TWI691009B - 基板處理裝置 - Google Patents

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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種減輕基板的下表面的污染的技術。保護盤(10)配置在旋轉底座(21)與基板(W)之間，能夠在與基板(W)朝向下方分離的分離位置與比分離位置更接近基板(W)的接近位置之間進行升降。保護盤(10)的上表面包括：內方面(12S)，設置在比多個保持銷(20)更靠徑向內方的位置上；以及平坦面(13S)，設置在比內方面(12S)更靠徑向外方的位置，並且設置在比內方面(12S)更靠上方的位置。平坦面(13S)與基板(W)的周緣部(WEP1)之中、比外周端(WE)更靠徑向內方的部分的下表面相向。

Description

基板處理裝置
本發明有關於一種基板處理裝置。在成為處理對象的基板中，例如，包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器（Field Emission Display，FED）用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩幕用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等基板。
對基板逐塊地進行處理的單片式基板處理裝置包括旋轉底座（spin base）以及保持銷。旋轉底座能夠圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線進行旋轉。保持銷設置在旋轉底座上，保持基板。在利用這種基板處理裝置的基板處理中，可以利用從處理液噴嘴噴出的處理液，對旋轉狀態的基板的上表面進行處理。
但是，在基板處理中，存在如下的情況：在旋轉的結構物（旋轉底座或保持銷）的周圍產生氣流，基板處理中所產生的處理液的霧氣（mist）（微小液滴）乘著氣流繞入至基板的下方，從而處理液附著在基板的下表面。因此，即使在已防止在基板的上表面及周緣上蔓延而附著在基板的下表面的情況下，處理液也有可能附著在基板的下表面。
在下述專利文獻1所述的基板處理裝置中，提出了如下的基板處理的方案：藉由在基板的下表面與旋轉底座之間設置保護盤，而一邊保護基板的下表面，一邊對基板的上表面進行處理。詳細來說，藉由使保護盤從旋轉底座翹起而與基板的下表面接近，來抑制處理液的霧氣進入至保護盤與基板的下表面之間。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-2328號公報
[發明所要解決的問題] 但是，在所述技術的情況下，即便使保護盤與基板的下表面接近，也會在基板的周緣部，與保護盤之間形成間隙。因此，處理液的霧氣有可能穿過所述間隙而污染基板的下表面。
因此，本發明的目的在於提供一種減輕基板的下表面的污染的技術。 [解決問題的技術手段]
為了解決所述問題，第一形態是一種基板處理裝置，對基板進行處理，所述基板處理裝置包括：旋轉底座，圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線進行旋轉；多個保持部，在所述旋轉底座的旋轉方向上相互隔開間隔而設置在所述旋轉底座上，在比所述旋轉底座更靠上方的位置上保持所述基板的周緣部；相向構件，配置在所述旋轉底座與所述基板之間，能夠在與所述基板朝向下方分離的分離位置與比所述分離位置更接近所述基板的接近位置之間進行升降；以及氣體供給部，在所述相向構件與所述多個保持部所保持的基板之間供給氣體；並且，所述相向構件的上表面包括：平坦面，與所述基板的所述周緣部之中、比外周端更靠徑向內方的部分的下表面相向；以及內方面，設置在比所述平坦面更靠徑向內方的位置，並且設置在比所述平坦面更靠下方的位置。
