將塑形特徵之形狀體一起格化儲存於同一桶中,則該等塑形特徵可被指定為相似的。在一實施例中,經格化儲存至同一桶之形狀體之例項的計數可用以識別具有高度相似形狀之特徵。舉例而言,經格化儲存多於一次、多於兩次、多於10次、多於20次、多於50次等至桶中的所有形狀體可被視為形狀上最相
似的。
對頻帶之數目b及列之數目r之選擇會影響t分數相似度,且因此需要調節此等參數以減小或消除錯誤肯定及錯誤否定。在一實施例中,可將形狀體之相似度定義為1-(1-pr) b (1)
其中p為形狀體共用雜湊桶之機率。因此,針對機率p存在值t使得1-(1-tr) b =t (2)
其中δ為針對特定應用之使用者定義之選擇且係基於已經設定之p機率,此係由於需要具有隨著p機率而t相似的形狀;舉例而言,隨著至少(1-δ)機率t相似。因此,在δ為自0至1之數目的情況下,0表示正確格化儲存之最信賴度,而1表示正確格化儲存之最小信賴度。但選擇0可導致許多錯誤肯定,因此應選擇δ之平衡。相似地,吾人可基於t及b之經設定值導出r。
在執行此ISH之後,結果826得到藉由已經雜湊至同一桶中而相似的形狀體。因此,在一實施例中,可識別第一複數個相似形狀體連同另外第二複數個相似形狀體。由於形狀體表示特定特徵之形狀,則對應於一起經格化儲存之形狀體之特徵具有相似形狀。因此,因為當然知曉與形狀體相關聯之特定特徵,所以可識別經相似塑形特徵。結果為可藉由使用經識別相似形狀體而相對快速地識別影像中之特定相似特徵。
此以雜湊為基礎之途徑之益處為:其可處理大資料量(例如圖案可容
易具有數百萬或數十億個形狀,且影像資料存檔亦可在此等數量級下生長),同時仍導致對相同或相似形狀之相對快速查詢時間。
圖11為根據一實施例的用於執行形狀識別及/或比較操作之實例方法900的流程圖。在此實例中,描繪複數個操作,但並不需要執行全部操作。操作之任何適當組合可選自以下操作。
操作902包括根據本文中所描述之方法選擇一或多個特徵以供分析(例如用於判定形狀內容脈絡描述符資料、用於判定形狀體、用於判定相似形狀、用於使用形狀體來搜尋或識別特徵等)。在一實施例中,可選擇用於形狀識別及/或比較製程之參數。舉例而言,在一實施例中,形狀內容脈絡描述符構架之類型(例如具有經環形配置區塊之形狀內容脈絡描述符構架)係由極座標界定。舉例而言,用於形狀識別製程中的形狀內容脈絡描述符構架之片段之數目可例如藉由指定片段之分隔部之數目、片段之極座標配置之最大半徑等來選擇。作為另一實例,頻帶之數目b、列之數目r及/或t相似度值可由使用者提供且其他值可被計算。雖然關於操作902來描述此等設置步驟,但可運用關聯形狀識別及/或比較步驟(例如操作904、906等)來執行該等設置步驟。
在具有一組塑形特徵的情況下,方法900之操作904包括產生如本文中所描述之該組塑形特徵中的一或多個塑形特徵(例如所有塑形特徵)之形狀內容脈絡描述符。另外,在一實施例中,操作904可包括產生如本文中所描述之一或多個形狀內容脈絡描述符向量。形狀內容脈絡描述符資料(例如形狀內容脈絡描述符、形狀內容脈絡描述符向量或自彼等資料導出之其他資料)可接著出於如本文中所描述之各種目的而使用,該等目的包括例如查詢用於具有目標形狀之一或多個特徵之資料集(例如數位佈局檔
案(例如GDS),及/或影像(例如SEM影像))、自動組織不同資料集(例如在例如GDS之數位佈局檔案中表示之特徵,與在例如SEM影像之影像中表示之特徵)及使該等不同資料集同步、特性化及/或概述關於塑形特徵之資料集,等。
操作906涉及關於執行用於如本文中所描述之一組塑形特徵中之一或多個塑形特徵的形狀內容脈絡描述符之叢集分析之步驟。舉例而言,操作904之形狀內容脈絡描述符資料可由多維空間中之點表示,且接著可使用叢集來識別叢集。在一實施例中,複數個不同塑形特徵之形狀內容脈絡描述符資料可包括於多維空間中且被叢集。在一實施例中,可基於叢集結果針對塑形特徵界定形狀訊跡或形狀體。在一實施例中,用於特徵之形狀體對應於每一叢集中針對該特定特徵之形狀內容脈絡描述符資料的計數,如本文中所描述。在一實施例中,針對複數個不同塑形特徵中之每一者獲得形狀體。叢集之結果(例如一或多個形狀體)可接著出於如本文中所描述之各種目的而使用,該等目的包括例如查詢用於具有目標形狀之一或多個特徵之資料集(例如數位佈局檔案(例如GDS),及/或影像(例如SEM影像))、自動組織不同資料集(例如在例如GDS之數位佈局檔案中表示之特徵,與在例如SEM影像之影像中表示之特徵)及使該等不同資料集同步、特性化及/或概述關於塑形特徵之資料集,等。
在操作908中,判定該組形狀中之形狀的相似度。舉例而言,可將形狀體組譯成形狀體矩陣且運用雜湊函數處理成相似形狀體,及(因此)具有如本文中所描述之相似形狀之特徵。因此,可自一組塑形特徵識別出複數組經相似塑形特徵。
在操作910中,可出於如本文中所描述之各種目的中的任一者來使用
操作904至908中之任一者之結果。舉例而言,操作904至908中之任一者可使使用者能夠搜尋特徵之特定形狀且識別所有例項。此結果可接著用於設計、控制等圖案化製程之態樣(例如改變圖案化器件圖案、調節圖案化製程裝置之設定、設計或修改檢測製程等)。任何操作之結果可用以產生電子指令以用於組態(例如設計、控制等)圖案化製程。在一實施例中,可將資料(例如形狀內容脈絡描述符、形狀內容脈絡描述符構架、形狀內容脈絡描述符向量、形狀體等)中之任一者表示為電腦可讀媒體、電腦系統等中之資料結構。
在一實施例中,提供一種方法,其包含:自一組塑形特徵選擇一塑形特徵,該組塑形特徵之每一塑形特徵在該塑形特徵之形狀之一周邊上具有一組點;藉由一硬體電腦產生用於該經選擇塑形特徵之複數個形狀內容脈絡描述符,其中每一形狀內容脈絡描述符提供該組點之一第一焦點相對於該組點之一第二點在一形狀內容脈絡描述符構架中的一部位之一指示;及藉由該硬體電腦基於來自該複數個形狀內容脈絡描述符之資料自該組塑形特徵識別具有與該經選擇塑形特徵相同或相似的一形狀之一塑形特徵。
