TWI534866B - 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體 - Google Patents

基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體 Download PDF

Info

Publication number
TWI534866B
TWI534866B TW103122668A TW103122668A TWI534866B TW I534866 B TWI534866 B TW I534866B TW 103122668 A TW103122668 A TW 103122668A TW 103122668 A TW103122668 A TW 103122668A TW I534866 B TWI534866 B TW I534866B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
gas
exhaust
peripheral side
processing
Prior art date
Application number
TW103122668A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201537625A (zh
Inventor
板谷秀治
Original Assignee
日立國際電氣股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立國際電氣股份有限公司 filed Critical 日立國際電氣股份有限公司
Publication of TW201537625A publication Critical patent/TW201537625A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI534866B publication Critical patent/TWI534866B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45504—Laminar flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體
本發明係關於一種基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
通常，於半導體裝置之製造步驟中，使用對晶圓等基板進行成膜處理等製程處理之基板處理裝置。作為基板處理裝置，已知有逐片地對基板進行處理之單片式者。
作為單片式基板處理裝置進行之製程處理，例如有交替地供給數種處理氣體(gas)之循環處理。該循環處理係相對於處理空間內之基板，例如以原料氣體供給步驟、沖洗步驟、反應氣體供給步驟、沖洗步驟為1週期，藉由將該週期重複既定次數(n週期)而進行膜向基板上之形成。因此，為了有效地進行該循環處理，需要同時實現氣體相對於處理空間內之基板之供給之均勻化、與殘留氣體自處理空間內之排氣之迅速化。作為謀求氣體相對於處理空間內之基板之供給之均勻化的技術，例如專利文獻1、2、3所記載般已知有調整排氣導率(conductance)之技術。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-113268號公報
[專利文獻2]日本專利特開2000-58298號公報
[專利文獻3]日本專利特開2010-202982號公報
為了更有效地同時實現氣體相對於處理空間內之基板之供給之均勻化、與殘留氣體自處理空間內之排氣之迅速化，較理想為以可更適當地進行排氣導率調整方式構成。
因此，本發明之目的在於提供一種可適當地進行排氣導率調整，藉此可確實地謀求膜形成時之處理空間內之壓力之均勻化的基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
根據本發明之一態樣，提供一種基板處理裝置，其具備有：處理空間，其針對基板進行處理；基板載置台，其載置上述基板；升降機構，其使上述基板載置台產生升降而使上述基板於搬送位置與上述處理空間內之基板處理位置之間產生升降；氣體供給系統，其將氣體供給至上述處理空間內；排氣緩衝室，其具有以包圍上述處理空間之側方之周圍的方式所設置之空間，而流入被供給至上述處理空間內之氣體；氣體排氣系統，其對流入至上述排氣緩衝室內之氣體進行排氣；及導率調整板，其配置在上述基板之外周側；且 上述導率調整板係以如下之方式加以形成：當上述基板位於上述基板處理位置時，內周側係藉由上述基板載置台來加以支撐，而當上述基板位於上述搬送位置時，外周側係藉由上述基板載置台以外之部位來加以支撐；並且於內周側端緣，具有R狀(圓弧狀)部分或錐形傾斜狀部分，該內周側端緣係面向從上述處理空間而朝向上述排氣緩衝室之氣體流路。
根據本發明之其他態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其具有：基板載置台上升步驟，其使載置有基板之基板載置台上升，使上述基板上升至處理空間之基板處理位置為止，並且利用上述基板載置台將導率調整板的內周側加以支撐，該導率調整板係配置在上述基板之外周側，且於內周側端緣具有R狀部分或錐形傾斜狀部分；氣體供給步驟，其將氣體供給至上述基板之處理空間內；及氣體排氣步驟，其使供給至上述處理空間內之氣體，於經由配置有上述導率調整板之氣體流路而流入至排氣緩衝室之後，自上述排氣緩衝室內進行排氣，該排氣緩衝室係具有以包圍上述處理空間之側方之周圍的方式加以設置之空間。
根據本發明之其他態樣，提供一種儲存有程式之電腦可讀取之記錄媒體，該程式係於電腦中執行如下程序(procedure)：基板載置台上升程序，其使載置有基板之基板載置台上升，使上述基板上升至處理空間之基板處理位置為止，並且利用上述基板載置台將導率調整板的內周側加以支撐，該導率調整板係配置在上述基板之外周側，且於內周側端緣具有R狀部分或錐形傾斜狀部分；氣體供給程序，其將氣體供給至上述基板之處理空間內；及 氣體排氣程序，其使供給至上述處理空間內之氣體，於經由配置有上述導率調整板之氣體流路而流入至排氣緩衝室之後，自上述排氣緩衝室內進行排氣，該排氣緩衝室係具有以包圍上述處理空間之側方之周圍的方式加以設置之空間。
根據本發明，可適當地進行排氣導率之調整，藉此確實地謀求膜形成時之處理空間內之壓力之均勻化，作為其結果可提高基板上之膜厚之均勻性。
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧間隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入搬出口
207‧‧‧頂起銷
208‧‧‧排氣緩衝室
208a‧‧‧內周側端緣
209‧‧‧導率調整板
209a‧‧‧外周側部分
209b‧‧‧內周側部分
209c‧‧‧氣體流路
209d‧‧‧R狀部分
209e‧‧‧錐形傾斜狀部分
209f‧‧‧外周側端緣
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧基板載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧波紋管
230‧‧‧蓮蓬頭
231‧‧‧蓋
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫通孔
235‧‧‧氣體導向器
241‧‧‧氣體導入孔
242‧‧‧共通氣體供給管
243‧‧‧原料氣體供給系統
243a‧‧‧第一氣體供給管
243b‧‧‧原料氣體供給源
243c、244c、245c、246c、247c、248c‧‧‧質量流量控制器
243d、244d、245d、246d、247d、248d、261b、266、267、268、271‧‧‧閥
244‧‧‧反應氣體供給系統
244a‧‧‧第二氣體供給管
244b‧‧‧反應氣體供給源
244e‧‧‧遠程電漿單元
245‧‧‧沖洗氣體供給系統
245a‧‧‧第三氣體供給管
245b‧‧‧沖洗氣體供給源
246a‧‧‧第一惰性氣體供給管
246b、247b‧‧‧惰性氣體供給源
247a‧‧‧第二惰性氣體供給管
248a‧‧‧清洗氣體供給管
248b‧‧‧清洗氣體供給源
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
261‧‧‧第一排氣管
261a‧‧‧旁通管
262‧‧‧第二排氣管
263‧‧‧第三排氣管
264‧‧‧第四排氣管
265‧‧‧渦輪分子泵
269‧‧‧APC
272‧‧‧乾式泵
280‧‧‧控制器
281‧‧‧運算部
282‧‧‧記憶部
283‧‧‧外部記憶裝置
284‧‧‧操作面板部
S101~S205‧‧‧步驟
圖1係本發明之一實施形態之單片式基板處理裝置之概略構成圖。
圖2係表示本發明之一實施形態之基板處理步驟之流程圖。
圖3係表示圖2之成膜步驟之詳細內容之流程圖。
圖4(a)及(b)係表示圖1之基板處理裝置之導率調整板之板配置的一具體例之概略構成例。
圖5(a)及(b)係表示圖1之基板處理裝置之導率調整板之板形狀的一具體例之概略構成例。
圖6(a)及(b)係表示圖1之基板處理裝置之導率調整板與排氣緩衝室之位置關係的一具體例之概略構成例。
<本發明之一實施形態>
以下，一方面參照圖式，一方面對本發明之第一實施形態進行說明。
(1)基板處理裝置之構成
本實施形態之基板處理裝置係構成為逐片地對成為處理對象之基板進行處理之單片式基板處理裝置。作為成為處理對象之基板，例如可列舉製作半導體裝置(半導體元件)之半導體晶圓基板(以下，簡稱為「晶圓」)。作為對此種基板進行之處理，可列舉蝕刻、灰化、成膜處理等，但於本實施形態中，特別設為進行成膜處理者。
以下，一方面參照圖1，一方面對本實施形態之基板處理裝置之構成進行說明。圖1係本實施形態之單片式基板處理裝置之概略構成圖。
(處理容器)
如圖1所示，基板處理裝置100具備處理容器202。處理容器202係例如構成為橫剖面為圓形且扁平之密閉容器。又，處理容器202係例如由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等金屬材料構成。於處理容器202內，形成有處理空間201及搬送空間203，該處理空間201係對晶圓200進行處理，該搬送空間203係於將晶圓200搬送至處理空間201時，供晶圓200通過。處理容器202由上部容器202a與下部容器202b構成。於上部容器202a與下部容器202b之間，設置間隔板204。
