TWI503913B - 基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置，暨基板處理方法 - Google Patents

基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置，暨基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI503913B
TWI503913B TW101132139A TW101132139A TWI503913B TW I503913 B TWI503913 B TW I503913B TW 101132139 A TW101132139 A TW 101132139A TW 101132139 A TW101132139 A TW 101132139A TW I503913 B TWI503913 B TW I503913B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
magnet
holding
protective disk
holding member
Prior art date
Application number
TW101132139A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201330143A (zh
Inventor
Hiroshi Kato
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of TW201330143A publication Critical patent/TW201330143A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI503913B publication Critical patent/TWI503913B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置，暨基板處理方法
本發明係有關基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置，暨基板處理方法。於保持對象或處理對象之基板中包含有例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，電場發射顯示器)、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
美國專利號碼第5,601,645號係(以下稱「US5,601,645」)揭露一種旋轉式基板處理裝置之基板旋轉保持具，具備有藉由旋轉手段而被旋轉之旋轉台、以及配設於旋轉台自旋轉台表面隔著所定間隔而水平定位基板之支持手段。於旋轉台上設置具有與基板相同程度之大小之上下移動構件，在旋轉台旋轉之處理期間內配置上下移動構件於接近基板之上昇位置。其說明，藉此，基板之下面與上下移動構件之上面之間隔縮小，可以防止於基板處理中所發生之霧氣被捲入至基板之下面。
於US5,601,645之圖1~圖3所示之構成係藉由接受隨著旋轉台之旋轉之離心力而作動之推升機構，以相對於旋轉台上下移動上下移動構件之方式而構作。又，於US5,601,645之圖7及圖8中揭露，設置鰭片於上下移動構件之外周部，在隨著旋轉台之旋轉而上下移動構件旋轉時，利用藉由鰭片 將周圍之氣體朝下方壓下而所產生之揚力來抬起上下移動構件之構成。
然而，由於在此等之構成中，當基板之旋轉速度為低時，無法獲得充份之離心力或揚力，因此無法使上下移動構件非常接近基板之下面，其結果，有基板處理之際所發生之霧氣附著於基板之下面之虞。例如，在一方面旋轉基板一方面以刷具擦拭洗淨基板之表面之情況下，基板之旋轉速度係為100 rpm左右，終究無法獲得充份之離心力或揚力。因此，在擦拭洗淨基板之上面之際，存有處理液之霧氣進入基板之下面與上下移動構件之間，而污染基板之下面之虞。
另一方面，在US5,601,645之圖9及圖10之中揭露著，使用經利用氣壓缸之推升機構使上下移動構件上下移動之構成。又在US5,601,645之圖11及圖12中揭露著，設有一端經被堅固地黏著於上下移動構件之伸縮軟管，藉由對伸縮軟管內加壓/吸引，使伸縮軟管產生伸縮，藉其使上下移動構件上下移動之構成。
然而，此等之構成係因為不管那一種於包含旋轉台及上下移動構件之旋轉系統組裝入用於驅動之驅動手段，對於其驅動手段有必要供給驅動力，所以構造變為複雜。而且，由於有必要自非旋轉系統一方面供給一方面吸引驅動用之空氣，因此於非旋轉系統與旋轉系統之間成為存在有對空氣供給/吸引路徑產生摩擦接觸之滑動部，則有其處所產生之微 粒對基板處理產生不良影響之虞。
本發明之目的係在於提供與基板之旋轉速度無關，可以保護基板之下面，且構成簡單，並可抑制因摩擦接觸所造成之微粒之發生之基板保持旋轉裝置及具備如此種基板保持旋轉裝置之基板處理裝置。本發明之其他目的係在於提供即使在基板之旋轉速度為低時仍可以確實地保護基板之下面，無需複雜之構造，即可抑制因摩擦接觸所造成之微粒，又可實現高品質處理之基板處理方法。
本發明係提供一種基板保持旋轉裝置，包含：旋轉台，係可以沿垂直方向之旋轉軸線周圍旋轉；旋轉驅動單元，係使上述旋轉台旋轉；保持構件，係設於上述旋轉台，自上述旋轉台隔著間隔至上方，來保持基板水平；保護圓盤，係具有與藉由上述保持構件所被保持之基板相同程度之大小；以及磁氣浮起機構，係使上述保護圓盤自上述旋轉台浮起。上述保護圓盤係配置在上述旋轉台與藉由上述保持構件之基板保持位置之間，以下位置與在較下位置更上方且接近於經被上述保持構件所保持之基板之下面之接近位置之間相對於上述旋轉台可以相對地上下移動之方式安裝於上述旋轉台上。上述磁氣浮起機構包含：第1磁鐵，係經安裝於前述保護圓盤；第2磁鐵，係形成與前述旋轉軸線同軸之環狀，對於前述第1磁鐵提供斥力；第1支持構件，係在非旋轉狀態 下支持前述第2磁鐵；以及第1相對移動機構，係以變化前述第1磁鐵與前述第2磁鐵之間之距離之方式使前述第1支持構件與前述旋轉台產生相對移動，藉由上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之斥力，使上述保護圓盤自上述旋轉台浮起。
根據此構造，在藉由旋轉驅動單元被旋轉之旋轉台上設置保持構件，藉由此保持構件，可以在自旋轉台隔著間隔至上方之狀態下來保持基板水平。於旋轉台上安裝著具有與基板相同程度之大小之保護圓盤，此保護圓盤係可以對於旋轉台相對地上下移動。亦即，保護圓盤係可於下位置與在較下位置更上方接近於經被保持構件保持之基板之下面之接近位置之間，對於旋轉台可以相對地上下移動。為驅動保護圓盤而具備有磁氣浮起機構。亦即，磁氣浮起機構係包含經安裝於保護圓盤之第1磁鐵、藉由第1支持構件在非旋轉狀態下被支持之第2磁鐵以及使第1支持構件與旋轉台產生相對移動之第1相對移動機構。
藉由此構成，使第1支持構件與旋轉台產生相對移動，根據配置第2磁鐵於非常接近第1磁鐵之下方之位置，可以藉由作用於其等之間之斥力，使保護圓盤自旋轉台浮起，且導向接近位置，保持於其接近位置。
自非旋轉系統向旋轉系統之驅動力之傳達係藉由利用作用於經設在非旋轉系統之第2磁鐵與經設在旋轉系統之第1 磁鐵之間之斥力，以非接觸之方式來達成。因此，不僅構造簡單外，即使旋轉台旋轉著且對應於其經安裝於保護圓盤之第1磁鐵旋轉著時，仍然可以藉由在非接觸之狀態下傳達之驅動力，保持保護圓盤於接近位置。
又，即使在旋轉台之旋轉速度為低速之情況下或其旋轉停止時，若使第1支持構件與旋轉台接近，因為經接受來自第2磁鐵之斥力之第1磁鐵使保護圓盤自旋轉台表面浮起，所以可以使保護圓盤非常接近基板之下面。
如此，藉由本發明之構造，可以提供與基板之旋轉速度無關，確實地保護基板之下面，且構成簡單，並可抑制於旋轉時產生之因摩擦接觸所造成之微粒之基板保持旋轉裝置。
由於在保護圓盤於下位置時，形成空間在保護圓盤與基板之下面之間，因此，可以利用此空間，一方面將基板自基板搬送機器人交遞至保持構件，一方面基板搬送機器人自保持構件接取基板。
上述第2磁鐵較佳係具有形成與上述旋轉軸線同軸之環狀之磁極。更具體地，第2磁鐵較佳係具有對應於上述第1磁鐵所描繪之旋轉軌跡之環狀之磁極。藉此，即使在第1磁鐵與旋轉台一起旋轉時，第1磁鐵與第2磁鐵之間之斥力仍持續且穩定地作用，因此，可以確實地保持可動保持構件於接近位置。
上述第1相對移動機構係亦可為上下移動上述第1支持構 件之機構，亦可為上下移動上述旋轉台之機構，亦可為上下移動上述第1支持構件及之上述旋轉台兩者之機構。
又，第1相對移動機構係未必需要為使第1支持構件及旋轉台相對地上下移動之機構，亦可藉由自與旋轉軸線交叉之方向使第2磁鐵接近第1磁鐵，以於其等之間產生斥力之作用而構成。
在本發明之一實施形態中，上述保持構件係包含可動保持構件，其變位在保持基板之保持位置與自上述保持位置退避之退避位置之間；又包含磁氣驅動機構，包含：第1磁性體，係經安裝於上述可動保持構件；第2磁性體，係形成與上述旋轉軸線同軸之環狀，在與上述第1磁性體之間產生磁力；第2支持構件，係在非旋轉狀態下支持上述第2磁性體；以及第2相對移動機構，係以變化上述第1磁性體與上述第2磁性體之間之距離之方式使上述第2支持構件與上述旋轉台產生相對移動；藉由上述第1磁性體與上述第2磁性體之間之磁力，保持上述可動保持構件於上述保持位置。
根據此構造，可以利用經安裝於可動保持構件之第1磁性體與藉由第2支持構件在非旋轉狀態下經被支持之第2磁性體之間之磁力，在非接觸狀態下保持可動保持構件於保持位置。因此，用以保持可動保持構件於保持位置之構造亦為簡單，並由於用以保持可動保持構件於保持位置之驅動力之傳達亦可在利用磁力之非接觸狀態下來進行，因此可以更進一 步抑制因旋轉時之摩擦接觸所造成之微粒之發生。
由於第2磁性體係形成與旋轉軸線同軸之環狀，因此，即使在第1磁性體與旋轉台一起旋轉時，不管在任一之旋轉位置，因為可以穩定地產生磁力作用於第1磁性體與第2磁性體之間，所以可以確實地保持可動保持構件於保持位置，藉此，可以確實地達成基板之保持。
上述第1磁性體及第2磁性體較佳係為任一者或兩者為磁鐵。
上述第2相對移動機構係亦可為上下移動上述第2支持構件之機構，亦可為上下移動上述旋轉台之機構，亦可為上下移動上述第2支持構件及上述旋轉台之兩者之機構。又，上述第2相對移動機構係不限於上下移動第2支持構件及/或旋轉台之機構，例如，可為使第2支持構件沿與上述旋轉軸線交叉之方向移動，藉此，亦可為對於上述第1磁性體使上述第2磁性體接近/隔離之機構。
在本發明之一實施形態中，上述第2磁性體係為上述第2磁鐵，上述第2支持構件係為上述第1支持構件，上述第2相對移動機構係為上述第1相對移動機構，上述磁氣驅動機構及上述磁氣浮起機構共有上述第2磁鐵、上述第1支持構件及上述第1相對移動機構，當上述第2磁鐵位於既定位置時，藉由上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之斥力，保持上述保護圓盤於上述接近位置，且藉由作用該第2磁鐵與上述 第1磁性體之間之磁力，保持上述可動保持構件於上述保持位置。
根據此構造，磁氣驅動機構及磁氣浮起機構共有上述第2磁鐵、上述第1支持構件及上述第1相對移動機構，藉由以第1相對移動機構使上述旋轉台及上述第1支持構件產生相對移動，可以驅動保護圓盤，且可以驅動可動保持構件。藉此，可以使構成更為簡單。
與本發明之一實施形態相關之基板保持旋轉裝置係又包含限制構件，該限制構件限制上述保護圓盤之朝相對於上述旋轉台之上方之相對移動在上述接近位置。根據此構成，由於可以藉由限制構件來限制藉由磁力浮起之保護圓盤之朝上方之相對移動，因此可以確實地配置保護圓盤於接近基板之下面之接近位置。特別是，上述接近位置係為保護圓盤不接觸基板之下面之位置，在自基板之下面隔著微小間隔之位置之情況下，可以保持該微小間隔。
與本發明之一實施形態相關之基板保持旋轉裝置係又包含導引機構，該導引機構設於上述旋轉台，導引上述保護圓盤之相對上下移動。藉此構造，可以使保護圓盤之相對於旋轉台之相對上下移動產生安定。
與本發明之一實施形態相關之基板保持旋轉裝置係又包含側面覆蓋構件，該側面覆蓋構件安裝於上述旋轉台，自側面覆蓋藉由上述保持構件所經被保持之基板與上述旋轉台 之間之空間。根據此構造，由於自側面覆蓋旋轉台與基板之間之空間，因此可以抑制側面之空氣被捲入至此空間內。藉其，可使旋轉中之基板之周圍之氣流成為穩定。
