TWI529849B - A substrate holding rotary apparatus, a substrate processing apparatus provided therewith, and a substrate processing method - Google Patents

A substrate holding rotary apparatus, a substrate processing apparatus provided therewith, and a substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
TWI529849B
TWI529849B TW103111929A TW103111929A TWI529849B TW I529849 B TWI529849 B TW I529849B TW 103111929 A TW103111929 A TW 103111929A TW 103111929 A TW103111929 A TW 103111929A TW I529849 B TWI529849 B TW I529849B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
holding
protective disk
magnet
rotating
Prior art date
Application number
TW103111929A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201508859A (zh
Inventor
Hiroshi Kato
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of TW201508859A publication Critical patent/TW201508859A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI529849B publication Critical patent/TWI529849B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Description

基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置，暨基板處理方法
本發明係有關基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置，暨基板處理方法。於保持對象或處理對象之基板中包含有例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，電場發射顯示器)、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
專利文獻1係揭露一種旋轉式基板處理裝置之基板旋轉保持具，具備有藉由旋轉手段而被旋轉之旋轉台、以及配設於旋轉台自旋轉台表面隔著所定間隔而水平定位基板之支撐手段。於旋轉台上設置具有與基板相同程度之大小之上下移動構件，在旋轉台旋轉之處理期間內配置上下移動構件於接近基板之上昇位置。其說明，藉此，基板之下表面與上下移動構件之上表面之間隔縮小，可以防止於基板處理中所發生之霧氣被捲入至基板之下表面。
於專利文獻1之圖1~圖3所示之構成係藉由接受隨著旋轉台之旋轉之離心力而作動之推昇機構，以相對於旋轉台上下移動上下移動構件之方式而構成。又，於專利文獻1之圖7及圖8中揭露，設置鰭片(fin)於上下移動構件之外周部，在隨著旋轉台之旋轉而上下移動構件旋轉時，利用藉由鰭片將周圍之氣體朝下方壓下而所產生之揚力來抬起上下移動構件之構成。
然而，由於在此等之構成中，當基板之旋轉速度為低時，無法獲得充份之離心力或揚力，因此無法使上下移動構件非常接近基板之下表面，其結果，有基板處理之際所發生之霧氣附著於基板之下表面之虞。例如，在一方面旋轉基板一方面以刷具擦拭洗淨基板之表面之情況下，基板之旋轉速度係為100rpm左右，終究無法獲得充分之離心力或揚力。因此，在擦拭洗淨基板之上表面之際，存有處理液之霧氣進入基板之下表面與上下移動構件之間，而污染基板之下表面之虞。
另一方面，在專利文獻1之圖9及圖10之中揭露著，使用經利用氣壓缸之推昇機構使上下移動構件上下移動之構成。又在專利文獻1之圖11及圖12中揭露著，設有一端經被堅固地黏著於上下移動構件之伸縮軟管，藉由對伸縮軟管內加壓/吸引，使伸縮軟管產生伸縮，藉其使上下移動構件上下移動之構成。
然而，此等之構成係因為不管那一種於包含旋轉台及上下移動構件之旋轉系統組裝入用於驅動之驅動手段，對於其驅動手段有必要供給驅動力，所以構造變為複雜。而且，由於有必要自非旋轉系統一方面供給一方面吸引驅動用之空氣，因此於非旋轉系統與旋轉系統之間成為存在有對空氣供給/吸引路徑產生摩擦接觸之滑動部，並有其處所產生之微粒對基板處理產生不良影響之虞。
[先前技術文獻] [專利文獻]
(專利文獻1)美國專利第5,601,645號說明書
本發明之目的係在於提供與基板之旋轉速度無關，可以保護基板之下表面，且構成簡單，並可抑制因摩擦接觸所造成之微粒之發生之基板保持旋轉裝置及具備如此種基板保持旋轉裝置之基板處理裝置。又，本發明之其他目的係在於提供即使在基板之旋轉速度為低時仍可以確實地保護基板之下表面，無需複雜之構造，即可抑制因摩擦接觸所造成之微粒，又可實現高品質處理之基板處理方法。
本發明之一實施形態係提供一種基板保持旋轉裝置，其包含有：旋轉台，其可繞著沿垂直方向之旋轉軸線周圍進行旋轉；旋轉驅動單元，其使上述旋轉台產生旋轉；保持構件，其以與上述旋轉台一起繞著上述旋轉軸線進行旋轉之方式設置在上述旋轉台，且自上述旋轉台向上方延伸，並且在於上述旋轉台與基板於鉛直方向呈分開之狀態下，可變換位置在將該基板加以保持呈水平之保持位置，與退避自上述保持位置之退避位置之間；保護圓盤，其具有將上述保持構件之全周加以包圍之開口，且大於藉由上述保持構件所保持之基板；以及磁氣浮起機構，其使上述保護圓盤自上述旋轉台產生浮起；及磁氣驅動機構，其將上述保持構件保持在上述保持位置。上述保護圓盤係配置在上述旋轉台與藉由上述保持構件所構成之基板保持位置之間，相對於上述旋轉台而能夠以相對之方式上下移動在，下位置與比下位置更上方且接近於由上述保持構件所保持之基板之下表面之接近位置之間，且以與上述旋轉台一起繞著上述旋轉軸線周圍進行旋轉之方式安裝在上述旋轉台。上述磁氣浮起機構係包含有：第1磁鐵，其被安裝在上述保護圓盤；第2磁鐵，其形成為與上述旋轉軸線呈同軸 之環狀，並且對於上述第1磁鐵賦予排斥力；第1支撐構件，其以非旋轉狀態將上述第2磁鐵加以支撐；以及第1相對移動機構，其以使上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之距離產生變化之方式，使上述第1支撐構件與上述旋轉台產生相對移動，藉由上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之排斥力，使上述保護圓盤自上述旋轉台產生浮起。上述磁氣驅動機構係包含有：第1磁性體，其被安裝在上述保持構件；第2磁性體，其形成為與上述旋轉軸線呈同軸之環狀，且與上述第1磁性體之間產生磁力；第2支撐構件，其以非旋轉狀態將上述第2磁性體加以支撐；第2相對移動機構，其以使上述第1磁性體與上述第2磁性體之間之距離產生變化之方式，使上述第2支撐構件與上述旋轉台產生相對移動，且不同於上述第1相對移動機構；藉由上述第1磁性體與上述第2磁性體之間之磁力，將上述保持構件保持在上述保持位置。
根據此構造，在藉由旋轉驅動單元被旋轉之旋轉台上設置保持構件，藉由此保持構件，可以在自旋轉台隔著間隔至上方之狀態下來保持基板水平。於旋轉台上安裝著保護基板之下表面之保護圓盤，此保護圓盤係可以對於旋轉台相對地上下移動。亦即，保護圓盤係可於下位置與在較下位置更上方接近於經被保持構件保持之基板之下表面之接近位置之間，對於旋轉台可以相對地上下移動。為驅動保護圓盤而具備有磁氣浮起機構。亦即，磁氣浮起機構係包含經安裝於保護圓盤之第1磁鐵、藉由第1支撐構件以非旋轉狀態所支撐之第2磁鐵以及使第1支撐構件與旋轉台產生相對移動之第1相對移動機構。
藉由此構成，使第1支撐構件與旋轉台產生相對移動，根據配置第2磁鐵於非常接近第1磁鐵之下方之位置，可以藉由作用 於其等之間之排斥力，使保護圓盤自旋轉台浮起，且導向接近位置，保持於其接近位置。
自非旋轉系統向旋轉系統之驅動力之傳達係藉由利用作用於經設在非旋轉系統之第2磁鐵與經設在旋轉系統之第1磁鐵之間之排斥力，以非接觸之方式來達成。因此，不僅構造簡單外，即使旋轉台旋轉著且對應於其經安裝於保護圓盤之第1磁鐵旋轉著時，仍然可以藉由在非接觸之狀態下傳達之驅動力，保持保護圓盤於接近位置。
又，即使在旋轉台之旋轉速度為低速之情況下或其旋轉停止時，若使第1支撐構件與旋轉台接近，因為經接受來自第2磁鐵之排斥力之第1磁鐵使保護圓盤自旋轉台表面浮起，所以可以使保護圓盤非常接近基板之下表面。
如此，藉由本發明之構造，可以提供與基板之旋轉速度無關，確實地保護基板之下表面，且構成簡單，並可抑制於旋轉時產生之因摩擦接觸所造成之微粒之基板保持旋轉裝置。
進而，利用被安裝在保持構件之第1磁性體與藉由第2支撐構件以非旋轉狀態所支撐之第2磁性體之間之磁力，可以在非接觸狀態下保持保持構件於保持位置。因此，用以保持保持構件於保持位置之構造亦為簡單，並由於用以保持保持構件於保持位置之驅動力之傳達亦可在利用磁力之非接觸狀態下來進行，因此可以更進一步抑制因旋轉時之摩擦接觸所造成之微粒之發生。
由於第2磁性體係形成與旋轉軸線同軸之環狀，因此，即使在第1磁性體與旋轉台一起旋轉時，不管在任一之旋轉位置，因為可以穩定地產生磁力作用於第1磁性體與第2磁性體之間，所以可 以確實地保持保持構件於保持位置，藉此，可以確實地達成基板之保持。
保護圓盤係配置於基板之下方，且自下方保護基板之下表面。保護圓盤之外徑係大於基板之直徑。因此，保護圓盤係較保護圓盤之外徑相較於基板之直徑更小或相同之情形時可保護基板之更大範圍。藉此，可更加抑制或防止因微粒之附著而發生之基板之汙染。進而，流通過保護圓盤與旋轉台之間朝向外方之氣流係藉由保護圓盤確實地被引導至較基板之外側，因此，即使於保護圓盤之外周與旋轉盤之外周之間產生自上方流入之氣流，此氣流亦難以接觸基板之周緣部。因此，可抑制或防止因包含於此氣流之微粒汙染基板。
進而，由於包圍保持構件之全周之開口係設有較基板更大之保護圓盤，因此，保護圓盤之外周面係配置於較保持構件外側。
當保持構件藉由旋轉台之旋轉而與基板一起旋轉時，產生因保持構件而發生之氣流的亂流。於保持構件配置於較保護圓盤之外周面之外側之情形時，其氣流之亂流係有對基板之周圍之環境氣體造成影響，且成為微粒等異物附著之原因之虞。相對於此，於保持構件配置於較保護圓盤之外周面之內側之情形，因保持構件而產生之氣流之亂流係藉由保護圓盤而被抑止，其結果，可抑制或防止朝向基板之汙染。
又，在保護圓盤於下位置時，形成空間在保護圓盤與基板之下表面之間，因此，可以利用此空間，一方面將基板自基板搬送機器人交遞至保持構件，一方面基板搬送機器人自保持構件接取基板。
上述第2磁鐵較佳係具有形成與上述旋轉軸線同軸之環狀之磁極。更具體地，第2磁鐵較佳係具有對應於上述第1磁鐵所描 繪之旋轉軌跡之環狀之磁極。藉此，即使在第1磁鐵與旋轉台一起旋轉時，第1磁鐵與第2磁鐵之間之排斥力仍持續且穩定地作用，因此，可以確實地保持保護圓盤於接近位置。
上述第1相對移動機構係亦可為上下移動上述第1支撐構件之機構，亦可為上下移動上述旋轉台之機構，亦可為上下移動上述第1支撐構件及之上述旋轉台兩者之機構。
又，第1相對移動機構係未必需要為使第1支撐構件及旋轉台相對地上下移動之機構，亦可藉由自與旋轉軸線交叉之方向使第2磁鐵接近第1磁鐵，以於其等之間產生排斥力之作用而構成。
上述第1磁性體及第2磁性體係較佳為任一方或兩方皆為磁鐵。
上述第2相對移動機構係，可為使上述第2支撐構件上下移動之機構，亦可為使上述旋轉台上下移動之機構，且亦可為使上述第2支撐構件及上述旋轉台之雙方上下移動之機構。又，上述第2相對移動機構係不僅限於使第2支撐構件及/或旋轉台上下移動，例如亦可為使第2支撐構件於與上述旋轉軸線交錯之方向移動，藉此使上述第2磁性體相對於上述第1磁性體接近/遠離之機構。
在上述基板保持旋轉裝置中，亦可考慮上述第2磁性體係為上述第2磁鐵，上述第2支撐構件係為上述第1支撐構件，上述第2相對移動機構係為上述第1相對移動機構，上述磁氣驅動機構及上述磁氣浮起機構共有上述第2磁鐵、上述第1支撐構件及上述第1相對移動機構，當上述第2磁鐵位於既定位置時，藉由上述第1磁鐵與該第2磁鐵之間之排斥力，保持上述保護圓盤於上述接近位置，且亦可藉由作用該第2磁鐵與上述第1磁性體之間之磁力，保持上述保 持構件於上述保持位置。
根據此構造，磁氣驅動機構及磁氣浮起機構共有上述第2磁鐵、上述第1支撐構件及上述第1相對移動機構，藉由以第1相對移動機構使上述旋轉台及上述第1支撐構件產生相對移動，可以驅動保護圓盤，且可以驅動保持構件。藉此，可以使構成更為簡單。
於本發明之一實施形態中，基板保持旋轉裝置係亦可包含有限制構件，該限制構件係將上述保護圓盤之朝向相對於上述旋轉台之上方的相對移動，加以限制在上述接近位置。根據此構成，由於可以藉由限制構件來限制藉由磁力浮起之保護圓盤之朝上方之相對移動，因此可以確實地配置保護圓盤於接近基板之下表面之接近位置。特別是，上述接近位置係為保護圓盤不接觸基板之下表面之位置，在自基板之下表面隔著微小間隔之位置之情況下，可以保持該微小間隔。
於本發明之一實施形態中，基板保持旋轉裝置係亦可包含有導引機構，該導引機構係設置在上述旋轉台，且導引上述保護圓盤之相對上下移動。藉此構造，可以使保護圓盤之相對於旋轉台之相對上下移動產生安定。
於本發明之一實施形態中，上述保護圓盤係亦可包含有側面覆蓋部，該側面覆蓋部係自側面將藉由上述保持構件所保持之基板與上述旋轉台之間之空間加以覆蓋。根據此構造，由於自側面覆蓋旋轉台與基板之間之空間，因此可以抑制側面之空氣被捲入至此空間內。藉此，可使旋轉中之基板之周圍之氣流成為穩定。
