TWI722562B - 自圖案化製程之圖案組判定候選圖案的方法 - Google Patents

Abstract

本文中所描述的係一種自一圖案化製程之一圖案組判定候選圖案之方法。該方法包括：獲得(i)一圖案化製程之一圖案組、(ii)具有一第一特徵及一第二特徵的一搜尋圖案、及(iii)在該搜尋圖案之該第一特徵與該第二特徵之間包含一相對位置的一第一搜尋條件；及自該圖案組判定滿足與該搜尋圖案之該第一特徵及該第二特徵相關聯的該第一搜尋條件之一第一候選圖案組。

Description

自圖案化製程之圖案組判定候選圖案的方法

本文中之描述大體上係關於一種圖案化製程及對所要圖案之搜尋。更特定地，本文中之描述係關於一種用於判定與所要圖案匹配之場圖案或基板圖案內的圖案之設備或方法。

微影設備為將所要圖案施加至基板之目標部分上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化裝置(將其替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用於產生對應於IC之個別層之電路圖案，且可使此圖案成像於具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如矽晶圓)上的目標部分(例如包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次曝光之鄰近目標部分之網路。已知微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束來掃描圖案同時平行或反平行於此方向來同步地掃描基板來輻照每一目標部分。

在將電路圖案自圖案化裝置轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受 其他工序，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤及經轉印電路圖案之量測/檢測。此工序陣列用作製造裝置(例如IC)之個別層的基礎。基板接著可經歷各種製程，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等，該等製程皆意欲精整裝置之個別層。若在裝置中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在裝置。接著藉由諸如切割或鋸切之技術來使此等裝置彼此分離，由此，可將個別裝置安裝於載體上、連接至銷釘等。

因此，製造諸如半導體裝置之裝置通常涉及使用若干製作製程來處理基板(例如半導體晶圓)以形成裝置之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此等層及特徵。可在基板上之複數個晶粒上製作多個裝置，且接著將該等裝置分離成個別裝置。可將此裝置製造製程視作圖案化製程。圖案化製程涉及圖案化步驟，諸如使用微影設備中之圖案化裝置來將圖案化裝置上的圖案轉印至基板之光學及/或奈米壓印微影，且圖案化製程通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影設備進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻設備來蝕刻圖案等。

根據一實施例，提供一種自一圖案化製程之一圖案組判定候選圖案之方法。該方法包括用於以下操作之步驟：獲得(i)一圖案化製程之一圖案組、(ii)具有一第一特徵及一第二特徵的一搜尋圖案、及(iii)在該搜尋圖案之該第一特徵與該第二特徵之間包含一相對位置的一第一搜尋條件；及經由一處理器自該圖案組判定滿足與該搜尋圖案之該第一特徵及該第二特徵相關聯的該第一搜尋條件之一第一候選圖案組。在一實施例 中，該第二特徵與該第一特徵鄰近。

在一實施例中，該相對位置界定在該搜尋圖案的該第一特徵之一元件與該第二特徵之一元件之間。

在一實施例中，該元件包含一邊緣及/或各別特徵之一頂點。

在一實施例中，該第一搜尋條件進一步包含與該等特徵之元件之間的該相對位置及/或該等特徵之一尺寸相關聯的一容許限度。

在一實施例中，該第一特徵與該第二特徵在一相同層上。

在一實施例中，該第一特徵與該第二特徵在不同層上。

在一實施例中，該方法進一步包括：獲得圍繞該搜尋圖案之一定界框及與該定界框及該搜尋圖案之一特徵相關聯的一第二搜尋條件；及經由該處理器自該第一候選圖案組判定滿足與該定界框相關聯的該第二搜尋條件之一第二候選圖案組。

在一實施例中，該第二搜尋條件包含該搜尋圖案之該特徵的一邊緣與該定界框之一邊緣之間的一相對位置。

在一實施例中，該相對位置為一距離及/或該搜尋圖案之該特徵的該邊緣與該定界框之該邊緣之間的一角度。

在一實施例中，該第二搜尋條件進一步包含相關聯於該搜尋圖案之該特徵的一元件與該定界框之間的該相對位置的一容許限度。

在一實施例中，該第二搜尋條件與該搜尋圖案之最接近該定界框的一特徵相關聯。

在一實施例中，該判定該第二候選圖案組進一步包括：比較該搜尋圖案之一特徵的一或多個參數與該圖案組之一特徵的對應一或多 個參數。

在一實施例中，其中該一或多個參數包含以下中之至少一者：該特徵之一邊緣；該特徵的大小；及該特徵之拓樸。

在一實施例中，該判定該第二候選圖案組進一步包括：基於該第二搜尋條件來調整圍繞該搜尋圖案之該定界框；及自該第一候選圖案組判定滿足與調整後的定界框相關聯的該第二搜尋條件之該第二候選圖案組。

在一實施例中，該調整該定界框包括：相對於場圖案之該特徵之該大小的增加及/或減小及該第二搜尋條件來增加及/或減小該定界框之該大小。

在一實施例中，該定界框之大小的一增加量及/或減小量在相關聯於該搜尋圖案之該特徵的元件與該定界框之間的該相對位置的該容許限度內。

在一實施例中，自一經印刷基板之圖案的一影像及/或該基板之經模擬圖案獲得該圖案組。

在一實施例中，自一掃描電子顯微鏡影像獲得該圖案組。

在一實施例中，該搜尋圖案包括複數個特徵，其中該複數個特徵在該基板之該相同層上及/或在該基板之不同層上。

此外，根據一實施例，提供一種自一圖案組判定候選圖案之方法。該方法包括：獲得(i)基於與一搜尋圖案之特徵相關聯的一第一搜尋條件的來自一圖案組的一第一候選圖案組、(ii)圍繞該搜尋圖案的一定界框、及(iii)與該定界框及該搜尋圖案之一特徵相關聯的一第二搜尋條件；及基於該第二搜尋條件自該第一候選圖案組判定一第二候選圖案組。

在一實施例中，該第二搜尋條件為一距離及/或該搜尋圖案之該特徵的該邊緣與該定界框之該邊緣之間的一角度。

在一實施例中，該第二搜尋條件進一步包含相關聯於該距離及/或該搜尋圖案之該特徵的一元件與該定界框之間的該角度的一容許限度。

在一實施例中，該判定該第二候選圖案組進一步包括：比較該搜尋圖案之一特徵的一或多個參數與該圖案組之一特徵的對應一或多個參數；及基於該比較自排除具有拓樸失配之圖案的該第一候選圖案組選擇一圖案子組。

在一實施例中，該一或多個參數包含以下中之至少一者：該特徵之一邊緣；該特徵的大小；及該特徵之拓樸。

在一實施例中，該判定該第二候選圖案組進一步包括：基於該第二搜尋條件來調整圍繞該搜尋圖案之該定界框；及自該第一候選圖案組判定滿足與該調整後的定界框相關聯的該第二搜尋條件之該第二候選圖案組。

在一實施例中，該調整該定界框包括：根據該場圖案之該特徵的該大小及該第二搜尋條件來增加及/或減小該定界框之該大小。

在一實施例中，該定界框之大小的一增加量及/或減小量在相關聯於該搜尋圖案之該特徵的元件與該定界框之間的該相對位置的該容許限度內。

此外，根據一實施例，提供一種自一圖案化製程之一圖案組判定候選圖案之方法。該方法包括：獲得(i)基於與一搜尋圖案之特徵相關聯的一第一搜尋條件的來自一圖案組的一第一候選圖案組、(ii)圍繞該 搜尋圖案的一定界框、及(iii)與該定界框及該搜尋圖案之一特徵相關聯的一第二搜尋條件；及基於該第二搜尋條件自該第一候選圖案組判定一第二候選圖案組，其中該第二候選圖案組包括一候選圖案，其具有不包括在該搜尋圖案中之一額外特徵。

在一實施例中，該額外特徵與該搜尋圖案之一特徵鄰近且在該定界框內。

在一實施例中，該額外特徵與該搜尋圖案之特徵在一相同層上及/或與該搜尋圖案之特徵在一不同層上。

在一實施例中，該額外特徵不與相對於該搜尋圖案之該等特徵或該定界框的約束相關聯。

在一實施例中，該判定該第二候選圖案組進一步包括：比較該搜尋圖案之一特徵的一或多個參數與該圖案組之一特徵的對應一或多個參數；及基於該比較自不排除具有拓樸失配之圖案的該第一候選圖案組選擇圖案。

在一實施例中，該一或多個參數包含以下中之至少一者：該特徵之一邊緣；該特徵的大小；及該特徵之拓樸。

此外，根據一實施例，提供一種自一圖案化製程之一圖案組判定候選圖案之方法。該方法包括：經由一介面在該搜尋圖案之一第一特徵與一第二特徵之間應用一第一條件；經由一處理器基於該第一約束在一圖案組上判定一第一候選圖案組；經由該介面繪製圍繞該搜尋圖案之一定界框；經由該介面在該第一特徵或該第二特徵與該定界框之間應用一第二條件；及經由該處理器基於該第二條件自該第一候選圖案組判定一第二候選圖案組，其中該第二候選圖案組包括一候選圖案，其具有不包括在該 搜尋圖案中之一額外特徵。

在一實施例中，該應用該第一條件包括：選擇該搜尋圖案的該第一特徵之一邊緣及該第二特徵之一邊緣；指派所選擇的邊緣之間的一距離；及/或針對該等所選擇的邊緣之間的該距離指派一容許限度。

此外，根據一實施例，提供一種產生一搜尋圖案資料庫之方法。該方法包括：獲得一圖案組，該圖案組中之一圖案包含複數個特徵；經由一介面將一組搜尋條件應用於該圖案組以產生一搜尋圖案組，其中一搜尋圖案與一搜尋條件相關聯；經由一處理器評估在與該圖案組之一或多個特徵相關聯的一或多個搜尋條件之間是否存在一衝突；及經由該處理器儲存該搜尋圖案組及不存在衝突之相關聯組搜尋條件。

在一實施例中，該評估該等衝突包括：識別該圖案組之具有相同搜尋條件的特徵；及/或判定該等搜尋條件是否超過與該圖案組中之一圖案的一特徵有關的一預定臨限值；及/或顯示所識別特徵來修改該等條件以消除衝突。

此外，根據一實施例，提供一種電腦程式產品，其包含其上記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施上文所論述之任何方法的步驟。

