JP7187385B2 - 磁気駆動装置、着磁方法及び磁気駆動装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、磁気駆動装置、着磁方法及び磁気駆動装置の製造方法に関する。

従来から、処理容器内に設けられた回転テーブルに載置された基板を公転させながら処理ガスによる処理を行い、基板が載置される載置台は、回転テーブルの回転軸に沿った方向に伸びる自転軸回りに自転自在に設けられ、磁気ギア機構の受動ギア部は、駆動ギア部との間に形成される磁力線の移動に伴い、載置台を自転軸回りに自転させる基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１７－１３９４４９号公報

本開示は、磁石を用いた磁気駆動機構の磁力が低下しても、着磁により磁力を回復可能な磁気駆動装置、着磁方法及び磁気駆動装置の製造方法を提供する。

上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る磁気駆動装置は、磁石を用いて駆動する磁気駆動機構を有する磁気駆動装置であって、
前記磁気駆動装置内であって、移動により前記磁石を着磁可能な待機位置に配置された着磁ヨークと、
前記磁気駆動機構が停止しているときに、前記磁石を着磁する着磁位置に前記着磁ヨークを保持する着磁ヨーク保持手段と、を有する。

本開示によれば、磁石を用いた磁気駆動機構の磁力を回復させ、磁気駆動機構の動作を一定に保つことができる。

本発明の一実施形態に係る成膜装置の縦断側面図である。 前記成膜装置の横断平面図である。 成膜装置に設けられた回転テーブルの概略斜視図である。 載置台の下面に設けられた従動ギアを模式的に示す底面図である。 従動ギアと駆動ギアの一部を示す平面図である。 従動ギアと駆動ギアを模式的に示す平面図である。 従動ギアと駆動ギアを模式的に示す平面図である。 従動ギアの角速度と駆動ギアの角速度の速度差と、従動ギアの自転速度との関係を示す特性図である。 駆動ギアの昇降を示す説明図である。 通常運転時の着磁ヨークの待機状態を示した図である。 着磁実行時の着磁ヨークの状態を示した図である。 着磁待機状態における着磁ヨーク及び着磁ヨーク保持部材の一例を示した斜視図である。 着磁状態における着磁ヨーク及び着磁ヨーク保持部材の一例を示した斜視図である。 成膜装置に設けられた制御部の一例を示す構成図である。 本実施形態に係る着磁方法を説明するための処理フロー図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。

本開示の一実施形態である磁気駆動装置について、図１の縦断側面図、図２の平面図を各々参照しながら説明する。本実施形態においては、磁気駆動装置を基板処理装置、特に成膜装置として構成した例を挙げて説明する。しかしながら、本実施形態に係る磁気駆動装置は、磁石を用いて磁気駆動する種々の装置に適用することができ、基板処理装置、成膜装置に限られるものではない。

本実施形態に係る成膜装置１は、後述する回転テーブルに載置されて公転するウエハＷに、シリコン（Ｓｉ）を含む原料ガスと、酸化ガスとを順番に繰り返し供給し、これら原料ガスと酸化ガスとを互いに反応させてＳｉＯ_２（酸化シリコン）膜を形成するＡＬＤ（Atomic Layer Deposition，原子層堆積装置）が行われるように構成されている。

成膜装置１は、平面形状が概ね円形の扁平な処理容器である真空容器１１を備えている。真空容器１１は、容器の側壁及び底部をなす容器本体１３と、天板１２とにより構成されている。図中２は、真空容器１１内に設けられた上記の回転テーブルであり、水平な円板状に形成されている。回転テーブル２の中心部には鉛直下方へ伸びる回転軸２１が接続されている。この回転軸２１は、容器本体１３を構成する底部１４に設けられた軸受け部２２を貫通して、真空容器１１の外側に設けられる公転用回転機構２３に接続されている。公転用回転機構２３によって、上面側から見て回転テーブル２は、例えば時計回りに回転する。

容器本体１３の底部１４には、回転軸２１を囲むように当該底部１４を厚さ方向に貫通する平面視環状のスリット２４が設けられている。そして、底部１４の下方には、平面視環状、且つ縦断面視凹部形状をなす空間形成部１５が設けられており、この凹部内の空間は、真空容器１１の外部から区画されると共に、成膜処理時には後述の排気口３６、３７により排気されて真空雰囲気となる。当該空間を従動ギア移動空間１６とすると、この従動ギア移動空間１６には、容器本体１３の底部１４に近接するように、水平な支持用円環板２５が設けられている。また、空間形成部１５の底部は円環状の水平な板により構成されており、当該板を区画板１７とする。仕切り部材をなすこの区画板１７は、後述する従動ギア４と駆動ギア５との間に形成される磁力線を通す材料、例えばアルミニウムやＳＵＳ（ステンレス鋼）により構成されている。区画板１７の厚さＨ１は例えば５ｍｍ以下、より具体的には例えば３ｍｍ以下である。なお、図中１８は、空間形成部１５の側壁及び底部１４に設けられる冷媒流路である。

続いて、回転テーブル２及び当該回転テーブル２に付帯する各部の構造についての概略斜視図である図３も参照しながら説明する。上記の軸受け部２２の上端部からは、平面視放射状に５本のスポーク２６が延出されており、当該スポーク２６に回転テーブル２が支持されている。このスポーク２６は、高い強度及び高い耐熱性を有するように、例えば合金であるインコネル（登録商標）により構成されている。スポーク２６の先端部は、上記の容器本体１３のスリット２４を下方へ向かうように屈曲し、支持用円環板２５の上面に接続されている。従って、支持用円環板２５はスポーク２６によって、回転軸２１に支持されている。

回転テーブル２の上面側（一面側）には、回転テーブル２の回転によって公転する平面視円形の載置台３が設けられている。この例では載置台３は回転テーブル２の回転方向に沿って５個設けられている。載置台３の上面には、ウエハＷを水平に載置して収納するための凹部３１が形成されている。

各載置台３の下面側中央部には、載置台３を支持する自転軸３２が鉛直下方へ延出するように設けられている。各自転軸３２は支持用円環板２５を貫通し、さらに、当該支持用円環板２５の下面に支持されて設けられる５つの軸受けユニット３３（図３では４つのみ表示している）を各々貫通する。自転軸３２が支持用円環板２５を貫通する位置は、支持用円環板２５を周方向に見て隣り合うスポーク２６の間である。つまり、支持用円環板２５には自転軸３２とスポーク２６とが交互に配置されている。上記の軸受けユニット３３は、自転軸３２を回転自在に保持するように自転軸３２を囲むベアリングと、ベアリングからのパーティクルの飛散を防ぐための磁気シールと、を備えている。このように構成されることで、自転軸３２は回転テーブル２と共に回転する部位に自転自在に設けられている。また、この自転軸３２は軸受けユニット３３に支持されており、この軸受けユニット３３は支持用円環板２５、スポーク２６を介して回転軸２１に対して支持されている。