在一實施例中,來自該複數個形狀內容脈絡描述符之該資料包含一形狀內容脈絡描述符向量,該形狀內容脈絡描述符向量描述針對該形狀內容脈絡描述符構架中之複數個不同部位中之每一者的指示該各別部位之形狀內容脈絡描述符之數目的一計數。在一實施例中,該複數個形狀內容脈絡描述符包含複數組形狀內容脈絡描述符,每一組形狀內容脈絡描述符包含用於該組點中之一個特定焦點相對於該組點中之複數個其他點之形狀內容脈絡描述符。在一實施例中,該方法包含產生用於該組塑形特徵之該等塑形特徵中之每一者的複數個形狀內容脈絡描述符。在一實施例中,來自
該複數個形狀內容脈絡描述符之該資料包含自該等形狀內容脈絡描述符提取之一形狀訊跡。在一實施例中,該方法進一步包含基於來自該複數個形狀內容脈絡描述符之資料之叢集而產生一形狀訊跡。在一實施例中,該叢集包含維度對應於該形狀內容脈絡描述符構架內之不同部位的一多維空間內之點之叢集,且該等多維空間點之量值對應於指示該等特定不同部位之形狀內容脈絡描述符之該數目的該計數。在一實施例中,該叢集包含藉由k均值叢集之一形式來識別叢集。在一實施例中,來自該複數個形狀內容脈絡描述符之該資料包含來自複數個不同塑形特徵之形狀內容脈絡描述符資料。在一實施例中,該形狀訊跡包含每一叢集中之形狀內容脈絡描述符資料之例項的一計數。在一實施例中,該方法進一步包含使用該形狀訊跡以自該組塑形特徵識別其他特徵。在一實施例中,該方法進一步包含基於來自該複數個形狀內容脈絡描述符之資料在該組特徵當中判定相似形狀。在一實施例中,判定相似形狀包含使用一雜湊函數來將相似形狀格化儲存為同一類別。在一實施例中,將該雜湊函數應用至用於該組特徵之每一特徵之一形狀訊跡。在一實施例中,自形狀內容脈絡描述符資訊之一叢集導出該等形狀訊跡。在一實施例中,判定相似形狀包含使用局部性敏感雜湊之一形式。在一實施例中,該組塑形特徵包括以至少兩種不同格式描述之特徵。在一實施例中,一第一格式為一基板或圖案化器件之一影像,且一第二格式為用於一圖案化器件之一數位佈局檔案。在一實施例中,該方法包含使用針對該至少兩個格式中之一個格式而識別之一形狀,來識別該至少兩個格式中之另一格式中的一形狀。在一實施例中,該等空間內容脈絡描述符經產生為形狀定向不變的。在一實施例中,該等部位包含該形狀內容脈絡描述符構架內之空間區域片段。在一實施例中,在一極座標系中界
定該等空間區域片段。在一實施例中,該焦點位於該形狀內容脈絡描述符構架之一座標系之一原點處。在一實施例中,該方法進一步包含判定該組塑形特徵內之形狀之一分佈,從而依據流行率來對其進行分級。在一實施例中,該方法進一步包含使用該分級來導引經量測資料之選擇。
如由一般熟習此項技術者應瞭解,本文中所描述之一或多個實施例可體現為系統、方法或電腦程式產品。因此,本申請案之態樣可採取完全硬體實施例、完全軟體實施例(包括韌體、常駐軟體、微碼等)或組合軟體與硬體態樣之實施例的形式,該等實施例在本文中一般皆可被稱作「電路」、「模組」或「系統」。此外,本申請案之態樣可採取體現於任一或多個電腦可讀媒體中的電腦程式產品之形式,該一或多個電腦可讀媒體具有體現於其上之電腦可用程式碼。
可利用一或多個電腦可讀媒體之任何組合。電腦可讀媒體可為電腦可讀信號媒體或電腦可讀儲存媒體。電腦可讀儲存媒體可為例如但不限於:電子、磁性、光學、電磁、紅外線或半導體系統,裝置、器件,或前述各者之任何合適組合。電腦可讀媒體之更特定實例(非詳盡清單)將包括以下各者:具有一或多個電線之電連接件、攜帶型電腦軟碟、硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、可抹除可程式化唯讀記憶體(例如EPROM或快閃記憶體)、光纖、攜帶型緊密光碟唯讀記憶體CDROM、光學儲存器件、磁性儲存器件,或前述各者之任何合適組合。在此文件之內容背景中,電腦可讀儲存媒體可為可含有或儲存用於由指令執行系統、裝置或器件使用或結合指令執行系統、裝置或器件使用的程式之任何有形媒體。
電腦可讀信號媒體可包括其中體現有電腦可讀程式碼的傳播資料信
號,例如在基頻中或作為載波之部分。此類傳播信號可採取多種形式中之任一者,包含但不限於電磁性、光學或其任何合適組合。電腦可讀信號媒體可為並非電腦可讀儲存媒體且可傳達、傳播或輸送程式以供指令執行系統、裝置或器件使用或結合指令執行系統、裝置或器件使用的任何電腦可讀媒體。
體現於電腦可讀媒體上之電腦程式碼可使用任何適當媒體來傳輸,該等媒體包括但不限於無線、有線、光纖纜線、射頻RF等或其任何合適組合。
用於進行本申請案之態樣之操作的電腦程式碼可以一或多個程式設計語言之任何組合而寫入,該一或多個程式設計語言包括諸如JavaTM、SmalltalkTM、C++或其類似者之物件導向式程式設計語言,及諸如「C」程式設計語言或相似程式設計語言之習知程序性程式設計語言。程式碼可完全在使用者之電腦上執行、部分在使用者之電腦上執行、作為單機套裝軟體執行、部分在使用者之電腦上且部分在遠端電腦上執行,或完全在遠端電腦或伺服器上執行。在後一情境中,遠端電腦可經由任何類型之網路(包括區域網路(LAN)或廣域網路(WAN))連接至使用者之電腦,或可(例如經由使用網際網路服務提供者之網際網路)連接至外部電腦。
電腦程式指令亦可載入至電腦、其他可程式化資料處理裝置或其他器件上,以使在該電腦、其他可程式化裝置或其他器件上執行一系列操作步驟以產生電腦實施之處理序,使得在該電腦或其他可程式化裝置上執行之指令提供用於實施一或多個流程圖及/或方塊圖區塊中所指定之功能/動作之處理序。
如上文所提及,應瞭解,說明性實施例可採取完全硬體實施例、完
全軟體實施例或含有硬體元件及軟體元件兩者之實施例之形式。在一項實例實施例中,說明性實施例之機構可以軟體或程式碼來實施,軟體或程式碼包括但不限於韌體、常駐軟體、微碼等。