上述側面覆蓋部係以固定於上述保護圓盤(較基板大之圓盤本體)較佳。於此情況下，在上述保護圓盤配置於上述接近位置之狀態下，以藉由上述側面覆蓋部覆蓋保護圓盤與旋轉台之間之空間 之方式而構成為較佳。然後，在保護圓盤位於下位置時，保護圓盤與基板下表面之間之空間之側面被開啟，此空間成為如可以利用於用以基板之搬入/搬出為較佳。
於本發明之一實施形態中，上述基板保持旋轉裝置係亦可包含有惰性氣體供給單元，該惰性氣體供給單元係將惰性氣體至，藉由上述保持構件所保持且旋轉之基板與配置在上述接近位置之上述保護圓盤之間。根據此構成，由於惰性氣體被供給至保護圓盤與基板之間，因此可以更有效果地抑制對於基板之下表面之處理液之霧氣之附著。
於本發明之一實施形態中，上述保護圓盤之上表面係亦可包含有：對向部，其配置在藉由上述保持構件所保持之基板的下方；內向部，其自上述對向部之外周而朝向上方延伸；及外周部，其自上述內向部之上端而朝向外側延伸。於此情形時，上述保護圓盤之上表面係亦可在藉由上述保持構件所保持之基板之緣部，藉由上述內向部與上述外周部而加以形成節流部，該節流部係將上述惰性氣體之流路加以縮小。根據此構成，於基板之緣部之惰性氣體之流路被縮小，因此於基板周邊之惰性氣體之流速變大。藉此，可更有效果地抑制處理液霧氣進入保護圓盤與基板之下表面之間之空間。
又，上述保護圓盤之上表面係包含：對向部，其配置在藉由上述保持構件所保持之基板之下方；內向部，其自上述對向部之外周而朝向上方延伸，且亦可以上述內向部而加以形成上述節流部。亦即，自內向部之上端朝向外方延伸之外周部被省略，而亦可僅以內向部形成節流部。於此構成中，於基板之緣部之惰性氣體之流路亦被縮小，因此，基板之周邊之惰性瓦斯之流速變大，可更有效果地抑制 處理液霧氣進入保護圓盤與基板之下表面之間之空間。
於本發明之一實施形態中，上述惰性氣體供給單元係包含有惰性氣體噴嘴，該惰性氣體噴嘴係自上述旋轉台之旋轉中心而朝向藉由上述保持構件所經被保持之基板之周緣部，以呈放射狀之方式吹出惰性氣體。根據此構造，藉由自惰性氣體噴嘴呈放射狀地吹出惰性氣體，可在保護圓盤與基板之下表面之空間內形成自旋轉台之旋轉中心朝向基板之周緣部之惰性氣體之安定氣流。藉此，可以更有效果地抑制處理液之霧氣進入至該空間。
於本發明之一實施形態中，上述基板保持旋轉裝置係亦可更進一步包含有高度檢測器，該高度檢測器係檢測在上述下位置與上述接近位置之間之上述保護圓盤之高度。上述高度感測器係可為直接檢測上述保護圓盤之高度之直接感測器，亦可為藉由檢測與上述保護圓盤一起作上下方向移動之連動構件之高度，而間接檢測出保護圓盤之高度之間接感測器。又，上述高度感測器係亦可為不接觸檢測對象物(上述保護圓盤或連動構件)而檢測上述保護圓盤之高度之非接觸感測器，亦可為以接觸檢測對象物之狀態而檢測上述保護圓盤之高度之接觸感測器。藉由上述之構成，可獲得關於保護圓盤之高度之資訊，且可根據其進行磁氣浮動機構之動作確認或其控制。尤其，於高度感測器係檢測與保護圓盤一起作上下移動之連接構件之高度之情形時，由於高度感測器不必配置於保護圓盤之附近，因此，高度感測器之布置之自由度較高。
本發明之另一種實施形態係，提供一種基板處理裝置，其包含有：基板保持旋轉裝置，具有如上述之特徵；以及處理液供給單元，其將處理液供給至由上述基板保持旋轉裝置所保持之基板之上 表面。
根據此構造，可以在以保護圓盤覆蓋基板之下表面之狀態下，將處理液供給至基板之上表面，藉其處理液來處理基板之上表面。因此，即使發生處理液之霧氣，仍可抑制其霧氣到達基板之下表面。其結果，可以對於基板之下表面一方面不供給處理液，並且保持基板之下表面在清淨的狀態下，而選擇性地進行對基板之上表面之處理。更具體地，可以保持基板之下表面在乾燥之狀態，且不會導致其基板下表面之污染，而對於基板之上表面施以藉由處理液之處理。
如上述，基板保持旋轉裝置係即使在基板之旋轉停止時或低速旋轉時，仍可以保持保護圓盤於接近位置，確實地保護基板之下表面，且構造亦簡單，因旋轉時之滑動所產生之微粒之發生亦很少。藉此，無需複雜之構成，來抑制對於基板之下表面之霧氣之附著，並在微粒發生甚少之清淨的環境中，可以選擇性地使用處理液來處理基板之上表面。
於本發明之另一實施形態中，上述基板處理裝置係亦可更進一步包含有接受處理液之接受構件，該處理液係自上述處理液供給單元而被供給至藉由上述基板保持旋轉裝置所保持之基板，且自上述基板之上表面而朝向該基板之外側被加以排出。於此情形時，亦可上述第2支撐構件係被固定在上述接受構件，上述第2相對移動機構係以使上述接受構件與上述旋轉台產生相對移動之方式加以構成。根據此構成，可以將用以相對移動接受構件接受自基板之上表面向基板之外側排出之處理液與旋轉台之機構，兼用作為用以移動支撐第2磁鐵之第1支撐構件之機構。藉此，可使構造更為簡單。
具體而言，當以上述接受構件與上述旋轉台之相對位置 來作為藉由接受構件接受自基板之上表面排出之處理液之處理位置時，以藉由上述第1磁鐵與第2磁鐵之間之排斥力保持上述保護圓盤於上述接近位置之方式而構成為較佳。進而，在該處理位置，以上述第1磁性體接受來自上述第2磁鐵之磁力，保持上述保持構件於上述保持位置之方式而構成為較佳。
本發明之進而另一實施形態係提供一種基板處理方法，其包含有：保持步驟，其藉由保持構件將基板加以保持呈水平，該保持構件係設置在可繞著沿垂直方向之旋轉軸線周圍進行旋轉之旋轉台，且可變換位置在保持基板之保持位置，與退避自上述保持位置之退避位置之間；旋轉步驟，其藉由使上述旋轉台產生旋轉，而使藉由上述保持構件所經被保持之上述基板產生旋轉；下表面被覆步驟，其藉由第1磁鐵與環狀之第2磁鐵之間之排斥力，使保護圓盤對於上述旋轉台以相對之方式浮起至接近上述基板之下表面之接近位置為止，且將上述基板之下表面加以覆蓋，該保護圓盤係被安裝成相對於上述旋轉台而能夠以相對之方式進行上下移動，且具有將上述保持構件之全周加以包圍之開口，並且大於上述基板，該第1磁鐵係被安裝在該保護圓盤，該環狀之第2磁鐵係被設置成以非旋轉狀態，與上述旋轉軸線呈同軸；以及處理液供給步驟，其與上述保持步驟及上述旋轉步驟並行，將處理液供給至藉由上述保護圓盤而下表面被加以覆蓋之上述基板的上表面。上述保持步驟係為如下之步驟：將來自不同於上述第2磁鐵之第2磁性體之磁力，作用至被安裝在上述保持構件之第1磁性體，而將上述保持構件保持在上述保持位置。
根據本方法，一方面以經安裝於旋轉台之保護圓盤覆蓋基板之下表面，一方面使基板旋轉，並供給處理液至基板之上表面， 可以藉由該處理液來處理基板之上表面。保護圓盤係藉由作用於被安裝在該保護圓盤之第1磁鐵與以非旋轉狀態所設置之環狀第2磁鐵之間之排斥力，被保持在浮起至接近基板之下表面之接近位置之狀態。因此，即使基板停止時、基板之旋轉為低速時，仍使保護圓盤確實地接近基板之下表面，可以確實地抑制於此朝其基板之下表面之處理液之霧氣之附著。並且由於利用第1磁鐵與第2磁鐵之間之排斥力保持使保護圓盤浮起且保持之構造，因此無需要在旋轉系統具備有使保護圓盤上下移動之驅動單元。藉此，不會使構成複雜化，必要時可以使保護圓盤接近基板之下表面。又由於第1磁鐵及第2磁鐵係可以在非接觸狀態下傳達排斥力，因此亦可抑制旋轉時之因摩擦接觸所造成之微粒之發生。
進而，根據此方法，由於利用磁力來進行朝向於旋轉台所具備之保持構件之保持位置之保持，因此對於保持構件之保持力之傳達亦可在非接觸狀態下來進行。藉此，可以在更簡單之構成下將基板之上表面作選擇性地處理，且可以更進一步抑制旋轉時之因摩擦接觸所造成之微粒之發生。
於上述基板處理方法中，可考慮上述下表面被覆步驟係為藉由配置上述第2磁鐵於既定位置，利用上述第1磁鐵與該第2磁鐵之間之排斥力，使上述保護圓盤浮起且保持於上述接近位置之步驟，上述保持步驟係為藉由配置上述第2磁鐵於上述既定位置，利用作用於上述第2磁鐵與上述磁性體之間之磁力，保持上述保持構件於上述保持位置之步驟。
在此方法中，可以藉由第1磁鐵與第2磁鐵之間之排斥力，保持保護圓盤於接近位置，且可以藉由第2磁鐵與磁性體之間之 磁力，保持保持構件於保持位置。亦即，由於可以共有用於保護圓盤之上下移動以及保持構件之驅動之構成，因此在更簡單之構成下，既可以一方面防止對基板之下表面之處理液之霧氣之附著，又可以一方面進行對於基板之上表面之選擇性之處理。
於本發明之另一實施形態中，上述基板處理方法係亦可更進一步包含有以下之步驟：藉由限制構件，將上述保護圓盤之朝向相對於上述旋轉台之上方的相對移動加以限制在上述接近位置。藉此，可以確實地配置保護圓盤於接近位置，因此可以正確地限定保護圓盤與基板之下表面之相對位置關係(特別是其等之間之間隔)。
於本發明之另一實施形態中，上述基板處理方法係亦可更進一步包含有利用接受構件將處理液加以接受之步驟，該處理液係朝向上述進行旋轉之上述基板之外側而被加以排出。於此情形時，例如，上述第2磁性體係由上述接受構件所支撐，上述保持步驟係包含有使上述接受構件與上述旋轉台產生接近之步驟。
藉由此方法，上述接受構件與上述旋轉台接近時，來自上述第2磁性體之磁力作用於上述第1磁性體，上述保持構件移動而被保持於上述保持位置。
於本發明之另一實施形態中，上述基板處理方法係亦可更進一步包含有以下之惰性氣體供給步驟：與上述處理液供給步驟並行，並且將惰性氣體供給至正在進行旋轉之上述基板與配置在上述接近位置之上述保護圓盤之間。藉此方法，可以供給惰性氣體至保護圓盤與基板之下表面之間之空間，因此可以更進一步抑制對基板之下表面之處理液之霧氣之附著。
於本發明之另一實施形態中，上述保護圓盤係亦可具有 節流部，該節流部係位在與藉由上述保持構件所保持之基板之緣部呈對向之位置的上表面。於此情形時，上述基板處理方法係亦可包含有以下之步驟：與上述惰性氣體供給步驟並行，藉由上述節流部，將上述惰性氣體之流路加以縮小。根據此方法，在基板之周緣部，惰性氣體之流路被縮小，因此成為自保護圓盤與自基板之緣部之間向外側吹出惰性氣體之高速氣流。藉此，可以更確實地抑制處理液之霧氣進入保護圓盤與基板之下表面之間之空間。
在於本發明之另一實施形態中，上述惰性氣體供給步驟亦可包含有自上述旋轉台之旋轉中心而朝向藉由上述保持構件所保持之基板之周緣部，以呈放射狀之方式吹出惰性氣體之步驟。根據此方法，由於可以形成自旋轉台之旋轉中心朝向基板之周緣部之惰性氣體之安定的氣流，因此可以更進一步確實地抑制處理液之霧氣進入至保護圓盤與基板之下表面之間。
於本發明之另一實施形態中，上述基板處理方法係亦可更進一步包含有以下之步驟：以與上述下表面被覆步驟並行之方式加以實行，並且藉由側面覆蓋部，將藉由上述保持構件所保持之基板與上述旋轉台之間之空間，自側面加以覆蓋。藉此方法，於旋轉台與基板下表面之間周圍之環境氣體不易被捲入，因此可以使旋轉台之周圍之氣流成為安定，從而，可以抑制處理液之霧氣之發生，實現更高品質之基板處理。
在本發明之上述或其他之目的、特徵及效果係藉由參考附圖而如下述之實施形態之說明當可以清晰瞭然。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧旋轉夾頭
3‧‧‧旋轉驅動機構
4‧‧‧飛濺護罩(接受構件)
5‧‧‧護罩驅動機構
6‧‧‧旋轉軸線
7‧‧‧旋轉台
8‧‧‧旋轉軸
9‧‧‧凸座
10‧‧‧保持銷(保持構件)
10a‧‧‧凹部
11‧‧‧固定銷
12‧‧‧可動銷
12a‧‧‧旋轉軸線
15‧‧‧保護圓盤
15a‧‧‧梯級部
15b‧‧‧下方部
15x‧‧‧圓盤本體
16‧‧‧保護圓盤之開口
17‧‧‧導軸
18‧‧‧線性軸承
19‧‧‧導引機構
20‧‧‧凸緣(限制構件)
21‧‧‧圓筒部
22‧‧‧上導引部
23‧‧‧下導引部
24‧‧‧處理液口
25‧‧‧護罩側永久磁鐵
26‧‧‧磁鐵保持部
27‧‧‧解除用永久磁鐵
28‧‧‧磁鐵保持部
30‧‧‧處理液供給單元
31‧‧‧處理液噴嘴
32‧‧‧處理液供給源
33‧‧‧處理液供給管
34‧‧‧處理液閥
35‧‧‧刷具洗淨機構
36‧‧‧洗淨刷
37‧‧‧搖動臂
38‧‧‧臂部驅動機構
40‧‧‧控制裝置
41‧‧‧磁氣浮起機構
42‧‧‧磁氣驅動機構
45‧‧‧基板保持手部
51‧‧‧下軸部
51a‧‧‧大徑部
51b‧‧‧小徑部
52‧‧‧上軸部
53‧‧‧錐形面
54‧‧‧軸承
55‧‧‧支撐軸
56‧‧‧銷驅動用永久磁鐵
57‧‧‧磁鐵保持構件
60‧‧‧保護圓盤側永久磁鐵
61‧‧‧磁鐵保持構件
61a‧‧‧先端部
61b‧‧‧下垂部
62‧‧‧貫穿孔
64‧‧‧圓盤昇降用永久磁鐵
65‧‧‧昇降致動器
65a‧‧‧作動軸
66‧‧‧磁鐵保持構件
67‧‧‧圓盤昇降用永久磁鐵
68‧‧‧磁鐵保持構件
68a‧‧‧下保持部
68b‧‧‧上保持部
68c‧‧‧連結筒部
70‧‧‧惰性氣體供給管
71‧‧‧惰性氣體供給源
72‧‧‧惰性氣體供給路
73‧‧‧惰性氣體閥
74‧‧‧惰性氣體供給單元
75‧‧‧軸承機構
76‧‧‧凹處
77‧‧‧間隔件
78‧‧‧軸承
79‧‧‧磁性流體軸承
81‧‧‧凸緣(限制構件)
82‧‧‧流路
83‧‧‧傾斜面
84‧‧‧蓋
84a‧‧‧凸緣
85‧‧‧凹處
86‧‧‧整流構件
87‧‧‧腳部
88‧‧‧底面
89‧‧‧傾斜面
90‧‧‧節流部
90a‧‧‧凹部
91‧‧‧內向部
91a‧‧‧上端
92‧‧‧外周部
93‧‧‧裙部
94‧‧‧水平部
95‧‧‧垂下部
97‧‧‧圓盤昇降用電磁鐵裝置
97a‧‧‧磁極
98‧‧‧高度控制用電磁鐵裝置
99‧‧‧對向部
99a‧‧‧外周
102‧‧‧基板處理裝置(第2實施形態)
103‧‧‧基板處理裝置(第3實施形態)
104‧‧‧基板處理裝置(第4實施形態)
105‧‧‧基板處理裝置(第5實施形態)
111‧‧‧昇降致動器
111a‧‧‧作動構件
112‧‧‧滾珠螺桿機構
113‧‧‧電動馬達
113a‧‧‧驅動軸
114‧‧‧螺栓軸
115‧‧‧滾珠螺帽
116‧‧‧軸承
117‧‧‧聯結器
118‧‧‧旋轉位置檢測單元
121‧‧‧光電感測器
121a‧‧‧檢測光軸
122‧‧‧線感測器
123‧‧‧攝影機
124‧‧‧距離感測器
a1‧‧‧光軸
a2‧‧‧光軸
a3‧‧‧光軸