そして、自転軸３２の下端部には水平な円板状の従動ギア４が、自転軸３２と互いに中心軸を一致させた状態で設けられている。従って、従動ギア４は自転軸３２を介して載置台３に連結されており、従動ギア４は回転テーブル２の回転により、当該回転テーブル２の回転軸２１の回りを水平方向に公転する。また、従動ギア４を周方向に回転させると、各載置台３が自転軸３２まわりに自転する。図１に示す従動ギア４と区画板１７との距離Ｈ２は、例えば１ｍｍである。

図４は従動ギア４の下面側を模式的に示している。従動ギア４の下部側には、当該従動ギア４の回転方向に沿って、多数の永久磁石が全周に亘って埋設されている。なお、ここで言う全周に亘って永久磁石が設けられるとは、回転方向に見たときに永久磁石が設けられる領域が局所的では無いことを意味している。従って、回転方向に隣り合う永久磁石間に隙間があっても、全周に亘って永久磁石が設けられることになり、この例ではそのような隙間が設けられている。

従動ギア４に設けられる上記の永久磁石の磁極をＮ極部４１、Ｓ極部４２とすると、当該従動ギア４を下面側から見たときに、Ｎ極部４１、Ｓ極部４２が自転方向（回転方向）に沿って交互に配置されている。なお、Ｎ極部４１についてはＳ極部４２と区別するために、図中に斜線を付して表示している。この例では、従動ギア４の下面に露出するＮ極部４１、Ｓ極部４２は、夫々同じ形状の短冊状に形成され、従動ギア４の下面の中心部から横方向に放射状に延びるように、周方向に互いに間隔を開けて例えば１８個配列されている。Ｎ極部４１及びＳ極部４２の長さは例えば従動ギア４の底面の中心を越えないように、従動ギア４の半径より短く設定されている。なお、高温環境下における減磁を抑制するために、上記の従動ギア４を構成する永久磁石及び後述の駆動ギア５を構成する永久磁石は、例えばサマリウムコバルト磁石により構成されている。

図１及び図３に示すように、真空容器１１の外側（大気雰囲気側）で、空間形成部１５の下方には、駆動ギア５が配置されている。この駆動ギア５は、従動ギア４と共に磁気ギア機構４０を構成する。駆動ギア５は従動ギア４の公転軌道の全周に沿って形成された水平な円環板であり、当該公転軌道に臨むように設けられている。従って駆動ギア５の上面は、従動ギア４の下面に対向する。

図中５０は、駆動ギア５の中央部に形成された円形の開口部であり、平面で見て、当該開口部５０の中心は、回転テーブル２の回転中心に一致している。また、図１に示すように駆動ギア５の下面には、駆動ギア５を回転させるための例えば環状のダイレクトドライブモータ（ＤＤモータ）よりなる自転用回転機構５３が、回転軸２１を囲むように設けられており、この自転用回転機構５３により、駆動ギア５が開口部５０の中心を回転中心として回転する。従って、駆動ギア５は、従動ギア４の公転軌道に臨んだ状態で回転する。自転用回転機構５３は回転軸を囲む平面視円環状の昇降台５４に設けられており、昇降台５４は、駆動ギア用昇降機構５５により昇降する。図中５６は駆動ギア用昇降機構５５が設けられる水平な床板であり、回転軸２１が貫通する開口部５７を備えている。

駆動ギア５について、さらに詳しく説明する。駆動ギア５の上部には、従動ギア４の公転軌道の外周縁部に対向するように、当該駆動ギア５の全周に亘って、永久磁石が埋設されている。ここでも全周に亘って永久磁石が設けられるとは、駆動ギア５の回転方向に見たときに永久磁石が設けられる領域が局所的では無いことを意味しており、回転方向に永久磁石が隙間無く設けられることでは無い。この例では当該回転方向に隣り合う永久磁石の間に、そのような隙間が設けられている。駆動ギア５に設けられる永久磁石の磁極をＮ極部５１及びＳ極部５２とすると、駆動ギア５を上側から見て、駆動ギア５の回転方向にＮ極部５１及びＳ極部５２が交互に配置されている。なお、図３及び後述の図５などにおいては、Ｎ極部５１についても、駆動ギア５のＮ極部４１と同様に図中に斜線を付して示している。

図５は、１つの従動ギア４の磁極部（Ｎ極部４１及びＳ極部４２）と、その下方側の駆動ギア５の磁極部（Ｎ極部５１及びＳ極部５２）とを対応させて描いたものである。例えばＮ極部５１、Ｓ極部５２は、従動ギア４の下面に形成されたＮ極部４１、Ｓ極部４２の形状と重なり合うように短冊状に形成されている。なお、図５は、従動ギア４のＮ極部４１と駆動ギア５のＳ極部５２とが重なった状態を示している。また、この図５及び後述の図６、図７は磁気ギアの構成を説明するための概要図であるため、磁極部の数は実際の装置の磁極部の数と異なる。

続いて、載置台３の公転と自転とについて説明する。図６は、回転テーブル２と駆動ギア５とが各々停止している状態（回転していない状態）において、５個の従動ギア４の一部が駆動ギア５と対向して停止している状態を示している。従動ギア４は、従動ギア４の各磁極部（Ｎ極部４１、Ｓ極部４２）と駆動ギア５の各磁極部（Ｎ極部５１、Ｓ極部５２）との間の吸引力及び反発力の総合作用により決定される位置において停止する。従って、回転テーブル２と駆動ギア５とを同じ回転数（回転速度：ｒｐｍ）で回転させたときには、従動ギア４は駆動ギア５に対して相対的に停止していることから、従動ギア４即ち載置台３は、自転することなく停止している。

載置台３は、駆動ギア５と回転テーブル２との回転数に差が生じたとき、即ち駆動ギア５の角速度と、回転テーブル２の回転による従動ギア４の角速度（いわば公転角速度）との間に速度差が発生したときに自転する。駆動ギア５の角速度Ｖａが従動ギア４の角速度Ｖｂよりも大きいとき（駆動ギア５の角速度から従動ギア４の角速度を差し引いた速度差がプラスのとき）は、駆動ギア５に対向している従動ギア４のＮ極部４１、Ｓ極部４２の並びの下方を、駆動ギア５のＮ極部５１、Ｓ極部５２の配列が、図５で言えば左側から右側に移動していく。このため、従動ギア４に作用する駆動ギア５からの反発力と吸引力とが右側に移動し、これに伴い従動ギア４のＮ極部４１、Ｓ極部４２の並びも右に引き連れられることから、結果として従動ギア４が図５における右回転、即ち図６に示す状態から図７に示す状態のように、時計回りに自転することになる。なお、図６ではリング状の従動ギア４の公転軌道について、４Ａとして示している。