21:輻射光束

22:琢面化場鏡面裝置

24:琢面化光瞳鏡面裝置

26:經圖案化光束

28:反射元件

30:反射元件

81:帶電粒子束產生器

82:聚光器透鏡模組

83:探針形成物鏡模組

84:帶電粒子束偏轉模組

85:次級帶電粒子偵測器模組

86:影像形成模組

87:監測模組

89:樣本載物台

90:樣本

91:初級帶電粒子束

92:帶電粒子束探針

93:次級帶電粒子

94:次級帶電粒子偵測信號

100:基板/電腦系統

101:基板台

102:匯流排

104:處理器

105:處理器

106:主記憶體

108:唯讀記憶體

110:儲存裝置

112:顯示器

114:輸入裝置

116:游標控制件

118:通信介面

120:網路鏈路

122:區域網路

124:主機電腦

126:網際網路服務提供者

128:網際網路

130:伺服器

200:電子束檢測設備

201:電子源

202:初級電子束

203:聚光器透鏡

204:光束偏轉器

205:E×B偏轉器

206:物鏡

207:次級電子偵測器

208:類比/數位轉換器

210:EUV輻射發射電漿

211:源腔室

212:收集器腔室

220:圍封結構

221:開口

230:污染物截留器

240:光柵光譜濾光器

251:上游輻射收集器側

252:下游輻射收集器側

253:掠入射反射器

254:掠入射反射器

255:掠入射反射器

300:影像處理系統

301:儲存媒體/特徵/圖案邊界

302:顯示裝置

303:記憶體

304:處理單元

305:特徵

307:特徵

309:特徵

311:特徵

400:方法

401:圖案組

402:搜尋圖案

403:第一搜尋條件

404:第一候選圖案組

406:定界框

408:第二候選圖案組

500:方法

502:第一候選圖案組

503:定界框

504:第二搜尋條件

508:第二候選圖案組

600:方法

602:第一候選圖案組

603:定界框

605:第二搜尋條件

608:第二候選圖案組

700:方法

704:第一候選圖案組

706:定界框

750:第二候選圖案組

800:方法

802:圖案組

803:條件

900:搜尋圖案

901:特徵

911:特徵

913:特徵

920:定界框

1000:場圖案

1005:區

1013:圖案

1020:特徵

1021:子特徵

1022:子特徵

1023:子特徵

1024:子特徵

1025:子特徵

1026:子特徵

1027:特徵

1030:圖案

1101:第一定界框

1102:第二定界框

1103:第三定界框

1201:定界框

1202:定界框

1203:定界框

1301:定界框

1302:定界框

1303:定界框

1311:特徵

1312:特徵

1313:特徵

A:條件/量

AM:調整器

AS:對準感測器

B:輻射光束

BD:光束遞送系統

BK:烘烤板

C:目標部分/量

CH:冷卻板

CO:聚光器

d1:距離

d1±△d1:距離

d2:距離

d2±△d2:距離

d3:距離

d4:距離

d5:距離

d6:距離

d7:距離

d8:距離

DE:顯影器

E1:邊緣

E2:邊緣

E4:邊緣

IF:位置感測器

IL:照明系統

IN:積光器

I/O1:輸入/輸出埠

I/O2:輸入/輸出埠

LA:微影設備

LACU:微影控制單元

LAS:雷射

LB:裝載匣

LC:微影製造單元

LS:位階感測器

M1:圖案化裝置對準標記

M2:圖案化裝置對準標記

MA:圖案化裝置

MET:度量衡系統

MT:支撐結構

C:點虛線

P1:基板對準標記

P2:基板對準標記

P42:製程

P44:製程

P46:製程

P47:製程

P48:製程

P52:製程

P54:製程

P62:製程

P64:製程

P72:製程

P74:製程

P76:製程

P78:製程

P80:製程

P82:製程

P84:製程

P86:製程

P88:製程

PM:第一定位器

PS:投影系統

PS1:位置感測器

PS2:位置感測器

PW:第二定位器

RF:參考框架

RO:機器人

SC:旋塗器

SCS:監督控制系統

SO:輻射源

TCU:塗佈顯影系統控制單元

W:基板

WT:基板台

WTa:基板台

WTb:基板台

X:方向

Y:方向

Z:方向

△d1:容許限度

△d2:容許限度

圖1示意性地描繪根據實施例之微影設備。

圖2示意性地描繪根據實施例之微影製造單元或叢集之實施例。

圖3A至3C為根據實施例之與搜尋圖案相關聯的實例圖案定義。

圖4為根據實施例之自圖案化製程之圖案組判定候選圖案的方法之流程圖。

圖5為根據實施例之自圖案化製程之圖案組判定候選圖案的另一方法之流程圖。

圖6為根據實施例之自圖案化製程之圖案組判定候選圖案的又一方法之流程圖。

圖7為根據實施例之自圖案化製程之圖案組判定候選圖案的又一方法之流程圖。

圖8為根據實施例之用於產生搜尋圖案的方法之流程圖。

圖9為根據實施例之具有複數個特徵的搜尋圖案之實例。

圖10為根據實施例之場圖案或經印刷基板圖案之實例。

圖11A及11B為根據實施例之在自圖10之場圖案判定與圖9之搜尋圖案匹配的候選圖案組時所涉及之中間步驟的結果之快照。

圖12說明根據實施例之對圖11A及11B之定界框的實例調整。

圖13為根據實施例之第二候選圖案包括額外特徵之搜尋結果的實例。

圖14示意性地描繪根據實施例之掃描電子顯微鏡(SEM)之實施例。

圖15示意性地描繪根據實施例之電子束檢測設備之實施例。

圖16為根據實施例之實例電腦系統的方塊圖。

圖17為根據實施例之另一微影投影設備之示意圖。

圖18為根據實施例之圖17中之設備的更詳細視圖。

圖19為根據實施例之圖17及圖18之設備的源收集器模組之更詳細視圖。

現將參考圖式詳細地描述實施例，提供該等圖式作為說明性實例以便使熟習此項技術者能夠實踐該等實施例。值得注意的為，以下諸圖及實例不意謂將範疇限於單一實施例，但借助於所描述或所說明元件中之一些或全部的互換而使其他實施例係可能的。在任何方便之處，將貫穿圖式使用相同附圖標號以指相同或類似部分。在可使用已知組件來部分地或完全地實施此等實施例之某些元件的情況下，將僅描述理解該等實施例所必需之此等已知組件的彼等部分，且將省略此等已知組件之其他部分的詳細描述以免混淆該等實施例之描述。在本說明書中，展示單數組件之實施例不應視為限制性的；實情為，除非本文中另有明確陳述，否則範疇意欲涵蓋包括複數個相同組件之其他實施例，且反之亦然。此外，除非如此明確闡述，否則申請人不意欲使本說明書或申請專利範圍中之任何術語歸結於不常見或特定涵義。此外，範疇涵蓋本文中作為說明而提及之組件的目前及未來已知等效者。

在詳細地描述實施例之前，呈現可供實施實施例之實例環境具指導性。

圖1示意性地描繪微影設備LA之實施例。該設備包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構(例如光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如光 罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化裝置之第一定位器PM；- 基板台(例如晶圓台)WT(例如WTa、WTb或此兩者)，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化裝置MA向輻射光束B賦予之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒且常常稱作場)上，該投影系統支撐於參考框架(RF)上。

如此處所描繪，該設備屬於透射類型(例如採用透射性光罩)。可替代地，該設備可屬於反射類型(例如採用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或採用反射性光罩)。

照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影設備可為分離的實體。在此等情況下，不將源視為形成微影設備之部分，且輻射光束藉助於包含(例如)合適導向鏡面及/或擴束器之光束遞送系統BD自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當源為水銀燈時，源可為設備之整體部分。可將源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)稱作輻射系統。

照明器IL可變更光束之強度分佈。照明器可經配置以限制輻射光束之徑向範圍，使得在照明器IL的光瞳平面中之環形區內的強度分佈為非零的。另外或可替代地，照明器IL可操作以限制光束在光瞳平面中之分佈，使得在光瞳平面中的複數個等距間隔開之區段中的強度分佈為非零的。可將輻射光束在照明器IL之光瞳平面中之強度分佈稱作照明模式。

因此，照明器IL可包含經組態以調整光束之(角/空間)強度 分佈的調整器AM。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。照明器IL可操作以改變光束之角分佈。舉例而言，照明器可操作以變更強度分佈為非零的光瞳平面中之區段之數目及角範圍。藉由調整光束在照明器之光瞳平面中的強度分佈，可達成不同照明模式。舉例而言，藉由限制照明器IL之光瞳平面中的強度分佈之徑向範圍及角範圍，強度分佈可具有多極分佈，諸如例如偶極、四極或六極分佈。可例如藉由將提供所要照明模式之光學件插入至照明器IL中或使用空間光調變器來獲得彼照明模式。

照明器IL可操作以變更光束之偏振且可操作以使用調整器AM來調整偏振。可將跨越照明器IL之光瞳平面之輻射光束的偏振狀態稱作偏振模式。使用不同偏振模式可允許在形成於基板W上之影像中達成較大對比度。輻射光束可為非偏振的。可替代地，照明器可經配置以使輻射光束線性地偏振。輻射光束之偏振方向可跨越照明器IL之光瞳平面而變化。輻射之偏振方向在照明器IL之光瞳平面中之不同區中可為不同的。可取決於照明模式來選擇輻射之偏振狀態。對於多極照明模式，輻射光束之每一極之偏振可大體上垂直於照明器IL的光瞳平面中之彼極的位置向量。舉例而言，對於偶極照明模式，輻射可在實質上垂直於將偶極之兩個對置區段二等分之線的方向上線性地偏振。輻射光束可在兩個不同正交方向中之一者上偏振，可將其稱作X偏振狀態及Y偏振狀態。對於四極照明模式，每一極之區段中之輻射可在實質上垂直於將彼區段二等分的線之方向上線性地偏振。可將此偏振模式稱作XY偏振。相似地，對於六極照明模式，每一極之區段中之輻射可在實質上垂直於將彼區段二等分的線之方向上線性地偏振。可將此偏振模式稱作TE偏振。

另外，照明器IL一般包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

因此，照明器提供在橫截面中具有所要均一性及強度分佈的經調節輻射光束B。

支撐結構MT以取決於圖案化裝置之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如例如圖案化裝置是否固持於真空環境中)的方式支撐圖案化裝置。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置。支撐結構可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化裝置例如相相對於投影系統處於所要位置。可將本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用視為與更一般術語「圖案化裝置」同義。

本文中所使用之術語「圖案化裝置」應廣泛地解釋為係指可用於在基板的目標部分中賦予圖案之任何裝置。在一實施例中，圖案化裝置為可用於在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何裝置。應注意，舉例而言，若向輻射光束賦予之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不完全對應於基板之目標部分中的所要圖案。一般而言，向輻射光束賦予之圖案將對應於在目標部分中產生之裝置(諸如積體電路)中的特定功能層。

圖案化裝置可為透射的或反射的。圖案化裝置之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式 光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

本文中所使用之術語「投影系統」應廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體的使用或真空之使用之其他因數的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可將本文中對術語「投影透鏡」之任何使用視為與更一般術語「投影系統」同義。

投影系統PS具有可非均一且可影響成像於基板W上之圖案之光學轉移函數。對於非偏振輻射，此等影響可由兩個純量映圖(scalar map)極佳地描述，該等兩個純量映圖描述根據射出投影系統PS之輻射的光瞳平面中之位置而變化的該輻射之透射(變跡)及相對相位(像差)。可將可稱作透射映圖及相對相位映圖之此等純量映圖表達為基底函數之全集的線性組合。特別適宜的集合為任尼克(Zernike)多項式，其形成單位圓上所定義之正交多項式集合。每一純量映圖之判定可涉及判定此展開式中之係數。由於任尼克多項式在單位圓上正交，因此可藉由依次計算經量測純量映圖與每一任尼克多項式之內積且將此內積除以彼任尼克多項式之範數的平方來判定任尼克係數。

透射映圖及相對相位映圖係場及系統相依的。即，一般而言，每一投影系統PS將針對每一場點(亦即，針對投影系統之影像平面中之每一空間部位)具有不同任尼克展開式。可藉由經由投影系統PS對例如來自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化裝置MA之平面)中的類點源之輻射進行投影且使用剪切干涉計量測波前(亦即，具有相同相位之點的軌 跡)來判定投影系統PS在其光瞳平面中之相對相位。剪切干涉計為共同路徑干涉計且因此，有利地，無需次級參考光束來量測波前。剪切干涉計可包含投影系統(亦即，基板台WT)之影像平面中的繞射光柵(例如二維柵格)及經配置以偵測與投影系統PS之光瞳平面共軛的平面中之干涉圖案的偵測器。干涉圖案與輻射之相位相對於在剪切方向上的光瞳平面中之座標的導數有關。偵測器可包含感測元件陣列，諸如例如電荷耦合裝置(CCD)。

微影設備之投影系統PS可不產生可見條紋，且因此，可使用相位步進技術(諸如例如移動繞射光柵)來增強波前判定之準確度。可在繞射光柵之平面中及在垂直於量測之掃描方向的方向上執行步進。步進範圍可為一個光柵週期，且可使用至少三個(均一地分佈)相位步進。因此，舉例而言，可在y方向上執行三個掃描量測，在x方向上針對不同位置執行每一掃描量測。繞射光柵之此步進將相位變化有效地變換成強度變化，從而允許判定相位資訊。光柵可在垂直於繞射光柵之方向(z方向)上步進以校準偵測器。

可在兩個垂直方向上依序地掃描繞射光柵，該等兩個垂直方向可與投影系統PS之座標系統的軸線(x及y)重合或可與此等軸線成諸如45度的角。可在整數個光柵週期(例如一個光柵週期)中執行掃描。該掃描使在一個方向上之相位變化達到平均數，從而允許重新建構在另一方向上之相位變化。此情形允許根據兩個方向來判定波前。

可藉由經由投影系統PS對例如來自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化裝置MA之平面)中的類點源之輻射進行投影且使用偵測器量測與投影系統PS的光瞳平面共軛之平面中的輻射強度來判定投影系統PS在其光瞳平面中之透射(變跡)。可使用與用於量測波前以判定像差之偵 測器相同的偵測器。

投影系統PS可包含複數個光學(例如透鏡)元件且可進一步包含調整機構AM，其經組態以調整該等光學元件中之一或多者以便校正像差(跨越整個場中之光瞳平面的相位變化)。為了達成此校正，調整機構可操作以按一或多種不同方式操控投影系統PS內之一或多個光學(例如透鏡)元件。投影系統可具有座標系統，其中該投影系統之光軸在z方向上延伸。調整機構可操作以進行以下各者之任何組合：使一或多個光學元件位移；使一或多個光學元件傾斜；及/或使一或多個光學元件變形。光學元件之位移可在任何方向(x、y、z或其組合)上進行。光學元件之傾斜通常藉由圍繞在x及/或y方向上之軸線旋轉而在垂直於光軸的平面之外進行，但對於非旋轉對稱之非球面光學元件，可使用圍繞z軸之旋轉。光學元件之變形可包括低頻形狀(例如散光)及/或高頻形狀(例如自由形式非球面)。可例如藉由使用一或多個致動器以對光學元件之一或多個側施加力及/或藉由使用一或多個加熱元件以對光學元件之一或多個所選擇區進行加熱來執行光學元件的變形。一般而言，不可能調整投影系統PS以校正變跡(跨越光瞳平面之透射變化)。在設計用於微影設備LA之圖案化裝置(例如光罩)MA時，可使用投影系統PS之透射映圖。使用運算微影技術，圖案化裝置MA可經設計為用以至少部分地校正變跡。

微影設備可屬於具有兩個(雙載物台)或更多個台(例如兩個或更多個基板台WTa、WTb、兩個或更多個圖案化裝置台、在無專用於例如促進量測及/或清潔等之基板的投影系統下方之基板台WTa及基板台WTb)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而 言，可進行使用對準感測器AS之對準量測及/或使用位階感測器LS之位階(高度、傾角等)量測。

微影設備亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如圖案化裝置與投影系統之間的空間。熟知浸潤技術在此項技術中用於增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

因此，在微影設備之操作中，輻射光束經調節且由照明系統IL提供。輻射光束B入射於固持在支撐結構(例如光罩台)MT上之圖案化裝置(例如光罩)MA上，且由該圖案化裝置進行圖案化。在橫穿圖案化裝置MA之後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將光束聚焦於基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉裝置、線性編碼器、2-D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用於例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B的路徑來準確地定位圖案化裝置MA。一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)的情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管所說明之基 板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(將此等標記稱為切割道對準標記)。相似地，在將多於一個晶粒設置於圖案化裝置MA上之情況下，圖案化裝置對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪的設備可用於以下模式下之至少一者中：

1.在步進模式下，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止，同時將向輻射光束賦予之整個圖案一次性投影至目標部分C上(亦即，單次靜態曝光)。接著使基板台WT在X方向及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式下，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像的目標部分C之大小。

2.在掃描模式下，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT，同時將向輻射光束賦予之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式下，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式下，在將向輻射光束賦予之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式下，通常採用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要來更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可採用對上文所描述之使用模式之組合及/或變體或完全不同的使用模式。

儘管在本文中可具體地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可將本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用視為分別與更一般的術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且使經曝光之抗蝕劑顯影的工具)或度量衡工具或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用之情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。

如本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在5nm至20nm之範圍內的波長)以及粒子束，諸如離子束或電子束。

圖案化裝置上或由圖案化裝置提供之各種圖案可具有不同製程窗，亦即，將在規格內產生圖案所根據之處理變數的空間。關於潛在系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查頸縮、線端拉回、線薄化、CD、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。可藉由合併每一個別圖案之製程窗(例如使該等製程窗重疊)來獲得圖案化裝置或其區域上之所有圖案的製程窗。所有圖案之製程窗之邊界含有個別圖案中的一些之製程窗的邊界。換言之，此等個別圖案限制所有圖案之製程窗。可將此等圖案稱作「熱點」或「製程窗限制圖案(PWLP)」，「熱點」與「製程 窗限制圖案(PWLP)」在本文中可互換使用。當控制圖案化製程之一部分時，集中於熱點為可能且經濟的。當熱點無缺陷時，最有可能的係所有圖案皆無缺陷。

如圖2中所展示，微影設備LA可形成微影製造單元LC(有時亦稱作微影單元或叢集)之部分，微影製造單元亦包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程之設備。習知地，此等設備包括用以沈積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以使經曝光之抗蝕劑顯影的一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取一或多個基板，在不同製程設備之間移動該一或多個基板且將該一或多個基板遞送至微影設備之裝載匣LB。常常統稱為塗佈顯影系統之此等設備處於塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該塗佈顯影系統控制單元自身受監督控制系統SCS控制，該監督控制系統亦經由微影控制單元LACU來控制微影設備。因此，不同設備可經操作以使產出率及處理效率最大化。