並且，第二形態根據第一形態的基板處理裝置，其中所述相向構件的上表面包括在所述內方面與所述平坦面之間朝向徑向外方而向上傾斜的傾斜面。
並且，第三形態根據第一基板處理裝置或第二基板處理裝置，其中所述相向構件的所述平坦面是從比所述多個保持部更靠徑向內方的位置延伸至徑向外方。
並且，第四形態根據第三形態的基板處理裝置，其中所述相向構件具有插通所述保持部的插通孔，所述相向構件的所述平坦面是從比所述插通孔更靠徑向內方的規定位置延伸至徑向外方。
並且，第五形態根據第一形態至第四形態中任一項的基板處理裝置，其中所述平坦面延伸至比所述基板更靠徑向外方的位置。
並且，第六形態根據第一形態至第五形態中任一項的基板處理裝置，其中還包括對所述多個保持部所保持的所述基板的上表面供給處理液的處理液供給部。 [發明的效果]
根據第一形態的基板處理裝置，與基板的周緣部相向的相向構件的平坦面位於比內方面更靠上方的位置。由此，能夠減小基板的周緣部與相向構件的間隙。因此，能夠增大在所述間隙內朝向徑向外方的氣流的線速度。並且，與基板的周緣部相向的部分為平坦面，所以能夠在基板的周緣部與相向構件的平坦面之間，調整流向徑向外方的氣流。因此，可以調整在基板的周緣部的氣流，所以能夠抑制異物進入至基板的下表面側。
根據第二形態的基板處理裝置，可以減輕在基板與相向構件之間，從內方面流向平坦面的氣流因為所述基板與所述相向構件的高低差而發生紊亂。
根據第三形態的基板處理裝置，可以減輕在保持部的附近的氣流的紊亂的產生。
根據第四形態的基板處理裝置，相向構件的平坦面與基板之中比保持部更靠徑向內方的部分相向，因此能夠有效減輕流向徑向外方的氣流發生紊亂的情況。
根據第五形態的基板處理裝置，平坦面延伸至比基板更靠徑向外方的位置，所以能夠減輕在基板的外周端附近的氣流的紊亂的產生。
根據第六形態的基板處理裝置，藉由在相向構件與基板之間供給氣體，可以形成從相向構件與基板之間流向徑向外方的氣流。藉由所述氣流，可以減輕基板的上表面的處理液繞入至基板的下表面側的情況。
以下，一邊參照附圖，一邊對本發明的實施方式進行說明。再者，所述實施方式中所述的構成元件說到底是例示，其主旨並非將本發明的範圍只限定於它們。在圖式中，為了容易理解，有時根據需要，將各部的尺寸或數量加以誇張或簡化而圖示。
＜1.第一實施方式＞ 圖1是表示第一實施方式的基板處理裝置1的結構的圖解性的俯視圖。基板處理裝置1是逐塊地處理矽晶圓等基板W的單片式裝置。在所述實施方式中，基板W是圓板狀的基板。基板處理裝置1包括利用藥液或沖洗液等處理液對基板W進行處理的多個處理單元2、載置收容在處理單元2中處理的多塊基板W的載體（carrier）C的搭載板（load board）LP、在搭載板LP與處理單元2之間搬運基板W的搬運機器人IR及搬運機器人CR、以及對基板處理裝置1進行控制的控制單元3。搬運機器人IR在載體C與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。多個處理單元2例如具有同樣的結構。
圖2是用於說明第一實施方式的處理單元2的結構例的示意圖。處理單元2還包括：旋轉夾盤5，一邊以水平的姿勢保持一塊基板W，一邊使基板W圍繞著穿過基板W的中央部的鉛垂的旋轉軸線A1進行旋轉；處理液供給單元8，對基板W的上表面供給去離子水（Deionized Water，DIW）等處理液；清洗單元9，使毛刷（brush）31在基板W的上表面擦附而對基板W的上表面進行清洗；以及保護盤10，與基板W從下方相向，保護基板W的下表面與基板處理中所產生的處理液的霧氣隔開。保護盤10是與基板W的至少周緣部WEP1從下方相向的相向構件的一例。處理單元2還包括對基板W的下表面與保護盤10之間的空間B1供給氮氣（N2 ）等氣體的氣體供給單元11。
再者，在本案中，將與旋轉軸線A1正交的方向稱為“徑向”。並且，將在徑向上朝向旋轉軸線A1的方向稱為“徑向內方”，將在徑向上朝向與旋轉軸線A1側相反之側的方向稱為“徑向外方”。
