TW201732454A - 控制圖案化製程的方法、器件製造方法、微影設備的控制系統及微影設備 - Google Patents

控制圖案化製程的方法、器件製造方法、微影設備的控制系統及微影設備 Download PDF

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Abstract

在處理數個基板之後使用效能量測目標來量測一微影製程之效能。在一設定階段中，方法參考圖案化製程之預期參數自複數個候選標記類型當中選擇一對準標記類型及對準配方。在使用該圖案化製程曝光數個測試基板之後，藉由比較由一參考技術所量測之該圖案化製程之效能之經量測效能(例如，疊對)而選擇一較佳度量衡目標類型及度量衡配方。基於在該圖案化製程之實際執行之後對位置量測標記及效能量測目標之量測，可修正該對準標記類型及/或配方，由此共同最佳化該等對準標記及度量衡目標。亦可在該製程之後續操作期間比較替代性批次回饋策略。

Description

控制圖案化製程的方法、器件製造方法、微影設備的控制系統及微影設備
本發明係關於可用以例如在藉由圖案化製程(諸如，微影)製造器件時維持效能之控制設備及控制方法。本發明進一步係關於使用微影技術來製造器件之方法。本發明又進一步係關於用於實施此等方法之電腦程式產品。
微影設備為將所要之圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。 在使用微影設備將圖案施加至晶圓之前，通常需要量測及模型化該晶圓以便適當地對準該晶圓且校正在圖案化期間之晶圓變形。微影製程之關鍵效能量測為疊對：器件中之兩個層中之特徵之對準準確度(或同一層中藉由兩個圖案化步驟而形成之特徵之間的對準準確度)。具有多個色彩通道之對準感測器用於已知微影設備中，以在圖案化之前嘗試及獲得最佳可能的位置量測。此等位置量測用以計算用於每一晶圓之基板模型。 為了改良疊對及其他參數，對已經圖案化之先前基板進行關於效能之額外量測，以識別及校正在圖案化步驟及/或其他步驟中所引入之偏差。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括用以量測諸如疊對之效能參數之掃描電子顯微鏡(SEM)。然而，對在大量製造中相當大比例之基板執行之SEM量測太耗時。近來，已開發用於微影領域中的各種形式之散射計，其允許大量量測。通常，對許多先前基板進行此等量測，且在所謂的先進製程控制(APC)系統中達成對效能之持續控制。然而，先進製程控制之成功取決於受關注之效能參數之量測之準確度。在當前實踐中，在新製程之開發期間，可考慮數個不同目標類型。數個不同目標類型可提供於數個測試基板上。類似地，亦改變度量衡感測器設定，以獲得目標類型與度量衡感測器回應之最佳組合。為簡單起見，度量衡感測器設定之集合可被稱為「度量衡配方」。 用於預測最可能的候選目標設計之自動化方法描述於例如公開專利申請案WO 2015101458 A1、WO 2015101459 A1、WO 2015101460 A1及WO 2015101461 A2中。由模擬及/或實驗判定諸如TMU (總量測不確定度)及堆疊敏感度之效能指示符以判定度量衡之執行準確度。然而，此等效能指示符並不直接與所製造器件之效能相關。差異將出現在實驗樣本或產品在其經製造時之性質與在設計度量衡目標時模擬之性質之間。因此，目標類型與度量衡感測器配方之最佳組合在第一嘗試處常常無法達成。且常常以反覆為基礎進行最佳化。對最佳參數之搜索為多維問題；且在可檢查產品基板之效能及將其與藉由度量衡感測器所預測之效能相比較之前，產品基板必須由一或多個參考技術處理及量測。此極其耗時且無法給出準確結果之保證。出於此目的，參考技術包括例如SEM (掃描電子顯微法)、TEM (透射電子顯微法)、AFM (原子力顯微法)及公開國際專利申請案WO 2015018625 A1中所揭示之基於不對稱性之技術。 跨越在製造設施中所遇到之許多不同產品設計及製程變化，將需要不同度量衡目標設計及用於每一設計之不同度量衡方法以獲得最佳效能。因此，在開發新製程或改變製程時，且進行最佳化製程以便選擇用於特定應用之度量衡目標與度量衡配方之最佳組合。製程之間(包括產品設計之間及產品設計中之層之間)存在變化。取決於微影設備與相關聯設備之效能之一致性，批次之間及基板之間亦存在變化。 另外，在探索不同度量衡目標類型及配方之前，習知判定將用於獲得微影設備中之位置量測的對準目標之設計及對準感測器回應。使用此等位置量測，獲得每一基板之對準模型，以用於定位與現有圖案處於所要位置關係中之新層圖案。通常在最佳化度量衡目標之前的設定階段中執行對準設計及對準感測器回應(對準配方)之最佳化。另一方面，製造方法之總體效能並不僅僅受對度量衡目標進行效能量測之準確度的影響，並且受量測對準標記之準確度及兩個類型之量測中之誤差之間的相關性影響。用於最佳化效能之習知方法限於在先前經最佳化對準標記及對準配方之情況下，對度量衡目標設計及度量衡配方之最佳化。並未考慮到對於給定應用，不同對準標記及/或對準配方可與不同度量衡目標設計及/或配方組合以獲得較好總體效能的可能性。 應瞭解，在待控制之生產製程中可用之對準標記類型及度量衡目標類型將由提供於圖案化器件(倍縮光罩)上之物判定。除非此為可程式化圖案化器件，否則改變對準類型及度量衡目標類型之機會實際上將極為有限。有可能可僅在新一代產品正在開發中時進行變化。在開發階段中，可提供具有許多不同變化形式之對準標記及度量衡目標之測試圖案。在成品設計中，器件佈局中之有限空間將實質上限制可允許之標記及目標之數目。 待最佳化之控制系統之又一參數為「對準樹」之選擇。對準樹為針對新層判定應使用哪一先前層之對準標記以定位新層中所施加之圖案的微影製程控制配方之另一部分。常常可在多於一個層中找到潛在合適的對準標記。 在設定新製程之已知方法中，將判定用於回饋歷史效能量測以計算新製程校正之特定策略。此所謂的「批次」控制策略通常在開發新製程之初期處經設定，此時有限真實世界資料可用。因此，隨著時間推移，所選策略是否實際上為用於所討論之生產製程之最佳策略變得未知。常見情況可能為：不同的批次控制策略實際上將產生較好結果。
本發明旨在改良用於控制諸如微影製程中之疊對之參數之效能的系統。本發明人已認識到，經改良效能可整合迄今為止已經孤立地實施的不同最佳化。作為特定實例，本發明提供對對準標記類型及對準配方，以及度量衡目標類型及度量衡配方之共同最佳化。 在另一態樣中，本發明旨在在大量製造期間實現批次控制策略之最佳化。 根據本發明之第一態樣，提供一種控制圖案化製程之方法，其中在處理數個基板之後使用效能量測目標來量測圖案化製程之效能，其中該方法進一步包含，在設定階段中， (i) 參考該圖案化製程之預期參數自複數個候選標記類型當中選擇用於該圖案化製程之一種類型的位置量測標記； (ii) 使用該圖案化製程將測試圖案施加至數個基板，該圖案包括複數個候選類型之效能量測目標；及 (iii) 藉由比較如使用該等不同類型的效能量測目標所量測之圖案化製程之效能與由其他方法所量測之該圖案化製程之效能而選擇較佳候選類型之效能量測目標， 且其中在該設定階段中該方法又進一步包含： (iv) 基於在步驟(ii)中之該圖案化製程之實際執行之後對位置量測標記及效能量測目標之量測，修正在該圖案化製程中所使用之用於量測跨越該基板之位置偏差之位置量測標記類型之選擇。 經控制之圖案化製程可例如包含： (a) 量測提供於基板上之數個位置量測標記之位置； (b) 使用該等經量測位置以界定基板校正； (c) 在控制圖案化製程時使用該基板校正以將圖案施加至該基板； (d) 使用包括於該經施加圖案中之數個效能量測目標，以用於量測該圖案化製程之效能參數；及 (e) 在處理數個基板之後，使用該等經量測效能參數以計算製程校正，且使用該製程校正以及步驟(c)中之該基板校正， 本發明進一步提供一種用於微影設備之控制系統，該控制系統包含： 儲存裝置，其用於儲存表示在將圖案施加至複數個先前基板時圖案化製程之效能之歷史效能量測；及 處理器，其用於使用該等歷史效能量測以及對當前基板進行的位置量測以控制圖案化製程， 在最佳化系統中該控制系統進一步包含： 用於參考該圖案化製程之預期參數自複數個候選標記類型當中選擇用於該圖案化製程之一種類型的位置量測標記之模組； 用於藉由比較如使用該等不同類型的效能量測目標所量測之該圖案化製程之效能與由其他方法所量測之該圖案化製程之實際效能而自施加至一或多個基板之複數個候選類型之效能量測目標當中選擇較佳候選類型之效能量測目標之模組，及 基於在該圖案化製程之實際執行之後對位置量測標記及效能量測目標之量測以用於修正用於量測跨越該基板之位置偏差之位置量測標記類型之選擇之模組。 