TWI521636B - 基板運送裝置、基板運送方法及記錄有用來實行該基板運送方法的程式之記錄媒體 - Google Patents

基板運送裝置、基板運送方法及記錄有用來實行該基板運送方法的程式之記錄媒體 Download PDF

Info

Publication number
TWI521636B
TWI521636B TW103140083A TW103140083A TWI521636B TW I521636 B TWI521636 B TW I521636B TW 103140083 A TW103140083 A TW 103140083A TW 103140083 A TW103140083 A TW 103140083A TW I521636 B TWI521636 B TW I521636B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
detecting
wafer
held
holding portion
Prior art date
Application number
TW103140083A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201508858A (zh
Inventor
林德太郎
坂口公也
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=44735825&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI521636(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 東京威力科創股份有限公司 filed Critical 東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201508858A publication Critical patent/TW201508858A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI521636B publication Critical patent/TWI521636B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Description

基板運送裝置、基板運送方法及記錄有用來實行該基板運送方法的程式之記錄媒體
本發明係關於一種運送基板之基板運送裝置、基板運送方法及記錄有用來實行該基板運送方法的程式之記錄媒體。
於半導體元件或LCD(Liquid Crystal Display,液晶顯示器)基板之製造過程中，在裝置內設置複數個對基板(以下亦稱為「晶圓」。)施行處理之處理模組，藉由以基板運送裝置將基板依序運送至此等處理模組，施行既定之處理。基板運送裝置，例如，設置為固持基板之叉部沿著基台自由進退，且基板圍繞鉛直軸地自由旋轉、自由升降而構成。
此一基板運送裝置，設有用於確認叉部自處理模組接收之基板是否有位置偏移的感測器(例如參考專利文獻1、2)。
專利文獻1揭露之半導體製造裝置，具有以運送基板之robot的臂部(叉部)來固持並進行運送之機構，該裝置係以臂部(叉部)之固持狀態下檢測在裝置內之複數單元所產生的基板其位置偏移量。專利文獻1中記載：具有以單元相互間之基板運送量的修正來修正基板其位置偏移量的機構。此外記載：為檢測基板之位置偏移，在複數處測定基板其周緣部之位置。
另一方面，專利文獻2揭露之基板運送機構，其特徵為在運送基板之基板運送機構中，具備：運送臂部、拾取部(叉部)、基板位置檢測感測器部、 中心位置運算部、偏移量運算部、以及臂控制部。專利文獻2所揭露之例中，基板位置檢測感測器部係設置於拾取部(叉部)，檢測固持基板時之基板位置。中心位置運算部，依據基板位置檢測感測器部的輸出來求出基板之中心位置。偏移量運算部，求出所求之中心位置與預先決定之基準位置的偏移量。臂控制部，在將拾取部(叉部)所固持之基板移載至運送目標位置時，控制運送臂部以使偏移量相抵。
[習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1 日本特開平8-31905號公報
專利文獻2 日本特開2006-351884號公報
然而，上述運送基板之基板運送裝置及基板運送方法中，有如下之問題。
專利文獻1所揭露之例，僅設有2個感測器，晶圓之位置偏移在水平面內往二維方向偏移之情況，無法精度良好地檢測偏移量。另一方面，專利文獻2揭露之例中，因設有3個感測器，即便在水平面內往二維方向偏移之情況，仍可檢測偏移量。
然而，於半導體基板等之基板(晶圓)中，於晶圓其周緣部之一部分，設有用於將晶圓定位之缺口的情況。專利文獻2所揭露之例中，雖以3個感測器檢測晶圓其周緣部之位置，但即便1個感測器在檢測出設有缺口之部分的情況，檢測之部分仍被認識為未設置缺口之部分。是故，在1個感測器檢測出設有缺口之部分的情況，無法正確地檢測晶圓之偏移量。
此外，為了能夠定位晶圓其周緣部之水平位置而具備具有下降機構之叉部，下降機構，係於叉部置導件以包圍晶圓之周圍，使導件之內側傾斜，將晶圓下降至叉部之既定位置。但在經過將光阻膜等之塗佈膜被塗佈處理之晶圓下降至既定位置時，被塗佈於晶圓外周之塗佈膜與導件接觸而剝離，有產生微粒之疑慮。
取代此一下降機構，使用例如藉由真空吸附來固持晶圓，定位晶圓之水平位置的叉部。然則，藉真空吸附將晶圓固持之叉部，因不具下降機構，故有容易產生水平面內的晶圓位置偏移等問題。此外，亦考慮於此一場合，由於部分原因而在叉部或基板發生異常的情況。進一步，亦考慮在感測器發生異常的情況。
鑒於上述問題，本發明提供一種將於基板周緣部具有缺口之基板藉由叉部固持、運送時，可精度良好地檢測基板位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量，且可同時確認叉部、基板與感測器之狀態並加以修正的基板運送裝置及基板運送方法。
為解決上述課題，本發明之特徵為採用如下敘述之各手段。
依本發明之一實施例，提供一種基板運送裝置，具有：基台；固持部，設為自該基台自由進退，固持基板；4個以上的檢測部，分別於不同位置，檢測在該固持部以固持基板之狀態後退時，該固持部所固持的該基板其周緣部之位置；以及控制部，依據該檢測部檢測出的該周緣部位置之檢測值，判斷該檢測部之任一是否檢測出該基板之周緣部其設有缺口之部分，在判斷為一個檢測部檢測出該設有缺口之部分時，依據該一個檢測部以外之3個檢測部的該檢測值，於運送至下一處理單元時修正至該處理單元的基板之傳遞位置。
此外，依本發明之另一實施例，提供一種基板運送裝置，具有：
基台；固持部，設為自該基台自由進退，固持基板；3個檢測部，分別於不同位置，檢測在該固持部以固持基板之狀態後退時，該固持部所固持的該基板其周緣部之位置；以及控制部，依據該檢測部檢測出的該周緣部位置之檢測值，判斷該檢測部之任一是否檢測出該基板之周緣部其設有缺口之部分，在判斷為一個檢測部檢測出該設有缺口之部分時，將該固持部對於該檢測部移動以使該檢測部不檢測出該設有缺口之部分，依據藉由該檢測部再檢測出的移動後之該固持部所固持的該基板其周緣部位置之再檢測值，修正至下一處理單元的基板之傳遞位置。
此外，依本發明之更另一實施例，提供一種基板運送方法，為基板運 送裝置之基板運送方法，該基板運送裝置具有：基台；固持部，設為自該基台自由進退，固持基板；以及4個以上的檢測部，分別於不同位置，檢測在該固持部以固持基板之狀態後退時，該固持部所固持的該基板其周緣部之位置；該基板運送方法包含判斷步驟，依據該檢測部檢測出的該周緣部位置之檢測值，判斷該檢測部之任一是否檢測出該基板之周緣部其設有缺口之部分；在判斷為一個檢測部檢測出該設有缺口之部分時，依據該一個檢測部以外之3個檢測部的該檢測值，於運送至下一處理單元時修正至該處理單元的基板之傳遞位置。
此外，依本發明之再另一實施例，提供一種基板運送方法，為基板運送裝置之基板運送方法，該基板運送裝置具有：基台；固持部，設為自該基台自由進退，固持基板；以及3個檢測部，分別於不同位置，檢測在該固持部以固持基板之狀態後退時，該固持部所固持的該基板其周緣部之位置；該基板運送方法包含判斷步驟，依據該檢測部檢測出的該周緣部位置之檢測值，判斷該檢測部之任一是否檢測出該基板之周緣部其設有缺口之部分；在判斷為一個檢測部檢測出該設有缺口之部分時，將該固持部對於該檢測部移動以使該檢測部不檢測出該設有缺口之部分，依據藉由該檢測部再檢測出的移動後之該固持部所固持的該基板其周緣部位置之再檢測值，修正至下一處理單元的基板之傳遞位置。
依本發明，運送基板之基板運送裝置及基板運送方法中，將於基板周緣部具有缺口之基板藉由叉部固持、運送時，可精度良好地檢測基板位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量，且可同時確認叉部、基板與感測器之狀態並加以修正。
A1~A4‧‧‧運送臂3
B1‧‧‧第1區塊(DEV層)
B2‧‧‧第2區塊(BCT層)
B3‧‧‧第3區塊(COT層)
B4‧‧‧第4區塊(TCT層)
BF2、BF3、CPL2、CPL3、CPL4、CPL11、CPL12、TRS1、TRS4、TRS6‧‧‧傳遞模組
C‧‧‧傳遞手段
D‧‧‧傳遞臂
E‧‧‧穿梭臂
F‧‧‧介面臂
I、II‧‧‧區域
L1~L4‧‧‧帶有箭頭的直線
M、M1~M5‧‧‧馬達
R、R1'、R2'、R3'、R4'‧‧‧半徑
S1‧‧‧載具區塊
S2‧‧‧處理區塊
S3‧‧‧介面區塊
S4‧‧‧曝光裝置
S11~S18、S21~S35、S41~S54、S61~S75‧‧‧步驟
SP‧‧‧基準位置
U1~U3‧‧‧棚架單元
W‧‧‧半導體晶圓
W1‧‧‧破裂之晶圓
WN‧‧‧缺口部
20‧‧‧載具
21‧‧‧載置台
22‧‧‧顯影模組
23‧‧‧塗佈模組
24‧‧‧運送口
3(3A、3B)‧‧‧叉部
31‧‧‧基台
32‧‧‧旋轉機構
33‧‧‧驅動機構
33A、33B‧‧‧進退機構
34‧‧‧升降台
35‧‧‧殼體
36‧‧‧Y軸導軌
38‧‧‧編碼器
39‧‧‧計數器
4(4A~4D)‧‧‧固持爪
41A~41D‧‧‧真空吸附部
42A~42D‧‧‧吸附孔
43A、43B‧‧‧真空配管
5(5A~5D)‧‧‧檢測部
51‧‧‧光源(LED)
51A~51D‧‧‧光源
52‧‧‧受光部(線性影像感測器)(CCD線感測器)
52A~52D‧‧‧線性影像感測器
53‧‧‧支持構件
54‧‧‧CCD線感測器控制部
55‧‧‧數位類比轉換器
56‧‧‧類比數位轉換器
57‧‧‧放大器
6‧‧‧控制部
61‧‧‧運算處理部
62‧‧‧記憶部
63‧‧‧顯示部
64‧‧‧警報發出部
7‧‧‧加熱模組
70‧‧‧運送口
71‧‧‧處理容器
72‧‧‧熱板
73‧‧‧上舉銷
74‧‧‧升降機構
圖1係顯示第1實施形態之光阻圖案形成裝置其結構的平面圖。
圖2係顯示第1實施形態之光阻圖案形成裝置其結構的概略立體圖。
圖3係顯示第1實施形態之光阻圖案形成裝置其結構的側視圖。
圖4係顯示第3區塊之結構的立體圖。
圖5係顯示第1實施形態之運送臂的立體圖。
圖6(a)、(b)係顯示第1實施形態之運送臂的平面圖及側視圖。
圖7係將第1實施形態之運送臂其叉部放大顯示的平面圖。
圖8係顯示檢測部及控制部的結構之方塊圖。
圖9係將控制部與第3區塊的運送臂及加熱模組一同顯示之構成圖。
圖10係顯示基板運送方法其各步驟之順序的流程圖。
圖11(a)~(e)係顯示傳遞晶圓時之加熱模組與運送臂的狀態之圖。
圖12係示意線性影像感測器之畫素編號與受光量的關係之圖表。
圖13係顯示判斷4個檢測部之任一皆未檢測出晶圓的缺口部之情況，線性影像感測器及晶圓之平面圖。
圖14係顯示判斷4個檢測部之任一檢測出晶圓的缺口部之情況，線性影像感測器及晶圓之平面圖。
圖15係用於對叉部彎曲的異常之判斷進行說明的圖，為示意線性影像感測器之畫素編號與受光量的關係之圖表。