上述側面覆蓋構件係以固定於上述保護圓盤較佳。於此情況下，在上述保護圓盤配置於上述接近位置之狀態下，以藉由上述側面覆蓋構件覆蓋保護圓盤與旋轉台之間之空間之方式而構成為較佳。然後，在保護圓盤位於下位置時，保護圓盤與基板下面之間之空間之側面被開啟，此空間成為如可以利用於用以基板之搬入/搬出為較佳。
本發明係又提供一種基板處理裝置，包含：基板保持旋轉裝置，具有如上述之特徵；以及處理液供給單元，係供給處理液至經被上述基板保持旋轉裝置所保持之基板之上面。
根據此構造，可以在以保護圓盤覆蓋基板之下面之狀態下，將處理液供給至基板之上面，藉其處理液來處理基板之上面。因此，即使發生處理液之霧氣，仍可抑制其霧氣到達基板之下面。其結果，可以對於基板之下面一方面不供給處理液，並且保持基板之下面在清淨的狀態下，而選擇性地進行對基板之上面之處理。更具體地，可以保持基板之下面在乾燥之狀態，且不會導致其基板下面之污染，而對於基板之上面施以藉由處理液之處理。
如上述，基板保持旋轉裝置係即使在基板之旋轉停止時或低速旋轉時，仍可以保持保護圓盤於接近位置，確實地保護 基板之下面，且構造亦簡單，因旋轉時之滑動所產生之微粒之發生亦很少。藉此，無需複雜之構成，來抑制對於基板之下面之霧氣之附著，並在微粒發生甚少之清淨的環境中，可以選擇性地使用處理液來處理基板之上面。
與本發明之一實施形態相關之基板處理裝置係又包含接受構件，該接受構件接受自上述處理液供給單元被供給至藉由上述基板保持旋轉裝置所經被保持之基板，且自上述基板之表面向該基板之外側排出之處理液，上述第1支持構件固定於上述接受構件，上述第1相對移動機構係以使該接受構件與上述旋轉台產生相對移動之方式而構成。根據此構成，可以將用以相對移動接受構件接受自基板之表面向基板之外側排出之處理液與旋轉台之機構，兼用作為用以移動支持第2磁鐵之第1支持構件之機構。藉此，可使構造更為簡單。
具體而言，當以上述接受構件與上述旋轉台之相對位置來作為藉由接受構件接受自基板之表面排出之處理液之處理位置時，以藉由第1磁鐵與第2磁鐵之間之斥力保持上述保護圓盤於上述接近位置之方式而構成為較佳。進而，在該處理位置，以上述第1磁性體接受來自上述第2磁鐵之磁力，保持上述可動保持構件於上述保持位置之方式而構成為較佳。
與本發明之一實施形態相關之基板處理裝置係又包含惰性氣體供給單元，該惰性氣體供給單元供給惰性氣體至藉由 上述基板保持旋轉裝置所被保持且被旋轉之基板與經配置於上述接近位置之上述保護圓盤之間。根據此構成，由於惰性氣體被供給至保護圓盤與基板之間，因此可以更有效果地抑制對於基板之下面之處理液之霧氣之附著。
在本發明之一實施形態中，上述保護圓盤係於上面在藉由上述保持構件所經被保持之基板之緣部具有縮小上述惰性氣體之流路之縮流部。根據此構造，由於在基板之緣部惰性氣體之流路被縮小，因此在基板之周邊之惰性氣體之流速變大。藉此，可以更有效果地抑制處理液之霧氣進入至保護圓盤與基板之下面之間之空間。
在本發明之一實施形態中，上述惰性氣體供給單元係包含惰性氣體噴嘴，該惰性氣體噴嘴自上述旋轉台之旋轉中心朝向藉由上述保持構件所經被保持之基板之周緣部，呈放射狀地吹出惰性氣體。根據此構造，藉由自惰性氣體噴嘴呈放射狀地吹出惰性氣體，可在保護圓盤與基板之下面之空間內形成自旋轉台之旋轉中心朝向基板之周緣部之惰性氣體之安定氣流。藉此，可以更有效果地抑制處理液之霧氣進入至該空間。
本發明又提供一種基板處理方法，包含：保持步驟，係藉由經設於可以沿垂直方向之旋轉軸線周圍旋轉之旋轉台之保持構件，來保持基板水平；旋轉步驟，係藉由使上述旋轉台旋轉，旋轉藉由上述保持構件所經被保持之上述基板；下 面被覆步驟，係藉由使經安裝於該保護圓盤之第1磁鐵與在非旋轉狀態下經設於與上述旋轉軸線同軸之環狀之第2磁鐵接近，利用上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之斥力，使安裝成可相對於上述旋轉台相對地上下移動並具有與上述基板相同程度之大小之保護圓盤相對於上述旋轉台相對地浮起至接近上述基板之下面之接近位置，且覆蓋上述基板之下面；以及處理液供給步驟，係與上述保持步驟及上述旋轉步驟並行，供給處理液至藉由上述保護圓盤而下面經被覆蓋之上述基板之上面。
根據本方法，一方面以經安裝於旋轉台之保護圓盤覆蓋基板之下面，一方面使基板旋轉，並供給處理液至基板之上面，可以藉由該處理液來處理基板之上面。保護圓盤係藉由作用於經安裝在該保護圓盤之第1磁鐵與在非旋轉狀態經設置之環狀第2磁鐵之間之斥力，被保持在浮起至接近基板之下面之接近位置之狀態。因此，即始基板停止時、基板之旋轉為低速時，仍使保護圓盤確實地接近基板之下面，可以確實地抑制於此朝其基板之下面之處理液之霧氣之附著。並且由於利用第1磁鐵與第2磁鐵之間之斥力保持使保護圓盤浮起且保持之構造，因此無需要在旋轉系統具備有使保護圓盤上下移動之驅動單元。藉此，不會使構成複雜化，必要時可以使保護圓盤接近基板之下面。又由於第1磁鐵及第2磁鐵係可以在非接觸狀態下傳達斥力，因此亦可抑制旋轉時 之因摩擦接觸所造成之微粒之發生。
在本發明之一實施形態中，上述保持構件係包含可動保持構件，該可動保持構件變位於保持基板之保持位置與自上述保持位置退避之退避位置之間，上述保持步驟係包含施加磁力至經安裝於上述可動保持構件之磁性體，保持上述可動保持構件於上述保持位置之步驟。根據此方法，由於利用磁力來進行朝向於旋轉台所具備之可動保持構件之保持位置之保持，因此對於可動保持構件之保持力之傳達亦可在非接觸狀態下來進行。藉此，可以在更簡單之構成下將基板之上面作選擇性地處理，且可以更進一步抑制旋轉時之因摩擦接觸所造成之微粒之發生。
在本發明之一實施形態中，上述下面被覆步驟係為藉由配置上述第2磁鐵於既定位置，利用上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之斥力，使上述保護圓盤浮起且保持於上述接近位置之步驟，上述保持步驟係為藉由配置上述第2磁鐵於上述既定位置，利用作用於上述第2磁鐵與上述磁性體之間之磁力，保持上述可動保持構件於上述保持位置之步驟。
在此方法中，可以藉由第1磁鐵與第2磁鐵之間之斥力，保持保護圓盤於接近位置，且可以藉由第2磁鐵與磁性體之間之磁力，保持可動保持構件於保持位置。亦即，由於可以共有用於保護圓盤之上下移動以及可動保持構件之驅動之構成，因此在更簡單之構成下，既可以一方面防止對基板之 下面之處理液之霧氣之附著，又可以一方面進行對於基板之上面之選擇性之處理。
與本發明之一實施形態相關之方法係又包含藉由限制構件限制上述保護圓盤之朝向相對於上述旋轉台之上方之相對移動於上述接近位置之步驟。藉此，可以確實地配置保護圓盤於接近位置，因此可以正確地限定保護圓盤與基板之下面之相對位置關係(特別是其等之間之間隔)。
與本發明之一實施形態相關之方法係又包含以接受構件接受朝向上述被旋轉著之基板之外側而排出之處理液之步驟，上述第2磁鐵被上述接受構件支持著，上述下面被覆步驟包含使上述接受構件與上述旋轉台接近之步驟。根據此方法，當使接受向基板之外側排出之處理液之接受構件與旋轉台接近時，可以藉由第1與第2磁鐵之間之斥力，使保護圓盤浮起而保持於接近位置。亦即，可兼用用以接受構件與旋轉台之相對移動之構成於用以旋轉圓盤之驅動之構成。其結果，可以使構造更簡單。
較佳係使上述接受構件與上述旋轉台接近時，來自上述第2磁鐵之磁力作用於上述第1磁性體，上述可動保持構件移動而被保持於上述保持位置。藉此，因為可以將用以接受構件與旋轉台之相對移動之構成兼用於用以可動保持構件之驅動，所以可以使構成更為簡單。
與本發明之一實施形態相關之方法係又包含與上述處理 液供給步驟並行，將惰性氣體供至上述被旋轉著之基板與經配置於上述接近位置之上述保護圓盤之間之步驟。藉此方法，可以供給惰性氣體至保護圓盤與基板之下面之間之空間，因此可以更進一步抑制對基板之下面之處理液之霧氣之附著。
與本發明之一實施形態相關之方法係上述保護圓盤於對向於藉由上述保持構件所經被保持之基板之緣部之位置之上面具有縮流部，又包含與上述惰性氣體供給步驟並行，藉由上述縮流部，縮小上述惰性氣體之流路之步驟。根據此方法，在基板之周緣部，惰性氣體之流路被縮小，因此成為自保護圓盤與自基板之緣部之間向外側吹出惰性氣體之高速氣流。藉此，可以更確實地抑制處理液之霧氣進入保護圓盤與基板之下面之間之空間。
在於本發明之一實施形態中，上述惰性氣體供給步驟包含自上述旋轉台之旋轉中心朝向藉由上述保持構件所經被保持之基板之周緣部，呈放射狀地吹出惰性氣體之步驟。根據此方法，由於可以形成自旋轉台之旋轉中心朝向基板之周緣部之惰性氣體之安定的氣流，因此可以更進一步確實地抑制處理液之霧氣進入至保護圓盤與基板之下面之間。
與本發明之一實施形態相關之方法係又包含與上述下面被覆步驟並行而被實行，藉由經安裝於上述旋轉台之側面覆蓋構件，自側面覆蓋藉由上述保持構件所經被保持之基板與 上述旋轉台之間之空間之步驟。藉此方法，於旋轉台與基板下面之間周圍之空氣不易被捲入，因此可以使旋轉台之周圍之氣流成為安定，從而，可以抑制處理液之霧氣之發生，實現更高品質之基板處理。
在本發明之上述或其他之目的、特徵及效果係藉由參考附圖而所述之實施形態之說明當可以清晰瞭然。
圖1係為用以說明與本發明之第1實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。基板處理裝置1係為一片一片地處理半導體晶圓等之基板W之枚葉型之裝置。基板處理裝置1係具備有旋轉夾頭2、旋轉驅動機構3、飛濺護罩(splash guard)4以及護罩驅動機構5。
旋轉夾頭2係具備可以沿垂直方向之旋轉軸線6之周圍旋轉之旋轉台7。旋轉軸8介由凸座(boss)9結合於旋轉台7之旋轉中心之下面。旋轉軸8係沿著垂直方向延伸，並接受來自旋轉驅動機構3之驅動力，且以繞著旋轉軸線6周圍旋轉之方式所構成。旋轉驅動機構3係例如亦可為以旋轉軸8為驅動軸之電動馬達。旋轉夾頭2更具備有於旋轉台7之上面之周緣部沿圓周方向隔著間隔而被設置之複數支之(於本實施形態中為六支)保持銷10。保持銷10係在基板保持高度以水平地保持著基板W之方式而構成，該基板保持高度係自具有幾乎水平之上面之旋轉台7經隔著一定之間隔之 上方。
旋轉夾頭2係更具備有保護圓盤15，該保護圓盤15係配置於旋轉台7上面與藉由保持銷10之基板保持高度之間。保護圓盤15係相對於旋轉台7可上下移動地被結合著，可移動於接近旋轉台7上面之下位置、與在較該下位置更上方且隔著微小間隔接近於經被保持於保持銷10之基板W之下面之接近位置之間。保護圓盤15係為具有與基板W相同程度之大小之圓盤狀之構件，且在對應於保持銷10之位置處形成著用以迴避該保持銷10之切口。
飛濺護罩4係自側面環繞旋轉夾頭2之周圍之筒狀之構件，且為接受自經被旋轉夾頭2保持之基板W而向外側排出之處理液之接受構件。更加詳細說明，飛濺護罩4具備有與旋轉軸線6同軸之圓筒部21、以及自圓筒部21之內壁面朝向接近於旋轉軸線6之內側突出至斜上方之上導引部22與下導引部23。上導引部22係按照著部分圓錐面之形狀而形成，其內側緣隔著所定之間隔配置於旋轉夾頭2之外側。下導引部23係自上導引部22隔著一定之間隔而設置於下方，同樣地具有按照著部分圓錐面之形狀。下導引部23之內側緣係在俯視中到達較旋轉夾頭2之外周緣更靠近之內側。於上導引部22與下導引部23之間區域劃分出用以收容自經被旋轉夾頭2保持之基板W排出之處理液口24。
用以使飛濺護罩4沿旋轉軸線6上下移動，而設置護罩驅 動機構5。護罩驅動機構5係例如亦可包含著例如如氣壓缸、滾珠螺桿機構之直線驅動機構。
基板處理裝置1係更具備有處理液供給單元30以及刷具洗淨機構35。處理液供給單元30係包含有向基板W之表面吐出處理液之處理液噴嘴31，且以介由處理液供給管33將來自處理液供給源32之處理液供給至處理液噴嘴之方式所構成。於處理液供給管33之中間插入且安裝著處理液閥34。所以，藉由開閉處理液閥34，可切換自處理液噴嘴31之處理液之吐出/停止。
刷具洗淨機構35係具備有用以接觸基板W之上面而擦拭洗淨基板W之洗淨刷36、保持洗淨刷36於前端部之搖動臂37及用以驅動搖動臂37之臂部驅動機構38。臂部驅動機構38係以既可一方面使搖動搖動臂37沿水平面搖動，也可一方面使搖動臂37上下移動之方式而構成。藉此構造，在基板W經被旋轉夾頭2保持而旋轉時，藉由將洗淨刷36按壓於基板W之上面，且使其按壓位置沿基板W之半徑方向移動，可擦拭洗淨基板W之上面之全部區域。
在此擦拭洗淨之際，藉由自處理液噴嘴31供給處理液(例如純水(deionized water)：去離子水)，容易地去除基板W之表面之異物，又可將藉由洗淨刷36經被擦掉之異物排出至基板外。