該控制系統之各種儲存裝置、控制器及處理器係藉由其在以上概述中之功能予以識別，且此等功能中之兩者或多於兩者可使用共同硬體來實施。該等功能可特別藉由程式化已經存在於微影設備、進階製程控制系統及/或度量衡系統內之一或多個處理器及控制器予以實施。 在第二態樣中，本發明提供控制圖案化製程之方法，其中在處理數個基板之後，經量測效能參數用於計算製程校正，在將圖案施加至一系列新基板時使用該製程校正，且其中根據所選效能回饋策略回應於來自新近經處理基板之經量測效能參數而漸進地更新該製程校正，該方法進一步包含： (i) 與使用該所選效能回饋策略控制該圖案化製程之效能並行地，根據一或多個替代性效能回饋策略計算替代性製程校正，及 (ii) 比較使用該所選效能回饋策略達成之該圖案化製程之效能與使用該替代性效能回饋策略模擬之該圖案化製程之效能且切換至模擬效能將更佳於該達成效能之替代性效能回饋策略。 本發明又進一步提供一種製造器件之方法，其中器件特徵及度量衡目標藉由圖案化製程形成於一系列基板上，其中藉由根據如上文所闡述之本發明之第一及/或第二態樣之方法來量測一或多個經處理基板上之度量衡目標之性質，且其中經量測性質用於調整圖案化製程之參數以用於另外基板之處理。 本發明又進一步提供一種微影設備，其包括如上文所闡述的根據本發明之該第二態樣之控制系統。 本發明又進一步提供一種電腦程式產品，其含有用於實施如上文所闡述的根據本發明之方法中之計算步驟的機器可讀指令之一或多個序列。 將根據對例示性實施例之以下描述及圖式之考慮而瞭解本文中所揭示之設備及方法之此等及其他態樣及優點。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的為呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。 圖1示意性地描繪微影設備LA。該設備包括：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；兩個基板台(例如，晶圓台) WTa及WTb，其各自經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且各自連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。參考框架RF連接各個組件，且充當用於設定及量測圖案化器件及基板之位置以及圖案化器件及基板上之特徵之位置的參考。 照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。舉例而言，在使用極紫外線(EUV)輻射之設備中，通常將使用反射光學組件。 圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐件MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 如此處所描繪，設備屬於透射類型(例如，使用透射圖案化器件)。或者，設備可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。術語「圖案化器件」亦可被解譯為係指以數位形式儲存用於控制此可程式化圖案化器件之圖案資訊的器件。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般術語「投影系統」同義。 微影設備亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影設備中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。 在操作中，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影設備可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影設備之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影設備之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱為輻射系統。 照明器IL可(例如)包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD、積光器IN及聚光器CO。照明器可被用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件MT上之圖案化器件MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WTa或WTb，(例如)以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用於(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。 可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩) MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可包括於晶粒內、在器件特徵當中，在此狀況下，需要使標記儘可能地小，且無需與鄰近特徵不同的任何成像或製程條件。下文進一步描述偵測對準標記之對準系統。 可在多種模式下使用所描繪設備。在掃描模式下，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT之速度及方向。在掃描模式下，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。如在此項技術中為吾人所熟知，其他類型之微影設備及操作模式係可能的。舉例而言，步進模式為吾人所知。在所謂「無光罩」微影中，使可程式化圖案化器件保持靜止，但具有改變之圖案，且移動或掃描基板台WT。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變體或完全不同之使用模式。 微影設備LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb以及兩個站-曝光站EXP及量測站MEA-在該兩個站之間可交換該等基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。此使得設備之產出率能夠實質增加。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面高度輪廓，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。若位置感測器IF在其處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台相對於參考框架RF之位置。代替所展示之雙載物台配置，其他配置為吾人所知且可用。舉例而言，提供基板台及量測台之其他微影設備為吾人所知。此等基板台及量測台在執行預備量測時銜接在一起，且接著在基板台經歷曝光時不銜接。 如圖2中所展示，微影設備LA形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影單元或叢集)之部件，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程之設備。習知地，此等設備包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出口I/O1、I/O2拾取基板、在不同處理設備之間移動基板，且將基板遞送至微影設備之裝載匣LB。常常統稱為塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產出率及處理效率。 