圖16係用於對晶圓的異常進行說明的圖，為將固持晶圓之叉部放大顯示的平面圖(其1)。
圖17係用於對晶圓的異常之判斷進行說明的圖，為示意線性影像感測器之畫素編號與受光量的關係之圖表(其1)。
圖18係用於對晶圓的異常進行說明的圖，為將固持晶圓之叉部放大顯示的平面圖(其2)。
圖19係用於對晶圓的異常之判斷進行說明的圖，為示意線性影像感測器之畫素編號與受光量的關係之圖表(其2)。
圖20係用於對光源的異常之判斷進行說明的圖，為示意線性影像感測器之畫素編號與受光量的關係之圖表。
圖21係用於對線性影像感測器的異常之判斷進行說明的圖，為示意線性影像感測器之畫素編號與受光量的關係之圖表(其1)。
圖22係用於對線性影像感測器的異常之判斷進行說明的圖，為示意線性影像感測器之畫素編號與受光量的關係之圖表(其2)。
圖23係顯示基板運送方法其各步驟之順序的流程圖。
圖24係放大顯示缺口部未與線性影像感測器之任一重疊時，其固持晶圓之叉部的平面圖。
圖25係放大顯示缺口部與線性影像感測器之任一重疊時，其固持晶圓之叉部的平面圖。
圖26係顯示基板運送方法其各步驟之順序的流程圖。
圖27係顯示基板運送方法其各步驟之順序的流程圖。
[實施本發明之最佳形態]
以下，以將具備本發明之基板運送裝置的基板處理裝置，應用於塗佈顯影裝置之情況為例加以說明。
(第1實施形態)
首先，參考圖1至圖4，作為本發明之第1實施形態的基板處理裝置，對在塗佈顯影裝置連接曝光裝置之光阻圖案形成裝置，參考圖面並簡單地說明。
圖1為，顯示本實施形態之光阻圖案形成裝置其結構的平面圖。圖2為，顯示本實施形態之光阻圖案形成裝置其結構的概略立體圖。圖3為，顯示本實施形態之光阻圖案形成裝置其結構的側視圖。圖4為，顯示第3區塊(COT層)B3之結構的立體圖。
光阻圖案形成裝置，如圖1及圖2所示，具有載具區塊S1、處理區塊S2、及介面區塊S3。此外，於光阻圖案形成裝置之介面區塊S3側，設置曝光裝置S4。處理區塊S2，設置為與載具區塊S1鄰接。介面區塊S3，設置為於處理區塊S2其載具區塊S1側之相反側，與處理區塊S2鄰接。曝光裝置S4，設置為於介面區塊S3其處理區塊S2側之相反側，與介面區塊S3鄰接。
載具區塊S1，具有載具20、載置台21及傳遞手段C。載具20，被載置於載置台21上。傳遞手段C，用於自載具20將晶圓W取出，傳遞往處理區塊S2，並接收在處理區塊S2中已處理之處理完畢的晶圓W，將其送回載具20。
處理區塊S2，如圖1及圖2所示，具有棚架單元U1、棚架單元U2、第1區塊(DEV層)B1、第2區塊(BCT層)B2、第3區塊(COT層)B3、及第4區塊(TCT層)B4。第1區塊(DEV層)B1，用於施行顯影處理。第2區塊(BCT層)B2，用於施行形成在光阻膜其下層側之反射防止膜的形成處理。第3區塊(COT層)B3，用於施行光阻液之塗佈處理。第4區塊(TCT層)B4，用於施行形成在光阻膜其上層側之反射防止膜的形成處理。
棚架單元U1，為疊層各種模組而構成。棚架單元U1如圖3所示，例如具有自下方起依序疊層之傳遞模組TRS1、TRS1、CPL11、CPL2、BF2、CPL3、BF3、CPL4、TRS4。此外，如圖1所示，棚架單元U1之附近，設有自由升降之傳遞臂D。棚架單元U1之各處理模組彼此間，藉由傳遞臂D運送晶圓W。
棚架單元U2，為疊層各種處理模組而構成。棚架單元U2如圖3所示，例如具有自下方起依序疊層之傳遞模組TRS6、TRS6、CPL12。
另，圖3中，附上CPL之傳遞模組，兼作調節溫度用之冷卻模組，而附上BF之傳遞模組，兼作可載置複數枚晶圓W之緩衝模組。
第1區塊(DEV層)B1，如圖1及圖3所示，具有顯影模組22、運送臂A1及穿梭臂E。顯影模組22，於1個第1區塊(DEV層)B1內，疊層為上下2段。運送臂A1，係於2段之顯影模組22供運送晶圓W之用。亦即，運送臂A1，係將在2段之顯影模組22運送晶圓W的運送臂共通化。穿梭臂E，用於將晶圓W自棚架單元U1之傳遞模組CPL11直接運送至棚架單元U2之傳遞模組CPL12。
第2區塊(BCT層)B2、第3區塊(COT層)B3、及第4區塊(TCT層)B4，各自具有的塗佈模組、加熱‧冷卻系統之處理模組群、及運送臂A2、A3、A4。處理模組群，係用於施行在塗佈模組中進行之處理其前處理及後處理。運送臂A2、A3、A4，設於塗佈模組與處理模組群間，於塗佈模組與處理模組群之各處理模組間施行晶圓W之傳遞。
自第2區塊(BCT層)B2至第4區塊(TCT層)B4之各區塊，除了第2區塊(BCT層)B2及第4區塊(TCT層)B4的藥液為反射防止膜用之藥液、第3區塊(COT層)B3的藥液為光阻液之外，具有同樣的結構。
另，運送臂A1~A4，相當於本發明之基板運送裝置，關於運送臂A1~A4的結構於後補述。
另，傳遞手段C、傳遞臂D、及後述之介面臂F，亦相當於本發明之基板運送裝置。以下，作為基板運送裝置，代表運送臂A1~A4、傳遞手段C、傳遞臂D、及後述之介面臂F，對運送臂A1~A4加以說明。
另，如圖1所示，於運送臂A1，設置支持後述之檢測部5的支持構件53。此外，如圖1所示，於傳遞手段C、傳遞臂D、及後述之介面臂F，亦可設置支持後述之檢測部5的支持構件53。
此處，參考圖4，代表第2區塊(BCT層)B2、第3區塊(COT層)B3、及第4區塊(TCT層)B4，對第3區塊(COT層)B3的結構進行說明。
第3區塊(COT層)B3，具有塗佈模組23、棚架單元U3及運送臂A3。棚架單元U3，具有複數個處理模組，該複數個處理模組係以構成加熱模組、冷卻模組等之熱處理模組群的方式疊層。棚架單元U3，配列為與塗佈模組23對向。運送臂A3，設於塗佈模組23與棚架單元U3之間。圖4中之24，為在各處理模組與運送臂A3間用以施行晶圓W之傳遞的運送口。
介面區塊S3如圖1所示，具有介面臂F。介面臂F，設置於處理區塊S2其棚架單元U2之附近。棚架單元U2之各處理模組彼此間、及與曝光裝置S4間，藉由介面臂F運送晶圓W。
藉由傳遞手段C，將來自載具區塊S1之晶圓W，依序運送至棚架單元U1其一個傳遞模組，例如與第2區塊(BCT層)B2對應之傳遞模組CPL2。運送至傳遞模組CPL2之晶圓W，被傳遞往第2區塊(BCT層)B2之運送臂A2，介由運送臂A2運送至各處理模組(塗佈模組及加熱‧冷卻系統之處理模組群的各處理模組)，在各處理模組施行處理。藉此，於晶圓W形成反射防止膜。
形成有反射防止膜之晶圓W，介由運送臂A2、棚架單元U1之傳遞模組BF2、傳遞臂D、棚架單元U1之傳遞模組CPL3，傳遞至第3區塊(COT層)B3之運送臂A3。之後，介由運送臂A3將晶圓W運送至各處理模組(塗佈模組及加熱‧冷卻系統之處理模組群的各處理模組)，在各處理模組施行處理。藉此，於晶圓W形成光阻膜。
形成有光阻膜之晶圓W，介由運送臂A3，傳遞至棚架單元U1之傳遞模組BF3。
另，形成有光阻膜之晶圓W，亦有於第4區塊(TCT層)B4中更形成反射防止膜的場合。此一場合，晶圓W介由傳遞模組CPL4，傳遞至第4區塊(TCT層)B4之運送臂A4，再介由運送臂A4運送至各處理模組(塗佈模組及加熱‧冷卻系統之處理模組群的各處理模組)，在各處理模組施行處理。藉此，於晶圓W形成反射防止膜。之後，形成有反射防止膜之晶圓W，介由運送臂A4，被傳遞至棚架單元U1之傳遞模組TRS4。
形成有光阻膜之晶圓W或在光阻膜上更形成有反射防止膜之晶圓W，介由傳遞臂D、傳遞模組BF3、TRS4，傳遞至傳遞模組CPL11。傳遞至傳遞模組CPL11之晶圓W，藉由穿梭臂E被直接運送至棚架單元U2之傳遞模組CPL12後，被傳遞往介面區塊S3之介面臂F。
傳遞至介面臂F之晶圓W，被運送往曝光裝置S4，施行既定之曝光處理。施行完既定之曝光處理的晶圓W，介由介面臂F，被載置至棚架單元U2之傳遞模組TRS6，回到處理區塊S2。將回到處理區塊S2之晶圓W，於第1區塊(DEV層)B1中施行顯影處理。施行完顯影處理之晶圓W，介由運送臂A1、棚架單元U1之傳遞模組TRS1、傳遞手段C，回到載具20。
其次，參考圖4至圖6，對本發明的作為基板運送裝置之運送臂A1~A4加以說明。因運送臂A1~A4係為同樣構成，故以設於第3區塊(COT層)B3之運送臂A3為代表進行說明。圖5為，顯示運送臂A3之立體圖。圖6(a)及圖6(b)為，顯示運送臂A3之平面圖及側視圖。
如圖4至圖6所示，運送臂A3具有：2枚叉部3(3A、3B)、基台31、旋轉機構32、進退機構33A、33B、升降台34、檢測部5(5A~5D)、及控制部6。另，關於控制部6，使用後述之圖8及圖9進行說明。
2枚叉部3A、3B設置為上下重疊。基台31設置為藉由旋轉機構32，圍繞鉛直軸地自由旋轉。此外，叉部3A、3B，各自之基端側分別被進退機構33A、33B所支持，設置為藉由進退機構33A、33B，自基台31自由進退。
另，叉部3(3A、3B)，相當於本發明的固持部。此外，本實施形態，並 不限定將2枚叉部3A、3B設置為上下重疊之例，亦可將2枚叉部3A、3B設置為於水平方向並列。此外，叉部3，亦可設置為僅有1枚，或設置為3枚以上上下重疊、抑或於水平方向並列。
進退機構33A、33B為，設置於基台31內部之驅動機構，於後述之圖9所示的馬達M，使用確動皮帶等之傳達機構以連結，將設置為自基台31自由進退之叉部3A、3B進退驅動。作為傳達機構，可採用使用滾珠螺桿機構或確動皮帶之機構等的習知結構。
另，後述之圖9，於基台31之下方側圖示有進退機構33A、33B之驅動機構33。進退機構33A、33B，藉由構成為以馬達M使設於基台31內部之驅動機構33旋轉，將叉部3A、3B自基台31進退驅動。馬達M，與編碼器38相連接。圖9中39為計算編碼器38之脈波數的計數器。
升降台34如圖4所示，設於旋轉機構32之下方側。升降台34係設置為，沿著於上下方向(圖4中Z軸方向)直線狀地延伸之未圖示的Z軸導軌，藉由升降機構自由升降。作為升降機構，可採用使用滾珠螺桿機構或確動皮帶之機構等的習知結構。此例中Z軸導軌及升降機構各自以殼體35覆蓋，例如於上部側中相連接而成為一體。此外殼體35係構成為，沿著於Y軸方向直線狀地延伸之Y軸導軌36滑動。
其次，參考圖5至圖8，對叉部3、檢測部5加以說明。圖7為，放大顯示叉部3A之平面圖。圖7係為了容易圖示，對叉部3A將固持爪4(4A~4D)略微放大而顯示。圖8為，顯示檢測部5及控制部6的結構之方塊圖。圖8中的控制部6，與後述之使用圖9及圖11說明的控制部6相同。
如圖5至圖7所示，叉部3A、3B形成為圓弧狀，設置為包圍所運送之晶圓W其周圍。此外，於叉部3A、3B，分別形成固持爪4。固持爪4，自叉部3A、3B其內緣往各自內側凸出，並沿著內緣互相隔著間隔地設置，藉由載置晶圓W之周緣部而固持晶圓W。固持爪4，設有3個以上。圖5及圖6所示之例，為了固持晶圓W其周緣部之4處，設置4個固持爪4A、4B、4C、4D。
如圖5至圖7所示，於固持爪4A~4D，各自設置真空吸附部41A~41D。真空吸附部41A~41D，在晶圓W之周緣部載置於固持爪4A~4D時， 藉由將晶圓W之周緣部真空吸附，使晶圓W固持於固持爪4A~4D。此外，如圖7所示，真空吸附部41A~41D，具備設於固持爪4A~4D之吸附孔42A~42D。吸附孔42A~42D如圖6(a)所示，與形成於叉部3A、3B之內部、頂面或底面之真空配管43A、43B連通，介由真空配管43A、43B，與未圖示之真空排氣部相連接。藉由具有此一構成，真空吸附部41A~41D，可將晶圓W真空吸附。
本實施形態的叉部3A、3B，藉由真空吸附部41A~41D將晶圓W固持於固持爪4A~4D。因此，不必為了將晶圓W的周緣部定位於水平位置而設置下述之下降機構：於叉部3A、3B設置導件以包圍晶圓W之周圍，使導件之內側傾斜，將晶圓W下降至叉部3A、3B之既定位置。藉此，載置已將光阻膜等之塗佈膜塗佈處理的晶圓W時，被塗佈於晶圓外周之塗佈膜，沒有與導件接觸而剝離並產生微粒之疑慮。
另，如同後述，本實施形態，由於可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量，故叉部3A、3B具備僅載置之構造而取代下降機構即可，不必非得具有真空吸附部。