適合於儲存及/或執行程式碼之資料處理系統將包括經由系統匯流排直接或間接地耦接至記憶體元件之至少一個處理器。記憶體元件可包括在實際執行程式碼期間使用之本端記憶體、大容量儲存器,及提供至少某一程式碼之暫時儲存以便減少在執行期間必須自大容量儲存器擷取程式碼之次數的快取記憶體。
輸入/輸出或I/O器件(包括但不限於鍵盤、顯示器、指標器件等)可直接地或經由介入之I/O控制器耦接至系統。網路配接器亦可耦接至系統以使資料處理系統能夠變得經由介入之私人網路或公用網路耦接至其他資料處理系統或遠端印表機或儲存器件。數據機、纜線數據機及乙太網路卡僅為少數當前可用類型之網路配接器。
圖11展示可輔助實施本文中所揭示之方法及流程中的任一者之實例電腦系統1700之實施例的方塊圖。電腦系統1700包括用於傳達資訊之匯流排1702或其他通信機構,及與匯流排1702耦接以用於處理資訊之一處理器1704(或多個處理器1704及1705)。電腦系統1700亦包括耦接至匯流排1702以用於儲存待由處理器1704執行之資訊及指令的主記憶體1706,諸如,隨機存取記憶體RAM或其他動態儲存器件。主記憶體1706亦可用於在待由處理器1704執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統1700進一步包括耦接至匯流排1702以用於儲存用於處理器1704之靜態資訊及指令的唯讀記憶體ROM 1708或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件1710,且將該儲存器件耦接至匯流排
1702以用於儲存資訊及指令。
電腦系統1700可經由匯流排1702耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器1712,諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件1714耦接至匯流排1702以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器1704。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器1704且用於控制顯示器1712上之游標移動的游標控制件1716,諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線,第一軸線(例如x)及第二軸線(例如y)中之兩個自由度,其允許器件指定在平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入器件。
根據一項實施例,可由電腦系統1700回應於處理器1704執行主記憶體1706中含有的一或多個指令之一或多個序列而執行本文中所描述之製程之部分。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件1710)讀取至主記憶體1706中。主記憶體1706中含有之指令序列之執行致使處理器1704執行本文中所描述之製程步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體1706中含有之指令序列。在一替代實施例中,可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此,本文之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。
如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器1704以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式,包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟,諸如儲存器件1710。揮發性媒體包括動態記憶體,諸如主記憶體1706。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖,包括包含匯流排1702之電
線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式,諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波,或可供電腦讀取之任何其他媒體。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器1704以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言,最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中,且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統1700本端之數據機可接收電話線上之資料,且使用紅外線傳輸器將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排1702之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排1702上。匯流排1702將資料攜載至主記憶體1706,處理器1704自該主記憶體1706擷取指令且並執行該等指令。由主記憶體1706接收之指令可視情況在供處理器1704執行之前或之後儲存於儲存器件1710上。