處理單元2還包括收容旋轉夾盤5的腔室16（參照圖1）。在腔室16內，形成有用於將基板W搬入至腔室16內，或從腔室16內搬出基板W的出入口（未圖示）。在腔室16內，包括使所述出入口開關的擋板（shutter）單元（未圖示）。
旋轉夾盤5包括旋轉底座21、在比旋轉底座21更靠上方的位置上保持基板W的周緣部WEP1的多個保持銷20、與旋轉底座21的中央結合的旋轉軸22、以及對旋轉軸22賦予旋轉力的電動馬達23。旋轉軸22沿旋轉軸線A1在鉛垂方向上延伸。旋轉軸22貫穿旋轉底座21，在比旋轉底座21更靠上方的位置具有上端。旋轉底座21具有沿水平方向的圓板形狀。多個保持銷20在旋轉方向S上空開間隔而設置在旋轉底座21的上表面的周緣部WEP1。
為了對多個保持銷20進行開關驅動，包括開關單元25。多個保持銷20藉由利用開關單元25設為關閉狀態而保持基板W。多個保持銷20藉由利用開關單元25設為打開狀態而釋放對基板W的保持。
開關單元25包括例如連桿（link）機構（未圖示）及驅動源（未圖示）。所述驅動源例如包括滾珠螺桿機構、以及對滾珠螺桿賦予驅動力的電動馬達。開關單元25也可以構成為利用磁力，使多個保持銷20開關。在這種情況下，開關單元25例如包括安裝在保持銷20上的第一磁鐵（未圖示）、以及藉由與第一磁鐵接近而對第一磁鐵賦予排斥力或吸引力的第二磁鐵（未圖示）。利用第二磁鐵賦予至第一磁鐵的排斥力或吸引力而對保持銷20的開關進行切換。
電動馬達23藉由使旋轉軸22旋轉，而使旋轉底座21旋轉。藉由所述旋轉底座21的旋轉，而使基板W圍繞著旋轉軸線A1旋轉。旋轉夾盤5包含在基板保持旋轉單元中，所述基板保持旋轉單元是保持基板W並使基板W圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線A1旋轉。處理液供給單元8包括對基板W的上表面供給DIW等處理液的處理液噴嘴40、與處理液噴嘴40結合的處理液供給管41、以及插裝在處理液供給管41上的處理液閥42。對處理液供給管41，從處理液供給源供給處理液。
處理液噴嘴40既可以是固定在固定位置上的固定噴嘴，也可以是能夠沿水平方向及鉛垂方向移動的移動噴嘴。並且，從處理液噴嘴40供給的處理液並不限於DIW，還可以是碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度（例如，10 ppm～100 ppm左右）的鹽酸水、還原水（氫水）。
清洗單元9包括用於對基板W的上表面進行清洗的毛刷31、支撐毛刷31的毛刷臂35、使毛刷臂35轉動的轉動軸36、以及臂移動機構37，所述臂移動機構37藉由對轉動軸36進行驅動，而使毛刷臂35在水平方向及鉛垂方向上移動。毛刷31保持於配置在毛刷31的上方的毛刷固持器（brush holder）32上。毛刷固持器32從毛刷臂35向下方突出。
毛刷31是例如由聚乙烯醇（polyvinyl alcohol，PVA）等合成樹脂製作的可彈性變形的海綿毛刷。毛刷31從毛刷固持器32向下方突出。毛刷31並不限於海綿毛刷，也可以是包含由樹脂製的多個纖維形成的毛束的毛刷。
臂移動機構37包括：毛刷水平驅動機構（未圖示），藉由使轉動軸36圍繞著轉動軸線A2轉動而使毛刷臂35水平移動；以及毛刷鉛垂驅動機構（未圖示），藉由使轉動軸36鉛垂地移動而使毛刷臂35鉛垂地移動。毛刷水平驅動機構例如包括使轉動軸36轉動的電動馬達。毛刷鉛垂驅動機構例如包括滾珠螺桿機構、以及對所述滾珠螺桿機構進行驅動的電動馬達。
氣體供給單元11包括對基板W的下表面與保護盤10的上表面之間的空間B1供給氮氣等氣體的氣體噴嘴50、與氣體噴嘴50結合的氣體供給管51、以及插裝在氣體供給管51上而使氣體的流路開關的氣體閥52。對氣體供給管51，從氣體供給源供給氮氣等氣體。