m1‧‧‧磁極
m2‧‧‧磁極
m3‧‧‧磁極
S1~S12‧‧‧步驟
U1‧‧‧電磁鐵單元
U2‧‧‧電磁鐵單元
U3‧‧‧電磁鐵單元
W‧‧‧基板
X1‧‧‧縫隙
XXI‧‧‧箭頭
圖1係為用以說明與本發明之第1實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。
圖2係為用以說明上述基板處理裝置所具備之旋轉夾頭之更具體的構成之俯視圖。
圖3係為圖2之構成之仰視圖。
圖4係為自圖2之剖面線IV-IV所觀察之剖面圖。
圖4A係為放大且表示圖4之構成之一部分之放大剖面圖。
圖5係為放大且表示旋轉夾頭所具備之可動銷之附近之構成之剖面圖。
圖6係為用以說明上述基板處理裝置之動作例之流程圖。
圖7係用以說明與本發明之第2實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。
圖8係用以說明與本發明之第3實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。
圖9係用以說明與本發明之第4實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。
圖10係用以說明與本發明之第5實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。
圖11係用以檢測保護圓盤之位置之構成例之圖式。
圖12係用以檢測保護圓盤之位置之另一構成例之圖式。
圖13係用以檢測保護圓盤之位置之又另一構成例之圖式。
圖14係用以檢測保護圓盤之位置之又另一構成例之圖式。
圖15係保護圓盤之另外之構成例之擴大俯視圖式。
圖16係沿圖15之箭頭XVI之方向上之切斷線之剖面圖。
圖17係保護圓盤之另外之構成例之擴大俯視圖式。
圖18係保護圓盤之另外之構成例之擴大俯視圖式。
圖19係保護圓盤之另外之構成例之擴大俯視圖式。
圖20係保持銷及保護圓盤之另外之構成例之擴大俯視圖示。
圖21係沿圖20之箭頭XXI-XXI之方向上之切斷線之剖面圖。
圖1係為用以說明與本發明之第1實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。基板處理裝置1係為一次處理1片半導體晶圓等之基板W之單片型之裝置。基板處理裝置1係具備有旋轉夾頭2、旋轉驅動機構3、飛濺護罩(splash guard)4以及護罩驅動機構5。
旋轉夾頭2係具備可以沿垂直方向之旋轉軸線6之周圍旋轉之旋轉台7。旋轉軸8介由凸座(boss)9結合於旋轉台7之旋轉中心之下表面。旋轉軸8係沿著垂直方向延伸，並接受來自旋轉驅動機構3之驅動力，且以繞著旋轉軸線6周圍旋轉之方式所構成。旋轉驅動機構3係例如亦可為以旋轉軸8為驅動軸之電動馬達。旋轉夾頭2更具備有於旋轉台7之上表面之周緣部沿圓周方向隔著間隔而被設置之複數支之(於本實施形態中為6支)保持銷10。保持銷10係在基板保持高度以水平地保持著基板W之方式而構成，該基板保持高度係自具有幾乎水平之上表面之旋轉台7經隔著一定之間隔之上方。
旋轉夾頭2係更具備有保護圓盤15，該保護圓盤15係配置於旋轉台7上表面與藉由保持銷10之基板保持高度之間。保護圓盤15係相對於旋轉台7可上下移動地被結合著，可移動於接近旋轉台7上表面之下位置、與在較該下位置更上方且隔著微小間隔接近於經被 保持於保持銷10之基板W之下表面之接近位置之間。保護圓盤15係為具有大於基板W之直徑之外徑之圓盤狀之構件。亦即，此實施形態中保護圓盤15係由具有大於基板W之直徑之外徑之圓盤本體15x所構成。保護圓盤15之周緣部上，形成有與保持銷10對應之開口16。即，保護圓盤15之周緣部上，形成有對應數個保持銷10之各個之數個開口16，且數個保持銷10係各被插入數個開口16內。開口16係於保持銷10之直徑方向上隔著間隔地包圍保持銷10之全周，且保持銷10係自開口16朝向上方突出。
飛濺護罩4係自側面環繞旋轉夾頭2之周圍之筒狀之構件，且為接受自經被旋轉夾頭2保持之基板W而向外側排出之處理液之接受構件。更加詳細說明，飛濺護罩4具備有與旋轉軸線6同軸之圓筒部21、以及自圓筒部21之內壁面朝向接近於旋轉軸線6之內側突出至斜上方之上導引部22與下導引部23。上導引部22係按照著部分圓錐面之形狀而形成，其內側緣隔著所定之間隔配置於旋轉夾頭2之外側。下導引部23係自上導引部22隔著一定之間隔而設置於下方，同樣地具有按照著部分圓錐面之形狀。下導引部23之內側緣係在俯視中到達較旋轉夾頭2之外周緣更靠近之內側。於上導引部22與下導引部23之間劃分出用以收容自經被旋轉夾頭2保持之基板W排出之處理液之處理液口24。
為了使飛濺護罩4沿旋轉軸線6上下移動，而設置護罩驅動機構5。護罩驅動機構5係例如亦可包含著如氣壓缸、滾珠螺桿機構之直線驅動機構。
基板處理裝置1係更具備有處理液供給單元30以及刷具洗淨機構35。處理液供給單元30係包含有向基板W之表面吐出處 理液之處理液噴嘴31，且以經由處理液供給管33將來自處理液供給源32之處理液供給至處理液噴嘴31之方式所構成。於處理液供給管33之中間插入且安裝著處理液閥34。所以，藉由開閉處理液閥34，可切換自處理液噴嘴31之處理液之吐出/停止。
刷具洗淨機構35係具備有用以接觸基板W之上表面而擦拭洗淨基板W之洗淨刷36、保持洗淨刷36於前端部之搖動臂37及用以驅動搖動臂37之臂部驅動機構38。臂部驅動機構38係以既可一方面使搖動臂37沿水平面搖動，也可一方面使搖動臂37上下移動之方式而構成。藉此構造，在基板W經被旋轉夾頭2保持而旋轉時，藉由將洗淨刷36按壓於基板W之上表面，且使其按壓位置沿基板W之半徑方向移動，可擦拭洗淨基板W之上表面之全部區域。
在此擦拭洗淨之際，藉由自處理液噴嘴31供給處理液(例如純水(deionized water)：去離子水)，容易地去除基板W之表面之異物，又可將藉由洗淨刷36經被擦掉之異物排出至基板外。
旋轉軸8係為中空軸，於其內部插入且貫通著惰性氣體供給管70。於惰性氣體供給管70之下端結合著導引來自惰性氣體供給源71之惰性氣體之惰性氣體供給路72。於惰性氣體供給路72之中間插入且安裝著惰性氣體閥73。惰性氣體閥73係開閉惰性氣體供給路72。藉由開啟惰性氣體閥73，惰性氣體被送入至惰性氣體供給管70。此惰性氣體係藉由後述之構成被供給至保護圓盤15與基板W之下表面之間之空間。如此，藉由惰性氣體供給管70、惰性氣體供給源71、惰性氣體供給路72、及惰性氣體閥73等而構成惰性氣體供給單元74。
基板處理裝置1具備有用於控制其各部位之控制裝置40。控制裝置40係以控制旋轉驅動機構3、護罩驅動機構5、處理液 閥34、臂部驅動機構38、及惰性氣體閥73等之方式所構成。
圖2係為用以說明旋轉夾頭2之更具體的構成之俯視圖。圖3係為其仰視圖。圖4係為自圖2之剖面線IV-IV所觀察之剖面圖。
旋轉台7係形成沿水平面之圓盤狀，結合於被結合於旋轉軸8之凸座9。複數支之保持銷10係沿圓周方向等間隔地配置於旋轉台7之上表面之周緣部。保持銷10係包含對旋轉台7不移動的固定銷11，以及對旋轉台7可移動之可動銷12。在此實施形態中，相鄰接地經配置之兩支保持銷10被用來作為可動銷12。保持銷10係分別包含結合於旋轉台7之下軸部51、以及一體形成於下軸部51之上端之上軸部52，下軸部51與上軸部52分別形成為圓柱形狀。上軸部52係被設成偏離中心於下軸部51之中心軸線。連接下軸部51之上端與上軸部52之下端之間之表面係形成自上軸部52朝向下軸部51之圓周面而下降之錐形面53。
可動銷12係如於圖5之圖解所示，下軸部51以可以繞著與其中心軸線同軸之旋轉軸線12a周圍旋轉之方式結合於旋轉台7。更加詳細而言，於下軸部51之下端部係設置有相對於旋轉台7經由軸承54，而經被支撐之支撐軸55。於支撐軸55之下端係結合著保持銷驅動用永久磁鐵56之磁鐵保持構件57。銷驅動用永久磁鐵56係例如使磁極方向朝向相對於可動銷12之旋轉軸線12a正交之方向而配置。
保護圓盤15係具有大於基板W之直徑之外徑之圓盤狀之構件。保護圓盤15之外周面係配置於較保持銷10所配置之位置更外側。於圖1中，保護圓盤15之外徑係相等於旋轉台7之外徑，且保 護圓盤15之外周面與旋轉台7之外周面係例示為配置於在鉛直方向上延伸之共通之圓筒面上。保護圓筒15之外徑係亦可小於旋轉台7之外徑，亦可大於旋轉台7之外徑。
於保護圓盤15之中央區域形成對應於凸座9之圓形之開口。在自旋轉軸線6較凸座9更遠之位置上，平行於旋轉軸線6且沿垂直方向延伸之導軸17結合於保護圓盤15之下表面。在本實施形態中，導軸17係配置於沿保護圓盤15之圓周方向且經隔著等間隔之三個地方。更具體而言，自旋轉軸線6觀察，分別在對應於每隔一支保持銷10之角度位置處配置三支之導軸17。導軸17係與於旋轉台7之對應位置設置之線性軸承18相結合，可以一方面藉由此線性軸承18導引，一方面朝垂直方向亦即平行於旋轉軸線6之方向移動。因此，導軸17及線性軸承18係構成沿平行於旋轉軸線6之上下方向導引保護圓盤15之導引機構19。
導軸17係貫穿著線性軸承18，於其下端具備有向外突出之凸緣20。藉由凸緣20抵接於線性軸承18之下端，限制導軸17朝上方移動，亦即保護圓盤15朝上方移動。亦即，凸緣20係為限制保護圓盤15朝上方移動之限制構件。
在自旋轉軸線6較導軸17更遠外側，且在較保持銷10更靠近旋轉軸線6之內側之位置，保持著保護圓盤側永久磁鐵60之磁鐵保持構件61被固定於保護圓盤15之下表面。在本實施形態中，保護圓盤側永久磁鐵60係使磁極方向朝著上下方向，保持於磁鐵保持構件61中。例如，保護圓盤側永久磁鐵60係亦可以下側具有S極而上側具有N極之方式固定於磁鐵保持構件61。在本實施形態中，磁鐵保持構件61係設置於沿圓周方向隔著等間隔之6個位置。更具體而言， 自旋轉軸線6觀察，在對應於相鄰接之保持銷10之間(在本實施形態中為中間)之角度位置配置各磁鐵保持構件61。進而，自旋轉軸線6觀察，3支之導軸17分別設置於在被6個磁鐵保持構件61所分割(於本實施形態中為等分)之6個角度位置中每隔一個角度區域之內(於本實施形態中為該角度區域之中央位置)。
在旋轉台7，於對應於6個磁鐵保持構件61之6處形成貫穿孔62。各貫穿孔62係可以沿與旋轉軸線6平行之鉛直方向分別使對應之磁鐵保持構件61以插穿之方式而形成。當保護圓盤15位於下位置時，如圖1所示，磁鐵保持構件61係為插穿貫穿孔62，突出至較旋轉台7之下表面更下方，保護圓盤側永久磁鐵60係位於較旋轉台7下表面更下方處。
飛濺護罩4之下導引部23係於其上端緣(內側緣)具有保持護罩側永久磁鐵25之磁鐵保持部26。護罩側永久磁鐵25係形成與旋轉軸線6同軸之圓環狀，且沿旋轉軸線6正交之平面(水平面)而配置。更具體而言，護罩側永久磁鐵25係配置在相對於旋轉軸線6，較保護圓盤側永久磁鐵60更遠，且較銷驅動用永久磁鐵56更近之位置。亦即，於俯視時，圓環狀之護罩側永久磁鐵25係位於保護圓盤側永久磁鐵60與銷驅動用永久磁鐵56之間。又，護罩側永久磁鐵25係配置在較保護圓盤側永久磁鐵60更低之位置。於本實施形態中，護罩側永久磁鐵25之磁極方向係沿著水平方向，亦即旋轉台7之旋轉半徑方向。在保護圓盤側永久磁鐵60於下表面具有S極之情況下，護罩側永久磁鐵25係為在旋轉半徑方向之內側具有相同磁極，亦即以具有呈環狀之S極之方式而構成。
於飛濺護罩4被配置在接受自基板W向外側排出處理 液之處理位置(參考圖4)時，被劃分於上導引部22與下導引部23之間之處理液口24係相對於基板W於水平方向對向著。當在此處理位置上有飛濺護罩4時，護罩側永久磁鐵25係相對於銷驅動用永久磁鐵56，使配置在其半徑方向外側之環狀磁極對向於水平方向。藉此，藉由作用於護罩側永久磁鐵25與銷驅動用永久磁鐵56之間之磁力，可動銷12被朝向保持位置驅動，成為保持於其保持位置。
如上述，可動銷12係在經偏離中心自旋轉軸線12a之位置具有上軸部52(參考圖5)。因此，藉由下軸部51之旋轉，上軸部52係成為變位於距離自旋轉軸線6較遠之開啟位置與距離自旋轉軸線6較近之保持位置之間。銷驅動用永久磁鐵56係在接受來自護罩側永久磁鐵25之吸引磁力時，以上軸部52朝向接近旋轉軸線6之保持位置移動之方式來配置。護罩側永久磁鐵25係形成為與旋轉軸線6同軸之圓環狀，因此，不侷限於可動銷12之繞旋轉軸線6周圍之旋轉位置，亦即，即使旋轉台7在旋轉中，仍保持著護罩側永久磁鐵25與銷驅動用永久磁鐵56之間之吸引磁力，藉此，可動銷12係被保持於保持著基板W之保持位置。
另一方面，在飛濺護罩4位於處理位置(參考圖4)時，護罩側永久磁鐵25與保護圓盤側永久磁鐵60間之磁排斥力產生作用，保護圓盤側永久磁鐵60係接受向上之外力。藉其，保護圓盤15係自保持著保護圓盤側永久磁鐵60之磁鐵保持構件61來接受向上之力量，保持在接近基板W之下表面之處理位置。
於飛濺護罩4自旋轉夾頭2之側面下降至經退避之退避位置時，護罩側永久磁鐵25與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁排斥力為小，因此，保護圓盤15係藉由本身的重量保持於接近旋轉台7之 上表面之下位置。又，由於護罩側永久磁鐵25不對向於銷驅動用永久磁鐵56，因此，於可動銷12將該可動銷12朝向其保持位置賦予勢能之外力不起作用。
在本實施形態中，於飛濺護罩4，在較上導引部22更上方處設置有保持著解除用永久磁鐵27之磁鐵保持部28。當飛濺護罩4位於下位置時，解除用永久磁鐵27對向於銷驅動用永久磁鐵56。解除用永久磁鐵27係形成為與旋轉軸線6同軸之圓環狀，且在旋轉台7之旋轉半徑內側具有環狀磁極。此旋轉半徑內側之磁極係為與護罩側永久磁鐵25之旋轉半徑外側之磁極相同之磁性。解除用永久磁鐵27係對於銷驅動用永久磁鐵56，發生使可動銷12朝向開啟位置旋轉變位之磁力。更具體而言，若護罩側永久磁鐵25在外側具有環狀之N極，則解除用永久磁鐵27係以在內側具有環狀之N極之方式而構成即可。
如此，在飛濺護罩4位於下位置時，保護圓盤15係位在接近旋轉台7之上表面之下位置，可動銷12成為保持於其開啟位置。於此狀態下，對於旋轉夾頭2搬入及搬出基板W之基板搬送機器人係可使其基板保持手部45進入至保護圓盤15與基板W之下表面之間之空間。