電腦系統1700亦可包括耦接至匯流排1702之通信介面1718。通信介面1718提供對網路鏈路1720之雙向資料通信耦合,該網路鏈路連接至區域網路1722。舉例而言,通信介面1718可為整合式服務數位網路ISDN卡或數據機以提供對對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例,通信介面1718可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中,通信介面1718發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光信號。
網路鏈路1720通常經由一或多個網路而向其他資料器件提供資料通
信。舉例而言,網路鏈路1720可經由區域網路1722向主機電腦1724或向由網際網路服務提供者ISP 1726操作之資料設備提供連接。ISP 1726又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」)1728而提供資料通信服務。區域網路1722及網際網路1728兩者皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路1720上且經由通信介面1718之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統1700及自電腦系統1700攜載數位資料)為輸送資訊的載波之例示性形式。
電腦系統1700可經由網路、網路鏈路1720及通信介面1718發送訊息及接收資料,包括程式碼。在網際網路實例中,伺服器1730可能經由網際網路1728、ISP 1726、區域網路1722及通信介面1718而傳輸用於應用程式之所請求程式碼。舉例而言,一個此類經下載應用程式可提供如本文中所描述之方法或其部分。所接收程式碼可在其被接收時由處理器1704執行,及/或儲存於儲存器件1710或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式,電腦系統1700可獲得呈載波之形式之應用程式碼。
可使用以下條項進一步描述實施例:
1.一種方法,其包含:自一組塑形特徵選擇一塑形特徵,該組塑形特徵之每一塑形特徵在該塑形特徵之形狀之一周邊上具有一組點;藉由一硬體電腦產生用於該經選擇塑形特徵之複數個形狀內容脈絡描述符,其中每一形狀內容脈絡描述符提供該組點之一第一焦點相對於該組點之一第二點在一形狀內容脈絡描述符構架中的一部位之一指示;及藉由該硬體電腦基於來自該複數個形狀內容脈絡描述符之資料自該組塑形特徵識別具有與該經選擇塑形特徵相同或相似的一形狀之一塑形特
徵。
2.如條項1之方法,其中來自該複數個形狀內容脈絡描述符之該資料包含一形狀內容脈絡描述符向量,該形狀內容脈絡描述符向量描述針對該形狀內容脈絡描述符構架中之複數個不同部位中之每一者的指示該各別部位之形狀內容脈絡描述符之數目的一計數。
3.如條項1或條項2之方法,其中該複數個形狀內容脈絡描述符包含複數組形狀內容脈絡描述符,每一組形狀內容脈絡描述符包含用於該組點中之一個特定焦點相對於該組點中之複數個其他點之形狀內容脈絡描述符。
4.如條項1至3中任一項之方法,其包含產生用於該組塑形特徵之該等塑形特徵中之每一者的複數個形狀內容脈絡描述符。
5.如條項1至4中任一項之方法,其中來自該複數個形狀內容脈絡描述符之該資料包含自該等形狀內容脈絡描述符提取之一形狀訊跡。
6.如條項5之方法,其進一步包含基於來自該複數個形狀內容脈絡描述符之資料之叢集而產生一形狀訊跡。
7.如條項6之方法,其中該叢集包含維度對應於該形狀內容脈絡描述符構架內之不同部位的一多維空間內之點之叢集,且該等多維空間點之量值對應於指示該等特定不同部位之形狀內容脈絡描述符之該數目的該計數。
8.如條項6或條項7之方法,其中該叢集包含藉由k均值叢集之一形式來識別叢集。
9.如條項6至8中任一項之方法,其中來自該複數個形狀內容脈絡描述符之該資料包含來自複數個不同塑形特徵之形狀內容脈絡描述符資
料。
10.如條項6至9中任一項之方法,其中該形狀訊跡包含每一叢集中之形狀內容脈絡描述符資料之例項的一計數。
11.如條項6至10中任一項之方法,其進一步包含使用該形狀訊跡以自該組塑形特徵識別其他特徵。
12.如條項1至11中任一項之方法,其進一步包含基於來自該複數個形狀內容脈絡描述符之資料在該組特徵當中判定相似形狀。
13.如條項12之方法,其中判定相似形狀包含使用一雜湊函數來將相似形狀格化儲存為同一類別。
14.如條項13之方法,其中將該雜湊函數應用至用於該組特徵之每一特徵之一形狀訊跡。
15.如條項14之方法,其中自形狀內容脈絡描述符資訊之一叢集導出該等形狀訊跡。
16.如條項12至15中任一項之方法,其中判定相似形狀包含使用局部性敏感雜湊之一形式。
17.如條項1至16中任一項之方法,其中該組塑形特徵包括以至少兩種不同格式描述之特徵。
18.如條項17之方法,其中一第一格式為一基板或圖案化器件之一影像,且一第二格式為用於一圖案化器件之一數位佈局檔案。
19.如條項17或條項18之方法,其包含使用針對該至少兩個格式中之一個格式而識別之一形狀,來識別該至少兩個格式中之另一格式中的一形狀。
20.如條項1至19中任一項之方法,其中該等空間內容脈絡描述符經
產生為形狀定向不變的。
21.如條項1至20中任一項之方法,其中該等部位包含該形狀內容脈絡描述符構架內之空間區域片段。
22.如條項21之方法,其中在一極座標系中界定該等空間區域片段。
23.如條項1至22中任一項之方法,其中該焦點位於該形狀內容脈絡描述符構架之一座標系之一原點處。
24.如條項1至23中任一項之方法,其進一步包含判定該組塑形特徵內之形狀之一分佈,從而依據流行率來對其進行分級。
25.如條項24之方法,其進一步包含使用該分級來導引經量測資料之選擇。
26.一種電腦程式產品,其包含經記錄有指令之一電腦可讀媒體,該等指令在由一電腦執行時實施如條項1至25中任一項之方法。
