KR20070107978A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 기판의 가장자리부의 식각을 수행하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 지지부재, 상기 지지부재의 상부에서, 상기 지지부재에 안착된 기판의 가장자리부에 처리액를 분사하는 처리액 공급부재, 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판의 중앙부로 상기 처리액이 유입되는 것을 방지하는 보호 커버, 그리고 상기 지지부재에 안착된 기판의 중앙부가 오염물질에 의해 오염되는 것을 방지하도록, 상기 가장자리부와 상기 중앙부를 차단시키는 오염물질 유입방지부재를 포함하되, 상기 오염물질 유입방지부재는 유체 공급라인, 상기 유체 공급라인으로부터 공급받은 차단유체를 균등한 양으로 분배시키는 분배부재, 그리고 상기 지지부재에 안착된 기판의 가장자리부와 중앙부 사이의 경계부에 상기 차단유체가 균일하게 분사되도록 차단유체의 흐름을 안내하는 안내 부재를 포함한다. 상기와 같은 구성을 가지는 기판 처리 장치는 식각 공정이 수행되지 않는 기판의 중앙부가 오염물질에 의해 오염되는 것을 방지한다.

반도체 제조 장치, 노즐, 식각, 베벨, 가장자리

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING AND EDGE OF A SUBSTRATE}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.

도 2는 도 1에 도시된 처리액 공급부재의 구성도이다.

도 3은 도 2에 도시된 처리액 공급부재를 상부에서 도시한 평면도이다.

도 4는 도 2에 도시된 처리액 공급부재의 저면도이다.

도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 동작 과정 및 효과를 설명하기 위한 도면이다.

도 6은 도 5에 도시된 기판 처리 장치의 일부분을 확대한 도면이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

1 : 기판 처리 장치

10 : 공정 챔버

20 : 처리액 공급부재

30 : 보호커버 이동부

100 : 보호 커버

110 : 몸체

200 : 오염물질 유입방지부재

210 : 안내 부재

220 : 분배부재

230 : 유체 공급라인

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 가장자리부분을 식각하는 장치 및 방법에 관한 것이다.

반도체 소자의 제조공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼(wafer)상에는 다결정막, 산화막, 질화막, 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 형성된다. 상기한 막질 위에는 감광액(photo-resist)막이 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 형성된 패턴이 상기 감광액막으로 전사된다. 이후, 식각공정에 의해서 웨이퍼상에는 원하는 패턴이 형성된다. 이러한 공정이 진행됨에 따라 웨이퍼의 가장자리에는 각종 막질이나 감광액과 같은 처리액 등이 잔류한다. 이 상태에서 웨이퍼의 가장자리가 파지된 채로 후속 공정을 수행하면, 웨이퍼 가장자리의 막질 등이 비산되어 웨이퍼를 오염시킨다. 이를 방지하기 위해, 일반적으로 반도체 공정은 웨이퍼 가장자리부의 막질이나 처리액을 제거하는 식각 공정이 병행된다.

일반적인 웨이퍼 가장자리부의 식각 공정은 웨이퍼의 처리면에 형성된 패턴을 제외한 웨이퍼의 가장자리부에 불산과 같은 식각액을 분사하여 이루어졌다. 일 예로서, 상기 식각 공정을 수행하는 장치는 하우징, 척, 노즐, 그리고 보호 커버를 구비한다. 하우징은 상부가 개방되며, 내부에 상기 식각 공정을 수행하는 공간을 가진다. 지지부재는 하우징 내부 하측 중앙에 설치되며, 공정시 기판을 안착한 후 기설정된 회전 속도로 회전됨으로써 안착된 기판을 회전시킨다.

노즐은 지지부재에 안착된 기판의 가장자리부로 식각액을 분사한다. 노즐은 보호 커버 일측에 설치된다. 보호 커버는 공정시 지지부재에 안착된 기판의 상부면 중 비식각영역인 중앙부로 식각액이 유입되는 것을 방지한다. 이를 위해, 보호 커버는 기판과 대향되는 하부면을 가지는 몸체를 가진다. 보호 커버는 공정시 지지부재에 안착된 기판의 상부면으로부터 소정간격 이격된 상태로 위치되어, 식각 공정이 이루어지는 기판의 가장자리부를 제외한 중앙부를 보호한다.