作為從氣體供給源供給至氣體供給管51的氣體，優選的是氮氣等惰性氣體。所謂惰性氣體，並不限於氮氣，其是對基板W的上表面及圖案具有惰性的氣體。作為惰性氣體的示例，除了氮氣以外，還可舉出氦氣或氬氣等稀有氣體類、合成氣體（氮氣與氫氣體的混合氣體）。並且，也可以將空氣用作從氣體供給源供給至氣體供給管51的氣體。
氣體噴嘴50插通至旋轉軸22。氣體噴嘴50的上端從旋轉軸22的上端露出。在比氣體噴嘴50的上端更靠上方的位置上，也可設置有對從氣體噴嘴50噴出的氣體進行調整的整流構件54。保護盤10為大致圓環狀。在形成於保護盤10的中心的插通孔10H內，插通著旋轉軸22。保護盤10配置在保持於保持銷20上的基板W與旋轉底座21之間。保護盤10能夠相對於旋轉軸22而上下移動。
保護盤10與使保護盤10升降的保護盤升降單元60連結。保護盤10藉由保護盤升降單元60，而能夠在與基板W朝向下方分離的分離位置與如下的接近位置之間移動，所述接近位置是在比所述分離位置更靠上方的位置上與保持於保持銷20的基板W的下表面接近的位置。保護盤升降單元60是使相向構件升降的相向構件升降單元的一例。
保護盤升降單元60例如包括滾珠螺桿機構（未圖示）、以及對所述滾珠螺桿機構賦予驅動力的電動馬達（未圖示）。並且，保護盤升降單元60也可以構成為利用磁力使保護盤10升降。在這種情況下，保護盤升降單元60例如包括安裝在保護盤10上的第一磁鐵（未圖示）、以及藉由對第一磁鐵賦予排斥力而使保護盤10與第一磁鐵一同上升的第二磁鐵（未圖示）。
在保護盤10的下表面上，結合著與旋轉軸線A1平行地在鉛垂方向上延伸的引導軸61。引導軸61在基板W的旋轉方向S上隔開相等間隔而配置在多個部位。引導軸61與設置在旋轉底座21的對應部位的線性軸承（linear bearing）62結合。引導軸61能夠一邊被所述線性軸承62引導，一邊朝向鉛垂方向，即朝向與旋轉軸線A1平行的方向移動。並且，與保護盤10的下表面結合的引導軸61與線性軸承62結合，所以保護盤10圍繞著旋轉軸線A1與旋轉底座21一體旋轉。
引導軸61貫通線性軸承62。引導軸61在其下端，包括朝向側方突出的凸緣（flange）63。藉由凸緣63抵接於線性軸承62的下端，來限制引導軸61的朝向上方的移動，即限制保護盤10的朝向上方的移動。即，凸緣63是限制保護盤10的朝向上方的移動的限制構件。
保持銷20包括夾持部20a及支撐部20b。夾持部20a是從水平方向抵接於基板W的周端的部分，在與另一個夾持部20a之間夾持基板W。支撐部20b是從下方支撐基板W的部分。在本例中，支撐部20b的上表面成為越朝向旋轉軸線A1側（徑向內方側）越向下傾斜的傾斜面。所述傾斜面在這裏是以固定的傾斜度傾斜。
圖3是從上方觀察第一實施方式的旋轉底座21的俯視圖。圖4是從上方觀察保護盤10的概略俯視圖。圖5是表示保持銷20的周邊的概略側視圖。在圖3中，為了便於說明，以兩點劃線表示基板W。如圖3～圖5所示，保護盤10包括多個銷插通孔20H。多個銷插通孔20H設置於在水平方向上與多個保持銷20分別相對應的位置（即，在鉛垂方向上重合的位置）。而且，在多個銷插通孔20H中，分別插通著配置在相對應的位置上的一個保持銷20。
保護盤10的上表面包括內方面12S及平坦面13S。內方面12S是設置在比保持銷20更靠徑向內方的位置的面。在本例中，內方面12S是與水平面平行的平坦面。但是，內方面12S不必為平坦面。
平坦面13S設置在比內方面12S更靠徑向外方的位置。在本例中，平坦面13S是設置成包圍內方面12S的外周的環狀，占據著保護盤10的上表面的周緣部WEP1（從保護盤10的外周端算起規定的長度的徑向內方的部分）。在本例中，平坦面13S是與水平面平行，並與水平地保持於多個保持銷20上的基板W的下表面大致平行地配置。內方面12S低於平坦面13S。再者，在相向構件10的上表面，不妨礙在比平坦面13S更靠內方的位置上，設置高於平坦面13S的部分。