於下部容器202b之側面，設有鄰接於閘閥205之基板搬入搬出口206，晶圓200係經由基板搬入搬出口206而與未圖示之搬送室之間移動。於下部容器202b之底部，設有數個頂起銷207。進而，下部容器202b為接地。
(基板支撐部)
於處理空間201之下部，設有支撐晶圓200之基板支撐部210。基板支撐部210主要具有：基板載置面211，其載置晶圓200；基板載置台212，其於表面具有基板載置面211；及作為加熱源之加熱器213，其內包於基板載置台212。於基板載置台212，在與頂起銷207對應之位置分別設有供頂起銷207貫通之貫通孔214。
基板載置台212係由軸217而支撐。軸217係貫通處理容器202之底部，進而於處理容器202之外部，連接於升降機構218。使升降機構218作動而使軸217及基板載置台212升降，藉此可使載置於基板載置面211上之晶圓200升降。再者，軸217之下端部之周圍係由波紋管(bellows)219覆蓋，從而氣密地保持處理容器202內。
基板載置台212係於搬送晶圓200時，基板載置面211下降至與基板搬入搬出口206對向之位置(晶圓搬送位置)為止，於處理晶圓200時，如圖1所示般晶圓200上升至成為處理空間201內之處理位置(晶圓處理位置)為止。
具體而言，於使基板載置台212下降至晶圓搬送位置為止時，頂起銷207之上端部自基板載置面211之上表面突出，從而頂起銷207自下方支撐晶圓200。又，於使基板載置台212上升至晶圓處理位置為止時，頂起銷207係自基板載置面211之上表面埋沒，從而基板載置面211自下方支撐晶圓200。再者，頂起銷207係與晶圓200直接接觸，故較理想為例如由石英或氧化鋁等材質形成。
(蓮蓬頭(shower head))
於處理空間201之上部(氣體供給方向之上游側)，設有作為氣體分散機構之蓮蓬頭230。於蓮蓬頭230之蓋231，設有氣體導入孔241， 於該氣體導入孔241，連接下文敍述之氣體供給系統。自氣體導入孔241導入之氣體係供給至蓮蓬頭230之緩衝空間232。
蓮蓬頭230之蓋231由具有導電性之金屬形成，並作為 用以於緩衝空間232或處理空間201內產生電漿之電極使用。於蓋231與上部容器202a之間，設有絕緣塊233，並使蓋231與上部容器202a之間絕緣。
蓮蓬頭230具備分散板234，該分散板234係用以使經 由氣體導入孔241而自氣體供給系統供給之氣體分散。該分散板234之上游側為緩衝空間232，下游側為處理空間201。於分散板234，設有數個貫通孔234a。分散板234係以與基板載置面211對向之方式配置。
於緩衝空間232，設置形成所供給之氣體之流動之氣體 導向器235。氣體導向器235係呈以氣體導入孔241為頂點，隨著朝向分散板234之方向而直徑變寬之圓錐形狀。氣體導向器235係以如下方式形成：其下端位於較形成於分散板234之最外周側之貫通孔234a更靠外周側。
(電漿產生部)
於蓮蓬頭230之蓋231，連接有整合器251、高頻電源252。而且，藉由利用高頻電源252、整合器251調整阻抗，而於蓮蓬頭230、處理空間201產生電漿。
(氣體供給系統)
於設於蓮蓬頭230之蓋231之氣體導入孔241，連接有共通氣體供 給管242。共通氣體供給管242係藉由向氣體導入孔241之連接而連通於蓮蓬頭230內之緩衝空間232。又，於共通氣體供給管242，連接有第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、及第三氣體供給管245a。第二氣體供給管244a係經由遠程電漿單元(RPU)244e而連接於共通氣體供給管242。
於該等中，自包含第一氣體供給管243a之原料氣體供給系統243係主要供給原料氣體，自包含第二氣體供給管244a之反應氣體供給系統244係主要供給反應氣體。自包含第三氣體供給管245a之沖洗氣體供給系統245係於對晶圓進行處理時，主要供給惰性氣體，於對蓮蓬頭230或處理空間201進行清洗時，主要供給清洗氣體。
(原料氣體供給系統)
於第一氣體供給管243a，自上游方向依序設有原料氣體供給源243b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)243c、及作為開閉閥之閥243d。而且，原料氣體係自第一氣體供給管243a經由MFC243c、閥243d、共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭230內。
原料氣體係處理氣體之一，例如係使作為包含Ti(鈦)元素之金屬液體原料之TiCl4(Titanium Tetrachloride，四氯化鈦)氣化而獲得之原料氣體(即TiCl4氣體)。再者，原料氣體係於常溫常壓下，可為固體、液體、及氣體中之任一者。於原料氣體於常溫常壓下為液體之情形時，只要於原料氣體供給源243b與質量流量控制器243c之間，設置未圖示之氣化器即可。此處，作為氣體而進行說明。
主要由第一氣體供給管243a、MFC243c、閥243d構成原料氣體供給系統243。再者，原料氣體供給系統243亦可包含原料氣 體供給源243b、下文敍述之第一惰性氣體供給系統而考慮。又，原料氣體供給系統243係供給作為處理氣體之一之原料氣體者，因此相當於處理氣體供給系統之一。
於較第一氣體供給管243a之閥243d更下游側，連接有 第一惰性氣體供給管246a之下游端。於第一惰性氣體供給管246a，自上游方向依序設有惰性氣體供給源246b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)246c、及作為開閉閥之閥246d。而且，惰性氣體係自第一惰性氣體供給管246a經由MFC246c、閥246d、第一氣體供給管243a、共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭230內。
惰性氣體係作為原料氣體之載流氣體(carrier gas)而發 揮作用者，較佳為使用不與原料反應之氣體。具體而言，例如可使用氮(N2)氣。又，除N2氣體外，例如可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等稀有氣體。
主要由第一惰性氣體供給管246a、MFC246c及閥246d 構成第一惰性氣體供給系統。再者，第一惰性氣體供給系統亦可包含惰性氣體供給源246b、第一氣體供給管243a而考慮。又，第一惰性氣體供給系統亦可包含於原料氣體供給系統243而考慮。
(反應氣體供給系統)
於第二氣體供給管244a，自上游方向依序設有反應氣體供給源244b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)244c、及作為開閉閥之閥244d。於較第二氣體供給管244a之閥244d更下游側，設有RPU244e。而且，反應氣體係自第二氣體供給管244a經由MFC244c、閥244d、RPU244e、共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭 230內。反應氣體係藉由遠程電漿單元244e而設為電漿狀態，從而照射至晶圓200上。
反應氣體係處理氣體之一，例如可使用氨(NH3)氣。
主要由第二氣體供給管244a、MFC244c、閥244d構成反應氣體供給系統244。再者，反應氣體供給系統244亦可包含反應氣體供給源244b、RPU244e、下文敍述之第二惰性氣體供給系統而考慮。又，反應氣體供給系統244係供給作為處理氣體之一之反應氣體者，因此相當於處理氣體供給系統之另一者。
於較第二氣體供給管244a之閥244d更下游側，連接有第二惰性氣體供給管247a之下游端。於第二惰性氣體供給管247a，自上游方向依序設有惰性氣體供給源247b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)247c、及作為開閉閥之閥247d。而且，惰性氣體係自第二惰性氣體供給管247a經由MFC247c、閥247d、第二氣體供給管244a、RPU244e、共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭230內。
惰性氣體係作為反應氣體之載流氣體或稀釋氣體而發揮作用者。具體而言，例如可使用氮(N2)氣。又，除N2氣體外，例如亦可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等稀有氣體。
主要由第二惰性氣體供給管247a、MFC247c、及閥247d構成第二惰性氣體供給系統。再者，第二惰性氣體供給系統亦可包含惰性氣體供給源247b、第二氣體供給管244a、RPU244e而考慮。又，第二惰性氣體供給系統亦可包含於反應氣體供給系統244而考慮。
(沖洗氣體供給系統)
於第三氣體供給管245a，自上游方向依序設有沖洗氣體供給源245b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)245c、及作為開閉閥即閥245d。而且，於基板處理步驟中，作為沖洗氣體之惰性氣體係自第三氣體供給管245a經由MFC245c、閥245d、共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭230內。又，於清洗步驟中，視需要而作為清洗氣體之載流氣體或稀釋氣體之惰性氣體經由MFC245c、閥245d、共通氣體供給管242供給至蓮蓬頭230內。
自沖洗氣體供給源245b供給之惰性氣體係於基板處理 步驟中，作為沖洗殘留於處理容器202或蓮蓬頭230內之氣體之沖洗氣體而發揮作用。又，於清洗步驟中，亦可作為清洗氣體之載流氣體或者稀釋氣體而發揮作用。具體而言，作為惰性氣體，例如可使用氮(N2)氣。又，除N2氣體外，例如亦可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等稀有氣體。
主要由第三氣體供給管245a、MFC245c、閥245d構成 沖洗氣體供給系統245。再者，沖洗氣體供給系統245亦可包含沖洗氣體供給源245b、下文敍述之清洗氣體供給系統而考慮。
(清洗氣體供給系統)