為了正確且一致地曝光由微影設備曝光之基板及/或為了監測包括至少一個圖案轉印步驟(例如光學微影步驟)之圖案化製程(例如裝置製造製程)的一部分，需要檢測基板或其他物件以量測或判定一或多個性質，諸如對準、疊對(其可例如在上覆層中之結構之間或在已藉由例如雙重圖案化製程而分別提供至相同層的該層中之結構之間)、線厚度、臨界尺寸(CD)、焦點偏移、材料性質等。因此，微影單元LC所處之製造設施通常亦包括度量衡系統MET，該度量衡系統量測已在該微影單元中進行處理的基板W中的一些或全部或該微影單元中之其他物件。度量衡系統MET可為微影單元LC之部分，例如，其可為微影設備LA之部分(諸如對 準感測器AS)。

一或多個經量測參數可包括例如：形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對、例如形成於經圖案化基板中或上之特徵的臨界尺寸(CD)(例如臨界線寬)、光學微影步驟之焦點或聚焦誤差、光學微影步驟之劑量或劑量誤差、光學微影步驟的光學像差等。可對產品基板自身之目標及/或對設置於基板上之專用度量衡目標執行此量測。可在抗蝕劑顯影之後但在蝕刻之前執行量測，或可在蝕刻之後執行量測。

存在用於對在圖案化製程中形成之結構進行量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡、基於影像之量測工具及/或各種特殊化工具。如上文所論述，特殊化度量衡工具之快速及非侵入性形式為輻射光束經導向至基板之表面上的目標上且量測經散射(經繞射/經反射)光束之性質的度量衡工具。藉由評估由基板散射之輻射之一或多個性質，可判定基板的一或多個性質。可將此稱為基於繞射之度量衡。此基於繞射之度量衡之一個此應用係在目標內的特徵不對稱性之量測中。此特徵不對稱性之量測可用作例如疊對之量測，但其他應用亦係已知的。舉例而言，可藉由比較繞射光譜之相對部分(例如比較週期性光柵之繞射光譜中的-1階與+1階)來量測不對稱性。此量測可如上文所描述來完成，且如例如以全文引用之方式併入本文中之美國專利申請公開案US 2006-066855中所描述來完成。基於繞射之度量衡之另一應用係在目標內的特徵寬度(CD)之量測中。此等技術可使用下文所描述之設備及方法。

因此，在裝置製作製程(例如圖案化製程或微影製程)中，基板或其他物件可在製程期間或之後經受各種類型之量測。該量測可判定特定基板是否有缺陷，可建立對製程及用於製程中之設備的調整(例如將 基板上之兩個層對準或將圖案化裝置對準至基板)，可量測製程及設備之效能或可用於其他目的。量測之實例包括光學成像(例如光學顯微鏡)、非成像光學量測(例如基於繞射之量測，諸如ASML YieldStar度量衡工具、ASML SMASH度量衡系統)、機械量測(例如使用觸控筆之剖面探測、原子力顯微法(AFM))及/或非光學成像(例如掃描電子顯微法(SEM))。如以全文引用之方式併入本文中之美國專利第6,961,116號中所描述的SMASH(智慧型對準感測器混合式)系統採用自參考干涉計，該自參考干涉計產生對準標記物之兩個重疊且相對旋轉之影像，偵測在使影像的傅立葉變換(Fourier transforms)進行干涉之光瞳平面中之強度，且自兩個影像的繞射階之間的相位差提取位置資訊，該相位差表現為干涉階中之強度變化。

可將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光(尤其在可足夠迅速且快速完成檢測使得該批次之一或多個其他基板仍待曝光的情況下)及/或經曝光之基板之後續曝光進行調整。此外，可將已曝光之基板剝離及重工以改良良率，或捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之情況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。

在度量衡系統MET內，度量衡設備用於判定基板之一或多個性質，且特定而言，判定不同基板之一或多個性質如何變化或相同基板的不同層在不同層間如何變化。如上文所提及，度量衡設備可整合至微影設備LA或微影單元LC中，或可為獨立式裝置。

為了實現度量衡，可在基板上設置一或多個目標。在一實施例中，目標經專門設計且可包含週期性結構。在一實施例中，目標為裝置圖案之一部分，例如為裝置圖案之週期性結構。在一實施例中，裝置圖 案為記憶體裝置之週期性結構(例如雙極電晶體(BPT)、位元線接點(BLC)等結構)。

在一實施例中，基板上之目標可包含一或多個1-D週期性結構(例如光柵)，其經印刷成使得在顯影之後，週期性結構特徵由固體抗蝕劑線形成。在一實施例中，目標可包含一或多個2-D週期性結構(例如光柵)，其經印刷成使得在顯影之後，該一或多個週期性結構由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。桿體、導柱或通孔可替代地經蝕刻至基板中(例如經蝕刻至基板上之一或多個層中)。

技術節點變得更小且設計圖案變得更加複雜，因此圖案化製程不可避免地在晶圓上印刷不良圖案或缺陷。同樣，應改良與例如圖案化製程之預OPC製程、缺陷偵測製程、圖案驗證製程、重定目標製程等有關的若干製程及圖案化配方。對於此等改良，可評估晶片上之數千個圖案。運用節點縮放，用以實現設計檢查及重定目標之設計規則已變得極其複雜，從而致使用於例如OPC應用中之經改良圖案可管理性及圖案識別的基於圖案之規則的出現。

現有圖案識別或圖案搜尋途徑使得使用者能夠將所要圖案界定為其期望找到的內容之精確複本。可用與圖案之特徵有關的不同數目之自由度(例如形狀、大小、邊緣粗糙度等)來界定所要圖案，使得可在全晶片佈局中搜尋相似圖案。當執行用以掃描設計佈局(可互換地稱作場圖案)之圖案搜尋以圖案匹配所要圖案(亦稱作搜尋圖案)時，一旦現有演算法依據待搜尋之圖案數目突破某一拐點(或臨限值)，該等算法即變得過於昂貴。

現有圖案匹配方法或演算法具有若干限制，包括在界定模 糊圖案(例如搜尋圖案)中之過度限制性，其中搜尋功能僅偵測或掃描全晶片中期望找到之所有內容。所要搜尋圖案與場佈局圖案之間的拓樸差受到過於嚴格的限制，從而使得使用者必須產生額外圖案來補償搜尋圖案之定義中的低效率及不靈活性，或開發額外條件或軟體組件來縮小由於與搜尋圖案之定義有關的限制而造成的搜尋結果差距。

舉例而言，將用於OPC目的之搜尋演算法或方法視為過慢，尤其在圖案計數增加超出例如數千個從而限制使用者可在圖案庫中具有之圖案數目時。

本發明提供一種例如在搜尋相似圖案時依據較大靈活性之圖案搜尋之經提高搜尋能力，即使在大量圖案下將拓樸定義控制在比其他當前途徑更精細的程度(例如不限制特徵之精確形狀及大小或固定集合)且更快速執行之能力。

圖3A至3C為與搜尋圖案相關聯的實例圖案定義(亦稱作條件或規格)及使用當前工具之有關問題。在圖3A中，提供基於柵格之搜尋，其中相對於柵格界定與特徵(諸如圖案(例如E形圖案)之301、307、309及311)有關的約束。此外，圖案具有進一步限制搜尋邊界的邊界301。此基於柵格的定義不具有對圖案條件之按邊緣控制(per-edge control)。舉例而言，不清楚條件「A」是適用於特徵309之邊緣「E1」抑或是適用於特徵305之邊緣「E2」。因此，舉例而言，若條件「A」指示使邊緣移動或位移一定的量，則不清楚在搜尋製程期間是否應移動邊緣E1或E2。因此，當找到條件「A」或比較該條件與場圖案中之圖案時，搜尋可產生不正確圖案。

在圖3B中，圖案之邊緣(例如E1及E2)與圖案邊界301重 合，且此等邊緣無法相對於圖案邊界301移動或固定。移動此等邊緣(例如E1及E2)引起圖案邊界內之拓樸變化(例如形狀變化)。舉例而言，若邊緣E1移動一定量「C」(實例約束)或邊緣E2移動一定量「A」，則圖案之拓樸改變。此等拓樸變化在現有工具中為不可接受的，藉此搜尋可以不經執行或可產生不正確搜尋結果。然而，本發明允許此等拓樸變化，同時仍找到搜尋圖案與場圖案之間的圖案匹配。

圖3C說明圖案定義或約束之另一實例，其中特徵311之邊緣E4應在豎直地下游方向上(沿著y軸)移位一定量「A」，使得其變為與特徵307之另一平行邊緣共線。然而，由於此約束亦會引起拓樸變化，因此在現有工具中並未允許此約束。

本發明論述用於界定基於搜尋條件來判定搜尋圖案與場圖案之間的匹配圖案之靈活搜尋條件之若干方法。

一般而言，一或多種方法涉及若干步驟或製程。舉例而言，方法可涉及用於建立搜尋圖案資料庫之第一製程。搜尋圖案資料庫之設置涉及將不同條件應用於複數個圖案，其中該等條件包括例如圖案之不同特徵之間的相對位置及對應於該相對位置的容許範圍。

在一實施例中，該方法涉及其中可基於選自搜尋圖案資料庫之搜尋圖案及與該搜尋圖案相關聯的條件在搜尋空間中執行圖案搜尋之第二製程。在一實施例中，可由使用者經由介面界定此搜尋圖案。第二製程產生可基於第二組條件進一步篩選的第一候選圖案。

在一實施例中，該方法涉及其中可基於第一候選圖案及定界框執行另一圖案搜尋之第三製程。搜尋產生第二候選圖案。因此，搜尋空間逐漸地減小，使得可對第二候選圖案執行更多的規則檢查(例如尺 寸、座標、邊緣粗糙度、對緣置放(edge-to-edge placement)等)以找到與搜尋圖案之良好匹配或精確匹配。由於對數目減少之候選圖案執行檢查，因此更準確的搜尋結果以快速且高效之方式(例如使用較少運算時間及運算資源)而獲得。

在一實施例中，該方法可涉及其中可對第二候選圖案執行最終檢查之第四製程。最終檢查可涉及設計規則檢查(例如EPE、CD、形狀或其他幾何性質檢查)以找到與搜尋圖案之良好匹配。可藉由允許靈活圖案搜尋來定位具有額外特徵之圖案以找到其他額外圖案，藉此搜尋可找到與搜尋圖案之拓樸可能不精確圖案匹配之圖案。

在一實施例中，本發明之方法描述場圖案(例如設計佈局)內的與搜尋圖案匹配之圖案的搜尋。為了提供高效搜尋且獲得可靠搜尋結果，必須界定適合的搜尋條件。該等方法涉及界定以下條件，諸如任意兩個邊緣(包括位於任一圖案層處的邊緣)之間的可允許位移。條件可包括獨立於圖案層之邊緣。亦可相對於圖案之邊界邊緣界定條件。在(搜尋圖案之)特徵之所有邊緣附著於條件的情況下，可執行所要搜尋空間內的圖案之較快搜尋，此係由於結果之量相較於未經約束搜尋將為較少的。因此，在一實施例中，可能需要界定針對特徵之每一邊緣的條件或特徵之邊緣之間的條件。此外，該等方法藉由允許多邊形及邊緣浮動(例如在容許限度內可移動/可調整大小)來提供拓樸匹配之增加的靈活性。此外，該等方法根據使用者意欲匹配之內容(例如搜尋圖案)來實現定界框之動態行為。通常，定界框為在尺寸上固定之構造(亦即，在形狀或大小方面無法進行調整或修改)，此構造界定圖案內的不應該存在特徵(不同於待搜尋之特徵)之部位。

在一實施例中，可對基板或基板之影像執行對圖案之搜尋，以找到滿足某些搜尋準則(諸如特定搜尋圖案及與該特定搜尋圖案相關聯的條件(或約束))之圖案。在一實施例中，此搜尋涉及特定圖案與基板上之圖案的拓樸匹配(例如將不同特徵之間的相對位置與特徵之輪廓匹配)。作為實例，術語「基板圖案」、「場圖案」或「搜尋空間」可在本文中互換使用以指設計圖案。然而，本發明不限於設計圖案，熟習此項技術者可將相似搜尋方法應用於搜尋空間，該搜尋空間包含可自經印刷基板之影像獲得之基板上的圖案或基板之經模擬圖案。在一實施例中，特定搜尋圖案可包括與例如場圖案中之數千個圖案(或圖案中之特徵)進行比較的一或多個特徵。接著，滿足搜尋準則之場圖案構成候選圖案以供進一步搜尋，例如以供將與定界框相關聯的額外搜尋準則圖案匹配(稍後在本發明中進行解釋)。候選圖案可互換地稱作「可行圖案」、「搜尋結果」、「可行組」或「解空間」。

基於不同搜尋準則的逐步搜尋逐漸地縮小搜尋空間，從而更快地執行搜尋方法或演算法。舉例而言，該等方法允許N*log(N)之執行時間，而慣例方法具有更高執行時間，諸如N²、c^N或更高。此外，搜尋演算法或方法之一或多個製程可基於跨越一或多個處理器(例如電腦系統100之處理器104中的一或多者)的分佈架構進行分佈，以進一步加快搜尋。

圖4為根據實施例之用於自圖案化製程之圖案組判定候選圖案的方法400之流程圖。方法400在製程P42中涉及獲得(i)圖案化製程之圖案組401、(ii)具有第一特徵及第二特徵之搜尋圖案402及(iii)包含搜尋圖案的第一特徵與第二特徵之間的相對位置之第一搜尋條件403。第一特 徵可存在於第二特徵附近(例如感興趣區內部)。在一實施例中，第二特徵與第一特徵鄰近。

在一實施例中，圖案組401係指對應於圖案化製程之圖案及使用搜尋圖案執行搜尋之空間。圖案組可互換地稱作「搜尋空間」或「場圖案」。在一實施例中，可將圖案組表示為自經印刷基板獲得之圖案的影像及/或基板上之經模擬圖案。在一實施例中，可自圖案之影像提取圖案組。在一實施例中，圖案組以搜尋友好格式(諸如字串或關係資料庫表)進行表示。在一實施例中，自掃描電子顯微鏡獲得對應於經印刷基板之圖案組。

搜尋圖案402可為意欲與例如基板圖案(例如經印刷圖案或經模擬圖案)匹配之任何感興趣圖案(例如設計佈局或該設計佈局中之設計圖案或使用者定義的圖案)。搜尋圖案402可包括單一特徵(例如接觸孔、桿體、線等)或彼此鄰近置放的複數個特徵。在圖9中說明搜尋圖案之實例。在一實施例中，搜尋圖案402與特定搜尋條件(例如搜尋條件403)相關聯，以使得能夠對來自搜尋空間(例如經印刷基板之影像)的潛在匹配候選進行高效篩選。在一實施例中，可將搜尋圖案402(例如設計佈局)儲存於資料庫中，且可按需求擷取該搜尋圖案。在一實施例中，可以GDS格式或用於搜尋之其他適合的格式儲存及/或提供搜尋圖案402。