保護圓盤側永久磁鐵60、護罩側永久磁鐵25及使飛濺護罩4昇降之護罩驅動機構5係構成磁氣浮起機構41，藉由永久磁鐵25、60之間之排斥力，使保護圓盤15自旋轉台7之表面朝上方浮起而導引至處理位置。又，銷驅動用永久磁鐵56、護罩側永久磁鐵25及護罩驅動機構5係構成磁氣驅動機構42，該磁氣驅動機構42藉由永久磁鐵25、56之間之排斥力使可動銷12保持於其保持位置。
亦即，磁氣浮起機構41及磁氣驅動機構42係共有著護 罩側永久磁鐵25、作為支撐護罩側永久磁鐵25之支撐構件之飛濺護罩4以及使飛濺護罩4昇降之護罩驅動機構5。然後，在飛濺護罩4位於處理位置時，藉由護罩側永久磁鐵25與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁排斥力，保持保護圓盤15於接近位置，且藉由護罩側永久磁鐵25與銷驅動用永久磁鐵56之間之磁吸力，保持可動銷12於其保持位置。
如在圖4A中所放大且表示，經結合於旋轉軸8上端之凸座9係保持著用以支撐惰性氣體供給管70之上端部之軸承機構75。軸承機構75具備：間隔件77，其經嵌入而固定於形成在凸座9之凹處76；軸承78，其配置於間隔件77與惰性氣體供給管70之間；以及磁性流體軸承79，其相同地設置在間隔件77與惰性氣體供給管70之間，且較軸承78更上方。
凸座9係一體成形地具有沿水平面向外突出之凸緣81，且旋轉台7結合於此凸緣81。進而，上述間隔件77以夾入旋轉台7之內周緣部之方式固定於凸緣81，且蓋84結合於此間隔件77。蓋84係形成為大致圓盤狀，於中央具有用來使惰性氣體供給管70之上端露出之開口，以此開口作為底面之凹處85形成於其上表面。凹處85係具有水平底面、以及自此底面之周緣朝外側直立起向斜上方之倒立圓錐形之傾斜面83。整流構件86結合於凹處85之底面。整流構件86係具有沿旋轉軸線6周圍且圓周方向隔著間隔分散地配置之複數支之(例如4支)腳部87，具有藉由此腳部87自凹處85之底面隔著間隔而配置之底面88。自底面88之周緣部形成朝外側往斜上方延伸之倒立圓錐面所成為之傾斜面89。
於蓋84之上表面外周緣向外側形成凸緣84a。此凸緣84a係與形成於保護圓盤15內周緣之梯級部15a匹配而形成。亦即， 當保護圓盤15位於接近基板W之下表面之接近位置時，凸緣84a與梯級部15a緊密結合，蓋84之上表面與保護圓盤15之上表面位於同一平面內，形成平坦的惰性氣體流路。
藉由如此種構造，自惰性氣體供給管70之上端流出之惰性氣體係在蓋84之凹處85內，流向藉由整流構件86之底面88所經被劃分之空間。此惰性氣體係更進一步經由凹處85之傾斜面83及整流構件86之傾斜面89所經被劃分之放射狀流路82，朝遠離旋轉軸線6之放射方向被吹出。此惰性氣體係於保護圓盤15與藉由保持銷10經被保持之基板W下表面之間之空間形成惰性氣體之氣流，自該空間朝向基板W之旋轉半徑方向外側被吹出。
圖6係為用以說明基板處理裝置1之動作例之流程圖。處理對象之基板W係藉由基板搬送機器人之基板保持手部45被搬入至該基板處理裝置1內，而被遞交給旋轉夾頭2(步驟S1)。此時，飛濺護罩4係配置於自旋轉夾頭2之側面經退避至下方之退避位置(下位置)。藉此，解除用永久磁鐵27對向於銷驅動用永久磁鐵56，可動銷12係保持於開啟位置。又，由於經被飛濺護罩4之下導引部23保持之護罩側永久磁鐵25係自旋轉台7於下方距離很遠，因此，作用於護罩側永久磁鐵25與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁排斥力為小。因此，保護圓盤15係位於接近旋轉台7之上表面之下位置。藉此，於藉由保持銷10之基板保持高度與保護圓盤15之上表面之間確保著基板保持手部45可以進入之充份空間。
基板保持手部45係在保持著基板W於較保持銷10之上端更高之位置之狀態下，將該基板W搬送至旋轉夾頭2之上方。此後，基板保持手部45係朝向旋轉台7之上表面而下降。在其過程中， 基板W係自基板保持手部45被遞交保持銷10。基板保持手部45係下降至基板W之下表面與保護圓盤15之間之空間，此後，通過保持銷10，朝旋轉夾頭2之側面退避而去。
其次，控制裝置40係控制護罩驅動機構5，使飛濺護罩4上昇至處理位置(步驟S2)。藉此，藉由上導引部22及下導引部23所被劃分之處理液口24則對向於旋轉夾頭2之側面，更具體地係為對向於基板W之側面。又，經被保持於下導引部23之內側緣之圓環狀護罩側永久磁鐵25則對向於銷驅動用永久磁鐵56。藉此，可動銷12則被驅動自開啟位置朝向保持位置，而保持於其保持位置。如此，藉由固定銷11與可動銷12握持著基板W。更進一步，又在飛濺護罩4朝向處理位置上昇之過程中，護罩側永久磁鐵25自下方接近至保護圓盤側永久磁鐵60，其等之永久磁鐵25、60之間之距離變縮小，對應於此，作用於其等之間之磁排斥力變大。藉此磁排斥力，保護圓盤15自旋轉台7之上表面向基板W浮起。然後，在飛濺護罩4到達處理位置之前，保護圓盤15則到達隔著微小間隔而接近基板W之下表面之接近位置，且形成於導軸17下端之凸緣20則抵接於線性軸承18。藉此，保護圓盤15係被保持於上述之接近位置。
在此狀態之下，控制裝置40係開啟惰性氣體閥73，開始惰性氣體之供給(步驟S3)。所被供給之惰性氣體係自惰性氣體供給管70之上端吐出，藉由整流構件86等之作用，朝向位於接近位置之保護圓盤15與基板W之下表面之間之狹窄空間，以旋轉軸線6為中心之呈放射狀被吹出。此惰性氣體係一方面藉由形成於保護圓盤15之上表面與基板W之下表面之氣體流路引導，一方面被導向基板W之外部。
控制裝置40係又控制旋轉驅動機構3，開始旋轉台7之旋轉，藉此，使基板W繞旋轉軸線6周圍旋轉(步驟S4)。旋轉速度係例如可為100rpm左右。於其狀態之下，控制裝置40係開啟處理液閥34。藉此，自處理液噴嘴31朝向基板W上表面供給處理液(步驟S5)。被供給之處理液係在基板W上表面受到離心力，而朝向其外側擴展，至基板W之表面之全區域。藉由離心力自基板W向外被排出之處理液係藉由飛濺護罩4被收納而排出。另一方面，控制裝置40係藉由控制臂部驅動機構38來實行藉由刷具洗淨機構35之基板W之上表面之擦拭洗淨(步驟S6)。因此，成為於對基板W之上表面，一方面供給處理液，一方面進行利用洗淨刷36之擦拭洗淨。
在如此種基板處理之期間內，基板W之下表面係成為藉由保護圓盤15而被覆蓋之狀態。並且，於保護圓盤15與基板W之下表面之間之空間內形成朝向外側之惰性氣體氣流，而此惰性氣體朝向外吹出。因此，即使處理液之霧氣分散於旋轉夾頭2之周邊，仍可迴避或抑制此種霧氣附着於基板W之下表面，因此，不對基板W之下表面施以背面沖洗(backside rinse)等處理，仍可以保持著其乾燥狀態，一方面迴避或抑制處理液之霧氣附着於該基板W之下表面，一方面實行對基板W上表面之選擇性之擦拭洗淨處理。
在此種擦拭洗淨之後，控制裝置40係控制臂部驅動機構38，使洗淨刷36從旋轉夾頭2之上方朝其側面退避，並關閉處理液閥34，停止自處理液噴嘴31吐出處理液(步驟S7)。進而，控制裝置40係藉由控制旋轉驅動機構3，加速旋轉台7之旋轉速度。藉此，根據藉由離心力甩掉基板W之上表面及周端面之液滴，來實行使基板W乾燥之旋轉乾燥處理(步驟S8)。此旋轉乾燥處理時之基板W之旋轉速 度係例如為1500~3000rpm。
僅用預定之時間內進行旋轉乾燥處理之後，控制裝置40係控制旋轉驅動機構3，停止基板W之旋轉(步驟S9)。進而，控制裝置40係關閉惰性氣體閥73，停止惰性氣體之供給(步驟S10)。然後，控制裝置40係藉由控制護罩驅動機構5，使飛濺護罩4下降至下方之退避位置(步驟S11)。飛濺護罩4在下降之過程中，護罩側永久磁鐵25與保護圓盤側永久磁鐵60之間之距離擴大，其等之間之磁排斥力減少。隨之，保護圓盤15係一方面利用其本身之重量，一方面藉由導引機構19導引，一方面朝向旋轉台7之上表面下降。藉此，於保護圓盤15之上表面與基板W之下表面之間被確保著僅能使基板搬送機器人之基板保持手部45進入之空間。另一方面，由於護罩側永久磁鐵25係成為不對向於銷驅動用永久磁鐵56，因此失去將可動銷12朝向保持位置賦予勢能之外力。取而代之，藉由解除用永久磁鐵27對向於銷驅動用永久磁鐵56，可動銷12係成為被朝向開啟位置賦予勢能。藉此，解除基板W之握持。
其次，控制裝置40係控制基板搬送機器人，使基板保持手部45進入被確保於保護圓盤15與基板W之下表面之間之空間。然後，基板保持手部45係舀取被保持銷10保持之基板W，此後，朝向旋轉夾頭2之側面退避。如此，搬出處理完成之基板W(步驟S12)。
根據如以上之本實施形態，經被飛濺護罩4保持之護罩側永久磁鐵25係形成為與旋轉軸線6同軸之圓環狀，因此，於旋轉台7之旋轉中，始終對向於銷驅動用永久磁鐵56，且持續地對保護圓盤側永久磁鐵60供給充份之磁排斥力。藉此，於旋轉台7之旋轉中，可在非接觸狀態下自經被配置於非旋轉系統之護罩側永久磁鐵25來提供 使可動銷12朝向保持位置賦予勢能之外力，以及用來保持保護圓盤15接近於基板W之下表面之接近位置之外力。並且，由於並非利用旋轉台7之旋轉而獲得驅動力之構造，因此，即使如在擦拭洗淨處理步驟而基板W低速旋轉時，又例如即使基板W之旋轉在停止時，可動銷12仍可發揮充份之基板保持力，且保護圓盤15確實地被保持於接近位置。因此，一方面可以確實地迴避或抑制處理液之霧氣附着於基板W之下表面，一方面進行對基板W之上表面之處理。
又，在本實施形態中，成為使保護圓盤15浮起於旋轉台7之上方之磁氣浮起機構41及用以驅動可動銷12之磁氣驅動機構42共同利用經被飛濺護罩4保持之護罩側永久磁鐵25之構造。因此，可以共用用以昇降飛濺護罩4之護罩驅動機構5來作為磁氣浮起機構41及磁氣驅動機構42之驅動源，藉此，可以顯著地簡化構成。進而，又由於磁氣浮起機構41及磁氣驅動機構42係並不是將驅動單元組裝入與旋轉台7一起旋轉之旋轉系統之構成，因而，此等之構成亦為簡單，藉其可更簡化基板處理裝置1之構成。進而，又由於磁氣浮起機構41及磁氣驅動機構42係使用磁力，用非接觸之方式自非旋轉系統向旋轉系統傳達驅動力之構成，因此在旋轉台7旋轉時，在驅動力傳輸路徑中不會產生摩擦接觸。藉此，可以減低微粒之產生，實現高清淨度之基板處理。
又，由於在本實施形態中，惰性氣體被供給至位於接近位置之保護圓盤15與基板W之下表面之間之空間，因此，可更有效果地迴避或抑制處理液之霧氣附著於基板W之下表面。而且，由於藉由整流構件86等之作用，自旋轉軸線6朝向基板W之外周緣呈放射狀地吹出惰性氣體，因此，可在基板W之下表面與保護圓盤15之間 形成惰性氣體之安定向外氣流。藉此，亦可更有效果地迴避或抑制處理液之霧氣附著於基板W之下表面。
進而，於此實施形態中，保護圓盤15之外徑係大於基板W之直徑，因此，可有效地自基板W之下表面保護基板W。亦即，保護圓盤15係相較於保護圓盤15之外徑小於或等於基板W之直徑時可保護基板W之更廣之範圍。進而，由於保護圓盤15大於基板W，因此流過保護圓盤與旋轉台7之間朝向外之氣流係藉由保護圓盤15確實地被引導至基板W外。因此，即使發生自保護圓盤15之外周與旋轉台7之外周之間朝向上方流動之氣流，此氣流亦難以接觸基板W之周緣部。因此，可抑制或防止基板W因包含於此氣流中之微粒而被汙染。
進而，包圍保持銷10之全周之開口16係被設置於大於基板W之保護圓盤15上，因此，保護圓盤15之外周面係配置於較保持銷10之外。
當保持銷10藉由旋轉台7之旋轉而與基板W一起旋轉之時，因保持銷10而造成氣流之亂流。於保持銷10被配置於較保護圓盤15之外周面外之情況時，該氣流之亂流將對基板W周圍之環境氣體造成影響，且有成為微粒等之異物附著之原因之虞。相對於此，於保持銷10被配置於較保護圓盤15之外周面內之情況時，因保持銷10而造成之氣流之亂流被保護圓盤15所抑止，其結果，可抑制或防止對基板W之汙染。
圖7係用以說明與本發明之第2實施形態相關之基板處理裝置102之構成之圖解式之剖視圖。在圖7中，於圖1之各部之對應部分標示相同參考符號。在第1實施形態中，雖然兼用用以昇降飛濺護罩4之護罩驅動機構5來作為用於磁氣浮起機構41及磁氣驅動機 構42之驅動源，而在第2實施形態中，設置有用於磁氣浮起機構41之專用驅動源。
亦即，在此第2實施形態中，磁氣浮起機構41係包含有保護圓盤側永久磁鐵60、圓盤昇降用永久磁鐵64及昇降致動器65。圓盤昇降用永久磁鐵64係以旋轉軸線6為中心沿水平面配置之圓環狀之永久磁鐵片，具有自下方對向於保護圓盤側永久磁鐵60之圓環狀磁極。其磁極之極性係與保護圓盤側永久磁鐵60之下側之磁極相同之磁性。因此，圓盤昇降用永久磁鐵64係對於保護圓盤側永久磁鐵60產生向上之磁排斥力之作用。圓盤昇降用永久磁鐵64係內藏且保持於圓環狀磁鐵保持構件66內。昇降致動器65之作動軸65a結合於磁鐵保持構件66。
昇降致動器65係例如由氣壓缸，使作動軸65a沿平行於旋轉軸線6之方向上下移動之方式而構成。昇降致動器65之動作係藉由控制裝置40來控制。藉此，昇降致動器65係可以配置圓盤昇降用永久磁鐵64於上位置及下位置。下位置係圓盤昇降用永久磁鐵64位在遠離旋轉台7之下方，於圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間以確保有如其等之間之磁排斥力較作用於保護圓盤15之重力為小之充份之距離之方式而設定。上位置係被設定在較下位置更上方之位置，藉由圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁排斥力，使經結合於磁鐵保持構件61之保護圓盤15上昇至接近基板W之下表面之接近位置(處理高度)之位置。
因此，使昇降致動器65產生作動而將圓盤昇降用永久磁鐵64自下位置上昇至上位置時，於其過程中，圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁排斥力超過作用於保護圓盤15 之重力及其他之上昇阻力(摩擦力等)。藉此，保護圓盤15自旋轉台7之上表面浮起，上昇至接近基板W之下表面之接近位置(處理高度)。保護圓盤15之上昇係藉由經設置於導軸17下端之凸緣20抵接至線性軸承18之下端，而被限制。另一方面，當使昇降致動器65產生作動而將圓盤昇降用永久磁鐵64自上位置下降至下位置時，於其過程中，作用於保護圓盤15之重力超過圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁排斥力及其他之下降阻力(摩擦力等)。藉此，保護圓盤15自接近位置下降，而到達旋轉台7。
