TWI658495B - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置包括：底座，圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線進行旋轉；多個保持銷，在所述底座的旋轉方向上相互隔開間隔而設置在所述底座上，在較所述底座更靠上方的位置保持所述基板的周緣部；對向構件，配置在所述底座與所述基板之間，可在與所述基板向下方隔開的隔開位置、與較所述隔開位置更接近所述基板的接近位置之間進行升降，自下方與所述基板相對向；以及第1進入抑制構件，設置在所述對向構件上，在所述對向構件位於所述接近位置的狀態下，抑制氣流進入至所述基板的下表面與所述對向構件之間的空間。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明是有關於一種對基板進行處理的基板處理裝置以及基板處理方法。在成為處理對象的基板中，例如包含半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、有機電致發光(Electroluminescence，EL)顯示裝置等平板顯示器(Flat Panel Display，FPD)用基板、光碟(disk)用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽電池用基板等基板。
對基板一片片地進行處理的單片式的基板處理裝置包括可圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線進行旋轉的自旋底座(spin base)、以及設置於自旋底座上而保持基板的保持銷(pin)。在利用此種基板處理裝置的基板處理中，可藉由自處理液噴嘴(nozzle)噴出的處理液，來對旋轉狀態的基板的上表面進行處理。
然而，在基板處理過程中，有時會在旋轉的構造物(自旋底座或保持銷)的周圍產生氣流。基板處理過程中所產生的處理液的霧氣(mist)(微小的液滴)有可能乘著氣流繞入至基板的下方，而使處理液附著於基板的下表面。因此，即使在已防止處 理液經基板的上表面及周緣導引而附著於基板的下表面的情況下，處理液亦有可能附著於基板的下表面。
因此，在下述專利文獻1所述的基板處理裝置中，提出有如下的基板處理：藉由在基板的下表面與自旋底座之間設置保護碟，來一面保護基板的下表面，一面對基板的上表面進行處理。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]美國專利申請公開第2016/096205號說明書
在專利文獻1所述的基板處理裝置中，藉由使保護碟從自旋底座浮起而與基板的下表面接近，可抑制處理液的霧氣進入至保護碟與基板的下表面之間的空間。但是，即使在使保護碟與基板的下表面接近的情況下，亦在保護碟與基板之間設置有間隙。因此，處理液的霧氣有可能通過所述間隙而附著於基板的下表面。
因此，本發明的一個目的在於提供一種可良好地保護基板的下表面的基板處理裝置以及基板處理方法。
本發明的一實施形態提供一種基板處理裝置，包括：底座，圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線進行旋轉；多個保持銷，在所述底座的旋轉方向上相互隔開間隔而設置在所述底座上，在較所 述底座更靠上方的位置保持所述基板的周緣部；對向構件，配置在所述底座與所述基板之間，可在與所述基板向下方隔開的隔開位置、與較所述隔開位置更接近所述基板的接近位置之間進行升降，自下方與所述基板相對向；以及第1進入抑制構件，設置在所述對向構件上，在所述對向構件位於所述接近位置的狀態下，抑制氣流進入至所述基板的下表面與所述對向構件之間的空間。
根據所述構成，底座可在使基板的周緣部保持於多個保持銷上的狀態下圍繞著旋轉軸線進行旋轉。如上所述，在旋轉的構造物的周圍，會產生氣流。例如，容易產生自基板的旋轉徑向的外方流入至基板的下表面與對向構件之間的氣流。在使對向構件位於接近位置的狀態下，藉由第1進入抑制構件來抑制氣流進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。因此，亦可抑制液體乘著氣流進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。因此，可良好地保護基板的下表面。
再者，所謂旋轉徑向，是指相對於旋轉軸線的正交方向。又，所謂旋轉徑向的內方，是指在旋轉徑向上朝向旋轉軸線側的方向。又，所謂旋轉徑向的外方，是指在旋轉徑向上朝向與旋轉軸線側相反之側的方向。
在本發明的一實施形態中，所述第1進入抑制構件包括：第1固定部，固定在所述對向構件上；以及第1彈性接觸部，以越朝向所述基板的旋轉徑向的外方越靠近所述基板的下表面的方式自所述第1固定部延伸，且與所述基板的下表面的周緣部彈 性接觸。
根據所述構成，第1彈性接觸部是以自第1固定部越朝向基板的旋轉徑向的外方越靠近基板的下表面的方式自第1固定部延伸。因此，當在基板的下表面與對向構件之間產生有朝向旋轉徑向的外方的氣流時，所述氣流容易進入至第1彈性接觸部與基板的下表面之間。並且，所述氣流使第1彈性接觸部產生彈性變形，以使具有通過第1彈性接觸部與基板的下表面之間所需要的寬度的間隙形成於第1彈性接觸部與基板的下表面之間。繼而，所述氣流通過所述間隙自基板的下表面與對向構件之間的空間排出至外部。因此，可防止基板的下表面與對向構件之間的壓力過度增大，並且可抑制氣流進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。
在本發明的一實施形態中，所述第1進入抑制構件由多孔材料形成。
根據所述構成，第1進入抑制構件由多孔材料形成。因此，第1進入抑制構件可藉由自氣體受到規定值以上的壓力，而使所述氣體通過。在基板的下表面與對向構件之間會產生朝向旋轉徑向的外方的氣流，由於所述氣流，在第1進入抑制構件的周邊，基板的下表面與對向構件之間的壓力有時達到規定值以上。此時，基板的下表面與對向構件之間的空間內的氣體會通過第1進入抑制構件排出至外部。另一方面，第1進入抑制構件可抑制氣流進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。因此，可防止 基板的下表面與對向構件之間的壓力過度增大，並且可抑制氣流進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。
又，第1進入抑制構件由多孔材料形成，故而使液體難以通過。因此，可進一步抑制液體自外部進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。
