TWI498216B - Demoulding film - Google Patents

Demoulding film Download PDF

Info

Publication number
TWI498216B
TWI498216B TW098107149A TW98107149A TWI498216B TW I498216 B TWI498216 B TW I498216B TW 098107149 A TW098107149 A TW 098107149A TW 98107149 A TW98107149 A TW 98107149A TW I498216 B TWI498216 B TW I498216B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
coating
solvent
film
peeling
vinyl group
Prior art date
Application number
TW098107149A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201000315A (en
Inventor
Keiichi Hayashizaki
Original Assignee
Mitsubishi Plastics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2008058867A external-priority patent/JP5236320B2/ja
Priority claimed from JP2008058865A external-priority patent/JP5236318B2/ja
Priority claimed from JP2008058866A external-priority patent/JP5236319B2/ja
Application filed by Mitsubishi Plastics Inc filed Critical Mitsubishi Plastics Inc
Publication of TW201000315A publication Critical patent/TW201000315A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI498216B publication Critical patent/TWI498216B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

脫模薄膜
本發明有關於脫模薄膜者。
以聚酯薄膜為基材之脫模薄膜由於其優異特性，已使用於液晶偏光板、相位差板構成構件用、PDP構成構件製造用、有機EL構成構件製造用等、各種顯示器構成構件製造用等、各種光學用途等。其中尤其關於液晶偏光板用脫模薄膜已見到隨著近幾年來LCD市場之顯著成長而生產量急速增加。又，伴隨著LCD之低價格化，為實現構件之低價格，而達成製造良率之提高以及製造高速化成為相當大的問題。
製造高速化之要求係以對液晶面板貼附偏光板之貼附步驟為對象。為了縮短LCD偏光板貼附於液晶面板時之黏性時間(tacktime)，而要求有脫模薄膜之剝離速度之高速化，自以往之數米/分鐘至20米/分鐘以上之剝離速度已實用化，若20米/分鐘以上之高剝離速度時之剝離力高，則自LCD偏光板剝離脫模薄膜時，於偏向板固定側之吸引力失效，將發生偏向板位置偏移之缺陷，一旦發生此缺陷，則自動化生產線停止，迫使生產性降低，雖亦考慮增強固定側之吸引力，但由於對偏向板殘留痕跡故有其限制。
於如此剝離時要求輕剝離化之另一方面，在剝離前之步驟中必須與具有充分保持力之黏著層密著。尤其於偏光板之切斷、衝孔加工之際，或隨著儲存時之濕溫度變化使材料之伸縮性產生差異等所引起之捲曲，有容易產生浮起，若引起此情況則生產性變低。
以往的薄膜中，以如此高速剝離時之輕剝離及與保持力密切有關之低速下之剝離比較重之兩者兼具亦尚不充分，又若以此為標的而變更脫模層之設計時，因聚合物中未固定之成分之移行性、脫模面隨著碰觸到大氣而有重剝離化之大氣暴露性惡化等，有關其性能亦未必充分。