在一實施例中，搜尋圖案402包括複數個特徵，其中該複數個特徵中之一或多者在基板之相同層上及/或在基板的不同層上。在一實施例中，第一特徵與第二特徵在相同層上。在一實施例中，第一特徵與第二特徵在不同層上。舉例而言，第一特徵(例如接觸孔)可在基板之第一層上，且第二特徵(例如另一接觸孔或桿體)可在基板之第二層上。因此， 本發明方法允許獨立於基板之層來匹配圖案。

搜尋條件403為與搜尋圖案402之一或多個特徵相關聯的任何條件或約束。舉例而言，搜尋條件403為與搜尋圖案的第一特徵及同第一特徵鄰近的第二特徵相關聯的條件。在一實施例中，搜尋條件包括搜尋圖案的第一特徵之元件與第二特徵的元件之間的相對位置。在一實施例中，相對位置可在水平方向上、在豎直方向上及/或在角方向上。在一實施例中，特徵之元件包含特徵之邊緣及/或頂點。在一實施例中，特徵之邊緣可與一或多個約束相關聯。舉例而言，第一特徵之第一邊緣可與具有第二特徵之第一邊緣的水平約束相關聯，且第一特徵之第一邊緣可與具有第三特徵之第一邊緣的另一約束相關聯。在一實施例中，搜尋條件403可為第一特徵之邊緣與第二特徵的邊緣之間的距離(例如20nm)。

在一實施例中，搜尋條件403可為與搜尋圖案之複數個特徵相關聯的一組條件，例如設計圖案的第一特徵之邊緣及第二特徵之邊緣。在一實施例中，可按需求自資料庫(例如電腦系統100之記憶體或可經由電腦系統100存取的遠端服務)儲存及擷取搜尋圖案402。相似地，搜尋條件403可與搜尋圖案402相關聯，且可自相同資料庫儲存及擷取。在一實施例中，搜尋條件可呈指令碼(例如作為python指令碼之條件陳述)形式，且實施方法400之處理器可經組態以接收指令碼。

另外或可替代地，搜尋條件403包括與特徵之元件之間的相對位置及/或特徵之尺寸相關聯的容許限度。容許限度指定在不背離設計圖案之所要功能性的情況下允許第一特徵相對於第二特徵(或其他約束特徵)移動多少。特徵之移動係指在約束方向(例如水平、豎直、成角度等)上的移動(例如移位或旋轉)。舉例而言，第一特徵之邊緣與第二特徵 的邊緣之間的距離在水平方向上可為20nm±1nm，藉此允許邊緣相對於彼此移動1nm。

該方法在製程P44中涉及經由處理器(例如電腦系統100之處理器104)自圖案組401判定滿足與搜尋圖案402的第一特徵及第二特徵相關聯的搜尋條件之第一候選圖案組404。

第一候選圖案組404為圖案組401內的圖案(例如基板圖案)，該等圖案為與滿足第一搜尋條件之搜尋圖案402之拓樸匹配。在一實施例中，若滿足搜尋條件，則將第一候選圖案組404視為匹配。舉例而言，搜尋條件403可為圖案之特徵的邊緣之間的相對位置。此第一候選圖案組404可具有或可不具有與搜尋圖案相似的形狀、大小、對緣或與其他幾何形狀有關的匹配。因此，可對第一候選圖案組404執行額外條件檢查以找到圖案組401內的匹配圖案。第一候選圖案組404實質上將搜尋空間縮小至子組。對於此子組，可執行定界框內的額外匹配(例如點對點匹配、形狀、大小等)以進一步縮小搜尋結果。

在一實施例中，可以字串格式表示搜尋圖案402、第一搜尋條件403及圖案組401中的圖案，該字串格式允許基於字串之比較及搜尋。此基於字串之搜尋亦減少搜尋演算法或方法之運行時間。

在一實施例中，可經由解析搜尋圖案及候選圖案來識別搜尋圖案402及候選圖案(例如第一候選圖案組或第二候選圖案組)之特徵。在一實施例中，解析為經組態以在相對較大的搜尋空間中識別感興趣物件(例如特徵)之演算法。在解析後，可產生含有與感興趣物件有關的資訊(諸如部位、大小、形狀等)之檔案。此外，所解析資訊可例如經由雜湊而轉換成字串。資訊之字串表示使得能夠進行資訊(例如搜尋圖案之特徵與 場圖案的特徵)之間的較快比較。

該方法在製程P46中涉及獲得圍繞搜尋圖案402之定界框406及與定界框406及搜尋圖案402之特徵相關聯的第二搜尋條件。在一實施例中，可例如經由繪製工具之使用者介面獲得定界框406，該繪製工具允許使用者繪製圍繞搜尋圖案402之邊界(例如成矩形形狀)。在一實施例中，定界框可基於搜尋圖案402之最外特徵的座標來界定。

在一實施例中，定界框406經界定為圍繞搜尋圖案402之封閉邊界，以將搜尋限制於封閉邊界內之特徵。舉例而言，圖9說明圍繞搜尋圖案900之特徵901、911、913的定界框920，其將搜尋限制於特徵之此組合。在一實施例中，在基於定界框之搜尋期間，具有不同於搜尋圖案之特徵(例如901、911及913)的任何額外特徵之圖案可視為非匹配圖案，且因此將其忽略。

在一實施例中，第二搜尋條件為與定界框406(例如920)及搜尋圖案402之一或多個特徵(例如901、911及/或913)相關聯的任何條件。在一實施例中，第二搜尋條件與搜尋圖案402之最接近定界框406的特徵相關聯。在一實施例中，第二搜尋條件包括特徵之邊緣與定界框的邊緣之間的相對位置。在一實施例中，相對位置為距離及/或搜尋圖案402之特徵的邊緣與定界框406之邊緣之間的角。可替代地或另外，第二搜尋條件亦可包括相關聯於搜尋圖案402之特徵的元件與定界框406之間的相對位置的容許限度。容許限度使得能夠相對於搜尋圖案的特徵之大小來動態調整定界框406。因此，即使(搜尋空間的)某些特徵之大小與搜尋圖案之特徵的大小不完全相同，但仍在容許限度內，亦可找到匹配。

在一實施例中，例如，在製程P47中，定界框406可經組態 以基於相對於定界框界定之條件來動態改變大小及形狀。接著，可基於此經動態修改之定界框來執行搜尋。舉例而言，第一條件與第一特徵及定界框相關聯，第二條件與第二特徵及定界框相關聯。定界框之此動態行為在對不完全匹配例如搜尋圖案402之大小及形狀的圖案之搜尋方面提供了增加的靈活性(相較於固定之定界框)。

在一實施例中，可相對於與定界框406相關聯的條件執行更靈活之搜尋。在此靈活搜尋中，即使搜尋圖案與基板圖案之拓樸因額外特徵而不同，亦可將具有不同於搜尋圖案之特徵的額外特徵之圖案識別為匹配圖案。在一實施例中，具有此等額外特徵之圖案可表示故障或缺陷，且此圖案可例如在故障識別或分類方面受到關注。相對於圖13說明及論述此搜尋之實例結果。

該方法在製程P48中涉及經由處理器(例如電腦系統100之處理器104)自第一候選圖案組404判定滿足與定界框406相關聯的第二搜尋條件之第二候選圖案組408。

在一實施例中，判定第二候選圖案組408涉及比較搜尋圖案402之特徵的一或多個參數與圖案組401之特徵的對應一或多個參數；及基於比較自排除具有拓樸失配之圖案的第一候選圖案組404選擇圖案子組。拓樸失配係指具有特徵之圖案，該等特徵與搜尋圖案中之特徵不具有相似或精確的形狀。舉例而言，可排除在搜尋圖案之兩個特徵之間具有額外特徵的圖案，此係由於額外特徵會改變搜尋圖案之拓樸。

在一實施例中，一或多個參數包括以下中之至少一者：特徵之邊緣、特徵的大小及特徵之拓樸。舉例而言，參數可為幾何參數(諸如搜尋圖案的特徵之邊緣的長度、特徵之邊緣粗糙度、特徵之CD等)，可 比較該幾何參數與對應於場圖案之特徵的參數。比較可涉及運算兩個特徵之參數之間的差，及判定差是否突破(例如大於或小於)臨限值。回應於差未突破臨限值，據稱找到搜尋圖案與場圖案之間的匹配，否則未找到匹配。

如先前所提及，定界框406可具有動態行為，其中可修改/調整定界框406之大小及/或形狀。在一實施例中，判定第二候選圖案組408進一步包括：基於第二搜尋條件之特徵的大小來調整圍繞搜尋圖案402之定界框406，且自來自圖案組401的第一候選圖案組404判定滿足與調整後的定界框相關聯的第二搜尋條件之第二候選圖案組408。在一實施例中，定界框之調整受與第一搜尋條件、第二搜尋條件及/或特徵之參數相關聯的容許限度限制。

在一實施例中，調整定界框406包括：相對於場圖案之特徵的大小來增加及/或減小定界框之大小。在一實施例中，定界框之大小的增加量及/或減小量在同特徵之元件與定界框之間的相對位置相關聯的容許限度內。

此外，如先前所提及，搜尋圖案402可包括複數個特徵。該複數個特徵可在基板之相同層上或在基板之不同層上。在一實施例中，當執行搜尋圖案與場圖案之間的比較(例如在定界框內)時，在可將特徵之間的空間視為空的時，僅比較搜尋圖案之特徵。同樣，當在搜尋圖案402之特徵之間存在額外特徵時，則可將場圖案之彼部分視為與搜尋圖案失配或不匹配。

圖5為判定匹配圖案之方法的另一實例流程圖。方法500在製程P52中獲得(i)基於與搜尋圖案(例如402)之特徵相關聯的第一搜尋條件 的來自圖案組(例如401)的第一候選圖案組502、(ii)圍繞搜尋圖案的定界框503及(iii)與定界框及搜尋圖案之特徵相關聯的第二搜尋條件504。

在一實施例中，獲得第一候選圖案組502涉及將處理器(例如104)組態以接收圖案502。在一實施例中，可在不同處理器上以與相對於方法400之製程P44所論述的相似的方式產生第一候選圖案組502，且經由網路將其傳輸至處理器(例如104)。此外，如上文所論述，可在製程P46中獲得定界框503(與定界框406相似)。另外，可例如經由經組態以在搜尋圖案(例如圖9之900)上輸入約束之介面及包圍搜尋圖案的定界框503獲得第二搜尋條件504。第二搜尋條件504與方法400中所論述的第二搜尋條件相似。

此外，方法500在製程P52中涉及經由處理器(例如處理器104)基於第二搜尋條件自第一候選圖案組判定第二候選圖案組508。在一實施例中，製程P52與上文所論述之製程P48相似。相對於稍後在本發明中論述之圖10至12說明此搜尋之實例。

在一實施例中，判定第二候選圖案組508涉及比較搜尋圖案之特徵的一或多個參數與圖案組之特徵的對應一或多個參數；及基於比較自排除具有拓樸失配之圖案的第一候選圖案組502選擇圖案子組。在一實施例中，如先前在P48中所論述，比較涉及比較以下中之至少一者：特徵之邊緣、特徵的大小及特徵之拓樸。在一實施例中，對子組之選擇係基於邊緣、大小、拓樸及/或其他因數之間的此比較，使得選擇具有與搜尋圖案相似的特徵特性之圖案。在一實施例中，所選擇的圖案可為或可不為與搜尋圖案之精確匹配。

圖6為判定匹配圖案之方法600的另一實例流程圖。與方法 400及方法500相似，方法600亦涉及基於各別搜尋條件來判定第一候選圖案組及第二候選圖案組。另外，方法600使得能夠搜尋具有不同於定界框內的搜尋圖案之特徵的額外特徵之圖案。同樣，即使此等圖案不係拓樸匹配，方法600亦可提供額外圖案作為搜尋結果。此靈活搜尋例如對允許經改良光學近接校正(OPC)為高度符合需要的。

方法600在製程P62中涉及獲得(i)基於與搜尋圖案(例如402)之特徵相關聯的第一搜尋條件的來自圖案組(例如401)的第一候選圖案組602、(ii)圍繞搜尋圖案的定界框603及(iii)與定界框及搜尋圖案之特徵相關聯的第二搜尋條件605。

方法600在製程P64中涉及基於第二搜尋條件自第一候選圖案組602判定第二候選圖案組608，其中該第二候選圖案組608包括候選圖案，其具有不包括在搜尋圖案中之額外特徵。相對於稍後在本發明中論述之圖13說明實例搜尋結果。

在一實施例中，判定第二候選圖案組涉及比較搜尋圖案之特徵的一或多個參數與圖案組之特徵的對應一或多個參數；及基於比較自不排除具有拓樸失配之圖案的第一候選圖案組選擇圖案。因此，方法600與方法400及500不同，此係由於其允許使用者偵測額外圖案。在一實施例中，此方法可用於缺陷偵測及/或預防，其中額外特徵可構成缺陷。

在一實施例中，可將額外特徵定義為與搜尋圖案之特徵鄰近或接觸且在定界框內之任何特徵。在一實施例中，額外特徵與搜尋圖案之特徵在相同層上或與搜尋圖案之特徵在不同層上。在一實施例中，額外特徵不與相對於搜尋圖案之特徵或定界框的約束相關聯。因此，根據實施例，搜尋結果包括不與搜尋條件(例如第一搜尋條件或第二搜尋條件)相關 聯的圖案。

此外，如先前所提及，搜尋圖案可包括複數個特徵。在一實施例中(例如方法400及500)，當執行搜尋圖案與場圖案之間的比較(例如在定界框內)時，在可將特徵之間的空間視為空的時，僅比較搜尋圖案之特徵。同樣，當在搜尋圖案之特徵之間存在額外特徵時，則可將場圖案之彼部分視為與搜尋圖案失配或不匹配。然而，在一實施例中，方法600使得能夠識別具有額外特徵之場圖案上的部分，該場圖案將為與搜尋圖案之匹配。熟習此項技術者可理解，亦可在其他方法(諸如方法400及500)中且在不限制本發明之範疇的情況下實施此靈活搜尋。

圖7為判定匹配圖案之方法700的實例流程圖。方法700在製程P72中涉及經由使用者介面在搜尋圖案(例如402)的第一特徵與第二特徵之間應用第一搜尋條件。在一實施例中，應用第一搜尋條件包括：選擇搜尋圖案的第一特徵之邊緣及第二特徵之邊緣；指派所選擇的邊緣之間的距離；及/或針對所選擇的邊緣之間的該距離指派容許限度。圖9說明諸如在指派了距離d1±△d1的特徵901與911之邊緣之間應用第一搜尋條件之實例，其中△d1為針對距離d1之容許限度。在另一實例中，在特徵911與913之間指派距離d2±△d2，其中△d2為針對距離d2之容許限度。