檢測部5(5A~5D)，如圖5至圖7所示設有4個。檢測部5(5A~5D)，分別於不同位置，檢測在各自之叉部3A、3B以固持晶圓W之狀態後退時，叉部3A、3B所固持的晶圓W其周緣部之位置。檢測部5(5A~5D)設置為，於叉部3A、3B後退時與叉部3A、3B所固持的晶圓W其周緣部在俯視時重疊。此外，4個檢測部5A~5D，俯視時，於叉部3A、3B後退時沿著叉部3A、3B所固持之晶圓W外周互相隔著間隔而設置。
檢測部5(5A~5D)，藉由一對光源51(51A~51D)、及以複數個由受光元件配列而成之受光部52所構成。此外，作為受光部52，可使用例如線性影像感測器52(52A~52D)。光源51(51A~51D)與線性影像感測器52(52A~52D)係設置為，將後退之叉部3A、3B所固持的晶圓W之任一自上下包夾。檢測部5A~5D，用於在叉部3A、3B之其中任1枚於固持晶圓W之狀態後退時，檢測叉部3A、3B之任一所固持的晶圓W其周緣部之位置。
具體而言，光源51(51A~51D)與線性影像感測器52(52A~52D)，一方設於2枚叉部3A、3B之下方，另一方設於2枚叉部3A、3B之上方。光源 51(51A~51D)與線性影像感測器52(52A~52D)之任一方設於2枚叉部3A、3B之下方的情況，可安裝於基台31，亦可安裝於下側之叉部3B其基台31側。另一方面，光源51(51A~51D)與線性影像感測器52(52A~52D)之任另一方設置於2枚叉部3A、3B之上方的情況，可安裝於基台31，亦可安裝於與上側之叉部3A其基台31側相反的一側。
圖5及圖6所示之例，顯示光源51安裝於基台31、線性影像感測器52介由支持構件53安裝於基台31之例。
藉由具有上述構成，在2枚叉部3A、3B各自固持的晶圓W其周緣部位置的檢測上，不必於每個叉部3A、3B皆設置光源51及線性影像感測器52兩者。因此，可減少使用之光源51及線性影像感測器52的數目。
然而，2枚叉部3A、3B亦可設有4個檢測部5地構成。每個叉部3A、3B設有4個檢測部5的情況，構成檢測部5之一對光源51與線性影像感測器52，設為自上下包夾後退之叉部3A、3B所固持的晶圓W之任一即可。
此外，藉由設置4個檢測部5(5A~5D)設，如同後述地，將於周緣部具有凹口(缺口部)WN之晶圓W固持，運送時，亦可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量。另，檢測部5，亦可設有4個以上。
作為光源51，以下雖就使用LED(Light Emitting Diode，發光二極體)之例進行說明，但具體而言，可使用將複數個LED直線狀地配列之光源、或於單一LED之發光側直線狀地設置導光材料的直線狀光源。此外，作為線性影像感測器52，可使用CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)線感測器、光纖感測器、光電感測器等各種線性影像感測器。亦即，作為由線性影像感測器構成之受光部52其受光元件，可使用CCD、光電感測器等之各種受光元件。以下，以使用CCD線感測器代表此等各種線性影像感測器之例加以說明。
如圖8所示，檢測部5A，除了LED51、CCD線感測器52以外，具有CCD線感測器控制部54、數位類比轉換器(DAC)55、及類比數位轉換器(ADC)56。此外，圖8中雖省略圖示，但檢測部5B、5C、5D，亦與檢測部5A具有同樣的結構。
CCD線感測器控制部54為時序產生器，依據來自未圖示之時鐘的時鐘訊號用於使CCD線感測器52之各CCD元件的動作時序偏移，使電荷移動。此外，CCD線感測器控制部54，亦施行LED51之電流控制。DAC55係為了將來自CCD線感測器控制部54之數位控制訊號輸入至LED51，供其類比轉換之用。ADC56係為了將來自CCD線感測器52之作為檢測訊號的類比輸出訊號，由檢測部5A~5D輸出，供其數位轉換之用。
由檢測部5輸出之檢測訊號(檢測值)，被輸入至控制部6。控制部6介由放大器57，控制：設於進退機構33A、33B之X軸驅動用的馬達M1、M2；設於基台31之Y軸驅動用的馬達M3、設於升降台34之Z軸驅動用的馬達M4、及設於旋轉機構32之旋轉驅動用的馬達M5之共計5軸驅動用的馬達M1~M5。
藉由如同以上之構成，來自CCD線感測器控制部54之控制訊號，藉DAC55類比轉換，藉由將被類比轉換之控制訊號輸入至LED51，使LED51直線狀地發光。自LED51發光的光線，於CCD線感測器52中受光。接收光線之CCD線感測器52，依據來自CCD線感測器控制部54之控制訊號的時序，在感測器內藉由使電荷移動而將反應受光量的訊號輸出。由CCD線感測器52輸出之檢測訊號(檢測值)，藉由ADC56數位轉換後，被輸入至控制部6內之運算處理部61。
包含於運算處理部61的處理，控制部6內，依據檢測值，施行：晶圓W其周緣部之位置的計測、晶圓W之中心位置的計算、晶圓W之半徑的計算、以及4個檢測部5A~5D之任一是否檢測出晶圓W其缺口部WN的判斷。而判斷為4個檢測部5A~5D之1個檢測出缺口部WN時，依據其以外之3個檢測部5的檢測值，修正叉部3A、3B之位置。
其次，參考圖9，對控制運送臂與處理模組間之晶圓W傳遞的控制部6進行說明。
另，以下對包含基板運送方法之說明，以運送臂作為傳遞晶圓W之處理模組，例示加熱模組7並加以說明。加熱模組7，如同使用前述之圖3及圖4所做的說明，分別於第1區塊(DEV層)B1、第2區塊(BCT層)B2、第3區塊(COT層)B3、第4區塊(TCT層)B4其各自之中，組裝於棚架單元U3。
圖9為，將控制部6與第3區塊(COT層)B3的運送臂A3及加熱模組7一同顯示之構成圖。
如圖9所示，加熱模組7，對晶圓W施行熱處理。於處理容器71內，設有熱板72。熱板72，設有上舉銷73。升降機構74係供上舉銷73升降之用。此外，圖9中70為晶圓W之運送口。
控制部6，具有運算處理部61、記憶部62、顯示部63、及警報發出部64。
運算處理部61為，例如具有記憶體、CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)之作為資料處理部的電腦。運算處理部61，讀取記憶部62所記錄之程式，依照該程式所含之命令(指令)，將控制訊號送至光阻圖案形成裝置之各部，實行包含於光阻圖案形成處理之各種基板處理。此外，運算處理部61，讀取記憶部62所記錄之程式，依照該程式所含之命令(指令)，將控制訊號送至運送臂A3之各馬達M1~M5，實行晶圓W之傳遞及運送。
記憶部62係為，於運算處理部61記錄有用來實行各種處理之程式的電腦可讀取之記錄媒體。作為記錄媒體，可使用例如，軟性磁碟、光碟、硬碟、磁光碟(Magnetoptical；MO)等。
顯示部63，由例如電腦之畫面構成。顯示部63，可施行各種基板處理之選擇、或各基板處理的參數之輸入操作。
警報發出部64，於包含運送臂A3在內之光阻圖案形成裝置其各部發生異常時，發出警報。
此外，如同前述，運算處理部61構成為：對運送臂A3其進退機構33A、33B、基台31、升降台34、設於旋轉機構32的馬達M1~M5、編碼器38或計數器39等送出既定之控制訊號，並控制之。而記憶部62，含有用於實行本實施形態的基板運送方法之程式。
其次，參考圖9至圖14，例示運送臂A3其叉部3A自加熱模組7接收晶圓W時之步驟，對本實施形態的基板運送方法加以說明。圖10為，顯示基板運送方法其各步驟之順序的流程圖。圖11為，顯示傳遞晶圓W時之加熱模組7與運送臂A3的狀態之圖。圖12為，示意線性影像感測器之畫素編號與受光量的關係之圖表。圖13為，顯示判斷4個檢測部5之任一 皆未檢測出晶圓W的缺口部之情況，線性影像感測器52A~52D及晶圓W之平面圖。圖14為，顯示判斷4個檢測部5之任一檢測出晶圓W的缺口部WN之情況，線性影像感測器52A~52D及晶圓W之平面圖。
如圖10所示，基板運送方法具有：接收步驟(stepS11)、後退步驟(stepS12)、檢測步驟(stepS13)、中心位置計算步驟(stepS14)、判斷步驟(stepS15)、選擇步驟(stepS16或stepS16')、偏移量計算步驟(stepS17)、以及運送步驟(stepS18)。
接收步驟(stepS11)，如圖11(a)所示，將固持晶圓W之上舉銷73往上舉，藉由上舉銷73將晶圓W抬升至熱板72之上方位置為止。其次，如圖11(b)所示，於晶圓W之下方側，使叉部3A自起始位置沿著X軸前進。之後，如圖11(c)所示，使叉部3A上升，將晶圓W自下方側抬起，使其固持於固持爪4A~4D，藉以自加熱模組7之熱板72接收晶圓W。
其次，後退步驟(stepS12)如圖11(d)所示，在將晶圓W固持於叉部3A之狀態，使上舉銷73下降。之後如圖11(e)所示，使叉部3A自加熱模組7沿著X軸後退至起始位置為止。
其次，檢測步驟(stepS13)如圖11(e)所示，叉部3A在固持晶圓W之狀態下後退時，控制部6，依據線性影像感測器52之檢測值，計測晶圓W其周緣部之位置。
後退步驟(stepS12)之後，叉部3A在固持晶圓W之狀態下後退時，自設於叉部3A其下方之光源51朝向上方發光。發出之光線由設於叉部3A其上方之線性影像感測器52受光。受光之線性影像感測器52，為沿著晶圓W之徑方向將CCD呈直線狀地配列而構成的CCD線感測器時，依據作為各畫素之各CCD的檢測值，可決定受光之畫素與未受光之畫素的邊界位置。之後，依據決定之邊界位置，可計測晶圓W其周緣部之位置。
如圖12所示，以未接收自光源51發出之光線的未受光之畫素其檢測值(以下以「受光量」稱之。)為第1值n1，以接收自光源51發出之光線的受光之畫素其受光量為第2值n2。此時，晶圓W其周緣部之位置，可作為各畫素之受光量於第1值n1與第2值間變化的位置E而檢測出。受光量作為8位元之資料處理時，可使第1值n1為例如0、第2值n2為例如255以 下之既定值。此外，圖12，如同使用圖15之後述，使自光源51發出之光線被叉部3A、3B所遮蔽的基準位置其畫素數為900。
另，如同前述，作為光源51，可使用各種光源取代LED；作為線性影像感測器52之受光元件，可使用各種受光元件取代CCD。
如圖13所示，4個線性影像感測器52A~52D之延伸方向與Y軸構成的角θ為θ1、θ2、θ3、θ4。
以叉部3A所固持之晶圓W未偏移時的位置為基準位置(本發明中的既定位置)，如圖13所示，使基準位置的線性影像感測器52上之晶圓W其周緣部的位置，分別為a點、b點、c點、d點。此外，以叉部3A所固持之晶圓W偏移時的位置為偏移位置，使偏移位置的線性影像感測器52上之晶圓W其周緣部的位置，分別為a'點、b'點、c'點、d'點。
各線性影像感測器52中，使a點、b點、c點、d點與a'點、b'點、c'點、d'點之距離為△a、△b、△c、△d。此時，△a、△b、△c、△d為：△a[mm]={(a'點之畫素數)-(a點之畫素數)}×畫素間隔[mm] (1)
△b[mm]={(b'點之畫素數)-(b點之畫素數)}×畫素間隔[mm] (2)
△c[mm]={(c'點之畫素數)-(c點之畫素數)}×畫素間隔[mm] (3)
△d[mm]={(d'點之畫素數)-(d點之畫素數)}×畫素間隔[mm] (4)
另，a點之畫素數係指，自線性影像感測器52之晶圓W中心側的起點開始至a點為止的畫素之數目。
如此一來，則a點~d點、a'點~d'點的座標，如以下表示。
a點(X1,Y1)=(X-Rsinθ1,Y-Rcosθ1) (5)
a'點(X1',Y1')=(X1-△asinθ1,Y1-△acosθ1)=(X-(R+△a)sinθ1,Y-(R+△a)cosθ1) (6)
b點(X2,Y2)=(X-Rsinθ2,Y+Rcosθ2) (7)
b'點(X2',Y2')=(X2-△bsinθ2,Y2+△bcosθ2)=(X-(R+△b)sinθ2,Y+(R+△b)cosθ2) (8)
c點(X3,Y3)=(X+Rsinθ3,Y+Rcosθ3) (9)
c'點(X3',Y3')=(X3+△csinθ3,Y3+△ccosθ3)=(X+(R+△c)sinθ3,Y+(R+△c)cosθ3) (10)
d點(X4,Y4)=(X+Rsinθ4,Y-Rcosθ4) (11)