在本發明的一實施形態中，所述基板處理裝置進而包括第2進入抑制構件，所述第2進入抑制構件設置在所述保持銷上，抑制氣流自所述基板的下表面的周緣部與所述保持銷之間進入至所述基板的下表面的周緣部與所述對向構件之間的空間。
根據所述構成，第2進入抑制構件抑制氣流自基板的下表面的周緣部與保持銷之間進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。因此，可抑制液體乘著氣流自基板的下表面的周緣部與保持銷之間進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。
在本發明的一實施形態中，所述第2進入抑制構件包括：第2固定部，固定在所述保持銷上；以及第2彈性接觸部，以越朝向所述基板的旋轉徑向的外方越靠近所述基板的下表面的方式自所述第2固定部延伸，且與所述基板的下表面的周緣部彈性接觸。
根據所述構成，第2彈性接觸部是以自第2固定部越朝向基板的旋轉徑向的外方越靠近基板的下表面的方式自第2固定部延伸。因此，當在基板的下表面與對向構件之間產生有朝向旋轉徑向的外方的氣流時，所述氣流容易進入至第2彈性接觸部與 基板的下表面之間。並且，所述氣流使第2彈性接觸部產生彈性變形，以使具有通過第2彈性接觸部與基板的下表面之間所需要的寬度的間隙形成於第2彈性接觸部與基板的下表面之間。繼而，所述氣流通過所述間隙而自基板的下表面與對向構件之間的空間排出至外部。因此，可防止基板的下表面與對向構件之間的壓力過度增大，並且可抑制氣流自基板的下表面的周緣部與保持銷之間進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。
在本發明的一實施形態中，所述第2進入抑制構件由多孔材料形成。
根據所述構成，第2進入抑制構件由多孔材料形成。因此，第2進入抑制構件可藉由自氣體受到規定值以上的壓力，而使所述氣體通過。在基板的下表面與對向構件之間會產生朝向旋轉徑向的外方的氣流，由於所述氣流，在第2進入抑制構件的周邊，基板的下表面與對向構件之間的壓力有時達到規定值以上。此時，基板的下表面與對向構件之間的空間內的氣體會自基板的下表面與對向構件之間的空間排出至外部。另一方面，可抑制氣流自外部進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。因此，可防止基板的下表面與對向構件之間的壓力過度增大，並且可抑制氣流自基板的下表面的周緣部與保持銷之間進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。
又，第2進入抑制構件由多孔材料形成，故而使液體難以通過。因此，可進一步抑制液體自外部進入至基板的下表面與 對向構件之間的空間。
在本發明的一實施形態中，所述第1進入抑制構件是在所述旋轉方向上相鄰的所述保持銷之間的區域內，抑制氣流進入至所述基板的下表面與所述對向構件之間。而且，所述第2進入抑制構件是在各所述保持銷的周圍，抑制氣流進入至所述基板的下表面與所述對向構件之間。
根據所述構成，第1進入抑制構件是在旋轉方向上相鄰的保持銷之間的區域內，抑制氣流進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。而且，第2進入抑制構件是在保持銷的周圍，抑制氣流進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。因此，可在旋轉方向上的比較大的範圍(大致全周)內，抑制氣流進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。
在本發明的一實施形態中，所述基板處理裝置進而包括將氣體供給至所述對向構件與所述基板之間的氣體供給單元(unit)。
根據所述構成，藉由氣體供給單元，可將氣體供給至對向構件與基板之間。藉由將氣體供給至對向構件與基板之間，可產生自基板的下表面與對向構件之間的空間朝向所述空間的外部的氣流。因此，可抑制氣流進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。
本發明的一實施形態提供一種基板處理方法，包括：基板保持步驟，在圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線的旋轉方向上相互 隔開間隔而設置於底座的多個保持銷上、在較所述底座更靠上方的位置保持基板的周緣部；接近步驟，以固定在自下方與所述基板相對向的對向構件上的彈性構件與所述基板的下表面相接觸的方式，使所述對向構件與基板接近；基板旋轉步驟，藉由在所述多個保持銷保持著所述基板的周緣部，並且彈性構件與所述基板的下表面相接觸的狀態下，使所述底座旋轉而使基板旋轉；以及處理液供給步驟，將對基板進行處理的處理液供給至旋轉狀態的基板的上表面。
根據所述方法，在彈性構件與基板的下表面相接觸的狀態下，使基板旋轉。如上所述，在旋轉的構造物的周圍，會產生氣流。例如，容易產生自基板的旋轉徑向的外方流入至基板的下表面與對向構件之間的氣流。藉由使彈性構件與基板的下表面相接觸而使彈性構件與基板之間被堵塞，故而使基板的下表面與對向構件之間堵塞。由此，可抑制氣流進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。因此，即使在利用處理液對旋轉狀態的基板進行處理的情況下，亦可抑制處理液的霧氣乘著氣流進入至基板的下表面與對向構件之間的空間。因此，可良好地保護基板的下表面。
本發明中的所述目的或進而其他目的、特徵及效果是藉由以下參照隨附圖式而描述的實施形態的說明來闡明。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制器
3A‧‧‧處理器
3B‧‧‧記憶體
5‧‧‧自旋夾盤
8‧‧‧處理液供給單元
9‧‧‧洗滌單元
10‧‧‧保護碟
10a‧‧‧缺口
10b‧‧‧部分
11‧‧‧氣體供給單元
12、12P‧‧‧第1進入抑制構件
13、13P、13Q‧‧‧第2進入抑制構件
15‧‧‧延設構件
15a‧‧‧傾斜部
16‧‧‧腔室
20‧‧‧保持銷
20a‧‧‧夾持部
20b‧‧‧對向部
21‧‧‧自旋底座
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧電動馬達
25‧‧‧開關單元
31‧‧‧刷子
32‧‧‧刷子固持器
35‧‧‧刷臂
36‧‧‧轉動軸
37‧‧‧臂移動機構
40‧‧‧處理液噴嘴
41‧‧‧處理液供給管
42‧‧‧處理液閥/閥類
50‧‧‧氣體噴嘴
51‧‧‧氣體供給管
52‧‧‧氣體閥/閥類
54‧‧‧整流構件
60‧‧‧保護碟升降單元
61‧‧‧導軸
62‧‧‧線性軸承
63‧‧‧法蘭
80、87‧‧‧第1固定部
81‧‧‧第1彈性接觸部