為了正確且一致地曝光由微影設備所曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測性質，諸如，後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)，等等。因此，經定位有微影單元LC之製造設施亦包括度量衡系統MET，度量衡系統MET接納已在微影單元中經處理之基板W中的一些或全部。將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整。 在度量衡系統MET內，檢測設備用以判定基板之性質，且詳言之，判定不同基板或同一基板之不同層之性質如何在不同層間變化。檢測設備可整合至微影設備LA或微影單元LC中，或可為獨立器件。為了實現最快速量測，可需要使檢測設備緊接地在曝光之後量測經曝光抗蝕劑層中之性質。然而，並非所有檢測設備皆具有足夠敏感度以對潛影進行有用的量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板所進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛影(semi-latent)。亦有可能對經顯影抗蝕劑影像進行量測-此時已移除抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分。並且，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。 運用度量衡系統MET之度量衡步驟亦可在抗蝕劑圖案已被蝕刻至產品層中之後進行。後一可能性限制重工有缺陷之基板的可能性，但可提供關於製造製程之整體效能之額外資訊。 對準製程背景 圖3說明用以在圖1之雙載物台設備中曝光基板W上之目標部分(例如，晶粒)之步驟。將首先描述根據習知實踐之製程。本發明決不限於所說明之類型的雙載物台設備。熟習此項技術者將認識到，在其他類型之微影設備(例如，具有單一基板載物台及銜接度量衡載物台之彼等者)中執行類似操作。 量測站MEA處所執行之步驟係在虛線框內之左側，而右側展示曝光站EXP處所執行之步驟。有時，基板台WTa、WTb中之一者將在曝光站處，而另一者係在量測站處，如上文所描述。出於此描述之目的，假定基板W已經被裝載至曝光站中。在步驟200處，藉由未展示之機制將新基板W'裝載至設備。並行地處理此兩個基板以便增大微影設備之產出率。 最初參考新近裝載之基板W'，此基板可為先前未經處理之基板，其係運用新光阻而製備以供在設備中之第一次曝光。然而，一般而言，所描述之微影製程將僅僅為一系列曝光及處理步驟中之一個步驟，使得基板W'已經通過此設備及/或其他微影設備若干次，且亦可經歷後續製程。尤其對於改良疊對效能之問題，任務應為確保新圖案被確切地施加於已經經受圖案化及處理之一或多個循環之基板上之正確位置中。每一圖案化步驟可在經施加圖案中引入位置偏差，而後續處理步驟在基板及/或施加至基板之圖案中漸進地引入失真，該等失真必須經量測及經校正以達成令人滿意的疊對效能。 可在其他微影設備中執行先前及/或後續圖案化步驟(如剛才所提及)，且可甚至在不同類型之微影設備中執行先前及/或後續圖案化步驟。舉例而言，器件製造製程中之在諸如解析度及疊對之參數上要求極高的一些層相較於要求較不高之其他層可在更進階微影工具中予以執行。因此，一些層可曝光於浸潤類型微影工具中，而其他層曝光於『乾式』工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射來曝光。一些層可藉由為對所說明微影設備中之曝光之替代或補充的步驟而圖案化。此等替代及補充技術包括(例如)壓印微影、自對準多重圖案化及定向自組裝。 在202處，使用基板標記P1等等及影像感測器(未展示)之對準量測係用以量測及記錄基板相對於基板台WTa/WTb之對準。另外，將使用對準感測器AS來量測跨越基板W'之若干對準標記。此等量測在一個實施例中用以建立基板模型(有時被稱作「晶圓柵格」)，基板模型極準確地映射跨越基板之標記之分佈，包括相對於標稱矩形柵格之任何失真。 在步驟204處，亦使用位階感測器LS來量測相對於X-Y位置之晶圓高度(Z)圖。基本上，高度圖僅用以達成對經曝光圖案之準確聚焦。另外，其可用於其他目的。 當裝載基板W'時，接收配方資料206，配方資料206界定待執行之曝光，且亦界定晶圓及先前產生之圖案及待產生於該晶圓上之圖案之性質。當存在基板上之對準標記之選擇時，且當存在對準感測器之設定之選擇時，在配方資料206當中之對準配方中界定此等選項。因此，對準配方界定如何量測對準標記之位置，以及量測哪些標記。所有層之對準配方之集合形成對準樹，如上文所提及。將在202、204處獲得之晶圓位置、晶圓柵格及高度圖之量測添加至此等配方資料，使得可將配方及量測資料208之完整集合傳遞至曝光站EXP。對準資料之量測(例如)包含以與為微影製程之產品的產品圖案成固定或標稱固定關係而形成之對準目標之X位置及Y位置。恰好在曝光之前獲得之此等對準資料被用以產生對準模型，對準模型具有將模型擬合至資料之參數。此等參數及對準模型將在曝光操作期間用以校正當前微影步驟中所施加之圖案之位置。在使用中之模型內插經量測位置之間的位置偏差。習知對準模型可能包含四個、五個或六個參數，該等參數一起以不同維度界定『理想』柵格之平移、旋轉及按比例調整。如US 2013230797A1中進一步所描述，使用較多參數之進階模型為吾人所知。 在210處，調換晶圓W'與W，使得經量測基板W'變成進入曝光站EXP的基板W。在圖1之實例設備中，藉由交換設備內之支撐件WTa及WTb來執行此調換，使得基板W、W'保持準確地被夾持且定位於彼等支撐件上，以保留基板台與基板自身之間的相對對準。因此，一旦已調換該等台，則為了利用用於基板W (以前為W')之量測資訊202、204以控制曝光步驟，僅需判定投影系統PS與基板台WTb (以前為WTa)之間的相對位置。在步驟212處，使用光罩對準標記M1、M2來執行倍縮光罩對準。在步驟214、216、218中，將掃描運動及輻射脈衝施加於跨越基板W之順次目標位置處，以便完成數個圖案之曝光。 藉由在執行曝光步驟中使用量測站處所獲得之對準資料及高度圖，使此等圖案相對於所要位置準確地對準，且詳言之，相對於先前放置於同一基板上之特徵準確地對準。在步驟220處自設備卸載現在被標註為W''之經曝光基板，以根據經曝光圖案使其經歷蝕刻或其他製程。 使用效能資料之進階製程控制 為了達成最佳效能，除了在將當前基板裝載至微影設備中時進行量測以外，通常亦使用關於微影製程之歷史效能資料。出於此目的，運用度量衡系統MET (圖2)進行效能之量測。可實施不同形式之進階製程控制。圖4僅說明一個實例，其實施已知穩定性控制方法。 圖4描繪穩定性模組300。舉例而言，在圖2之控制單元LACU或監督控制系統SCS內，此模組例如為在處理器上執行之應用程式。展示被標註為1、2、3之三個主要製程控制迴路。第一迴路提供使用穩定性模組300及監視晶圓對微影設備之本端控制。監視晶圓302被展示為自微影製造單元304穿過，微影製造單元304可為(例如)圖2之微影製造單元LC。監視晶圓304已運用校準圖案而曝光以設定用於焦點及疊對之『基線』參數。稍後，度量衡工具306讀取此等基線參數，該等基線參數接著藉由穩定性模組300解譯以便計算特定用於此微影單元之穩定性校正308。可將此效能資料回饋至微影製造單元304，且當執行另外曝光時使用該效能資料。監視晶圓之曝光可涉及將標記之圖案印刷於參考標記之頂部上。藉由量測頂部標記與底部標記之間的疊對誤差，可量測微影設備之效能之偏差，即使在已自設備移除晶圓且將晶圓置放於度量衡工具中時亦如此。 第二(APC)控制迴路係基於實際產品晶圓上之諸如焦點、劑量及疊對之效能參數之量測。使經曝光產品晶圓320傳遞至度量衡工具322，度量衡工具322可相同於或不同於第一控制迴路中之度量衡工具306。在322處，判定關於(例如)諸如臨界尺寸、側壁角及疊對之參數之資訊且將資訊傳遞至進階製程控制(APC)模組324。此資料亦被傳遞至穩定性模組300。計算製程校正326且由與穩定性模組300通信的監督控制系統(SCS) 328使用該等製程校正326，以提供微影單元304之控制。 第三控制迴路用以允許(例如)在雙重圖案化應用中將度量衡整合至第二(APC)控制迴路中。