旋轉軸8係為中空軸，於其內部插入且貫通著惰性氣體供 給管70。於惰性氣體供給管70之下端結合著導引來自惰性氣體供給源71之惰性氣體之惰性氣體供給路72。於惰性氣體供給路72之中間插入且安裝著惰性氣體閥73。惰性氣體閥73係開閉惰性氣體供給路72。藉由開啟惰性氣體閥73，惰性氣體被送入至惰性氣體供給管70。此惰性氣體係藉由後述之構成被供給至保護圓盤15與基板W之下面之間之空間。如此，藉由惰性氣體供給管70、惰性氣體供給源71、惰性氣體供給路72、及惰性氣體閥73等而構成惰性氣體供給單元74。
基板處理裝置1具備有用於控制其各部位之控制裝置40。控制裝置40係以控制旋轉驅動機構3、護罩驅動機構5、處理液閥34、臂部驅動機構38、及惰性氣體閥73等之方式所構成。
圖2係為用以說明旋轉夾頭2之更具體的構成之俯視圖。圖3係為其仰視圖。圖4係為自圖2之剖面線IV-IV所視之剖面圖。
旋轉台7係形成沿水平面之圓盤狀，結合於被結合於旋轉軸8之凸座9。複數支之保持銷10係沿圓周方向等間隔地配置於旋轉台7之上面之周緣部。保持銷10係包含對旋轉台7不移動的固定銷11，以及對旋轉台7可移動之可動銷12。在此實施形態中，相鄰接地經配置之兩支保持銷10被用來作為可動銷12。保持銷10係分別包含結合於旋轉台7 之下軸部51、以及一體形成於下軸部51之上端之上軸部52，下軸部51與上軸部52分別形成為圓柱形狀。上軸部52係被設成偏離中心於下軸部51之中心軸線。連接下軸部51之上端與上軸部52之下端之間之表面係形成自上軸部52朝向下軸部51之圓周面而下降之錐形面53。
可動銷12係如於圖5之圖解所示，下軸部51以可以繞著與其中心軸線同軸之旋轉軸線12a周圍旋轉之方式結合於旋轉台7。更加詳細說明，於下軸部51之下端部係設置有相對於旋轉台7經由軸承54，而經被支持之支持軸55。於支持軸55之下端係結合著保持銷驅動用永久磁鐵56之磁鐵保持構件57。銷驅動用永久磁鐵56係例如使磁極方向朝相對於可動銷12之旋轉軸線12a正交之方向而配置。
保護圓盤15係具有與基板W相同程度之大小之大致圓盤狀之構件。於保護圓盤15之外周部，在對應於保持銷10之位置上，以自保持銷10之外周面確保一定之間隔，且如圍繞該保持銷10加工之方式，形成切口16。於保護圓盤15之中央區域形成對應於凸座9之圓形之開口。
在自旋轉軸線6較凸座9更遠之位置上，平行於旋轉軸線6且沿垂直方向延伸之導軸17結合於保護圓盤15之下面。在本實施形態中，導軸17係配置於沿保護圓盤15之圓周方向且經隔著等間隔之三個地方。更具體地，自旋轉軸線6而視，分別在對應於每隔一支保持銷10之角度位置處配置 三支之導軸17。導軸17係與於旋轉台7之對應位置設置之線性軸承18相結合，可以一方面藉由此線性軸承18導引，一方面朝垂直方向亦即平行於旋轉軸線6之方向移動。因此，導軸17及線性軸承18係構成沿平行於旋轉軸線6之上下方向導引保護圓盤15之導引機構19。
導軸17係貫穿著線性軸承18，於其下端具備有向外突出之凸緣20。藉由凸緣20抵接於線性軸承18之下端，限制導軸17朝上方移動，亦即保護圓盤15朝上方移動。亦即，凸緣20係為限制保護圓盤朝上方移動之限制構件。
在自旋轉軸線6較導軸17更遠外側，且在較保持銷10更靠近旋轉軸線6之內側之位置，保持著保護圓盤側永久磁鐵60之磁鐵保持構件61被固定於保護圓盤15之下面。在本實施形態中，保護圓盤側永久磁鐵60係使磁極方向朝著上下方向，保持於磁鐵保持構件61中。例如，保護圓盤側永久磁鐵60係亦可以下側具有S極而上側具有N極之方式固定於磁鐵保持構件61。在本實施形態中，磁鐵保持構件61係設置於沿圓周方向隔著等間隔之6個位置。更具體地，自旋轉軸線6而視，在對應於相鄰接之保持銷10之間(在本實施形態中為中間)之角度位置配置各磁鐵保持構件61。進而，自旋轉軸線6而視，三支之導軸17分別設置於在被六個磁鐵保持構件61所分割(於本實施形態中為等分)之六個角度位置中每隔一個角度區域之內(於本實施形態中為該角 度區域之中央位置)。
在旋轉台7，於對應於六個磁鐵保持構件61之六處形成貫穿孔62。各貫穿孔62係可以沿與旋轉軸線6平行之鉛直方向分別使對應之磁鐵保持構件61以插穿之方式而形成。當保護圓盤15位於下位置時，如圖1所示，磁鐵保持構件61係為插穿貫穿孔62，突出至較旋轉台7之下面更下方，保護圓盤側永久磁鐵60係位於較旋轉台7下面更下方處。
飛濺護罩4之下導引部23係於其上端緣(內側緣)具有保持護罩側永久磁鐵25之磁鐵保持部26。護罩側永久磁鐵25係形成與旋轉軸線6同軸之圓環狀，且沿旋轉軸線6正交之平面(水平面)而配置。更具體地，護罩側永久磁鐵25係配置在相對於旋轉軸線6，較保護圓盤側永久磁鐵60更遠，且較銷驅動用永久磁鐵56更近之位置。亦即，在俯視中，圓環狀之護罩側永久磁鐵25係位於保護圓盤側永久磁鐵60與銷驅動用永久磁鐵56之間。又，護罩側永久磁鐵25係配置在較保護圓盤側永久磁鐵60更低之位置。於本實施形態中，護罩側永久磁鐵25之磁極方向係沿著水平方向，亦即旋轉台7之旋轉半徑方向。在保護圓盤側永久磁鐵60於下面具有S極之情況下，護罩側永久磁鐵25係為在旋轉半徑方向之內側具有相同磁極，亦即以具有呈環狀之S極之方式而構成。
於飛濺護罩4被配置在接受自基板W向外側排出處理液 之處理位置(參考圖4)時，被區域劃分於上導引部22與下導引部23之間之處理液口24係相對於基板W於水平方向對向著。當在此處理位置上有飛濺護罩4時，護罩側永久磁鐵25係相對於銷驅動用永久磁鐵56，使配置在其半徑方向外側之磁極對向於水平方向。藉此，藉由作用於護罩側永久磁鐵25與銷驅動用永久磁鐵56之間之磁力，可動銷12被朝保持位置驅動，成為保持於其保持位置。
如上述，可動銷12係在經偏離中心自旋轉軸線12a之位置具有上軸部52(參考圖5)。因此，藉由下軸部51之旋轉，上軸部52係成為變位於距離自旋轉軸線6較遠之開啟位置與距離自旋轉軸線6較近之保持位置之間。銷驅動用永久磁鐵56係在接受來自護罩側永久磁鐵25之吸引磁力時，以上軸部52朝接近旋轉軸線6之保持位置移動之方式來配置。護罩側永久磁鐵25係形成為與旋轉軸線6同軸之圓環狀，因此，不侷限於可動銷12之繞旋轉軸線6周圍之旋轉位置，亦即，即使旋轉台7在旋轉中，仍保持著護罩側永久磁鐵25與銷驅動用永久磁鐵56之間之吸引磁力，藉此，可動銷12係被保持於保持著基板W之保持位置。
另一方面，在飛濺護罩4位於處理位置(參考圖4)時，護罩側永久磁鐵25與保護圓盤側永久磁鐵60間之磁斥力產生作用，保護圓盤側永久磁鐵60係接受向上之外力。藉其，保護圓盤15係自保持著保護圓盤側永久磁鐵60之磁鐵保持 構件61來接受向上之力量，保持在接近基板W之下面之處理位置。
於飛濺護罩4自旋轉夾頭2之側面下降至經退避之退避位置時，護罩側永久磁鐵25與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁斥力為小，因此，保護圓盤15係藉由本身的重量保持於接近旋轉台7之上面之下位置。又，由於護罩側永久磁鐵25不對向於銷驅動用永久磁鐵56，因此，於可動銷12將該可動銷12朝其保持位置增能之外力不起作用。
在本實施形態中，於飛濺護罩4，在較上導引部22更上方處設置有保持著解除用永久磁鐵27之磁鐵保持部28。當飛濺護罩4位於下位置時，解除用永久磁鐵27對向於銷驅動用永久磁鐵56。解除用永久磁鐵27係形成為與旋轉軸線6同軸之圓環狀，且在旋轉台7之旋轉半徑內側具有環狀磁極。此旋轉半徑內側之磁極係為與護罩側永久磁鐵25之旋轉半徑外側之磁極相同之磁性。解除用永久磁鐵27係對於銷驅動用永久磁鐵56，發生使可動銷12朝開啟位置旋轉變位之磁力。更具體而言，若護罩側永久磁鐵25在外側具有環狀之N極，護罩側永久磁鐵25係以在內側具有環狀之N極之方式而構成即可。
如此，在飛濺護罩4位於下位置時，保護圓盤15係位在接近旋轉台7之上面之下位置，可動銷12成為保持於其開啟位置。於此狀態下，對於旋轉夾頭2搬入及搬出基板W 之基板搬送機器人係可使其基板保持手部45進入至保護圓盤15與基板W之下面之間之空間。
保護圓盤側永久磁鐵60、護罩側永久磁鐵25及使飛濺護罩4昇降之護罩驅動機構5係構成磁氣浮起機構41，藉由永久磁鐵25、60之間之斥力，使保護圓盤15自該磁氣浮起機構41係旋轉台7之表面朝上方浮起而導引至處理位置。又，銷驅動用永久磁鐵56、護罩側永久磁鐵25及護罩驅動機構5係構成磁氣驅動機構42，該磁氣驅動機構42藉由永久磁鐵25、60之間之斥力使可動銷12保持於其保持位置。
亦即，磁氣浮起機構41及磁氣驅動機構42係共有著護罩側永久磁鐵25、作為支持護罩側永久磁鐵25之支持構件之飛濺護罩4以及使飛濺護罩4昇降之護罩驅動機構5。然後，在飛濺護罩4位於處理位置時，藉由護罩側永久磁鐵25與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁斥力，保持保護圓盤15於接近位置，且藉由護罩側永久磁鐵25與銷驅動用永久磁鐵56之間之磁吸力，保持可動銷12於其保持位置。
如在圖4A中所放大且表示，經結合於旋轉軸8上端之凸座9係保持著用以支持惰性氣體供給管70之上端部之軸承機構75。軸承機構75具備：間隔件77，係經嵌入而固定於形成在凸座9之凹處76；軸承78，係配置於間隔件77與惰性氣體供給管70之間；以及磁性流體軸承79，係相同地設置在間隔件77與惰性氣體供給管70之間，且較軸承78更 上方。
凸座9係一體成形地具有沿水平面向外突出之凸緣81，且旋轉台7結合於此凸緣81。進而，上述間隔件77以夾入旋轉台7之內周緣部之方式固定於凸緣81，且蓋84結合於此間隔件77。蓋84係形成為大致圓盤狀，於中央具有用來使惰性氣體供給管70之上端露出之開口，以此開口作為底面之凹處85形成於其上面。凹處85係具有水平底面、以及自此底面之周緣朝外側直立起向斜上方之倒立圓錐形之傾斜面83。整流構件86結合於凹處85之底面。整流構件86係具有沿旋轉軸線6周圍且圓周方向隔著間隔分散地配置之複數支之(例如4支)腳部87，具有藉由此腳部87自凹處85之底面隔著間隔而配置之底面88。自底面88之周緣部形成朝外側往斜上方延伸之倒立圓錐面所成為之傾斜面89。
於蓋84之上面外周緣向外側形成凸緣84a。此凸緣84a係與形成於保護圓盤15外周緣之梯級部15a匹配而形成。亦即，當保護圓盤15位於接近基板W之下面之接近位置時，凸緣84a與梯級部15a緊密結合，蓋84之上面與保護圓盤15之上面位於同一平面內，形成平坦的惰性氣體流路。
藉由如此種構造，自惰性氣體供給管70之上端流出之惰性氣體係在蓋84之凹處85內，流向藉由整流構件86之底面88所經被區域劃分之空間。此惰性氣體係更進一步介由凹處85之傾斜面83及整流構件86之傾斜面89所經被區域 劃分之放射狀流路82，朝遠離旋轉軸線6之放射方向被吹出。此惰性氣體係於保護圓盤15與藉由保持銷10經被保持之基板W下面之間之空間形成惰性氣體之氣流，自該空間朝基板W之旋轉半徑方向外側被吹出。
保護圓盤15係於上面在藉由保持銷10經被保持之基板W之周緣部具有縮小惰性氣體流路之縮流部90。在本實施形態中，縮流部90係為由自保護圓盤15之周緣向上方直立起之突條所構成。藉由此構造，自保護圓盤15與基板W之下面之間之空間向外側被吹出之惰性氣體流之流速變為高速，因此，可確實地迴避或抑制空氣(特別是處理液之霧氣)進入至基板W之下面之空間。
圖6係為用以說明基板處理裝置1之動作例之流程圖。對象物之基板W係藉由基板搬送機器人之基板保持手部45被搬入至該基板處理裝置1內，而被遞交給旋轉夾頭2(步驟S1)。此時，飛濺護罩4係配置於自旋轉夾頭2之側面經退避至下方之退避位置(下位置)。藉此，解除用永久磁鐵27對向於銷驅動用永久磁鐵56，可動銷12係保持於開啟位置。又，由於經被飛濺護罩4之下導引部23保持之護罩側永久磁鐵25係自旋轉台7於下方距離很遠，因此，作用於護罩側永久磁鐵25與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁斥力為小。因此，保護圓盤15係位於接近旋轉台7之上面之下位置。藉此，於藉由保持銷10之基板保持高度與保護圓盤15 之上面之間確保著基板保持手部45可以進入之充份空間。
基板保持手部45係在保持著基板W於較保持銷10之上端更高之位置之狀態下，將該基板W搬送至旋轉夾頭2之上方。此後，基板保持手部45係朝旋轉台7之上面而下降。在其過程中，基板W係自基板保持手部45被遞交保持銷10。基板保持手部45係下降至基板W之下面與保護圓盤15之間之空間，此後，通過保持銷10，朝旋轉夾頭2之側面退避而去。