また、駆動ギア５の角速度Ｖａが従動ギア４の角速度Ｖｂよりも小さいとき（駆動ギア５の角速度から従動ギア４の角速度を差し引いた速度差がマイナスのとき）は、駆動ギア５に対向している従動ギア４のＮ極部４１、Ｓ極部４２の並びの下方を、駆動ギア５のＮ極部５１、Ｓ極部５２の配列が、図５で言えば右側から左側に移動していく。このため従動ギア４に作用する駆動ギア５からの反発力と吸引力とが左側に移動し、これに伴い従動ギア４のＮ極部４１、Ｓ極部４２の並びも左に引き連れられることから、結果として従動ギア４が図５における左回転、即ち反時計回りに自転することになる。

従動ギア４の公転による角速度と駆動ギア５の角速度との速度差と、従動ギア４の自転速度とは、図８に示すように、速度差のある範囲においてほぼ比例関係を維持する。図８中、横軸は駆動ギア５の角速度Ｖａと従動ギア４の公転による角速度Ｖｂとの速度差（Ｖａ－Ｖｂ）であり、縦軸は従動ギア４の自転速度である。速度差がプラス（（Ｖａ－Ｖｂ）＞０）のときには、速度差がゼロから＋Ｖ１までは、速度差が大きくなるほど右回りの自転速度が大きくなる。また速度差がマイナス（（Ｖａ－Ｖｂ）＜０）のときには、速度差がゼロから－Ｖ２までは、速度差が大きくなるほど左回りの自転速度が大きくなる。例えば駆動ギア５の角速度は、前記速度差と従動ギア４の自転速度とがほぼ比例関係を維持している値までの間において設定される。

このように、載置台３は、駆動ギア５と回転テーブル２との回転数に差が生じたときに自転するが、このときの自転速度は、駆動ギア５と従動ギア４とのギア比×回転速度差により求められる。回転速度差とは、駆動ギア５の角速度と、回転テーブル２の回転による従動ギア４の角速度（いわば公転角速度）との速度差である。駆動ギア５を３００極の磁極部（Ｎ極部５１及びＳ極部５２）により構成し、従動ギア４を１８極の磁極部（Ｎ極部４１及びＳ極部４２）により構成した場合、例えば回転テーブル２の回転数が３０ｒｐｍのときに、駆動ギア５を０．１度／秒（６度／分）進める場合の自転速度は、次のように求められる。ギア比は３００／１８＝１６．６７であり、回転速度差は６／３６０ｒｐｍであるため、従動ギア４の自転速度は、ギア比×回転速度差により、３００／１８×６／３６０＝０．２７８ｒｐｍ（１００度／分）となる。

上述の図８に示す従動ギア４の自転速度と、従動ギア４の公転による角速度（公転速度）と駆動ギア５の角速度との速度差と、の関係は、後述する制御部１００のメモリに記憶される。例えば成膜処理や装置のメンテナンスを行う際に、成膜装置１のユーザーは、制御部１００の入力部１０４から従動ギア４の自転速度と、回転テーブル２の回転数とを入力することで、入力されたこれらのパラメータと、メモリに記憶される上記の関係とに基づいて、駆動ギア５の回転数が決定され、決定された回転数で駆動ギア５を回転させることができる。

ところで相対距離変更機構である上記の駆動ギア用昇降機構５５によって、図９に示すように駆動ギア５は昇降する。それにより、駆動ギア５と従動ギア４の公転軌道との離間距離Ｈ３を変更してウエハＷに処理を行うことができる。この離間距離Ｈ３は例えば１ｍｍ～５ｍｍの範囲内で変更される。このように離間距離Ｈ３を変更可能に装置を構成する理由について説明する。上記のように従動ギア４及び駆動ギア５は永久磁石によって構成されており、この永久磁石は環境温度に応じて減磁する。従って、例えば室温付近では図７で説明したように駆動ギア５の回転によって従動ギア４が問題無く自転しても、ウエハＷの処理温度が比較的高く設定されることで成膜処理中にこれら従動ギア４及び駆動ギア５の環境温度が比較的高くなる場合には、この減磁によって従動ギア４が自転しなくなるおそれが有る。また、回転テーブル２の回転数、即ち自転軸３２の公転速度が高いほど、自転軸３２にかかる遠心力が大きくなり、自転軸３２は軸受けユニット３３の内周壁をなすベアリングにおいて、回転テーブル２の外側方向に向かう部位を押圧し、当該部位への負荷が大きくなる。つまり、回転テーブル２の回転数によって、自転軸３２を回転させるために必要最低限のトルクが変化する。

そこで、回転テーブル２の回転数が高い場合にも自転に必要なトルクが得られるように、従動ギア４と駆動ギア５との間の磁力を比較的強くするように構成することが考えられるが、従動ギア４と駆動ギア５との間に常時強力な磁力が作用すると、上記のように従動ギア４の公転軌道の周縁部側に対向するように駆動ギア５の磁極部（Ｎ極部５１及びＳ極部５２）が設けられているため、磁力の作用によって自転軸３２が上記の軸受けユニット３３のベアリングの回転テーブル２の外側方向に向かう部位を押圧することになり、当該部位の負荷が大きくなる。また、自転軸３２及び載置台３が磁力によって下方へ強く引かれることで回転テーブル２への負荷が大きくなるし、回転軸２１への負荷が大きくなってしまう。つまり、これら回転テーブル２、回転軸２１及び軸受けユニット３３が破損する時期が早くなるおそれが有る。そこで成膜装置１においては、上記の離間距離Ｈ３が調整されることで、駆動ギア５と従動ギア４との間の磁力が必要且つ適切なものにできるように構成されている。

しかしながら、このような駆動ギア用昇降機構５５を備えており、磁力の調整が可能だとしても、従動ギア４及び駆動ギア５に用いられている永久磁石はキュリー温度を有し、その温度以上では強磁性体の性質が失われてしまう（例えば鉄では７５０℃）ので、高温で成膜プロセスを継続すると、永久磁石の磁力が徐々に低下してしまう。例えば、６００℃、６５０℃、７００℃といった高温のプロセスを何回も実施すると、たとえその温度がキュリー温度未満だとしても、加熱劣化により徐々に磁力は低下してゆく。

従動ギア４及び駆動ギア５に用いられている永久磁石が劣化して磁力が低下すると、自転特性が経時的に変化してゆくので、自転の特性（回転速度等）が変化し、成膜の均一性が徐々に低下してゆくおそれがある。即ち、自転が不十分となり、成膜処理の面内均一性が低下するおそれがある。

そこで、本実施形態に係る成膜装置１は、駆動ギア５の永久磁石を着磁する駆動ギア用着磁ヨーク８０と、従動ギア４の永久磁石を着磁する従動ギア用着磁ヨーク８１とを備える。