如此，在第2實施形態中，磁氣浮起機構41係具有專用之圓盤昇降用永久磁鐵64及使其上下移動之專用之昇降致動器65。藉此，可以使保護圓盤15之上下移動自飛濺護罩4之昇降動作及可動銷12之驅動而獨立出來。因此，例如於飛濺護罩4設置有沿上下方向被疊層之複數處理液口，在對應處理液之種類切換使用處理液口之情況下，變成可以與處理液口之切換無關，保持保護圓盤15於接近位置。
圖8係用以說明與本發明之第3實施形態相關之基板處理裝置103之構成之圖解式之剖視圖。在圖8中，於圖7之各部之對應部分標示相同參考符號。在本第3實施形態中，亦如同第2實施形態，設置有用於磁氣浮起機構41之專用之驅動源。
亦即，在本第3實施形態中，磁氣浮起機構41係包含有保護圓盤側永久磁鐵60、圓盤昇降用永久磁鐵64及昇降致動器111。圓盤昇降用永久磁鐵64係為以旋轉軸線6為中心，沿水平面經被配置之圓環狀之永久磁鐵片，且具有自下方對向於保護圓盤側永久磁鐵60之圓環狀之磁極。其磁極之極性係與保護圓盤側永久磁鐵60 下側之磁極相同之極性。因此，圓盤昇降用永久磁鐵64係對於保護圓盤側永久磁鐵60產生向上之磁排斥力之作用。圓盤昇降用永久磁鐵64係內藏且保持於圓環狀磁鐵保持構件66內。昇降致動器111之作動構件111a結合於磁鐵保持構件66。
昇降致動器111係包含有滾珠螺桿機構112及電動馬達113，使作動構件111a沿平行於旋轉軸線6之方向上下移動之方式而構成。滾珠螺桿機構112係包含有沿平行於旋轉軸線6之上下方向而配置之螺旋軸114，以及經螺合於螺旋軸114之滾珠螺帽115，作動構件111a結合於滾珠螺帽115。螺旋軸114之上端係被軸承116支撐著，螺旋軸114之下端係經由聯結器117，結合於電動馬達113之驅動軸113a。於電動馬達113附設有檢測其驅動軸113a之旋轉位置之旋轉位置檢測單元118。旋轉位置檢測單元118係例如包含旋轉編碼器，其輸出信號被輸入至控制裝置40。
另昇降致動器111之動作，更具體地，電動馬達113之動作係藉由控制裝置40來被控制。藉此，昇降致動器111係能配置圓盤昇降用永久磁鐵64於上位置與下位置之間之任意高度。下位置係圓盤昇降用永久磁鐵64位在遠離旋轉台7之下方，於圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間以確保有如其等之間之磁排斥力較作用於保護圓盤15之重力為小之充份之距離之方式而設定。上位置係被設定在較下位置更上方之位置，藉由圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁排斥力，使結合於磁鐵保持構件61之保護圓盤15上昇至接近基板W之下表面之接近位置(處理高度)之位置。
因此，當使昇降致動器111產生作動，將圓盤昇降用永 久磁鐵64自下位置上昇至上位置時，於其過程中，圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁排斥力超過作用於保護圓盤15之重力及其他之上昇阻力(摩擦力等)，藉此，保護圓盤15自旋轉台7之上表面浮起，上昇至接近基板W之下表面之接近位置(處理高度)。保護圓盤15之上昇係藉由經設置於導軸17下端之凸緣20抵接至線性軸承18之下端，而被限制。另一方面，當使昇降致動器111產生作動而將圓盤昇降用永久磁鐵64自上位置下降至下位置時，於其過程中，作用於保護圓盤15之重力超過圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁排斥力及其他下降阻力(摩擦力等)。藉此，保護圓盤15自接近位置下降，而到達旋轉台7。
昇降致動器111係由利用滾珠螺桿機構112等而構成，因此，亦可控制圓盤昇降用永久磁鐵64之位置於如上述之上位置與下位置之間之任意之中間位置。更具體地，控制裝置40係藉由參考旋轉位置檢測單元118之輸出信號，檢測出電動馬達113之驅動軸113a之旋轉位置，根據其旋轉位置，間接地檢測出圓盤昇降用永久磁鐵64之高度。藉此，控制裝置40係可控制圓盤昇降用永久磁鐵64之高度控制於上位置與下位置之間之任意之高度。藉此，不僅可以控制保護圓盤15之位置於上下二個位置，還可以控制於旋轉台7與在旋轉夾頭2上之基板保持高度之間之任意之高度位置。
控制裝置40係亦可對應於對基板W之處理內容以變更保護圓盤15之高度之方法而加以程式化。例如，當藉由洗淨刷36擦拭洗淨基板W之上表面時，基板W彎曲至下方。因此，控制裝置40係亦可使保護圓盤15自旋轉台7浮起，且配置於以基板W彎曲至下方時仍不接觸到保護圓盤15之方式而設定之擦拭洗淨高度。亦即，控 制裝置40係亦可以保護圓盤15達到此種高度之方式來控制昇降致動器111。另一方面，對於基板W只供給藥液、沖洗液而不進行擦拭洗淨之液體處理及使基板W旋轉而甩掉液體成份之旋轉乾燥處理時，基板W不會大幅度地彎曲至下方。因此，控制裝置係亦可配置保護圓盤15於較擦拭洗淨高度更上方處，控制昇降致動器111來縮小保護圓盤15與基板W之下表面之距離。藉此，可更確實地防止處理液之霧氣侵入至基板W之下表面。
如此，即使在第3實施形態中，磁氣浮起機構41係仍具有專用之圓盤昇降用永久磁鐵64，以及使其上下移動之專用之昇降致動器111。藉此，可以使保護圓盤15之上下移動自飛濺護罩4之昇降動作及可動銷12之驅動而獨立出來。而且再加上，由於昇降致動器111係以可以控制保護圓盤15於旋轉台7與基板保持高度間之任意高度之方式而構成，因此可以對應於處理內容等，適當地加以調整保護圓盤15與基板W之下表面之空間。
圖9係用以說明與本發明第4實施形態相關之基板處理裝置104之構成之圖解式之剖視圖。在圖9中，於圖8之各部之對應部分標示相同參考符號。
在本實施形態中，除了加上圓盤昇降用永久磁鐵64(以下稱為「第1圓盤昇降用永久磁鐵64」)，並設置有自位於保護圓盤側永久磁鐵60上方且對向之第2圓盤昇降用永久磁鐵67。亦即，保護圓盤側永久磁鐵60係藉由第1及第2圓盤昇降用永久磁鐵64、67從上下被夾著。第2圓盤昇降用永久磁鐵67係以旋轉軸線6為中心沿水平面配置之圓環狀永久磁鐵片，對於保護圓盤側永久磁鐵60具有自上方對向之圓環狀磁極。其磁極之極性係與保護圓盤側永久磁鐵60之上側 之磁極相同之極性。因此，第2圓盤昇降用永久磁鐵67係對保護圓盤側永久磁鐵60產生向下之磁排斥力之作用。因此，保護圓盤側永久磁鐵60係自下方接受到來自第1圓盤昇降用永久磁鐵64之向上之磁排斥力，自上方接受到來自第2圓盤昇降用永久磁鐵67之向下之磁排斥力。而且，保護圓盤側永久磁鐵60係在其等之磁排斥力及作用於保護圓盤15等之重力等為均衡之位置，以非接觸之方式保持於第1與第2圓盤昇降用永久磁鐵64、67之間。
第1及第2圓盤昇降用永久磁鐵64、67係內藏且保持於圓環狀磁鐵保持構件68內。昇降致動器111之作動構件111a結合於磁鐵保持構件68。磁鐵保持構件68係以正交於圓周方向之剖面成為橫向U字形(在本實施形態中為朝向外側之U字形)之方式而構成，包含有保持第1圓盤昇降用永久磁鐵64之圓環狀之下保持部68a、保持第2圓盤昇降用永久磁鐵67之圓環狀之上保持部68b以及結合此等部之內側緣彼此之圓筒狀之連結筒部68c。於下保持部68a與上保持部68b之間，在連結筒部68c之外側形成用以收容保護圓盤側永久磁鐵60之空間。磁鐵保持構件61之前端部61a自旋轉半徑方向外側插入此空間內。
在本實施形態中，磁鐵保持構件61係具有自保護圓盤15垂下之下垂部61b、以及自其下端以接近旋轉軸線6之方式向內側延伸之前端部61a，形成呈大致L字狀。保護圓盤側永久磁鐵60埋設於其前端部61a。
由於第1及第2圓盤昇降用永久磁鐵64、67係均具有圓環狀之磁極，因此即使旋轉夾頭2位於任何旋轉位置，保護圓盤側永久磁鐵60也可接受到來自第1及第2圓盤昇降用永久磁鐵64、67 之磁力，在非接觸狀態下保持於其等之間。
藉由如此種之構造，可實現與第3實施形態相同之作用效果。另外，由於保護圓盤側永久磁鐵60自上下接受到磁排斥力，因此，可正確地控制其上下位置。藉此，可以提高保護圓盤15之位置控制精度，可以更進一步抑制處理液之霧氣等附著至基板W之下表面。
圖10係用以說明與本發明第5實施形態相關之基板處理裝置105之構成之圖解式之剖視圖。在圖10中，於圖7之各部之對應部分標示相同參考符號。在第5實施形態中，亦如同第2實施形態，設置有用於磁氣浮起機構41之專用之驅動源。
亦即，在第5實施形態中，磁氣浮起機構41係包含保護圓盤側永久磁鐵60、圓盤昇降用電磁鐵裝置97及高度控制用電磁鐵裝置98。
圓盤昇降用電磁鐵裝置97係具有以旋轉軸線6為中心沿水平面配置之圓環狀磁極97a，此圓環狀磁極97a自下方對向於保護圓盤側永久磁鐵60。當通上第1方向之電流至圓盤昇降用電磁鐵裝置97而激磁時，於磁極97a出現與保護圓盤側永久磁鐵60之下側之磁極相同之極性之磁極。又，當通上與第1方向相反之第2方向之電流至圓盤昇降用電磁鐵裝置97而激磁時，於磁極97a出現與保護圓盤側永久磁鐵60之下側之磁極相異之極性之磁極。因此，當圓盤昇降用電磁鐵裝置97係通上第1方向之電流時，對保護圓盤側永久磁鐵60產生朝向上之磁排斥力之作用。又，當圓盤昇降用電磁鐵裝置97係通上第2方向之電流時，對保護圓盤側永久磁鐵60產生朝向下之磁排斥力之作用。如通電停止，則此等之磁力則消失。
因此，在通上第2方向之電流至圓盤昇降用電磁鐵裝置 97之狀態下，或不通上電流至圓盤昇降用電磁鐵裝置97之狀態下，保護圓盤15被控制在接近旋轉台7之下位置。另一方面，當通上第1方向之電流至圓盤昇降用電磁鐵裝置97時，可以藉由磁極97a與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁排斥力使保護圓盤15朝旋轉台7之上方浮起。對圓盤昇降用電磁鐵裝置97之通電藉由控制裝置40來控制。
高度控制用電磁鐵裝置98係具有複數之電磁鐵單元U1、U2、U3...，其分別具有以旋轉軸線6為中心沿水平面配置之圓環狀之磁極m1、m2、m3...。磁極m1、m2、m3...係在將具有彼此相等之半徑之圓筒狀之磁極面朝向外側(與旋轉軸線6相反之方向)之狀態下，以等間隔之方式沿與旋轉軸線6平行之上下方向排列著。更具體地，磁極m1、m2、m3...係以沿著藉由保護圓盤側永久磁鐵60上下移動及旋轉運動所通過之圓筒狀之通過區域，而不與磁鐵保持構件61相干涉，並可對保護圓盤側永久磁鐵60施加磁力之方式而配置。在圖10之構成例中，雖然磁極m1、m2、m3...配置於保護圓盤側永久磁鐵60之通過區域之內側，但磁極m1、m2、m3...配置於該通過區域之外側也不妨礙。又，磁極m1、m2、m3...也可分開配置於保護圓盤側永久磁鐵60之通過區域之內側及外側。
電磁鐵單元U1、U2、U3...係分別以藉由通上朝一方向之電流，於磁極m1、m2、m3...出現一側之極性之磁力，藉由通上朝另一方向之電流，於磁極m1、m2、m3...出現另一側之極性之磁力之方式而構成。藉此，在各磁極m1、m2、m3...與保護圓盤側永久磁鐵60之間對應於對各電磁鐵單元U1、U2、U3...之通電方向及保護圓盤側永久磁鐵60之高度位置，磁吸力(引力)或磁排斥力(排斥力)而產生作用。其等之磁力之大小係依存於通電之電流之大小。
因此，藉由控制(位相控制)對各電磁鐵單元U1、U2、U3...之通電方向及電流之大小，可控制保護圓盤側永久磁鐵60之高度位置。亦即，控制裝置40係藉由控制對電磁鐵單元U1、U2、U3...之通電，可以控制保護圓盤側永久磁鐵60之高度，亦即保護圓盤15之高度。
控制裝置40係使保護圓盤15自旋轉台7浮起，在控制其高度時，於圓盤昇降用電磁鐵裝置97通上第1方向之電流，且對應於控制目標高度，控制對電磁鐵單元U1、U2、U3...之通電。藉此，可以將保護圓盤15配置於旋轉台7與基板保持高度之間之控制目標高度。因此，如與第3實施形態之情形相同，例如，可以配置保護圓盤15在對應於處理內容之適當高度。
且，若控制通電至圓盤昇降用電磁鐵裝置97之電流之大小，即可控制其磁極97a與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁排斥力之大小。對此加以利用，可控制保護圓盤側永久磁鐵60之高度，亦即，保護圓盤15之高度。那麼，亦可省略高度控制用電磁鐵裝置98，而藉由對圓盤昇降用電磁鐵裝置97之通電控制，來控制保護圓盤15之高度。
圖11係用以檢測保護圓盤15之位置之構成例之圖式。在此構成例中，設置有光電感測器121，用以檢測保護圓盤15是否位於旋轉台7上之下位置。光電感測器121之輸出信號係輸入至控制裝置40。光電感測器121係配置於旋轉台7之側面，其檢測光軸121a以沿著一致於保護圓盤15之下位置之水平面之方式來被調整。當保護圓盤15位於下位置時，光電感測器121之檢測光軸121a與保護圓盤15相重疊。因此，可以藉由檢測保護圓盤15之光線之遮斷或光線之反 射，檢測出保護圓盤15位於下位置。藉此，控制裝置40可以確認保護圓盤15是否位於下位置，藉其，可以進行磁氣浮起機構41之動作確認。
圖12係用以檢測保護圓盤15之位置之另一構成例之圖式。在此構成例中，設置有線感測器122，其用以檢測保護圓盤15之在旋轉台7上之高度。線感測器122之輸出信號係輸入至控制裝置40。線感測器122係為具有複數之光軸a1、a2、a3...之多光軸型之線感測器，且其等之複數之光軸a1、a2、a3...以位於不同之高度之方式來設定。亦即，複數光軸a1、a2、a3...係相互平行，也均沿著水平面，在旋轉台7之上表面與基板保持高度之間，以一致於保護圓盤15之不同高度位置之方式來配置。因此，對應於保護圓盤15之高度，任一之光軸a1、a2、a3...與保護圓盤15相重疊。因此，藉由檢測出通過各光軸之光線為保護圓盤15所遮斷，或通過該光軸之光線為保護圓盤15所反射，可以檢測出保護圓盤15之高度。藉此，控制裝置40係獲得有關保護圓盤15之高度之資訊，可以進行磁氣浮起機構41之動作確認或其控制。