平坦面13S與基板W的周緣部WEP1（基板W的外周端WE及與所述外周端WE稍靠內方的部分）相向。平坦面13S與從基板W的外周端WE算起優選的是3 mm以上內方的部分為止的周緣部WEP1相向。
再者，在保護盤10中，如果與基板W接近的區域增大，就有可能與基板W接觸。因此，平坦面13S可設置成與從基板W的外周端WE到例如10 mm為止的周緣部WEP1相向。
保護盤10的上表面還包括傾斜面14S。傾斜面14S設置在內方面12S與平坦面13S之間，在本例中形成為圓環狀。並且，傾斜面14S從內方面12S向徑向外側朝向上方以固定的傾斜度傾斜。
如圖5所示，在本例中，傾斜面14S的外方端（徑向外方的端部）與平坦面13S的內方端（徑向內方的端部）直接相連。在基板W保持於保持銷20上的狀態下，平坦面13S與傾斜面14S的邊界部分130（平坦面13S的內方端）配置在比保持銷20所保持的基板W的外周端WE更靠徑向內方的位置。
當保護盤10移動至接近位置時，基板W的周緣部WEP1與保護盤10的平坦面13S相向，由此在所述周緣部WEP1與所述平坦面13S之間形成整流空間B2。從氣體噴嘴50供給的氣體會朝向徑向外方移動，但是藉由所述氣體穿過整流空間B2，而可對所述氣體的流動（氣流F1）進行調整。並且，所述氣體在經整流的狀態下，從基板W的外周端WE朝向徑向外方不斷跑出。由此，能夠抑制在基板W的外周端WE附近，處理液等從外方進入至整流空間B2。
並且，藉由將保護盤10的上表面之中、內方面12S與平坦面13S之間的連接部分設為平滑的傾斜面14S，可以減輕在空間B1內朝向徑向外方的氣流F1在進入至整流空間B2之前發生紊亂的情況。
圖6是用於說明第一實施方式的基板處理裝置1的電性結構的方框圖。控制單元3包括微型計算機，按照規定的程式，對基板處理裝置1中所含的控制對象進行控制。更具體來說，控制單元3包括處理器（中央處理器（Central Processing Unit，CPU））3A、以及儲存著程式的記憶體3B。構成為藉由處理器3A執行程式，來執行用於基板處理的各種控制。控制單元3例如對搬運機器人IR、搬運機器人CR、臂移動機構37、電動馬達23、保護盤升降單元60、開關單元25及閥類42、閥類52等的動作進行控制。
＜基板處理裝置1的動作＞ 圖7是用於說明第一實施方式的基板處理裝置1的基板處理的一例的流程圖。以下說明的各處理只要未特別聲明，都設為藉由控制單元3執行程式來實現。
首先，控制單元3進行基板搬入處理（步驟S101）。具體來說，利用搬運機器人IR、搬運機器人CR將未處理的基板W從載體C搬入至處理單元2，並遞交至旋轉夾盤5。基板W在直到藉由搬運機器人CR搬出之前的期間內，從旋轉底座21的上表面朝向上方隔開間隔而大致水平地被保持著。
基板搬入處理之後，控制單元3進行基板保持處理（步驟S102）。具體來說，開關單元25使基板W的周緣保持於多個保持銷20上。這時，多個保持銷20是在使基板W上形成有元件的元件面朝向下方的狀態下保持基板W。
基板保持處理之後，控制單元3進行保護盤上升處理（步驟S103）。具體來說，保護盤升降單元60使保護盤10上升至接近位置為止。由此，如圖5所示，在基板W的周緣部WEP1與保護盤10的平坦面13S之間形成整流空間B2。
保護盤上升處理之後，控制單元3進行氣體供給開始處理（步驟S104）。具體來說，藉由打開氣體閥52，而開始對保護盤10的上表面與基板W的下表面之間的空間B1供給氣體（氮氣等）。這時的氣體的供給流量例如為100 L/min～200 L/min（升/分鐘）。氣體的供給是進行至後述氣體供給停止處理（步驟S111）為止。
氣體供給開始處理之後，控制單元3進行基板旋轉開始處理（步驟S105）。具體來說，藉由電動馬達23使旋轉底座21旋轉，而使水平地保持於保持銷20上的基板W圍繞著旋轉軸線A1旋轉。這時的基板W的旋轉速度例如為100 rpm～1000 rpm。