駈動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１は、成膜プロセス中は駈動ギア５及び従動ギア４の外側の所定の待機位置に待機している。そして、永久磁石の磁力が低下したら、駆動ギア用昇降機構５５を低下させ、区画板１７と駆動ギア５との間にスペースを形成し、そのスペース内に駈動ギア用着磁ヨーク８０及び／又は従動ギア用着磁ヨーク８１を挿入し、着磁を行う。

この具体的な動作について、図１０及び図１１を用いて説明する。

図１０は、通常運転時の着磁ヨークの待機状態を示した図である。図１０（ａ）は、通常運転時の回転テーブル周囲の平面透過図であり、図１０（ｂ）は、通常運転時の回転テーブル周囲の断面図である。

図１０（ａ）に示されるように、成膜処理中は、駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１は、回転テーブル２の外形よりも外側に退避しており、成膜処理を妨げないような位置に配置されている。

図１０（ｂ）に示されるように、駆動ギア用着磁ヨーク８０は、駆動ギア５及び従動ギア４よりも外側であって、駆動ギア５が下降し、駆動ギア用着磁ヨーク８０が中心側に移動することにより、駆動ギア５の永久磁石と対向配置が可能な位置に配置される。同様に、従動ギア用着磁ヨーク８１も、駆動ギア５及び従動ギア４よりも外側であって、駆動ギア５が下降し、駆動ギア用着磁ヨーク８１が中心側に移動することにより、従動ギア４と対向することが可能な位置に配置される。

成膜処理中は、図１０のように駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１が配置され、成膜処理中の回転テーブル２及び載置台３１の公転及び自転動作を妨げない位置に配置される。

なお、必要に応じて、駆動ギア５及び従動ギア４の磁力を計測可能な磁気センサ９０、９１が設けられてもよい。図１０（ｂ）においては、駆動ギア５に磁気検出器９０、９１が設けられているが、駆動ギア５及び／又は従動ギア４の磁力を測定することができれば、種々の位置に配置することができ、また、種々の構成の磁気検出器９０、９１を用いることができる。

なお、磁気検出器９０、９１は必須ではなく、成膜処理を複数回実行し、所定時間経過したら着磁する構成であってもよいし、駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１と同様に、磁気検出器を外側から挿入し、定期的に駆動ギア５及び従動ギア４の磁力を測定するような構成であってもよい。

図１１は、着磁実行時の着磁ヨークの状態を示した図である。図１１（ａ）は、通常運転時の回転テーブル周囲の平面透過図であり、図１１（ｂ）は、通常運転時の回転テーブル周囲の断面図である。

図１１（ａ）に示されるように、着磁時には、駆動ギア用着磁ヨーク８０は、駆動ギア５と重なるように配置され、従動ギア用着磁ヨーク８１は、従動ギア４と重なるように配置される。つまり、図１０（ａ）の状態から、駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１が回転テーブル２の中心方向に向かって移動し、駆動ギア用着磁ヨーク８０が駆動ギア５、従動ギア用着磁ヨーク８１が従動ギア４と対向するように水平方向に移動する。

図１１（ｂ）に示されるように、駆動ギア５に駆動ギア用着磁ヨーク８０が対向し、従動ギア４に従動ギア用着磁ヨーク８１が対向した状態となっている。駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１は、電磁石となっており、１度に大電流を流すことにより、対向する永久磁石を着磁し、磁力を回復させる。Ｎ極の永久磁石にはＳ極の着磁ヨークが対向し、Ｓ極の永久磁石にはＮ極の着磁ヨークが対向するように配置し、大電流を流してＮ極及びＳ極を着磁する。

図１１（ｂ）においては、駆動ギア５と駆動ギア用着磁ヨーク８０との間の間隔、従動ギア４と従動ギア用着磁ヨーク８１との間の間隔が明確ではないが、駆動ギア５と駆動ギア用着磁ヨーク８０とが互いに非常に接近し、従動ギア４と従動ギア用着磁ヨーク８１とが互いに非常に接近している。こうした状態で、駆動ギア５と駆動ギア用着磁ヨーク８０との間に間隔が空いた、従動ギア４と従動ギア用着磁ヨーク８１との間にかつ間隔が空いた状態となるように駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１が配置される。着磁ヨークと永久磁石が接触してしまうと、着磁はできないので、間隔を空けるが、あまり間隔が大きいと着磁の効果が小さくなるので、極めて小さい間隔となるように両者が対向配置され、着磁を行う。

なお、図１１（ａ）に示されるように、駆動ギア用着磁ヨーク８０は、駆動ギア５の一部しか着磁できないので、駆動ギア５の全周に亘り着磁を行うように、駆動ギア５を少しずつずらして着磁を行う。これにより、駆動ギア５全体を均一に着磁することができ、永久磁石の磁力を復活させることができる。

同様に、従動ギア用着磁ヨーク８１も、１個の従動ギア４しか１度には着磁できないので、図１１の例であれば、従動ギア４をずらし、５個の従動ギア４を総て着磁する。これにより、総ての従動ギア４を均一に着磁することができる。

着磁時は、成膜プロセスを行っていない時に行う。具体的には、例えば、成膜処理の１ランが終了し、ウエハＷが搬出され、次のウエハＷを搬入する前に行う。つまり、真空容器１１内にウエハＷが存在しない状態で行うことが好ましい。

なお、着磁を実施するタイミングは、上述のように、時間で管理してもよいし、常時監視用の磁気検出器９０、９１を用いて磁力を常時監視し、所定の閾値未満、又は所定の閾値以下となったときに着磁を実行するようにしてもよい。更に、所定期間が経過したら、挿入式の磁気検出器で永久磁石の磁力を測定し、閾値との比較で着磁を実行するか否かを決めるようにしてもよい。

図１２は、着磁待機状態における着磁ヨーク及び着磁ヨーク保持部材の一例を示した斜視図である。図１２に示されるように、駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１は、着磁ヨーク保持部材１２０、１２１にそれぞれ支持された状態で駆動ギア５及び従動ギア４の外側で待機している。

そして、着磁ヨーク保持部材１２０、１２１を移動可能に構成することにより、自動制御を用いて駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１を待機位置と着磁位置との間で移動させることができる。

図１３は、着磁状態における着磁ヨーク及び着磁ヨーク保持部材の一例を示した斜視図である。図１３に示されるように、着磁ヨーク保持部材１２０、１２１が中央方向に水平に移動し、駆動ギア用着磁ヨーク８０が駆動ギア５の永久磁石と上面視的に重なる位置に配置され、従動ギア用着磁ヨーク８１が従動ギア４の永久磁石と対向する位置に配置される。この状態で、各着磁ヨーク８０、８１に大電流を流すことにより、駆動ギア５及び従動ギア４の永久磁石を着磁する。