d'點(X4',Y4')=(X4+△dsinθ4,Y4-△dcosθ4)=(X+(R+△d)sinθ4,Y-(R+△d)cosθ4) (12)
連帶地，由式(6)、式(8)、式(10)、式(12)，可求出a'點(X1',Y1')、b'點(X2',Y2')、c'點(X3',Y3')、d'點(X4',Y4')之座標。
其次，中心位置計算步驟(stepS14)，由a'點、b'點、c'點、d'點中之任3點計算偏移位置的晶圓W其中心位置o'之座標(X',Y')。
例如'由a'點(X1',Y1')、b'點(X2',Y2')、c'點(X3',Y3')之3點計算偏移位置的中心位置o'之座標(X',Y')的式子為下記式(13)
及下記式(14)
所示。
此外，半徑R'為，由中心位置o'之座標(X',Y')與a'點(X1',Y1')、b'點(X2',Y2')、c'點(X3',Y3')之各座標，自下記式(15)求出。
此外，中心位置計算步驟(stepS14)，為了施行下一判斷步驟(stepS15)，抽出a'點、b'點、c'點、d'點之中，與前述之3點(a'點、b'點、c'點)相異的3點之組合，例如(a'點、b'點、d'點)、(a'點、c'點、d'點)、(b'點、c'點、d'點)，與此3點對應，先計算中心位置o'之座標(X',Y')及半徑R'。
其次，判斷步驟(stepS15)，判斷4個線性影像感測器52A~52D之任一是否檢測出晶圓W其周緣部設置缺口之部分(缺口部)WN。
藉由中心位置計算步驟(stepS14)，對a'點、b'點、c'點、d'點之中，與任3點之組合對應而計算出的中心位置o'之座標(X',Y')、及半徑R'，施行判斷。
首先，判斷與任3點之組合對應的半徑R'，是否與晶圓W其已知的半徑R略等。
如圖13所示，晶圓W之凹口(缺口部)WN，於俯視時，未在a'點、b'點、c'點、d'點任一之附近時，a'點、b'點、c'點、d'點中，與任3點之組合對應而計算出之半徑R'亦與半徑R略等。此時，判斷為4個線性影像感測器52A~52D之任一皆未檢測出晶圓W的缺口部WN。
此時，於其次之選擇步驟(stepS16)中，可選擇4個線性影像感測器52A~52D中，任3個線性影像感測器52的檢測值。
另一方面，如圖14所示，晶圓W之凹口(缺口部)WN，於俯視時，位於a'點、b'點、c'點、d'點任一之附近時，與去除位於其附近之點的3點之組合對應而計算出之半徑R'和半徑R略等。但，與包含位於其附近之點的3點之組合對應而計算出之半徑R'，變得和半徑R相異。此時，判斷為4個線性影像感測器52A~52D之任一檢測出晶圓W的缺口部。圖14所示之例，晶圓W之凹口(缺口部)WN於俯視時位於b'點之附近。
此時，於下一選擇步驟(stepS16')中，選擇4個線性影像感測器52A~52D中，檢測出晶圓W的缺口部WN之線性影像感測器52以外的3個線性影像感測器52其檢測值。圖14所示之例，選擇3個線性影像感測器52A、52C、52D之檢測值。
其次，偏移量計算步驟(stepS17)，求出所計算的中心位置o'之座標(X',Y')與基準位置o的晶圓W之座標o(X,Y)間的偏移量(△X,△Y)。
依據檢測出晶圓W的缺口部WN之線性影像感測器(圖14所示之例為52B)以外的線性影像感測器(圖14所示之例為52A、52C、52D)其檢測值，計算偏移量(△X,△Y)。
偏移量(△X,△Y)由△X[mm]=X'-X (16)
△Y[mm]=Y'-Y (17)
計算出。
其次，運送步驟(stepS18)，藉由在偏移量計算步驟(stepS17)計算出之偏移量(△X,△Y)，在運送至下一處理模組時，修正偏移量分的叉部之運送量，以運送晶圓W將其放置到運送位置之單元的必要位置(傳遞位置)。運送步驟(stepS18)，以將計算之中心位置o'成為基準位置o的方式，修正至下一處理模組之基板傳遞位置。而運送步驟(stepS18)後，將晶圓W傳遞至下一處理模組之基板固持部。
另，下一處理模組，相當於本發明中的下一處理單元。
本實施形態，藉由施行判斷步驟(stepS15)，將於周緣部具有缺口部WN之晶圓W固持、運送的情況，亦可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量。進一步，藉由未具有將晶圓W下降至既定位置之構造的叉部來運送的情況，亦可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量。
另，運送至下一處理模組後，亦可再度施行檢測步驟(stepS13)、中心位置計算步驟(stepS14)及偏移量計算步驟(stepS17)。藉此，亦可檢測在最初檢測出偏移量後、至運送至下一處理模組之間所產生的偏移量。
此外，本實施形態，使用線性影像感測器52其作為各畫素之受光量的檢測值，可偵測各種異常。以下，對叉部彎曲的異常、晶圓W的異常、光源51的異常及線性影像感測器52的異常之偵測方法加以說明。
首先，參考圖15，對叉部彎曲的異常之偵測方法加以說明。圖15為，用於對叉部彎曲的異常之判斷進行說明的圖，為示意線性影像感測器之畫素編號與受光量的關係之圖表。
檢測部5與叉部3A、3B並非一體設置時，自光源51發出之光線被叉部3A、3B遮光一部分。連帶地，將線性影像感測器52接收被遮光一部分的光線時所檢測出的檢測值預先保存。之後，依據叉部3A、3B後退時之線性影像感測器52的檢測值，可定時地監視叉部3A、3B之形狀。此一情況，先將檢測部5構成為，於叉部3A、3B後退時，可分別在不同位置檢測叉部3A、3B之位置。
具體而言，如同圖15，將預先決定之叉部3A、3B的基準位置，作為線性影像感測器52之受光量變化的點其畫素數先行保存(記憶)。此一叉部 3A、3B之基準位置係為，在叉部3A、3B形狀正常的狀態下，叉部位於後退之位置(起始位置)時，檢測叉部3A、3B之形狀的位置。例如，叉部3A、3B之基準位置的畫素數為900。而例如叉部3A、3B干擾運送臂A3之其他部分或其他處理模組之一部分而折彎的情況，畫素數變化為700左右為止。藉由此一畫素數的變化，可判斷叉部彎曲的異常。
依畫素數的變化，判斷叉部彎曲為數mm程度而可繼續維持晶圓W的運送時，與上述運送步驟(stepS18)同樣地運送晶圓W，於運送結束後，自控制部6之警報發出部64發出警報。但，畫素數的變化大，被判斷為叉部彎曲異常時，中止晶圓W的運送，發出警報。
亦即，控制部6，比較叉部3A、3B之基準位置、及叉部3A、3B接收晶圓W而後退時之位置，判斷叉部3A、3B之形狀的異常。
藉由此一構成，若叉部之彎曲微小則可繼續處理，故可提高裝置之運行率。此外，可每次計算晶圓之中心，並判斷叉部彎曲的異常，故能夠立即掌握叉部的破損。
其次，參考圖16至圖19，對晶圓W的異常之偵測方法加以說明。圖16及圖18為，用於對晶圓W的異常進行說明的圖，為將固持晶圓W之叉部3A放大顯示的平面圖。圖16及圖18，為了容易圖示，省略固持爪4A、4B、4C、4D及缺口部WN的圖示。圖17及圖19為，用於對晶圓W的異常之判斷進行說明的圖，為示意線性影像感測器52之畫素編號與受光量的關係之圖表。
如同前述，可將晶圓W其周緣部之位置，作為各畫素之受光量於第1值n1與第2值n2間變化的位置加以檢測。因此，依據各畫素之受光量，可偵測晶圓W之固持狀態下產生的異常。
例如，如圖16所示，考慮叉部3A所固持之晶圓W，並非位於基準位置SP，自叉部3A突出時之情況。而以圓包圍的區域I中，晶圓W在俯視時全然未與線性影像感測器52C重疊。此時，線性影像感測器52C如圖17之虛線所示，未被叉部3A遮蔽的區域中，全部的畫素之受光量為第2值n2，任一的畫素之受光量皆不會為第1值n1。因此，任一之線性影像感測器52其未被叉部3A遮蔽的區域中，全部的畫素之受光量為第2值n2，未 檢測出晶圓W其周緣部之位置E時，控制部6，可判斷晶圓W自叉部3A突出。
此外，例如，如圖18所示，考慮叉部3A所固持之晶圓W，不位於基準位置SP，破裂時的情形。而以圓包圍的區域II中，破裂之晶圓W1位於晶圓W與叉部3A之間。此時，線性影像感測器52B如圖19所示，各畫素之受光量，例如於位置E1由第1值n1變化為第2值n2，且於位置E2亦由第1值n1變化為第2值n2。因此，線性影像感測器52B，將相異的2個位置E1、E2，作為複數個周緣部之位置(晶圓邊緣)而檢測出。如此一來，則依據各自之線性影像感測器52的檢測值所計算之晶圓W的半徑R有不一致、或較真正的值偏移更大的情形。此時，控制部6，可判斷晶圓W破裂。
由周緣部之位置的變化，判斷為晶圓W自叉部3A突出的情況，或判斷為晶圓W破裂的情況，中止晶圓W的運送，自控制部6之警報發出部64發出警報。
亦即，控制部6，依據叉部3A、3B在接收晶圓W而後退時的檢測值，判斷晶圓W是否自叉部3A、3B突出或晶圓W是否破裂。藉此，可每次計算晶圓之中心，並判斷晶圓W的異常，故能夠立即掌握晶圓W的突出或破損。
其次，參考圖20，對光源51的異常之偵測方法加以說明。圖20為，用於對光源51的異常之判斷進行說明的圖，為示意線性影像感測器52之畫素編號與受光量的關係之圖表。
光源51發生異常時，係藉由配置在自光源51發出之光線通常未被叉部3A所固持之晶圓W遮蔽的位置之畫素，檢測光的光量，依據檢測出的檢測值，可偵測光源51的異常。
例如，考慮由LED構成之光源51發生異常時的情況。作為在LED產生之異常，例示有例如：LED之熄燈、LED的光量降低、LED所具備的鏡片髒汚、或控制部6與LED間之任一纜線的斷線等。
此時，如圖20所示，配置在自光源51發出之光線通常未被叉部3A所固持之晶圓W遮蔽的位置之畫素其受光量，由原本應檢測出之第2值n2 發生變化。因此，配置在通常未被晶圓W遮蔽的位置之畫素其受光量，為與第2值n2相異的值時，控制部6，可判斷光源51發生異常。
藉由檢測值之變化，例如判斷LED的光量降低為少量而可繼續維持晶圓的運送之情況，與上述運送步驟(stepS18)同樣地運送晶圓W，於運送結束後，自控制部6之警報發出部64發出警報。但，例如LED的光量降低增大，判斷光源51發生異常時，中止晶圓W的運送，發出警報。
亦即，控制部6，依據配置在自光源51發出之光線通常未被叉部3A所固持之晶圓W遮蔽的位置之受光元件其檢測值，偵測光源51的異常。
藉此，若光源的異常程度微小的情況則可繼續處理，故可提高裝置之運行率。此外，可每次計算晶圓之中心，並判斷光源的異常，故能夠立即掌握光源的故障。
其次，參考圖21及圖22，對線性影像感測器52的異常之偵測方法加以說明。圖21及圖22為，用於對線性影像感測器52的異常之判斷進行說明的圖，為示意線性影像感測器52之畫素編號與受光量的關係之圖表。
叉部3A未固持晶圓W時，藉由線性影像感測器52，檢測自光源51發出之光線的光量，依據檢測出的檢測值，可偵測線性影像感測器52的異常。
與叉部彎曲之偵測方法同樣地，將在線性影像感測器52接收自光源51發出之光線時所檢測之檢測值，作為基準值預先保存。之後，依據基準值，可偵測線性影像感測器52的異常。
例如，考慮線性影像感測器52發生異常時的情況。作為在線性影像感測器52發生之異常，例示有：各CCD之缺陷、控制部6與線性影像感測器間之任一纜線的斷線等。
此時，如圖21所示，配置在未被叉部3A遮蔽、且自光源51發出之光線未被叉部3A所固持之晶圓W遮蔽的位置之畫素其受光量，未成為原本應被檢測出之第2值n2，產生變化。例如，發生異常之CCD完全無法檢測光時，由發生異常的CCD構成之畫素，檢測出例如第1值n1等之、與第2值n2相異的值。因此，叉部3A未固持晶圓W時、具有非第2值n2之檢測值的畫素時，控制部6，可判斷線性影像感測器52發生異常。
或，考慮位於區域AR之畫素發生異常時之情況。此時，如圖22所示，因位於區域AR之畫素的檢測值變為第1值n1，檢測值於第1值n1與第2值n2間變化的位置E，自線性影像感測器52未發生異常時之位置E0起偏移。亦即，所檢測的晶圓W其周緣部之位置，自畫素未發生異常時之位置偏移。因此，預先記憶線性影像感測器52未發生異常時的晶圓W其周緣部之位置E0，當記憶的晶圓W其周緣部之位置E0、與檢測的晶圓W其周緣部之位置E相異時，控制部6，可判斷線性影像感測器52發生異常。