於較第三氣體供給管245a之閥245d更下游側，連接有清洗氣體供給管248a之下游端。於清洗氣體供給管248a，自上游方向依序設有清洗氣體供給源248b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)248c、及作為開閉閥之閥248d。而且，於清洗步驟中，清洗氣體係自第三氣體供給管245a經由MFC248c、閥248d、共通氣體供給管242而供給至蓮蓬頭230內。
自清洗氣體供給源248b供給之清洗氣體係於清洗步驟 中，作為去除附著於蓮蓬頭230或處理容器202之副產物等之清洗氣體而發揮作用。具體而言，作為清洗氣體，例如可考慮使用三氟化氮(NF3)氣體。又，例如亦可使用氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體、氟(F2)氣等，又，亦可組合該等而使用。
主要由清洗氣體供給管248a、MFC248c、及閥248d構 成清洗氣體供給系統。再者，清洗氣體供給系統亦可包含清洗氣體供給源248b、第三氣體供給管245a而考慮。又，清洗氣體供給系統亦可包含於沖洗氣體供給系統245而考慮。
(氣體排氣系統)
對處理容器202之環境氣體進行排氣之排氣系統具有連接於處理容器202之數個排氣管。具體而言，具有連接於搬送空間203之排氣管(第一排氣管)261、連接於緩衝空間232之排氣管(第二排氣管)262、及連接於下文敍述之排氣緩衝室208之排氣管(第三排氣管)263。又，於各排氣管261、262、263之下游側，連接排氣管(第四排氣管)264。
(第一氣體排氣系統)
第一排氣管261係連接於搬送空間203之側面或者底面。於第一排氣管261，作為實現高真空或者超高真空之真空泵，設置渦輪分子泵(TMP：Turbo Molecular Pump)265。於第一排氣管261中，在TMP265之下游側設置閥266。又，於第一排氣管261中，在TMP265之上游側設置閥267。又，於第一排氣管261中，在閥267之上游側，連接旁通管261a。於旁通管261a，設置閥261b。旁通管261a之下游側係連接 於第四排氣管264。
主要由第一排氣管261、TMP265、閥266、267、旁通管261a、及閥261b構成第一氣體排氣系統。
(第二氣體排氣系統)
第二排氣管262連接於緩衝空間232之上表面或側面。即，第二排氣管262係連接於蓮蓬頭230，藉此連通於蓮蓬頭230內之緩衝空間232。又，於第二排氣管262，設置閥268。
主要由第二排氣管262、及閥268構成第二氣體排氣系統。
(第三氣體排氣系統)
第三排氣管263連接於排氣緩衝室208之上表面或側方。於第三排氣管263，設置將連通於排氣緩衝室208之處理空間201內控制成既定之壓力之壓力控制器即APC(自動壓力控制器，Auto Pressure Controller)269。APC269具有可調整開度之閥體(未圖示)，根據來自下文敍述之控制器280之指示而調整第三排氣管263之導率。於第三排氣管263中，在APC269之上游側設置閥271。
主要由第三排氣管263、APC269、及閥271構成第三氣體排氣系統。
第四排氣管264設有乾式泵(DP：Dry Pump)272。如圖所示，於第四排氣管264，自其上游側連接第二排氣管262、第三排氣管263、第一排氣管261、旁通管261a，進而於其等之下游設置DP272。DP272係經由第二排氣管262、第三排氣管263、第一排氣管261及旁 通管261a之各者，對緩衝空間232、處理空間201、排氣緩衝室208、及搬送空間203之各者之環境氣體進行排氣。又，DP272係於TMP265進行動作時，亦作為其輔助泵而發揮功能。
(排氣緩衝室)
連接第三排氣管263之排氣緩衝室208係作為朝向側方周圍排出處理空間201內之氣體時之緩衝空間而發揮功能者。因此，排氣緩衝室208具有以包圍處理空間201之側方之周圍之方式設置的空間。該空間係以如下方式形成：由上部容器202a形成空間之頂面及兩側壁面，由間隔板204形成空間之底面，進而內周側與處理空間201連通。即，排氣緩衝室208係於處理空間201之外周側具有於俯視時形成為環(Ring)狀(圓環狀)之空間。
於排氣緩衝室208具有之空間，連接第三氣體排氣系統之第三排氣管263。藉此，供給至處理空間201內之氣體通過處理空間201與排氣緩衝室208之間之連通路徑(氣體流路)而流入至排氣緩衝室208，從而該流入之氣體通過第三排氣管263而排氣。
再者，排氣緩衝室208係若考慮作為氣體排氣之緩衝空間而發揮功能，則較佳為側剖面之高度方向之大小(空間之高度)大於處理空間201與排氣緩衝室208之間之氣體流路的側剖面之高度方向之大小。
(導率調整板)
於處理空間201與排氣緩衝室208之間之氣體流路，配置有用以調整該氣體流路之導率之導率調整板209。此處所言之「導率」係表示 氣體之流動難易度者，具體而言，相當於在氣體於氣體流路流動時產生之阻力之倒數。
導率調整板209係為了實現導率調整，作為與基板載置 台212為獨立個體之構件，由配置於基板載置面211上之晶圓200之外周側之於俯視時呈環狀(圓環狀)的板狀構件形成。又，導率調整板209係較佳為作為形成材料而使用例如石英或陶瓷(氧化鋁等)，以質量大於載置於基板載置面211上之晶圓200之方式形成。
再者，對於導率調整板209之配置位置或形狀等係於以 下敍述其詳細內容。
(控制器)
基板處理裝置100具有對基板處理裝置100之各部之動作進行控制之控制器280。控制器280至少具有運算部281及記憶部282。控制器280係連接於上述各構成，根據上位控制器或使用者之指示而自記憶部282叫出程式或配方(recipe)，從而根據其內容而對各構成之動作進行控制。具體而言，控制器280係對閘閥205、升降機構218、加熱器213、高頻電源252、整合器251、MFC243c~248c、閥243d~248d、APC269、TMP265、DP272、閥266、267、268、271、261b等之動作進行控制。
又，於控制器280，經由有線或無線之通訊線路而連接 有由觸控面板等所構成之操作面板部284。於操作面板部284，例如顯示配方設定畫面，使用者可於該配方設定畫面上進行各種設定(處理條件設定等)。
再者，控制器280可構成為專用之電腦，亦可構成為通 用之電腦。例如，準備儲存有上述程式之外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等磁碟、CD(Compact Disc)或DVD(Digital Versatile Disc)等光碟、MO(Magneto Optical)等磁光碟、USB(Universal Serial Bus)記憶體或記憶卡等半導體記憶體)283，使用外部記憶裝置283而於通用之電腦安裝程式，藉此可構成本實施形態之控制器280。
又，用以向電腦供給程式之手段並不限定於經由外部記 憶裝置283而供給之情形。例如，亦可使用網路或專用線路等通訊手段，不經由外部記憶裝置283而供給程式。再者，記憶部282或外部記憶裝置283係構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，將該等總稱而亦簡稱為記錄媒體。再者，於在本說明書中使用所謂記錄媒體之詞語之情形時，存在僅包含記憶部282之單體之情形、僅包含外部記憶裝置283之單體之情形、或包含該兩者之情形。
(2)基板處理步驟
其次，作為半導體裝置之製造方法之一步驟，對使用基板處理裝置100而於晶圓200上形成薄膜之步驟進行說明。再者，於以下之說明中，構成基板處理裝置100之各部之動作係藉由控制器280而控制。
此處，對如下之例進行說明：作為原料氣體(第一處理氣體)，使用使TiCl4氣化而獲得之TiCl4氣體，作為反應氣體(第二處理氣體)，使用NH3氣體，藉由交替地供給該等原料氣體與反應氣體，於晶圓200上作為金屬薄膜而形成TiN膜。
圖2係表示本實施形態之基板處理步驟之流程圖。圖3係表示圖2之成膜步驟之詳細內容之流程圖。
(基板搬入‧載置步驟：S101)
基板處理裝置100係首先藉由使基板載置台212下降至晶圓200之搬送位置為止，而使頂起銷207貫通至基板載置台212之貫通孔214。其結果，頂起銷207成為較基板載置台212之表面僅突出既定之高度之狀態。繼而，打開閘閥205而使搬送空間203與移載室(未圖示)連通。接著，使用晶圓移載機(未圖示)而將晶圓200自該移載室搬入至搬送空間203，從而將晶圓200移載至頂起銷207上。藉此，晶圓200係以水平姿勢支撐於自基板載置台212之表面突出之頂起銷207上。
於將晶圓200搬入至處理容器202內後，使晶圓移載機向處理容器202外退避，從而關閉閘閥205而使處理容器202內密閉。此後，使基板載置台212上升，藉此使晶圓200載置至設於基板載置台212之基板載置面211上，進而使基板載置台212上升，藉此使晶圓200上升至上述處理空間201內之處理位置。
於將晶圓200搬入至處理容器202內時，將閥266與閥267設為開狀態(開閥)而使搬送空間203與TMP265之間連通，並且使TMP265與DP272之間連通。另一方面，除閥266與閥267外之排氣系統之閥係設為閉狀態(閉閥)。藉此，搬送空間203之環境氣體藉由TMP265(及DP272)而排氣。
若晶圓200於搬入至搬送空間203後，上升至處理空間201內之處理位置為止，則將閥266與閥267設為閉狀態。藉此，搬送空間203與TMP265之間、以及TMP265與排氣管264之間被阻斷而利用TMP265進行之搬送空間203之排氣結束。另一方面，打開閥271而使排氣緩衝室208與APC269之間連通。APC269係藉由調整排氣管263之導率，而控制利用DP272進行之排氣緩衝室208之排氣之流量， 從而將連通於排氣緩衝室208之處理空間201維持成既定之壓力。再者，其他排氣系統之閥係維持閉狀態。
再者，於該步驟中，亦可一方面對處理容器202內進行 排氣，一方面自惰性氣體供給系統向處理容器202內供給作為惰性氣體之N2氣體。即，亦可一方面藉由TMP265或者DP272而經由排氣緩衝室208對處理容器202內進行排氣，一方面至少打開第三氣體供給系統之閥245d，藉此向處理容器202內供給N2氣體。藉此，可抑制顆粒向晶圓200上之附著。