なお、従動ギア４と従動ギア用着磁ヨーク８１とは、互いに直接的に対向するが、駆動ギア５と駆動ギア用着磁ヨーク８０とは、着磁ヨーク保持部材１２０を介して対向する、つまり重なるような状態となる。このような状態であっても、着磁ヨーク保持部材１２０を、磁力線を透過させる材料で構成することにより、何ら問題無く駆動ギア５の永久磁石の着磁を行うことができる。

また、駆動ギア用着磁ヨーク８０の側面のみ、又は底面を覆わずに上面と側面のみを覆って駆動ギア用逆時ヨーク８０を保持するような着磁ヨーク保持部材を用い、駆動ギア用着磁ヨーク８０と駆動ギア５の永久磁石を直接的に対向させてもよい。

着磁が終了したら、着磁ヨーク保持部材１２０、１２１を後退させ、駆動ギア５及び従動ギア４の外側に移動させ、図１２に示す待機状態又は退避状態に戻る。

そして、このような動作は、制御部１００が、着磁ヨーク保持部材１２０、１２１を駆動するモータ等の駆動機構に動作指令を出すことにより、容易に動作を制御することができる。

そして、磁気検出器９０、９１が検出した磁力に基づいてこのような動作を行うようにすれば、適切なタイミングで駆動ギア５及び従動ギア４の永久磁石の着磁を行うことができ、スループットを低下させずに高品質の成膜を継続的に行うことができる。

このように、本実施形態に係る成膜装置によれば、永久磁石の磁力を常に適切に保つことができ、高品質の成膜を継続的に実施することができる。

本実施形態においては、成膜装置を例に挙げて説明したが、永久磁石を用いた磁気結合を利用する磁気駆動装置であれば、種々の装置に本開示を適用することができる。

図１及び図２に戻って、成膜装置１の説明を続ける。図中Ｃは平面視円形の中心領域形成部であり、真空容器１１の天板１２の下面中央部に設けられる。図中３４は、中心領域形成部Ｃから回転テーブル２の外側に向かって広がるように形成された平面視扇状の突出部であり、回転テーブル２の周方向に離れて２つ設けられている。中心領域形成部Ｃ及び突出部３４は、その外側領域に比べて低い天井面を形成している。中心領域形成部Ｃと回転テーブル２の中心部との隙間には図示しない供給路からＮ２ガスが供給されることで、当該回転テーブル２の中心部における原料ガス及び酸化ガスの接触が抑制される。

容器本体１３の底部１４には、ウエハＷを加熱するためのヒータ３５が埋設されている。底部１４における回転テーブル２の外側には、排気口３６、３７が開口しており、真空ポンプなどにより構成される不図示の真空排気機構に接続されている。また、真空容器１１の側壁面には、ゲートバルブ３８により開閉自在なウエハＷの搬入出部３９が形成されており、当該搬入出部３９を介して図示しない搬送機構により、真空容器１１の内外で基板が搬送される。

搬入出部３９付近の真空容器１１の底部１４には、上記のウエハＷの搬送機構と載置台３との間でウエハＷを受け渡すために、３本の昇降ピン２０が設けられている（図示せず）。

回転テーブル２の上方側には、原料ガスノズル６１、分離ガスノズル６２、酸化ガスノズル６３、改質ガスノズル６４、分離ガスノズル６５が、この順に、回転テーブル２の回転方向に間隔をおいて配設されている。各ガスノズル６１～６５は、真空容器１１の側壁から中心部に向かって、回転テーブル２の径方向に沿って水平に伸びる棒状に形成され、その長さ方向に沿って互いに間隔を開けて設けられた多数の吐出口６６から、各種のガスを下方側に向けて吐出する。

原料ガスノズル６１は原料ガスとしてＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチルアミノシラン）ガスを吐出する。図中６７は、原料ガスノズル６１を覆うノズルカバーであり、その下方におけるＢＴＢＡＳガスの濃度を高める役割を有する。酸化ガスノズル６３は酸化ガスとしてＯ_３（オゾン）ガスを吐出する。分離ガスノズル６２、６５はＮ２ガスを吐出し、上面側から見て天板１２の突出部３４を各々周方向に分割する位置に配置されている。改質ガスノズル６４は、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスと酸素（Ｏ２）ガスとの混合ガスからなる改質ガスを吐出する。この例では、原料ガス、酸化ガス及び改質ガスが夫々処理ガスに相当し、原料ガスノズル６１、酸化ガスノズル６３及び改質ガスノズル６４が、処理ガス供給部に夫々相当する。

改質ガスノズル６４の上方側において、真空容器１１の天板１２に設けられる開口部１９を塞ぐように、プラズマ形成部７が設けられている。図２には、当該プラズマ形成部７が設けられる位置を一点鎖線で示している。図中７１は、石英などの誘電体からなる本体部であり、図中７２は突状部であり、本体部７１の下面において開口部１９に沿って下方側へ向けて突出する。突状部７２にて囲まれる領域内に、改質ガスノズル６４から改質ガスが吐出される。本体部７１の上面側には、ファラデーシールド７３、絶縁用の板部材７４を介して、金属線をコイル状に巻回したアンテナ７５が設けられ、このアンテナ７５には高周波電源７６が接続されている。図中７７はファラデーシールド７３に設けられたスリットであり、電磁界の磁界成分を下方に向かわせる役割を有する。

回転テーブル２上において、原料ガスノズル６１の下方領域は、ＢＴＢＡＳガスの吸着が行われる吸着領域Ｒ１、酸化ガスノズル６３の下方領域は、ＢＴＢＡＳガスが酸化される酸化領域Ｒ２である。また、プラズマ形成部７の下方領域は、プラズマによりＳｉＯ_２膜の改質が行われる改質領域Ｒ３である。突出部３４の下方領域は、分離ガスノズル６２、６５から各々吐出されるＮ_２ガスにより、吸着領域Ｒ１の雰囲気と酸化領域Ｒ２の雰囲気とを互いに分離するための分離領域Ｄ１、Ｄ２である。

既述の排気口３６は、吸着領域Ｒ１と、吸着領域Ｒ１の回転方向の下流側に隣接する分離領域Ｄ１との間の外側に開口しており、余剰のＢＴＢＡＳガスを排気する。また、排気口３７は、改質領域Ｒ３と改質領域Ｒ３の回転方向下流側に隣接する分離領域Ｄ２との境界付近の外側に開口しており、余剰のＯ_３ガス、改質ガスを排気する。排気口３６、３７からは、各分離領域Ｄ１、Ｄ２、中心領域形成部Ｃから各々供給されるＮ２ガスも排気される。