그러나, 상술한 구성을 가지는 기판 처리 장치 사용시 기판의 중앙부로 식각액이 직접적으로 유입되는 것은 방지되나, 상대적으로 작은 크기의 식각액, 흄(fume), 또는 파티클 등이 기판의 중앙부로 유입된다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 기판의 가장자리부를 효율적으로 식각하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 식각 공정이 수행되는 기판의 가장자리부를 제외한 영역이 오염되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지 하는 지지부재, 상기 지지부재의 상부에서, 상기 지지부재에 안착된 기판의 가장자리부에 처리액를 분사하는 처리액 공급부재, 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판의 중앙부로 상기 처리액이 유입되는 것을 방지하는 보호 커버, 그리고 상기 지지부재에 안착된 기판의 중앙부가 오염물질에 의해 오염되는 것을 방지하도록, 상기 가장자리부와 상기 중앙부를 차단시키는 오염물질 유입방지부재를 포함하되, 상기 오염물질 유입방지부재는 유체 공급라인, 상기 유체 공급라인으로부터 공급받은 차단유체를 균등한 양으로 분배시키는 분배부재, 그리고 상기 지지부재에 안착된 기판의 가장자리부와 중앙부 사이의 경계부에 상기 차단유체가 균일하게 분사되도록 차단유체의 흐름을 안내하는 안내 부재를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 안내 부재는 상기 보호 커버의 내주면과 일정거리가 이격되도록 환형으로 제작되되, 그 외주면이 아래로 갈수록 중심으로부터 멀어지는 방향으로 경사진다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 오염물질 유입방지부재는 상기 보호 커버에 구비된다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 보호 커버 내 공간은 상하로 관통된다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판의 가장자리부의 처리 공정시, 오염물질이 기판의 중앙부로 유입되는 것을 방지하도록 기판의 가장자리부와 기판의 중앙부를 차단한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 지지부재에 기판을 안착시키는 단계, 상기 기판의 가장자리부와 기판의 중앙부 사이의 경계부에 차단 유체 를 균일하게 분사하는 단계, 그리고 상기 기판의 가장자리부로 처리액을 분사하는 단계를 포함한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상은 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.

(실시예)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(process chamber)(10), 처리액 공급부재(treating liquid supply member)(20), 보호커버 이동부(protective cover transfer member)(30), 보호커버(protective cover)(100), 그리고 오염물질 유입방지부재(member for protecting a inflow of contamination materials)를 포함한다.

공정 챔버(10)는 하우징(housing)(12) 및 지지부재(support member)(14)를 가진다. 하우징(12)은 내부에 소정의 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 일 실시예로서, 하우징(12)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 하우징(12)의 개방된 상부는 기판의 출입이 이루어지는 출입구로 사용된다. 하우징(12)의 내부 중앙 하측에는 상하 운동 및 회전 운동이 가능한 지지부재(114)가 설치된다. 하우징(12)은 지지부재(14)를 감싸는 구조를 가진다.

지지부재(14)는 공정시 기판을 지지한다. 지지부재(14)는 기판의 피처리면을 안착시키는 상부면을 가진다. 상기 상부면에 기판이 안착되면, 지지부재(14)는 기판을 상기 상부면으로부터 이탈되지 않도록 고정한다. 이를 위해, 지지부재(14)는 안착된 기판을 고정시키는 고정 수단(도 5의 참조번호(14a))을 가진다. 고정 수단(14a)은 복수의 고정핀들을 가진다. 고정핀들은 지지부재(14)의 상부면에 환형으로 설치된다. 각각의 고정핀들은 지지부재(114)의 상부면에서 로딩(loading)된 기판의 가장자리 일부를 척킹 및 언척킹한다. 본 실시예에서는 고정 수단이 복수의 고정핀들을 가지는 구성을 예로 들어 설명하였으나, 공정시 기판을 고정시키는 수단은 다양한 방식으로 수행될 수 있다. 예컨대, 상기 고정 수단으로는 상부면에 안착된 기판을 진공으로 흡착시키는 방식이 사용될 수 있다.

처리액 공급부재(20)는 공정시 지지부재(14)에 안착된 기판으로 처리액을 공급한다. 도 2를 참조하면, 처리액 공급부재(20)는 노즐(12) 및 노즐 지지부(14)를 가진다. 노즐(12)은 공정시 기판의 가장자리부로 처리액을 분사한다. 노즐(12)은 일 실시예로서, 공정시 그 분사구가 지지부재(12)에 안착된 기판의 가장자리부를 향하도록 보호커버(100) 외부에 위치된다. 또한, 노즐(12)은 그 분사구가 지지부재(14)에 안착된 기판의 중심에서 멀어지는 방향으로 향하도록, 그리고 공정시 기판의 회전방향으로 소정각도 기울어진 상태로 위치된다. 이는 노즐(12)로부터 분사되는 처리액이 기판 바깥쪽을 향해 흐르도록 하기 위한 것이다. 또한, 노즐(12)은 그 분사구의 각도 및 위치 조정이 가능하도록 설치된다. 노즐(12)의 각도 및 위치 조정은 작업자에 의해 수동으로 수행될 수 있다.