又，於將晶圓200載置至基板載置台212上時，向埋入 於基板載置台212之內部之加熱器213供給電力，以晶圓200之表面成為既定之處理溫度之方式控制。此時，加熱器213之溫度係藉由如下方式調整：基於藉由未圖示之溫度感測器而檢測到之溫度資訊，對向加熱器213之通電狀況進行控制。
以此方式，於基板搬入‧載置步驟(S101)中，以使處理 空間201內成為既定之處理壓力之方式進行控制，並且以晶圓200之表面溫度成為既定之處理溫度之方式進行控制。此處，所謂既定之處理溫度、處理壓力係於下文敍述之成膜步驟(S102)中，可形成TiN膜之處理溫度、處理壓力。例如係於原料氣體供給步驟(S201)中供給之原料氣體不會自我分解之程度之處理溫度、處理壓力。具體而言，可考慮如下情形：處理溫度係設為室溫以上500℃以下，較佳為室溫以上400℃以下，處理壓力係設為50~5000Pa。該處理溫度、處理壓力係於下文敍述之成膜步驟(S102)中亦維持。
(成膜步驟：S102)
其次，於基板搬入‧載置步驟(S101)後，進行成膜步驟(S102)。以下，參照圖3，詳細地對成膜步驟(S102)進行說明。再者，成膜步驟(S102)係重複交替地供給不同之處理氣體之步驟之循環處理。
(原料氣體供給步驟：S201)
於成膜步驟(S102)中，首先進行原料氣體供給步驟(S201)。於原料氣體供給步驟(S201)時，預先使原料(TiCl4)氣化而產生(預氣化)原料氣體(即TiCl4氣體)。原料氣體之預氣化係亦可與上述基板搬入‧載置步驟(S101)並列進行。其原因在於，於穩定地產生原料氣體時，需要既定之時間。
接著，於產生原料氣體後，打開閥243d，並且以原料氣體之流量成為既定流量之方式調整質量流量控制器243c，藉此開始原料氣體(TiCl4氣體)朝向處理空間201內之供給。原料氣體之供給流量係例如為100~3000sccm。原料氣體係藉由蓮蓬頭230分散而均勻地供給至處理空間201內之晶圓200上。
此時，打開第一惰性氣體供給系統之閥246d而自第一惰性氣體供給管246a供給惰性氣體(N2氣體)。惰性氣體之供給流量係例如為500~5000sccm。再者，亦可自沖洗氣體供給系統之第三氣體供給管245a流通惰性氣體。
剩餘之原料氣體係自處理空間201內向排氣緩衝室208流入而於第三氣體排氣系統之第三排氣管263內流動，從而向第四排氣管264排氣。具體而言，以如下方式進行控制：閥271設為開狀態，從而藉由APC269而處理空間201之壓力成為既定之壓力。再者，除閥271外之排氣系統之閥係全部設為閉。
此時之處理空間201內之處理溫度、處理壓力係設為原 料氣體不會自我分解之程度之處理溫度、處理壓力。因此，於晶圓200上，吸附原料氣體之氣體分子。
於自開始原料氣體之供給經過既定時間後，關閉閥243d 而停止原料氣體之供給。原料氣體及載流氣體之供給時間係例如為0.1~20秒。
(沖洗步驟：S202)
於停止原料氣體之供給後，自第三氣體供給管245a供給惰性氣體(N2氣體)，從而進行蓮蓬頭230及處理空間201之沖洗。此時，亦以如下方式進行控制：閥271設為開狀態，從而藉由APC269而處理空間201之壓力成為既定之壓力。另一方面，除閥271外之氣體排氣系統之閥係全部設為閉狀態。藉此，於原料氣體供給步驟(S201)中，無法吸附至晶圓200之原料氣體係藉由DP272而經由排氣管263及排氣緩衝室自處理空間201去除。
接著，自第三氣體供給管245a供給惰性氣體(N2氣體)， 進行蓮蓬頭230之沖洗。此時之氣體排氣系統之閥係閥271設為閉狀態，另一方面，閥268設為開狀態。其他氣體排氣系統之閥係仍為閉狀態。即，於進行蓮蓬頭230之沖洗時，阻斷排氣緩衝室208與APC269之間，並且阻斷APC269與排氣管264之間，從而停止利用APC269進行之壓力控制，另一方面，將緩衝空間232與DP272之間連通。藉此，殘留於蓮蓬頭230(緩衝空間232)內之原料氣體係經由排氣管262而藉由DP272自蓮蓬頭230排氣。
若蓮蓬頭230之沖洗結束，則將閥271設為開狀態而再 次開始利用APC269進行之壓力控制，並且將閥268設為閉狀態而阻斷蓮蓬頭230與排氣管264之間。其他氣體排氣系統之閥係仍為閉狀態。此時，亦繼續惰性氣體自第三氣體供給管245a之供給，從而繼續蓮蓬頭230及處理空間201之沖洗。
再者，此處於沖洗步驟(S202)中，雖在經由排氣管262 之沖洗之前後進行經由排氣管263之沖洗，但亦可僅為經由排氣管262之沖洗。又，亦可同時進行經由排氣管262之沖洗與經由排氣管263之沖洗。
沖洗步驟(S202)之惰性氣體(N2氣體)之供給流量係例如 為1000~10000sccm。又，惰性氣體之供給時間係例如為0.1~10秒。
(反應氣體供給步驟：S203)
於蓮蓬頭230及處理空間201之沖洗完成後，繼而進行反應氣體供給步驟(S203)。於反應氣體供給步驟(S203)中，打開閥244d而經由遠程電漿單元244e、蓮蓬頭230開始反應氣體(NH3氣體)向處理空間201內之供給。此時，以反應氣體之流量成為既定流量之方式，調整質量流量控制器244c。反應氣體之供給流量係例如為1000~10000sccm。
電漿狀態之反應氣體係藉由蓮蓬頭230分散而均勻地供給至處理空間201內之晶圓200上，從而與吸附於晶圓200上之原料氣體之氣體分子反應而於晶圓200上產生未滿1原子層(未滿1Å)之程度的TiN膜。
此時，打開第二惰性氣體供給系統之閥247d，自第二惰性氣體供給管247a供給惰性氣體(N2氣體)。惰性氣體之供給流量係例如為500~5000sccm。再者，亦可自沖洗氣體供給系統之第三氣體供 給管245a流通惰性氣體。
剩餘之反應氣體或反應副產物係自處理空間201內向排 氣緩衝室208流入而於第三氣體排氣系統之第三排氣管263內流動，從而向第四排氣管264排氣。具體而言，以如下方式進行控制：閥271設為開狀態，從而藉由APC269而處理空間201之壓力成為既定之壓力。再者，除閥271外之排氣系統之閥係全部設為閉。
於自開始反應氣體之供給經過既定時間後，關閉閥244d 而停止反應氣體之供給。反應氣體及載流氣體之供給時間係例如為0.1~20秒。
(沖洗步驟：S204)
於停止反應氣體之供給後，進行沖洗步驟(S204)，從而去除殘留於蓮蓬頭230及處理空間201之反應氣體或反應副產物。該沖洗步驟(S204)係只要與已說明之沖洗步驟(S202)相同地進行即可，故省略此處之說明。
(判定步驟：S205)
將以上之原料氣體供給步驟(S201)、沖洗步驟(S202)、反應氣體供給步驟(S203)、沖洗步驟(S204)設為1週期，而控制器280判定是否已實施既定次數(n週期)之該週期(S205)。若實施既定次數之該週期，則於晶圓200上形成期望膜厚之氮化鈦(TiN)膜。
(基板搬出步驟：S103)
其次，於由以上之各步驟(S201~S205)所構成之成膜步驟(S102) 後，如圖2所示般進行基板搬出步驟(S103)。
於基板搬出步驟(S103)中，使基板載置台212下降而使 晶圓200支撐於自基板載置台212之表面突出之頂起銷207上。藉此，晶圓200係自處理位置成為搬送位置。此後，打開閘閥205，使用晶圓移載機而向處理容器202外搬出晶圓200。此時，關閉閥245d而停止自第三氣體供給系統向處理容器202內供給惰性氣體。
於基板搬出步驟(S103)中，在晶圓200自處理位置移動 至搬送位置為止之期間，將閥271設為閉狀態，從而停止利用APC269進行之壓力控制。另一方面，將閥261b設為開狀態而將搬送空間203與DP272之間連通，從而藉由DP272對搬送空間203進行排氣。此時，其他排氣系統之閥係設為閉狀態。
接著，若晶圓200移動至搬送位置為止，則將閥261b 設為閉狀態而阻斷搬送空間203與排氣管264之間。另一方面，將閥266與閥267設為開狀態，從而藉由TMP265(及DP272)而對搬送空間203之環境氣體進行排氣。於該狀態下，打開閘閥205，自處理容器202向移載室搬出晶圓200。
(處理次數判定步驟：S104)
於搬出晶圓200後，控制器280判定基板搬入‧載置步驟(S101)、成膜步驟(S102)及基板搬出步驟(S103)之一連串之各步驟之實施次數是否到達既定的次數(S104)。若判斷為到達既定之次數，則移行至清洗步驟(S105)。若判斷為未到達既定之次數，則為了開始下一處於待機之晶圓200之處理，移行至基板搬入‧載置步驟(S101)。
(清洗步驟：S105)
於清洗步驟(S105)中，打開清洗氣體供給系統之閥248d，經由蓮蓬頭230而向處理空間201供給清洗氣體。此時，藉由高頻電源252施加電力，並且藉由整合器251而使阻抗整合，從而對蓮蓬頭230及處理空間201內之清洗氣體進行電漿激發。經電漿激發之清洗氣體係去除附著於蓮蓬頭230及處理空間201內之壁之副產物。
(3)導率調整
其次，對在上述一連串之基板處理步驟中之成膜步驟(S102)中進行之導率調整進行說明。
於成膜步驟(S102)中，在處理空間201內之晶圓200上， 形成期望膜厚之TiN膜。此時，為了謀求形成之TiN膜之膜厚之均勻性之提高，需要使膜形成時之處理空間201內之壓力變均勻(消除空間性之壓力梯度)。因此，於基板處理裝置100中，利用導率調整板209而調整處理空間201與排氣緩衝室208之間之氣體流路之導率，藉此謀求處理空間201內之壓力之均勻化。
以下，詳細地對利用導率調整板209進行之導率調整進 行說明。圖4係表示本實施形態之導率調整板之板配置之一具體例的概略構成例。圖5係表示本實施形態之導率調整板之板形狀之一具體例的概略構成例。圖6係表示本實施形態之導率調整板與排氣緩衝室之位置關係之一具體例的概略構成例。
(板配置)
於基板處理裝置100之處理容器202內，例如於基板搬入‧載置 步驟(S101)時，基板載置台212下降至晶圓200之搬送位置為止。此時，如圖4(a)所示，由在俯視時呈環狀(圓環狀)之板狀構件所構成之導率調整板209係其外周側部分209a由排氣緩衝室208之構成構件、更詳細而言由構成排氣緩衝室208之底面之間隔板204支撐。
此後，若為了成膜步驟(S102)而基板載置台212上升至 晶圓200之處理位置為止，則如圖4(b)所示，導率調整板209係其內周側部分209b藉由基板載置台212而提昇，從而成為其外周側部分209a自間隔板204略微浮起之狀態。即，導率調整板209係環狀之外周側部分209a遠離間隔板204，內周側部分209b由基板載置台212之構成構件支撐，藉此配置於載置於基板載置台212之基板載置面211上之晶圓200之外周側。