藉由檢測值之變化，例如判斷為產生缺陷的畫素數其數目少而可繼續維持晶圓的運送之情況，與上述運送步驟(stepS18)同樣地運送晶圓W，於運送結束後，自控制部6之警報發出部64發出警報。但，例如產生缺陷的畫素數其數目多，而判斷為線性影像感測器52發生異常時，中止晶圓W的運送，發出警報。
亦即，控制部6，將作為線性影像感測器52未發生異常時之檢測值的基準值、及叉部3A、3B接收晶圓W而後退時之檢測值加以比較，偵測線性影像感測器52的異常。
藉此，若線性影像感測器的異常程度微小的情況則可繼續處理，故可提高裝置之運行率。此外，可每次計算晶圓之中心，並判斷線性影像感測器的異常，故能夠立即掌握線性影像感測器的故障。
另，作為本實施形態的檢測部，亦可使用照相機取代線性影像感測器，依據照相機之影像檢測晶圓W的位置。使用照相機之情況，獲得晶圓W其周緣部之4點的位置情報即可。因此，不必非要使用4台照相機，亦可使用1台照相機獲得4點位置情報。使用1台照相機之情況，例如，可介由支持構件安裝於基台31，使其位於2根叉部3A、3B之上方。
使用照相機之情況，如同本實施形態中使用線性影像感測器52之例所做的說明，叉部3A、3B在固持晶圓W之狀態下後退時，以照相機拍攝影像。之後，藉由將拍攝之影像進行影像處理，求出晶圓W其周緣部之4點的位置情報。其次，依據4點的位置情報，判斷4點中之任一是否檢測出晶圓W的缺口部WN，判斷為4點中之任一檢測出晶圓W的缺口部WN時，依據該1點以外之3點的位置情報，修正叉部3A、3B之位置。
(第2實施形態)
其次，參考圖23至圖25，對本發明之第2實施形態的基板處理方法加以說明。
本實施形態的基板處理方法，在任一的檢測部檢測出晶圓的凹口(缺口部)時，在使叉部對於檢測部相對移動的點上，與第1實施形態的基板處理方法不同。
本實施形態的基板處理方法，亦與第1實施形態中說明之基板處理方法相同，係以在塗佈顯影裝置連接曝光裝置之光阻圖案形成裝置進行。因此，省略關於基板處理裝置之說明。
以下，與第1實施形態相同地，對具有4個檢測部5的基板處理裝置之例子加以說明。然而，本實施形態中，檢測部5，至少具有3個即可。因此，4個檢測部5之中，去除其中任1個亦可。
圖23為，顯示基板運送方法其各步驟之順序的流程圖。另，關於本實施形態的基板運送方法，可例示運送臂A3之叉部3A自加熱模組7接收晶圓W時之步驟。而傳遞晶圓W時的加熱模組7與運送臂A3之狀態，與圖11所示相同。
接收步驟(stepS21)、後退步驟(stepS22)、檢測步驟(stepS23)及中心位置計算步驟(stepS24)，分別與第1實施形態中的接收步驟(stepS11)、後退步驟(stepS12)、檢測步驟(stepS13)及中心位置計算步驟(stepS14)相同。
其次，判斷步驟(stepS25)，判斷4個線性影像感測器52A~52D之任一是否檢測出晶圓W之周緣部設置缺口之部分(缺口部)WN。
首先，考慮晶圓W的缺口部WN，於俯視時，未與線性影像感測器52A~52D之任一重疊時的情況。
圖24為，放大顯示缺口部WN未與線性影像感測器52A~52D之任一重疊時，其固持晶圓W之叉部3A的平面圖。圖24，為了說明方便，假定為將晶圓W固持於基準位置，晶圓W之中心，於俯視時與叉部3A之中心重疊。此外，如圖24所示，使線性影像感測器52上的晶圓W其周緣部之位置，為a'點、b'點、c'點、d'點。
此外，藉由前述之式(15)，將與線性影像感測器52D、52A、52B之組 合對應，亦即與d'點、a'點、b'點之組合對應而計算出的半徑R1'，使用自晶圓W中心起朝向線性影像感測器52A之帶有箭頭的直線L1加以示意。此外，將與線性影像感測器52A、52B、52C之組合對應，亦即與a'點、b'點、c'點之組合對應而計算出的半徑R2'，使用自晶圓W中心起朝向線性影像感測器52B之帶有箭頭的直線L2加以示意。此外，將與線性影像感測器52B、52C、52D之組合對應，亦即與b'點、c'點、d'點之組合對應而計算出的半徑R3'，使用自晶圓W中心起朝向線性影像感測器52C之帶有箭頭的直線L3加以示意。此外，將與線性影像感測器52C、52D、52A之組合對應，亦即與c'點、d'點、a'點之組合對應而計算出的半徑R4'，使用自晶圓W中心起朝向線性影像感測器52D之帶有箭頭的直線L4加以示意。
如此一來，則半徑R1'、R2'、R3'、R4'之任一皆與半徑R相等。而判斷步驟(stepS25)，判斷4個線性影像感測器52A~52D之任一皆未檢測出晶圓W的缺口部WN。
判斷步驟(stepS25)判斷為4個線性影像感測器52A~52D之任一皆未檢測出晶圓W的缺口部WN時，施行偏移量計算步驟(stepS26)、模組間移動步驟(stepS27)及偏移量再計算步驟(stepS28)。
偏移量計算步驟(stepS26)，與第1實施形態中的偏移量計算步驟(stepS17)同樣地，將計算出的中心位置o'之座標(X',Y')與基準位置o的晶圓W之座標o(X,Y)間的偏移量(△X,△Y)，藉由式(16)及式(17)求出。其次，模組間移動步驟(stepS27)，在晶圓W被固持於叉部3A之狀態下，將運送臂A3自前一處理模組移動往下一處理模組。偏移量再計算步驟(stepS28)，可與偏移量計算步驟(stepS26)同樣地施行。另，於判斷步驟(stepS25)中判斷為4個線性影像感測器52A~52D之任一皆未檢測出晶圓W的缺口部WN時，亦可省略偏移量再計算步驟(stepS28)。
另一方面，考慮晶圓W的缺口部WN，於俯視時，與線性影像感測器52A~52D之任一重疊時的情況。
圖25為，放大顯示缺口部WN與線性影像感測器52A~52D之任一重疊時，其固持晶圓W之叉部3A的平面圖。圖25，為了說明方便，假定為將晶圓W固持於基準位置，晶圓W之中心，於俯視時與叉部3A之中心重 疊。此外，如圖25所示，使線性影像感測器52上的晶圓W其周緣部之位置，為a'點、b'點、c'點、d'點。
而如圖25所示，假定在b'點處與缺口部重疊。
此外，藉由前述之式(15)，將與線性影像感測器52D、52A、52B之組合對應，亦即與d'點、a'點、b'點之組合對應而計算出的半徑R1'，使用自晶圓W中心附近起朝向線性影像感測器52A之帶有箭頭的直線L1加以示意。此外，將與線性影像感測器52A、52B、52C之組合對應，亦即與a'點、b'點、c'點之組合對應而計算出的半徑R2'，使用自晶圓W中心附近起朝向線性影像感測器52B之帶有箭頭的直線L2加以示意。此外，將與線性影像感測器52B、52C、52D之組合對應，亦即與b'點、c'點、d'點之組合對應而計算出的半徑R3'，使用自晶圓W中心附近起朝向線性影像感測器52C之帶有箭頭的直線L3加以示意。此外，將與線性影像感測器52C、52D、52A之組合對應，亦即與c'點、d'點、a'點之組合對應而計算出的半徑R4'，使用自晶圓W中心附近起朝向線性影像感測器52D之帶有箭頭的直線L4加以示意。
如此一來，則半徑R2'與R4'，與半徑R相等，半徑R1'與R3'，變得較半徑R略短。而判斷步驟(stepS25)，判斷4個線性影像感測器52A~52D之任一檢測出晶圓W的缺口部WN。
另一方面，半徑R2'，原本應與半徑R相異。但實際上，半徑R2'有變得與半徑R略等之情形。考慮半徑R2'之所以變得與半徑R略等，係因其和晶圓W的缺口部WN與d'點重疊時之與a'點、b'點、c'點之組合對應而計算出的半徑相同之故。因此，判斷步驟(stepS25)中，雖可判斷4個線性影像感測器52A~52D之任一是否檢測出晶圓W的缺口部WN，但在判斷缺口部WN位於b'點、或位於d'點方面，有難以判斷之情形。
此時，施行自偏移量計算步驟(stepS29)至偏移量再計算步驟(stepS34)。
偏移量計算步驟(stepS29)，可與偏移量計算步驟(stepS26)相同。其次，模組間移動步驟(stepS30)，在晶圓W被固持於叉部3A之狀態下，將運送臂A3自前一處理模組移動往下一處理模組。
凹口迴避步驟(stepS31)，將叉部3A對於線性影像感測器52A~52D相 對移動，以使缺口部WN不被線性影像感測器52A~52D檢測出。具體而言，將叉部3A稍往前方移動，使線性影像感測器52A~52D迴避晶圓W的缺口部WN。
在凹口迴避步驟(stepS31)將叉部3A往前方移動之移動距離，宜為缺口部WN不被線性影像感測器52檢測出之既定距離以上。缺口部WN之形狀為，具有沿著晶圓W之徑方向的缺口深度例如1mm、沿著晶圓W之周方向的缺口長度例如3mm之V字形時，可使既定距離為例如4mm。
其後，施行自再檢測步驟(stepS32)至偏移量再計算步驟(stepS34)，可修正晶圓W之偏移量。再檢測步驟(stepS32)、中心位置再計算步驟(stepS33)及偏移量再計算步驟(stepS34)，可分別與檢測步驟(stepS23)、中心位置計算步驟(stepS24)及偏移量計算步驟(stepS26)同樣地施行。
但，凹口迴避步驟(stepS31)，以缺口部WN不被線性影像感測器52A~52D檢測出的方式將叉部3A相對移動，故缺口部WN不與線性影像感測器52A~52D之任一重疊。因此，自再檢測步驟(stepS32)至偏移量再計算步驟(stepS34)，即便使用線性影像感測器52A~52D之任3個仍可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量(△X,△Y)。
其次，運送步驟(stepS35)，藉由偏移量再計算步驟(stepS28或stepS34)所計算之偏移量(△X,△Y)，在運送至下一處理模組之基板固持部時，修正偏移量分的叉部之運送量並運送晶圓W以將其放置到運送位置之單元的必要位置(傳遞位置)。運送步驟(stepS35)，以將計算之中心位置o'成為基準位置o的方式，修正至下一處理模組之基板傳遞位置。
運送步驟(stepS35)，宜不使用偏移量計算步驟(stepS26或stepS29)所計算之偏移量。因在偏移量計算步驟(stepS26或stepS29)之後、偏移量再計算步驟(stepS28或stepS34)之前，有模組間移動步驟(stepS27或stepS30)中產生運送偏移之疑慮。然而，偏移量計算步驟(stepS26或stepS29)中計算之偏移量、與偏移量再計算步驟(stepS28或stepS34)中計算之偏移量相等的情況，亦可使用偏移量計算步驟(stepS26或stepS29)中計算出之偏移量。
而運送步驟(stepS35)後，以晶圓W被傳遞至下一處理模組之基板固持部的狀態，結束基板運送。
本實施形態，藉由施行判斷步驟(stepS25)及凹口迴避步驟(stepS31)，將於周緣部具有缺口部WN之晶圓W固持、運送時，亦可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量。進一步，即便藉由未具有將晶圓W下降至既定位置之構造的叉部來運送的情況，仍可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量。
此外，本實施形態，因施行凹口迴避步驟(stepS31)，可不設置4個檢測部5，設置3個亦可。
進一步，本實施形態亦與第1實施形態同樣地，可檢測叉部彎曲的異常、晶圓的異常、光源的異常及線性影像感測器的異常。而依照異常之程度，可於結束運送後發出警報，或中止運送並發出警報。
(第2實施形態之第1變形例)
其次，參考圖26，對本發明之第2實施形態其第1變形例的基板處理方法加以說明。
本變形例的基板處理方法，在任一之檢測部檢測出晶圓的凹口(缺口部)時，於將晶圓移動往下一模組的模組移動步驟間，使叉部對於檢測部相對移動的點上，與第2實施形態的基板處理方法不同。
本變形例的基板處理方法，亦與第1實施形態中說明之基板處理方法相同，係以在塗佈顯影裝置連接曝光裝置之光阻圖案形成裝置進行。因此，省略關於基板處理裝置之說明。
此外，本變形例亦與第2實施形態相同，檢測部5至少具有3個即可。因此，4個檢測部5之中，去除其中任1個亦可。