專利文獻1：特開2001-290141號公報專利文獻2：特開2001-47580號公報
 [發明欲解決之課題]
本發明係鑑於上述情事而完成可，其解決課題係提供一種以相當於實際剝離時之高速的剝離較輕、與儲存時之保持力密切有關之低速時之剝離比較重、於大氣暴露下之影響亦小、進而非移行性亦優異之脫模薄膜。
[用以解決問題之手段]
本發明人見於上述情事進行刻意檢討之結果，發現藉由採用特定構成，可容易地解決上述課題，因而完成本發明。本發明係由相關聯之一群發明所構成，各發明主旨如下。
本發明之第一主旨係取決於一種脫模薄膜，其為在聚酯薄膜之至少一面上塗佈以硬化型聚矽氧為主之塗料而成之脫模薄膜，其特徵為上述塗料中之硬化型聚矽氧之含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且塗料中之SiH/Vi比為2.5~7。
本發明之第二主旨係取決於一種脫模薄膜，其為在聚酯薄膜之至少一面上塗佈以硬化型聚矽氧為主之塗料而成之脫模薄膜，其特徵為上述塗料含有溶劑型聚矽氧及無溶劑型聚矽氧作為主要成分，該溶劑型聚矽氧為含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且無溶劑型聚矽氧係具有1000 mPa．s以下之黏度且含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且塗料中之SiH/Vi比為2.5~7。
本發明之第三主旨係取決於一種脫模薄膜，其為在聚酯薄膜之至少一面上塗佈以硬化型聚矽氧為主之塗料而成之脫模薄膜，其特徵為上述塗料含有溶劑型聚矽氧、無溶劑型聚矽氧及反應性再剝離調整劑作為主要成分，該溶劑型聚矽氧為含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上；且無溶劑型聚矽氧具有1000 mPa．s以下之黏度且含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且塗料中之SiH/Vi比為2.5~7。
[發明效果]
本發明提供一種剝離力於剝離時之剝離輕、於儲存時之保持力優異且耐大氣暴露性或非移行性優異之脫模薄膜，故其工業價值極高。
以下更詳細說明本發明。
本發明中，聚酯薄膜中使用之聚酯可為均聚合聚酯亦可為共聚合聚酯。由均聚合聚酯構成之情況，較好為由芳香族二羧酸與脂肪族二醇經聚縮合所得者。作為芳香族二羧酸，舉例有對苯二甲酸、2,6-萘二甲酸等，作為脂肪族二醇，舉例有乙二醇、二乙二醇、1,4-環己烷二甲醇等。代表性聚酯例示有聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二酯(PEN)等。
另一方面，於共聚合聚酯時較好為含有30莫耳%以下之第三成分之共聚物。作為共聚合聚酯之二羧酸成分舉例有間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、對苯二甲酸、2,6-萘二羧酸、己二酸、癸二酸、氧基羧酸(例如對-羥基苯甲酸等)等之一種或兩種以上，作為二醇成分舉例有乙二醇、二乙二醇、丙二醇、丁二醇、1,4-環己烷二甲醇、新戊二醇等之一種或兩種以上。
任一本發明中之聚酯均意指通常80莫耳%以上，較好90莫耳%以上為對苯二甲酸乙二酯單位之聚對苯二甲酸乙二酯、為2,6-萘二甲酸乙二酯單位之聚2,6-萘二甲酸乙二酯等之聚酯。
本發明之聚酯層中較好添加以賦予易滑性為主要目的之粒子。所添加之粒子種類，只要可賦予易滑性之粒子即可而無特別限制，作為具體例，舉例有例如二氧化矽、碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋇、硫酸鈣、磷酸鈣、磷酸鎂、高嶺土、氧化鋁、氧化鈦等之粒子。又，亦可使用特公昭59-5216號公報、特開昭59-217755號公報等所記載之耐熱性有機粒子。此其他耐熱性有機粒子之例舉例有熱硬化性尿素樹脂、熱硬化性酚樹脂、熱硬化性環氧樹脂、苯胍胺樹脂等。再者於聚酯製造步驟中，亦可使用觸媒等之金屬化合物之一部分經沉澱、微分散之析出粒子。
另一方面，有關使用之粒子形狀亦無特別限制，可使用球狀、塊狀、棒狀、扁平狀等之任何一種。又，其硬度、比重、顏色等亦無特別限制。該等一連串粒子依據需要亦可併用兩種以上。