使經蝕刻晶圓330傳遞至度量衡單元332，度量衡單元332再次可相同於或不同於用於第一及/或第二控制迴路中之度量衡工具306、322。度量衡工具332量測自晶圓讀取的諸如臨界尺寸、側壁角及疊對之效能參數。將此等參數傳遞至進階製程控制(APC)模組324。與第二迴路相同，該迴路繼續。 在每一狀況下，當存在待進行之量測時，將已經在經控制之製造製程之開發中進行度量衡目標類型之選擇。此外，可已使用在上文所列之先前專利申請案中所描述之類型之模擬而執行度量衡目標設計及度量衡配方之詳細最佳化。通常可提供與APC製程或製造製程相關聯之度量衡配方以界定針對哪些參數量測哪些目標，及散射計或其他感測器之什麼設定待用於每一目標。舉例而言，散射計可供應照明輪廓、波長、偏振等之選擇。可在度量衡配方中指定所有此等參數以及分析任何所俘獲散射繞射圖案之方式。 整合最佳化方法 圖5示意性地說明基板上之多個度量衡目標及多個對準標記之配置。已處理基板以形成三個層L0、L1、L2。此等層可並非基板上僅有的層，且詳言之，此等層之間可存在介入層，從而呈現對於量測標記位置及效能之挑戰。儘管僅展示對準標記及度量衡目標，但將在基板上其他處之圖案中界定產品特徵(真實產生產品特徵或實驗產品特徵)。在一或多個層中提供對準標記A1至A6以在量測跨越基板之位置偏差時供微影設備使用，以使得後續層中之圖案可經施加在正確位置中。在所說明的實例中，對準標記A1至A4在最低層L0中，而對準標記A5至A6在層L1中。在每一層內，可藉由不同設計形成不同對準標記，以使得可選擇最佳設計且將其用於量測用於將圖案施加在後續層中之位置。 可使用較低層中之標記判定位置之準確度將取決於下面埋有該標記之介入層材料。亦可由於形成彼等介入層之製程步驟使內埋式標記變形，以至於給出不可靠的位置讀數。將在彼等情形下進行標記類型及對準配方之選擇以獲得可能的最佳量測，因此該選擇在不同情形下可不同。 對準樹為應經最佳化以供最佳效能控制的整個對準及度量衡系統之另一維度或其他維度。如藉由彎曲箭頭所說明，在將圖案施加至層L2時，存在選擇，是否在層L0中將對準標記用作參考，或是否在層L1中使用標記。甚至可使用此等標記之組合。在製造產品過程中用於不同層之標記之序列被稱為對準樹。在充分開發之製程中，對準樹形成對準配方之一個部分。應牢記，真實產品可具有30或40個待執行之圖案化步驟，在界定對準樹時自由度之數目可極大，從而使得藉由當前方法，最佳化製程相當不可靠。 圖5中亦展示三個度量衡目標R1、R2、R3。在此實例中，所有此等度量衡目標為疊對目標，其經設計以用於量測兩個或多於兩個層之間的圖案之對準之準確度。亦可提供其他類型之度量衡目標以用於量測製造製程之效能之其他參數。在實例中，疊對目標R1包含層L0中之底部光柵R1.0及層L1中之頂部光柵R1.1。疊對目標R1因此適用於量測層L1與層L0之間的疊對誤差。疊對目標R2包含層L0中之底部光柵及層L2中之頂部光柵。疊對目標R3包含層L1中之底部光柵及層L2中之頂部光柵。為了量測層L2之疊對，吾人可選擇使用疊對目標R3量測相對於層L1之疊對或使用疊對目標R2量測相對於層L0之疊對。因此，以與在將圖案施加至給定層之前存在界定對準之量測之對準樹相同的方式，因此存在界定在彼層已經圖案化之後量測該製程之效能時進行之疊對之量測的疊對樹。至少在實驗基板中，可推測此等目標中之每一者以各種類型提供，該等類型中之一者在情形之一個集合下可最佳，且另一類型在情形之另一集合下可最佳。因此，在此實例中，存在對用於量測彼等兩個層之間的疊對的兩個疊對目標之選擇。此等目標可由不同類型組成，且實驗經執行以判定哪一類型在真實製程中提供較好量測。 應理解，此類型之對準標記及度量衡目標可以遠遠大於此簡單實例中所說明的對準標記及度量衡目標的多樣性而提供，且將在跨越基板及跨越實驗基板或產品基板上之每一目標部分(場)之許多點處提供。儘管在此實例中對準標記及度量衡目標經展示為分離的，但應瞭解，疊對目標之底部光柵(或頂部光柵)在給定曝光步驟中亦可用作對準標記。因此，某些結構被指定作為對準標記並不排除其為度量衡目標之部分，且反之亦然。 鑒於可存在幾十個層；可存在幾十個對準標記不同市場類型及對準配方；及可存在幾十個不同度量衡目標設計及幾十個不同度量衡配方，將認識到，可發現所有此等變體之最佳組合的「度量衡空間」為巨大的多維空間。在對準配方的狀況下，已知對準感測器AS允許並行地俘獲多個信號，以使得可自一個俘獲操作比較多個配方。在用於疊對量測以及其類似者之散射計的狀況下，一般言之，度量衡配方指定就波長、偏振及角度分佈而言之不同照明條件。因此，探究用於各種度量衡目標之各種度量衡配方極其耗時。 圖6說明現將描述之共同最佳化方法，在一個實驗中，該方法已將最佳化時間自藉由已知方法之多於100個小時減小至藉由以下自動化方法之僅幾個小時。此外，在新製程之開發階段中獲得此減小之後，圖6之方法貫穿生產階段繼續最佳化控制系統之參數。已知方法提供在生產期間修改最佳化之極有限機會。 在本發明的一個實施例中，開發階段包含以下步驟。在一或多個資料處理設備中執行之合適的程式之控制下進行該等步驟。在步驟602處開始最佳化流程。在604處，基於意欲製程之資訊而設計n個不同對準標記之初步最佳化集合。工具(諸如，介紹中所引用之專利申請案中所描述之工具)可執行此步驟，從而在不同配方下模擬對準感測器之效能。 在步驟604中，最佳化製程比較來自多個層之目標之效能，且選擇在受關注之層中產生最佳位置量測之標記類型及層。基於意欲製造製程之知識，藉由以下準則執行對準標記最佳化： ·   「可印刷性」意謂微影工具藉由其所有特定成像設定來再現基板上之候選對準標記之能力。 ·   準確度意謂對準標記之圖案化及處理將接近於實際產品結構(其品質最終受關注)之印刷及圖案化的程度。 ·   穩固性意謂在晶圓之間及跨越晶圓的在生產製程中具有預期變化之經量測位置之不敏感性。 基於此等準則，在步驟606處，選擇初始標記類型M=1。實際上，選擇待在實驗晶圓中產生之若干候選標記。視需要，此可為兩個、三個、10個或更多標記。對準標記之就可印刷性及準確度而言的最佳化係特定針對特定層的。可針對將根據對準樹(在下文中經界定)與對準層對準之多個代換層而進行對準標記之在其他方面的最佳化。亦在此階段，可選擇對準配方之最初選擇。通常在該方法之稍後步驟中將改變(最佳化)配方之選擇。 在608處，判定批次策略設定之初始設定S=1。此等設定為用於判定所謂的製程校正之策略之設定，所謂的製程校正由圖4中所說明之APC控制迴路產生。策略設定判定在組合各種歷史效能量測以達成新校正時所應用之演算法。策略之選擇影響控制迴路之準確度及穩定性。回應於效能之每一個別波動的控制迴路將不當地誇示系統中之雜訊。在進行改變之前平均化太多歷史量測之控制迴路在校正系統性誤差時可太緩慢。可存在並行地計算之多個製程校正。舉例而言，已知施加較高階製程校正，諸如三階或五階多項式模型，其以場間及場內兩者為基礎。該製程校正之場間及場內分量可各自具有其自身控制策略。製程模型之個別參數可具有其自身控制策略，例如在X方向上之放大率可具有不同於Y方向上之放大率的控制策略，以此類推。 舉例而言，在步驟608中可考慮之候選批次策略為： ·   某一數目個過去批次之移動平均。 ·   增強型經加權移動平均，其將較大權重置於最新批次上。 ·   僅對命令施加之靜態校正。 應理解，此等類型之策略中之每一者可根據參數(諸如，多少批次包括於移動平均中及施加什麼加權分佈)而進一步變化。在已知系統中並不存在用於預先判定最佳批次策略之自動化方法。在新製程之開發階段中，不存在批次策略之任何更多系統性最佳化所基於之歷史效能資訊。因此，候選策略有可能由操作人員不嚴謹地基於過去經歷而選擇。 在610處，執行度量衡目標最佳化。基於意欲製程之資訊而設計m個不同疊對目標之初步最佳化集合。 諸如介紹中所列舉之專利申請案中所描述之工具的工具可用於執行步驟610，從而在不同配方下模擬度量衡工具之效能。在此初步階段處，以習知方式進行設計，而不會考慮對對準標記類型及對準配方之特定選擇，其在稍後步驟中將經共同最佳化。 基於意欲的製造製程之知識，藉由以下準則(已經關於對準標記在上文中經界定)執行度量衡目標最佳化： ·   可印刷性。 ·   準確度。 ·   穩固性。 基於此等準則，在步驟610處，具有相關聯度量衡配方之初始度量衡目標類型R在步驟612處經選擇及輸出。