圖26為，顯示基板運送方法其各步驟之順序的流程圖。另，關於本變形例的基板運送方法，可例示運送臂A3之叉部3A自加熱模組7接收晶圓W時之步驟。而傳遞晶圓W時的加熱模組7與運送臂A3之狀態，與圖11所示相同。
接收步驟(stepS41)、後退步驟(stepS42)、檢測步驟(stepS43)、中心位置計算步驟(stepS44)、判斷步驟(stepS45)、偏移量計算步驟(stepS46)、模組間移動步驟(stepS47)及偏移量再計算步驟(stepS48)，可分別與第2實施形態中的接收步驟(stepS21)、後退步驟(stepS22)、檢測步驟(stepS23)、中心位置計 算步驟(stepS24)、判斷步驟(stepS25)、偏移量計算步驟(stepS26)、模組間移動步驟(stepS27)及偏移量再計算步驟(stepS28)相同。
本變形例，於判斷步驟(stepS45)判斷4個線性影像感測器52A~52D之任一檢測出晶圓W的缺口部WN時，施行偏移量計算步驟(stepS49)後，再施行模組間移動步驟+凹口迴避步驟(stepS50)。偏移量計算步驟(stepS49)，可與偏移量計算步驟(stepS46)相同。
模組間移動步驟+凹口迴避步驟(stepS50)中，在晶圓W被固持於叉部3A之狀態下，將運送臂A3自前一處理模組移動往下一處理模組。此時，將叉部3A對於線性影像感測器52A~52D相對移動，以使缺口部WN不被線性影像感測器52A~52D檢測出。而模組間移動步驟+凹口迴避步驟(stepS50)之後，施行自再檢測步驟(stepS51)至偏移量再計算步驟(stepS53)。再檢測步驟(stepS51)、中心位置再計算步驟(stepS52)、及偏移量再計算步驟(stepS53)，可分別與檢測步驟(stepS43)、中心位置計算步驟(stepS44)、及偏移量計算步驟(stepS46)同樣地施行。
但，模組間移動步驟+凹口迴避步驟(stepS50)，以缺口部WN不被線性影像感測器52A~52D檢測出的方式將叉部3A相對移動，故缺口部WN不與線性影像感測器52A~52D之任一重疊。因此，自再檢測步驟(stepS51)至偏移量再計算步驟(stepS53)，即便使用線性影像感測器52A~52D之任3個仍可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量(△X,△Y)。
其次，運送步驟(stepS54)，以將計算之中心位置o'成為基準位置o的方式，修正至下一處理模組之基板傳遞位置。
運送步驟(stepS54)，宜不使用偏移量計算步驟(stepS46或stepS49)所計算之偏移量。因在偏移量計算步驟(stepS46或stepS49)之後、偏移量再計算步驟(stepS48或stepS53)之前，有模組間移動步驟(stepS47)或模組間移動步驟+凹口迴避步驟(stepS50)中產生運送偏移之疑慮。然而，偏移量計算步驟(stepS46或stepS49)中計算之偏移量、與偏移量再計算步驟(stepS48或stepS53)中計算之偏移量相等的情況，亦可使用偏移量計算步驟(stepS46或stepS49)中計算出之偏移量。
而運送步驟(stepS54)後，以晶圓W被傳遞至下一處理模組之基板固持 部的狀態，結束基板運送。
本變形例，藉由施行判斷步驟(stepS45)及模組間移動步驟+凹口迴避步驟(stepS50)，將於周緣部具有缺口部WN之晶圓W固持、運送時，亦可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量。進一步，即便藉由未具有將晶圓W下降至既定位置之構造的叉部來運送的情況，仍可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量。
此外，本變形例，因於模組間移動步驟+凹口迴避步驟(stepS50)中施行凹口迴避，可不設置4個檢測部5，設置3個亦可。
進一步，本變形例亦與第1實施形態同樣地，可檢測叉部彎曲的異常、晶圓的異常、光源的異常及線性影像感測器的異常。而依照異常之程度，可於結束運送後發出警報，或中止運送並發出警報。
(第2實施形態之第2變形例)
其次，參考圖27，對本發明之第2實施形態其第2變形例的基板處理方法加以說明。
本變形例的基板處理方法，在將晶圓運送至下一模組後，更檢測偏移量的點上，與第2實施形態的基板處理方法不同。
本變形例的基板處理方法，亦與第1實施形態中說明之基板處理方法相同，係以在塗佈顯影裝置連接曝光裝置之光阻圖案形成裝置進行。因此，省略關於基板處理裝置之說明。
此外，本變形例亦與第2實施形態相同，檢測部5至少具有3個即可。因此，4個檢測部5之中，去除其中任1個亦可。
圖27為，顯示基板運送方法其各步驟之順序的流程圖。另，關於本變形例的基板運送方法，亦可例示運送臂A3之叉部3A自加熱模組7接收晶圓W時之步驟。而傳遞晶圓W時的加熱模組7與運送臂A3之狀態，與圖11所示相同。
接收步驟(stepS61)、後退步驟(stepS62)、檢測步驟(stepS63)、中心位置計算步驟(stepS64)、判斷步驟(stepS65)、偏移量計算步驟(stepS66)、凹口迴避步驟(stepS67)、第2檢測步驟(stepS68)、第2中心位置計算步驟(stepS69)、第2偏移量計算步驟(stepS70)、及模組間移動步驟(stepS71)，可分別與第2 實施形態中的接收步驟(stepS21)、後退步驟(stepS22)、檢測步驟(stepS23)、中心位置計算步驟(stepS24)、判斷步驟(stepS25)、偏移量計算步驟(stepS26)、凹口迴避步驟(stepS31)、再檢測步驟(stepS32)、中心位置再計算步驟(stepS33)、偏移量再計算步驟(stepS34)、及模組間移動步驟(stepS27或stepS30)相同。
本變形例，於模組間移動步驟(stepS71)後，施行第3檢測步驟(stepS72)、第3中心位置計算步驟(stepS73)、第3偏移量計算步驟(stepS74)及運送步驟(stepS75)。第3檢測步驟(stepS72)、第3中心位置計算步驟(stepS73)、及第3偏移量計算步驟(stepS74)，可分別與檢測步驟(stepS63)、中心位置計算步驟(stepS64)、及偏移量計算步驟(stepS66)相同。藉此，可檢測偏移量計算步驟(stepS66)或第2偏移量計算步驟(stepS70)中最初檢測出偏移量後、運送至下一處理模組之間所產生的偏移量。
其次，運送步驟(stepS75)，於第3偏移量計算步驟(stepS74)後，以將計算之中心位置o'成為基準位置o的方式，修正至下一處理模組之基板傳遞位置。
運送步驟(stepS75)，宜不使用偏移量計算步驟(stepS66)所計算之偏移量。於偏移量計算步驟(stepS66)之後、第3偏移量計算步驟(stepS74)之前，有模組間移動步驟(stepS71)中產生運送偏移之疑慮。然而，偏移量計算步驟(stepS66)中計算之偏移量、與第3偏移量計算步驟(stepS74)中計算之偏移量相等的情況，亦可使用偏移量計算步驟(stepS66)中計算出之偏移量。
而運送步驟(stepS75)後，以晶圓W被傳遞至下一處理模組之基板固持部的狀態，結束基板運送。
本變形例，藉由施行判斷步驟(stepS65)及凹口迴避步驟(stepS67)，將於周緣部具有缺口部WN之晶圓W固持、運送時，亦可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量。進一步，即便藉由未具有將晶圓W下降至既定位置之構造的叉部來運送的情況，亦可精度良好地檢測晶圓W其位置之偏移量，可輕易地修正此一偏移量。
此外，本變形例，因施行凹口迴避步驟(stepS67)，可不設置4個檢測部5，設置3個亦可。
進一步，本實施形態亦與第1實施形態同樣地，可檢測叉部彎曲的異常、晶圓的異常、光源的異常及線性影像感測器的異常。而依照異常之程度，可於結束運送後發出警報，或中止運送並發出警報。
以上，雖對本發明之最佳實施形態加以記述，但本發明並不限定於此一特定實施形態，於申請專利範圍內記載之本發明要旨的範圍內，可作各種變形‧變更。
W‧‧‧半導體晶圓
WN‧‧‧缺口部
3A‧‧‧叉部
4A~4D‧‧‧固持爪
41A~41D‧‧‧真空吸附部
42A~42D‧‧‧吸附孔
5A~5D‧‧‧檢測部
52A~52D‧‧‧線性影像感測器

Claims (27)

  1. 一種基板運送裝置，包含：基台；固持部，設成可自該基台自由進退，用以利用固持爪吸附固持住圓形基板之背面；檢測部之組合，包含第1檢測部、第2檢測部、及第3檢測部，該等檢測部分別於不同位置，檢測在該固持部後退且處於固持住基板之狀態時，該固持部所固持的該基板其周緣部之位置；以及控制部，輸出控制信號以實行下述步驟：步驟1，依據該檢測部之組合的檢測值，求出基板之中心位置及基板之半徑，並且比較所求出的半徑與基板的已知半徑；步驟2，依該比較結果，而判斷為檢測部並未檢測出基板之周緣部的缺口時，將所求之中心位置、與被固持於固持部之基準位置時的基板之中心位置兩者間的偏移量加以求出；步驟3，依該比較結果，所求出之半徑與基板之已知半徑不同，而判斷為有檢測部檢測出該缺口時，藉由使該固持部相對於基台進行進退，而使該固持部相對於該檢測部移動，以使該檢測部不檢測出該缺口，並依據藉由該檢測部再檢測出的移動後之該固持部所固持的該基板其周緣部位置之再檢測值，求出基板之中心位置，且將所求出的中心位置、與被固持於固持部之基準位置時的基板之中心位置兩者間的偏移量加以求出；及步驟4，依據所求出的偏移量，對運送動作進行修正，以將基板傳遞到下一處理單元中之傳遞位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板運送裝置，其中，該檢測部之組合所包含的檢測部之個數為4個。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板運送裝置，其中，在判斷為該檢測部已檢測出該缺口時，使該固持部相對於基台進行進退以使得該檢測部不檢測出該缺口，此動作係一面使該基台移動至運送位置之處理單元前，一面進行。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板運送裝置，其中，該控制部輸出控制信號以實行下述步驟：步驟1，判斷為該檢測部已檢測出該缺口，使得該固持部相對於基台進行進退，以使該檢測部不檢測出該缺口，且於求出該偏移量後，將該基台加以移動到處理單元之前；及步驟2，接著利用該檢測部，檢測出該固持部所固持之該基板其周緣部的位置，依據該檢測中之檢測值，求出基板的中心位置，且將所求出之中心位置、與被固持於固持部之基準位置時的基板之中心位置兩者間的偏移量加以求出。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板運送裝置，其中，該控制部輸出控制信號以實行下述步驟：步驟1，判斷為該檢測部並未檢測出基板之周緣部的缺口，且於求出該偏移量後，將該基台加以移動到處理單元之前；及步驟2，接著利用該檢測部，檢測出該固持部所固持之該基板其周緣部的位置，依據該檢測中之檢測值，求出基板的中心位置，且將所求出之中心位置、與被固持於固持部之基準位置時的基板之中心位置兩者間的偏移量加以求出。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板運送裝置，其中，該固持部，以上下重疊之方式設有複數個；該檢測部，在該固持部之任1個固持著基板的狀態下後退時，檢測該固持部所固持之該基板其周緣部的位置。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板運送裝置，其中，各該檢測部係由一對光源與受光部所構成，將該光源與該受光部設置為自上下包夾住後退中之該固持部所固持之基板；且該受光部係複數個受光元件配列而成。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板運送裝置，其中，該基台係可沿著以與該固持部之進退方向垂直方式延伸的引導機構 而移動；該固持部係可藉由進退機構一面引導至該基台一面進行進退；且該光源與受光部係設置於下列兩者中之一方及另一方：該基台上之與固持部所固持基板之底面對向的部分；及由自該基台伸出的支持構件所支持，且與該基板之頂面對向的部分。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之基板運送裝置，其中，該控制部，藉由配置在自該光源發出之光線通常未被該固持部所固持之基板遮蔽的位置之該受光元件，檢測該光線的光量，並依據檢測出的檢測值，偵測該光源的異常。