圖13係用以檢測保護圓盤15之位置之又另一構成例之圖式。在此構成例中，設置有攝影機123，其用以檢測保護圓盤15之在旋轉台7上之高度。攝影機123所輸出之映像信號係輸入至控制裝置40。攝影機123係以自旋轉夾頭2之側面拍攝旋轉台7與基板保持高度之間之區域之方式來配置。因此，保護圓盤15包含於其拍攝區域中。控制裝置40係藉由處理攝影機123所輸出之映像信號，演算保護圓盤15之高度。藉此，控制裝置40係獲得有關保護圓盤15之高度之資訊，可以進行磁氣浮起機構41之動作確認或其控制。
圖14係用以檢測保護圓盤15之位置之又另一構成例之圖式。在此構成例中，設置有距離感測器124，其用以檢測出保護圓盤15之在旋轉台7上之高度。距離感測器124之輸出信號係輸入控制裝置40。在圖14之構成例中，距離感測器124係配置於作為與保護圓盤15一起移動之連動構件之磁鐵保持構件61之下方，以檢測出至此磁鐵保持構件61之距離之方式來構成。距離感測器124係亦可檢測出自距離感測器124至導軸17或凸緣20之距離。由於磁鐵保持構件61係結合於保護圓盤15，因此，藉由距離感測器124所檢測出之距離係對應於保護圓盤15之在旋轉台7上之高度。距離感測器124係亦可以產生如探查超音波、探查光之探查信號，檢測出藉由磁鐵保持構件61所經被反射之該探查信號，來計測距離之方式所構成。控制裝置40係可根據距離感測器124之輸出信號，獲得有關保護圓盤15之高度之資訊，藉其，可以進行磁氣浮起機構41之動作確認或其控制。
以上雖然對本發明之實施形態加以說明，但本發明亦可進一步以其他之形態來實施。
例如，上述之實施形態中，雖對保護圓盤15之上表面之周緣部(圓盤本體15x之上表面之周緣部)為平坦之情況時加以說明，但如圖15~19所示，向上突出之節流部90亦可設置於保護圓盤15之周緣部。亦即，保護圓盤15係亦可由大於基板W之圓盤本體15x與配置於圓盤本體15x之外周部之上方之節流部90所構成。
圖15係表示保護圓盤15之另一構成例之擴大俯視圖。圖16係沿自圖15所示之箭頭XVI方向之切斷線所見之剖面圖。圖16係圖示保護圓盤15位於接近位置(上位置)時者。
圖15及圖16所示之保護圓盤15之上表面係包含：對 向部99，其配置於基板W之下方；內向部91，其自對向部99之外周朝向上方延伸；外周部92，其自內向部91之上端朝向外延伸。藉由保護圓盤15之內向部91與外周部92形成突狀之節流部90。藉由節流部90，由保持銷10所保持之基板W之緣部上之惰性氣體之流路被縮小。節流部90係配置於保護圓盤15之周緣部，且形成為俯視環狀。凹部90a係被配置於一致於保持銷10所插入之開口16之位置。分隔凹部90a之內側之空間之凹部90a之內面係配置於分隔開口16之內側之空間之開口16之內周面之上方，且於俯視上與開口16之內周面重疊。凹部90a之內面係於保持銷10之直徑方向上隔著間隔而包圍保持銷10。
如圖16所示，保護圓盤15之上表面之一部分即對向部99係與基板W之下表面對向。如圖15及16所示，對向部99係包含配置於較基板W之周端面內側之外周99a。外周99a之直徑係小於基板W之直徑。因此，對向部99係具有較基板W直徑小之外徑。
保護圓盤15之內向部91係配置於較基板W下方，且形成為包圍對向部99之外周99a之俯視環狀。內向部91係自保護圓盤15之對向部99之外周99a朝向斜上方地向外延伸。內向部91係具有上端91a，其配置於保護圓盤15與基板W之下表面之間之高度。內向部91之上端91a係如圖16所示，配置於較基板W之周端面外，且基板W之周端面接近。內向部91之上端91a係既可配置於較基板W之周端面內，亦可配置於基板之直徑方向上與基板W之周端面相等之位置(相等之半徑)。
保護圓盤15之外周部92係內向部91之上端91a，亦即，自內向部91之外周之全域向外延伸。即，外周部92係以包圍內 向部91之外周之方式形成為俯視環狀。外周部92之上表面係與內向部91之上端91a同樣地，位於保護圓盤15與基板W下表面之間之高度。又，外周部92係自內向部91之上端91a水平延伸至保護圓盤15之外周面。
如此，保護圓盤15具有於藉由保持銷10保持之基板W之周緣部上縮小惰性氣體之流路之節流部90。節流部90係藉由保護圓盤15之內向部91與外周部92所分隔出的突狀(圖16之例中，剖面為梯形之突狀)而成。藉由此構成，藉由保護圓盤15與基板W之下表面所分隔之惰性氣體之流路面積係可以基板W之緣部縮小。藉此，不僅可使自保護圓盤15與基板W之下表面之間之空間(隙縫)向外吹出之惰性氣體之流速成為高速，並且可產生沿著內向部91之形狀之方向流動之氣流。其結果，可確實地迴避或抑制環境氣體(特別是處理液之霧氣)朝向基板W之下方之空間之進入。
又，圖15及16所示之構成係亦可變更為圖17所示之構成。圖17係顯示保護圓盤15之另一構成例之擴大剖面圖。圖17係圖示保護圓盤15位於接近位置(上位置)時之者。
圖17所圖示之構成與圖16所圖示之構成之不同點係，保護圓盤15位於接近位置時，保護圓盤15之外周部92之上表面係與基板W之下表面大致位於相等之高度之點，以及，內向部91之上端91a係位於基板W之外之點。其他之構成係與上述之圖15及圖16之構成同樣。
如此，藉由調整外周部92之高度及內向部91之上端91a之位置，可變更惰性氣體之流路面積，或是氣流之方向。即使為如此之構成，亦可發揮與上述圖15及圖16所說明之效果同樣之效果。再 者，於圖17中，雖圖示為保護圓盤15之內向部91係配置於基板W之外之構成，但亦可為以內向部91之一部分潛入基板W之下方之方式配置而構成。又，保護圓盤15之對向部99係雖圖示為具有與基板W之直徑大致相等之外徑，但亦可根據內向部91之配置而具有大於或小於基板W之直徑之外徑。
又，圖15及圖16所示之構成係亦可變更為圖18所示之構成。圖18係圖示保護圓盤15之另外之構成例之擴大剖面圖。圖18係圖示保護圓盤15位於接近位置時之者。
於圖18所示之構成與於圖16所示之構成之不同點係在於：當保護圓盤15位在接近位置時，基板W之上表面係配置在與保護圓盤15之外周部92之上表面為相等之高度，以及，內向部91之上端91a係位在基板之外側。其他構成係與上述圖15及圖16之構成同樣。即便為如此構成，亦可發揮與上述圖15及圖16，以及圖17所說明之效果同樣之效果。
進而，圖15及圖16所示之構成係亦可變更為圖19所示之構成。圖19係表示保護圓盤15之另外之構成例之擴大剖面圖。圖19係圖示保護圓盤15位於接近位置(上位置)時者。
圖19所示之保護圓盤15係包含：圓盤本體15x，其大於基板W；裙部93，其與圓盤本體15x一起上下移動。裙部93係固定於圓盤本體15x之周緣部。裙部93係將基板之下表面與旋轉台7之間之空間自側向覆蓋之側向覆蓋部。裙部93係形成為與其周方向正交之切斷面為大致橫向之L字形。更具體而言，裙部93係具有節流部90；垂下部95，其於自節流部90至旋轉台7之外向間垂直地垂下。
裙部93係在保護圓盤15位於接近位置時，自側面覆蓋 保護圓盤15之下表面(圓盤本體15x之下表面)與旋轉台7之間之空間，來抑制周圍之環境氣體被捲入此空間內。藉此，旋轉夾頭2之周邊之氣流形成穩定，因此可以進行更高品質之基板處理。當保護圓盤15位於下位置時，裙部93與保護圓盤15(圓盤本體15x)一起退避至下方，保護圓盤15之上表面(圓盤本體15x之上表面)與藉由保持銷10之基板保持高度之間之空間係於側面敞開著。因此，可以使基板保持手部45進入該空間，進行基板W之搬入/搬出。
又，於上述之實施形態中，如圖16等所示，對向部99與內向部91間之連接部分係成剖面折線狀，雖對內向部91與外周部92之間之連接部分為剖面折線狀之例進行過說明，但對向部99與內向部91間之連接部分亦可為剖面曲線狀，而對向部99與內向部平滑地連接。同樣地，內向部91與外周部92間之連接部分亦可為剖面曲線狀，而內向部91與外周部92間平滑地連接。
又，於上述之實施形態中，雖說明過有關保護圓盤15之外周部92係自內向部91之上端91a水平地延伸至保護圓盤15之外周面之例，但外周部92係亦可對於水平面傾斜。具體而言，外周部92係亦可為朝向外斜上方或斜下方延伸之錐形。又，亦可省略外周部92，而內向部91係自對向部99延伸至保護圓盤15之外周面。
又，在上述之實施形態中，雖然兼用用以昇降飛濺護罩4之護罩驅動機構5作為用於磁氣驅動機構42之驅動源，亦可另外設置用於磁氣驅動機構42之驅動源。
又，在上述之實施形態中，雖然設置有藉由磁力驅動可動銷12之磁氣驅動機構42，亦可將用以驅動可動銷12之驅動機構組裝至旋轉台7。又，在上述之實施形態中，雖然供給惰性氣體至保護圓 盤15與基板W之下表面之間之空間，亦可省略此種之惰性氣體之供給。
又，在上述之動作例中，雖然在停止基板之旋轉後，停止惰性氣體之供給，但在開始旋轉乾燥之同時，同時停止惰性氣體之供給亦無礙。
又，在上述之動作例中，雖然說明藉由洗淨刷擦拭洗淨基板W之上表面之例子，取代使用洗淨刷，對於藉由雙流體噴嘴供給液滴之噴流至基板W之表面而洗淨基板W之上表面之構成亦可適用於本發明。此外，對於供給經施加超音波之處理液基板表面之超音波洗淨、供給經加壓處理液之高速液流至基板表面而進行基板之洗淨之高壓噴射洗淨等之基板處理亦可適用於本發明。除了洗淨處理之外，對塗佈光阻劑於基板之表面之塗佈處理、供給顯影液至曝光後之光阻膜之顯影處理亦可適用於本發明。
進而，又在上述之實施形態中，雖然對有關利用永久磁鐵彼此之吸引力來驅動可動銷12之構成加以進行說明，惟例如，取代銷驅動用永久磁鐵56，即使配置未經磁化之磁性體於相對於可動銷12之旋轉軸線12a偏離中心之位置，仍可產生相同之動作。又，藉由配置永久磁鐵於相對於可動銷12之旋轉軸線12a偏離中心之位置，同時分別配置未經磁化之磁性體於對應於護罩側永久磁鐵25及解除用永久磁鐵27之位置，仍可產生相同之動作。
進而，在上述之實施形態中，雖然將護罩側永久磁鐵25之磁極方向作為水平方向，惟這是一個例子，亦可將護罩側永久磁鐵25之磁極方向作為垂直方向，磁極方向亦可相對於水平面成為傾斜。
又，在上述之實施形態中，說明旋轉夾頭2之旋轉台7 配置於一定之高度，而飛濺護罩4沿旋轉軸線6上下移動之構成。然而，亦可藉由固定著飛濺護罩4，使旋轉夾頭2上下移動，來產生相同之動作。進而，又亦可藉由使旋轉夾頭2及飛濺護罩4之兩者上下移動，來產生相同之動作。
又，在上述之實施形態中，雖然對有關保持銷10及保護圓盤15於俯視不重疊之情況加以進行說明，但如圖20及圖21所示，保持銷10及保護圓盤15係亦可於俯視重疊。
圖20係表示保持銷10及保護圓盤15之其他構成例之擴大俯視圖。圖21係自圖20上表示之箭頭XXI-XXI之方向上所觀察之沿切斷線之剖面圖。如圖20及圖21所示，保持銷10(固定銷11及可動銷12之各個)係包含：下軸部51，其配置於旋轉台7之上方；圓柱狀之上軸部52，其一體地形成於下軸部51之上端，且上軸部52係自下軸部51之中心軸線偏心設置。連接下軸部51之上端與上軸部52之下端之間之表面係，形成有自上軸部52朝向下軸部51之外周面下降之圓錐面53。
如圖20及圖21所示，在此構成例中，保持銷10係更具備自保持銷10之外周朝向保持銷10之中心軸線之方向凹陷之筒狀凹部10a。凹部10a係，設於下軸部51之外周部。因此，保持銷10係包含：大徑部51a，其為較作為與基板W之周端面接觸之接觸部之上軸部52之外徑更大之圓柱狀或圓板狀；小徑部51b，其外徑小於大徑部51a。小徑部51b係自大徑部51a之下方延伸，且與大徑部51a同軸。因此，上軸部52係對大徑部51a與小徑部51b偏心。
如圖20及圖21所示，於保護圓盤15之周緣部(圓盤本體15x之周緣部)上，在對應於保持銷10之小徑部51b之位置上，自 保持銷10之小徑部51b之外周面確保一定之間隔而形成有包圍該小徑部51b之開口16，具體而言，小徑部51b之全周係由劃分開口16之開口16之內周面包圍。
如圖21所示，保護圓盤15係包含配置於保持銷10之大徑部51a之下方之環狀下方部15b。相當於開口16之內周面之下方部15b之先端面係，於水平方向上隔著間隔而與小徑部51b之外周面於水平方向上對向。與向上之對向面相當之下方部15b之上表面係，於鉛直方向隔著間隔而與作為向下對向面之大徑部51a之下表面於鉛直方向上對向。因此，如圖20所示，保持銷10及保護圓盤15係於俯視重疊，保護圓盤15之開口16之內周面與保持銷10之外周面(小徑部51b之外周面)之間之縫隙X1係，藉由保持銷10(大徑部51a)而自上方被覆蓋。
如圖21所示，保護圓盤15係於保持銷10之大徑部51a之下方於上下方向移動。因此，保護圓盤15之上表面(下方部15b之上表面)係對於大徑部51a之下表面接近或遠離。在圖21中，以實線表示保護圓盤15位於上位置之狀態。保護圓盤15係亦可為以於保持銷10與保護圓盤15之間形成有直角數次曲折之迷宮狀流路之方式構成。又，由於保持銷10及保護圓盤15係繞旋轉軸線6一起旋轉，因此保護圓盤15之上位置係亦可為保護圓盤15之上表面(下方部15b之上表面)與保持銷10接觸之位置。
旋轉夾頭2係藉由以旋轉軸8為中心旋轉，而於保持銷10之周圍產生氣流。此氣流雖於保持銷10之周圍迂迴，但有沿著保持銷10而向上方流動之情形。亦即，伴隨著基板W及旋轉夾頭2之旋轉朝向上方吹出之氣流係有形成於保持銷10之周圍之情形。朝向上方 吹出之氣流通過基板W與保持銷10之接觸部之周圍，而藉由此氣流基板W與保持銷10之間接觸部之微粒有增加之虞。
如圖20及圖21所示，保護圓盤15係位於上位置之狀態時，保護圓盤15之開口16之內周面與保持銷10之外周面之間之縫隙X1係藉由保持銷10自上方覆蓋。因此，自保護圓盤15之開口16之內周面與保持銷10之外周面之間朝向上方吹出之氣流係，藉由保持銷10之大徑部51a而被妨礙。因此，此氣流朝向被數個保持銷10所保持之基板W之下表面吹付之情形可被抑制。藉此，由於包含微粒之氣流朝向基板W之下表面被吹付之情形可被抑制，因此可以提高基板W之清淨度。進而，藉由利用保持銷10之一部份覆蓋保護圓盤15之開口16之內周面與保持銷10之外周面之間之縫隙X1，可抑制伴隨基板W之旋轉之保持銷10周邊之氣流的產生。因此，基板W之周圍所漂浮之處理液霧氣附著於保持銷10及其周邊之構件之情形可被抑制。藉此，可防止微粒對保持銷10及其周邊構件之附著。