其次，控制裝置40係控制護罩驅動機構5，使飛濺護罩上昇至處理位置(步驟S2)。藉此，藉由上導引部23及下導引部24所被區域劃分之處理液口24則對向於旋轉夾頭2之側面，更具體地係為對向於基板W之側面。又，經被保持於下導引部23之內側緣之圓環狀護罩側永久磁鐵25則對向於銷驅動用永久磁鐵56。藉此，可動銷12則被驅動自開啟位置朝保持位置，而保持於其保持位置。如此，藉由固定銷11與可動銷12握持著基板W。更進一步，又在飛濺護罩4朝處理位置上昇之過程中，護罩側永久磁鐵25自下方接近至保護圓盤側永久磁鐵60，其等之永久磁鐵25、60之間之距離變縮小，對應與此，作用於其等之間之磁斥力變大。藉此磁斥力，保護圓盤15自旋轉台7之上面向基板W浮起。然後，在飛濺護罩4到達處理位置之前，保護圓盤15則到達隔著微小間隔而接近基板W之下面之接近位置， 且形成於導軸17下端之凸緣20則抵接於線性軸承18。藉此，保護圓盤15係被保持於上述之接近位置。
在此狀態之下，控制裝置40係開啟惰性氣體閥73，開始惰性氣體之供給(步驟S3)。所被供給之惰性氣體係自惰性氣體供給管70之上端吐出，藉由整流構件86等之作用，朝向位於接近位置之保護圓盤15與基板W之下面之間之狹窄空間，以旋轉軸線6為中心之呈放射狀被吹出。進而，此惰性氣體係藉由於形成在保護圓盤15之周緣部之縮流部90與基板W之下面之周緣部之間被形成之孔口(orifice)而被加速，形成向基板W側面高速吹出之氣流。
控制裝置40係又控制旋轉驅動機構3，開始旋轉台7之旋轉，藉此，使基板W繞旋轉軸線6周圍旋轉(步驟S4)。旋轉速度係例如可為100 rpm。於其狀態之下，控制裝置40係開啟處理液閥34。藉此，自處理液噴嘴31向基板W上面供給處理液(步驟S5)。被供給之處理液係在基板W上面受到離心力，而朝向其外側擴展，至基板W之表面之全區域。藉由離心力自基板W向外被排出之處理液係藉由飛濺護罩4被收納而排出。另一方面，控制裝置40係藉由控制臂部驅動機構38來實行藉由刷具洗淨機構35之基板W之上面之擦拭洗淨(步驟S6)。因此，成為於對基板W之上面，一方面供給處理液，一方面進行利用洗淨刷36之擦拭洗淨。
在如此種基板處理之期間內，基板W之下面係成為藉由 保護圓盤15而被覆蓋之狀態。並且，於保護圓盤15與基板W之下面之間之空間內形成朝向外側之惰性氣體氣流，而此惰性氣體高速地向外被吹出。因此，即使處理液之霧氣分散於旋轉夾頭2之周邊，仍可迴避或抑制此種霧氣附着於基板W之下面，因此，不對基板W之下面施以背面沖洗(backside rinse)等處理，仍可以保持著其乾燥狀態，一方面迴避或抑制處理液之霧氣附着於基板W之下面，一方面實行對基板W上面之選擇性之擦拭洗淨處理。
在此種擦拭洗淨之後，控制裝置40係控制臂部驅動機構38，使洗淨刷36從旋轉夾頭2之上方朝其側面退避，並關閉處理液閥34，停止自處理液噴嘴31吐出處理液(步驟S7)。進而，控制裝置40係藉由控制旋轉驅動機構3，加速旋轉台7之旋轉速度。藉此，根據藉由離心力甩掉基板W之上面及周端面之液滴，來實行使基板W乾燥之旋轉乾燥處理(步驟S8)。此旋轉乾燥處理時之基板W之旋轉速度係例如為1500~3000 rpm。
僅用預定之時間內進行旋轉乾燥之後，控制裝置40係控制旋轉驅動機構3，停止基板W之旋轉(步驟S9)。進而，控制裝置40係關閉惰性氣體閥73，停止惰性氣體之供給(步驟S10)。然後，控制裝置40係藉由控制護罩驅動機構5，使飛濺護罩4下降至下方之退避位置(步驟S11)。飛濺護罩4在下降之過程中，護罩側永久磁鐵25與保護圓盤側永久 磁鐵60之間之距離擴大，其等之間之磁斥力減少。隨之，保護圓盤15係一面利用其本身之重量，一方面藉由導引機構19導引，一方面朝向旋轉台7之上面下降。藉此，於保護圓盤15之上面與基板W之下面之間被確保著僅能使基板搬送機器人之基板保持手部45進入之空間。另一方面，由於護罩側永久磁鐵25係成為不對向於銷驅動用永久磁鐵56，因此失去朝向保持位置增能可動銷12之外力。取而代之，藉由解除用永久磁鐵27對向於銷驅動用永久磁鐵56，可動銷12係成為被朝向開啟位置增能。藉此，解除基板W之握持。
其次，控制裝置40係控制基板搬送機器人，使基板保持手部45進入被確保於保護圓盤15與基板W之下面之間之空間。然後，基板保持手部45係舀取被保持銷10保持之基板W，此後，朝向旋轉夾頭2之側面退避。如此，搬出處理完成之基板W(步驟S12)。
根據如以上之本實施形態，經被飛濺護罩4保持之護罩側永久磁鐵25係形成為與旋轉軸線6同軸之圓環狀，因此，於旋轉台7之旋轉中，始終對向於銷驅動用永久磁鐵56，且持續地對保護圓盤側永久磁鐵60供給充份之磁斥力。藉此，於旋轉台7之旋轉中，可在非接觸狀態下自經被配置於非旋轉系統之護罩側永久磁鐵25來提供使可動銷12朝向保持位置增能之外力，以及用來保持保護圓盤15接近於基板 W之下面之接近位置之外力。並且，由於並非利用旋轉台7之旋轉而獲得驅動力之構造，因此，即使如在擦拭洗淨處理步驟而基板W低速旋轉時，又例如即使基板W之旋轉在停止時，可動銷12仍可發揮充份之基板保持力，且保護圓盤15確實地被保持於接近位置。因此，一方面可以確實地迴避或抑制處理液之霧氣附着於基板W之下面，一方面進行對基板W之上面之處理。
又，在本實施形態中，成為使保護圓盤15浮起於旋轉台7之上方之磁氣浮起機構41及用以驅動可動銷12之磁氣驅動機構42共同利用經被飛濺護罩4保持之護罩側永久磁鐵25之構造。因此，可以共用用以昇降飛濺護罩4之護罩驅動機構5來作為磁氣浮起機構41及磁氣驅動機構42之驅動源，藉此，可以顯著地簡化構成。進而，又由於磁氣浮起機構41及磁氣驅動機構42係並不是將驅動單元組裝入與旋轉台7一起旋轉之旋轉系統之構成，因而，此等之構成亦為簡單，藉其可更簡化基板處理裝置1之構成。進而，又由於磁氣浮起機構41及磁氣驅動機構42係使用磁力，用非接觸之方式自非旋轉系統向旋轉系統傳達驅動力之構成，因此在旋轉台7旋轉時，在驅動力傳輸路徑中不會產生摩擦接觸。藉此，可以減低微粒之產生，實現高清淨度之基板處理。
進而，又由於在本實施形態中，惰性氣體被供給至位於接近位置之保護圓盤15與基板W之下面之間之空間，因此， 可更有效果地迴避或抑制處理液之霧氣於附著至基板W之下面。而且，由於藉由整流構件86等之作用，自旋轉軸線6朝向基板W之外周緣呈放射狀地吹出惰性氣體，因此，可在基板W之下面與保護圓盤15之間形成惰性氣體之安定向外氣流。藉此，亦可更有效果地迴避或抑制處理液之霧氣於附著至基板W之下面。然後，又在保護圓盤15之外周緣設置有縮流部90，在基板W之外周緣附近可以形成高速向外之惰性氣體之氣流。藉此，可以更有效果地迴避或抑制處理液之霧氣進入至保護圓盤15與基板W之下面之間之空間。
圖7係用以說明與本發明之第2實施形態相關之基板處理裝置102之構成之圖解式之剖視圖。在圖7中，於圖1之各部之對應部分標示相同參考符號。在第1實施形態中，雖然兼用用以昇降飛濺護罩4之護罩驅動機構5來作為用於磁氣浮起機構41及磁氣驅動機構42之驅動源，而在第2實施形態中，設置有用於磁氣浮起機構41之專用驅動源。
亦即，在此第2實施形態中，磁氣浮起機構41係包含有保護圓盤側永久磁鐵60、圓盤昇降用永久磁鐵64及昇降致動器65。圓盤昇降用永久磁鐵64係以旋轉軸線6為中心沿水面配置之圓環狀之永久磁鐵片，具有自下方對向於保護圓盤側永久磁鐵60之圓環狀磁極。其磁極之極性係與保護圓盤側永久磁鐵60之下側之磁極相同之磁性。因此，圓盤昇 降用永久磁鐵64係對於保護圓盤側永久磁鐵60產生向上之磁斥力之作用。圓盤昇降用永久磁鐵64係內藏且保持於圓環狀磁鐵保持構件66內。昇降致動器65之作動軸65a結合於磁鐵保持構件66。
昇降致動器65係例如由氣壓缸，使作動軸65a沿平行於旋轉軸線6之方向上下移動之方式而構成。昇降致動器65之動作係藉由控制裝置40來控制。藉此，昇降致動器65係可以配置圓盤昇降用永久磁鐵64於上位置及下位置。下位置係圓盤昇降用永久磁鐵64位在遠離旋轉台7之下方，於圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間以確保有如其，等之間之磁斥力較作用於保護圓盤15之重力為小之充份之距離之方式而設定。上位置係被設定在較下位置更上方之位置，藉由圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁斥力，使經結合於磁鐵保持構件61之保護圓盤15上昇至接近基板W之下面之接近位置(處理高度)之位置。
因此，使昇降致動器65產生作動而將圓盤昇降用永久磁鐵64自下位置上昇至上位置時，於其過程中，圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁斥力超過作用於保護圓盤15之重力及其他之上昇阻力(摩擦力等)。藉此，保護圓盤15自旋轉台7之上面浮起，上昇至接近基板W之下面之接近位置(處理高度)。保護圓盤15之上昇係藉 由經設置於導軸17下端之凸緣20抵接至線性軸承18之下端，而被限制。另一方面，當使昇降致動器65產生作動而將圓盤昇降用永久磁鐵64自上位置下降至下位置時，於其過程中，作用於保護圓盤15之重力超過圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁斥力及其他之下降阻力(摩擦力等)。藉此，保護圓盤15自接近基板W之下面之接近位置下降，而到達旋轉台7。
如此，在第2實施形態中，磁氣浮起機構41係具有專用之圓盤昇降用永久磁鐵64及使其上下移動之專用之昇降致動器65。藉此，可以使保護圓盤15之上下移動自飛濺護罩4之昇降動作及可動銷12之驅動而獨立出來。因此，例如於飛濺護罩4設置有沿上下方向被疊層之複數處理液口，在對應處理液之種類切換使用處理液口之情況下，變成可以與處理液口之切換無關，保持保護圓盤15於保持位置。
圖8係用以說明與本發明之第3實施形態相關之基板處理裝置103之構成之圖解式之剖視圖。在圖8中，於圖7之各部之對應部分標示相同參考符號。在本第3實施形態中，亦如同第2實施形態，設置有用於磁氣浮起機構41之專用之驅動源。
亦即，在本第3實施形態中，磁氣浮起機構41係包含有保護圓盤側永久磁鐵60、圓盤昇降用永久磁鐵64及昇降致動器111。圓盤昇降用永久磁鐵64係為以旋轉軸線6為中 心，沿水平面經被配置之圓環狀之永久磁鐵片，且具有自下方對向於保護圓盤側永久磁鐵60之圓環狀之磁極。其磁極之極性係與保護圓盤側永久磁鐵60下側之磁極相同之極性。因此，圓盤昇降用永久磁鐵64係對於保護圓盤側永久磁鐵60產生向上之磁斥力之作用。圓盤昇降用永久磁鐵64係內藏且保持於圓環狀磁鐵保持構件66內。昇降致動器111之作動構件111a結合於磁鐵保持構件66。
昇降致動器111係包含有滾珠螺桿機構112及電動馬達113，使作動構件111a沿平行於旋轉軸線6之方向上下移動之方式而構成。滾珠螺桿機構112係包含有沿平行於旋轉軸線6之上下方向而配置之螺旋軸114，以及經螺合於螺旋軸114之滾珠螺帽115，作動構件111a結合於滾珠螺帽115。螺旋軸114之上端係被軸承116支持著，螺旋軸114之下端係經由聯結器117，結合於電動馬達113之驅動軸113a。於電動馬達113附設有檢測其驅動軸113a之旋轉位置之旋轉位置檢測單元118。旋轉位置檢測單元118係例如包含旋轉編碼器，其輸出信號被輸入至控制裝置40。
昇降致動器111之動作，更具體地，電動馬達113之動作係藉由控制裝置40來被控制。藉此，昇降致動器111係能配置圓盤昇降用永久磁鐵64於上位置與下位置之間之任意高度。下位置係圓盤昇降用永久磁鐵64位在遠離旋轉台7之下方，於圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵 60之間以確保有如其等之間之磁斥力較作用於保護圓盤15之重力為小之充份之距離之方式而設定。上位置係被設定在較下位置更上方之位置，藉由圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁斥力，使結合於磁鐵保持構件61之保護圓盤15上昇至接近基板W之下面之接近位置(處理高度)之位置。