如上所述，導率調整板209係於晶圓200處於搬送位置 時，由除基板載置台212外之部位支撐，但若晶圓200上升至處理位置為止，則藉由基板載置台212而提昇。藉此，處理空間201與排氣緩衝室208之間之氣體流路係若與基板載置台212處於下降之狀態之情形相比，則側剖面之高度方向之大小(氣體流路之高度方向之間隔)變窄。若改變此時之氣體流路之間隔，則該氣體流路內之氣體之流動難易度亦發生變化。即，導率調整板209係藉由調整處理空間201與排氣緩衝室208之間之氣體流路之高度方向之間隔，而調整該氣體流路之導率。
為了進行氣體流路之導率調整，導率調整板209係較佳 為基板載置台212之上升時之上表面高度與載置於該基板載置台212之基板載置面211上的晶圓200之上表面高度相同、或高於晶圓200之上表面高度。其原因在於，若導率調整板209之上表面高度低於晶 圓200之上表面高度，則存在利用配置於晶圓200之外周側之導率調整板209進行之導率調整變得困難之虞。為此，可考慮如下情形：例如，使導率調整板209之板厚與晶圓200之板厚相同、或使導率調整板209之板厚變得厚於晶圓200之板厚。然而，並非一定限定於此，亦可藉由在基板載置台212設置階差形狀部分來應對。
又，導率調整板209係較佳為使用例如石英或陶瓷(氧化 鋁等)作為形成材料，以質量大於載置於基板載置面211上之晶圓200之方式形成。於該情形時，只要導率調整板209之整體之質量大於晶圓200之整體之質量即可。其原因在於，於處理空間201內，可發生晶圓200不會浮起之程度之壓力變動，但於發生此種壓力變動之情形時，只要導率調整板209之質量大於晶圓200，則亦可預先防範未意圖之導率調整板209之浮升等。更具體而言，例如於進行利用第二氣體排氣系統之蓮蓬頭之排氣(上方排氣)之情形時，亦可防止未意圖之導率調整板209之浮升等。
(板形狀)
另外，可考慮如下情形：於調整處理空間201與排氣緩衝室208之間之氣體流路之導率之情形時，若於在該氣體流路內流動之氣體中產生局部性之紊流，則因此而無法如所期望般進行導率調整。根據該情形，對於導率調整板209係如下所述般形成其板形狀。
作為板形狀之一例，有圖5(a)所示者。圖例之導率調整 板209係於面向自處理空間201向排氣緩衝室208之氣體流路209c之上表面側(內周側端緣)，具有R狀部分209d。R狀部分209d係光滑地彎曲之圓弧狀之部分，至少配置於氣體流之上游側之板端緣之附近。 然而，不僅可配置於板端緣之附近，而且亦能夠以圓弧狀部分跨及板之整個區域而連續之方式配置。又，對於構成R狀部分209d之圓弧之大小，並無特別限定，只要為考慮導率調整板209之板厚等而適當決定者即可。
因導率調整板209具有此種R狀部分209d，而氣體流 路209c係例如於導率調整板209之上表面之高度高於晶圓200之上表面的高度之情形時，亦不會於其內部產生急遽之階差等，而高度方向之間隔沿氣體流動方向緩慢地發生變化。而且，導率調整板209係由板狀構件形成，因此變化後之高度方向之間隔以維持原樣之狀態，沿氣體流動方向而僅持續固定距離。因此，於氣體流路209c內，抑制於在該氣體流路209c內流動之氣體中產生局部性之紊流，從而可將該氣體之流動設為層流。
又，作為板形狀之其他例，有圖5(b)所示者。圖例之導 率調整板209係於面向自處理空間201向排氣緩衝室208之氣體流路209c之板之上表面側，具有錐形傾斜狀部分209e。錐形傾斜狀部分209e係由以如下方式傾斜之錐面構成之部分：氣體流路209c之高度方向之間隔沿氣體流動方向逐漸變窄。錐形傾斜狀部分209e能夠以錐面跨及板之整個區域而連續之方式配置，且亦能夠以如倒角加工般錐面位於一部分區域(例如氣體流之上游側之板端緣之附近)之方式配置。對於錐面之傾斜角度，並無特別限定，只要為考慮導率調整板209之板厚等而適當決定者即可。
於導率調整板209具有此種錐形傾斜狀部分209e之情 形時，與具有上述R狀部分209d之情形相同地，於氣體流路209c內，高度方向之間隔亦沿氣體流動方向而緩慢地發生變化，因此可抑制於 在該氣體流路209c內流動之氣體中產生局部性之紊流而將該氣體之流動設為層流。
如上所述、導率調整板209係於面向氣體流路209c之 板之上表面側，具有R狀部分209d或錐形傾斜狀部分209e。因此，於使用導率調整板209而調整氣體流路209c之導率之情形時，可抑制於在該氣體流路209c內流動之氣體中產生局部性之紊流，其結果可如所期望般進行氣體流路209c之導率調整。
(板與排氣緩衝室之關係)
導率調整板209與排氣緩衝室208之位置關係係如下所述。
作為位置關係之一例，有圖6(a)所示者。於圖例之位置關係中，以如下方式形成有導率調整板209：該導率調整板209之外周側端緣209f延伸至與排氣緩衝室208之內周側端緣208a對齊之位置為止、或較該排氣緩衝室208之內周側端緣208a進而位於內周側(接近基板載置面211上之晶圓200之側)。即，不存在導率調整板209之外周側端緣209f進入至排氣緩衝室208之內部之情形。
若為此種位置關係，則導率調整板209不會對排氣緩衝室208之內部之導率波及影響。即，於使用導率調整板209而進行氣體流路209c之導率調整之情形時，可充分地確保排氣緩衝室208之內部之導率，從而亦不存在對利用排氣緩衝室208之氣體之排氣造成障礙之情形。
又，作為位置關係之其他例，有圖6(b)所示者。於圖例之位置關係中，以如下方式形成有導率調整板209：該導率調整板209之外周側端緣209f超過排氣緩衝室208之內周側端緣208a而延伸至排 氣緩衝室208內為止。導率調整板209之外周側端緣209f進入於排氣緩衝室208之內部。
若為此種位置關係，則導率調整板209係於附著於搬送 空間203內或基板載置台212之側壁面等之多餘之膜(反應副產物等)脫離而向上部容器202a側流動而來之情形時，亦作為向排氣緩衝室208內導引該反應副產物等之引導板(導向器)而發揮功能(參照圖中之細線箭頭)。即，自下部容器202b側流動而來之反應副產物等直接向排氣緩衝室208內導引，從而藉由第三氣體排氣系統而直接自排氣緩衝室208內排氣，因此例如於進行利用第二氣體排氣系統之蓮蓬頭之排氣(上方排氣)之情形時，亦可抑制反應副產物等通過處理空間201內之晶圓200上。
對於以上所說明之各位置關係，導率調整板209係只要 為僅滿足任一位置關係者即可，但亦可為一併滿足兩者之位置關係者。即，導率調整板209亦可為如下者：具有第一部分(參照圖6(a))與第二部分(參照圖6(b))該等兩者，該第一部分係以外周側端緣209f不進入至排氣緩衝室208之內部之方式形成，該第二部分係以外周側端緣209f進入至排氣緩衝室208之內部之方式形成。
於該情形時，導率調整板209係對環狀之圓周方向進行 區域分割而於各區域配置第一部分與第二部分。環狀之圓周方向上之區域分割係只要考慮排氣緩衝室208與氣體排氣系統之連接部位而進行即可。具體而言，例如可考慮如下等情形：對於遠離第三氣體排氣系統之第三排氣管263相對於排氣緩衝室208之連接部位之區域係為了確保排氣緩衝室208的內部之導率而設為第一部分，另一方面，對於第三排氣管263之連接部位之附近之區域係設為將外周側端緣209f 延伸至排氣緩衝室208內為止之第二部分。又，可考慮如下等情形：應考慮之氣體排氣系統亦可為進行蓮蓬頭之排氣(上方排氣)之第二氣體排氣系統，例如對於第二氣體排氣系統之第二排氣管262相對於蓮蓬頭230之連接部位之附近的區域係設為第二部分。
(板位置控制)
如上所述，氣體流路209c之導率調整係藉由如下方式進行：基板載置台212將導率調整板209提昇至晶圓200之處理位置為止。此時之基板載置台212之上升位置可為固定者，亦可為任意可變者。基板載置台212之上升位置之可變係只要藉由利用控制器280進行之升降機構218之動作控制而進行即可。
若基板載置台212之上升位置改變，則導率調整板209之上表面之位置(高度)亦改變，因此伴隨於此而處理空間201與排氣緩衝室208之間之氣體流路209c之高度方向之間隔改變。即，控制器280係藉由對升降機構218之動作進行控制而改變基板載置台212之上升位置，而使氣體流路209c之導率之調整量任意可變。
如此，於控制器280使利用升降機構218進行之基板載置台212之上升位置可變而調整氣體流路209c之導率的情形時，例如可實現如下等情形：根據應執行之製程處理而使導率之調整量存在差異。具體而言，可考慮如下情形：根據基板處理步驟中之處理內容(例如，形成於晶圓200上之薄膜之種類)，使氣體流路209c之調整量存在差異。
於在氣體流路209c之導率調整時，控制器280使基板載置台212之上升位置可變之情形時，對於基板載置台212之上升位 置係可為預先設定於記憶部282內之程式或配方等者，且亦可為可自操作面板部284任意設定者。可考慮如下情形：自操作面板部284之位置設定可於操作面板部284顯示之配方設定畫面上進行。於該情形時，自配方設定畫面設定基板載置台212之上升位置(即，導率調整板209之可變位置)。
導率調整板209之可變位置設定係藉由如下方式進行： 例如，自內定位置(最低之位置)預設數階段而選擇。又，亦可按照既定間隔(例如0.1mm之間隔)設於任意之位置。
如此，若可自配方設定畫面進行導率調整板209之位置 設定，則可實現期望導率調整狀態，因此可提高基板處理裝置100之通用性，又，成為對基板處理裝置100之使用者之便利性非常優異者。
再者，用以實現期望導率調整狀態之基板載置台212之 上升位置的可變(導率調整板209之上表面之位置可變)係不僅可根據製程處理而以該製程處理為單位進行，而且亦可於該製程處理之處理中進行。即，控制器280亦可於相對於處理空間201內之晶圓200之處理中，使利用升降機構218進行之基板載置台212之上升位置可變。
具體而言，可考慮如下等情形：例如，於成膜步驟(S102) 之執行中，沖洗或真空時(即，未供給有處理氣體時)係與供給有處理氣體時相比，使基板載置台212下降而降低導率調整板209之上表面之位置，藉此使氣體流路209c之導率變大而使氣體變得易於流動。又，可考慮如下等情形：例如，以使基板載置台212相對於原料氣體供給步驟(S201)中之TiCl4氣體之供給時，而於反應氣體供給步驟(S203)之NH3氣體之供給時下降等方式，於供給流量較多之氣體時，降低導率調整板209之上表面之位置而使氣體流路209c之導率變大。又，亦可 考慮如下等情形：例如，於氣體向處理空間201內之供給初期時與接近氣體供給結束，使基板載置台212之上升位置存在差異。進而，亦可考慮如下等情形：例如，於成膜步驟中，於成膜初期與該成膜初期之後，使基板載置台212之上升位置存在差異。