再者，於圖20及圖21中，雖例示保護圓盤15為藉由較基板W更大之平板狀圓盤本體15x所構成，但保護圓盤15係，除了圓盤本體15x，亦可具備圖15至圖19所示之節流部90或是裙部93。
又，亦可為上述之全部之實施形態中之任兩者以上之組合。
雖然對有關本發明之實施形態詳細地加以說明，惟此等係只不過是用來使本發明之技術內容清晰明瞭之具體例，本發明係不應該被解釋為限定於此等之具體例，本發明精神及範疇係僅藉由所附申請專利範圍來加以限定。
本申請案係對應於2013年6月18日向日本國特許廳所 提出之特願2013-127661號，本申請案之全部揭露皆作為藉由引用自本案而加以被組合者。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧旋轉夾頭
3‧‧‧旋轉驅動機構
4‧‧‧飛濺護罩
5‧‧‧護罩驅動機構
6‧‧‧旋轉軸線
7‧‧‧旋轉台
9‧‧‧凸座
8‧‧‧旋轉軸
10‧‧‧保持銷
11‧‧‧固定銷
12‧‧‧可動銷
15‧‧‧保護圓盤
15x‧‧‧圓盤本體
16‧‧‧開口
17‧‧‧導軸
18‧‧‧線性軸承
19‧‧‧導引機構
20‧‧‧凸緣
21‧‧‧圓筒部
22‧‧‧上導引部
23‧‧‧下導引部
24‧‧‧處理液口
25‧‧‧護罩側永久磁鐵
26‧‧‧磁鐵保持部
27‧‧‧解除用永久磁鐵
28‧‧‧磁鐵保持部
30‧‧‧處理液供給單元
31‧‧‧處理液噴嘴
32‧‧‧處理液供給源
33‧‧‧處理液供給管
34‧‧‧處理液閥
35‧‧‧刷具洗淨機構
36‧‧‧洗淨刷
37‧‧‧搖動臂
38‧‧‧臂部驅動機構
40‧‧‧控制裝置
41‧‧‧磁氣浮起機構
42‧‧‧磁氣驅動機構
45‧‧‧基板保持手部
51‧‧‧下軸部
52‧‧‧上軸部
53‧‧‧錐面
56‧‧‧軸承
57‧‧‧磁鐵保持構件
60‧‧‧保護圓盤側永久磁鐵
61‧‧‧磁鐵保持構件
70‧‧‧惰性氣體供給管
71‧‧‧惰性氣體供給源
72‧‧‧惰性氣體供給路
73‧‧‧惰性氣體閥
74‧‧‧惰性氣體供給單元
84‧‧‧蓋
86‧‧‧整流構件
W‧‧‧基板

Claims (16)

  1. 一種基板保持旋轉裝置，其包含有：旋轉台，其可繞著沿垂直方向之旋轉軸線周圍進行旋轉；旋轉驅動單元，其使上述旋轉台產生旋轉；保持構件，其以與上述旋轉台一起繞著上述旋轉軸線進行旋轉之方式設置在上述旋轉台，且自上述旋轉台向上方延伸，並且在上述旋轉台與基板於鉛直方向呈分開之狀態下，可變換位置在將該基板加以保持呈水平之保持位置，與退避自上述保持位置之退避位置之間；保護圓盤，其具有將上述保持構件之全周加以包圍之開口，且配置在上述旋轉台與藉由上述保持構件所構成之基板保持位置之間，相對於上述旋轉台而能夠以相對之方式上下移動在下位置與比下位置更靠近上方且接近於由上述保持構件所保持之基板之下表面之接近位置之間，且以與上述旋轉台一起繞著上述旋轉軸線周圍進行旋轉之方式安裝在上述旋轉台，並且大於藉由上述保持構件所保持之基板；磁氣浮起機構，其包含有：第1磁鐵，其被安裝在上述保護圓盤；第2磁鐵，其形成為與上述旋轉軸線呈同軸之環狀，並且對於上述第1磁鐵賦予排斥力；第1支撐構件，其以非旋轉狀態將上述第2磁鐵加以支撐；以及第1相對移動機構，其以使上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之距離產生變化之方式，使上述第1支撐構件與上述旋轉台產生相對移動；藉由上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之排斥力，使上述保護圓盤自上述旋轉台產生浮起；磁氣驅動機構，其包含有：第1磁性體，其被安裝在上述保持構件；第2磁性體，其形成為與上述旋轉軸線呈同軸之環狀，且與上述第1磁性體間產生磁力；第2支撐構件，其以非旋轉狀態將上述第2磁性 體加以支撐；第2相對移動機構，其以使上述第1磁性體與上述第2磁性體之間之距離產生變化之方式，使上述第2支撐構件與上述旋轉台產生相對移動，且不同於上述第1相對移動機構；藉由上述第1磁性體與上述第2磁性體之間之磁力，將上述保持構件保持在上述保持位置；以及惰性氣體供給單元，該惰性氣體供給單元係將惰性氣體供給至，藉由上述保持構件所保持且旋轉之基板與配置在上述接近位置之上述保護圓盤之間；其中，上述保護圓盤之上表面係包含有：對向部，其配置在藉由上述保持構件所保持之基板的下方；內向部，其自上述對向部之外周而朝向上方延伸；及外周部，其自上述內向部之上端而朝向外側延伸；且在藉由上述保持構件所保持之基板之緣部，藉由上述內向部與上述外周部而加以形成節流部，該節流部係將上述惰性氣體之流路加以縮小。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板保持旋轉裝置，其中，更進一步包含有限制構件，該限制構件係將上述保護圓盤之朝向相對於上述旋轉台之上方的相對移動，加以限制在上述接近位置。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板保持旋轉裝置，其中，更進一步包含有導引機構，該導引機構係設置在上述旋轉台，且導引上述保護圓盤之相對上下移動。
  4. 一種基板保持旋轉裝置，其包含有：旋轉台，其可繞著沿垂直方向之旋轉軸線周圍進行旋轉；旋轉驅動單元，其使上述旋轉台產生旋轉；保持構件，其以與上述旋轉台一起繞著上述旋轉軸線進行旋轉之方式設置在上述旋轉台，且自上述旋轉台向上方延伸，並且在上述旋轉 台與基板於鉛直方向呈分開之狀態下，可變換位置在將該基板加以保持呈水平之保持位置，與退避自上述保持位置之退避位置之間；保護圓盤，其具有將上述保持構件之全周加以包圍之開口，且配置在上述旋轉台與藉由上述保持構件所構成之基板保持位置之間，相對於上述旋轉台而能夠以相對之方式上下移動在下位置與比下位置更靠近上方且接近於由上述保持構件所保持之基板之下表面之接近位置之間，且以與上述旋轉台一起繞著上述旋轉軸線周圍進行旋轉之方式安裝在上述旋轉台，並且大於藉由上述保持構件所保持之基板；磁氣浮起機構，其包含有：第1磁鐵，其被安裝在上述保護圓盤；第2磁鐵，其形成為與上述旋轉軸線呈同軸之環狀，並且對於上述第1磁鐵賦予排斥力；第1支撐構件，其以非旋轉狀態將上述第2磁鐵加以支撐；以及第1相對移動機構，其以使上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之距離產生變化之方式，使上述第1支撐構件與上述旋轉台產生相對移動；藉由上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之排斥力，使上述保護圓盤自上述旋轉台產生浮起；以及磁氣驅動機構，其包含有：第1磁性體，其被安裝在上述保持構件；第2磁性體，其形成為與上述旋轉軸線呈同軸之環狀，且與上述第1磁性體間產生磁力；第2支撐構件，其以非旋轉狀態將上述第2磁性體加以支撐；第2相對移動機構，其以使上述第1磁性體與上述第2磁性體之間之距離產生變化之方式，使上述第2支撐構件與上述旋轉台產生相對移動，且不同於上述第1相對移動機構；藉由上述第1磁性體與上述第2磁性體之間之磁力，將上述保持構件保持在上述保持位置；其中，上述保護圓盤係包含有側面覆蓋部，該側面覆蓋部係自側面將藉由 上述保持構件所保持之基板與上述旋轉台之間之空間加以覆蓋。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板保持旋轉裝置，其中，上述惰性氣體供給單元係包含有惰性氣體噴嘴，該惰性氣體噴嘴係自上述旋轉台之旋轉中心而朝向藉由上述保持構件所保持之基板之周緣部，以呈放射狀之方式吹出惰性氣體。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板保持旋轉裝置，其中，更進一步包含有高度檢測器，該高度檢測器係檢測在上述下位置與上述接近位置之間之上述保護圓盤之高度。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板保持旋轉裝置，其中，上述基板保持旋轉裝置係更進一步包含有與上述保護圓盤一起於上下方向進行移動之連動構件，且上述高度感測器係藉由檢測上述連動構件之高度，而加以檢測上述保護圓盤之高度。
  8. 一種基板處理裝置，其包含有：申請專利範圍第1至7項中任一項之基板保持旋轉裝置；以及處理液供給單元，其將處理液供給至由上述基板保持旋轉裝置所保持之基板之上表面。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，更進一步包含有接受處理液之接受構件，該處理液係自上述處理液供給單元而被供給至藉由上述基板保持旋轉裝置所保持之基板，且自上述基板之上表面而朝向該基板之外側被加以排出；上述第2支撐構件係被固定在上述接受構件；上述第2相對移動機構係以使上述接受構件與上述旋轉台產生相對移動之方式加以構成。
  10. 一種基板處理方法，其包含有： 保持步驟，其藉由保持構件將基板加以保持呈水平，該保持構件係設置在可繞著沿垂直方向之旋轉軸線周圍進行旋轉之旋轉台，且可變換位置在保持基板之保持位置，與退避自上述保持位置之退避位置之間；旋轉步驟，其藉由使上述旋轉台產生旋轉，而使藉由上述保持構件所保持之上述基板產生旋轉；下表面被覆步驟，其藉由第1磁鐵與環狀之第2磁鐵之間之排斥力，使保護圓盤對於上述旋轉台以相對之方式浮起至接近上述基板之下表面之接近位置為止，且將上述基板之下表面加以覆蓋，該保護圓盤係被安裝成相對於上述旋轉台而能夠以相對之方式進行上下移動，且具有將上述保持構件之全周加以包圍之開口，並且大於上述基板，該第1磁鐵係被安裝在該保護圓盤，該環狀之第2磁鐵係被設置成以非旋轉狀態，與上述旋轉軸線呈同軸；以及處理液供給步驟，其與上述保持步驟及上述旋轉步驟並行，將處理液供給至藉由上述保護圓盤而下表面被加以覆蓋之上述基板的上表面；且上述保持步驟係包含有以下之步驟：將來自不同於上述第2磁鐵之第2磁性體之磁力，作用至被安裝在上述保持構件之第1磁性體，而將上述保持構件保持在上述保持位置。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，更進一步包含有以下之步驟：藉由限制構件，將上述保護圓盤之朝向相對於上述旋轉台之上方的相對移動，加以限制在上述接近位置。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，更進一步包含有利用接受構件將處理液加以接受之步驟，該處理液係朝向上述進行旋 轉之上述基板之外側而被加以排出；上述第2磁性體係由上述接受構件所支撐；上述保持步驟係包含有使上述接受構件與上述旋轉台產生接近之步驟。
  13. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，更進一步包含有以下之惰性氣體供給步驟：與上述處理液供給步驟並行，並且將惰性氣體供給至，正在進行旋轉之上述基板與配置在上述接近位置之上述保護圓盤之間。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理方法，其中，更進一步包含有以下之步驟：上述保護圓盤係具有節流部，該節流部係位在與藉由上述保持構件所保持之基板之緣部呈對向之位置的上表面，與上述該惰性氣體供給步驟並行，藉由上述節流部，將上述惰性氣體之流路加以縮小。
  15. 如申請專利範圍第13項之基板處理方法，其中，上述惰性氣體供給步驟係包含有自上述旋轉台之旋轉中心而朝向藉由上述保持構件所保持之基板之周緣部，以呈放射狀之方式吹出惰性氣體之步驟。
  16. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，更進一步包含有以下之步驟：以與上述下表面被覆步驟並行之方式加以實行，並且藉由側面覆蓋部，將藉由上述保持構件所保持之基板與上述旋轉台之間之空間，自側面加以覆蓋。
TW103111929A 2013-06-18 2014-03-31 A substrate holding rotary apparatus, a substrate processing apparatus provided therewith, and a substrate processing method TWI529849B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013127661A JP6143572B2 (ja) 2013-06-18 2013-06-18 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201508859A TW201508859A (zh) 2015-03-01
TWI529849B true TWI529849B (zh) 2016-04-11

Family

ID=52104331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103111929A TWI529849B (zh) 2013-06-18 2014-03-31 A substrate holding rotary apparatus, a substrate processing apparatus provided therewith, and a substrate processing method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9962744B2 (zh)
JP (1) JP6143572B2 (zh)
KR (1) KR101778474B1 (zh)
CN (1) CN105378909B (zh)
TW (1) TWI529849B (zh)