  10. 如申請專利範圍第7或8項之基板運送裝置，其中，該控制部，於該固持部未固持基板時，藉由該受光元件，檢測自該光源發出之光線的光量，依據檢測出的檢測值，偵測該受光元件的異常。
  11. 如申請專利範圍第7或8項之基板運送裝置，其中，該受光部為線性影像感測器。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板運送裝置，其中，該控制部對下列兩者進行比較，以判斷該固持部之形狀的異常：畫素編號1，亦即該固持部位於在正常狀態下所後退的位置時，線性影像感測器之受光量從受光狀態變化成遮光狀態的變化點之畫素編號；及畫素編號2，亦即欲判斷出異常之該固持部位於後退的位置時，線性影像感測器之受光量從受光狀態變化成遮光狀態的變化點之畫素編號。
  13. 如申請專利範圍第1或2項之基板運送裝置，其中，該控制部在一個該檢測部檢測出相異的2個該周緣部之位置時，判斷該基板破裂。
  14. 一種基板運送方法，用於一基板運送裝置，該基板運送裝置包含：基台；固持部，設為可自該基台自由進退，用以利用固持爪吸附固持住圓形基板之背面；以及檢測部之組合，包含第1檢測部、第2檢測部、及第3檢測部，該等檢測部分別於不同位置，檢測在該固持部後退且處於固持住基板之狀態時，該固持部所固持的該基板其周緣部之位置；該基板運送方法包含：步驟1，依據該檢測部之組合的檢測值，求出基板之中心位置及基板之半徑，並且比較所求出的半徑與基板的已知半徑；步驟2，依該比較結果，而判斷為檢測部並未檢測出基板之周緣部的缺口時，將所求之中心位置、與被固持於固持部之基準位置時的基板之中心位置兩者間的偏移量加以求出；步驟3，依該比較結果，所求出之半徑與基板之已知半徑不同，而判斷為有檢測部檢測出該缺口時，藉由使該固持部相對於基台進行進退，而使該固持部相對於該檢測部移動，以使該檢測部不檢測出該缺口，並依據藉由該檢測部再檢測出的移動後之該固持部所固持的該基板其周緣部位置之再檢測值，求出基板之中心位置，且將所求出的中心位置、與被固持於固持部之基準位置時的基板之中心位置兩者間的偏移量加以求出；及步驟4，依據所求出的偏移量，對運送動作進行修正，以將基板傳遞到下一處理單元中之傳遞位置。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板運送方法，其中，該檢測部之組合所包含的檢測部之個數為4個。
  16. 如申請專利範圍第14或15項之基板運送方法，其中，在判斷為該檢測部已檢測出該缺口時，使該固持部相對於基台進行進退以使得該檢測部不檢測出該缺口，此動作係一面使該基台移動至運送位置之處理單元前，一面進行。
  17. 如申請專利範圍第14或15項之基板運送方法，其中， 進行下述步驟：步驟1，判斷為該檢測部已檢測出該缺口，使得該固持部相對於基台進行進退，以使該檢測部不檢測出該缺口，且於求出該偏移量後，將該基台加以移動到處理單元之前；及步驟2，接著利用該檢測部，檢測出該固持部所固持之該基板其周緣部的位置，依據該檢測中之檢測值，求出基板的中心位置，且將所求出之中心位置、與被固持於固持部之基準位置時的基板之中心位置兩者間的偏移量加以求出。
  18. 如申請專利範圍第14或15項之基板運送方法，其中，進行下述步驟：步驟1，判斷為該檢測部並未檢測出基板之周緣部的缺口，且於求出該偏移量後，將該基台加以移動到處理單元之前；及步驟2，接著利用該檢測部，檢測出該固持部所固持之該基板其周緣部的位置，依據該檢測中之檢測值，求出基板的中心位置，且將所求出之中心位置、與被固持於固持部之基準位置時的基板之中心位置兩者間的偏移量加以求出。
  19. 如申請專利範圍第14或15項之基板運送方法，其中，該固持部以上下重疊之方式設有複數個；該檢測部在該固持部之任1個固持著基板的狀態下後退時，檢測該固持部所固持之該基板其周緣部的位置。
  20. 如申請專利範圍第14或15項之基板運送方法，其中，各該檢測部由一對光源與受光部所構成，將該光源與該受光部設置為自上下包夾住後退中之該固持部所固持之基板；且該受光部係複數個受光元件配列而成。
  21. 如申請專利範圍第20項之基板運送方法，其中，該基台係可沿著以與該固持部之進退方向垂直方式延伸的引導機構而移動；該固持部係可藉由進退機構一面引導至該基台一面進行進退；且 該光源與受光部係設置於下列兩者中之一方及另一方：該基台上之與固持部所固持基板之底面對向的部分；及由自該基台伸出的支持構件所支持，且與該基板之頂面對向的部分。
  22. 如申請專利範圍第20或21項之基板運送方法，其中，藉由配置在自該光源發出之光線通常未被該固持部所固持之基板遮蔽的位置之該受光元件，檢測該光線的光量，依據檢測出的檢測值，偵測該光源的異常。
  23. 如申請專利範圍第20或21項之基板運送方法，其中，於該固持部未固持基板時，藉由該受光元件，檢測自該光源發出之光線的光量，依據檢測出的檢測值，偵測該受光元件的異常。
  24. 如申請專利範圍第20或21項之基板運送方法，其中，該受光部，為線性影像感測器。
  25. 如申請專利範圍第24項之基板運送方法，其中，對下列兩者進行比較，以判斷該固持部之形狀的異常：畫素編號1，亦即該固持部位於在正常狀態下所後退的位置時，線性影像感測器之受光量從受光狀態變化成遮光狀態的變化點之畫素編號；及畫素編號2，亦即欲判斷出異常之該固持部位於後退的位置時，線性影像感測器之受光量從受光狀態變化成遮光狀態的變化點之畫素編號。
  26. 如申請專利範圍第14或15項之基板運送方法，其中，在一個該檢測部，檢測出相異的2個該周緣部之位置時，判斷該基板破裂。
  27. 一種記錄媒體，記憶有使用於基板運送裝置的電腦程式，該基板運送裝置包含：基台；固持部，設成可自該基台自由進退，用以利用固持爪吸附固持住圓形基板之背面；以及檢測部，檢測在該固持部後退且處於固持 住基板之狀態時，該固持部所固持的該基板其周緣部之位置；其中該電腦程式係步驟群所組合而成，以便實行申請專利範圍第14或15項之基板運送方法。
TW103140083A 2010-08-20 2011-08-11 基板運送裝置、基板運送方法及記錄有用來實行該基板運送方法的程式之記錄媒體 TWI521636B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010185068 2010-08-20
JP2011037159A JP5614326B2 (ja) 2010-08-20 2011-02-23 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201508858A TW201508858A (zh) 2015-03-01
TWI521636B true TWI521636B (zh) 2016-02-11

Family

ID=44735825

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100128779A TWI475634B (zh) 2010-08-20 2011-08-11 基板運送裝置、基板運送方法及記錄有用來實行該基板運送方法的程式之記錄媒體
TW103140083A TWI521636B (zh) 2010-08-20 2011-08-11 基板運送裝置、基板運送方法及記錄有用來實行該基板運送方法的程式之記錄媒體
TW104143256A TWI574343B (zh) 2010-08-20 2011-08-11 基板運送裝置、基板運送方法及記錄有用來實行該基板運送方法的程式之記錄媒體

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100128779A TWI475634B (zh) 2010-08-20 2011-08-11 基板運送裝置、基板運送方法及記錄有用來實行該基板運送方法的程式之記錄媒體

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104143256A TWI574343B (zh) 2010-08-20 2011-08-11 基板運送裝置、基板運送方法及記錄有用來實行該基板運送方法的程式之記錄媒體

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8781787B2 (zh)
EP (1) EP2421034B1 (zh)
JP (1) JP5614326B2 (zh)
KR (5) KR101524335B1 (zh)
CN (2) CN102376612B (zh)
SG (1) SG178699A1 (zh)
TW (3) TWI475634B (zh)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5333408B2 (ja) * 2010-10-22 2013-11-06 東京エレクトロン株式会社 保持部材の姿勢判定装置、その方法、基板処理装置及び記憶媒体
JP5582152B2 (ja) * 2012-02-03 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP5884624B2 (ja) * 2012-05-02 2016-03-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、調整方法及び記憶媒体
KR102044788B1 (ko) * 2012-10-30 2019-11-18 삼성디스플레이 주식회사 글라스 기판 검사 장치
ITMO20130088A1 (it) 2013-04-05 2014-10-06 Kemet Electronics Italia S R L Sistema di movimentazione
US9088508B1 (en) 2014-04-11 2015-07-21 Level 3 Communications, Llc Incremental application of resources to network traffic flows based on heuristics and business policies
JP6316742B2 (ja) 2014-12-24 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および基板搬送方法
CN104690736B (zh) * 2015-02-12 2017-03-08 成都天马微电子有限公司 机械手臂及其检测系统和检测方法
CN104708632B (zh) * 2015-03-27 2017-03-22 河北工业大学 板材搬运安装机械手控制系统
JP6311639B2 (ja) * 2015-04-13 2018-04-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の運転方法及び記憶媒体
JP6463227B2 (ja) * 2015-07-07 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法
KR101757815B1 (ko) 2015-09-25 2017-07-14 세메스 주식회사 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.