成膜装置１には、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部１００が設けられている。図１４は、当該制御部１００の概略構成を示している。この制御部１００は、ＣＰＵ１０１、後述の成膜処理に係る動作を実行するプログラム１０５を格納するプログラム格納部１０２、記憶部１０３、入力部１０４を備えている。図中１１０はバスである。

記憶部１０３には、回転テーブル２の回転数と、ウエハＷの処理温度と、上記の駆動ギア５と従動ギア４との離間距離Ｈ３との対応関係が記憶されている。入力部１０４は、成膜装置１のユーザーがウエハＷの処理レシピとして、成膜処理時における回転テーブル２の回転数と、ウエハＷの処理温度とを各々入力して設定するためのデバイスであり、例えばタッチパネルなどにより構成される。そのように入力された回転テーブル２の回転数とウエハＷの処理温度とに対応する離間距離Ｈ３が記憶部１０３から読み出され、そのように読み出された離間距離Ｈ３となるように駆動ギア用昇降機構５５により駆動ギア５の高さが制御されて、成膜処理が行われる。

ウエハＷの処理温度が一定である場合、回転テーブル２の回転数が高いほど既述した理由により、載置台３を自転させるために高いトルクが必要となるため、離間距離Ｈ３が小さくなるように設定される。例えば図１４において、ウエハＷの温度がａ１℃であるときの回転テーブル２の回転数が６０ｒｐｍ、７０ｒｐｍ、８０ｒｐｍである場合の離間距離Ｈ３を夫々ｂ１ｍｍ、ｃ１ｍｍ、ｄ１ｍｍとして表しているが、ｂ１＞ｃ１＞ｄ１である。

また、回転テーブル２の回転数が一定である場合には、ウエハＷの温度が高いほど既述したように駆動ギア５及び従動ギア４の減磁が起こりやすいので、離間距離Ｈ３が小さくなるように設定される。例えば図１０において、回転テーブル２の回転数が６０ｒｐｍであり、ウエハＷの温度がａ１℃、ａ２℃、ａ３℃であるときの離間距離Ｈ３を夫々ｂ１ｍｍ、ｃ１ｍｍ、ｄ１ｍｍとして表しているが、ａ１℃＜ａ２℃＜ａ３℃として、ｂ１＞ｃ１＞ｄ１である。

上記のプログラム１０５は、成膜装置１の各部に制御信号を送信して各部の動作を制御し、後述の成膜処理を実行するためのステップ群が組まれている。例えば自転用回転機構５３による駆動ギア５の回転数、公転用回転機構２３による回転テーブル２の回転数、駆動ギア用昇降機構５５による駆動ギア５の昇降、各ガスノズル６１～６５からの各ガスの供給流量、ヒータ３５によるウエハＷの処理温度（加熱温度）、中心領域形成部ＣからのＮ_２ガスの供給流量などが制御信号に従って制御される。プログラム１０５を格納するプログラム格納部１０２は、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、ＤＶＤなどの記憶媒体により構成されており、当該記憶媒体からプログラム１０５は制御部１００にインストールされる。

続いて成膜装置１による成膜処理について説明する。例えば駆動ギア５が所定の高さ位置に位置した状態で、成膜装置１のユーザーが入力部１０４から、回転テーブル２の回転数及びウエハＷの処理温度の設定を行うと、図９、図１４で説明したように、設定された回転テーブル２の回転数及びウエハＷの処理温度に対応する離間距離Ｈ３となる高さ位置に、駆動ギア５が移動する。続いて、回転テーブル２の間欠的な回転と昇降ピン２０の昇降動作とにより、図示しない搬送機構により外部から真空容器１１内に順次搬入されるウエハＷが、載置台３に受け渡される。全ての載置台３にウエハＷが載置されると、ゲートバルブ３８が閉じられ、真空容器１１内が所定の圧力の真空雰囲気となるように排気口３６、３７から排気が行われる。そして、分離ガスノズル６２、６５、中心領域形成部Ｃから回転テーブル２に対してＮ_２ガスが供給される。その一方で、ヒータ３５が昇温して、ウエハＷが設定された処理温度になるように加熱される。この温度が、例えば６００℃以上の高温であると、従動ギア４及び駆動ギア５の永久磁石の劣化が進行し易い。ヒータ３５は、回転テーブルの下方にあり、従動ギア４及び駆動ギア５の上方であるが、熱源と離れていても影響は受け、従動ギア４及び駆動ギア５は２００℃程度まで上がってしまうことが多い。

また、磁気センサ９０、９１が設置されている場合には、磁気センサ９０、９１をオンにする。また、経過時間で着磁タイミングを定める場合には、運転時間等を記録するようにする。磁気センサ９０、９１で従動ギア４及び／又は駆動ギア５の永久磁石の磁力を検出する場合には、リアルタイムでモニタリングが可能である。

そして、回転テーブル２が設定された回転数で回転すると共に、例えば駆動ギア５を回転テーブル２と等速で回転させる。これにより、載置台３は自転を停止した状態で公転する。次いで、原料ガスノズル６１、酸化ガスノズル６３、改質ガスノズル６４からの各処理ガスの供給と、高周波電源７６からのアンテナ７５への高周波の印加によるプラズマの形成と、が開始される。また、駆動ギア５の回転数が、回転テーブル２の回転数と異なる回転数となるように変更され、載置台３が所定の回転数で自転する。

図２に示すように、真空容器１１内においては吸着領域Ｒ１と酸化領域Ｒ２との間に、Ｎ_２ガスが供給される分離領域Ｄ１を設けているので、吸着領域Ｒ１に供給される原料ガス及び酸化領域Ｒ２に供給される酸化ガスは、回転テーブル２上で互いに混合されずに排気される。また、吸着領域Ｒ１と改質領域Ｒ３との間にもＮ２ガスが供給される分離領域Ｄ２を設けているので、原料ガスと、改質領域に供給される改質ガス及び改質領域Ｒ３の回転方向上流側から当該分離領域Ｄ２に向かう酸化ガスとは、回転テーブル２上で互いに混合されずに排気口３６、３７から排気される。また、中心領域形成部Ｃから供給されたＮ_２ガスも、排気口３６、３７から排気される。

上述のように各ガスの供給と排気とが行われた状態で、各ウエハＷは、吸着領域Ｒ１、酸化領域Ｒ２、改質領域Ｒ３を順番に通過する。吸着領域Ｒ１では原料ガスノズル６１から吐出されたＢＴＢＡＳガスがウエハＷに吸着され、酸化領域Ｒ２では吸着されたＢＴＢＡＳガスが、酸化ガスノズル６３から供給されたＯ３ガスにより酸化されて、ＳｉＯ_２の分子層が１層あるいは複数層形成される。改質領域Ｒ３では、前記ＳｉＯ_２の分子層が改質ガスのプラズマに曝されて改質される。そして、回転テーブル２の回転により、上述のサイクルが複数回、繰り返し実行されることにより、ＳｉＯ２の分子層が積層されてウエハＷの表面にＳｉＯ２膜が形成される。図１１は、このように成膜が行われるときの成膜装置１の各部の動作を示している。