如此，若於製程處理之處理中，使基板載置台212之上 升位置可變而進行導率調整，則例如可針對成膜步驟(S102)中之各步驟(S201~S204)或供給氣體類別，使導率調整狀態存在差異，因此就適當地進行該製程處理之方面而言，成為非常有效者。
(4)實施形態之效果
根據本實施形態，發揮以下所示之1個或數個效果。
(a)根據本實施形態，利用導率調整板209而調整處理空間201與排氣緩衝室208之間之氣體流路209c之導率，藉此謀求處理空間201內之壓力之均勻化，因此若與不進行利用導率調整板209進行之導率調整之情形相比，則可提高形成於處理空間201內之TiN膜之膜厚之均勻性。
而且，使用於氣體流路209c之導率調整之導率調整板209係於面向氣體流路209c之板之上表面側，具有R狀部分209d或錐形傾斜狀部分209e。因此，於使用導率調整板209而進行氣體流路209c之導率調整之情形時，亦可抑制於在該氣體流路209c內流動之氣體中產生局部性之紊流。即，導率調整板209具有R狀部分209d或錐形傾斜狀部分209e，藉此可抑制於在氣體流路209c內流動之氣體中產生局部性之紊流而將該氣體之流動設為層流，其結果可如所期望般進行氣體流路209c之導率調整。
即，根據本實施形態，可適當地進行向晶圓200之外周 側之排氣導率調整，藉此可更有效地謀求膜形成時之處理空間201內之壓力之均勻化。
(b)又，根據本實施形態，排氣緩衝室208之側剖面之高 度方向之大小大於氣體流路209c的側剖面之高度方向之大小，因此於使用導率調整板209而進行氣體流路209c之導率調整之情形時，亦不存在使排氣緩衝室208之作為排氣緩衝空間之功能下降之情形。即，可極力抑制氣體流路209c之導率調整對氣體之排氣波及影響。
(c)又，根據本實施形態，使基板載置台212之上升時之 導率調整板209之上表面的高度與載置於該基板載置台212之基板載置面211上之晶圓200之上表面的高度相同、或高於晶圓200之上表面之高度，藉此不存在利用導率調整板209進行之導率調整變得困難之情形，從而可適當地進行該導率調整。
(d)又，根據本實施形態，導率調整板209之外周側端緣 209f延伸至與排氣緩衝室208之內周側端緣208a對齊之位置、或位於較該排氣緩衝室208之內周側端緣208a進而內周側(接近基板載置面211上之晶圓200之側)，藉此於使用導率調整板209而進行氣體流路209c之導率調整之情形時，亦可充分地確保排氣緩衝室208之內部之導率，從而不存在對利用排氣緩衝室208之氣體排氣造成障礙之情形。
(e)又，根據本實施形態，導率調整板209之外周側端緣 209f係超過排氣緩衝室208之內周側端緣208a而延伸至排氣緩衝室208內，藉此自下部容器202b側流動而來之反應副產物等直接向排氣緩衝室208內導引，從而藉由第三氣體排氣系統而直接自排氣緩衝室208內排氣，因此例如於進行利用第二氣體排氣系統之蓮蓬頭之排氣 (上方排氣)之情形時，亦可抑制反應副產物等通過處理空間201內之晶圓200上。
(f)又，根據本實施形態，導率調整板209具有以外周側 端緣209f不進入至排氣緩衝室208之內部之方式形成之第一部分、及以外周側端緣209f進入至排氣緩衝室208之內部之方式形成之第二部分的兩者，藉此可一方面確保排氣緩衝室208之內部之導率，一方面不使來自下部容器202b側之反應副產物等通過處理空間201內之晶圓200上。
(g)又，根據本實施形態，考慮排氣緩衝室208與氣體排 氣系統之連接部位而決定導率調整板209之第一部分與第二部分之配置，藉此可有效地同時實現確保排氣緩衝室208內之導率及反應副產物等不通過晶圓200上。
(h)又，根據本實施形態，以質量變得大於基板載置面 211上之晶圓200之方式，由例如石英或陶瓷(氧化鋁等)形成導率調整板209，藉此例如於進行利用第二氣體排氣系統之蓮蓬頭之排氣(上方排氣)之情形時，亦可防止未意圖之導率調整板209之浮升等。
(i)又，根據本實施形態，控制器280使利用升降機構218 進行之基板載置台212之上升位置可變而調整氣體流路209c之導率，藉此可使氣體流路209c之導率之調整量任意可變。
(j)又，根據本實施形態，於在氣體流路209c之導率調 整時，控制器280使基板載置台212之上升位置可變之情形時，可於操作面板部284顯示之配方設定畫面上進行該上升位置之設定，藉此可提高基板處理裝置100之通用性，又，成為對基板處理裝置100之使用者之便利性非常優異者。
(k)又，根據本實施形態，於對處理空間201內之晶圓 200之處理中，控制器280使利用升降機構218進行之基板載置台212之上升位置可變，藉此例如可針對成膜步驟(S102)中之各步驟(S201~S204)或供給氣體類別，使導率調整狀態存在差異，因此就適當地進行對晶圓200之處理之方面而言，成為非常有效者。
<本發明之其他實施形態>
以上，具體地對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述各實施形態，可於不脫離其主旨之範圍內實現各種變更。
例如，上述實施形態係作為基板處理裝置100進行之處理而將成膜處理列舉為例，但本發明並不限定於此。即，除成膜處理外，亦可為形成氧化膜、氮化膜之處理、形成包含金屬之膜之處理。又，基板處理之具體內容並無限制，不僅可較佳地應用於成膜處理，而且亦可較佳地應用於退火處理、氧化處理、氮化處理、擴散處理、微影處理等其他基板處理。進而，本發明係亦可較佳地應用於其他基板處理裝置，例如退火處理裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、塗佈裝置、乾燥裝置、加熱裝置、利用電漿之處理裝置等其他基板處理裝置。又，本發明係亦可混合存在該等裝置。又，可將某個實施形態之構成之一部分置換成其他實施形態之構成，又，亦可於某個實施形態之構成中追加其他實施形態之構成。又，對於各實施形態之構成之一部分，亦可實現其他構成之追加、刪除、置換。
又，上述實施形態係將如下情形列舉為例，但本發明並不限定於此：為了實現期望導率調整狀態，控制器280使基板載置台212之上升位置可變而調整氣體流路209c之導率。即，預先準備板厚 不同之數個導率調整板209，從而可視需要更換配置之導率調整板209，藉此亦可物理性地改變氣體流路209c之導率之調整量。
<本發明之較佳之態樣>
以下，對本發明之較佳之態樣進行附記。
[附記1]
根據本發明之一態樣，提供一種基板處理裝置，其具備：處理空間，於其中對基板進行處理；基板載置台，其載置上述基板；升降機構，其使上述基板載置台升降而使上述基板於搬送位置與上述處理空間內之基板處理位置之間升降；氣體供給系統，其向上述處理空間內供給氣體；排氣緩衝室，其具有以包圍上述處理空間之側方之周圍之方式設置的空間，流入供給至上述處理空間內之氣體；氣體排氣系統，其對流入於上述排氣緩衝室內之氣體進行排氣；及導率調整板，其配置於上述基板之外周側；且上述導率調整板係以如下方式形成：於上述基板處於上述基板處理位置時，內周側由上述基板載置台支撐，於上述基板處於上述搬送位置時，外周側由除上述基板載置台外之部位支撐；於面向自上述處理空間向上述排氣緩衝室之氣體流路之內周側端緣，具有R狀部分或錐形傾斜狀部分。
[附記2]
較佳為，提供如附記1之基板處理裝置，其中上述基板處於上述基板處理位置時之上述導率調整板之上表面之高度與上述基板的上表面高度相同、或高於上述基板之上表面高度。
[附記3]
較佳為，提供如附記1或2之基板處理裝置，其中上述導率調整板係以如下方式形成：外周側端緣延伸至與上述排氣緩衝室之內周側端緣對齊之位置、或位於較上述排氣緩衝室之內周側端緣更靠內周側。
[附記4]
較佳為，提供如附記1或2之基板處理裝置，其中上述導率調整板係以外周側端緣延伸至上述排氣緩衝室內之方式形成。
[附記5]
較佳為，提供如附記1或2之基板處理裝置，其中上述導率調整板具有：第一部分，其以外周側端緣延伸至與上述排氣緩衝室之內周側端緣對齊之位置、或位於較上述排氣緩衝室之內周側端緣更靠內周側之方式形成；及第二部分，其以上述外周側端緣延伸至上述排氣緩衝室內之方式形成。
[附記6]
較佳為，提供如附記5之基板處理裝置，其中上述第二部分配置於上述氣體排氣系統之連接部位之附近。
[附記7]
較佳為，提供如附記1至6中任一項之基板處理裝置，其中上述導率調整板以質量大於上述基板之方式形成。
[附記8]
較佳為，提供如附記7之基板處理裝置，其中上述導率調整板係由石英或陶瓷形成。
[附記9]
較佳為，提供如附記1至8中任一項之基板處理裝置，其具備對上述升降機構進行控制之控制器，且上述控制器係以如下方式構成：對上述升降機構進行控制，使上述導率調整板由上述基板載置台支撐時之上述基板載置台之上升位置可變。
[附記10]
較佳為，提供如附記9之基板處理裝置，其具備操作面板部，該操作面板部係可自配方設定畫面設定利用上述控制器進行之上述基板載置台之上升位置。
[附記11]
較佳為，提供如附記9或10之基板處理裝置，其中上述控制器係以於對上述基板之處理中，使上述基板載置台之上升位置可變之方式，對上述升降機構進行控制。
[附記12]
較佳為，提供如附記11之基板處理裝置，其中上述控制器係以如下方式控制上述升降機構：使於上述處理空間內供給有上述氣體時之上述基板載置台之上升位置、與未供給有上述氣體時之上述基板載置台之上升位置存在差異。
[附記13]
根據本發明之另一態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其具備：基板載置台上升步驟，其係使載置有基板之基板載置台上升而使上述基板上升至處理空間之基板處理位置，並且由上述基板載置台支撐配置於上述基板之外周側之於內周側端緣具有R狀部分或錐形傾斜狀部分之導率調整板的內周側；氣體供給步驟，其係向上述基板之處理空間內供給氣體；及氣體排氣步驟，其係使供給至上述處理空間內之氣體於經由配置有上述導率調整板之氣體流路而流入至具有以包圍上述處理空間之側方的周圍之方式設置之空間之排氣緩衝室後，自上述排氣緩衝室內排氣。
[附記14]
較佳為，提供如附記13之半導體裝置之製造方法，其中可自配方設定畫面設定上述基板載置台上升步驟中之上述基板載置台之上升位置。
[附記15]
較佳為，提供如附記13或14之半導體裝置之製造方法，其於上述氣體供給步驟中，使上述基板載置台之上升位置可變。
[附記16]