82‧‧‧支撐突起
83、93‧‧‧螺桿
83a‧‧‧螺桿軸
83b‧‧‧頭部
84‧‧‧螺孔
85‧‧‧插通孔
86‧‧‧收容孔
88‧‧‧第1接觸部
89‧‧‧第1連結部
90、97‧‧‧第2固定部
91‧‧‧第2彈性接觸部
92、96‧‧‧保護碟接觸部
98‧‧‧第2接觸部
99‧‧‧第2連結部
A‧‧‧空間
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧轉動軸線
C‧‧‧載體
CR、IR‧‧‧搬運機器人
F‧‧‧氣流
LP‧‧‧裝載端口
S‧‧‧旋轉方向
S1~S14‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
圖1是用以說明本發明的第1實施形態的基板處理裝置的內部的佈局(layout)的示意性的俯視圖。
圖2是用以說明所述基板處理裝置中所具備的處理單元的構成例的示意圖。
圖3是所述基板處理裝置中所具備的自旋底座的示意性的俯視圖。
圖4A是沿圖3的IVA-IVA線的剖面的示意圖。
圖4B是圖4A的第1固定部的周邊的放大圖。
圖5是沿圖3的V-V線的剖面的示意圖。
圖6是用以說明所述基板處理裝置的主要部分的電性構成的方塊圖。
圖7是用以說明所述基板處理裝置的基板處理的一例的流程圖。
圖8是本實施形態的第1變形例的第1進入抑制構件的周邊的示意圖。
圖9是本實施形態的第2變形例的第2進入抑制構件的周邊的示意圖。
圖10是本實施形態的第3變形例的第2進入抑制構件的周邊的示意圖。
圖1是用以說明本發明的一實施形態的基板處理裝置1的內部的佈局的圖解性俯視圖。
基板處理裝置1是對矽晶圓(silicon wafer)等基板W一片片地進行處理的單片式的裝置。在所述實施形態中，基板W是圓板狀的基板。基板處理裝置1包含：多個處理單元2，利用藥液或清洗(rinse)液等處理液對基板W進行處理；裝載端口(load port)LP，載置收容有利用處理單元2而處理的多片基板W的載體(carrier)C；搬運機器人(robot)IR及搬運機器人CR，在裝載端口LP與處理單元2之間搬運基板W；以及控制器(controller)3，對基板處理裝置1進行控制。搬運機器人IR在載體C與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。多個處理單元2例如具有同樣的構成。
圖2是用以說明處理單元2的構成例的示意圖。
處理單元2包含自旋夾盤(spin chuck)5、處理液供給單元8、洗滌單元9及保護碟10。自旋夾盤5一面以水平的姿勢保持一片基板W，一面使基板W圍繞著通過基板W的中央部的鉛垂的旋轉軸線A1進行旋轉。處理液供給單元8對基板W的上表面供給去離子水(Deionized Water，DIW)等處理液。洗滌單元9使刷子(brush)31在基板W的上表面上磨蹭而洗滌基板W的上表面。保護碟10自下方與基板W相對向，保護基板W的下表面隔離基板處理過程中所產生的處理液的霧氣。
保護碟10是自下方與基板W的至少周緣部相對向的對向構件的一例。處理單元2進而包含將氮氣(N2)等氣體供給至 基板W的下表面與保護碟10之間的空間A的氣體供給單元11。
處理單元2進而包含收容自旋夾盤5的腔室(chamber)16(參照圖1)。在腔室16內，形成有用以將基板W搬入至腔室16內，或將基板W自腔室16內搬出的出入口(未圖示)。在腔室16內，具備使所述出入口開關的擋板(shutter)單元(未圖示)。
自旋夾盤5包含可圍繞著旋轉軸線A1旋轉的自旋底座21(底座)、將基板W的周緣部保持於較自旋底座21更靠上方的位置的多個保持銷20、與自旋底座21的中央結合的旋轉軸22、以及對旋轉軸22賦予旋轉力的電動馬達(motor)23。旋轉軸22沿旋轉軸線A1在鉛垂方向上延伸。旋轉軸22貫穿自旋底座21，在較自旋底座21更靠上方的位置具有上端。自旋底座21具有沿水平方向的圓板形狀。多個保持銷20在旋轉方向S上空開間隔而設置在自旋底座21的上表面的周緣部(亦參照後述圖3)。
為了對多個保持銷20進行開關驅動，具備開關單元25。多個保持銷20藉由被開關單元25設為關閉狀態，而保持(夾持)基板W。多個保持銷20藉由被開關單元25設為打開狀態，而解除對基板W的保持。
開關單元25例如，包含連桿(link)機構(未圖示)及驅動源(未圖示)。所述驅動源例如，包含滾珠(ball)螺桿機構及對所述滾珠螺桿機構賦予驅動力的電動馬達。開關單元25亦可構成為藉由磁力而使多個保持銷20開關。此時，開關單元25例如，包含安裝在保持銷20上的第1磁石(未圖示)、以及藉由接 近第1磁石而對第1磁石賦予排斥力或吸引力的第2磁石(未圖示)。藉由第2磁石賦予至第1磁石的排斥力或吸引力，而對保持銷20的開關進行切換。
藉由利用電動馬達23使旋轉軸22旋轉，而使自旋底座21旋轉。由此，基板W在圍繞著旋轉軸線A1的旋轉方向S上旋轉。自旋夾盤5包含於基板保持旋轉單元上，所述基板保持旋轉單元保持著基板W，並使基板W圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線A1進行旋轉。
處理液供給單元8包含對基板W的上表面供給DIW等處理液的處理液噴嘴40、與處理液噴嘴40結合的處理液供給管41、以及插裝在處理液供給管41上的處理液閥(valve)42。對處理液供給管41，自處理液供給源供給處理液。
處理液噴嘴40為固定噴嘴。與本實施形態不同，處理液噴嘴40亦可為可在水平方向及鉛垂方向上移動的移動噴嘴。
自處理液噴嘴40供給的處理液並不限於DIW，亦可為碳酸水、電解離子(ion)水、臭氧(ozone)水、稀釋濃度(例如，10ppm~100ppm左右)的鹽酸水、還原水(氫水)。
洗滌單元9包含用以洗滌基板W的上表面的刷子31、支撐刷子31的刷臂(arm)35、使刷臂35轉動的轉動軸36、以及藉由對轉動軸36進行驅動而使刷臂35在水平方向及鉛垂方向上移動的臂移動機構37。
刷子31保持於配置在刷子31的上方的刷子固持器 (brush holder)32上。刷子固持器32自刷臂35向下方突出。
刷子31是由聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)等合成樹脂製成的可彈性變形的海綿(sponge)刷子。刷子31自刷子固持器32向下方突出。刷子31並不限於海綿刷子，亦可為具備由樹脂製的多根纖維形成的毛束的刷子。
臂移動機構37包含：刷子水平驅動機構(未圖示)，藉由使轉動軸36圍繞著轉動軸線A2轉動而使刷臂35水平地移動；以及刷子鉛垂驅動機構(未圖示)，藉由使轉動軸36鉛垂地移動而使刷臂35鉛垂地移動。刷子水平驅動機構例如，包含使轉動軸36轉動的電動馬達。刷子鉛垂驅動機構例如，包含滾珠螺桿機構以及對所述滾珠螺桿機構進行驅動的電動馬達。