在一實施例中，應用條件涉及在搜尋圖案之不同特徵之間的軟體中界定條件陳述。舉例而言，可將特徵之邊緣之間的前述距離(d1及d2)表達為條件陳述，其可進一步用於程式中以判定是滿足抑或是不滿足此等條件陳述。在一實施例中，可經由經組態以顯示搜尋圖案、選擇搜尋圖案之特徵及其元件或用以界定條件/約束之其他交互功能性的介面，基於使用者輸入來界定條件陳述或將其轉換成條件陳述。在一實施例中， 亦可經由應用程式設計介面(API)來應用/界定此等條件，該應用程式設計介面可為python指令碼API。

在一實施例中，使用者可選擇例如兩個邊緣且在所選擇的邊緣之間提供容許限度(亦即，最小差及最大差)。舉例而言，可在搜尋圖案內選擇第一特徵之第一邊緣及第二特徵之第一邊緣。接著，可指派邊緣之間的距離以及所選擇的邊緣之間的距離中之最小可允許變化及最大可允許變化。相似地，可界定相同特徵之兩個邊緣之間的距離(例如CD)。此外，此等距離及容許限度充當搜尋條件，其中掃描場圖案以搜尋滿足此距離及容許限度之圖案。

方法700在製程P74中涉及基於第一搜尋條件自圖案組判定第一候選圖案組704。在一實施例中，第一候選圖案組704為先前所論述之候選402、502或602之實例。判定第一候選圖案組704與方法400之製程P44相似。

此外，方法700在製程P76中涉及繪製圍繞搜尋圖案之定界框706。在一實施例中，定界框706為先前所論述之定界框503或603之實例。在圖9中說明定界框706之另一實例(諸如920)。在一實施例中，可獲得定界框706作為使用者輸入、電腦程式可讀之指令碼或表示資訊之其他方式。在一實施例中，由使用者經由使用者介面圍繞搜尋圖案繪製定界框706。舉例而言，在圖9中，使用者繪製圍繞特徵901、911及913之矩形定界框920。此定界框920提供用於界定要界定的額外限制的結構，以進一步自第一候選圖案組濾除圖案。

方法700在製程P78中涉及在第一特徵或第二特徵與定界框之間應用第二搜尋條件。在一實施例中，可以與在製程P72中論述之第一 搜尋條件相似的方式應用第二搜尋條件。

方法700在製程P80中涉及基於第二搜尋條件自第一候選圖案組判定第二候選圖案組750，其中該第二候選圖案組包括候選圖案，其具有不包括在該搜尋圖案中之額外特徵。在一實施例中，製程P80與先前所論述之製程P64相似。

在一實施例中，可根據下文所論述之方法800來產生用於方法400、500、600及700中之搜尋圖案，且將該搜尋圖案儲存於資料庫中以便在執行方法400至700之製程期間例如經由網路或其他資料擷取技術進行存取。

圖8為用於產生搜尋圖案資料庫的方法之實例流程圖。該方法在製程P82中涉及獲得圖案組802。在一實施例中，圖案組802中之圖案包括複數個特徵。在一實施例中，圖案組802包括複數個圖案，例如第一圖案具有第一複數個特徵且第二圖案具有第二複數個特徵。圖案組802可為設計圖案、使用者定義之圖案或任何其他圖案，諸如在製程中頻繁出現之圖案或不頻繁出現之圖案，比如缺陷。

此外，製程P84涉及將一組條件803(亦稱作約束)應用於圖案組以產生搜尋圖案組，其中搜尋圖案為圖案組802內的與搜尋條件相關聯的圖案。在一實施例中，可以與在方法700之製程P72中所論述之方式相似的方式應用條件803。在一實施例中，該組條件803包括複數個條件803。舉例而言，第一組條件與圖案組802中之第一圖案相關聯，第二組條件與圖案組802中之第二圖案相關聯，依此類推。同樣，存在一或多個條件803可相似或不同從而產生衝突之可能性。

在指派條件之後，製程P86涉及評估在不同圖案之間相關 聯的一或多個搜尋條件之間是否存在衝突。舉例而言，第一搜尋圖案之一或多個特徵與第二搜尋圖案的一或多個特徵之間的衝突。此衝突檢查確保在不同圖案中存在恆定且獨特的條件。熟習此項技術者可理解，並非圖案組中之每一圖案皆可經印刷於基板上，同樣並非圖案組802中之所有圖案皆可在基板圖案(或場圖案)中找到。

在一實施例中，評估衝突包括：識別具有相同搜尋條件之一或多個特徵或識別搜尋條件是否超過圖案組中之圖案的預定臨限值；及顯示具有衝突條件之所識別特徵。

此外，製程P88涉及產生且儲存搜尋圖案組及不存在衝突之相關聯組搜尋條件。此搜尋圖案組構成搜尋圖案之資料庫。可自資料庫選擇及擷取一或多個圖案以對場圖案執行搜尋。

圖9為具有複數個特徵901、911、913的搜尋圖案900之實例。如先前所提及，特徵可位於基板之相同層上或不同層上且不限制本發明之範疇。在一實施例中，特徵可位於基板之第一層上及/或第二層上。舉例而言，第一層包括第一特徵901，且第二層包括第一特徵901及第二特徵911。在一實施例中，第一約束或第一組條件可包括特徵901、911與913之間的一或多個距離。舉例而言，距離d1及d2可為特徵之間的第一組條件或約束。另外，可向一或多個距離指派容許限度，諸如△d1及△d2。此外，第一組條件可包括特徵之CD，諸如特徵913之CD為48nm；另外，亦可指派諸如±5nm的容許限度。在一實施例中，可將具有第一組條件之此搜尋圖案儲存於資料庫中，且可按需求針對資料庫選擇此搜尋圖案。

在一實施例中，搜尋圖案可由定界框920包圍。定界框920 可繪製成使得定界框920封閉特徵901、911及913。在一實施例中，定界框可按層界定。此外，可相對於定界框920界定第二組條件或約束。取決於第二組條件，可自動調整定界框以在大小(諸如長度(例如沿著x方向或水平方向)及/或高度(例如沿著y方向或豎直方向))上進行增加或減小。在一實施例中，若不存在向高度或長度指派之約束，則可自動將定界框調整至合理大小，例如最初繪製之大小的1.2倍、1.5倍、2倍等。

在一實施例中，可執行另一處理以將與以上圖案(例如大小、部位、條件等)有關之資訊轉換成機器可讀格式，諸如條件陳述、python指令碼等。此機器可讀格式使得能夠搜尋、比較、匹配且/或判定搜尋空間內之相關匹配圖案，諸如場圖案1000(在圖10中)。在一實施例中，搜尋圖案900及場圖案1000為用於解釋本發明之概念的圖案之例示性視覺表示。圖案900及1000之格式不限制本發明之範疇。

圖10為場圖案1000或經印刷基板圖案之實例。場圖案1000包括形成於第一層上之複數個特徵，諸如具有子特徵1021、1022、1023、1025、1026及1027的特徵1020。在一實施例中，場圖案可為以影像(例如SEM影像)形式或以表示基板上的圖案之另一資料格式(例如字串)獲得之基板圖案。

在一實施例中，可基於圖9中所界定之第一組條件來判定第一候選組。舉例而言，處理器可經組態(如方法400至700中所論述)以搜尋與搜尋圖案相似之圖案，尤其具有特徵901、911及913同時亦滿足第一組條件之圖案。接著，提取滿足此第一組條件之場圖案，從而將搜尋空間減小至例如區1005。在一實施例中，儘管相較於搜尋圖案之特徵913，特徵1021、1022、1023、1025、1026、1027具有不同大小，但此場圖案依 據例如相對於鄰近圖案之相對位置及對應容許限度等滿足第一組條件。

如相對於圖11A、11B、12及13所論述，一旦獲得第一圖案組，即可基於定界框及第二組約束來判定第二圖案組。步驟/製程之以下描述僅為例示性的且不限制本發明之範疇。一般熟習此項技術者可修改步驟(例如如方法400至700中所論述)，以獲得第二候選圖案組。

圖11A及11B為自場圖案判定與搜尋圖案匹配之第二候選圖案組中所涉及之中間步驟的結果之快照。在一實施例中，可圍繞場圖案中的類似於搜尋圖案之一或多個圖案產生定界框。在一實施例中，圍繞圖案1013、1030及1021產生第一定界框1101。圍繞圖案1013、1030及1022產生第二定界框1102。圍繞圖案1013、1030及1023產生第三定界框1103。

將一或多個圖案識別為如先前所論述之第一圖案組。在定界框內，可建立獨特映射，其中將搜尋圖案中之每一特徵(或多邊形形狀)映射至場圖案(或多邊形形狀)。定界框可或可不與圖9中所界定之定界框相同。舉例而言，將特徵901、911及913映射至1013、1030及1021(或1022及1023)。

此等定界框(以及第二組條件)進一步減小搜尋空間，由於自場圖案評估相對較少數目之物件，藉此在搜尋、匹配及比較操作期間改良運算時間。此減小搜尋空間，使程式高效，尤其在考慮到可能存在數百萬個要評估之圖案的情況下。因此，本發明方法運用較少數目之運算資源較快地執行圖案搜尋。

定界框1101、1102及1103可具有相同大小或不同大小。在一實施例中，定界框彼此分離且不重疊。在圖11A中，定界框1101、1102 及1103具有相似大小及形狀，但定界框1101、1102及1103並非分別以諸如1021、1022及1023之場圖案為中心。在一實施例中，不調節/約束定界框之高度，藉此定界框之高度可與圖9中所界定之高度不同。在後續製程中，可基於第二組條件/約束來調整此等定界框，此等條件/約束界定在搜尋圖案之特徵與圖9中的定界框920之間。

在一實施例中，製程(例如方法400至700之P48、P54、P64或P80)可經組態以錨定圍繞第一候選圖案組中之場圖案的定界框1101、1102及1103。錨定係指相對於場圖案中之圖案為定界框建立參考位置。舉例而言，圖11B說明相對於作為參考點或設置點之圖案1021、1022及1023的中心錨定定界框。如圖11B中所展示，一旦建立錨定，即相對於此參考位置使定界框1101、1102及1003移位以提供搜尋空間，從而可針對該搜尋空間執行對場圖案中之圖案的進一步篩選。

定界框1101、1102及1103(在圖11A及11B中)不與高度(或y方向)約束相關聯，因此此等框在y方向上不受約束，但可取決於場圖案內之圖案的大小在x方向(或水平方向)上受到限制或調節。此外，可將第二組約束應用於定界框以進一步減小場圖案之搜尋空間。舉例而言，可調整定界框之大小，且可執行其他評估以判定是否滿足相對於搜尋圖案之特徵的第二條件。

圖12說明對圖11A及11B之定界框的實例調整。在圖12中，定界框1201、1202及1203分別為定界框1101、1102及1103之調整大小的版本。在一實施例中，可根據在方法400至700中所論述之製程來執行調整。在一實施例中，對定界框之調整可基於定界框內的特徵之大小及/或第二條件(例如特徵的邊緣與定界框之間的距離)。舉例而言，特徵 1021、1022及1023具有不同大小(例如CD值分別為45nm、48nm及64nm)。因此，分別根據圖案1021、1022及1023之大小來調整定界框1201、1202及1203。另外(或可替代地)，調整可基於約束。舉例而言，可基於(圖9中所界定之)搜尋圖案900的特徵(例如901及913)之間的距離d3及d4(及其對應容許限度)來調整第一定界框1201。調整可涉及對定界框之寬度及/或高度的調整。相似地，可基於(圖9中所界定之)搜尋圖案900的特徵(例如901及913)之間的距離d5及d6(及其對應容許限度)來調整第二定界框1202。相似地，可基於(圖9中所界定之)搜尋圖案900的特徵(例如901及913)之間的距離d7及d8(及其對應容許限度)來調整第三定界框1203。在以上實例中，在調整後，定界框1201、1202及1203分別具有不同大小，例如130nm、134nm及150nm，且每一定界框之高度相同。熟習此項技術者可理解，本發明不限於以上實例，或可判定基於第二條件或第一條件之前述調整及任何其他調整。

在一實施例中，定界內之一些場圖案可以不滿足第二條件(例如距離、容許度、特徵大小等)，在此情況下，將此等圖案視為非匹配圖案且可自搜尋空間將其濾除。

圖13為其中第二候選圖案在定界框內包括額外特徵(亦即，不同於搜尋圖案之圖案)之搜尋結果的實例。如在方法800之製程P80中所論述，可獲得此等結果。在一實施例中，定界框內之特徵可以不與搜尋圖案之特徵完全映射。舉例而言，可以不將分別在定界框1301、1302及1303內之額外特徵1311、1312及1313映射至搜尋圖案之特徵(例如901、911及913)。額外特徵位於不同特徵之間的空的空間內，且與對應於搜尋圖案之一或多個特徵鄰近。相較於例如定界框1101至1103，定界 框1301、1302及1303具有允許此靈活搜尋定位額外圖案之額外性質。因此，取決於定界框之動態行為，可獲得不同搜尋結果。

以上方法具有若干優點且提供對目前先進技術之改良。舉例而言，在一實施例中，方法允許使用者界定搜尋條件以包括獨立於(基板之)層的邊緣。此外，邊界條件可界定在搜尋圖案中之任何邊緣與圖案的定界框之間。與定界框有關之條件界定成使得定界框(或甚至特徵)可相對於仍固定於位置中之參考變大或縮小一定量。舉例而言，定界框可水平地變大或水平地縮小。另外，允許定界框(或定界框內之特徵)在設置的容許限度內移位。因此，方法藉由在特徵之邊緣與定界框之間應用適合的條件來允許按邊緣控制。舉例而言，定界框不僅應相對於特徵大小變大20nm，而且亦應相對於特徵之最接近定界框的邊緣移位10nm。設計者極為需要此靈活性，以基於上文所論述之搜尋結果經由配方或OPC變化來改良圖案化製程。

搜尋諸如設計佈局或經印刷基板之搜尋空間內的所要圖案之以上方法可具有若干應用，包括預OPC步驟中的重定目標、驗證製程、缺陷識別及預防，或其中需要印刷具有特定規格之圖案的其他應用。