相對於多個層，可指定具有針對每一層的標記類型及配方之完整對準樹。實際上，選擇在實驗晶圓中產生之若干候選標記。視需要，此可為幾個或許多不同的目標類型及配方。然而，如上文所提及，在量測每一度量衡目標時之時間花費可比量測額外對準標記之時間花費多得多。 步驟614，使用圖1及2之微影設備及微影單元藉由兩個或多於兩個層中之圖案來印刷數個晶圓。詳言之，在步驟606中所判定之對準標記類型用於印刷在步驟612中所判定之各種類型之度量衡目標。可與對準標記及度量衡目標一起印刷產品測試圖案。關於考慮中之不同對準標記類型及潛在不同配方，同一圖案可藉由對準標記類型及對準配方之不同組合印刷許多次。此可需要相對較大數目之樣本晶圓。然而，取決於所設計圖案之類型，已知藉由多個曝光而將圖案施加於相同晶圓上，每一次移位圖案。 在顯影晶圓且視情況蝕刻經曝光圖案之後，在步驟616中，度量衡設備(例如，角解析散射計)用於量測疊對以作為微影製程之效能之參數。以與圖4之大量APC控制迴路中之方式相同的方式進行此量測，不過在此開發階段中，可量測多個不同疊對目標類型且各自將使用多個不同配方進行量測。在一種類型之散射計中，舉例而言，可有可能使用七個不同波長之輻射及針對每一波長之兩個不同偏振來量測繞射圖案。因此，若存在七個波長、兩個偏振及m個不同目標類型，則每一量測點之此等量測所花費之時間將為一個量測所花費之時間的7×2×m倍。量測點將跨越晶圓分佈，且由實施於APC系統中之回饋模型判定數目。舉例而言，使用上文所提及之類型之三階多項式模型，跨越晶圓之大約100個點可足夠，或200個點以用於額外雜訊抗擾性。 儘管在步驟614中所印刷之晶圓可為專用於製程開發之具有測試圖案之晶圓，但其應使用儘可能等於經開發之已完成生產製程的製程步驟來印刷，且具有與產品相同之結構。在步驟614中所印刷之晶圓可為已經使用實際生產倍縮光罩之產品圖案。可容納於此晶圓上之可用對準標記類型及度量衡標記類型之數目可小於在專用實驗晶圓的狀況下可用對準標記類型及度量衡標記類型之數目，但仍可執行最佳化，從而儘可能利用存在之自由度。此外，即使發現最佳化將需要並不存在於生產倍縮光罩上的對準標記及/或疊對目標之設計，亦可進行規劃以在下一次修正處實施最佳化結構。 在步驟618處，將使用候選疊對目標及配方(度量衡資料)所獲得之疊對量測與由參考技術(參考資料)所量測之「真實」疊對值相比較。出於此目的，參考技術可包括例如SEM (掃描電子顯微法)及/或TEM (透射電子顯微法)及/或AFM (原子力顯微法)，所有參考技術在此項技術中已知。可用作參考技術之另一技術(單獨或與剛剛所提及之彼等技術組合)揭示於公開國際專利申請案WO 2015018625 A1中。揭示在兩個相對方向上在目標或標記中引入故意的不對稱性的技術。在已知不對稱性的情況下，可重新建構虛擬「無不對稱性」情形且將其用於控制。無論選擇哪個參考技術均提供對疊對之直接量測，但並不適合於執行在生產製程中所需之大量量測。可以大量執行使用疊對目標所獲得之疊對量測，但該等疊對量測僅間接表示受關注之參數(疊對)。在比較量測之兩個集合以識別度量衡目標及度量衡配方之最佳組合之前將統計方法施加至量測之兩個集合。 在一個實施例中，在步驟618中之統計分析產生藉由度量衡目標之多個不同疊對量測所形成的多維資料集之第一多變量分析，該等多個不同疊對量測在跨越每一晶圓及跨越多個晶圓之多個點處進行且使用度量衡目標類型及度量衡配方之不同組合而進行。對「真實」或參考量測執行第二多變量分析，該等「真實」或參考量測被視為最佳化製程之設定點。舉例而言，為了實施第一多變量分析，可對度量衡資料集執行主成份分析(PCA)。PCA分析將資料集分解成數個多維成份向量。類似地，為了執行第二多變量分析，可將PCA施加至參考資料(設定點資料)以將彼多維資料集分解成成份向量。 在620處，比較兩個多變量分析之結果以識別在度量衡資料中所報告之疊對與藉由參考技術所量測之疊對之間具有最佳相關性的度量衡目標與配方組合。作為此比較之一個可能的實施，吾人可使度量衡資料之變化與對準資料之變化相關。為了使變化最小化，偏移(或就PCA而言之距離)應恆定。在此方法之實例中，度量衡目標類型及度量衡配方之最佳組合經識別為在組合之疊對值與藉由參考技術所報告之彼等疊對值之間具有最小變化的組合。PCA實際上為展示資料集之大部分變化所在之處的座標轉換。疊對量測誤差之此晶圓間變化相較於可在製程模型或其他校準中經校正的較系統性誤差更受關注。使此「距離」最小化減小真實世界中所觀測到的變化。在真實世界中藉由相同參數所描述之任何類型的資料可添加在同一PCA空間中。因此，可添加多個對準標記類型及量測結果，無論其為使用不同配方經模擬抑或實際量測。 在620處，判定在步驟618中所識別之最小距離是否太大以至於無法表示最終經最佳化組合。在習知情形下，若疊對效能並未達至指定位準，則需要製造產品光罩之新例項。此導致開發時間之主要損失。因此，所揭示方法首先搜索可工作替代方案，諸如切換至已經存在於光罩上之備份標記類型及/或改變配方。更確切而言，在發現疊對目標類型及度量衡配方的情況下，步驟620接著判定最佳對準標記類型、對準模型及對準配方使得疊對之變化最小。假定每一度量衡目標存在多個結果，或甚至量測多個度量衡目標，則此步驟可有效地實施對準策略及疊對量測策略之共同最佳化。 若所發現之最小距離仍太大，則流程進行至步驟622，其中以類似於步驟604的方式再次執行對準目標最佳化器。儘管該處理類似於步驟604中所進行之處理，但該處理所基於之資料現包括對在步驟614中所印刷之實際晶圓進行的量測。因此，在步驟624處，可判定新最佳標記類型M+1。 在已改變對準標記類型之情況下，流程進行至步驟625，其中以類似於步驟610之方式但在新對準標記類型之情況下再次執行度量衡目標最佳化。在626處，由於最佳化步驟625，結合最佳配方及對準樹建立新度量衡目標設計。 可注意到，相對於由度量衡設備所量測之疊對資料評估不同對準標記及配方，以最佳化對準標記及配方為慣例。然而，在彼狀況下，藉由度量衡設備所報告之疊對被視為設定點。相比之下，在上述方法中，將由獨立參考技術所量測之「真實」疊對值用作設定點。在上述方法中，度量衡目標及度量衡配方與對準標記及對準配方兩者可共同經最佳化。在存在對用於一或多個後續層之對準標記及配方之選擇的狀況下，步驟612可包括對對準標記類型及對準配方之逐步最佳化，以達成完整最佳化對準樹。 儘管藉由在圖6中所說明之反覆迴路中依序修正對準標記及度量衡目標而執行共同最佳化，但此依序途徑並非唯一可能的途徑。在並非所有資料在需要作出決策時均可用之系統中，依序途徑為合適的。在未來系統中，對準感測器及度量衡感測器可變得更為複雜及/或彼此類似，或甚至為同一儀器。在此狀況下，對對準標記類型及度量衡標記類型之修正可組合成單一共同最佳化計算。 除標記類型及配方之變化之外，對準標記及度量衡目標之位置亦可改變及經共同最佳化以作為該製程之部分。疊對效能控制之共同最佳化製程可耦接至以其他參數(例如，焦點)形式之效能控制之最佳化。舉例而言，用於聚焦度量衡之目標可與疊對之度量衡目標及/或與對準標記競爭空間。可實施對所有此等變數之共同最佳化，以確保例如經改良疊對效能並不以降級的聚焦效能為代價。 假定在步驟620處發現令人滿意的距離，在開發階段中該方法完成。控制進行至步驟630，其中現在生產階段中繼續最佳化。在生產階段中，以批次處理高容量之晶圓。舉例而言，一批次可包含25個晶圓。將藉由高效能微影設備在幾分鐘內處理每一批次，包括針對每一晶圓的圖3中所說明之整個循環。 在圖6中所說明之外部迴路中，實施批次控制策略之最佳化。資料處理設備經程式化以判定在數個可能候選當中哪一回饋策略產生受關注之產品及層之最佳可能疊對。對於實施於本發明實施例中之批次(R2R)最佳化系統存在若干組件： ·   若已施加不同於目前在操作中之R2R策略的R2R策略，則提供第一模組以計算將達成什麼疊對。 ·   第二模組與圖4之APC控制系統並行地執行且使用若干替代性R2R回饋策略計算新製程校正。計算此等製程校正但並不施加此等製程校正以控制生產製程。然而，在若干批次已經經由微影設備處理及由度量衡系統MET量測之後，模組將替代性策略與目前在操作中之策略進行比較，且報告其中之哪一者將達成最佳疊對效能。 對於設定階段及/或生產階段，上述模組可實施於生產設施之不同電腦系統中。