因此，當使昇降致動器111產生作動，將圓盤昇降用永久磁鐵64自下位置上昇至上位置時，於其過程中，圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁斥力超過作用於保護圓盤15之重力及其他之上昇阻力(摩擦力等)，藉此，保護圓盤15自旋轉台7之上面浮起，上昇至接近基板W之下面之接近位置(處理高度)。保護圓盤15之上昇係藉由經設置於導軸17下端之凸緣20抵接至線性軸承18之下端，而被限制。另一方面，當使昇降致動器111產生作動而將圓盤昇降用永久磁鐵64自上位置下降至下位置時，於其過程中，作用於保護圓盤15之重力超過圓盤昇降用永久磁鐵64與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁斥力及其他下降阻力(摩擦力等)。藉此，保護圓盤15自接近基板W之下面之接近位置下降，而到達旋轉台7。
昇降致動器111係由利用滾珠螺桿112等而構成，因此，亦可控制圓盤昇降用永久磁鐵64之位置於如上述之上位置與下位置之間之任意之中間位置。更具體地，控制裝置40 係藉由參考旋轉位置檢測單元118之輸出信號，檢測出電動馬達113之驅動軸113a之旋轉位置，根據其旋轉位置，間接地檢測出圓盤昇降用永久磁鐵64之高度。藉此，控制裝置40係可控制圓盤昇降用永久磁鐵64之高度控制於上位置與下位置之間之任意之高度。藉此，不僅可以控制保護圓盤15之位置於上下二個位置，還可以控制於旋轉台7與在旋轉夾頭2上之基板保持高度之間之任意之高度位置。
控制裝置40係亦可對應於對基板W之處理內容以變更保護圓盤15之高度之方法而加以程式化。例如，當藉由洗淨刷36擦拭洗淨基板W之上面時，基板W彎曲至下方。因此，控制裝置40係亦可使保護圓盤15自旋轉台7浮起，且配置於以基板W彎曲至下方時仍不接觸到保護圓盤15之方式而設定之擦拭洗淨高度。亦即，控制裝置40係亦可以保護圓盤15達到此種高度之方式來控制昇降致動器111。另一方面，對於基板W只供給藥液、沖洗液而不進行擦拭洗淨之液體處理及使基板W旋轉而用掉液體成份之旋轉乾燥處理時，基板W不會大幅度地彎曲至下方。因此，控制裝置係亦可配置保護圓盤15於較擦拭洗淨高度更上方處，控制昇降致動器111來縮小保護圓盤15與基板W之下面之距離。藉此，可更確實地防止處理液之霧氣侵入至基板W之下面。
如此，即使在第3實施形態中，磁氣浮起機構41係仍具 有專用之圓盤昇降用永久磁鐵64，以及使其上下移動之專用之昇降致動器111。藉此，可以使保護圓盤15之上下移動自飛濺護罩4之昇降動作及可動銷12之驅動而獨立出來。而且再加上，由於昇降致動器111係以可以控制保護圓盤15於旋轉台7與基板保持高度間之任意高度之方式而構成，因此可以對應於處理內容等，適當地加以調整保護圓盤15與基板W之下面之空間。
圖9係用以說明與本發明第4實施形態相關之基板處理裝置104之構成之圖解式之剖視圖。在圖9中，於圖8之各部之對應部分標示相同參考符號。
在本實施形態中，除了加上圓盤昇降用永久磁鐵64(以下稱為「第1圓盤昇降用永久磁鐵64」)，並設置有自位於保護圓盤側永久磁鐵60上方且對向之第2圓盤昇降用永久磁鐵67。亦即，保護圓盤側永久磁鐵60係藉由第1及第2圓盤昇降用永久磁鐵64、67從上下被夾著。第2圓盤昇降用永久磁鐵67係以旋轉軸線6為中心沿水平面配置之圓環狀永久磁鐵片，對於保護圓盤側永久磁鐵60具有自上方對向之圓環狀磁極。其磁極之極性係與保護圓盤側永久磁鐵60之上側之磁極相同之極性。因此，第2圓盤昇降用永久磁鐵67係對保護圓盤側永久磁鐵60產生向下之磁斥力之作用。因此，保護圓盤側永久磁鐵60係自下方接受到來自第1圓盤昇降用永久磁鐵64之向上之磁斥力，自上方接受到來自 第2圓盤昇降用永久磁鐵67之向下之磁斥力。而且，保護圓盤側永久磁鐵60係在其等之磁斥力及作用於保護圓盤15等之重力等為均衡之位置，以非接觸之方式保持於第1與第2圓盤昇降用永久磁鐵64、67之間。
第1及第2圓盤昇降用永久磁鐵64、67係內藏且保持於圓環狀磁鐵保持構件68內。昇降致動器111之作動構件111a結合於磁鐵保持構件68。磁鐵保持構件68係以正交於圓周方向之剖面成為橫向U字形(在本實施形態中為朝向外側之U字形)之方式而構成，包含有保持第1圓盤昇降用永久磁鐵64之圓環狀之下保持部68a、保持第2圓盤昇降用永久磁鐵67之圓環狀之上保持部68b以及結合此等部之內側緣之圓筒狀之連結筒部68c。於下保持部68a與上保持部68b之間，在連結筒部68c之外側形成用以收容保護圓盤側永久磁鐵60之空間。磁鐵保持構件61之前端部61a自旋轉半徑方向外側插入此空間內。
在本實施形態中，磁鐵保持構件61係具有自保護圓盤15垂下之下垂部61b、以及自其下端以接近旋轉軸線6之方式向內側延伸之前端部61a，形成呈大致L字狀。保護圓盤側永久磁鐵60埋設於其前端部61a。
由於第1及第2圓盤昇降用永久磁鐵64、67係均具有圓環狀之磁極，因此即使旋轉夾頭2位於任何旋轉位置，保護圓盤側永久磁鐵60也可接受到來自第1及第2圓盤昇降用 永久磁鐵64、67之磁力，在非接觸狀態下保持於其等之間。
藉由如此種之構造，可實現與第3實施形態相同之作用效果。另外，由於保護圓盤側永久磁鐵60自上下接受到磁斥力，因此，可正確地控制其上下位置。藉此，可以提高保護圓盤15之位置控制精度，可以更進一步抑制處理液之霧氣等附著至基板W之下面。
圖10係用以說明與本發明第5實施形態相關之基板處理裝置105之構成之圖解式之剖視圖。在圖10中，於圖7之各部之對應部分標示相同參考符號。在第5實施形態中，亦如同第2實施形態，設置有用於磁氣浮起機構41之專用之驅動源。
亦即，在第5實施形態中，磁氣浮起機構41係包含保護圓盤側永久磁鐵60、圓盤昇降用永久磁鐵97及高度控制用電磁鐵裝置98。
圓盤昇降用永久磁鐵97係具有以旋轉軸線6為中心沿水平面配置之圓環狀磁極97a，此圓環狀磁極97a自下方對向於保護圓盤側永久磁鐵60。當通上第1方向之電流至圓盤昇降用永久磁鐵97而激磁時，於磁極97a出現與保護圓盤側永久磁鐵60之下側之磁極相同之極性之磁極。又當通上與第1方向相反之第2方向之電流至圓盤昇降用永久磁鐵97而激磁時，於磁極97a出現與保護圓盤側永久磁鐵60之下側之磁極相異之極性之磁極。因此，當圓盤昇降用永久磁 鐵97係通上第1方向之電流時，對保護圓盤側永久磁鐵60產生朝向上之磁斥力之作用。又，當圓盤昇降用永久磁鐵97係通上第2方向之電流時，對保護圓盤側永久磁鐵60產生朝向下之磁斥力之作用。如通電停止，則此等之磁力則消失。
因此，在通上第2方向之電流至高度控制用電磁鐵裝置97之狀態下，或不通上電流至圓盤昇降用永久磁鐵97之狀態下，保護圓盤15被控制在接近旋轉台7之下位置。另一方面，當通上第1方向之電流至圓盤昇降用永久磁鐵97時，可以藉由磁極97a與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁斥力使保護圓盤15朝旋轉台7之上方浮起。對圓盤昇降用永久磁鐵97之通電藉由控制裝置40來控制。
高度控制用電磁鐵裝置98係具有複數之電磁鐵單元U1、U2、U3…，其分別具有以旋轉軸線6為中心沿水平面配置之圓環狀之磁極m1、m2、m3…。磁極m1、m2、m3...係在將具有彼此相等之半徑之圓筒狀之磁極面朝向外側(與旋轉軸線6相反之方向)之狀態下，以等間隔之方式沿與旋轉軸線6平行之上下方向排列著。更具體地，磁極m1、m2、m3…係以沿著藉由保護圓盤側永久磁鐵60上下移動及旋轉運動所通過之圓筒狀之通過區域，而不與磁鐵保持構件61相干涉，並可對保護圓盤側永久磁鐵60施加磁力之方式而配置。在圖10之構成例中，雖然磁極m1、m2、m3…配置 於保護圓盤側永久磁鐵60之通過區域之內側，但磁極m1、m2、m3…配置於該通過區域之外側也不妨礙。又，磁極m1、m2、m3…也可分開配置於保護圓盤側永久磁鐵60之通過區域之內側及外側。
電磁鐵單元U1、U2、U3…係分別以藉由通上朝一方向之電流，於磁極m1、m2、m3…出現一側之極性之磁力，藉由通上朝另一方向之電流，於磁極m1、m2、m3…出現另一側之極性之磁力之方式而構成。藉此，在各磁極m1、m2、m3…與保護圓盤側永久磁鐵60之間對應於對各電磁鐵單元U1、U2、U3…之通電方向及保護圓盤側永久磁鐵60之高度位置，磁吸力(引力)或磁斥力(斥力)而產生作用。其等之磁力之大小係依存於通電之電流之大小。
因此，藉由控制(位相控制)對各電磁鐵單元U1、U2、U3…之通電方向及電流之大小，可控制保護圓盤側永久磁鐵60之高度位置。亦即，控制裝置40係藉由控制對電磁鐵單元U1、U2、U3…之通電，可以控制保護圓盤側永久磁鐵60之高度，亦即保護圓盤15之高度。
控制裝置40係使保護圓盤15自旋轉台7浮起，在控制其高度時，於圓盤昇降用永久磁鐵97通上第1方向之電流，且對應於控制目標高度，控制對電磁鐵單元U1、U2、U3…之通電。藉此，可以將保護圓盤15配置於旋轉台7與基板保持高度之間之控制目標高度。因此，如與第3實施形態之 情形相同，例如，可以配置保護圓盤15在對應於處理內容之適當高度。
且，若控制通電至圓盤昇降用永久磁鐵97之電流之大小，即可控制其磁極97a與保護圓盤側永久磁鐵60之間之磁斥力之大小。對此加以利用，可控制保護圓盤側永久磁鐵60之高度，亦即，保護圓盤15之高度。那麼，亦可省略高度控制用電磁鐵裝置98，而藉由對圓盤昇降用永久磁鐵97之通電控制，來控制保護圓盤15之高度。
圖11係用以檢測保護圓盤15之位置之構成例之圖式。在此構成例中，設置有光電感測器121，用以檢測保護圓盤15是否位於旋轉台7上之下位置。光電感測器121之輸出信號係輸入至控制裝置40。光電感測器121係配置於旋轉台7之側面，其檢測光軸121a以沿著一致於保護圓盤15之下位置之水平面之方式來被調整。當保護圓盤15位於下位置時，光電感測器121之檢測光軸121a與保護圓盤15相重疊。因此，可以藉由檢出保護圓盤15之光線之遮斷或光線之反射，檢測出保護圓盤15位於下位置。藉此，控制裝置40可以確認保護圓盤15是否位於下位置，藉其，可以進行磁氣浮起機構41之動作確認。
圖12係用以檢測保護圓盤15之位置之另一構成例之圖式。在此構成例中，設置有線感測器122，其用以檢測保護圓盤15之在旋轉台7上之高度。線感測器122之輸出信號 係輸入至控制裝置40。線感測器122係為具有複數之光軸a1、a2、a3…之多光軸型之線感測器，且其等之複數之光軸a1、a2、a3…以位於不同之高度之方式來設定。亦即，複數光軸a1、a2、a3…係相互平行，也均沿著水平面，在旋轉台7之上面與基板保持高度之間，以一致於保護圓盤15之不同高度位置之方式來配置。因此，對應於保護圓盤15之高度，任一之光軸a1、a2、a3…與保護圓盤15相重疊。因此，藉由檢測出通過各光軸之光線為保護圓盤15所遮斷，或通過該光軸之光線為保護圓盤15所反射，可以檢測出保護圓盤15之高度。藉此，控制裝置40係獲得有關保護圓盤15之高度之資訊，可以進行磁氣浮起機構41之動作確認或其控制。
圖13係用以檢測保護圓盤15之位置之又另一構成例之圖式。在此構成例中，設置有攝影機123，其用以檢測保護圓盤15之在旋轉台7上之高度。攝影機123所輸出之映像信號係輸入至控制裝置40。攝影機123係以自旋轉夾頭2之側面拍攝旋轉台7與基板保持高度之間之區域之方式來配置。因此，保護圓盤15包含於其拍攝區域中。控制裝置40係藉由處理攝影機123所輸出之映像信號，演算保護圓盤15之高度。藉此，控制裝置40係獲得有關保護圓盤15之高度之資訊，可以進行磁氣浮起機構41之動作確認或其控制。
圖14係用以檢測保護圓盤15之位置之又另一構成例之圖式。在此構成例中，設置有距離感測器124，其用以檢測出保護圓盤15之在旋轉台7上之高度。距離感測器124之輸出信號係輸入控制裝置40。在圖14之構成例中，距離感測器124係配置於磁鐵保持構件61之下方，以檢測出至此磁鐵保持構件61之距離之方式來構成。由於磁鐵保持構件61係結合於保護圓盤15，因此，藉由距離感測器124所檢測出之距離係對應於保護圓盤15之在旋轉台7上之高度。距離感測器124係亦可以產生如探查超音波、探查光之探查信號，檢測出藉由磁鐵保持構件61所經被反射之該探查信號，來計測距離之方式所構成。控制裝置40係可根據距離感測器124之輸出信號，獲得有關保護圓盤15之高度之資訊，藉其，可以進行磁氣浮起機構41之動作確認或其控制。
以上雖然對本發明之實施形態加以說明，本發明卻亦可進一步以其他之形態來實施。例如，如圖4中之二點鏈線所示，作為自側面覆蓋基板W之下面與旋轉台7之間之空間之構件之裙部93亦可被固定於保護圓盤15之周緣部。裙部93係沿保護圓盤15之周緣部之圓環狀而形成，與其圓周方向正交之剖面形成大致呈橫向之L字狀。更具體地，裙部93係具有沿裙部93之下面朝向水平延伸之水平部94，以及自水平部94在旋轉台7之外側垂直地垂下之下垂部95。裙部93係在保護圓盤15位於接近位置時，自側面覆蓋保護圓 盤15之下面與旋轉台7之間之空間，來抑制周圍之空氣被捲入此空間內。藉此，旋轉夾頭2之周邊之氣流形成穩定，因此可以進行更高品質之基板處理。當保護圓盤15位於下位置時，裙部93與保護圓盤15一起退避至下方，保護圓盤15之上面與藉由保持銷10之基板保持高度之間之空間係於側面敞開著。因此，可以使基板保持手部45進入該空間，進行基板W之搬入/搬出。