又，本發明中聚酯薄膜中所含有之粒子平均粒徑較好滿足0.1~5微米，更好為0.5~3微米之範圍，最好為0.5~2微米之範圍。平均粒徑小於0.1微米時，粒子易凝集，分散性變得不充分，另一方面，超過5微米時，薄膜表面粗度變粗，於後續步驟中設置脫模層時有發生缺陷之情況。
再者聚酯中之粒子含有量較好滿足0.01~5重量%，更好在0.01~3重量%之範圍。粒子含有量小於0,01重量%時，有薄膜之易滑性變不充分之情況，另一方面，若超過5重量%添加時，有薄膜表面之平滑性變不充分之情況。
又，本發明中聚酯薄膜中除上述粒子以外，在不損及本發明主旨之範圍內，可添加以往已知之抗氧化劑、熱安定劑、潤滑劑、染料、顏料等。
構成本發明之脫模薄膜之聚酯薄膜厚度就成本而言為較薄較佳，但另一方面，有必要確保薄膜平面性。構成脫模薄膜之聚酯薄膜厚度太薄時，大多有因加工時之熱處理引起之皺折等導致損及薄膜平面性之情況。又於偏光板加工後施加力之情況，薄的薄膜有對黏著劑之保護機能不充分之虞。
由此等觀點觀之，構成本發明中之脫模薄膜之聚酯薄膜厚度較好為12~125微米，更好為25~75微米之範圍。
接著就本發明之聚酯薄膜製造例加以具體說明，但非限定於以下製造例者。亦即，以使用先前所述之聚酯原料，自模嘴押出之熔融薄片於冷卻輥上冷卻固化獲得末延伸薄片之方法較佳。此情況，為了提高薄片之平面性而有必要提高薄片與旋轉冷卻滾筒之密著性，而較好採用靜電施加密著法及/或液體塗佈密著法。接著使所得未延伸薄片於雙軸方向延伸。此時，首先，使前述未延伸薄面於一方向藉由輥或張布機方式之延伸機予以延伸。延伸溫度通常為70~120℃，更好為80~110℃，延伸倍率通常為2.5~7倍，更好為3.0~6倍。接著，與第一次延伸方向正交之延伸溫度通常為130~170℃，延伸倍率通常為3.0~7倍，較好為3.5~6倍。接著，繼續於180~270℃之溫度於拉緊下或30%以內之鬆弛下進行熱處理，獲得雙軸定向薄膜。
上述延伸亦可採用於一方向延伸以兩階段以上進行之方法。此情況下，最終之二方向之延伸倍率以分別成為上述範圍之方式進行較佳。又，亦可同時進行雙軸延伸。至於同時雙軸延伸法，為使上述未延伸薄片，以通常70~120℃，更好為80~110℃之溫度受控制狀態，於機械方向及寬度方向同時延伸定向之方法，延伸倍率以面積倍率計為4~50倍，較好為7~35倍，更好為10~25倍。接著，繼續於170~250℃之溫度於拉緊下或30%以內之鬆弛下進行熱處理，獲得延伸定向薄膜。
有關使用上述延伸方式之同時雙軸延伸裝置，可採用螺旋方式、導電架方式、線性驅動式等之以往已知之延伸方式。「螺旋方式」為於螺旋之溝槽中裝載夾具並擴大夾具間隔之方式。「導電架方式」為使用導電架擴大夾具間隔之方式。「線性馬達驅動方式」具有應用線性馬達原理，以可個別控制夾具之方式任意調整夾具間隔之優點。
再者有關同時雙軸延伸亦可分割成兩階段以上進行，此情況，延伸處所可在一個張布機內進行，亦可併用複數個張布機。
若藉由同時雙軸延伸使構成脫模薄膜之聚酯延伸，於以往以逐次雙軸延伸使面積倍率變大之情況中，有產生延伸時斷裂等之缺陷之情況，但本發明中由於於同時雙軸延伸時之延伸追隨性良好，故於薄膜長度方向及寬度方向，變得可以比逐次雙軸延伸增大更大的面積倍率，進而可製造薄膜厚度偏差較小的聚酯薄膜故而較佳。
又，上述聚酯薄膜之延伸步驟中可對薄膜表面進行處理，施加所謂之塗佈延伸法(線上塗佈)。此不限定於以下者，例如於逐次雙軸延伸中特別是可於第一段延伸結束後，於第二段延伸前施以塗佈處理。
本發明之脫模薄膜可在聚酯薄膜之至少單面上塗佈以硬化型聚矽氧為主之塗料而獲得。本發明中之脫模層係以具有脫模性之硬化型聚矽氧樹脂所形成。硬化型聚矽氧樹脂為於硬化課程中包含使乙烯基與矽-氫鍵之基之加成反應者(所謂加成型聚矽氧)。
<第一主旨之發明>
此發明之特徵為上述塗料中之硬化型聚矽氧之含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且塗料中之SiH/Vi比為2.5~7。
所謂含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準為3%以上之聚矽氧為於加成型聚矽氧中多數情況成為主成分之含有乙烯基之聚矽氧烷中，以形成其骨架之矽氧烷單位(含有一個Si原子之單位，通常以下式表示)作為一單位所計算之含有乙烯基者在3%以上者。