氣體供給單元11包含：氣體噴嘴50，對基板W的下表面與保護碟10之間的空間A供給氮氣等氣體；氣體供給管51，與氣體噴嘴50結合；以及氣體閥52，插裝在氣體供給管51上，使氣體的流路開關。對氣體供給管51中，自氣體供給源供給氮氣等氣體。
作為自氣體供給源供給至氣體供給管51的氣體，較佳為氮氣等惰性氣體(gas)。惰性氣體並不限於氮氣，而是對基板W的下表面及形成於下表面上的器件為惰性的氣體。作為惰性氣體的示例，除氮氣以外，可舉出氦氣(helium)或氬氣(argon)等稀有氣體類、自導引氣體(homing gas)(氮氣與氫氣的混合氣體)。又，亦可利用空氣作為自氣體供給源供給至氣體供給管51 的氣體。
氣體噴嘴50插通至旋轉軸22中。氣體噴嘴50的上端自旋轉軸22的上端露出。在較氣體噴嘴50的上端更靠上方的位置，亦可設置有對自氣體噴嘴50噴出的氣體進行整流的整流構件54。
保護碟10呈大致圓環狀。在保護碟10中，插通有旋轉軸22。保護碟10配置在由保持銷20保持著的基板W與自旋底座21之間。保護碟10可上下活動。
在保護碟10上，結合有保護碟升降單元60。保護碟10藉由保護碟升降單元60而升降，從而可在與基板W向下方隔開的隔開位置、與在較所述隔開位置更靠上方的位置接近基板W的下表面的接近位置之間移動。保護碟升降單元60是使對向構件升降的對向構件升降單元的一例。
保護碟升降單元60例如，包含滾珠螺桿機構(未圖示)、以及對所述滾珠螺桿機構賦予驅動力的電動馬達(未圖示)。又，保護碟升降單元60亦可構成為藉由磁力而使保護碟10升降。此時，保護碟升降單元60例如，包含安裝在保護碟10上的第1磁石(未圖示)、以及藉由對第1磁石賦予排斥力而使保護碟10與第1磁石一併上升的第2磁石(未圖示)。
在保護碟10的下表面上，結合有與旋轉軸線A1平行地在鉛垂方向上延伸的導(guide)軸61。導軸61在基板W的旋轉方向S上隔開相等間隔而配置在多個部位。導軸61與設置於自旋 底座21的對應部位的線性(linear)軸承62相結合。導軸61一面被所述線性軸承62導引，一面可朝向鉛垂方向、即朝向與旋轉軸線A1平行的方向移動。又，為了使與保護碟10的下表面結合的導軸61與線性軸承62相結合，故而保護碟10圍繞著旋轉軸線A1與自旋底座21一體旋轉。
導軸61貫穿線性軸承62。導軸61在其下端，具備向外突出的法蘭(flange)63。藉由法蘭63抵接於線性軸承62的下端，而限制導軸61朝向上方的移動，即保護碟10朝向上方的移動。即，法蘭63是對保護碟10朝向上方的移動進行限制的限制構件。
圖3是自旋底座21的示意性的俯視圖。圖3中，為了便於說明，利用兩點劃線表示基板W。
參照圖3，保護碟10在俯視時呈與基板W為大致相同尺寸的圓形，與基板W的周緣相對向。在保護碟10的周緣部，在與保持銷20相對應的部分，設置有收容保持銷20的至少一部分的缺口10a。
處理單元2進而包含抑制(限制)氣流自基板W的旋轉徑向的外方進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A的第1進入抑制構件12及第2進入抑制構件13。
再者，所謂基板W的旋轉徑向，是指相對於旋轉軸線A1的正交方向。基板W的旋轉徑向的內方是在基板W的旋轉徑向上朝向旋轉軸線A1側的方向。以下，將基板W的旋轉徑向的內方簡稱為徑向內方。又，基板W的旋轉徑向的外方是在基板W 的旋轉徑向上朝向與旋轉軸線A1側相反之側的方向。以下，將基板W的旋轉徑向的外方簡稱為徑向外方。
第1進入抑制構件12抑制氣流自基板W的下表面的周緣部與保護碟10的周緣部之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。第2進入抑制構件13抑制自基板W的下表面的周緣部與保持銷20之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
第1進入抑制構件12及第2進入抑制構件13分別設置有多個。詳細而言，第1進入抑制構件12在保護碟10上，一個個地設置於在旋轉方向S上相鄰的保持銷20之間的部分上。各第1進入抑制構件12是在旋轉方向S上相鄰的保持銷20之間的區域內，抑制氣流進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。第2進入抑制構件13一個個地設置在各保持銷20上。各第2進入抑制構件13是在所對應的保持銷20的周圍，抑制氣流進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
圖4A是沿圖3的IVA-IVA線的剖面的示意圖。圖4A中，以實線表示位於接近位置的保護碟10。圖4A中，以兩點劃線表示位於隔開位置的保護碟10。
第1進入抑制構件12是俯視時呈彎曲狀的樹脂製的片材(sheet)(參照圖3)。構成第1進入抑制構件12的樹脂例如為合成樹脂。作為合成樹脂，例如可舉出聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共 聚物(tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer，PFA)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚乙烯(polyethylene，PE)等。第1進入抑制構件12為彈性構件。第1進入抑制構件12亦可為合成橡膠等彈性體。
第1進入抑制構件12一體地包含：第1固定部80，固定在保護碟10上；以及第1彈性接觸部81，與基板W的下表面的周緣部彈性接觸。第1彈性接觸部81在基板W的下表面上與較形成有器件(device)的部分更靠徑向外方的位置相接觸。詳細而言，第1彈性接觸部81在基板W的下表面的周緣部，和徑向外方端與較徑向外方端稍靠內方(2mm左右內方)的位置之間的部分相接觸。
第1彈性接觸部81是以越朝向徑向外方越靠近基板W的下表面的方式自第1固定部80延伸。鉛垂方向上的第1彈性接觸部81與基板W之間的距離是越朝向旋轉徑向的外方越變小。在保護碟10的上表面的周緣部在旋轉方向S上相鄰的保持銷20之間的區域內，形成有自下方支撐各第1彈性接觸部81的支撐突起82。
第1固定部80例如，藉由樹脂製的螺桿83而固定在保護碟10上。圖4B是圖4A的第1固定部80的周邊的放大圖。參照圖4B，螺桿83包含形成有外螺紋部的螺桿軸83a、以及自螺桿軸83a的軸向上的一端在相對於所述軸向而正交的方向上突出的頭部83b。螺桿軸83a插通(螺合)至形成於保護碟10上的螺孔 84中。形成於螺桿軸83a上的外螺紋部與形成於螺孔84的內周面上的內螺紋部螺合。在第1固定部80上，形成有插通螺桿軸83a的插通孔85、以及與插通孔85連通而收容頭部83b的收容孔86。藉由將收容孔86的底部夾持於頭部83b與保護碟10之間，而將第1固定部80固定在保護碟10上。