在生產階段中，外部反饋迴路詳言之將用以執行批次控制策略最佳化，如下文將參考圖7所描述。第一模組及/或第二模組亦可計算在一些批次並未包括於製程校正之計算中之情況下疊對效能是否將較好。此等批次接著被標籤為「離群值批次」。基於對離群值批次之此判定，系統將在圖案化基板之前判定是否將已藉由對對準資料操作之離群值偵測演算法偵測到每一特定離群值批次。 離群值至關重要，由於經實施以用於進階製程控制之回饋系統僅對緩慢變化之資料很好地起作用。避免將有雜訊資料置放至R2R控制系統中為至關重要的。為了偵測離群值批次，可以不同方式操作模組。識別離群值之一種方式為分析來自度量衡系統之疊對量測及標記疊對落在正常分佈臨限值外的彼等疊對量測。識別離群值之另一方式為在將圖案施加於基板上之前使用由微影設備之對準感測器量測之對準資料。展示高位置偏差(尤其例如並未藉由對準模型校正之較大殘差)之晶圓可被標記為離群值。儘管對準及疊對並不相同，但在統計學上對準為疊對之預測值。此外，第二方法具有對準資料可用於每一晶圓之優點，而疊對度量衡資料可能僅可用於每一批次之幾個樣本晶圓。無論選擇哪個方法，離群值偵測之臨限值自身為可藉由本文所描述之方法最佳化的R2R控制策略之參數。 返回至圖6之流程圖，藉由外部反饋迴路實施R2R最佳化方法之一個實施例，在步驟630處開始。在630處，測試在目前使用之對準標記、度量衡目標、對準配方及度量衡配方之組合的情況下，目前所選R2R控制策略是否為最佳的R2R控制策略。 若在步驟630處之測試揭露目前使用之組合並非用於R2R控制之最佳組合，則流程進行至步驟632，其中類似於步驟604及步驟622，再次執行對準標記最佳化器。在步驟634處，對準標記類型Q經識別為最佳化器步驟632之結果。在上文所描述之內部反饋迴路中，考慮並不產生最佳化對準及度量衡效能之對準標記類型且排除對其之考量。相比之下，在外部迴路中，考慮所有可用標記類型，以嘗試及搜尋有效組合。在步驟636處，藉由上文所識別之模組中之一者發現新R2R控制策略S+1，且控制進行回至625。在新對準標記類型及批次控制策略的情況下，再次判定最佳度量衡目標及最佳度量衡配方。 前已述及，在設定階段中之選擇(原始步驟610)之準則為可印刷性、準確度及穩固性。在生產階段中，關於遍及數個批次之方法之效能的額外資訊現可用。因此，在修正最佳度量衡目標類型時，在步驟625中，可施加額外準則：穩定性。換言之，在吾人考慮到效能量測將用於不同回饋策略中時，最佳度量衡目標及/或度量衡配方可略微不同於先前所選擇之度量衡目標及/或度量衡配方。 圍繞最佳化製程的流程繼續反覆，直到通過在步驟630處之測試。在640處，用於控制生產製程或輸出之參數之完整經最佳化集合，包括對準標記、對準樹、對準配方、度量衡目標、度量衡配方及批次控制設定之最佳組合。最佳化流程在步驟650處結束，但以所要間隔重複處理以得益於增大之處理容量之經驗。可視需要連續地執行評估不同R2R控制策略之模組。 除在生產階段期間最佳化R2R控制策略之外，原則上系統亦可回歸至對準標記類型及配方及/或度量衡目標類型及配方之選擇。原則上，微影設備內之感測器可執行線內實驗。舉例而言，對準感測器可已經聚集對準標記之多色彩資料，以使得可評估不同配方而無額外量測額外負擔。其他類型之量測可影響生產產出率，且因此可能僅很少執行。 圖7示意性地說明實施上文所描述之控制系統的微影生產設施之各種硬體及處理組件之相互作用。在左側及右側處，可見微影設備LA及度量衡系統MET。提供將命令702發出至微影單元之監督控制系統SCS以開始處理晶圓之給定批次(批)的製造執行系統MES。儘管此圖中僅展示單一微影設備LA，但同一監督控制系統實際上將與微影設備之至少一叢集一起操作，從而在大量製造環境下並行地工作。使用上文關於圖3所描述之各種控制迴路，除特定於每一個別工具之校正之外，亦可跨越所有設備施加製程校正。 在圖7中，與製造執行系統MES及微影資訊系統LIS分開展示進階製程控制模組APC。此等系統可被視為圖1中展示的監督控制系統SCS內之組件。其可實施於共同計算系統中，或其實際上可為單獨系統。舉例而言，APC系統可藉由生產設施操作員及/或度量衡設備供應商提供及操作，而SCS之其他元件與微影設備較緊密地整合且與微影設備一起供應。在圖7中，進階製程控制系統APC使用歷史效能資料704及關於本批次之上下文資料，以根據有效R2R控制策略計算製程校正714。將此等製程校正714供應至微影設備。LIS內之最佳化模組706在已經經由微影單元處理晶圓之後自度量衡系統MET接收疊對資料708。最佳化模組706藉由自微影設備請求在相同晶圓之處理期間收集之對應對準資料之報告710而回應於疊對資料。此等對準資料不僅包括自對準感測器導出之位置量測，而且包括用於不同色彩、偏振等之原始信號資料，其在已經量測對準標記之後保存一定時間。與自APC模組所接收的上下文資訊714一起，最佳化模組706具有執行圖6之方法所需的資訊，包括批次回饋控制之線內製程。舉例而言，上下文資訊可包括APC重設信號及將不同批次指派至具有類似特性之不同「執行緒」中的資訊。以此方式，在特定於每一執行緒之回饋迴路之情況下，若干並行產品類型及製程可經交錯。模組APC可在任何時間處觸發新曝光校正資料之計算。 在執行圖6之最佳化方法之後，最佳化模組將曝光校正資料716遞送至微影設備以用於圖案化一批晶圓。模組APC根據對過去晶圓進行之效能量測及根據當前批次策略提供製程校正資料718。類似地，最佳化模組706將度量衡配方資料720提供至度量衡系統MET以引起在圖案化之後對晶圓進行疊對量測。此等量測之結果形成新歷史效能資料704以供模組APC使用。 一旦生產正在進行，亦藉由圖6中之外部反饋迴路執行批次(R2R)最佳化。在所說明的實例中，提供線內R2R最佳化模組740，其對應於上文關於圖6所提及之第二模組。使用自微影資訊系統LIS所提供之即時上下文資料752，此模組與生產製程並行地執行。舉例而言，上下文及效能資料752可包括批次報告、對準資料、使用哪些曝光校正、所量測之疊對資料及來自模組APC之上下文資料。自然地，上下文資料及效能資料指代已經處理之晶圓，但在類似條件下對類似批次之晶圓之處理正在進行，且在例如小於一小時之短時間尺度內可受R2R最佳化器影響之意義上，上下文資料及效能資料被稱為「即時」的。 藉由上文所描述之方法，線內R2R模組740分析效能之某些參數是否可藉由不同批次控制策略之使用而改良。在替代性R2R控制策略經識別之情況下，可產生報告744且將其傳遞至APC模組。可自動地使用此報告以針對未來批次實施經改良策略。自動化實施可全自動，或可將提示呈現給操作人員以確認策略之改變及/或在數個替代性策略之間選擇。 在所說明的實例中，展示離線R2R最佳化模組750，其對應於上文所描述之第一模組。可在任何時間執行此模組，執行後將觸發LIS遞送包括例如批次報告、對準資料、使用哪些曝光校正、量測之疊對資料及來自模組APC之上下文資料的歷史上下文及效能資料752。產生評估替代性R2R控制策略之報告754。 若藉由此等模組740、750中之任一者發現所有策略均不穩定，則系統可觸發(或提示)使用生產資料及可能額外量測來重新執行包括步驟622及625之內部迴路以搜尋替代性位置量測標記類型及配方及/或替代性度量衡目標類型及配方。 結論 藉由本文中所揭示之技術，用於最佳化對準標記及度量衡目標之設計及使用的目前現有方法可經改良。執行共同最佳化以獲得標記及設定之更佳組合。最佳組合不僅更為可靠地獲得，而且相較於藉由已知技術可迅速得多地獲得最佳組合。可基於受關注之效能參數(例如，疊對及/或焦點)之任何組合而判定最佳組合。 儘管在圖6之實例方法中藉由依序修正對準標記及度量衡目標執行共同最佳化，但此依序途徑並非必要的。在其他實施例中，對對準標記類型及度量衡標記類型之修正可組合成單一共同最佳化計算。因此，申請專利範圍不應解譯為需要嚴格依序途徑。 可易於將該方法整合至現有開發製程中，且整合至進行中之進階製程控制迴路中。並不需要新硬體以達成經改良效能。 與微影設備及微影單元LC之硬體相關聯地，一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列之電腦程式，該等機器可讀指令用於使微影製造系統之處理器實施如上文所描述之模型映射及控制之方法。可(例如)在用於影像計算/控制程序之單獨電腦系統中執行此電腦程式。