較佳為，提供如附記13至15中任一項之半導體裝置之製造方法，其中於上述氣體供給步驟6與上述氣體排氣步驟中，使上述基板載置台之上升位置存在差異。
[附記17]
根據本發明之另一態樣，提供一種程式，其於電腦中執行如下程序：基板載置台上升程序，其係使載置有基板之基板載置台上升而使上述基板上升至處理空間之基板處理位置，並且由上述基板載置台支撐配置於上述基板之外周側之於內周側端緣具有R狀部分或錐形傾斜狀部分之導率調整板的內周側；氣體供給程序，其係向上述基板之處理空間內供給氣體；及氣體排氣程序，其係使供給至上述處理空間內之氣體於經由配置有上述導率調整板之氣體流路而流入至具有以包圍上述處理空間之側方的周圍之方式設置之空間之排氣緩衝室後，自上述排氣緩衝室內排 氣。
[附記18]
根據本發明之另一態樣，提供一種儲存有程式之電腦可讀取之記錄媒體，該程式係於電腦中執行如下程序：基板載置台上升程序，其係使載置有基板之基板載置台上升而使上述基板上升至處理空間之基板處理位置為止，並且由上述基板載置台支撐配置於上述基板之外周側之於內周側端緣具有R狀部分或錐形傾斜狀部分之導率調整板的內周側；氣體供給程序，其係向上述基板之處理空間內供給氣體；及氣體排氣程序，其係使供給至上述處理空間內之氣體於經由配置有上述導率調整板之氣體流路而流入至具有以包圍上述處理空間之側方的周圍之方式設置之空間之排氣緩衝室後，自上述排氣緩衝室內排氣。
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧間隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入搬出口
207‧‧‧頂起銷
208‧‧‧排氣緩衝室
209‧‧‧導率調整板
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧基板載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧波紋管
230‧‧‧蓮蓬頭
231‧‧‧蓋
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫通孔
235‧‧‧氣體導向器
241‧‧‧氣體導入孔
242‧‧‧共通氣體供給管
243‧‧‧原料氣體供給系統
243a‧‧‧第一氣體供給管
243b‧‧‧原料氣體供給源
243c、244c、245c、246c、247c、248c‧‧‧質量流量控制器
243d、244d、245d、246d、247d、248d、261b、266、267、268、271‧‧‧閥
244‧‧‧反應氣體供給系統
244a‧‧‧第二氣體供給管
244b‧‧‧反應氣體供給源
244e‧‧‧遠程電漿單元
245‧‧‧沖洗氣體供給系統
245a‧‧‧第三氣體供給管
245b‧‧‧沖洗氣體供給源
246a‧‧‧第一惰性氣體供給管
246b、247b‧‧‧惰性氣體供給源
247a‧‧‧第二惰性氣體供給管
248a‧‧‧清洗氣體供給管
248b‧‧‧清洗氣體供給源
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
261‧‧‧第一排氣管
261a‧‧‧旁通管
262‧‧‧第二排氣管
263‧‧‧第三排氣管
264‧‧‧第四排氣管
265‧‧‧渦輪分子泵
269‧‧‧APC
272‧‧‧乾式泵
280‧‧‧控制器
281‧‧‧運算部
282‧‧‧記憶部
283‧‧‧外部記憶裝置
284‧‧‧操作面板部

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：處理空間，其針對基板進行處理；基板載置台，其載置上述基板；升降機構，其使上述基板載置台產生升降而使上述基板於搬送位置與上述處理空間內之基板處理位置之間產生升降；氣體供給系統，其將氣體供給至上述處理空間內；排氣緩衝室，其具有以包圍上述處理空間之側方之周圍的方式所設置之空間，而流入被供給至上述處理空間內之氣體；氣體排氣系統，其對流入至上述排氣緩衝室內之氣體進行排氣；及導率調整板，其配置在上述基板之外周側；且上述導率調整板係以如下之方式加以形成：當上述基板位於上述基板處理位置時，內周側係藉由上述基板載置台來加以支撐，而當上述基板位於上述搬送位置時，外周側係藉由上述基板載置台以外之部位來加以支撐；並且於內周側端緣，具有R狀部分或錐形傾斜狀部分，該內周側端緣係面向從上述處理空間而朝向上述排氣緩衝室之氣體流路。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，當上述基板位於上述基板處理位置時之上述導率調整板之上表面的高度係與上述基板之上表面的高度為相同、或者高於上述基板之上表面的高度。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述導率調整板係以如下之方式加以形成：外周側端緣為延伸至與上述排氣緩衝 室之內周側端緣呈對齊之位置為止、或者位在較上述排氣緩衝室之內周側端緣為更靠近內周側。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述導率調整板係以外周側端緣為延伸至上述排氣緩衝室內為止之方式加以形成。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述導率調整板具有：第一部分，其以外周側端緣為延伸至與上述排氣緩衝室之內周側端緣呈對齊之位置為止、或者位在較上述排氣緩衝室之內周側端緣為更靠近內周側之方式加以形成；及第二部分，其以上述外周側端緣為延伸至上述排氣緩衝室內為止之方式加以形成。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述第二部分係配置在上述氣體排氣系統之連接部位之附近。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述導率調整板係以質量大於上述基板之方式加以形成。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，上述導率調整板係藉由石英或者陶瓷而加以形成。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，其具備有對上述升降機構進行控制之控制器，且上述控制器係以如下之方式加以構成：對上述升降機構進行控制，使當上述導率調整板為藉由上述基板載置台而被加以支撐時之上述基板載置台之上升位置，可產生變化。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其具備操作面板 部，該操作面板部係可自配方設定畫面加以設定藉由上述控制器所進行之上述基板載置台之上升位置。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，上述控制器係以於針對上述基板之處理中而使上述基板載置台之上升位置可產生變化之方式，對上述升降機構進行控制。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，上述控制器係以如下之方式進行控制：使當於上述處理空間內供給有上述氣體時之上述基板載置台之上升位置，與當未供給有上述氣體時之上述基板載置台之上升位置產生差異。
  13. 一種半導體裝置之製造方法，其具有：基板載置台上升步驟，其使載置有基板之基板載置台上升，使上述基板上升至處理空間之基板處理位置為止，並且利用上述基板載置台將導率調整板的內周側加以支撐，該導率調整板係配置在上述基板之外周側，且於內周側端緣具有R狀部分或錐形傾斜狀部分；氣體供給步驟，其將氣體供給至上述基板之處理空間內；及氣體排氣步驟，其使供給至上述處理空間內之氣體，於經由配置有上述導率調整板之氣體流路而流入至排氣緩衝室之後，自上述排氣緩衝室內進行排氣，該排氣緩衝室係具有以包圍上述處理空間之側方之周圍的方式加以設置之空間。
  14. 如申請專利範圍第13項之半導體裝置之製造方法，其中，可從配方設定畫面加以設定在上述基板載置台上升步驟中之上述基板載置台之上升位置。
  15. 如申請專利範圍第13項之半導體裝置之製造方法，其在上述氣體供給步驟中，使上述基板載置台之上升位置可產生變化。
  16. 如申請專利範圍第13項之半導體裝置之製造方法，其中，在上述氣體供給步驟與上述氣體排氣步驟中，使上述基板載置台之上升位置產生差異。
  17. 一種儲存有程式之電腦可讀取之記錄媒體，該程式係於電腦中執行如下程序：基板載置台上升程序，其使載置有基板之基板載置台上升，使上述基板上升至處理空間之基板處理位置為止，並且利用上述基板載置台將導率調整板的內周側加以支撐，該導率調整板係配置在上述基板之外周側，且於內周側端緣具有R狀部分或錐形傾斜狀部分；氣體供給程序，其將氣體供給至上述基板之處理空間內；及氣體排氣程序，其使供給至上述處理空間內之氣體，於經由配置有上述導率調整板之氣體流路而流入至排氣緩衝室之後，自上述排氣緩衝室內進行排氣，該排氣緩衝室係具有以包圍上述處理空間之側方之周圍的方式加以設置之空間。
TW103122668A 2014-03-20 2014-07-01 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體 TWI534866B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014059223A JP5944429B2 (ja) 2014-03-20 2014-03-20 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201537625A TW201537625A (zh) 2015-10-01
TWI534866B true TWI534866B (zh) 2016-05-21

Family

ID=54121454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103122668A TWI534866B (zh) 2014-03-20 2014-07-01 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9523150B2 (zh)
JP (1) JP5944429B2 (zh)
KR (1) KR20150110246A (zh)