基板旋轉開始處理之後，控制單元3進行處理液供給開始處理（步驟S106）。具體來說，在繼續對保護盤10的上表面與基板W的下表面之間的空間B1供給氣體的狀態下，打開處理液閥42。由此，開始對基板W的上表面供給處理液（DIW等）。
處理液供給開始處理之後，控制單元3進行擦拭（scrub）清洗處理（步驟S107）。具體來說，藉由臂移動機構37使毛刷臂35移動，而將毛刷臂35按壓至基板W的上表面。基板W藉由所述基板旋轉開始處理（步驟S105）而旋轉，因此使毛刷31在基板W的上表面上擦附。當毛刷31抵接於基板W之後經過規定時間後，臂移動機構37使毛刷31從旋轉夾盤5的上方退避至側方。
擦拭清洗處理之後，控制單元3進行處理液供給停止處理（步驟S108）。具體來說，藉由使處理液閥42關閉，而停止來自處理液噴嘴40的處理液的供給。
處理液供給停止處理之後，控制單元3進行基板高速旋轉處理（步驟S109）。具體來說，藉由電動馬達23使旋轉底座21的旋轉加速，而使基板W的旋轉速度增大。由此，基板W的上表面及周端面（外周端WE的端面）的液滴因離心力而被甩開，因此，使基板W乾燥。即，基板高速旋轉處理相當於甩乾（spin dry）處理。所述甩乾處理時的基板W的旋轉速度例如為1500 rpm～3000 rpm。
當高速旋轉開始後經過規定時間時，控制單元3進行基板旋轉停止處理（步驟S110）。具體來說，藉由電動馬達23使旋轉底座21的旋轉停止，而使基板W的旋轉停止。
基板旋轉停止處理之後，控制單元3進行氣體供給停止處理（步驟S111）。具體來說，關閉氣體閥52，停止對基板W的下表面與保護盤10的上表面之間的空間B1供給氣體（氮氣等）。
氣體供給停止處理之後，控制單元3進行保護盤下降處理（步驟S112）。具體來說，保護盤升降單元60使保護盤10下降至分離位置為止。
保護盤下降處理之後，控制單元3進行基板保持解除處理（步驟S113）。具體來說，藉由開關單元25分別使多個保持銷20分別為打開狀態，而從多個保持銷20的保持中釋放基板W。
基板保持解除處理之後，控制單元3進行基板搬出處理。具體來說，搬運機器人CR進入至處理單元2，從旋轉夾盤5捧出處理完的基板W，並搬出至處理單元2外。將所述基板W從搬運機器人CR遞交至搬運機器人IR，並利用搬運機器人IR，收納至載體C。
＜關於在基板的周緣部附近的氣流＞ 已知在旋轉的結構物的周圍，會產生氣流。具體來說，藉由基板W、保護盤10及旋轉底座21進行旋轉，環境氣體可能從徑向外方進入至基板W的下表面與保護盤10的上表面之間的空間B1。並且，環境氣體可能經由保持銷20與保護盤10之間，從徑向外方進入至空間B1。如上所述，當產生從徑向外方流向空間B1的氣流時，從基板W上表面上甩開而抵達至基板W的端面的處理液有可能與所述氣流一同進入至空間B1，而污染基板W的下表面。
因此，在基板處理裝置1中，藉由在基板W的下表面與保護盤10的上表面之間供給氣體，而使得在基板W的周緣部WEP1附近產生流向徑向外方的氣流F1（參照圖5）。由此，可抑制環境氣體從徑向外方進入至空間B1。在本實施方式中，設置在保護盤10的上表面之中、比內方面12S更靠上方的位置上的平坦面13S與基板W的周緣部WEP1相向。因此，基板W的周緣部WEP1與保護盤10之間的間隙小於與內方面12S相向的基板W的內方的部分。因此，可以增大從基板W的周緣部WEP1朝向徑向外方跑出的氣流F1的線速度，所以能夠抑制處理液從徑向外方進入至基板W的下表面側。
當所述氣流F1發生紊亂時，有可能無法阻礙環境氣體及處理液從徑向外方進入。因此，理想的是在基板W的周緣部WEP1，調整流向徑向外方的氣流F1。與此相對，在本實施方式中，藉由使保護盤10的平坦面13S與基板W的周緣部WEP1相向，而形成整流空間B2。整流空間B2是基板W的平坦的下表面與保護盤10的平坦面13S所夾的空間。因此，能夠調整在整流空間B2內流向徑向外方的氣流F1。