여기서, 처리액은 기판의 가장자리부에 소정의 처리 공정을 수행하기 위한 것으로, 처리액은 기판의 가장자리부에 잔류하는 불필요한 막질, 파티클, 그리고 감광액 등을 제거한다. 일 실시예로서, 상기 식각액으로는 특정 농도를 가지는 불산(HF)이 사용된다.

다시 도 1을 참조하면, 보호커버 이동부(30)는 보호 커버(100)를 상하로 구동시킨다. 일 실시예로서, 보호커버 이동부(30)는 지지부재(32) 및 모터(미도시됨)를 가진다. 지지부재(32)는 제 1 및 제 2 아암(32a, 34b)를 가진다. 제 1 아암(32a)은 일단이 보호커버(20)와 결합되고, 타단은 제 2 아암(34b)과 결합된다. 제 1 아암(32a)은 하우징(12)의 상부에서 수평방향으로 설치되고, 제 2 아암(34b)은 하우징(12)의 외부에서 제 1 아암(32a)과 수직하게 설치된다. 제 2 아암(34b)은 모터(미도시됨)에 의해 상하로 구동된다.

상술한 구성을 가지는 보호커버 이동부(30)는 보호커버(100)를 지지부재(14)의 상부 및 공정 챔버(10)의 외부 일측 상호간에 왕복이동시킨다. 즉, 보호커버 이동부(30)는 기판처리공정이 진행되면, 보호커버(100)를 공정 챔버(10) 외부 일측에 대기하는 보호커버(100)를 공정 챔버(10)의 지지부재(14) 상부로 이동시킨다. 그리고, 보호커버 이동부(30)는 보호커버(100)의 바닥부(112)가 지지부재(14)와 인접하도록 보호커버(100)를 하강시킨다. 보호커버(100)가 기설정된 높이에 위치되면, 기판 처리 공정이 개시된다. 상기 기판 처리 공정이 완료되면, 보호커버 이동부(30)는 보호커버(100)를 공정 챔버(10)로부터 대기 위치로 이동시킨다.

이하, 본 발명에 따른 보호커버(100) 및 오염물질 유입방지부재를 상세히 설명한다.

도 2는 도 1에 도시된 처리액 공급부재의 구성도이고, 도 3 및 도 4는 도 2에 도시된 처리액 공급부재를 상부에서 도시한 평면도 및 저면도이다.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 보호커버(100)는 기판 처리 공정시 기판의 중앙부 영역에 처리액이 유입되는 것을 방지한다. 일 실시예로서, 보호커버(100)는 대체로 원통형의 몸체(110)를 가진다. 몸체(110)의 내부에는 처리액 공급부재(20)의 구동을 위한 구동장치(미도시됨) 및 차단유체 생성부의 구성들이 설치되는 공간이 제공된다.

몸체(110)는 대체로 원통형상을 가진다. 몸체(110)는 바닥부(112) 및 측부(114)을 가진다. 바닥부(112)는 처리 공정시 기판의 처리면과 일정한 간격이 이격되어 대향되는 저면을 가진다. 기판 처리 공정시 바닥부(112)와 기판 사이의 간격은 10mm 이내인 것이 바람직하다. 이는 바닥부(112)와 기판 사이가 최소화될수록 공정시 기판의 중앙부로 감광액의 유입되는 것을 방지하는 효과가 증가하기 때문이다.

여기서, 몸체(110)는 상하로 개방되는 형상일 수 있다. 예컨대, 몸체(110)는 상하로 관통되어 있는 원통형상을 가진다. 몸체(110)가 상하로 밀폐되어 있으면, 공정시 후술할 오염물질 유입방지부재(200)가 차단 유체를 분사할 때 몸체(110)의 바닥부(112)와 지지부재(14)에 안착된 기판 사이의 공간에는 상대적으로 주위 공정 조건보다 압력이 낮아진다. 상기 공간에 낮은 압력 분위기가 형성되면, 상기 공간 과 외부 환경과의 압력차가 발생되어 외부 오염물질이 상기 공간으로 유입된다. 따라서, 몸체(110)의 상하가 개방되도록 제작되어 상기 공간에 압력이 낮아지는 현상을 방지한다.