第1固定部80是在藉由螺桿83而固定在保護碟10上的狀態下密接於保護碟10上。因此，不論保護碟10的位置如何，均可抑制氣流F自第1進入抑制構件12與保護碟10之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
第1彈性接觸部81在保護碟10位於隔開位置的狀態下，與基板W的下表面隔開(參照圖4A的兩點劃線)。第1彈性接觸部81是在保護碟10位於接近位置的狀態下，密接於基板W的下表面(參照圖4A的實線)。因此，在保護碟10位於接近位置的狀態下，抑制氣流F自第1進入抑制構件12與基板W的下表面之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
如上所述，第1進入抑制構件12在保護碟10位於接近位置的狀態下，抑制氣流F進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
圖5是沿圖3的V-V線的剖面的示意圖。
第2進入抑制構件13為樹脂製的片材。構成第2進入抑制構件13的樹脂例如為合成樹脂。作為合成樹脂，例如可舉出PTFE、PFA、PP、PE等。第2進入抑制構件13為彈性構件。第2 進入抑制構件13亦可為橡膠等彈性體。
保持銷20包括自水平方向夾持基板W的夾持部20a、以及沿大致水平方向延伸且與基板W的下表面隔開間隔而相對向的對向部20b。
第2進入抑制構件13一體地包含：第2固定部90，固定在保持銷20的對向部20b上；第2彈性接觸部91，與基板W的下表面的周緣部彈性接觸；以及保護碟接觸部92，在保護碟10位於接近位置的狀態下，自上方與保護碟10的周緣部相接觸。第2彈性接觸部91是以越朝向徑向外方越靠近基板W的下表面的方式自第2固定部90延伸。鉛垂方向上的第2彈性接觸部91與基板W之間的距離是越朝向徑向外方越變小。第2固定部90例如，是藉由利用樹脂製的螺桿93固定在保持銷20的對向部20b上，而固定在保持銷20上。保持銷20的對向部20b經由第2進入抑制構件13，自下方對基板W進行支撐。
第2固定部90是在藉由螺桿93而固定在所對應的保持銷20上的狀態下密接於所述保持銷20。因此，抑制了氣流F自第2進入抑制構件13與保持銷20之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
第2彈性接觸部91在將基板W保持於多個保持銷20上的狀態下，密接於基板W的下表面。因此，抑制了氣流F自第2進入抑制構件13與基板W的下表面之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
保護碟接觸部92自第2固定部90延伸至與第2彈性接觸部91相反之側(徑向內方)。保護碟接觸部92亦可在保護碟10位於接近位置的狀態下，以前端(徑向內方端)向上方移動的方式被保護碟10推上去而產生彈性變形。保護碟接觸部92在俯視時，在保護碟10的上表面，與缺口10a的周圍的部分10b重合。
圖6是用以說明基板處理裝置1的主要部分的電性構成的方塊圖。控制器3具備微電腦(microcomputer)，按照規定的程式(program)，對基板處理裝置1中所具備的控制對象進行控制。更具體而言，控制器3包含處理器(processor)(中央處理單元(central processing unit，CPU))3A及儲存有程式的記憶體(memory)3B，且構成為藉由處理器3A執行程式，來執行用於基板處理的各種控制。特別是，控制器3對搬運機器人IR、搬運機器人CR、臂移動機構37、電動馬達23、保護碟升降單元60、開關單元25及閥類42、閥類52等的動作進行控制。
圖7是用以說明基板處理裝置1的基板處理的一例的流程圖，主要表示有藉由控制器3執行程式而實現的處理。
在基板處理中，首先，將未處理的基板W藉由搬運機器人IR、搬運機器人CR而自載體C搬入至處理單元2，且遞交至自旋夾盤5(步驟S1)。其後，基板W在藉由搬運機器人CR而搬出之前的期間，從自旋底座21的上表面向上方空開間隔而水平地受到保持。開關單元25使基板W的周緣保持於多個保持銷20上(基板保持步驟、步驟S2)。此時，基板W在使形成有器件的 器件面朝向下方的狀態下，保持於多個保持銷20上。
其次，保護碟升降單元60使保護碟10上升至接近位置為止(接近步驟，步驟S3)。由此，第1進入抑制構件12的第1彈性接觸部81與基板W的下表面相接觸。其次，打開氣體閥52。由此，開始對保護碟10的上表面與基板W的下表面之間的空間A供給氮氣等氣體(步驟S4)。此時的氣體的供給流量例如為100L/min~200L/min。在多個保持銷20保持著基板W的周緣部，並且第1進入抑制構件12與所述基板的下表面相接觸的狀態下，電動馬達23使自旋底座21旋轉。由此，水平地保持於保持銷20上的基板W進行旋轉(基板旋轉步驟，步驟S5)。此時的基板W的旋轉速度例如為500rpm。基板W的旋轉速度並不限於500rpm，亦可為100rpm~1000rpm之間的任意的旋轉速度。然後，在繼續對保護碟10的上表面與基板W的下表面之間的空間A供給氣體的狀態下，打開處理液閥42。由此，開始對旋轉狀態的基板W的上表面供給DIW等處理液(處理液供給製程，步驟S6)。
然後，執行擦拭(scrub)洗滌(步驟S7)。具體而言，臂移動機構37使刷臂35移動，而將刷子31按壓至基板W的上表面。由於基板W正在旋轉，故而刷子31在基板W的上表面上磨蹭。
臂移動機構37使刷子31從自旋夾盤5的上方退避至其側方。繼而，關閉處理液閥42，停止自處理液噴嘴40供給處理液(步驟S8)。然後，電動馬達23使自旋底座21的旋轉加速(步驟 S9)。由此，執行自旋乾燥(spin dry)處理，即，藉由利用離心力使基板W的上表面及周端面的液滴甩開而使基板W乾燥。所述自旋乾燥處理時的基板W的旋轉速度例如為1500rpm~3000rpm。如上所述，自基板W去除處理液，使得基板W乾燥。然後，在開始基板W的高速旋轉之後經過規定時間時，電動馬達23使藉由自旋底座21而產生的基板W的旋轉停止(步驟S10)。
繼而，關閉氣體閥52，停止對基板W的下表面與保護碟10的上表面之間的空間A供給惰性氣體(步驟S11)。繼而，保護碟升降單元60使保護碟10下降至隔開位置為止(步驟S12)。繼而，藉由開關單元25將多個保持銷20設為打開狀態，而使基板W不被多個保持銷20保持而得以釋放(步驟S13)。
繼而，搬運機器人CR進入至處理單元2，從自旋夾盤5撈出處理完畢的基板W，且搬出至處理單元2外(步驟S14)。將所述基板W自搬運機器人CR遞交至搬運機器人IR，且藉由搬運機器人IR而收納於載體C上。