儘管在本文中可特定地參考IC製造,但應明確理解,本文中之描述具有許多其他可能應用。舉例而言,其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解,在此類替代性應用之內容背景中,在本文中對術語「倍縮光罩」/「光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為可分別與更一般之術語「圖案化器件」、「基板」及「目標部分」互換。
在本文件中,術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射,包括紫外線輻射(例如具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線輻射(EUV,例如具有在約5奈米至100奈米之範圍內之波長)。
雖然本文中所揭示之概念可用於使在諸如矽晶圓之基板上成像之系統及方法,但應理解,所揭示概念可用於任何類型之圖案化製程及關聯製造設備,例如用於在不同於矽晶圓之基板上產生圖案之彼等圖案化製程及關聯製造設備及/或在不使用成像的情況下產生圖案之彼等圖案化製程及關聯製造設備。
在方塊圖中,所說明之組件被描繪為離散功能區塊,但實施例不限於本文中所描述之功能性如所說明來組織之系統。由組件中之每一者提供之功能性可由軟體或硬體模組提供,該等模組以與目前所描繪之方式不同之方式組織,例如,可摻和、結合、複寫、解散、分配(例如在資料中心內或按地區),或另外以不同方式組織此軟體或硬體。本文中所描述之功能性可由執行儲存於有形的、非暫時性機器可讀媒體上之程式碼之一或多個電腦之一或多個處理器提供。在一些狀況下,第三方內容遞送網路可主控經由網路傳達之資訊中的一些或全部,在此狀況下,在據稱供應或以其他方式提供資訊(例如內容)之情況下,可藉由發送指令以自內容遞送網路擷取彼資訊來提供該資訊。
除非另外特定陳述,否則如自論述顯而易見,應瞭解,貫穿本說明書,利用諸如「處理」、「計算(computing/calculating)」、「判定」或其類似者之術語的論述係指諸如專用電腦或相似專用電子處理/計算器件之特定裝置的動作或製程。
讀者應瞭解,本申請案描述若干發明。申請人已將此等發明分組成單一文件,而非將彼等發明分成多個單獨的專利申請案,此係因為該等發明之相關主題在應用製程中有助於經濟發展。但不應合併此等發明之相異優點及態樣。在一些狀況下,實施例解決本文中所提及之所有缺陷,但應
理解,該等發明係獨立地有用,且一些實施例僅解決此等問題之子集或提供其他未提及之益處,該等益處對於檢閱本發明之熟習此項技術者將顯而易見。歸因於成本約束,目前可不主張本文中所揭示之一些發明,且可在稍後申請案(諸如接續申請案或藉由修正本技術方案)中主張該等發明。相似地,歸因於空間約束,本發明文件之[發明摘要]及[發明內容]章節皆不應被視為含有所有此等發明之全面清單或此等發明之所有態樣。
應理解,本說明書及圖式並不意欲將本發明限於所揭示之特定形式,而正相反,本發明意欲涵蓋屬於如由所附申請專利範圍界定之本發明之精神及範疇的所有修改、等效者及替代方案。
鑒於本說明書,本發明之各種態樣之修改及替代實施例將對於熟習此項技術者而言顯而易見。因此,本說明書及圖式應被解釋為僅為說明性的且係出於教示熟習此項技術者進行本發明之一般方式之目的。應理解,本文中所展示及描述之本發明之形式應被視為實施例之實例。元件及材料可替代本文中所說明及描述之元件及材料,部分及製程可被反轉或被省略,可獨立利用某些特徵,且可組合實施例或實施例之特徵,此皆如對熟習此項技術者在獲得本發明之本說明書之益處之後將顯而易見的。可在不脫離如在以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇的情況下對本文中所描述之元件作出改變。本文中所使用之標題係僅出於組織之目的,且不意欲用以限制本說明書之範疇。
如貫穿本申請案所使用,詞語「可」係在許可之意義(亦即,意謂有可能)而非強制性之意義(亦即,意謂必須)下予以使用。詞語「包括(include/including/includes)」及其類似者意謂包括但不限於。如貫穿本申請案所使用,單數形式「a/an/the」包括複數個參照物,除非內容另有
明確地指示。因此,舉例而言,對「元件(an element/a element)」之參考包括兩個或多於兩個元件之組合,儘管會針對一或多個元件使用其他術語及片語,諸如「一或多個」。除非另有指示,否則術語「或」係非獨占式的,亦即,涵蓋「及」與「或」兩者。描述條件關係之術語,例如「回應於X,而Y」、「在X後,即Y」、「若X,則Y」、「當X時,Y」及其類似者涵蓋因果關係,其中前提為必要的因果條件,前提為充分的因果條件,或前提為結果的貢獻因果條件,例如,「在條件Y獲得後,即出現狀態X」對於「僅在Y後,才出現X」及「在Y及Z後,即出現X」為通用的。此等條件關係不限於即刻遵循前提而獲得之結果,此係因為可延遲一些結果,且在條件陳述中,前提連接至其結果,例如,前提係與出現結果之似然性相關。除非另有指示,否則複數個特質或功能經映射至複數個物件(例如,執行步驟A、B、C及D之一或多個處理器)之陳述涵蓋所有此等特質或功能經映射至所有此等物件及特質或功能之子集經映射至特質或功能之子集兩者(例如,所有處理器各自執行步驟A至D,及其中處理器1執行步驟A,處理器2執行步驟B及步驟C之一部分,且處理器3執行步驟C之一部分及步驟D之狀況)。另外,除非另有指示,否則一個值或動作係「基於」另一條件或值之陳述涵蓋條件或值為單獨因子之情況及條件或值為複數個因子當中之一個因子之情況兩者。除非另有指示,否則某一集合之「每一」例項具有某一屬性之陳述不應被解讀為排除較大集合之一些以其他方式相同或相似成員並不具有該屬性之狀況,亦即,每一未必意謂每個都。
在某些美國專利、美國專利申請案或其他材料(例如論文)已以引用方式併入之範圍內,此等美國專利、美國專利申請案及其他材料之文字僅在此材料與本文中所闡述之陳述及圖式之間不存在衝突之範圍內併入。在存