この成膜装置１においては、回転テーブル２の回転と並行して、載置台３の回転によるウエハＷの自転が行われるが、回転テーブル２の回転と載置台３の回転とが同期しないように、回転テーブル２の回転数と載置台３の自転速度が設定される。即ち、ウエハＷが第１の向きに向いた状態で、回転テーブル２が回転の開始ポイントから１回転し、再度開始ポイントに位置したときに、ウエハＷが第１の向きとは異なる第２の向きに向けられるような自転速度でウエハＷが自転するように設定される。

このように、載置台３は回転テーブル２の回転と同期せずに自転するので、各載置台３上のウエハＷは自転及び公転によって、原料ガスの吸着領域Ｒ１を様々な向きで通過することになる。こうして、載置台３の自転に伴い、上面側から見た向きを次第に変えながら上述のＳｉＯ_２の分子層を形成するサイクルが実行される。ウエハＷの向きを変えながら成膜が行われることで、例えば吸着領域Ｒ１内で原料ガスの濃度分布にばらつきが生じている場合であっても、複数回実行されるＳｉＯ_２分子層の形成サイクルの全期間で見たとき、ウエハＷに吸着される原料ガスの量をウエハＷの周方向に向けて揃えることができる。その結果として、ウエハＷの周方向に見て、ウエハＷに形成されるＳｉＯ_２膜の膜厚の偏りを抑えることができる。

上述の動作により、ＳｉＯ_２の分子層が順次積層され、予め設定されたサイクル数を実行したら、回転テーブル２の回転、駆動ギア５の回転、各種のガスの供給、プラズマの形成を停止し、成膜処理が終了する。然る後、ウエハＷは真空容器１１内への搬入時とは逆の手順で当該真空容器１１内から搬出される。

このような成膜処理を繰り返し、従動ギア４及び駆動ギア５に用いられている永久磁石の磁力が低下したら、図１０～図１３で説明した着磁工程を実施する。

図１５は、本実施形態に係る着磁方法を説明するための処理フロー図である。

ステップＳ１００では、駆動ギア５及び従動ギア４の永久磁石の磁力が低下したか否かを判定する。具体的には、永久磁石の磁力が所定の閾値以下、又は閾値未満となったかを判定するか、又は時間管理の場合には、所定の時間が経過したか否かを判定する。

時間経過による判定の場合には、予め永久磁石が劣化する時間を調べておき、運転時間がその時間に達したら、永久磁石が劣化したと判定する。

一方、閾値による判定の場合には、永久磁石の磁力を測定する。永久磁石の磁力の測定は、図１０～図１３で説明したように、駆動ギア５等に組み込んだ磁気検出器９０、９１を用いてもよいし、挿入式の磁気測定器を用いてもよい。

永久磁石の磁力が低下していないと判定した場合には、ステップＳ１００の状態でループを繰り返し、磁力が低下していると判定した場合には、ステップＳ１１０に進む。

ステップＳ１１０では、駆動ギア５と従動ギア４との間にスペースを形成する。具体的には、駆動ギア５が下降し、従動ギア４との間にスペースを形成する。なお、磁気検出器９０、９１を用いて、成膜処理中に磁力の低下が検出された場合には、実行している成膜処理を中止する必要まではなく、実行中の成膜処理が終了したら、ステップＳ１１０を実行すればよい。

ステップＳ１２０では、駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１をスペース内に挿入する。なお、駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１をスペース内に挿入するのは、同時でなくてもよく、片方のみ挿入してもよい。

即ち、磁力が低下したのが駆動ギア５のみの場合には、駆動ギア用着磁ヨーク８０のみを挿入してもよい。更に、駆動ギア５と従動ギア４の永久磁石の双方の磁力が低下した場合であっても、どちらか一方の着磁を先に行い、他方の着磁をその後に行うような着磁工程を行ってもよい。

なお、駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１の挿入位置は、駆動ギア５の永久磁石と対向又は重なる位置、従動ギア４の永久磁石と対向又は重なる位置である。

また、挿入は、駆動ギア５及び従動ギア４の外側に設けられた所定の待機位置から、駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１を保持する着磁ヨーク保持部材１２０、１２１を回転テーブル２の中心側に向けて移動させて所定の着磁位置に配置する。

ステップＳ１３０では、駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１に電流を通電し、磁界を発生させて永久磁石の着磁を行う。

ステップＳ１４０では、着磁が終了したら、駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１を保持する着磁ヨーク保持部材１２０、１２１を外側に移動させて所定の待機位置に配置する。

このように、本実施形態に係る磁気駆動装置及び着磁方法における着磁は、成膜処理の合間に行うことができ、成膜装置１を分解する必要がなく、簡易に、かつ短時間に着磁を行うことができるので、生産性を向上させることができる。更に、従動ギア４及び駆動ギア５に用いられている永久磁石の磁力が低下した状態で成膜処理を行うことが無くなるので、膜質を均一かつ高品質に保つことができる。

次に、本実施形態に係る着磁方法を応用した磁気駆動装置の製造方法について説明する。図１０～図１３においては、永久磁石を再着磁する方法について説明した。永久磁石を用いた駆動ギア５及び従動ギア４の組み付けは、永久磁石の磁力が非常に高いため、非常に困難である。即ち、成膜装置１を組み立てる際、永久磁石同士で強い吸引力が働いているため、互いに貼り付いてしまった場合には、引き剥がすのに多大な労力を要する。そのため、組み立ての際には、磁石同士の間に絶縁物の治具を設け、永久磁石同士が貼り付いてしまわないように、細心の注意を払い、大きな労働力を費やして組み立てている。

これを解決すべく、本実施形態に係る磁気駆動装置の製造方法においては、着磁可能な磁性体を用いて、磁力を発生していない状態で組み付けを行う。

即ち、磁性体からなる従動ギア４及び駆動ギア５を組み付けて成膜装置１を製造する。そして、組み付け後、本実施形態に係る着磁方法と同様に、駆動ギア５及び従動ギア４を着磁し、所定の箇所に永久磁石を形成する。その際、駆動ギア用着磁ヨーク８０及び従動ギア用着磁ヨーク８１を含む着磁装置は、永久磁石の再着磁用ではなく、最初に磁石を製造する際に用いる強力な着磁装置を用いることになる。着磁の方法自体は、図１０～図１４で説明した内容と同様である。

かかる成膜装置の製造方法によれば、成膜装置の製造を容易に行うことができ、組み立て製造の生産性を向上させることができる。また、このようにして製造した成膜装置の永久磁石の磁力が低下した場合には、図１０～図１３で説明した着磁方法を実施し、永久磁石の磁力を回復させればよい。