US9978631B2 (en) * 2015-12-31 2018-05-22 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Wafer pick-and-place method and system
CN107452641B (zh) * 2016-05-31 2020-10-23 细美事有限公司 从晶圆上拾取裸芯的方法
JP6617649B2 (ja) * 2016-06-20 2019-12-11 東京エレクトロン株式会社 被処理基板の載置位置の設定方法及び成膜システム
CN106098580A (zh) * 2016-06-29 2016-11-09 昆山国显光电有限公司 一种液帘分叉检测装置及方法
KR102066044B1 (ko) * 2016-06-30 2020-02-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 인덱스 로봇 및 기판 이송 방법
JP6635888B2 (ja) * 2016-07-14 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム
JP6723131B2 (ja) 2016-09-29 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置および基板搬送方法
CN106783705B (zh) * 2016-11-30 2019-05-14 上海华力微电子有限公司 一种用于优化晶圆边缘缺陷的晶圆传送方法
JP6842934B2 (ja) * 2017-01-27 2021-03-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置、検出位置較正方法および基板処理装置
JP6802726B2 (ja) * 2017-02-14 2020-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置、それを備える基板処理装置および基板搬送方法
JP6862903B2 (ja) 2017-02-23 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP6276449B1 (ja) * 2017-03-30 2018-02-07 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、プログラムを格納した記憶媒体
JP2019067948A (ja) * 2017-10-02 2019-04-25 川崎重工業株式会社 基板搬送装置
JP7030497B2 (ja) * 2017-12-13 2022-03-07 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、プログラムを格納した記憶媒体
JP6458292B2 (ja) * 2018-03-19 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の運転方法及び記憶媒体
KR102099115B1 (ko) * 2018-06-08 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 이송 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 틀어짐 보정 방법
US11587807B2 (en) * 2018-10-28 2023-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Annealing apparatus and method thereof
KR102225937B1 (ko) 2019-07-01 2021-03-10 세메스 주식회사 기판 반송 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
CN110580692B (zh) * 2019-09-11 2022-03-25 北京空间飞行器总体设计部 一种多线列时差扫描图像辐射一致性校正方法
JP2021048322A (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置および基板搬送方法
KR20210039523A (ko) * 2019-10-01 2021-04-12 삼성전자주식회사 웨이퍼 이송 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 이송 방법
JP7357549B2 (ja) * 2020-01-07 2023-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板の位置ずれ検出方法、基板位置の異常判定方法、基板搬送制御方法、及び基板の位置ずれ検出装置
US11435391B2 (en) * 2020-01-22 2022-09-06 Nanya Technology Corporation Dual-sided wafer imaging apparatus and methods thereof
JP2022002255A (ja) * 2020-06-19 2022-01-06 東京エレクトロン株式会社 収納モジュール、基板処理システムおよび消耗部材の搬送方法
US11600504B2 (en) 2020-06-29 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Detecting damaged semiconductor wafers utilizing a semiconductor wafer sorter tool of an automated materials handling system
KR102624577B1 (ko) 2020-10-28 2024-01-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20240025790A (ko) 2022-08-19 2024-02-27 세메스 주식회사 기판 이송 유닛
CN117576092B (zh) * 2024-01-15 2024-03-29 成都瑞迪威科技有限公司 一种基于图像处理的晶圆元器件统计方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69329269T2 (de) * 1992-11-12 2000-12-28 Applied Materials Inc System und Verfahren für automatische Positionierung eines Substrats in einem Prozessraum
US6225012B1 (en) * 1994-02-22 2001-05-01 Nikon Corporation Method for positioning substrate
JPH0831905A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JP4128254B2 (ja) 1998-02-25 2008-07-30 オリンパス株式会社 半導体ウエハ位置検出装置および検査装置
JP2000071190A (ja) * 1998-08-27 2000-03-07 Komatsu Ltd ワーク搬送システム
JP2000100895A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Nikon Corp 基板の搬送装置、基板の保持装置、及び基板処理装置
US6298280B1 (en) * 1998-09-28 2001-10-02 Asyst Technologies, Inc. Method for in-cassette wafer center determination
US6405101B1 (en) * 1998-11-17 2002-06-11 Novellus Systems, Inc. Wafer centering system and method
JP2001038614A (ja) * 1999-07-26 2001-02-13 Ebara Corp 研磨装置
JP2001237294A (ja) * 2000-02-23 2001-08-31 Tatsumo Kk 特定環境用ロボット
JP4402811B2 (ja) * 2000-05-26 2010-01-20 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送システムおよび被処理体の位置ずれ量の検出方法
TW559855B (en) * 2000-09-06 2003-11-01 Olympus Optical Co Wafer transfer apparatus
JP2002261146A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法および半導体製造装置
JP2002319612A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハ搬送装置、気相成長装置およびウェーハ搬送方法
JP3795820B2 (ja) * 2002-03-27 2006-07-12 株式会社東芝 基板のアライメント装置
US7988398B2 (en) * 2002-07-22 2011-08-02 Brooks Automation, Inc. Linear substrate transport apparatus
US7019817B2 (en) * 2003-07-14 2006-03-28 Kawasaki Jukogyo Kabuishiki Kaisha Edge-holding aligner
JP4289961B2 (ja) * 2003-09-26 2009-07-01 キヤノン株式会社 位置決め装置
EP1684951B1 (en) 2003-11-10 2014-05-07 Brooks Automation, Inc. System for handling workpieces in a vacuum-based semiconductor handling system
EP1791169A4 (en) * 2004-08-31 2011-03-02 Nikon Corp ALIGNMENT PROCESS, DEVELOPMENT SYSTEM, SUBSTRATED REPEATABILITY MEASURING METHOD, POSITION MEASURING METHOD, EXPOSURE METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, MEASURING METHOD AND MEASURING DEVICE
KR20060088817A (ko) * 2005-01-28 2006-08-07 가부시키가이샤 이빔 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2006351884A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Tokyo Electron Ltd 基板搬送機構及び処理システム
JP4698407B2 (ja) * 2005-12-20 2011-06-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5132108B2 (ja) * 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7480050B2 (en) * 2006-02-09 2009-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic system, sensor, and method of measuring properties of a substrate
US8101934B2 (en) * 2006-03-07 2012-01-24 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for detecting a substrate notch or flat
JP2007335613A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Nikon Corp 基板位置検出装置、基板搬送装置、露光装置、基板位置検出方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP4799325B2 (ja) * 2006-09-05 2011-10-26 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し装置，基板処理装置，基板受け渡し方法
US8057153B2 (en) * 2006-09-05 2011-11-15 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device, substrate processing apparatus and substrate transfer method
JP4607848B2 (ja) * 2006-10-27 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板受け渡し位置の調整方法及び記憶媒体
US8057602B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
JP4956328B2 (ja) * 2007-08-24 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 搬送アームの移動位置の調整方法及び位置検出用治具
JP2009071008A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Sokudo:Kk 基板処理装置
NL1036025A1 (nl) * 2007-10-10 2009-04-15 Asml Netherlands Bv Method of transferring a substrate, transfer system and lithographic projection apparatus.
US8639524B2 (en) * 2008-08-08 2014-01-28 Neal Solomon System for intelligent medical device network
JP5185756B2 (ja) 2008-10-01 2013-04-17 川崎重工業株式会社 基板検出装置および方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101524335B1 (ko) 2015-05-29
US8781787B2 (en) 2014-07-15
TW201508858A (zh) 2015-03-01
TW201616597A (zh) 2016-05-01
SG178699A1 (en) 2012-03-29
KR101790867B9 (ko) 2021-10-15
KR20120023517A (ko) 2012-03-13
CN104867856B (zh) 2017-11-24
EP2421034A3 (en) 2012-06-20
KR20180094505A (ko) 2018-08-23
KR101931061B1 (ko) 2018-12-19
TWI475634B (zh) 2015-03-01
KR101601510B1 (ko) 2016-03-11
CN102376612B (zh) 2015-06-17
TWI574343B (zh) 2017-03-11
CN104867856A (zh) 2015-08-26
US20120046904A1 (en) 2012-02-23
TW201230240A (en) 2012-07-16
KR20140130094A (ko) 2014-11-07
EP2421034B1 (en) 2014-01-22
CN102376612A (zh) 2012-03-14
KR20170121729A (ko) 2017-11-02
KR101790867B1 (ko) 2017-10-26
KR20160030143A (ko) 2016-03-16
JP5614326B2 (ja) 2014-10-29
JP2012064918A (ja) 2012-03-29
KR101891446B1 (ko) 2018-08-24
EP2421034A2 (en) 2012-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI521636B (zh) 基板運送裝置、基板運送方法及記錄有用來實行該基板運送方法的程式之記錄媒體
TWI517287B (zh) 基板運送裝置、基板運送方法及記錄媒體
KR101485297B1 (ko) 열처리 장치 및 기판 반송 위치 조정 방법
CN103247560B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP5733437B2 (ja) 基板搬送装置、基板搬送方法及び記録媒体
JP2015119070A (ja) ロボットシステム及び検出方法
TW201341291A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2012038922A (ja) 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2009184069A (ja) ウエハ搬送装置及びその調整方法
JP6700124B2 (ja) 搬送対象物を搬送する搬送方法
JP6311639B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の運転方法及び記憶媒体
JP6458292B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の運転方法及び記憶媒体
JP5858103B2 (ja) 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体