在此類衝突之情況下,在此類以引用方式併入的美國專利、美國專利申請案及其他材料中之任何此類衝突文字並不特定地以引用方式併入本文中。
已出於說明及描述之目的呈現本申請案之描述,且該描述並不意欲為詳盡的或將本發明限於所揭示之形式。許多修改及變化將對一般熟習此項技術者顯而易見。因此,對於熟習此項技術者將顯而易見,可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。
100:構築體
102:形狀
104:形狀內容脈絡描述符構架
106:片段
108:徑向片段分隔物
110:環形片段分隔物
112:形狀內容脈絡描述符構架(SCDF)原點
114:點
116:焦點
118:點
120:向量
122:點
124:向量
Claims (15)
- 一種方法,其包含: 自一組塑形特徵選擇一塑形特徵,該組塑形特徵之每一塑形特徵在該塑形特徵之形狀之一周邊上具有一組點; 藉由一硬體電腦產生用於該經選擇塑形特徵之複數個形狀內容脈絡描述符,其中每一形狀內容脈絡描述符提供該組點之一第一焦點相對於該組點之一第二點在一形狀內容脈絡描述符構架中的一部位之一指示;及 藉由該硬體電腦基於來自該複數個形狀內容脈絡描述符之資料自該組塑形特徵識別具有與該經選擇塑形特徵相同或相似的一形狀之一塑形特徵。
- 如請求項1之方法,其中來自該複數個形狀內容脈絡描述符之該資料包含一形狀內容脈絡描述符向量,該形狀內容脈絡描述符向量描述針對該形狀內容脈絡描述符構架中之複數個不同部位中之每一者的指示該各別部位之形狀內容脈絡描述符之數目的一計數。
- 如請求項1之方法,其中該複數個形狀內容脈絡描述符包含複數組形狀內容脈絡描述符,每一組形狀內容脈絡描述符包含用於該組點中之一個特定焦點相對於該組點中之複數個其他點之形狀內容脈絡描述符。
- 如請求項1之方法,其包含產生用於該組塑形特徵之該等塑形特徵中之每一者的複數個形狀內容脈絡描述符。
- 如請求項1之方法,其中來自該複數個形狀內容脈絡描述符之該資料包含自該等形狀內容脈絡描述符提取之一形狀訊跡。
- 如請求項5之方法,其進一步包含基於來自該複數個形狀內容脈絡描述符之資料之叢集而產生一形狀訊跡。
- 如請求項6之方法,其中該叢集包含維度對應於該形狀內容脈絡描述符構架內之不同部位的一多維空間內之點之叢集,且該等多維空間點之量值對應於指示該等特定不同部位之形狀內容脈絡描述符之該數目的該計數,及/或其中該叢集包含藉由k均值叢集之一形式來識別叢集。
- 如請求項6之方法,其中來自該複數個形狀內容脈絡描述符之該資料包含來自複數個不同塑形特徵之形狀內容脈絡描述符資料。
- 如請求項6之方法,其進一步包含使用該形狀訊跡以自該組塑形特徵識別其他特徵。
- 如請求項1之方法,其進一步包含基於來自該複數個形狀內容脈絡描述符之資料在該組特徵當中判定相似形狀。
- 如請求項10之方法,其中判定相似形狀包含:使用一雜湊函數來將相似形狀格化儲存為同一類別。
- 如請求項11之方法,其中將該雜湊函數應用至用於該組特徵之每一特徵之一形狀訊跡。
- 如請求項1之方法,其中該組塑形特徵包括以至少兩種不同格式描述之特徵。
- 如請求項1之方法,其中該等空間內容脈絡描述符經產生為形狀定向不變的。
- 一種電腦程式產品,其包含經記錄有指令之一電腦可讀媒體,該等指令在由一電腦執行時實施如請求項1至14中任一項之方法。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11748868B2 (en) * | 2020-09-08 | 2023-09-05 | Kla Corporation | Unsupervised pattern synonym detection using image hashing |
US20230013051A1 (en) * | 2021-07-12 | 2023-01-19 | Kla Corporation | Fast and fuzzy pattern grouping |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020186879A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-12 | Shirley Hemar | Alternating phase-shift mask inspection method and apparatus |
CN1983023A (zh) * | 2004-12-13 | 2007-06-20 | Hoya株式会社 | 波纹缺陷检查方法和系统及光掩模的制造方法 |
CN101236360A (zh) * | 2007-02-02 | 2008-08-06 | 海力士半导体有限公司 | 检测掩模缺陷的方法和设备 |
US20120133927A1 (en) * | 2007-07-23 | 2012-05-31 | Akira Hamamatsu | Defect inspection apparatus and its method |
US20130114898A1 (en) * | 2010-05-07 | 2013-05-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Template matching processing device and template matching processing program |
CN103176372A (zh) * | 2013-03-20 | 2013-06-26 | 南京理工大学 | 基于位相光栅分光的双焦波带片干涉显微检测装置 |