特別是保護盤10的平坦面13S與基板W的平坦的下表面大致平行。因此，整流空間B2的高度寬幅在徑向上為大致固定。因此，能夠有效地調整流向徑向外方的氣流F1。
並且，保護盤10的平坦面13S是從比銷插通孔20H更靠徑向內方的位置延伸至徑向外方。因此，能夠在比保持銷20更靠徑向內方的位置上，調整氣流F1。
並且，平坦面13S是延伸至比基板W的外周端WE更進一步靠近徑向外方的位置。在這種情況下，平坦面13S是相向至基板W的外周端WE為止，所以能夠將氣流F1調整至極其靠近外周端WE的區域為止。即，可以減輕在外周端WE的附近，氣流F1發生紊亂的情況。
圖8是表示保持銷20的周邊的概略俯視圖。如圖8所示，本例的保護盤10的平坦面13S之中、相對於保持銷20位於徑向內方的部分130S（平坦面13S之中，俯視時，位於保持銷20的中心（重心）與旋轉軸線A1連結而成的直線L1上的部分（參照圖3））突出至比旋轉方向S上的另一部分更靠徑向內方的位置。在本例中，平坦面13S之中、相對於插通保持銷20的銷插通孔20H位於徑向內方的部分130S突出至比旋轉方向S上的另一部分更靠徑向內方的位置。由此，在相對於保持銷20為徑向內方的位置上，也可以使平坦面13S與基板W的下表面相向。因此，在相對於保持銷20為徑向內方的區域內，也可以調整流向徑向外方的氣流F1。
＜2.變形例＞ 以上，已對實施方式進行說明，但是本發明並不限定於如上所述的實施方式，而能夠進行各種變形。
圖9是表示變形例的保持銷20的周邊的概略俯視圖。在圖8所示的示例中，在相對於銷插通孔20H為徑向內方的位置上，平坦面13S呈朝向徑向內方凸出的曲線狀突出。與此相對，在圖9所示的示例中，平坦面13S呈朝向徑向內方凸出的折線狀突出。在這種情況下，也可以在比保持銷20更靠徑向內方的位置上，使平坦面13S與基板W的下表面相向。因此，能夠在比保持銷20更靠徑向內方的位置上，調整流向徑向外方的氣流F1。
例如，在第一實施方式中，銷插通孔20H形成為圓環狀的貫通孔狀，但是也可以形成為從保護盤10的外周端向內方凹陷的缺口狀。
保護盤10不必包括與基板W的周緣部WEP1的整個周方向（旋轉方向S）相向的平坦面13S。例如，保護盤10也可以包括與基板W的周緣部WEP1之中、除了外周端WE以外比外周端WE更靠內方的部分相向的平坦面。
保護盤10的上表面之中，內方面12S與平坦面13S的連接部分是設為傾斜度為固定的傾斜面14S。但是，所述連接部分的傾斜度也可以不固定。並且，傾斜面14S是形成為高度連續地變化的傾斜狀，但也可以形成為高度不連續地變化的階梯狀。
保護盤10不必包括與整個周緣部WEP1相向的平坦面13S。例如，保護盤10也可以包括與基板W的周緣部WEP1之中除了外周端WE以外的內方的部分相向的平坦面。
對本發明進行了詳細說明，但所述說明在所有方面均為例示，而並非將本發明限定於此。可理解為在不脫離本發明的範圍的情況下，可設想出未例示的無數的變形例。所述各實施方式及各變形例中所說明的各構成只要不相互矛盾，就可以適當組合或省略。
1‧‧‧基板處理裝置2‧‧‧處理單元3‧‧‧控制單元3A‧‧‧處理器（中央處理器）3B‧‧‧記憶體5‧‧‧旋轉夾盤8‧‧‧處理液供給單元9‧‧‧清洗單元10‧‧‧保護盤（相向構件）10H‧‧‧插通孔11‧‧‧氣體供給單元（氣體供給部）12S‧‧‧內方面13S‧‧‧平坦面14S‧‧‧傾斜面16‧‧‧腔室20‧‧‧保持銷（保持部）20a‧‧‧夾持部20b‧‧‧支撐部20H‧‧‧銷插通孔21‧‧‧旋轉底座22‧‧‧旋轉軸23‧‧‧電動馬達25‧‧‧開關單元31‧‧‧毛刷32‧‧‧毛刷固持器35‧‧‧毛刷臂36‧‧‧轉動軸37‧‧‧臂移動機構40‧‧‧處理液噴嘴41‧‧‧處理液供給管42‧‧‧處理液閥50‧‧‧氣體噴嘴51‧‧‧氣體供給管52‧‧‧氣體閥54‧‧‧整流構件60‧‧‧保護盤升降單元61‧‧‧引導軸62‧‧‧線性軸承63‧‧‧凸緣130‧‧‧邊界部分130S‧‧‧部分A1‧‧‧旋轉軸線A2‧‧‧轉動軸線B1‧‧‧空間B2‧‧‧整流空間C‧‧‧載體CR、IR‧‧‧搬運機器人F1‧‧‧氣流L1‧‧‧直線LP‧‧‧搭載板S‧‧‧旋轉方向S101～S113‧‧‧步驟W‧‧‧基板WE‧‧‧外周端WEP1‧‧‧周緣部