在一實施例中，以上方法可用於重定目標製程，其為預OPC步驟。通常，重定目標製程涉及調整設計佈局中之圖案的邊緣以考慮圖案化製程中之抗蝕劑、蝕刻及/或其他製程變化。舉例而言，相較於目標規格，正方形或接觸孔之大小可增加，可將線製造得稍微較寬等。在一實施例中，重定目標製程為全局製程，其中若找到符合具體條件(比如寬度、空間、y nm寬度(例如y=15nm、20nm、30nm......)、y nm空間(例如y=5nm、7nm、10nm......)等)之某些邊緣，則可能需要將此等特 徵元件(例如邊緣)移動一定量(例如在容許限度內)，使得更準確地(例如更接近目標規格)印刷所要圖案。在一實施例中，邊緣之此移動可為基於台的，其在設計中涉及大量之兩個維度(例如在x方向及y方向上之距離/寬度/高度)。移動邊緣之規則可呈變成複雜的多維台之台形式，且現存方法使得能夠以並行方式高效地執行及檢查多個台中之規則。在設計圖案或基板圖案之高度複雜區域中，可能無法正確地應用重定目標(例如對邊緣之調整)。然而，需要花費大量的精力來重新使必須擬合具有複雜圖案之彼特定局部區域的重定目標之配方合格或更新該重定目標之配方。運用本發明方法，可搜尋特定圖案(例如搜尋圖案900)以定位重定目標誤差之區域。本發明方法允許以使用者可在下一或不同設計上找到與重定目標有關之圖案的方式模糊特定圖案(例如在容許限度內改變特徵關係/位置)。當在下一設計中找到圖案時，可執行「穿過」操作。穿過操作涉及將圖案(例如重定目標之圖案/經修改圖案)儲存在不同層上，例如可將圖案儲存為用於搜尋目的之第一層的一部分，且第二層可包括在界定重定目標之配方之後的最終解決方案。在一實施例中，使用模糊圖案之搜尋可涉及識別重定目標之部位，且接著在匹配之部位處，對匹配結果(亦即，匹配部位處之圖案)進行額外後處理。在一實施例中，額外處理可涉及例如應用具體重定目標之邊緣或偏置邊緣，及/或運用穿過層(例如第一層)之圖案擋住圖案。因此，方法有助於更佳地覆蓋當前場圖案，且適當地將使用者導向至重定目標之配方失效之圖案及其部位。

在一實施例中，本發明之方法可用於圖案驗證。通常，執行製程模擬以預測諸如OPC圖案之圖案或基板上之圖案，接著相對於所要圖案或設計佈局上之圖案執行驗證以識別具有缺陷的圖案。

對經預測之有缺陷圖案之進一步驗證可經由度量衡工具(例如SEM)在經印刷基板上執行。該度量衡工具可找到或可找不到此等缺陷，或找到在驗證製程中所識別的圖案的範疇之外的其他缺陷。在驗證製程中遺漏某些缺陷可存在問題，此係由於此等遺漏之缺陷可經印刷於基板上，且可能無法覆蓋在模擬及驗證製程期間使用的製程模型。在一實施例中，可能需要調整製程參數或製程流程，但不必改變製程模型或改變製程配方。由於此調整對於得到不同模型配方而言既耗時又費力。因此自度量衡工具(例如SEM影像)識別之有缺陷圖案可經圖案化(例如將其轉換成搜尋圖案)。在(藉由來自度量衡工具之資料識別的)有缺陷圖案之圖案化期間，可藉由新增條件(例如相對位置、容許限度等)來調適有缺陷圖案，且可將此圖案用作搜尋圖案。可將此額外搜尋圖案包括在驗證製程中，且驗證製程可補充有額外圖案搜尋。

在一實施例中，本發明方法可用於缺陷預防。在製作中之圖案化製程期間，可對晶圓執行兩種類型之檢測。首先，經由檢測工具(例如SEM)之資料庫或晶圓晶粒中的引導檢測，其用以查找缺陷(例如所要圖案影像與晶圓圖案影像之間的信號失配)及具有缺陷之旗標圖案或部位。此旗標通常為關於預測在下一晶粒上或下一晶圓上將要發生的事件之良好指示符。因此，儘管此等缺陷圖案可能位於基於模擬之圖案外部，但驗證製程仍將找到此等缺陷圖案。雖然此等基於模擬之缺陷圖案中之一些為交界性缺陷或實質性缺陷，但此等基於模擬的缺陷圖案中之一些可為多餘或虛假缺陷(例如，40%或50%之所識別缺陷可為虛假的或不展示晶圓缺陷中之資訊清單)。因此，本發明方法可用於產生對此等有缺陷圖案之搜尋，且進一步使用搜尋圖案來識別可能失效之晶圓上的部位。接著，適 合的缺陷預防量測諸如OPC，可採用重定目標。

如先前所提及，常常運用基於光學件之次解析度工具(sub-resolution tool)來完成例如半導體晶圓之檢測(亮場檢測)。但在一些情況下，待量測之某些特徵過小以致於不能使用亮場檢測有效量測。舉例而言，半導體裝置之特徵中之缺陷的亮場檢測可具有挑戰性。此外，隨著時間推移，使用圖案化製程製造之特徵(例如使用微影製造之半導體特徵)變得愈來愈小，且在許多情況下，特徵之密度亦增加。因此，使用且需要更高解析度之檢測技術。實例檢測技術為電子束檢測。電子束檢測涉及將電子束聚焦於待檢測之基板上之小光點上。影像藉由以下操作形成：在所檢測基板之區域上在光束與基板之間提供相對移動(在下文中稱作掃描電子束)且運用電子偵測器收集次級散射電子及/或反向散射電子。接著處理該影像資料以例如識別缺陷。

因此，在一實施例中，檢測設備可為得到曝光或轉印於基板上之結構(例如裝置(諸如積體電路)之某一結構或全部結構)之影像的電子束檢測設備(例如與掃描電子顯微鏡(SEM)相同或相似)。

圖14示意性地描繪電子束檢測設備200之實施例。自電子源201發射之初級電子束202由聚光器透鏡203會聚，且接著穿過光束偏轉器204、E×B偏轉器205及物鏡206以在焦點下輻照基板台101上之基板100。

當運用電子束202輻照基板100時，由基板100產生次級電子。該等次級電子由E×B偏轉器205偏轉且由次級電子偵測器207偵測。二維電子束影像可藉由與以下操作同步地偵測自樣本產生之電子而獲得：例如藉由光束偏轉器204來二維掃描電子束或藉由光束偏轉器204在X方向 或Y方向上重複掃描電子束202，以及藉由基板台101在X方向或Y方向中之另一者上連續移動基板100。因此，在一實施例中，電子束檢測設備具有用於由角程界定之電子束的視場，電子束可由電子束檢測設備提供至該角程(例如偏轉器204可藉以提供電子束202之角程)中。因此，該視場之空間範圍為電子束之角程可照射於表面上所達的空間範圍(其中該表面可為靜止的或可相對於該場移動)。

藉由類比/數位(A/D)轉換器208將由次級電子偵測器207偵測到之信號轉換成數位信號，且將該數位信號發送至影像處理系統300。在一實施例中，影像處理系統300可具有用以儲存數位影像中之全部或部分以供處理單元304處理的記憶體303。處理單元304(例如經專門設計之硬體或硬體與軟體之組合或包含軟體之電腦可讀媒體)經組態以將數位影像轉換或處理成表示數位影像之資料集。在一實施例中，處理單元304經組態或經程式化以致使執行本文中所描述之方法。此外，影像處理系統300可具有經組態以將數位影像及對應資料集儲存於參考資料庫中之儲存媒體301。顯示裝置302可與影像處理系統300連接，使得操作者可藉助於圖形使用者介面進行裝備之必要操作。

圖15示意性地說明檢測設備之另一實施例。該系統用於檢測樣本載物台89上之樣本90(諸如基板)且包含帶電粒子束產生器81、聚光器透鏡模組82、探針形成物鏡模組83、帶電粒子束偏轉模組84、次級帶電粒子偵測器模組85及影像形成模組86。

帶電粒子束產生器81產生初級帶電粒子束91。聚光器透鏡模組82將所產生之初級帶電粒子束91聚光。探針形成物鏡模組83將經聚光初級帶電粒子束聚焦成帶電粒子束探針92。帶電粒子束偏轉模組84跨 越緊固於樣本載物台89上之樣本90上的所關注區域之表面掃描所形成之帶電粒子束探針92。在一實施例中，帶電粒子束產生器81、聚光器透鏡模組82及探針形成物鏡模組83或其等效設計、替代方案或其任何組合一起形成產生掃描帶電粒子束探針92之帶電粒子束探針產生器。

次級帶電粒子偵測器模組85偵測在由帶電粒子束探針92轟擊後即自樣本表面發射的次級帶電粒子93(亦可能與來自樣本表面之其他經反射或經散射帶電粒子一起)，以產生次級帶電粒子偵測信號94。影像形成模組86(例如運算裝置)與次級帶電粒子偵測器模組85耦接以自次級帶電粒子偵測器模組85接收次級帶電粒子偵測信號94，且相應地形成至少一個經掃描影像。在一實施例中，次級帶電粒子偵測器模組85及影像形成模組86或其等效設計、替代方案或其任何組合一起形成影像形成設備，其用由帶電粒子束探針92轟擊的自樣本90發射的偵測到之次級帶電粒子形成經掃描影像。

在一實施例中，監測模組87耦接至影像形成設備之影像形成模組86以對圖案化製程進行監測、控制等，及/或使用自影像形成模組86接收到之樣本90的經掃描影像來導出用於圖案化製程設計、控制、監測等的參數。因此，在一實施例中，監測模組87經組態或經程式化以致使執行本文中所描述之方法。在一實施例中，監測模組87包含運算裝置。在一實施例中，監測模組87包含用以提供本文中之功能性且經編碼於形成監測模組87或安置於該監測模組內的電腦可讀媒體上之電腦程式。

在一實施例中，如使用探針來檢測基板之圖14之電子束檢測工具，圖15的系統中之電子電流相較於例如諸如圖14中所描繪之CD SEM顯著更大，以使得探針光點足夠大以使得檢測速度可較快。然而，由 於探針光點較大，因此解析度可能不與CD SEM之解析度一樣高。在一實施例中，在不限制本發明之範疇的情況下，上文論述之檢測設備(圖13或14中)可為單光束設備或多光束設備。

可處理來自例如圖14及/或圖15之系統的SEM影像以提取影像中描述表示裝置結構之物件的邊緣之輪廓。接著通常在使用者定義之切線處經由諸如CD之度量量化此等輪廓。因此，通常經由度量(諸如在經提取輪廓上量測之對緣距離(CD)或影像之間的簡單像素差)來比較及量化裝置結構之影像。

根據實施例，提供一種自圖案化製程之圖案組判定候選圖案之方法。該方法包括用於以下操作之步驟：獲得(i)圖案化製程的圖案組、(ii)具有第一特徵及與該第一特徵鄰近之第二特徵的搜尋圖案、及(iii)在該搜尋圖案之第一特徵與第二特徵之間包含相對位置的第一搜尋條件；及經由處理器自該圖案組判定滿足與搜尋圖案之第一特徵及第二特徵相關聯的第一搜尋條件之第一候選圖案組。

在一實施例中，相對位置界定在搜尋圖案的第一特徵之元件與第二特徵的元件之間。

在一實施例中，該元件包含邊緣及/或各別特徵之頂點。

在一實施例中，第一搜尋條件進一步包含與特徵之元件之間的相對位置及/或特徵之尺寸相關聯的容許限度。

在一實施例中，第一特徵與第二特徵在相同層上。

在一實施例中，第一特徵與第二特徵在不同層上。

在一實施例中，該方法進一步包括：獲得圍繞搜尋圖案之定界框及與該定界框及搜尋圖案之特徵相關聯的第二搜尋條件；及經由處 理器自第一候選圖案組判定滿足與定界框相關聯的第二搜尋條件之第二候選圖案組。

在一實施例中，第二搜尋條件包含搜尋圖案之特徵的邊緣與定界框之邊緣之間的相對位置。

在一實施例中，相對位置為距離及/或搜尋圖案之特徵的邊緣與定界框之邊緣之間的角度。

在一實施例中，第二搜尋條件進一步包含相關聯於搜尋圖案之特徵的元件與定界框之間的相對位置的容許限度。

在一實施例中，第二搜尋條件與搜尋圖案之最接近定界框的特徵相關聯。

在一實施例中，判定第二候選圖案組進一步包括：比較搜尋圖案之特徵的一或多個參數與圖案組之特徵的對應一或多個參數。

在一實施例中，其中該一或多個參數包含以下中之至少一者：特徵之邊緣；特徵的大小；及特徵之拓樸。

在一實施例中，判定第二候選圖案組進一步包括：基於第二搜尋條件來調整圍繞搜尋圖案之定界框；及自第一候選圖案組判定滿足與調整後的定界框相關聯的第二搜尋條件之第二候選圖案組。

在一實施例中，調整定界框包括：相對於場圖案之特徵之大小的增加及/或減小及第二搜尋條件來增加及/或減小定界框之大小。

在一實施例中，定界框之大小的增加量及/或減小量在相關聯於搜尋圖案之特徵的元件與定界框之間的相對位置的容許限度內。

在一實施例中，自經印刷基板之圖案的影像及/或基板之經模擬圖案獲得圖案組。

在一實施例中，自掃描電子顯微鏡影像獲得圖案組。

在一實施例中，搜尋圖案包括複數個特徵，其中該複數個特徵在基板之相同層上及/或在基板之不同層上。

此外，根據實施例，提供一種自圖案組判定候選圖案之方法。該方法包括：獲得(i)基於與搜尋圖案之特徵相關聯的第一搜尋條件的來自圖案組的第一候選圖案組、(ii)圍繞搜尋圖案的定界框、及(iii)與該定界框及搜尋圖案之特徵相關聯的第二搜尋條件；及基於該第二搜尋條件自第一候選圖案組判定第二候選圖案組。

在一實施例中，第二搜尋條件為距離及/或搜尋圖案之特徵的邊緣與定界框之邊緣之間的角度。

在一實施例中，第二搜尋條件進一步包含同距離及/或搜尋圖案之特徵的元件與定界框之間的角度相關聯的容許限度。

在一實施例中，判定第二候選圖案組進一步包括：比較搜尋圖案之特徵的一或多個參數與圖案組之特徵的對應一或多個參數；及基於比較自排除具有拓樸失配之圖案的第一候選圖案組選擇圖案子組。

在一實施例中，該一或多個參數包含以下中之至少一者：特徵之邊緣；特徵的大小；及特徵之拓樸。

在一實施例中，判定第二候選圖案組進一步包括：基於第二搜尋條件來調整圍繞搜尋圖案之定界框；及自第一候選圖案組判定滿足與調整後的定界框相關聯的第二搜尋條件之第二候選圖案組。

在一實施例中，調整定界框包括：根據場圖案之特徵的大小及第二搜尋條件來增加及/或減小定界框之大小。

在一實施例中，定界框之大小的增加量及/或減小量在相關 聯於搜尋圖案之特徵的元件與定界框之間的相對位置的容許限度內。

此外，根據實施例，提供一種自圖案化製程之圖案組判定候選圖案之方法。該方法包括：獲得(i)基於與搜尋圖案之特徵相關聯的第一搜尋條件的來自圖案組的第一候選圖案組、(ii)圍繞搜尋圖案的定界框、及(iii)與該定界框及搜尋圖案之特徵相關聯的第二搜尋條件；及基於該第二搜尋條件自第一候選圖案組判定第二候選圖案組，其中該第二候選圖案組包括候選圖案，其具有不包括在搜尋圖案中之額外特徵。