US20150198798A1 (en) * | 2014-01-13 | 2015-07-16 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Emulation of reproduction of masks corrected by local density variations |
TW201621472A (zh) * | 2014-12-01 | 2016-06-16 | Asml荷蘭公司 | 用於獲得關於微影製造程序之診斷資訊的方法與裝置及包含診斷裝置的微影處理系統 |
TWI549012B (zh) * | 2014-06-10 | 2016-09-11 | Asml荷蘭公司 | 計算晶圓檢測 |
JP2016194482A (ja) * | 2015-04-01 | 2016-11-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査方法および検査装置 |
TW201706590A (zh) * | 2015-05-28 | 2017-02-16 | 克萊譚克公司 | 用於在檢測工具上之動態看護區域產生的系統及方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998028665A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
US6787271B2 (en) * | 2000-07-05 | 2004-09-07 | Numerical Technologies, Inc. | Design and layout of phase shifting photolithographic masks |
US7225107B2 (en) * | 2001-05-24 | 2007-05-29 | Test Advantage, Inc. | Methods and apparatus for data analysis |
US7014955B2 (en) * | 2001-08-28 | 2006-03-21 | Synopsys, Inc. | System and method for indentifying dummy features on a mask layer |
CN1768339A (zh) * | 2003-04-03 | 2006-05-03 | 都柏林城市大学 | 用于索引和检索多媒体数据的形状匹配方法 |
JP2005159198A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Technovates:Kk | 電子ビーム露光用データ作成システム、電子ビーム露光用データ作成方法、電子ビーム露光用データ作成プログラム |
EP1719019A2 (en) * | 2004-02-03 | 2006-11-08 | Mentor Graphics Corporation | Source optimization for image fidelity and throughput |
WO2006058292A2 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Purdue Research Foundation | Methods for retrieving shapes and drawings |
US8234604B2 (en) * | 2008-09-02 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Co-optimization of embedded systems utilizing symbolic execution |
NL2003702A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-11 | Brion Tech Inc | Pattern selection for lithographic model calibration. |
US8443322B2 (en) * | 2009-03-19 | 2013-05-14 | International Business Machines Corporation | Using layout enumeration to facilitate integrated circuit development |
NL2005522A (en) * | 2009-10-28 | 2011-05-02 | Asml Netherlands Bv | Pattern selection for full-chip source and mask optimization. |
US8463036B1 (en) * | 2010-09-30 | 2013-06-11 | A9.Com, Inc. | Shape-based search of a collection of content |
US8422782B1 (en) * | 2010-09-30 | 2013-04-16 | A9.Com, Inc. | Contour detection and image classification |
NL2007578A (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-22 | Asml Netherlands Bv | Pattern-independent and hybrid matching/tuning including light manipulation by projection optics. |