根據本實施形態，自旋底座21可在使基板W的周緣部保持於多個保持銷20上的狀態下圍繞著旋轉軸線A1進行旋轉。此處，在旋轉的構造物的周圍，會產生氣流。例如，容易產生自基板W的徑向外方流入至基板W的下表面與保護碟10之間的氣流F(參照圖4A)。在使保護碟10位於接近位置的狀態下，可藉由第1進入抑制構件12而抑制氣流F進入至基板W的下表面的周緣部與保護碟10之間的空間A。詳細而言，藉由使保護碟10 位於接近位置，而使得第1進入抑制構件12與基板W的下表面彈性接觸，從而第1進入抑制構件12與基板W的下表面密接。另一方面，第1進入抑制構件12的第1固定部80藉由螺桿83而固定在保護碟10上，故而不論保護碟10的位置如何，第1進入抑制構件12與保護碟10均密接。由此，基板W的下表面與保護碟10之間被堵塞。因此，即使在利用處理液對旋轉狀態的基板W進行處理的情況下，亦可抑制液體(藉由基板處理而產生的處理液的霧氣等)乘著氣流F進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。因此，可良好地保護基板W的下表面。
又，根據本實施形態，利用氣體供給單元11，來對保護碟10與基板W之間的空間A供給氣體。藉由對保護碟10與基板W之間的空間A供給氣體，可產生自基板W與保護碟10之間的空間A朝向所述空間A的外部的氣流(參照圖4A)。因此，可抑制氣流F進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
再者，基板W的下表面與保護碟10之間所產生的朝向徑向外方的氣流(參照圖4A)不僅來源於因氣體供給單元11的氣體的供給而產生的推出力，而且來源於基板W旋轉時的離心力。
又，根據本實施形態，第1彈性接觸部81是以自第1固定部80越朝向徑向外方越靠近基板W的下表面的方式自第1固定部80延伸。因此，基板W的下表面與保護碟10之間所產生的朝向徑向外方的氣流容易進入至第1彈性接觸部81與基板W的下表面之間。並且，所述氣流使第1彈性接觸部81產生彈性變形， 以使具有通過第1彈性接觸部81與基板W的下表面之間所需要的寬度的間隙形成於第1彈性接觸部81與基板W的下表面之間。繼而，所述氣流會通過所述間隙而自基板W的下表面與保護碟10之間的空間A排出至外部。因此，可防止基板W的下表面與保護碟10之間的壓力過度增大，並且可抑制氣流F進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
又，由於朝向徑向外方的氣流會通過第1彈性接觸部81與基板W的下表面之間，故可抑制液體經基板W的下表面導引而進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
又，根據本實施形態，第2進入抑制構件13抑制氣流F自基板W的下表面的周緣部與保持銷20之間進入至基板W的下表面的周緣部與保護碟10之間的空間A。詳細而言，藉由使基板W保持於多個保持銷20上，而使得第2進入抑制構件13與基板W的下表面彈性接觸，從而第2進入抑制構件13與基板W的下表面密接。另一方面，不論基板W的保持狀態如何，第2進入抑制構件13與保持銷20均密接。因此，基板W的下表面與保護碟10之間被堵塞。因此，可抑制液體(藉由基板處理而產生的處理液的霧氣等)乘著氣流F而自基板W的下表面的周緣部與保持銷20之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
又，根據本實施形態，第2彈性接觸部91是以自第2固定部90越朝向徑向外方越靠近基板W的下表面的方式自第2固定部90延伸。因此，在基板W的下表面與保護碟10之間朝向 徑向外方的氣流容易進入至第2彈性接觸部91與基板W的下表面之間。並且，所述氣流使第2彈性接觸部91產生彈性變形，以使具有通過第2彈性接觸部91與基板W的下表面之間所需要的寬度的間隙形成於第2彈性接觸部91與基板W的下表面之間。繼而，所述氣流會通過所述間隙而自基板W的下表面與保護碟10之間的空間A排出至外部。因此，可防止基板W的下表面與保護碟10之間的壓力過度增大，並且可抑制氣流F自基板W的下表面的周緣部與保持銷20之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
又，由於朝向徑向外方的氣流會通過第2彈性接觸部91與基板W的下表面之間，故可在保持銷20的周圍，抑制液體經基板W的下表面導引而進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
又，根據本實施形態，第1進入抑制構件12是在旋轉方向S上相鄰的保持銷20之間的區域內，抑制氣流F進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。並且，第2進入抑制構件13是在保持銷20的周圍，抑制氣流F進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。因此，可在旋轉方向S上的比較大的範圍(大致全周)內，抑制氣流進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
又，根據本實施形態，將螺桿83的頭部83b收容於收容孔86。因此，可在不阻礙在基板W的下表面與保護碟10之間 朝向徑向外方的氣流的條件下，利用螺桿83將第1進入抑制構件12固定在保護碟10上。
又，亦可能存在不同於所述實施形態，自氣體供給單元11不供給氣體的情況。又，亦可能存在不同於所述實施形態，在處理單元2上未設置氣體供給單元11的情況。在該些情況下，在基板處理中，不進行氣體的供給(步驟S3)及氣體的供給的停止(步驟S10)。在該些情況下，基板W的下表面與保護碟10之間的氣體亦會因基板W的旋轉時的離心力而向徑向外方移動。由此，使第1彈性接觸部81產生彈性變形，而自基板W的下表面與保護碟10之間的空間A排出至外部。因此，基板W的下表面與保護碟10之間的壓力低於外部的壓力，而成為負壓狀態。由此，第1彈性接觸部81進一步密接於基板的下表面。因此，可進一步抑制氣流F進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
又，根據本實施形態，第2進入抑制構件13包含在保護碟10位於接近位置的狀態下，自上方與保護碟10的周緣部相接觸的保護碟接觸部92。因此，可堵塞自保護碟10與各保持銷20之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A的氣流流入至基板W的下表面與保護碟10之間的通道。因此，可抑制自保護碟10與保持銷20之間流入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A的氣流的產生。