[化1]
(n為0~3之整數，R各獨立為任意之基)
硬化處理中之能源為一般熱處理者，但亦可併用紫外線照射、電子束照射。
本發明中使用之聚矽氧化合物之分子量並無特別限制，若考慮以溶劑稀釋而塗佈，則至少之一成分中宜含有熟悉本技藝者之間稱為「橡膠」之黏度約百萬mPa．s以上者。實際塗料宜含有成為30%甲苯溶液時之黏度在約1000 mPa．s以上，較好在5000 mPa．s以上者作為至少一成分。黏度低時，用以均勻塗佈之溶劑選擇有困難，彈性等塗佈面狀變差而有不適合作為光學用薄膜等之不良影響之顧慮(記載於「聚矽氧手冊」p.523，日刊工業新聞社，伊藤邦雄編輯(1990))。
本發明中使用之加成型聚矽氧中，與其交聯反應有關之矽氧烷之乙烯基及≡SiH基與乙烯基之含有比例(SiH/Vi比)具有重要性。通常使≡SiH基一方之量過剩而使用，其比例大多數設定在1.2~2.0左右(小川匡彥，Convertech p.49(1996))。本發明中使用之含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上之聚矽氧由於官能基之絕對數較多，即使以同樣的過剩率成為過剩之≡SiH基之絕對數亦多，因此通常大多使過剩率適度。然而本發明者發現於此種聚矽氧以薄膜塗佈於聚酯薄膜上時，以往謂之較佳領域者偏移較大。亦即，本發明中，SiH/Vi比為2.5~7，更好為3.0~5.0。
本發明中之稀釋溶劑可例示為甲苯等芳香族烴類、己烷、庚烷、異辛烷等脂肪族烴類、乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類、乙基甲基酮(MEK)、異丁基甲基酮等酮類、乙醇、2-丙醇等醇類、二異丙基醚、二丁基醚等醚類，考慮溶解性、塗佈性或沸點等可單獨使用或複數種混合使用。
又，在不損及本發明主旨之範圍內亦可併用反應調整劑、密著強化劑、剝離控制劑等助劑以調整脫模層之特性。
脫模層之塗佈量(乾燥後)由於聚酯薄膜為平坦，故在紙類上塗佈得較薄而宜為0.01~1 g/m2 ，較好為0.04~0.5 g/m2 ，更好為0.06~0.3 g/m2 之範圍。脫模層之塗佈量過少時，會有缺乏剝離力安定性之間題。另一方面，當塗佈量過多時，移行性增大，會有結塊之顧慮。
本發明中，在聚酯薄膜上設置脫模層之方法可使用多輥塗佈、逆凹版塗佈、直接凹版塗佈、棒塗佈、模嘴塗佈等以往已知之塗佈方法。關於塗佈方式敘述於槙書店原崎勇次著1979年發行之「塗佈方式」中。
又，本發明中構成脫模薄膜之聚酯薄膜亦可預先經電暈處理、電漿處理等表面處理。再者本發明中構成脫模薄膜之聚酯薄膜亦可預先設置接著層、抗靜電層等塗佈層。
<第二主旨之發明>
本發明之特徵為上述塗料含有溶劑型聚矽氧及無溶劑型聚矽氧作為主要成分，該溶劑型聚矽氧為含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且無溶劑型聚矽氧係具有1000 mPa．s以下之黏度且含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且塗料中之SiH/Vi比為2.5~7。
所謂無溶劑型聚矽氧為未稀釋於溶劑中亦可塗佈之黏度之聚矽氧，分子比上述溶劑型小，且聚矽氧烷鏈較短。例如，上述橡膠，相對於以矽氧烷聚合度計為數千至數萬，無溶劑型通常為數十至數百。成為加成型聚矽氧之交聯反應點之乙烯基較多時，會導入鏈之末端與內側，但由於末端之乙烯基在反應時之立體障礙少，因此相較於內側之乙烯基非常早反應。因此，無溶劑型聚矽氧由於相較於溶劑型帶有非常多的反應性高的末端乙烯基，因此作為塗料時有硬化速度加速之優點。另一方面，塗佈於聚酯基材上時之塗佈性方面差。由於為低黏度而易於彈開(不沾)，尤其於聚酯脫模薄膜中一般進行之薄膜塗佈極難以獲得良好之面狀。
於第二主旨之發明中為了產生此種無溶劑型聚矽氧之優點、補償缺點而與高黏度溶劑型聚矽氧混用使用。混用之比率以固體成分重量計(溶劑型/無溶劑型)之值為10/90~95/5，較好為40/60~90/10。有關溶劑型聚矽氧及塗料中之SiH/Vi比(2.5~7)之意義、其他(稀釋溶劑等)方面均與上述相同。
<第三主旨之發明>