WO (1) WO2014203587A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI748279B (zh) * 2018-12-17 2021-12-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6674674B2 (ja) * 2015-03-27 2020-04-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持方法および基板処理装置
CN106024688B (zh) 2015-03-27 2018-11-30 株式会社思可林集团 基板处理方法及基板处理装置
US9892955B2 (en) 2015-09-29 2018-02-13 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
US10192771B2 (en) 2015-09-29 2019-01-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
CN106945034B (zh) * 2016-01-07 2021-09-03 鸿富锦精密电子(郑州)有限公司 机器人点位调节方法与系统
JP6660202B2 (ja) * 2016-02-19 2020-03-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN107437516B (zh) 2016-05-25 2021-07-13 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法
JP6817821B2 (ja) * 2016-05-25 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102125512B1 (ko) 2016-10-18 2020-06-23 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6777055B2 (ja) * 2017-01-11 2020-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6836913B2 (ja) * 2017-01-17 2021-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
JP2018142593A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP6885753B2 (ja) * 2017-03-08 2021-06-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6892774B2 (ja) * 2017-03-24 2021-06-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
US10658221B2 (en) 2017-11-14 2020-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus and method for cleaning semiconductor wafer
US11410857B2 (en) * 2017-11-30 2022-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer holding pins and methods of using the same
JP6968201B2 (ja) * 2017-12-22 2021-11-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
JP7116550B2 (ja) * 2018-02-08 2022-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7179466B2 (ja) 2018-02-13 2022-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN109062205A (zh) * 2018-07-26 2018-12-21 武汉水草能源科技研发中心(有限合伙) 人工智能汽车无人驾驶系统
JP2020027817A (ja) * 2018-08-09 2020-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7055720B2 (ja) * 2018-08-10 2022-04-18 株式会社荏原製作所 基板回転装置、基板洗浄装置および基板処理装置ならびに基板回転装置の制御方法
CN111063652B (zh) * 2018-10-16 2022-08-30 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种基板夹持承载台
JP7187385B2 (ja) * 2019-05-22 2022-12-12 東京エレクトロン株式会社 磁気駆動装置、着磁方法及び磁気駆動装置の製造方法
US11335588B2 (en) * 2019-06-18 2022-05-17 Ebara Corporation Substrate holding apparatus and substrate processing apparatus
JP7353079B2 (ja) * 2019-07-04 2023-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7209598B2 (ja) * 2019-07-26 2023-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7057336B2 (ja) * 2019-10-29 2022-04-19 キヤノントッキ株式会社 基板保持部材、基板保持装置、基板処理装置、基板保持方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
CN112729250B (zh) * 2020-12-23 2021-12-31 北京航空航天大学 一种具有10自由度的稳瞄主动磁悬浮转台
JP2022143176A (ja) * 2021-03-17 2022-10-03 芝浦メカトロニクス株式会社 測定ツール、基板処理装置及び基板製造方法
CN115253945B (zh) * 2022-07-21 2023-11-03 哈尔滨工业大学（深圳） 一种基于旋转定位结构的液体弹珠自动制备装置及方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2845738B2 (ja) 1993-10-28 1999-01-13 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置の基板回転保持具
JPH09232269A (ja) * 1996-02-22 1997-09-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP3647576B2 (ja) 1996-11-01 2005-05-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置
JPH1140655A (ja) * 1997-07-18 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
US6497241B1 (en) * 1999-12-23 2002-12-24 Lam Research Corporation Hollow core spindle and spin, rinse, and dry module including the same
JP2002093724A (ja) * 2000-09-18 2002-03-29 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2003142554A (ja) * 2002-10-16 2003-05-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置および基板搬送装置
JP4070686B2 (ja) 2003-08-07 2008-04-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
JP2004048035A (ja) 2003-08-07 2004-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
JP4095613B2 (ja) * 2005-01-13 2008-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置
JP2008108790A (ja) 2006-10-23 2008-05-08 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置、これを用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
KR20080062221A (ko) 2006-12-29 2008-07-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2008172161A (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置およびこれを備えた基板処理装置
JP5098791B2 (ja) * 2008-05-08 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法並びに記憶媒体
US9385020B2 (en) 2011-12-19 2016-07-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding and rotating device, substrate treatment apparatus including the device, and substrate treatment method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI748279B (zh) * 2018-12-17 2021-12-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160021236A (ko) 2016-02-24
JP6143572B2 (ja) 2017-06-07
KR101778474B1 (ko) 2017-09-13
JP2015002328A (ja) 2015-01-05
CN105378909A (zh) 2016-03-02
US9962744B2 (en) 2018-05-08
US20160096205A1 (en) 2016-04-07
CN105378909B (zh) 2018-10-12
WO2014203587A1 (ja) 2014-12-24
TW201508859A (zh) 2015-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI529849B (zh) A substrate holding rotary apparatus, a substrate processing apparatus provided therewith, and a substrate processing method
TWI503913B (zh) 基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置，暨基板處理方法
KR101990161B1 (ko) 액 처리 장치
US11031235B2 (en) Substrate processing apparatus
JP6017262B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI631640B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US20180226244A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment device
JP6758587B2 (ja) 基板支持装置
JP2017069531A (ja) 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
CN112542419B (zh) 基板处理装置
TW201536432A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI388377B (zh) 旋轉杯式塗佈裝置
KR101770535B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI708641B (zh) 基板處理方法
US10160012B2 (en) Cup and substrate processing apparatus
JP2014038943A (ja) 基板処理装置
JP2018142594A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2009164227A (ja) 基板処理装置
KR20070107978A (ko) 기판 처리 장치 및 방법