若為如下構成，即，在保護碟10位於接近位置的狀態下，保護碟接觸部92以前端(徑向內方端)向上方移動的方式而 產生彈性變形，則可進一步抑制自保護碟10與保持銷20之間流入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A的氣流的產生。
圖8是本實施形態的第1變形例的第1進入抑制構件12P的周邊的示意圖。圖8中，對與至此為止所說明的構件相同的構件標註相同的參照符號，並省略其說明。
參照圖8，第1變形例的第1進入抑制構件12P與本實施形態不同，由海綿狀的多孔材料形成。作為多孔材料，可舉出氟樹脂、PVA、PP、PE等。第1進入抑制構件12P一體地包含：第1固定部87，固定在保護碟10上；第1接觸部88，在保護碟10位於接近位置的狀態下與基板W的下表面的周緣部及保護碟10的上表面的周緣部相接觸；以及第1連結部89，將第1固定部87與第1接觸部88加以連結。第1固定部87與本實施形態的第1進入抑制構件12的第1固定部80(參照圖4A)同樣地，藉由螺桿83而固定在保護碟10上。
根據第1變形例，第1進入抑制構件12P由多孔材料形成。因此，第1進入抑制構件12P可藉由自氣體受到規定值以上的壓力，而使所述氣體通過。
藉由因氣體供給單元11的氣體的供給而產生的推出力或基板W的旋轉時的離心力，在基板W的下表面與保護碟10之間的空間A內會產生朝向徑向外方的氣流，由於所述氣流，在第1進入抑制構件12P的周邊，基板W的下表面與保護碟10之間的空間A的壓力有時達到規定值以上。此時，基板W的下表面與保 護碟10之間的空間A內的氣體會通過第1進入抑制構件12P而排出至外部。
另一方面，在較第1進入抑制構件12P更靠徑向外方的空間內，與空間A不同，不會藉由氣體供給單元11或離心力而主動地供給氣體。因此，較第1進入抑制構件12P更靠徑向外方的空間與空間A內的第1進入抑制構件12P的周邊的部分相比較，壓力更難以上升。因此，第1進入抑制構件12P可抑制氣流F自徑向外方進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
因此，可防止基板W的下表面與保護碟10之間的壓力過度增大，並且可抑制氣流F進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
又，第1進入抑制構件12P由多孔材料形成。因此，處理液的霧氣難以通過第1進入抑制構件12P。因此，可進一步抑制液體自外部進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
圖9是本實施形態的第2變形例的保持銷20的周邊的示意圖。圖9中，對與至此為止所說明的構件相同的構件標註相同的參照符號，並且省略其說明。
參照圖9，第2變形例的第2進入抑制構件13P與本實施形態不同，由海綿狀的多孔材料形成。作為多孔材料，可舉出氟樹脂、PVA、PP、PE等。
第2進入抑制構件13P一體地包含：第2固定部97，固定在保持銷20的對向部20b上；第2接觸部98，與基板W的下 表面的周緣部及對向部20b相接觸；第2連結部99，將第2固定部97與第2接觸部98加以連結；以及保護碟接觸部96，在保護碟10位於接近位置的狀態下，自上方與保護碟10的周緣部相接觸。第2固定部97與本實施形態的第2進入抑制構件13P的第2固定部90(參照圖5)同樣地，藉由螺桿93而固定在對向部20b上。
保護碟接觸部96自第2固定部97延伸至與第2連結部99相反之側。保護碟接觸部96在俯視時，在保護碟10的上表面，與缺口10a的周圍的部分10b重合。
根據第2變形例，第2進入抑制構件13P由多孔材料形成，故而可使氣體通過。因此，第2進入抑制構件13P可藉由自氣體受到規定的壓力，而使所述氣體通過。
藉由因氣體供給單元11的氣體的供給而產生的推出力或基板W的旋轉時的離心力，在基板W的下表面與保護碟10之間會產生朝向徑向外方的氣流，由於所述氣流，在第2進入抑制構件13P的周邊，基板W的下表面與保護碟10之間的壓力有時達到規定值以上。此時，基板W的下表面與保護碟10之間的空間A內的氣體會自基板W的下表面與保護碟10之間的空間A排出至外部。
另一方面，較第2進入抑制構件13P更靠徑向外方的空間與空間A不同，不會藉由氣體供給單元11或離心力而主動地供給氣體。因此，較第2進入抑制構件13P更靠徑向外方的空間與 空間A內的第2進入抑制構件13P的周邊的部分相比較，壓力更難以上升。因此，可抑制氣流F自外部進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
因此，可防止基板W的下表面與保護碟10之間的壓力過度增大，並且可抑制氣流F自基板W的下表面的周緣部與保持銷20之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
又，由於第2進入抑制構件13P由多孔材料形成，故而難以使處理液的霧氣通過。因此，可進一步抑制液體自外部進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
又，第2進入抑制構件13P包含保護碟接觸部96，所述保護碟接觸部96在保護碟10位於接近位置的狀態下，自上方與保護碟10的周緣部相接觸。因此，可堵塞自保護碟10與各保持銷20之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A的氣流流入至基板W的下表面與保護碟10之間的通道。因此，可抑制自保護碟10與保持銷20之間流入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A的氣流的產生。
圖10是本實施形態的第3變形例的保持銷20的周邊的示意圖。圖10中，對與至此為止所說明的構件相同的構件標註相同的參照符號，並省略其說明。
參照圖10，第3變形例的第2進入抑制構件13Q的第2固定部90與本實施形態不同，固定在基板W與保護碟10之間大致水平地延伸的延設構件15上。延設構件15自上方與保護碟10 相對向。
延設構件15在俯視時呈大致半圓弧狀。延設構件15在俯視時，在保護碟10的上表面上與缺口10a的周圍的部分10b重合。第3變形例中，保持銷20的對向部20b相對於水平方向而傾斜，且自下方抵接於基板W而對基板W進行支撐。延設構件15包含傾斜部15a，所述傾斜部15a與對向部20b的下端連結，且以與對向部20b大致相同的角度相對於水平方向而傾斜。第3變形例的第2固定部90固定在延設構件15的傾斜部15a上。第3變形例的第2固定部90經由延設構件15而固定在保持銷20上。