在一實施例中，該額外特徵與搜尋圖案之特徵鄰近且在定界框內。

在一實施例中，額外特徵與搜尋圖案之特徵在相同層上及/或與搜尋圖案之特徵在不同層上。

在一實施例中，額外特徵不與相對於搜尋圖案之特徵或定界框的約束相關聯。

在一實施例中，判定第二候選圖案組進一步包括：比較搜尋圖案之特徵的一或多個參數與圖案組之特徵的對應一或多個參數；及基於該比較自不排除具有拓樸失配之圖案的第一候選圖案組選擇圖案。

在一實施例中，該一或多個參數包含以下中之至少一者：特徵之邊緣；特徵的大小；及特徵之拓樸。

此外，根據實施例，提供一種自圖案化製程之圖案組判定候選圖案之方法。該方法包括：經由介面在搜尋圖案之第一特徵與第二特徵之間應用第一條件；經由處理器基於第一約束在圖案組上判定第一候選圖案組；經由介面繪製圍繞搜尋圖案的定界框；經由介面在第一特徵或第二特徵與定界框之間應用第二條件；及經由處理器基於該第二條件自第一 候選圖案組判定第二候選圖案組，其中該第二候選圖案組包括候選圖案，其具有不包括在搜尋圖案中之額外特徵。

在一實施例中，應用第一條件包括：選擇搜尋圖案的第一特徵之邊緣及第二特徵之邊緣；指派所選擇的邊緣之間的距離；及/或針對所選擇的邊緣之間的該距離指派容許限度。

此外，根據實施例，提供一種產生搜尋圖案資料庫之方法。該方法包括：獲得圖案組，該圖案組中之圖案包含複數個特徵；經由介面將一組搜尋條件應用於圖案組以產生搜尋圖案組，其中搜尋圖案與搜尋條件相關聯；經由處理器評估在與圖案組之一或多個特徵相關聯的一或多個搜尋條件之間是否存在衝突；及經由處理器儲存搜尋圖案組及不存在衝突之相關聯組搜尋條件。

在一實施例中，評估衝突包括：識別圖案組之具有相同搜尋條件的特徵；及/或判定搜尋條件是否超過與圖案組中之圖案的特徵有關的預定臨限值；及/或顯示所識別特徵來修改條件以消除衝突。

此外，根據實施例，提供一種電腦程式產品，其包含其上記錄有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由電腦執行時實施上文所論述之任一方法的步驟。

圖16為說明可輔助實施本文中所揭示之最佳化方法及流程的電腦系統100之方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以用於處理資訊之處理器104(或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括耦接至匯流排102以用於儲存資訊及待由處理器104執行之指令的主記憶體106，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存裝置。主記憶體106亦可用於在執行待由處理器 104執行之指令期間儲存暫時變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存靜態資訊及處理器104之指令的唯讀記憶體(ROM)108或其他靜態儲存裝置。提供儲存裝置110，諸如磁碟或光碟，且將其耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。

電腦系統100可經由匯流排102耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入裝置114耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入裝置為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入裝置通常具有在兩個軸(第一軸(例如x)及第二軸(例如y))中之兩個自由度，其允許該裝置指定平面中之位置。亦可將觸控面板(螢幕)顯示器用作輸入裝置。

根據一個實施例，可由電腦系統100回應於處理器104執行主記憶體106中所含有的一或多個指令之一或多個序列而執行本文中所描述之製程的部分。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存裝置110)讀取至主記憶體106中。主記憶體106中所含有之指令序列的執行使處理器104執行本文中所描述之製程步驟。亦可採用呈多處理配置之一或多個處理器以執行主記憶體106中所含有之指令序列。在替代實施例中，可代替或結合軟體指令來使用硬連線電路系統。因此，實施例不限於硬體電路系統與軟體之任何具體組合。

如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可呈許多形式，包括但不 限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存裝置110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體106。傳輸媒體包括同軸電纜、銅線及光纖，包括包含匯流排102之電線。傳輸媒體亦可呈聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。常見形式之電腦可讀媒體包括例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述的載波或可供電腦讀取之任何其他媒體。

可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，初始地可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線來發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中攜載之資料且將該資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自該主記憶體擷取並執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在由處理器104執行之前或之後儲存於儲存裝置110上。

電腦系統100亦可包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦接，該網路鏈路連接至區域網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供與對應類型之電話線的資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供與相容LAN的資料通 信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此實施方案中，通信介面118發送且接收攜載表示各種類型之資訊的數位資料流之電信號、電磁信號或光學信號。

網路鏈路120通常經由一或多個網路提供其他資料裝置的資料通信。舉例而言，網路鏈路120可經由區域網路122提供與主機電腦124或與由網際網路服務提供者(ISP)126操作之資料設備之連接。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常稱作「網際網路」128)來提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128皆使用攜載數位資料流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號為輸送資訊的例示性形式之載波，該等信號將數位資料攜載至電腦系統100且自該電腦系統攜載數位資料。

電腦系統100可經由網路、網路鏈路120及通信介面118發送訊息且接收包括程式碼之資料。在網際網路實例中，伺服器130可經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118來傳輸用於應用程式之所請求程式碼。根據一或多個實施例，一個此經下載應用程式提供例如實施例之照明最佳化。所接收程式碼可在接收其時由處理器104執行，且/或儲存於儲存裝置110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波形式之應用程式碼。

圖17示意性地描繪包括以下各者之另一例示性微影投影設備LA：

-源收集器模組SO，其用以提供輻射。

-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節來自源收集器模組SO之輻射光束B(例如EUV輻射)。

-支撐結構(例如光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如光罩或倍縮光罩)MA且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置之第一定位器PM；

-基板台(例如晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及

-投影系統(例如反射投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化裝置MA向輻射光束B賦予之圖案投影於基板W的目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。

如此處所描繪，設備LA屬於反射類型(例如採用反射性光罩)。應注意，由於大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，因此圖案化裝置可具有包含例如鉬與矽之多層堆疊的多層反射器。在一個實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層的厚度為四分之一波長。可運用X射線微影來產生甚至更小之波長。由於大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，因此圖案化裝置構形上的經圖案化吸收材料之薄件(例如在多層反射器之頂部上的TaN吸收體)界定特徵將在何處印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)。

參考圖17，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但不一定限於運用EUV範圍中之一或多條發射譜線將材料轉換成具有至少一種元素(例如氙、鋰或錫)之電漿狀態。在一種此方法(常常稱為雷射產生電漿(「LPP」))中，可藉由運用雷射束輻照燃料(諸如具有譜線發射元素之材料的小滴、串流或叢集)來產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖17中未展示)之EUV輻射系統 之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射(例如EUV輻射)，使用安置於源收集器模組中之輻射收集器來收集該輻射。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離的實體。

在此等情況下，不將雷射視為形成微影設備之部分，且輻射光束藉助於包含(例如)合適導向鏡面及/或擴束器之光束遞送系統自雷射傳遞至源收集器模組。在其他情況下，例如，當輻射源為放電產生電漿EUV產生器(常常稱為DPP輻射源)時，輻射源可為源收集器模組之整體部分。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要之均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於固持在支撐結構(例如光罩台)MT上之圖案化裝置(例如光罩)MA上，且由該圖案化裝置進行圖案化。在自圖案化裝置(例如光罩)MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將光束聚焦於基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器PS2(例如干涉裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用於相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化裝置(例如光罩)MA。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如光罩)MA與基板W。

所描繪設備LA可用於以下模式下之至少一者中：

1.在步進模式下，使支撐結構(例如光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止，同時將向輻射光束賦予之整個圖案一次性投影至目標部分C上(亦即，單次靜態曝光)。接著使基板台WT在X方向及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。

2.在掃描模式下，同步地掃描支撐結構(例如光罩台)MT及基板台WT，同時將向輻射光束賦予之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如光罩台)MT之速度及方向。

3.在另一模式下，在將向輻射光束賦予之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式下，通常採用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要來更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如如上文所提及的類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

圖18更詳細地展示設備LA，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及經配置成使得可在源收集器模組SO之圍封結構220中維持真空環境。可藉由放電產生電漿輻射源來形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)來產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜的EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由產生至少部分地離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為了輻射之高效產生，可能需要例如10Pa之分壓的 Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適的氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。

由熱電漿210發射之輻射經由定位於源腔室211中之開口中或後方的視情況選用之氣體障壁或污染物截留器230(在一些情況下，亦稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁或氣體障壁與通道結構之組合。如此項技術中所知，本文中進一步指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。

收集器腔室211可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾波器240反射，以沿著由點虛線「O」指示之光軸聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常稱作中間焦點，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。

隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統可包括琢面化場鏡面裝置22及琢面化光瞳鏡面裝置24，琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置經配置以提供在圖案化裝置MA處的輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化裝置MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處反射輻射光束21後，形成經圖案化光束26，且經圖案化光束26藉由投影系統PS經由反射元件28、30成像至由基板台WT固持之基板W上。

比所展示元件多之元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影設備之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器 240。此外，可存在比諸圖中所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖18中所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。

將如圖18中所說明之收集器光學件CO描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢狀收集器，僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射體253、254及255圍繞光軸O軸向對稱地安置，且此類型之收集器光學件CO理想地結合放電產生電漿輻射源來使用。

可替代地，源收集器模組SO可為如圖19中所展示之LPP輻射系統之部分。雷射LAS經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十eV的電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射自電漿發射，由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。

可使用以下條項來進一步描述實施例：

1.一種自一圖案化製程之一圖案組判定候選圖案之方法，該方法包含：獲得(i)一圖案化製程之一圖案組、(ii)具有一第一特徵及一第二特徵的一搜尋圖案、及(iii)在該搜尋圖案之該第一特徵與該第二特徵之間包含一相對位置的一第一搜尋條件；及經由一處理器自該圖案組判定滿足與該搜尋圖案之該第一特徵及該第二特徵相關聯的該第一搜尋條件之一第一候選圖案組。

2.如條項1之方法，其中該相對位置界定在該搜尋圖案的該第一特徵之一元件與該第二特徵之一元件之間。

3.如條項2之方法，其中該元件包含一邊緣及/或各別特徵之一頂 點。

4.如條項1至3中任一項之方法，其中該第一搜尋條件進一步包含與該等特徵之元件之間的該相對位置及/或該等特徵之一尺寸相關聯的一容許限度。

5.如條項1至4中任一項之方法，其中該第一特徵與該第二特徵在一相同層上。

6.如條項1至4中任一項之方法，其中該第一特徵與該第二特徵在不同層上。

7.如條項1至6中任一項之方法，其進一步包含：獲得圍繞該搜尋圖案之一定界框及與該定界框及該搜尋圖案之一特徵相關聯的一第二搜尋條件；及經由該處理器自該第一候選圖案組判定滿足與該定界框相關聯的該第二搜尋條件之一第二候選圖案組。

8.如條項7之方法，其中該第二搜尋條件包含該搜尋圖案之該特徵的一邊緣與該定界框之一邊緣之間的一相對位置。

9.如條項8之方法，其中該相對位置為一距離及/或該搜尋圖案之該特徵的該邊緣與該定界框之該邊緣之間的一角度。

10.如條項7至9中任一項之方法，其中該第二搜尋條件進一步包含相關聯於該搜尋圖案之該特徵的一元件與該定界框之間的該相對位置的一容許限度。

11.如條項1至10中任一項之方法，其中該第二搜尋條件與該搜尋圖案之最接近該定界框的一特徵相關聯。

12.如條項1至11中任一項之方法，其中該判定該第二候選圖案組 進一步包含：比較該搜尋圖案之一特徵的一或多個參數與該圖案組之一特徵的對應一或多個參數。

13.如條項12之方法，其中該一或多個參數包含以下中之至少一者：該特徵的一邊緣；該特徵之大小；及該特徵之拓樸。

14.如條項1至13中任一項之方法，其中該判定該第二候選圖案組進一步包含：基於該第二搜尋條件來調整圍繞該搜尋圖案之該定界框；及自該第一候選圖案組判定滿足與調整後的定界框相關聯的該第二搜尋條件之該第二候選圖案組。

15.如條項14之方法，其中該調整該定界框包含：相對於該圖案組中之一圖案的該特徵之該大小的增加及/或減小及該第二搜尋條件來增加及/或減小該定界框之該大小。

16.如條項14之方法，其中該定界框之大小的一增加量及/或減小量在相關聯於該搜尋圖案之該特徵的元件與該定界框之間的該相對位置的該容許限度內。

17.如條項1至16中任一項之方法，其中該圖案組為一設計圖案；及/或一經印刷基板之圖案的一影像；及/或該基板之經模擬圖案。

18.如條項17之方法，其中自一掃描電子顯微鏡影像獲得該圖案組。

19.如條項18之方法，其中該搜尋圖案包括複數個特徵，其中該複數個特徵在該基板之該相同層上及/或在該基板之不同層上。

20.如條項1至19中任一項之方法，其中該第二特徵與該第一特徵鄰近。

21.一種自一圖案組判定候選圖案之方法，該方法包含：獲得(i)基於與一搜尋圖案之特徵相關聯的一第一搜尋條件的來自一圖案組的一第一候選圖案組、(ii)圍繞該搜尋圖案的一定界框、及(iii)與該定界框及該搜尋圖案之一特徵相關聯的一第二搜尋條件；及基於該第二搜尋條件自該第一候選圖案組判定一第二候選圖案組。

22.如條項21之方法，其中該第二搜尋條件為一距離及/或該搜尋圖案之該特徵的該邊緣與該定界框之該邊緣之間的一角度。

23.如條項22之方法，其中該第二搜尋條件進一步包含相關聯於該距離及/或該搜尋圖案之該特徵的一元件與該定界框之間的該角度的一容許限度。

24.如條項21至23中任一項之方法，其中該判定該第二候選圖案組進一步包含：比較該搜尋圖案之一特徵的一或多個參數與該圖案組之一特徵的對應一或多個參數；及基於該比較自排除具有拓樸失配之圖案的該第一候選圖案組選擇一圖案子組。

25.如條項24之方法，其中該一或多個參數包含以下中之至少一者：該特徵的一邊緣； 該特徵之大小；及該特徵之拓樸。

26.如條項21至25中任一項之方法，其中該判定該第二候選圖案組進一步包含：基於該第二搜尋條件來調整圍繞該搜尋圖案之該定界框；及自該第一候選圖案組判定滿足與調整後的定界框相關聯的該第二搜尋條件之該第二候選圖案組。