US8718380B2 (en) * | 2011-02-14 | 2014-05-06 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Representing object shapes using radial basis function support vector machine classification |
CN103400136B (zh) * | 2013-08-13 | 2016-09-28 | 苏州大学 | 基于弹性匹配的目标识别方法 |
JP6253924B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-12-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
CN105654042B (zh) * | 2015-12-23 | 2019-04-09 | 华南理工大学 | 玻璃温度计的检定温度字符识别方法 |
EP3637319B1 (en) * | 2018-10-11 | 2022-05-25 | Honda Research Institute Europe GmbH | Method for generating shape descriptors for two- or three-dimensional geometric shapes |
-
2018
- 2018-03-02 US US16/490,091 patent/US10890540B2/en active Active
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020186879A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-12 | Shirley Hemar | Alternating phase-shift mask inspection method and apparatus |
CN1983023A (zh) * | 2004-12-13 | 2007-06-20 | Hoya株式会社 | 波纹缺陷检查方法和系统及光掩模的制造方法 |
CN101236360A (zh) * | 2007-02-02 | 2008-08-06 | 海力士半导体有限公司 | 检测掩模缺陷的方法和设备 |
US20120133927A1 (en) * | 2007-07-23 | 2012-05-31 | Akira Hamamatsu | Defect inspection apparatus and its method |
US20130114898A1 (en) * | 2010-05-07 | 2013-05-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Template matching processing device and template matching processing program |
CN103176372A (zh) * | 2013-03-20 | 2013-06-26 | 南京理工大学 | 基于位相光栅分光的双焦波带片干涉显微检测装置 |
US20150198798A1 (en) * | 2014-01-13 | 2015-07-16 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Emulation of reproduction of masks corrected by local density variations |
TWI549012B (zh) * | 2014-06-10 | 2016-09-11 | Asml荷蘭公司 | 計算晶圓檢測 |
TW201621472A (zh) * | 2014-12-01 | 2016-06-16 | Asml荷蘭公司 | 用於獲得關於微影製造程序之診斷資訊的方法與裝置及包含診斷裝置的微影處理系統 |
JP2016194482A (ja) * | 2015-04-01 | 2016-11-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査方法および検査装置 |
TW201706590A (zh) * | 2015-05-28 | 2017-02-16 | 克萊譚克公司 | 用於在檢測工具上之動態看護區域產生的系統及方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Serge Belongie, Jitendra Malik and Jan Puzicha, "Shape Matching and Object Recognition Using Shape Contexts", IEEE Transactions on Pattern Analysis and Machine Intelligence, Vol.24, No.24, pp.509-522, April 2002 * |
Serge Belongie, Jitendra Malik and Jan Puzicha, "Shape Matching and Object Recognition Using Shape Contexts", IEEE Transactions on Pattern Analysis and Machine Intelligence, Vol.24, No.24, pp.509-522, April 2002。 |
Also Published As
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