本發明之特徵為上述塗料含有溶劑型聚矽氧、無溶劑型聚矽氧及反應性再剝離調整劑作為主要成分，該溶劑型聚矽氧為含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上；且無溶劑型聚矽氧具有1000 mPa．s以下之黏度且含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且塗料中之SiH/Vi比為2.5~7。
所謂反應性再剝離調整劑為塗料乾燥時被引入與脫模塗料之矽氧烷聚合物反應中之類型之再剝離化調整劑。化學構造只要不脫離本發明之主旨範圍則無特別限制，但較佳之例舉例為具有作為反應基之乙烯基之通常稱為MQ樹脂、MDQ樹脂者。混用之比率可任意的調整以獲得期望之剝離，但就固成分重量以{再剝離調整劑/(無溶劑型、溶劑型矽氧烷之和)}之值計為1/99~50/50，較好為2/98~30/70。過多時，反應性與移行性同時增大，又通常該剝離調整劑由於大多為低黏度，因此難以獲得良好之面狀。
溶劑型矽氧烷、無溶劑型矽氧烷、混用二者之意義與混用比例(1/99~50/50)、以及塗料中SiH/Vi比(2.5~7)之意義、其他方面(稀釋溶劑等)均與上述相同。
實施例
以下，藉由實施例更詳細說明本發明，但只要不超過本發明之主旨，則不限於以下實施例者。又，本發明所用之測定法如下。
(1)剝離力A(剝離速度0.3m/min)之測定：
於試料薄膜之脫模面上貼附黏著膠帶(日東電工(股)製造之「No.31B」)後，切割成50mm×300mm之大小，且測定在室溫下放置1小時後之剝離力。剝離力係使用INTESCO(股)製造之「Intesco型號2001型」，在拉伸速度0.3(m/min)之條件下進行180°之剝離。
(2)剝離力B(剝離速度30m/min)之測定：
於試料薄膜之脫模面上貼附黏著膠帶(日東電工(股)製造之「No.31B」)後，切割成50mm×300mm之大小，測定在室溫下放置1小時後之剝離力，剝離力係使用TESTER產業(股)製造之高速剝離試驗機「TE-702型」，將試料薄膜之脫模面朝上加以固定，且以剝離方法在剝離速度30(m/min)下對貼合No 31B黏著膠帶側進行180°剝離。
(3)剝離力C(暴露於大氣後之剝離力)之測定：
將試料薄膜切割成A4大小，在調節成室溫23℃濕度50%RH之實驗室(非潔淨環境)內垂吊於細線經過24小時。於脫模面上貼附黏著膠帶(使用日東電工(股)製造之「No.502」淡色剝離紙側)後，切割成50mm×300mm之大小，且測定在室溫下放置1小時後之剝離力。剝離力係使用INTESCO(股)製造之「Intesco型號2001型」，在拉伸速度0.3(m/min)之條件下進行180°之剝離。
(4)剝離力D(未暴露大氣之剝離力)之測定：
剝離力C之測定中，取代垂吊在實驗室內而將試料薄膜放入聚乙烯製之袋中使之不接觸外氣，同樣在實驗室內放置24小時以外，其餘同樣地測定剝離力。
(5)脫模薄膜之移行性評價接著率：
將試料薄膜切成A4大小，於脫模面上重疊厚度75μm之二軸延伸PET薄膜(三菱化學聚酯薄膜股份有限公司製造：DIAFOIL T100-75)，且在溫度60℃、壓力1MPa之條件下壓製2小時。將按壓於該脫模面上之厚度75μm薄膜作為移行性評估薄膜。未處理之PET薄膜上亦同樣扺壓厚度75μm之二軸延伸PET薄膜(同)作為基準薄膜。於各薄膜之按壓面上貼附黏著膠帶(日東電工(股)製造之「No.31B」)後，切割成50mm×300mm之大小，且測定在室溫下放置1小時後之剝離力。剝離力係使用INTESCO(股)製造之「Intesco型號2001型」，在拉伸速度0.3(m/min)之條件下進行180°之剝離。
移行性評價接著率(%)=(移行性評價薄膜之剝離力/基準薄膜之剝離力)×100
由於移行性較大之薄膜在其按壓薄膜上附著較多的聚矽氧，因此黏著膠帶之剝離力變小，使得移行性評價接著率(%)亦下降。以90%以上較佳，更好為95%以上。
(6)塗料中矽氧烷之乙烯基含量、≡SiH及乙烯基之含量比(SiH/Vi比)：
有關塗料中矽氧烷之乙烯基含量、≡SiH及乙烯基之含量比(SiH/Vi比)係由塗料單體或混合物之NMR分析算出。
<第一主旨之發明實施例及比較例> 實施例1A：
以塗佈量(乾燥後)成為約0.12(g/m2 )之方式將由下列組成構成之脫模劑塗佈在厚度38μm之二軸延伸PET薄膜(三菱化學聚酯薄膜股份有限公司製造：DIAFOIL T100-38)上，在150℃下熱處理10秒鐘，獲得脫模薄膜。