27.如條項26之方法，其中該調整該定界框包含：根據該圖案組之該特徵的該大小及該第二搜尋條件來增加及/或減小該定界框之該大小。

28.如條項27之方法，其中該定界框之大小的一增加量及/或減小量在相關聯於該搜尋圖案之該特徵的元件與該定界框之間的該相對位置的該容許限度內。

29.一種自一圖案化製程之一圖案組判定候選圖案之方法，該方法包含：獲得(i)基於與一搜尋圖案之特徵相關聯的一第一搜尋條件的來自一圖案組的一第一候選圖案組、(ii)圍繞該搜尋圖案的一定界框、及(iii)與該定界框及該搜尋圖案之一特徵相關聯的一第二搜尋條件；及基於該第二搜尋條件自該第一候選圖案組判定一第二候選圖案組，其中該第二候選圖案組包括一候選圖案，其具有不包括在該搜尋圖案中之一額外特徵。

30.如條項29之方法，其中該額外特徵與該搜尋圖案之一特徵鄰近且在該定界框內。

31.如條項29至30中任一項之方法，其中該額外特徵與該搜尋圖案之特徵在一相同層上及/或與該搜尋圖案之特徵在一不同層上。

32.如條項29至31中任一項之方法，其中該額外特徵不與相對於該搜尋圖案之該特徵或該定界框的約束相關聯。

33.如條項29至32中任一項之方法，其中該判定該第二候選圖案組進一步包含：比較該搜尋圖案之一特徵的一或多個參數與該圖案組之一特徵的對應一或多個參數；及基於該比較自不排除具有拓樸失配之圖案的該第一候選圖案組選擇圖案。

34.如條項33之方法，其中該一或多個參數包含以下中之至少一者：該特徵的一邊緣；該特徵之大小；及該特徵之拓樸。

35.一種自一圖案化製程之一圖案組判定候選圖案之方法，該方法包含：經由一介面在該搜尋圖案之一第一特徵與一第二特徵之間應用一第一條件；經由一處理器基於該第一約束在一圖案組上判定一第一候選圖案組；經由該介面繪製圍繞該搜尋圖案之一定界框；經由該介面在該第一特徵或該第二特徵與該定界框之間應用一第二 條件；及經由該處理器基於該第二條件自該第一候選圖案組判定一第二候選圖案組，其中該第二候選圖案組包括一候選圖案，其具有不包括在該搜尋圖案中之一額外特徵。

36.如條項35之方法，其中該應用該第一條件包含：選擇該搜尋圖案的該第一特徵之一邊緣及該第二特徵之一邊緣；指派所選擇的邊緣之間的一距離；及/或針對該等所選擇的邊緣之間的該距離指派一容許限度。

37.一種產生一搜尋圖案資料庫之方法，該方法包含：獲得一圖案組，該圖案組中之一圖案包含複數個特徵；經由一介面將一組搜尋條件應用於該圖案組以產生一搜尋圖案組，其中一搜尋圖案與一搜尋條件相關聯；經由一處理器評估在與該圖案組之一或多個特徵相關聯的一或多個搜尋條件之間是否存在一衝突；及經由該處理器儲存該搜尋圖案組及不存在衝突之相關聯組搜尋條件。

38.如條項37之方法，其中該評估該等衝突包含：識別該圖案組之具有相同搜尋條件的特徵；及/或判定該等搜尋條件是否超過與該圖案組中之一圖案的一特徵有關的一預定臨限值；及/或顯示所識別特徵來修改該等條件以消除衝突。

39.一種電腦程式產品，其包含其上記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如條項1至38中任一項之方 法。

本文中所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於使次波長特徵成像之任何通用成像系統，且可尤其適用於能夠產生具有愈來愈小的大小之波長的新興成像技術。已經在使用中之新興技術包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193nm波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157nm波長之DUV(深紫外線)微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由用高能電子撞擊材料(固體或電漿中任一者)來產生在20nm至5nm之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。

雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上成像，但應理解，所揭示之概念可與任何類型的微影成像系統一起使用，例如用於在不同於矽晶圓之基板上成像的彼等微影成像系統。

儘管可在本文中具體地參考在IC製造中的實施例之使用，但應理解，本文中之實施例可具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、微機械系統(MEM)等中。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可將本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用視為分別與更一般術語「圖案化裝置」、「基板」或「目標部分」同義或可與其互換。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且使經曝光之抗蝕劑顯影的工具)或度量衡工具或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用之情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如以便產生例如多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。

在本發明文件中，如本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有約365nm、約248nm、約193nm、約157nm或約126nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在5nm至20nm之範圍內的波長)以及粒子束，諸如離子束或電子束。

如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂調整圖案化設備(例如微影設備)、圖案化製程等，使得結果及/或製程具有較合乎需要的特性，諸如設計圖案投影於基板上之較高準確度、較大製程窗等。因此，如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂識別一或多個參數之一或多個值的製程，該一或多個值相比於彼等一或多個參數之一或多個值之初始集合提供至少一個相關度量之改良，例如局部最佳。「最佳」及其他相關術語應相應地予以解釋。在一實施例中，可反覆地應用最佳化步驟，以提供一或多個度量之進一步改良。

可以任何便利形式實施本發明之態樣。舉例而言，實施例可藉由一或多個適合的電腦程式來實施，該一或多個適合的電腦程式可在可為有形載體媒體(例如磁碟)或無形載體媒體(例如通信信號)之適合的載體媒體上進行。可使用合適設備來實施本發明之實施例，該合適設備可具體地採取可程式化電腦之形式，該可程式化電腦執行經配置以實施如本文中所描述的方法之電腦程式。因此，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如運算裝置)讀取之形式之資訊的任何機 構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如載波、紅外線信號、數位信號等)；及其他媒體。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅出於方便起見，且此等動作事實上由運算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他裝置引起。

在方塊圖中，將所說明之組件描繪為離散功能區塊，但實施例不限於本文中所描述之功能性如所說明一般來組織的系統。由組件中之每一者提供之功能性可由軟體模組或硬體模組提供，該等模組以與目前所描繪之方式不同的方式組織，例如，可摻和、結合、複寫、分解、分佈(例如在資料中心內或按地區)，或另外以不同方式組織此軟體或硬體。本文中所描述之功能性可由執行儲存於有形的、非暫時性機器可讀媒體上之程式碼之一或多個電腦的一或多個處理器提供。在一些情況下，第三方內容遞送網路可主控經由網路傳達之資訊中的一些或全部，在此情況下，在據稱供應或以另外方式提供資訊(例如內容)之情況下，資訊可藉由發送指令以自內容遞送網路擷取彼資訊來提供。

除非另外具體說明，否則如自論述顯而易見，應瞭解，貫穿本說明書，利用諸如「處理」、「運算」、「計算」、「判定」或類似者之術語的論述係指諸如專用電腦或相似專用電子處理/運算裝置之具體設備的動作或製程。

讀者應瞭解，本申請案描述若干發明。此等發明已經組合成單一文件，而非將彼等發明分離成多個獨立的專利申請案，此係由於該等發明之相關主題使其在應用製程中有助於經濟發展。但不應合併此等發 明之相異優點及態樣。在一些情況下，實施例解決本文中所提及之所有不足，但應理解，該等發明係獨立地有用，且一些實施例僅解決此等問題之子集或提供其他未經提及之益處，該等益處對於檢閱本發明之熟習此項技術者將顯而易見。歸因於成本約束，目前可不主張本文中所揭示之一些發明，且可在稍後申請案(諸如接續申請案或藉由修正本技術方案)中主張該等發明。相似地，歸因於空間約束，本發明文件之發明摘要及發明內容章節皆不應視為含有所有此等發明之全面清單或此等發明之所有態樣。

應理解，描述及圖式並不意欲將本發明限制於所揭示之特定形式，而正相反，意欲涵蓋屬於如由所附申請專利範圍所界定的本發明之精神及範疇內之所有修改、等效者及替代方案。

鑒於此描述，本發明之各個態樣的修改及替代實施例對於熟習此項技術者而言將顯而易見。因此，此描述及圖式應理解為僅為說明性的且係出於教示熟習此項技術者執行本發明之一般方式之目的。應理解，本文中所展示且描述之本發明之形式應視為實施例的實例。元件及材料可替代本文中所說明及描述之元件及材料，可反轉或省略部分及製程，可獨立利用某些特徵，且可組合實施例或實施例之特徵，此皆如熟習此項技術者在獲得本說明書的益處之後將顯而易見。可在不脫離如在以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇的情況下對本文中所描述之元件作出改變。本文中所使用之標題僅出於組織性目的，且不意欲用以限制描述之範疇。

如貫穿本申請案所使用，詞「可」係在許可之意義(亦即，意謂有可能)而非強制性之意義(亦即，意謂必須)下予以使用。詞「包括(include/including/includes)」及類似者意謂包括但不限於。如貫穿本申 請案所使用，除非內容另有明確地指示，否則單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包括複數個參照物。因此，舉例而言，對「一(an)」元件「一(a)」元件之參考包括兩個或更多個元件之組合，儘管會針對一或多個元件使用其他術語及短語，諸如「一或多個」。除非另有指示，否則術語「或」係非排他性的，亦即，涵蓋「及」與「或」兩者。描述條件關係之術語，例如，「回應於X，而Y」、「在X後，即Y」、「若X，則Y」、「當X時，Y」及類似者涵蓋因果關係，其中前提為必要的因果條件，前提為充分之因果條件，或前提為結果的貢獻因果條件，例如，「在條件Y獲得後，即出現狀態X」對於「僅在Y後，才出現X」及「在Y及Z後，即出現X」為通用的。此等條件關係不限於即刻遵循獲得的前提之結果，此係由於可延遲一些結果，且在條件陳述中，前提連接至其結果，例如，前提與出現結果之可能性相關。除非另有指示，否則複數個屬性或功能經映射至複數個物件(例如執行步驟A、B、C及D之一或多個處理器)之陳述涵蓋經映射至所有此等物件的所有此等屬性或功能及經映射至屬性或功能之子集的屬性或功能之子集兩者(例如所有處理器各自執行步驟A至D，及其中處理器1執行步驟A，處理器2執行步驟B及步驟C之一部分，且處理器3執行步驟C的一部分及步驟D之情況兩者)。此外，除非另外指示，否則一個值或動作係「基於」另一條件或值之陳述涵蓋條件或值為單獨因數之例項與條件或值為複數個因數當中的一個因數之例項兩者。除非另有指示，否則某一集合之「每一」例項具有某一性質之陳述不應解讀為排除較大集合之一些以其他方式相同或相似的部件不具有該性質(亦即，每一者未必意謂每個都)之情況。對自範圍選擇之參考包括範圍之端點。

在以上描述中，流程圖中之任何製程、描述或區塊應理解 為表示程式碼之模組、片段或部分，其包括用於實施該製程中的具體邏輯功能或步驟之一或多個可執行指令，且替代實施包括於本發明進展之例示性實施例的範疇內，其中功能可取決於所涉及之功能性而不按照所展示或論述之次序執行，包括實質上同時或以相反次序執行，如熟習此項技術者將理解。

在某些美國專利、美國專利申請案或其他材料(例如論文)已經以引用的方式併入之情況下，此等美國專利、美國專利申請案及其他材料之文字僅在此材料與本文中所闡述的陳述及圖式之間不存在衝突的情況下以引用之方式併入。在存在此衝突之情況下，在此等以引用之方式併入的美國專利、美國專利申請案及其他材料中之任何此衝突文字並不具體地以引用的方式併入本文中。

雖然已描述某些實施例，但此等實施例僅作為實例來呈現，且並不意欲限制本發明之範疇。實際上，本文中所描述之新穎方法、設備及系統可以多種其他形式體現；此外，在不脫離本發明之精神的情況下，可對本文中所描述之方法、設備及系統的形式進行各種省略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其等效者意欲涵蓋如將屬於本發明之範疇及精神內的此等形式或修改。

400:方法

401:圖案組

402:搜尋圖案

403:第一搜尋條件

404:第一候選圖案組

406:定界框

408:第二候選圖案組

P42:製程

P44:製程

P46:製程

P47:製程

P48:製程

Claims (14)

1. 一種自一圖案化製程之一圖案組判定候選圖案(candidate patterns)之方法，該方法包含：獲得(i)一圖案化製程之一圖案組、(ii)具有一第一特徵及一第二特徵的一搜尋圖案(search pattern)、及(iii)包含在該搜尋圖案之該第一特徵與該第二特徵間之一相對位置的一第一搜尋條件；經由一處理器自該圖案組判定滿足與該搜尋圖案之該第一特徵及該第二特徵相關聯的該第一搜尋條件之一第一候選圖案組；獲得圍繞該搜尋圖案之一定界框(bounding box)及與該定界框及該搜尋圖案之一特徵相關聯的一第二搜尋條件；及經由該處理器自該第一候選圖案組判定滿足與該定界框相關聯的該第二搜尋條件之一第二候選圖案組。
2. 如請求項1之方法，其中該相對位置界定在該搜尋圖案的該第一特徵之一元件與該第二特徵之一元件之間。
3. 如請求項2之方法，其中該元件包含一邊緣(edge)及/或各別特徵之一頂點(vertex)。
4. 如請求項1之方法，其中該第一搜尋條件進一步包含與該等特徵之元件之間的該相對位置及/或該等特徵之一尺寸(dimension)相關聯的一容許限度(tolerance limit)。
5. 如請求項1之方法，其中該第一特徵與該第二特徵在一相同層上。
6. 如請求項1之方法，其中該第一特徵與該第二特徵在不同層上。
7. 如請求項1之方法，其中該第二搜尋條件包含在該搜尋圖案之該特徵的一邊緣與該定界框的一邊緣之間一相對位置，及/或其中該相對位置為一距離及/或該搜尋圖案之該特徵的該邊緣與該定界框之該邊緣之間的一角度。
8. 如請求項1之方法，其中該第二搜尋條件進一步包含相關聯於該搜尋圖案之該特徵的一元件與該定界框之間的該相對位置的一容許限度。
9. 如請求項1之方法，其中該第二搜尋條件與該搜尋圖案之最接近該定界框的一特徵相關聯。
10. 如請求項1之方法，其中該判定該第二候選圖案組進一步包含：比較該搜尋圖案之一特徵的一或多個參數與該圖案組之一特徵的對應一或多個參數。
11. 如請求項10之方法，其中該一或多個參數包含以下中之至少一者：該特徵之一邊緣；該特徵之大小；及 該特徵之拓樸(topology)。
12. 如請求項1之方法，其中該判定該第二候選圖案組進一步包含：基於該第二搜尋條件來調整圍繞該搜尋圖案之該定界框；及自該第一候選圖案組判定滿足與調整後的該定界框相關聯的該第二搜尋條件之該第二候選圖案組。
13. 如請求項12之方法，其中該調整該定界框包含：相對於該圖案組中之一圖案的該特徵之該大小的增加及/或減小及該第二搜尋條件來增加及/或減小該定界框之該大小。
14. 如請求項1之方法，其中該圖案組為一設計圖案；及/或一經印刷基板之圖案的一影像；及/或該基板之經模擬圖案(simulated patterns)。

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