又，在上述之實施形態中，雖然兼用用以昇降飛濺護罩4之護罩驅動機構5作為用於磁氣驅動機構42之驅動源，亦可另外設置用於磁氣驅動機構42之驅動源。
又，在上述之實施形態中，雖然設置有藉由磁力驅動可動銷12之磁氣驅動機構42，亦可將用以驅動可動銷12之驅動機構組裝至旋轉台7。又，在上述之實施形態中，雖然供給惰性氣體至保護圓盤15與基板W之下面之間之空間，亦可省略此種之惰性氣體之供給。
又，在上述之動作例中，雖然在停止基板之旋轉後，停止惰性氣體之供給，但在開始旋轉乾燥之同時，同時停止惰性氣體之供給也不妨礙。
又，在上述之動作例中，雖然說明藉由洗淨刷擦拭洗淨基板W之上面之例子，取代使用洗淨刷，對於藉由雙流體噴嘴供給液滴之噴流至基板W之表面而洗淨基板W之上面之構成亦可適用於本發明。此外，對於供給經施加超音波之處 理液基板表面之超音波洗淨、供給經加壓處理液之高速液流至基板表面而進行基板之洗淨之高壓噴射洗淨等之基板處理亦可適用於本發明。除了洗淨處理之外，對塗佈光阻劑於基板之表面之塗佈處理、供給顯影液至曝光後之光阻膜之顯影處理亦可適用於本發明。
進而，又在上述之實施形態中，雖然對有關利用永久磁鐵同類之吸引力來驅動可動銷12之構成加以進行說明，惟例如，取代銷驅動用永久磁鐵56，即使配置未經磁化之磁性體於相對於可動銷12之旋轉軸線12a偏離中心之位置，仍可產生相同之動作。又，藉由配置永久磁鐵於相對於可動銷12之旋轉軸線12a偏離中心之位置，同時分别配置未經磁化之磁性體於對應於護罩側永久磁鐵25及解除用永久磁鐵27之位置，仍可產生相同之動作。
進而，在上述之實施形態中，雖然將護罩側永久磁鐵25之磁極方向作為水平方向，惟這是一個例子，亦可將護罩側永久磁鐵25之磁極方向作為垂直方向，磁極方向亦可相對於水平面成為傾斜。
又，在上述之實施形態中，說明旋轉夾頭2之旋轉台7配置於一定之高度，而飛濺護罩4沿旋轉軸線6上下移動之構成。然而，亦可藉由固定著飛濺護罩4，使旋轉夾頭2上下移動，來產生相同之動作。進而，又亦可藉由使旋轉夾頭2及飛濺護罩4之兩者上下移動，來產生相同之動作。
雖然對有關本發明之實施形態詳細地加以說明，惟此等係只不過是用來使本發明之技術內容清晰明瞭，本發明係不得應該被解釋為限定於此等之具體例，本發明之範疇係僅藉由所附申請專利範圍來加以限定。
本申請案係對應於2011年12月19日向日本特許廳所提出之特願2011-277402號及2012年3月28日向日本特許廳所提出之特願2012-74620號，本申請案之全部揭露係作為藉由引用至本案而加以被組合者。
1‧‧‧基板處理裝置(第1實施形態)
2‧‧‧旋轉夾頭
3‧‧‧旋轉驅動機構
4‧‧‧飛濺護罩(接受構件)
5‧‧‧護罩驅動機構
6‧‧‧旋轉軸線
7‧‧‧旋轉台
8‧‧‧旋轉軸
9‧‧‧凸座
10‧‧‧保持銷(保持構件)
11‧‧‧固定銷
12‧‧‧可動銷
12a‧‧‧旋轉軸線
15‧‧‧保護圓盤
15a‧‧‧梯級部
16‧‧‧切口
17‧‧‧導軸
18‧‧‧線性軸承
19‧‧‧導引機構
20‧‧‧凸緣(限制構件)
21‧‧‧圓筒部
22‧‧‧上導引部
23‧‧‧下導引部
24‧‧‧處理液口
25‧‧‧護罩側永久磁鐵
26‧‧‧磁鐵保持部
27‧‧‧解除用永久磁鐵
28‧‧‧磁鐵保持部
30‧‧‧處理液供給單元
31‧‧‧處理液噴嘴
32‧‧‧處理液供給源
33‧‧‧處理液供給管
34‧‧‧處理液閥
35‧‧‧刷具洗淨機構
36‧‧‧洗淨刷
37‧‧‧搖動臂
38‧‧‧臂部驅動機構
40‧‧‧控制裝置
41‧‧‧磁氣浮起機構
42‧‧‧磁氣驅動機構
45‧‧‧基板保持手部
51‧‧‧下軸部
52‧‧‧上軸部
53‧‧‧錐面
54‧‧‧軸承
55‧‧‧支持軸
56‧‧‧銷驅動用永久磁鐵
57‧‧‧磁鐵保持構件
60‧‧‧保護圓盤側永久磁鐵
61‧‧‧磁鐵保持構件
61a‧‧‧前端部
61b‧‧‧下垂部
62‧‧‧貫穿孔
64‧‧‧圓盤昇降用永久磁鐵
65‧‧‧昇降致動器
65a‧‧‧作動軸
66‧‧‧磁鐵保持構件
67‧‧‧圓盤昇降用永久磁鐵
68‧‧‧磁鐵保持構件
68a‧‧‧下保持部
68b‧‧‧上保持部
68c‧‧‧連結筒部
70‧‧‧惰性氣體供給管
71‧‧‧惰性氣體供給源
72‧‧‧惰性氣體供給路
73‧‧‧惰性氣體閥
74‧‧‧惰性氣體供給單元
75‧‧‧軸承機構
76‧‧‧凹處
77‧‧‧間隔件
78‧‧‧軸承
79‧‧‧磁性流體軸承
81‧‧‧凸緣
82‧‧‧流路
83‧‧‧傾斜面
84‧‧‧蓋
84a‧‧‧凸緣
85‧‧‧凹處
86‧‧‧整流構件
87‧‧‧腳部
88‧‧‧底面
89‧‧‧傾斜面
90‧‧‧縮流部
93‧‧‧裙部
94‧‧‧水平部
95‧‧‧下垂部
97‧‧‧圓盤昇降用永久磁鐵
97a‧‧‧磁極
98‧‧‧高度控制用電磁鐵裝置
U1、U2、U3…‧‧‧電磁鐵單元
m1、m2、m3…‧‧‧磁極
102‧‧‧基板處理裝置(第2實施形態)
103‧‧‧基板處理裝置(第3實施形態)
104‧‧‧基板處理裝置(第4實施形態)
105‧‧‧基板處理裝置(第5實施形態)
111‧‧‧昇降致動器
111a‧‧‧作動構件
112‧‧‧滾珠螺桿機構
113‧‧‧電動馬達
113a‧‧‧驅動軸
114‧‧‧螺旋軸
115‧‧‧滾珠螺帽
116‧‧‧軸承
117‧‧‧聯結器
118‧‧‧旋轉位置檢測單元
121‧‧‧光電感測器
121a‧‧‧檢測光軸
123‧‧‧攝影機
124‧‧‧距離感測器
a1、a2、a3…‧‧‧光軸
W‧‧‧基板
圖1係為用以說明與本發明之第1實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。
圖2係為用以說明上述基板處理裝置所具備之旋轉夾頭之更具體的構成之俯視圖。
圖3係為圖2之構成之仰視圖。
圖4係為自圖2之剖面線IV-IV所視之剖面圖。
圖4A係為放大且表示圖4之構成之一部分之放大剖面圖。
圖5係為放大且顯示旋轉夾頭所具備之可動銷之附近之構成之剖面圖。
圖6係為用以說明上述基板處理裝置之動作例之流程圖。
圖7係用以說明與本發明之第2實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。
圖8係用以說明與本發明之第3實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。
圖9係用以說明與本發明之第4實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。
圖10係用以說明與本發明之第5實施形態相關之基板處理裝置之構成之圖解式之剖視圖。
圖11係用以檢測保護圓盤之位置之構成例之圖式。
圖12係用以檢測保護圓盤之位置之另一構成例之圖式。
圖13係用以檢測保護圓盤之位置之又另一構成例之圖式。
圖14係用以檢測保護圓盤之位置之又另一構成例之圖式。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧旋轉夾頭
3‧‧‧旋轉驅動機構
4‧‧‧飛濺護罩(接受構件)
5‧‧‧護罩驅動機構
6‧‧‧旋轉軸線
7‧‧‧旋轉台
8‧‧‧旋轉軸
9‧‧‧凸座
10‧‧‧保持銷(保持構件)
11‧‧‧固定銷
12‧‧‧可動銷
15‧‧‧保護圓盤
17‧‧‧導軸
18‧‧‧線性軸承
19‧‧‧導引機構
20‧‧‧凸緣(限制構件)
21‧‧‧圓筒部
22‧‧‧上導引部
23‧‧‧下導引部
24‧‧‧處理液口
25‧‧‧護罩側永久磁鐵
26‧‧‧磁鐵保持部
27‧‧‧解除用永久磁鐵
28‧‧‧磁鐵保持部
30‧‧‧處理液供給單元
31‧‧‧處理液噴嘴
32‧‧‧處理液供給源
33‧‧‧處理液供給管
34‧‧‧處理液閥
35‧‧‧刷具洗淨機構
36‧‧‧洗淨刷
37‧‧‧搖動臂
38‧‧‧臂部驅動機構
40‧‧‧控制裝置
41‧‧‧磁氣浮起機構
42‧‧‧磁氣驅動機構
45‧‧‧基板保持手部
51‧‧‧下軸部
52‧‧‧上軸部
53‧‧‧錐面
56‧‧‧銷驅動用永久磁鐵
57‧‧‧磁鐵保持構件
60‧‧‧保護圓盤側永久磁鐵
61‧‧‧磁鐵保持構件
70‧‧‧惰氣性體供給管
71‧‧‧惰性氣體供給源
72‧‧‧惰氣氣體供給路
73‧‧‧惰性氣體閥
74‧‧‧惰性氣體供給單元
84‧‧‧蓋
86‧‧‧整流構件
90‧‧‧縮流部
W‧‧‧基板

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，係包含：旋轉台，係可以沿垂直方向之旋轉軸線周圍旋轉；旋轉驅動單元，係使上述旋轉台旋轉；保持構件，係設於上述旋轉台，自上述旋轉台對上方隔著間隔水平地保持基板；保護圓盤，係配置在上述旋轉台與藉由上述保持構件之基板保持位置之間，以下位置與在較下位置更靠近上方且接近於由上述保持構件所保持之基板之下面之接近位置之間，相對於上述旋轉台以可相對地上下移動之方式安裝於上述旋轉台上，並具有與藉由上述保持構件所被保持之基板相同程度之大小；磁氣浮起機構，係包含：第1磁鐵，係被安裝於上述保護圓盤；第2磁鐵，係形成為與上述旋轉軸線同軸之環狀，對於上述第1磁鐵提供斥力；第1支持構件，係在非旋轉狀態下支持上述第2磁鐵；以及第1相對移動機構，係以變化上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之距離之方式使上述第1支持構件與上述旋轉台進行相對移動；藉由該第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之斥力，使上述保護圓盤自上述旋轉台浮起；處理液供給單元，係供給處理液至上述保持構件所保持之基板之上面；及 惰性氣體供給單元，係供給惰性氣體至藉由上述保持構件所保持且旋轉之基板與配置於上述接近位置之上述保護圓盤之間；上述保護圓盤係於上面在藉由上述保持構件所保持之基板之緣部具有縮小上述惰性氣體之流路之縮流部。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述保持構件係包含：可動保持構件，其在保持基板之保持位置與自上述保持位置退避之退避位置之間進行變位；進而包含磁氣驅動機構，包含：第1磁性體，係被安裝於上述可動保持構件；第2磁性體，係形成為與上述旋轉軸線同軸之環狀，在與上述第1磁性體之間產生磁力；第2支持構件，係在非旋轉狀態下支持上述第2磁性體；以及第2相對移動機構，係以變化上述第1磁性體與上述第2磁性體之間之距離之方式，使上述第2支持構件與上述旋轉台進行相對移動；藉由上述第1磁性體與上述第2磁性體之間之磁力，保持上述可動保持構件於上述保持位置。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述第2磁性體係上述第2磁鐵，上述第2支持構件係上述第1支持構件，上述第2相對移動機構係上述第1相對移動機構；上述磁氣驅動機構及上述磁氣浮起機構共有著上述第2磁鐵、上述第1支持構件及上述第1相對移動機構； 當上述第2磁鐵位於既定位置時，藉由上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之斥力，保持上述保護圓盤於上述接近位置，並藉作用於該第2磁鐵與上述第1磁性體之間之磁力，保持上述可動保持構件於上述保持位置。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，進一步包含限制構件，係將上述保護圓盤之朝相對於上述旋轉台之上方之相對移動限制在上述接近位置。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，進一步包含導引機構，係設於上述旋轉台，導引上述保護圓盤之相對上下移動。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，進一步包含側面覆蓋構件，係安裝於上述旋轉台，自側面覆蓋藉由上述保持構件所保持之基板與上述旋轉台之間之空間。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，進一步包含接受構件，係接受自上述處理液供給單元供給至藉由上述保持構件所保持之基板，且自上述基板之表面向上述基板之外側排出之處理液；上述第1支持構件固定於上述接受構件；上述第1相對移動機構係以使上述接受構件與上述旋轉台進行相對移動之方式而構成。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之基板處理裝置，其中，上述惰性氣體供給單元包含惰性氣體噴嘴，係自上述 旋轉台之旋轉中心朝向藉由上述保持構件所保持之基板之周緣部，呈放射狀地吹出惰性氣體。