CN (1) CN104934346B (zh)
TW (1) TWI534866B (zh)

Families Citing this family (255)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP5859583B2 (ja) * 2014-01-30 2016-02-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10388820B2 (en) * 2015-02-03 2019-08-20 Lg Electronics Inc. Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
EP3162914A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-03 IMEC vzw Apparatus and method for delivering a gaseous precursor to a reaction chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
JP6710603B2 (ja) * 2016-08-05 2020-06-17 東京エレクトロン株式会社 基板載置方法及び基板載置装置
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
CN106591941A (zh) * 2016-10-31 2017-04-26 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种硅外延反应腔室
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) * 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
JP6960830B2 (ja) 2017-11-17 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置および真空処理装置の運転方法
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
WO2019182260A1 (ko) * 2018-03-23 2019-09-26 홍잉 인라인 박막 프로세싱 장치
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) * 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
KR20200057951A (ko) * 2018-11-19 2020-05-27 주식회사 엔씨디 대면적 기판용 수평형 원자층 증착장치
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
JP7236953B2 (ja) * 2019-08-05 2023-03-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
JP2022139625A (ja) * 2021-03-12 2022-09-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置および傾き調整方法
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
JPWO2022244041A1 (zh) * 2021-05-17 2022-11-24
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN117867474B (zh) * 2024-03-12 2024-05-10 上海谙邦半导体设备有限公司 一种薄膜沉积设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6189482B1 (en) * 1997-02-12 2001-02-20 Applied Materials, Inc. High temperature, high flow rate chemical vapor deposition apparatus and related methods
US5983906A (en) 1997-01-24 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment
KR19980071011A (ko) * 1997-01-24 1998-10-26 조셉 제이. 스위니 고온 및 고 흐름 속도의 화학적 기상 증착 장치 및 관련증착 방법
JP3972970B2 (ja) * 1998-08-06 2007-09-05 株式会社エフオーアイ プラズマリアクタ
JP2002353207A (ja) * 2001-05-16 2002-12-06 Applied Materials Inc 半導体製造装置のプロセスチャンバ構造および半導体製造装置
US6777352B2 (en) * 2002-02-11 2004-08-17 Applied Materials, Inc. Variable flow deposition apparatus and method in semiconductor substrate processing
US7408225B2 (en) * 2003-10-09 2008-08-05 Asm Japan K.K. Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms
CN101010447B (zh) 2004-10-15 2010-09-01 株式会社日立国际电气 基板处理装置及半导体装置的制造方法
JP4777173B2 (ja) * 2006-07-24 2011-09-21 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
TWI498988B (zh) * 2008-02-20 2015-09-01 Tokyo Electron Ltd A gas supply device, a film forming apparatus, and a film forming method
KR101499305B1 (ko) * 2010-03-16 2015-03-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치
JP2013067844A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Toshiba Corp 成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150110246A (ko) 2015-10-02
JP2015183211A (ja) 2015-10-22
US9523150B2 (en) 2016-12-20
CN104934346B (zh) 2018-01-09
TW201537625A (zh) 2015-10-01
US20150267294A1 (en) 2015-09-24
CN104934346A (zh) 2015-09-23
JP5944429B2 (ja) 2016-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI534866B (zh) 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體
TWI549213B (zh) 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體
KR101847575B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101601662B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101971326B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
TWI554640B (zh) A substrate processing apparatus, a manufacturing method and a program for a semiconductor device
KR101611202B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101685833B1 (ko) 기판 처리 장치, 가스 정류부, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP5800969B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体
KR101882774B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP2017183393A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP5859583B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5800957B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
JP5885870B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
JP5859592B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
TW202240018A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及電腦可讀取的記錄媒體