圖1是表示第一實施方式的基板處理裝置1的結構的圖解性的俯視圖。 圖2是用於說明第一實施方式的處理單元2的結構例的示意圖。 圖3是從上方觀察第一實施方式的旋轉底座21的俯視圖。 圖4是從上方觀察保護盤10的概略俯視圖。 圖5是表示保持銷20的周邊的概略側視圖。 圖6是用於說明第一實施方式的基板處理裝置1的電性結構的方框圖。 圖7是用於說明第一實施方式的基板處理裝置1的基板處理的一例的流程圖。 圖8是表示保持銷20的周邊的概略俯視圖。 圖9是表示變形例的保持銷20的周邊的概略俯視圖。
10‧‧‧保護盤(相向構件)
50(11)‧‧‧氣體噴嘴
12S‧‧‧內方面
13S‧‧‧平坦面
14S‧‧‧傾斜面
20‧‧‧保持銷(保持部)
20a‧‧‧夾持部
20b‧‧‧支撐部
21‧‧‧旋轉底座
22‧‧‧旋轉軸
54‧‧‧整流構件
130‧‧‧邊界部分
A1‧‧‧旋轉軸線
B1‧‧‧空間
B2‧‧‧整流空間
S‧‧‧旋轉方向
F1‧‧‧氣流
W‧‧‧基板
WE‧‧‧外周端
WEP1‧‧‧周緣部

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，對基板進行處理，所述基板處理裝置包括：旋轉底座，圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線進行旋轉；多個保持部，在所述旋轉底座的旋轉方向上相互隔開間隔而設置在所述旋轉底座上，在比所述旋轉底座更靠上方的位置上保持所述基板的周緣部；相向構件，配置在所述旋轉底座與所述基板之間，能夠在與所述基板朝向下方分離的分離位置與比所述分離位置更接近所述基板的接近位置之間進行升降；以及氣體供給部，在所述相向構件與多個所述保持部所保持的所述基板之間供給氣體；並且所述相向構件的上表面包括：平坦面，與所述基板的所述周緣部之中、比外周端更靠徑向內方的部分的下表面相向；以及內方面，設置在比所述平坦面更靠徑向內方的位置，並且設置在比所述平坦面更靠下方的位置上，所述平坦面包括：多個銷插通孔，插通用於從所述基板的側方保持所述基板的多個保持銷，俯視時多個所述銷插通孔與所述基板的所述周緣部相交； 第一平坦部，設置於多個所述銷插通孔的周圍；以及第二平坦部，除了多個所述銷插通孔以外，與包含所述基板的所述外周端的下表面相向，且延伸至比所述基板的所述外周端更靠近徑向外方的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述相向構件的上表面包括：傾斜面，在所述內方面與所述平坦面之間朝向徑向外方而向上傾斜。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中所述相向構件的所述平坦面是從比多個所述保持部更靠徑向內方的位置延伸至徑向外方。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的基板處理裝置，其中所述相向構件的所述平坦面是從比所述銷插通孔更靠徑向內方的規定位置延伸至徑向外方。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中所述平坦面延伸至比所述基板更靠徑向外方的位置。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，更包括：處理液供給部，將處理液供給至多個所述保持部所保持的所述基板的上表面。
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