  9. 一種基板處理方法，包含：保持步驟，係藉由設於可以沿垂直方向之旋轉軸線周圍旋轉之旋轉台之保持構件，水平地保持基板；旋轉步驟，係藉由旋轉上述旋轉台，旋轉藉由上述保持構件所保持之上述基板；下面被覆步驟，係藉由使安裝於上述保護圓盤之第1磁鐵與在非旋轉狀態下設於與上述旋轉軸線同軸之環狀之第2磁鐵接近，利用上述第1磁鐵與上述第2磁鐵之間之斥力，使安裝成可相對於上述旋轉台相對地上下移動並具有與上述基板相同程度之大小且於對向於藉由上述保持構件所保持之基板之緣部之位置之上面具有縮流部之保護圓盤，相對於上述旋轉台相對地浮起至接近上述基板之下面之接近位置，且覆蓋上述基板之下面；處理液供給步驟，係與上述保持步驟及上述旋轉步驟並行，供給處理液至藉由上述保護圓盤而下面被覆蓋之上述基板之上面；惰性氣體供給步驟，係與上述處理液供給步驟並行，將惰性氣體供給至上述旋轉著之基板與被配置於上述接近位置之上述保護圓盤之間；及與上述惰性氣體供給步驟並行，藉由上述縮流部，縮小上 述惰性氣體之流路之步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，上述保持構件包含可動保持構件，其在保持基板之保持位置與自上述保持位置退避之退避位置之間進行變位；上述保持步驟係包含施加磁力至經安裝於上述可動保持構件之磁性體，且保持上述可動保持構件於上述保持位置之步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，上述下面被覆步驟係藉由配置上述第2磁鐵於既定位置，利用該第2磁鐵與上述第1磁鐵之間之斥力，使上述保護圓盤浮起且保持於上述接近位置之步驟；上述保持步驟係藉由配置上述第2磁鐵於既定位置，利用作用於上述第2磁鐵與上述磁性體之間之磁力，保持上述可動保持構件於上述保持位置之步驟。
  12. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，進而包含藉由限制構件，將該保護圓盤之朝相對於上述旋轉台之上方之相對移動限制在上述接近位置之步驟。
  13. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，進而包含以接受構件接受朝向上述旋轉著之上述基板之外側而排出之處理液之步驟；上述第2磁鐵被上述接受構件支持著；上述下面被覆步驟包含使上述接受構件與上述旋轉台接 近之步驟。
  14. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，上述惰性氣體供給步驟係包含自上述旋轉台之旋轉中心朝向藉由上述保持構件所保持之基板之周緣部，呈放射狀地吹出惰性氣體之步驟。
  15. 如申請專利範圍第9至14項中任一項之基板處理方法，其中，進而包含與上述下面被覆步驟並行實行，藉由經安裝於上述旋轉台之側面覆蓋構件，自側面覆蓋藉由上述保持構件所保持之基板與上述旋轉台之間之空間之步驟。
TW101132139A 2011-12-19 2012-09-04 基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置，暨基板處理方法 TWI503913B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011277402 2011-12-19
JP2012074620 2012-03-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201330143A TW201330143A (zh) 2013-07-16
TWI503913B true TWI503913B (zh) 2015-10-11

Family

ID=48588475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101132139A TWI503913B (zh) 2011-12-19 2012-09-04 基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置，暨基板處理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9385020B2 (zh)
JP (1) JP6037439B2 (zh)
KR (1) KR101426999B1 (zh)
CN (1) CN103165495B (zh)
TW (1) TWI503913B (zh)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130309874A1 (en) * 2012-05-15 2013-11-21 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer-shaped articles
JP6143572B2 (ja) * 2013-06-18 2017-06-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
JP6145334B2 (ja) * 2013-06-28 2017-06-07 株式会社荏原製作所 基板処理装置
EP2835178B1 (en) 2013-08-06 2017-04-12 Yantai AusBio Laboratories Co., Ltd. Centrifuge and method for centrifuging a reaction vessel unit
US9947572B2 (en) 2014-03-26 2018-04-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6600470B2 (ja) 2014-04-01 2019-10-30 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び洗浄方法
JP6362466B2 (ja) * 2014-07-24 2018-07-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持検査方法および基板処理装置
US9564378B2 (en) * 2014-12-10 2017-02-07 Tel Fsi, Inc. Detection of lost wafer from spinning chuck
CN105983552B (zh) * 2015-02-15 2019-12-24 盛美半导体设备（上海）有限公司 一种防掉落的半导体清洗装置
JP6674674B2 (ja) * 2015-03-27 2020-04-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持方法および基板処理装置
JP6457334B2 (ja) * 2015-05-13 2019-01-23 株式会社ディスコ 切削装置
JP6660628B2 (ja) * 2015-09-29 2020-03-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
JP6674679B2 (ja) * 2015-09-29 2020-04-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
US9892955B2 (en) 2015-09-29 2018-02-13 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
US10192771B2 (en) 2015-09-29 2019-01-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
CN106239397A (zh) * 2015-11-18 2016-12-21 无锡市友佳车辆配件厂 车架的检测固定装置
JP6660202B2 (ja) 2016-02-19 2020-03-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN105891456B (zh) * 2016-05-23 2018-12-28 北京赛科希德科技股份有限公司 样品架锁定系统及方法
JP6722551B2 (ja) * 2016-08-31 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6737670B2 (ja) * 2016-09-16 2020-08-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法、基板処理装置
US10910253B2 (en) 2016-11-09 2021-02-02 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Magnetically levitated and rotated chuck for processing microelectronic substrates in a process chamber
TWI765936B (zh) 2016-11-29 2022-06-01 美商東京威力科創Ｆｓｉ股份有限公司 用以對處理腔室中之微電子基板進行處理的平移與旋轉夾頭
JP7110195B2 (ja) * 2016-12-07 2022-08-01 ティーイーエル マニュファクチュアリング アンド エンジニアリング オブ アメリカ，インコーポレイテッド 半導体デバイスを製造するためのウェハエッジ・リフトピンの設計
JP6836913B2 (ja) * 2017-01-17 2021-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
WO2018140789A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Tel Fsi, Inc. Systems and methods for rotating and translating a substrate in a process chamber
JP2018120174A (ja) * 2017-01-27 2018-08-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 回転体保持装置、及び投写型映像表示装置
JP6885753B2 (ja) * 2017-03-08 2021-06-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6970515B2 (ja) * 2017-03-08 2021-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6892774B2 (ja) * 2017-03-24 2021-06-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
JP6899703B2 (ja) * 2017-05-29 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN108987298B (zh) * 2017-05-31 2020-10-16 上海微电子装备（集团）股份有限公司 旋转涂胶装置和方法