《脫模劑組成》
以甲苯/MEK/異辛烷之混合溶劑(混合比率為1：1：1)稀釋下列三成分(i)~(iii)，製備固體成分濃度2重量%之塗佈液體。
(i)於30%甲苯溶液之黏度為15000 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約5%乙烯基之溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KS-830，不揮發份30%)…100重量份(ii)以(CH3 )3 SiO(-SiH(CH3 )-O)m -Si(CH3 )3 表示之聚矽氧(Gelest公司製造：HMS-991，黏度約20 mPa．s)…2重量份(iii)含鉑觸媒(信越化學(股)製造：cat PL-50T)…1重量份實施例2A：於實施例1A中，除將脫模劑組成改變成下列脫模劑組成以外，餘如實施例1A同樣製造，獲得脫模薄膜。
《脫模劑組成》
以甲苯/MEK/異辛烷之混合溶劑(混合比率為1：1：1)稀釋下列三成分(i)~(iii)，製備固體成分濃度2重量%之塗佈液體。
(i)以30%甲苯溶液之黏度為15000 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約5%乙烯基之溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KS-830，不揮發份30%)…100重量份(ii)以(CH3 )3 SiO(-SiH(CH3 )-O)m -Si(CH3 )3 表示之聚矽氧(Gelest公司製造：HMS-991，黏度約20 mPa．s)…1重量份(iii)含鉑觸媒(信越化學(股)製造：cat PL-50T)…1重量份實施例3A：實施例1A中，除將脫模劑組成改變成下列脫模劑組成以外，餘如實施例1A同樣製造，獲得脫模薄膜。
《脫模劑組成》
以甲苯/MEK/異辛烷之混合溶劑(混合比率為1：1：1)稀釋下列三成分(i)~(iii)，製備固體成分濃度2重量%之塗佈液體。
(i)以30%甲苯溶液之黏度為8000 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約8%乙烯基之溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KS-3601，不揮發份30%)…100重量份(ii)以(CH3 )3 SiO(-SiH(CH3 )-O)m -Si(CH3 )3 表示之聚矽氧(Gelest公司製造：HMS-991，黏度約20 mPa．s)…3重量份(iii)含鉑觸媒(信越化學(股)製造：cat PL-50T)…1重量份比較例1A：實施例1A中，除將脫模劑組成改變成下列脫模劑組成以外，餘如實施例lA同樣製造，獲得脫模薄膜。
《脫模劑組成》
以甲苯/MEK/異辛烷之混合溶劑(混合比率為1：1：1)稀釋下列二成分(i)及(ii)，製備固體成分濃度2重量%之塗佈液體。
(i)以30%甲苯溶液之黏度為8000 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約8%乙烯基之溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KS-3601，不揮發份30%)…100重量份(ii)含鉑觸媒(信越化學(股)製造：cat PL-50T)…1重量份比較例2A：實施例1A中，除將脫模劑組成改變成下列脫模劑組成以外，餘如實施例1A同樣製造，獲得脫模薄膜。
《脫模劑組成》
以甲苯/MEK/異辛烷之混合溶劑(混合比率為1：1：1)稀釋下列三成分(i)~(iii)，製備固體成分濃度2重量%之塗佈液體。
(i)以30%甲苯溶液之黏度為15000 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約1%乙烯基之溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KS-3703，不揮發份30%)…100重量份(ii)(CH3 )3 SiO(-SiH(CH3 )-O)m -Si(CH3 )3 (Gelest公司製造：HMS-991，黏度約20 mPa．s)…0.36重量份(iii)含鉑觸媒(信越化學(股)製造：cat PL-50T)…1重量份比較例3A：實施例1A中，除將脫模劑組成改變成下列脫模劑組成以外，餘如實施例1A同樣製造，獲得脫模薄膜。