或者，可全部地或部分地在處理器、度量衡工具內及/或圖1及2之控制單元LACU及/或監督控制系統SCS內執行計算步驟。亦可提供其中儲存有呈非暫時形式的此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)。 可使用以下條項進一步描述本發明： 1.    一種控制一圖案化製程之方法，其包含： (a) 量測提供於一基板上之數個位置量測標記之位置； (b) 使用該等經量測位置以界定一基板校正； (c) 在控制該圖案化製程時使用該基板校正以將一圖案施加至該基板； (d) 使用包括於該經施加圖案中之數個效能量測目標，以用於量測該圖案化製程之一效能參數；及 (e) 在處理數個基板之後，使用該等經量測效能參數以計算一製程校正且使用該製程校正以及步驟(c)中之該基板校正， 其中該方法進一步包含，在一設定階段中， (i) 參考該圖案化製程之預期參數自複數個候選標記類型當中選擇用於該圖案化製程之一種類型的位置量測標記； (ii) 使用該圖案化製程將一測試圖案施加至數個基板，該測試圖案包括複數個候選類型之效能量測目標；及 (iii) 藉由比較如使用該等不同類型的效能量測目標所量測之該圖案化製程之效能與由其他方法所量測之該圖案化製程之效能而選擇一較佳候選類型之效能量測目標， 且其中在該設定階段中該方法又進一步包含： (iv) 基於在步驟(ii)中之該圖案化製程之實際執行之後對位置量測標記及效能量測目標之該等量測，修正用於在步驟(c)中控制該圖案化製程之位置量測標記類型之該選擇。 2.    如條項1之方法，其中至少在該設定階段期間在每一基板上提供複數個候選標記類型。 3.    如條項1或2之方法，其中該步驟(i)及/或(iv)進一步包含除在不同類型的位置量測標記之間選擇之外，亦在用於一位置量測方法之不同配方之間選擇。 4.    如條項1、2或3之方法，其中步驟(ii)包括參考該圖案化製程之預期參數自複數個類型當中選擇用於該圖案化製程之一或多個候選類型之效能量測目標。 5.    如前述條項中任一項之方法，其中該方法在該設定階段中又進一步包含： (v) 基於在步驟(ii)中之該圖案化製程之實際執行之後對位置量測標記及效能量測目標之該等量測，修正用於在步驟(c)中控制該圖案化製程之效能量測目標類型之該選擇。 6.    如前述條項中任一項之方法，其中該步驟(ii)及/或(v)進一步包含除在不同類型的效能量測目標之間選擇之外，亦在用於一效能量測方法之不同配方之間選擇。 7.    如前述條項中任一項之方法，其中在該步驟(e)中，在一生產階段中，根據一所選效能回饋策略回應於來自新近經處理基板之經量測效能參數而漸進地更新該製程校正。 8.    如條項7之方法，其進一步包含： (vi) 與使用該所選效能回饋策略控制該圖案化製程之效能並行地，根據一或多個替代性效能回饋策略計算替代性製程校正，及 (vii) 比較使用該所選效能回饋策略達成之該圖案化製程之效能與使用該替代性效能回饋策略模擬之該圖案化製程之效能且切換至模擬效能將更佳於該達成效能之一替代性效能回饋策略。 9.    如條項8之方法，其進一步包含： (viii) 在切換至一替代性效能回饋策略之後，藉由比較如使用該等不同類型的效能量測標記所量測之該新效能回饋策略圖案化製程之穩定性而修正該較佳候選類型之效能量測目標之該選擇。 10.  一種控制一圖案化製程之方法，其中在處理數個基板之後使用效能量測目標來量測該圖案化製程之效能，其中該方法進一步包含，在一設定階段中， (i) 參考該圖案化製程之預期參數自複數個候選標記類型當中選擇用於該圖案化製程之一種類型的位置量測標記； (ii) 使用該圖案化製程將一測試圖案施加至數個基板，該測試圖案包括複數個候選類型之效能量測目標；及 (iii) 藉由比較如使用該等不同類型的效能量測目標所量測之該圖案化製程之效能與由其他方法所量測之該圖案化製程之效能而選擇一較佳候選類型之效能量測目標， 且其中在該設定階段中該方法又進一步包含： (iv) 基於在步驟(ii)中之該圖案化製程之實際執行之後對位置量測標記及效能量測目標之該等量測，修正在該圖案化製程中所使用之用於量測跨越該基板之位置偏差之位置量測標記類型之一選擇。 11. 一種控制一圖案化製程之方法，其中在處理數個基板之後，經量測效能參數用於計算一製程校正，在將一圖案施加至一系列新基板時使用該製程校正，且其中根據一所選效能回饋策略回應於來自新近處理基板之經量測效能參數而漸進地更新該製程校正，該方法進一步包含： (i) 與使用該所選效能回饋策略控制該圖案化製程之效能並行地，根據一或多個替代性效能回饋策略計算替代性製程校正，及 (ii) 比較使用該所選效能回饋策略達成之該圖案化製程之效能與使用該替代性效能回饋策略模擬之該圖案化製程之效能且切換至模擬效能將更佳於該達成效能之一替代性效能回饋策略。 12.  一種用於一微影設備之控制系統，該控制系統包含： 儲存裝置，其用於儲存表示在將圖案施加至複數個先前基板時一圖案化製程之效能之歷史效能量測；及 一處理器，其用於使用該等歷史效能量測以及對一當前基板進行的位置量測以控制一圖案化製程， 在一最佳化系統中該控制系統進一步包含： 用於參考該圖案化製程之預期參數自複數個候選標記類型當中選擇用於該圖案化製程之一種類型的位置量測標記之一模組； 用於藉由比較如使用該等不同類型的效能量測目標所量測之該圖案化製程之效能與由其他方法所量測之該圖案化製程之實際效能而自施加至一或多個基板之複數個候選類型之效能量測目標當中選擇一較佳候選類型之效能量測目標之一模組，及 其基於在該圖案化製程之實際執行之後對位置量測標記及效能量測目標之該等量測以用於修正用於量測跨越該基板之位置偏差之位置量測標記類型之該選擇之一模組。 13.  一種製造器件之方法，其中由一圖案化製程而將器件特徵及度量衡目標形成於一系列基板上，其中由一如條項1至12中任一項之方法來量測一或多個經處理基板上之該等度量衡目標之性質，且其中使用該等經量測性質以調整該圖案化製程之參數以用於另外基板之處理。 14.  一種微影設備，其包括一量測系統、一圖案化系統及一控制系統，該控制系統為如條項12之控制系統。 15.  一種電腦程式產品，其含有用於實施如條項1至11中任一項之一方法之該等步驟的機器可讀指令之一或多個序列。 16.  一種電腦程式產品，其含有機器可讀指令之一或多個序列，該等機器可讀指令用於使一處理器件或處理器件之系統實施如條項12之控制系統。 儘管上文已特定地參考在光學微影之內容背景中的本發明之實施例之使用，但將瞭解，本發明可用於其他圖案化應用中，例如，壓印微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 對特定實施例之前述說明將因此充分地揭露本發明之一般本質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識、針對各種應用而容易修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及導引進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
200‧‧‧步驟
202‧‧‧步驟
204‧‧‧步驟
206‧‧‧配方資料
208‧‧‧量測資料
210‧‧‧步驟
212‧‧‧步驟
214‧‧‧步驟
216‧‧‧步驟
218‧‧‧步驟
220‧‧‧步驟
300‧‧‧穩定性模組
302‧‧‧監視晶圓
304‧‧‧微影製造單元
306‧‧‧度量衡工具
308‧‧‧穩定性校正
320‧‧‧經曝光產品晶圓
322‧‧‧度量衡工具
324‧‧‧進階製程控制(APC)模組
326‧‧‧製程校正
328‧‧‧監督控制系統(SCS)
330‧‧‧經蝕刻晶圓
332‧‧‧度量衡單元/度量衡工具
602～650‧‧‧步驟
702‧‧‧命令
704‧‧‧歷史效能資料
706‧‧‧最佳化模組
708‧‧‧疊對資料
710‧‧‧報告
714‧‧‧製程校正/上下文資訊
716‧‧‧曝光校正資料
718‧‧‧製程校正資料
720‧‧‧度量衡配方資料
740‧‧‧線內R2R最佳化模組/模組
744‧‧‧報告
750‧‧‧離線R2R最佳化模組/模組
752‧‧‧即時上下文資料/歷史上下文及效能資料
754‧‧‧報告
A1‧‧‧對準標記
A2‧‧‧對準標記