그러나, 상술한 바와 같이, 몸체(110)가 상하로 관통되는 것은 공정시 몸체(110)의 바닥부(112)와 기판 사이의 공간에 압력이 낮아지는 현상을 방지하기 위한 것이므로, 몸체(110)의 상하를 개방하는 방식이 아닌 다양한 방식으로 상기 공간의 압력 저하를 방지할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시예로서, 몸체(110)에는 공정시 상기 공간으로 공기를 퍼지(purge)하는 라인이 제공될 수 있다.

측부(114)는 수직면(114a) 및 경사면(114b)를 가진다. 수직면(114a)은 몸체(110)의 외주면 중 상하로 수직하게 형성된 부분이고, 경사면(114b)은 수직면(114a)의 하부측에서 수직면(114)으로부터 돌출된 형상을 가지는 부분이다.

오염물질 유입방지부재(200)는 공정시 기판의 처리면 중 공정이 수행되지 않는 부분으로 오염물질이 유입되는 것을 방지한다. 이를 위해, 오염물질 유입방지부재(200)는 안내 부재(210), 분배부재(220), 그리고 유체 공급라인(240)을 가진다.

안내 부재(210)는 일 실시예로서, 몸체(110)의 내부에 설치된다. 안내 부재(210)는 환형 형상을 가지며, 경사부(114b)의 내주면과의 사이에 공간이 제공되도록 상기 내주면으로부터 일정 거리 이격되도록 설치된다. 안내 부재(210)와 경사부(114b) 사이에는 차단유체 안내공간(a) 및 차단유체 분사부(b)가 제공된다.

차단유체 안내공간(a)은 분배부재(220)로부터 분배받은 차단유체가 차단유체 분사부(b)를 향해 효율적으로 이동되도록 안내한다. 도 6을 참조하면, 차단유체 분 사부(b)는 차단유체를 기판의 가장자리부(W1)와 기판의 중앙부(W2) 사이의 경계영역(W3)으로 분사시킨다. 특히, 차단유체 분사부(b)는 공정시 경계영역(W3)으로 분사된 차단유체가 기판의 중앙부(W2)를 향하지 않고 기판의 가장자리부(W2)로부터 외부로 배출되도록 차단유체를 분사한다. 이를 위해, 차단유체 분사부(b)의 각도는 아래로 갈수록 중심으로부터 멀어지는 방향으로 경사지도록 형성된다. 그리고, 그 분출공은 기판의 경계영역(W3)을 향하도록 제작된다.

분배부재(220)는 유체 공급라인(230)으로부터 공급받은 차단유체를 안내부재(210)로 균일하게 균배시킨다. 분배부재(220)는 분배기(222) 및 분배라인(224)을 가진다. 분배기(222)는 유체 공급라인(230)으로부터 공급받은 차단유체를 균등한 양으로 나누어 각각의 분배라인(224)들로 분배한다. 여기서, 차단 유체로는 불활성 가스가 사용된다. 일 실시예로서, 차단 유체로는 질소 가스가 사용될 수 있다.

분배기(222)는 일 실시예로서, 상부에서 유체 공급라인(230)으로부터 차단유체를 공급받는다. 분배라인들(224)은 분배기(222)를 중심으로 균등한 각도로 배치된다. 분배라인들(224)은 네 개가 제공되며, 서로 직각으로 배치된다. 각각의 분배라인들(224)은 분배기(222)로부터 공급받은 차단유체를 차단유체 안내공간(a)으로 공급한다.

도 3에서는, 분배부재(220)는 네 개의 분배라인들(224)을 가지는 구성을 예로 들어 설명하였으나, 분배라인들(224)의 개수는 다양하게 적용할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 분배부재(220)는 분배기(222) 및 분배기(222)로부터 분기되는 복수의 분배라인들(224)을 가지는 구성을 예로 들어 설명하였으나, 이는 차단유체의 균 일한 분배를 위한 것으로, 그 구성 및 구조는 다양하게 변형 및 변경이 가능하다.

이하, 상술한 구성을 가지는 기판 처리 장치(1)의 공정 과정 및 효과를 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 기판 처리 장치(1)의 구성들과 동일한 구성들의 참조번호를 동일하게 병기하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하겠다.