上記の成膜装置１では、従動ギア４の公転に対して駆動ギア５を昇降させて上記の離間距離Ｈ３が変更されるが、駆動ギア５に対して従動ギア４を昇降させることで離間距離Ｈ３が変更されるようにしてもよい。具体的には例えば、公転用回転機構２３を昇降機構に接続し、当該回転テーブル２及び真空容器１１が昇降するように構成することで、そのように駆動ギア５に対して従動ギア４を昇降させることができる。

なお、駆動ギア５及び従動ギア４からなる磁気ギア機構４０としては、磁力により駆動ギア５の回転に応じて、従動ギア４が駆動ギア５に対して非接触で回転するように構成されていればよい。従って、従動ギア４、駆動ギア５の一方だけが磁性体であってもよい。

また、従動ギア４または駆動ギア５について、上記のＮ極部、Ｓ極部が交互に配列された構成とすることには限られず、例えばＳ極部、Ｎ極部の一方のみにより構成されるようにしてもよい。ただし、従動ギア４及び駆動ギア５において、各々既述の実施形態のように異なる磁極を交互に配置することで、磁石の反発力と吸引力を利用して載置台３を自転させるので、載置台３を確実に回転させることができるため好ましい。また、駆動ギア５の回転により従動ギア４を回転させることができれば、各磁極部の形状についても既述の例のように長方形状に構成することには限られない。

このように、駆動ギア５及び従動ギア４は、磁気結合により載置台を自転可能であれば、種々の構成とすることができる。また、本実施形態においては、磁気駆動装置を成膜装置１として構成する例を挙げて説明したが、他の基板処理装置にも適用可能であるし、磁気駆動機構を有し、磁気結合を用いて駆動する装置であれば、種々の装置に適用可能である。

以上、本発明の好ましい実施形態について詳説したが、本発明は、上述した実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

Ｗ ウエハ
１ 成膜装置
１１ 真空容器
２ 回転テーブル
３ 載置台
３５ ヒータ
４ 従動ギア
５ 駆動ギア
５５ 駆動ギア用昇降機構
６１ 原料ガスノズル
６３ 酸化ガスノズル
８０ 駆動ギア用着磁ヨーク
８１ 従動ギア用着磁ヨーク
９０、９１ 磁気検出器
１２０、１２１ 着磁ヨーク保持部材

Claims (16)

1. 磁石を用いて駆動する磁気駆動機構を有する磁気駆動装置であって、
   前記磁気駆動装置内であって、移動により前記磁石を着磁可能な待機位置に配置された着磁ヨークと、
   前記磁気駆動機構が停止しているときに、前記磁石を着磁する着磁位置に前記着磁ヨークを保持する着磁ヨーク保持手段と、を有する磁気駆動装置。
2. 前記着磁位置は、前記磁石と対向又は重なる位置である請求項１に記載の磁気駆動装置。
3. 前記待機位置と前記着磁位置との間で前記着磁ヨークを移動させる移動手段を更に有する請求項１又は２に記載の磁気駆動装置。
4. 前記磁石の磁力を検出する磁力検出器を更に有する請求項３に記載の磁気駆動装置。
5. 前記磁力検出器により検出された前記磁石の磁力が閾値よりも低く、かつ前記磁気駆動機構が停止しているときに、前記着磁ヨークを前記着磁位置に移動させて前記磁石を着磁させる処理を行う制御手段を更に有する請求項４に記載の磁気駆動装置。
6. 処理室と、
   前記処理室内に設けられた回転テーブルと、を更に有し、
   前記回転テーブルの回転機構の少なくとも一部に前記磁気駆動機構が設けられた請求項３乃至５のいずれか一項に記載の磁気駆動装置。
7. 前記回転テーブルは基板を載置する基板載置台として機能し、
   基板処理装置として構成された請求項６に記載の磁気駆動装置。
8. 前記回転テーブル上には、周方向に沿って配置された複数の基板載置領域が設けられ、
   前記磁気駆動機構は、前記複数の基板載置領域の各々を自転させる機構である請求項７に記載の磁気駆動装置。
9. 前記磁気駆動機構は、前記複数の基板載置領域の各々の底面から下方に延びる部材に設けられた第１の磁石と、
   前記第１の磁石と対向して磁力により非接触で磁気結合し、前記第１の磁石を自転させる磁力を発生させる第２の磁石を有する駆動ギアと、を有する請求項８に記載の磁気駆動装置。
10. 前記移動手段は、前記回転テーブルより外側及び下方から、前記着磁ヨークを前記第１の磁石と前記第２の磁石との間に挿入させる機構である請求項９に記載の磁気駆動装置。
11. 前記回転テーブル上に処理ガスを供給するノズルを更に有し、
    成膜装置として構成された請求項６乃至１０のいずれか一項に記載の磁気駆動装置。
12. 磁石を用いて駆動する磁気駆動機構を有する磁気駆動装置を磁気駆動させる工程と、
    前記磁気駆動装置を磁気駆動させる工程の後、前記磁気駆動機構が停止しているときに、前記磁石と着磁ヨークとを相対移動させる工程と、
    前記相対移動により前記磁石に前記着磁ヨークを対向させた状態で前記磁石を着磁する工程と、を有する着磁方法。
13. 前記着磁ヨークは、前記磁気駆動機構を磁気駆動させているときには前記磁気駆動機構の周囲の待機位置に配置され、
    前記磁石と前記着磁ヨークとを相対移動させる工程では、前記待機位置から前記磁石に対向した着磁位置まで前記着磁ヨークを移動させる請求項１２に記載の着磁方法。
14. 前記磁石の磁力を検出する工程を更に有し、
    前記磁石の磁力が閾値より低いと判断したときに前記磁石を着磁する工程を実施する請求項１２又は１３に記載の着磁方法。
15. 前記磁気駆動装置は、処理室内に回転テーブルを有する基板処理装置であり、前記磁気駆動機構を磁気駆動させることにより、前記回転テーブル上に周方向に沿って配置された複数の基板を自転させて基板処理を行い、
    前記磁石を着磁する工程は、前記基板が前記処理室内に設けられていないときに行われる請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の着磁方法。
16. 磁気結合を用いた磁気ギアを含む磁気駆動装置の製造方法であって、
    第１の磁性体を有する第１の部品と、第２の磁性体を有する第２の部品とを、着磁させていない状態で前記磁気駆動装置に組み付ける工程と、
    前記磁気駆動装置の動作下に、前記第１の部品と前記第２の部品の間に着磁ヨークを配置する工程と、
    配置した前記着磁ヨークにより、前記第１の磁性体及び前記第２の磁性体を着磁させ、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体との磁気結合を発生させ、前記第１の部品と前記第２の部品との間に磁気ギアを介在させる工程と、を有する磁気駆動装置の製造方法。

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