A3‧‧‧對準標記
A4‧‧‧對準標記
A5‧‧‧對準標記
A6‧‧‧對準標記
AD‧‧‧調整器
APC‧‧‧進階製程控制模組
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
EXP‧‧‧曝光站
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出口
I/O2‧‧‧輸入/輸出口
L0‧‧‧層
L1‧‧‧層
L2‧‧‧層
LA‧‧‧微影設備
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元/微影單元
LIS‧‧‧微影資訊系統
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MEA‧‧‧量測站
MES‧‧‧製造執行系統
MET‧‧‧度量衡系統
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
R1‧‧‧度量衡目標/疊對目標
R1.0‧‧‧底部光柵
R1.1‧‧‧頂部光柵
R2‧‧‧度量衡目標/疊對目標
R3‧‧‧度量衡目標/疊對目標
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧機器人
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板/晶圓
WTa‧‧‧基板台/支撐件
WTb‧‧‧基板台/支撐件
W'‧‧‧新基板/晶圓
W''‧‧‧經曝光基板
現將參考隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中： 圖1描繪適合用於本發明之一實施例中之微影設備； 圖2描繪可使用根據本發明之檢測設備的微影製造單元或叢集； 圖3示意性地說明根據已知實踐之圖1之設備中的量測及曝光製程； 圖4為用於根據已知實踐控制圖1之設備的進階製程控制方法的示意圖； 圖5說明在根據本發明之一實施例之方法中所使用之基板中的多個替代性對準標記及替代性度量衡目標之佈建； 圖6為根據本發明之一實施例的共同最佳化對準標記類型、對準配方、度量衡目標類型、度量衡配方、對準樹及批次控制策略之方法之流程圖；及 圖7說明在微影生產設施之各種設備中圖6之方法之實施。
602~650‧‧‧步驟

Claims (15)

  1. 一種控制一圖案化製程之方法，其包含： (a) 量測提供於一基板上之數個位置量測標記之位置； (b) 使用該等經量測位置以界定一基板校正； (c) 在控制該圖案化製程時使用該基板校正以將一圖案施加至該基板； (d) 使用包括於該經施加圖案中之數個效能量測目標，以用於量測該圖案化製程之一效能參數；及 (e) 在處理數個基板之後，使用該等經量測效能參數以計算一製程校正且使用該製程校正以及步驟(c)中之該基板校正， 其中該方法進一步包含，在一設定階段中， (i) 參考該圖案化製程之預期參數自複數個候選標記類型當中選擇用於該圖案化製程之一種類型的位置量測標記； (ii) 使用該圖案化製程將一測試圖案施加至數個基板，該測試圖案包括複數個候選類型之效能量測目標；及 (iii) 藉由比較如使用該等不同類型的效能量測目標所量測之該圖案化製程之效能與由其他方法所量測之該圖案化製程之效能而選擇一較佳候選類型之效能量測目標， 且其中在該設定階段中該方法又進一步包含： (iv) 基於在步驟(ii)中之該圖案化製程之實際執行之後對位置量測標記及效能量測目標之該等量測，修正用於在步驟(c)中控制該圖案化製程之位置量測標記類型之該選擇。
  2. 如請求項1之方法，其中至少在該設定階段期間將複數個候選標記類型提供於每一基板上。
  3. 如請求項1之方法，其中該步驟(i)及/或(iv)進一步包含除在不同類型的位置量測標記之間選擇之外，亦在用於一位置量測方法之不同配方之間選擇。
  4. 如請求項1之方法，其中步驟(ii)包括參考該圖案化製程之預期參數自複數個類型當中選擇用於該圖案化製程之一或多種候選類型之效能量測目標。
  5. 如請求項1之方法，其中該方法在該設定階段中又進一步包含： (v) 基於在步驟(ii)中之該圖案化製程之實際執行之後對位置量測標記及效能量測目標之該等量測，修正用於在步驟(c)中控制該圖案化製程之效能量測目標類型之該選擇。
  6. 如請求項1之方法，其中該步驟(ii)及/或(v)進一步包含除在不同類型的效能量測目標之間選擇之外，亦在用於一效能量測方法之不同配方之間選擇。
  7. 如請求項1之方法，其中在該步驟(e)中，在該製程之一生產階段中，根據一所選效能回饋策略回應於來自新近經處理基板之經量測效能參數而漸進地更新校正。
  8. 如請求項7之方法，其進一步包含： (vi)  與使用該所選效能回饋策略控制該圖案化製程之效能並行地，根據一或多個替代性效能回饋策略計算替代性製程校正，及 (vii) 比較使用該所選效能回饋策略達成之該圖案化製程之效能與使用該替代性效能回饋策略模擬之該圖案化製程之效能，且切換至模擬效能將更佳於該達成效能之一替代性效能回饋策略。
  9. 如請求項8之方法，其進一步包含： (viii) 在切換至一替代性效能回饋策略之後，藉由比較如使用該等不同類型的效能量測標記所量測之該新效能回饋策略圖案化製程之穩定性而修正該較佳候選類型之效能量測目標之該選擇。
  10. 一種控制一圖案化製程之方法，其中在處理數個基板之後使用效能量測目標來量測該圖案化製程之效能，其中該方法進一步包含，在一設定階段中， (i) 參考該圖案化製程之預期參數自複數個候選標記類型當中選擇用於該圖案化製程之一種類型的位置量測標記； (ii) 使用該圖案化製程將一測試圖案施加至數個基板，該測試圖案包括複數個候選類型之效能量測目標；及 (iii) 藉由比較如使用該等不同類型的效能量測目標所量測之該圖案化製程之效能與由其他方法所量測之該圖案化製程之效能而選擇一較佳候選類型之效能量測目標， 且其中在該設定階段中該方法又進一步包含： (iv) 基於在步驟(ii)中之該圖案化製程之實際執行之後對位置量測標記及效能量測目標之該等量測，修正在該圖案化製程中所使用之用於量測跨越該基板之位置偏差之位置量測標記類型之一選擇。
  11. 一種控制一圖案化製程之方法，其中在處理數個基板之後，經量測效能參數用於計算一製程校正，在將一圖案施加至一系列新基板時使用該製程校正，且其中根據一所選效能回饋策略回應於來自新近處理基板之經量測效能參數而漸進地更新該製程校正，該方法進一步包含： (i) 與使用該所選效能回饋策略控制該圖案化製程之效能並行地，根據一或多個替代性效能回饋策略計算替代性製程校正，及 (ii) 比較使用該所選效能回饋策略達成之該圖案化製程之效能與使用該替代性效能回饋策略模擬之該圖案化製程之效能，且切換至模擬效能將更佳於該達成效能之一替代性效能回饋策略。
  12. 一種用於一微影設備之控制系統，該控制系統包含： 儲存裝置，其用於儲存表示在將圖案施加至複數個先前基板時一圖案化製程之效能之歷史效能量測；及 一處理器，其用於使用該等歷史效能量測以及對一當前基板進行的位置量測以控制一圖案化製程， 在一最佳化系統中該控制系統進一步包含： 用於參考該圖案化製程之預期參數自複數個候選標記類型當中選擇用於該圖案化製程之一種類型的位置量測標記之一模組； 用於藉由比較如使用該等不同類型的效能量測目標所量測之該圖案化製程之效能與由其他方法所量測之該圖案化製程之實際效能而自施加至一或多個基板之複數個候選類型之效能量測目標當中選擇一較佳候選類型之效能量測目標之一模組，及 基於在該圖案化製程之實際執行之後對位置量測標記及效能量測目標之該等量測以用於修正用於量測跨越該基板之位置偏差之位置量測標記類型之該選擇之一模組。
  13. 一種微影設備，其包括一量測系統、一圖案化系統及一控制系統，該控制系統為如請求項12之控制系統。
  14. 一種電腦程式產品，其含有用於實施如請求項1、10或11中任一項之一方法之步驟的機器可讀指令之一或多個序列。
  15. 一種電腦程式產品，其含有機器可讀指令之一或多個序列，該等機器可讀指令用於使一處理器件或處理器件之系統實施如請求項12之控制系統。
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