第3變形例的第2進入抑制構件13Q與本實施形態同樣地為樹脂製的片材。第2進入抑制構件13Q亦可與第3變形例不同，而與第2變形例的第2進入抑制構件13P(參照圖9)同樣地由海綿狀的多孔材料形成。
又，如圖10所示，若構成為在保護碟10位於接近位置的狀態下，延設構件15的下表面與保護碟10的上表面(的周緣部)相接觸，則可抑制氣流自保護碟10與各保持銷20之間進入至基板W的下表面與保護碟10之間的空間A。
本發明並不限定於以上所說明的實施形態，而可利用此外其他的形態加以實施。
例如，亦可不同於所述實施形態，處理液噴嘴40是將處理液的液滴與氣體一併噴射至基板W的上表面的雙流體噴嘴。此時，在處理液噴嘴40上，連結有對處理液噴嘴40供給氮氣等 氣體的氣體供給管，在所述氣體供給管上，插裝有切換對處理液噴嘴40供給氣體的有無的氣體閥。並且，對處理液噴嘴40，經由氣體供給管自氣體供給源供給氣體。
又，亦可不同於所述實施形態，不設置洗滌單元9，取而代之設置有供給藥液的藥液供給單元。藥液供給單元包含對基板W的上表面供給藥液的藥液供給噴嘴。作為自藥液供給噴嘴供給的藥液，可舉出氟化氫水(Hydrogen Fluoride，HF)、硫酸過氧化氫水混合液(sulfuric acid hydrogen peroxide mixture，SPM)、氨過氧化氫水混合液(SC1)、鹽酸過氧化氫水混合液(SC2)等。藥液供給噴嘴亦可為雙流體噴嘴。在所述構成的基板處理裝置的基板處理中，利用自藥液供給單元供給的藥液對基板W的上表面進行處理之後，藉由自處理液供給單元8供給的DIW等而對基板W的上表面進行清洗。然後，與所述實施形態中的基板處理同樣地，藉由自旋乾燥而使基板W乾燥。
又，當藉由第1進入抑制構件12、第1進入抑制構件12P及第2進入抑制構件13、第2進入抑制構件13P、第2進入抑制構件13Q，基板W的下表面遍及旋轉方向S上的全周而被限制氣流的進入時，亦可與所述實施形態不同，而設置有排除基板W的下表面與保護碟10之間的空間A的氣體的氣體排除單元。
又，保護碟10不一定必需與基板W的周緣部相對向，亦可為俯視時小於基板W的圓形狀。在此情況下，較佳的亦為第1彈性接觸部81及第2彈性接觸部91在基板W的下表面的周緣 部，和徑向外方端與較徑向外方端稍靠內方(2mm左右內方)的位置之間的部分相接觸。
對本發明的實施形態已作詳細說明，但該些實施形態僅為用以闡明本發明的技術內容的具體例，本發明不應限定於該些具體例來解釋，本發明的範圍僅藉由隨附的申請專利範圍而限定。
本申請案對應於2017年3月8日向日本專利局提交的日本專利特願2017-44081號，所述申請案的所有揭示內容均藉由引用而編入於本文。

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，包括：底座，圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線進行旋轉；多個保持銷，在所述底座的旋轉方向上相互隔開間隔而設置在所述底座上，在較所述底座更靠上方的位置保持基板的周緣部；對向構件，配置在所述底座與所述基板之間，可在與所述基板向下方隔開的隔開位置、與較所述隔開位置更接近所述基板的接近位置之間進行升降，自下方與所述基板相對向；以及第1進入抑制構件，設置在所述對向構件上，在所述對向構件位於所述接近位置的狀態下，藉由與所述基板的下表面的周緣部接觸以抑制氣流進入至所述基板的下表面與所述對向構件之間的空間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述第1進入抑制構件包括：第1固定部，固定在所述對向構件上；以及第1彈性接觸部，以越朝向所述基板的旋轉徑向的外方越靠近所述基板的下表面的方式自所述第1固定部延伸，且與所述基板的下表面的周緣部彈性接觸。
  3. 一種基板處理裝置，包括：底座，圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線進行旋轉；多個保持銷，在所述底座的旋轉方向上相互隔開間隔而設置在所述底座上，在較所述底座更靠上方的位置保持基板的周緣部；對向構件，配置在所述底座與所述基板之間，可在與所述基板向下方隔開的隔開位置、與較所述隔開位置更接近所述基板的接近位置之間進行升降，自下方與所述基板相對向；第1進入抑制構件，設置在所述對向構件上，在所述對向構件位於所述接近位置的狀態下，抑制氣流進入至所述基板的下表面與所述對向構件之間的空間；以及所述第1進入抑制構件由多孔材料形成。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的基板處理裝置，其中進而包括：第2進入抑制構件，設置在所述保持銷上，抑制氣流自所述基板的下表面的周緣部與所述保持銷之間進入至所述基板的下表面與所述對向構件之間的空間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的基板處理裝置，其中所述第2進入抑制構件包括：第2固定部，固定在所述保持銷上；以及第2彈性接觸部，以越朝向所述基板的旋轉徑向的外方越靠近所述基板的下表面的方式自所述第2固定部延伸，且與所述基板的下表面的周緣部彈性接觸。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的基板處理裝置，其中所述第2進入抑制構件由多孔材料形成。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的基板處理裝置，其中所述第1進入抑制構件是在所述旋轉方向上相鄰的所述保持銷之間的區域內，抑制氣流進入至所述基板的下表面與所述對向構件之間，所述第2進入抑制構件是在各所述保持銷的周圍，抑制氣流進入至所述基板的下表面與所述對向構件之間的空間。
  8. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的基板處理裝置，其中進而包含：氣體供給單元，將氣體供給至所述對向構件與所述基板之間。
  9. 一種基板處理方法，包括：基板保持步驟，在圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線的旋轉方向上相互隔開間隔而設置於底座的多個保持銷上、在較所述底座更靠上方的位置保持基板的周緣部；接近步驟，以固定在自下方與所述基板相對向的對向構件上的彈性構件與所述基板的下表面相接觸的方式，使所述對向構件與所述基板接近；基板旋轉步驟，藉由在所述多個保持銷保持著所述基板的周緣部，並且所述彈性構件與所述基板的下表面相接觸的狀態下，使所述底座旋轉而使所述基板旋轉；以及處理液供給步驟，將對所述基板進行處理的處理液供給至旋轉狀態的所述基板的上表面。
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