도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 동작 과정 및 효과를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 도 5에 도시된 기판 처리 장치의 일부분을 확대한 도면이다.

도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)의 공정이 개시되면, 지지부재(14)의 상부면에 기판(W)이 로딩(loading)된다. 기판이 로딩되면, 지지부재(14)은 기판(W)이 상부면으로부터 이탈되지 않도록 고정시킨 후 기판(W)을 기설정된 공정 속도로 기판을 회전시킨다.

기판(W)이 회전되면, 보호 커버(100)는 보호커버 이동부(30)에 의해 기판(W)의 상부로 이동되어, 보호 커버(100)의 바닥부(112)가 지지부재(14)에 안착된 기판(W)의 처리면과 일정한 간격을 가지고 대향되도록 위치한다. 보호커버(100)가 기설정된 공정 위치로 이동되면, 유체 공급라인(230)은 분배부재(220)로 차단유체를 공급한다. 분배부재(220)로 공급된 차단유체는 각각의 분배라인들(224)로 균등한 양으로 분배되어 차단유체 안내공간(a)으로 유입된다.

차단유체 안내공간(a)으로 유입된 차단유체는 공간(a)을 따라 이동된 후 차단유체 분사부(b)를 통해 기판(W)의 경계영역(W3)으로 분사된다. 경계영역(W3)으로 분사된 차단유체는 기판(W)의 가장자리부(W1)와 중앙부(W2) 사이를 격리시킨다. 또한, 경계영역(W3)으로 분사된 차단유체는 중앙부(W2)로 향하지 않고, 가장자리 부(W1)를 통해 외부로 배출된다.

차단유체가 분사되면, 처리액 공급부재(20)의 노즐(22)은 기판(W)의 가장자리부(W1)로 처리액을 분사한다. 처리액은 기판(W)의 가장자리부(W1)에 잔류하는 물질, 예컨대, 감광액 및 파티클과 같은 오염물질 등을 제거한다. 이때, 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄(fume), 그리고 기타 공기 중에 부유하는 오염물질 들은 경계영역(W3)으로 분사되는 차단유체에 의해 기판(W)의 중앙부(W2)로 유입되지 않는다. 따라서, 기판(W)의 중앙부(W2) 영역이 오염물질에 의해 오염되는 것을 방지한다.

기판(W)의 가장자리부(W1)의 잔류물질 제거가 완료되면, 지지부재(14)의 회전이 중지되고, 기판(W)은 지지부재(14)로부터 언로딩(unloading)된다.

상술한 기판 처리 방법은 기판(W)의 가장자리부(W1)에 잔류하는 오염물질을 제거하는 공정을 수행할 때, 기판(W)의 중앙부(W2) 영역으로 오염물질이 유입되는 것을 방지한다. 특히, 처리액으로부터 발생되는 흄(fume) 및 공기 중에 부유하는 미세한 입자들이 기판(W)의 중앙부(W2)로 유입되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 공정의 효율을 향상시킨다. 특히, 식각 공정이 수행되지 않는 기판의 중앙부가 오염물질에 의해 오염되는 것을 방지한다.

Claims (4)

1. 기판 처리 장치에 있어서,

   기판을 지지하는 지지부재와,

   상기 지지부재의 상부에서, 상기 지지부재에 안착된 기판의 가장자리부에 처리액를 분사하는 처리액 공급부재와,

   공정시 상기 지지부재에 안착된 기판의 중앙부로 상기 처리액이 유입되는 것을 방지하는 보호 커버와,

   상기 지지부재에 안착된 기판의 중앙부가 오염물질에 의해 오염되는 것을 방지하도록, 상기 가장자리부와 상기 중앙부를 차단시키는 오염물질 유입방지부재를 포함하되,

   상기 오염물질 유입방지부재는,

   유체 공급라인과,

   상기 유체 공급라인으로부터 공급받은 차단유체를 균등한 양으로 분배시키는 분배부재와,

   상기 지지부재에 안착된 기판의 가장자리부와 중앙부 사이의 경계부에 상기 차단유체가 균일하게 분사되도록 차단유체의 흐름을 안내하는 안내 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 안내 부재는,

   상기 보호 커버의 내주면과 일정거리가 이격되도록 환형으로 제작되되, 그 외주면이 아래로 갈수록 중심으로부터 멀어지는 방향으로 경사지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 오염물질 유입방지부재는,

   상기 보호 커버에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 보호 커버 내 공간은,

   상하로 관통되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

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