JP6982432B2 (ja) * 2017-08-24 2021-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7148349B2 (ja) * 2017-11-14 2022-10-05 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP7116550B2 (ja) * 2018-02-08 2022-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7179466B2 (ja) * 2018-02-13 2022-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20200121829A (ko) 2018-02-19 2020-10-26 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. 제어 가능한 빔 크기를 갖는 처리 스프레이를 가지는 마이크로전자 처리 시스템
MY193569A (en) * 2018-05-18 2022-10-19 Visdynamics Res Sdn Bhd Component holder and method for substitution
US11545387B2 (en) 2018-07-13 2023-01-03 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Magnetic integrated lift pin system for a chemical processing chamber
CN110876020A (zh) * 2018-08-30 2020-03-10 菱光科技股份有限公司 外部触发的线性相机检测系统及其影像曝光处理方法
JP7282494B2 (ja) * 2018-09-18 2023-05-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN110957243A (zh) * 2018-09-27 2020-04-03 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
CN111530837A (zh) * 2020-04-26 2020-08-14 长沙韶光铬版有限公司 一种基片清洗支撑结构
CN112720296A (zh) * 2020-12-20 2021-04-30 王运松 一种工艺品表面处理用可稳定夹持的固定装置
CN112974392A (zh) * 2021-02-22 2021-06-18 王晓平 一种节能环保型用于金属铸件表面处理的装置
CN113299591B (zh) * 2021-04-15 2022-09-13 山西高科华兴电子科技有限公司 一种微小芯片快速巨量转移方法
CN114192474B (zh) * 2021-12-13 2022-12-23 长春医学高等专科学校 一种基础医学的机能实验室消毒装置
CN114082663B (zh) * 2022-01-18 2022-04-12 四川明泰电子科技有限公司 一种集成芯片管体及管脚检测系统
CN115646846B (zh) * 2022-09-29 2023-08-18 苏州天准科技股份有限公司 用于3c产品的检测设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5601645A (en) * 1993-10-28 1997-02-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate holder for a substrate spin treating apparatus
TW200949973A (en) * 2007-12-27 2009-12-01 Tokyo Electron Ltd Liquid treatment apparatus, liquid treatment method and storagemedium
US20100126539A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 Semes Co., Ltd. Spin head, apparatus for treating substrate, and method for treating substrate

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08323274A (ja) 1995-06-05 1996-12-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP3361223B2 (ja) 1995-12-14 2003-01-07 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
JPH09213772A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置
JPH09232269A (ja) 1996-02-22 1997-09-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP3647576B2 (ja) 1996-11-01 2005-05-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置
JP2001332486A (ja) 2000-05-25 2001-11-30 Nec Yamaguchi Ltd ウエハ現像装置
US7531039B2 (en) 2002-09-25 2009-05-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing system
JP3824987B2 (ja) 2002-10-04 2006-09-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理システム
JP2004048035A (ja) 2003-08-07 2004-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
JP4070686B2 (ja) 2003-08-07 2008-04-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
JP4095613B2 (ja) 2005-01-13 2008-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置
JP2008108790A (ja) 2006-10-23 2008-05-08 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置、これを用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
KR20080062221A (ko) 2006-12-29 2008-07-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2008172161A (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置およびこれを備えた基板処理装置
JP4939376B2 (ja) 2007-11-13 2012-05-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2010002523A (ja) 2008-06-19 2010-01-07 Konica Minolta Business Technologies Inc 電磁誘導加熱装置、定着装置および画像形成装置
KR101036605B1 (ko) 2008-06-30 2011-05-24 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치
KR101004434B1 (ko) * 2008-11-26 2010-12-28 세메스 주식회사 기판 지지 유닛과, 이를 이용한 기판 연마 장치 및 방법
WO2010100710A1 (ja) 2009-03-02 2010-09-10 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置、磁気デバイスの製造装置及び製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5601645A (en) * 1993-10-28 1997-02-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate holder for a substrate spin treating apparatus
TW200949973A (en) * 2007-12-27 2009-12-01 Tokyo Electron Ltd Liquid treatment apparatus, liquid treatment method and storagemedium
US20100126539A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 Semes Co., Ltd. Spin head, apparatus for treating substrate, and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP6037439B2 (ja) 2016-12-07
TW201330143A (zh) 2013-07-16
JP2013229552A (ja) 2013-11-07
US9385020B2 (en) 2016-07-05
US20130152971A1 (en) 2013-06-20
KR20130070504A (ko) 2013-06-27
CN103165495B (zh) 2016-04-20
CN103165495A (zh) 2013-06-19
KR101426999B1 (ko) 2014-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI503913B (zh) 基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置，暨基板處理方法
TWI529849B (zh) A substrate holding rotary apparatus, a substrate processing apparatus provided therewith, and a substrate processing method
KR101990161B1 (ko) 액 처리 장치
US11031235B2 (en) Substrate processing apparatus
KR20150088828A (ko) 기판 지지 장치
US20070110895A1 (en) Single side workpiece processing
JP2010212666A (ja) ウェーハ表面測定装置
KR102359530B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법
CN109478524B (zh) 基板支撑装置
JP2017069531A (ja) 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
CN112542419B (zh) 基板处理装置
JP4467379B2 (ja) 基板処理装置
TWI644390B (zh) Substrate support device
JP6016514B2 (ja) 基板処理装置
TWI388377B (zh) 旋轉杯式塗佈裝置
TWI691009B (zh) 基板處理裝置
TWI708641B (zh) 基板處理方法
KR20220170483A (ko) 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치
JP2009164227A (ja) 基板処理装置
KR20070107978A (ko) 기판 처리 장치 및 방법