《脫模劑組成》
以甲苯/MEK/異辛烷之混合溶劑(混合比率為1：1：1)稀釋下列三成分(i)~(iii)，製備固體成分濃度2重量%之塗佈液體。
(i)以30%甲苯溶液之黏度為15000 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約0.8%乙烯基之溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KS-774，不揮發份30%)…90重量份(ii)溶劑型剝離調整劑(信越化學(股)製造：X-92-183，不揮發份30%)…10重量份(iii)含鉑觸媒(信越化學(股)製造：cat PL-50T)…1重量份比較例4A：實施例1A中，除將脫模劑組成改變成下列脫模劑組成以外，餘如實施例1A同樣製造，獲得脫模薄膜。
《脫模劑組成》
以甲苯/MEK/異辛烷之混合溶劑(混合比率為1：1：1)稀釋下列三成分(i)~(iii)，製備固體成分濃度2重量%之塗佈液體。
(i)以30%甲苯溶液之黏度為15000 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約0.4%乙烯基之溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KS-847H，不揮發份30%)…85重量份(ii)溶劑型剝離調整劑(信越化學(股)製造：KS-3800，不揮發份30%)…15重量份(iii)含鉑觸媒(信越化學(股)製造：cat PL-50T)…1重量份由上述實施例及比較例所得各薄膜之特性彙整列於下表1。
實施例1A至實施例3A之薄膜在以與儲存時之保持力密切有關之低速下之剝離比較重而相當於實際剝離時之高速之剝離較輕，暴露大氣之影響亦小，而且非移行性亦優異。另一方面，SiH/Vi比為較小之比較例1A在高速下剝離時的輕剝離與於低速下之剝離較重無法充分兼具，大氣暴露性亦大為降低。乙烯基含量較少之比較例2A即使於SiH/Vi比較大，於低速與高速之剝離力之差異仍變大。另外，以剝離調整劑調整低速下之剝離之比較例3A及4A在高速下之剝離過重，其他特性亦變差。
<第二主旨之發明實施例> 實施例1B：
以塗佈量(乾燥後)成為約0.12(g/m2 )之方式將由下列組成構成之脫模劑塗佈在厚度38μm之二軸延伸PET薄膜(三菱化學聚酯薄膜股份有限公司製造：DIAFOIL T100-38)上，且在150℃下熱處理10秒鐘，獲得脫模薄膜。
《脫模劑組成》
以甲苯/MEK/異辛烷之混合溶劑(混合比率為1：1：1)稀釋下列四成分(i)~(iv)，製備固體成分濃度2重量%之塗佈液體。
(i)以30%甲苯溶液之黏度為8000 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約8%乙烯基之溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KS-3601，不揮發份30%)…67重量份(ii)黏度300 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約5%乙烯基之無溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KNS-3002，不揮發份100%)…10重量份(iii)以(CH3 )3 SiO(-SiH(CH3 )-O)m -Si(CH3 )3 表示之聚矽氧(Gelest公司製造：HMS-991，黏度約20 mPa．s)…2.4重量份(iv)含鉑觸媒(信越化學(股)製造：cat PL-50T)…1重量份實施例2B：實施例1B中，除將脫模劑組成改變成下列脫模劑組成以外，餘如實施例1B同樣製造，獲得脫模薄膜。
《脫模劑組成》
以甲苯/MEK/異辛烷之混合溶劑(混合比率為1：1：1)稀釋下列四成分(i)~(iv)，製備固體成分濃度2重量%之塗佈液體。
(i)以30%甲苯溶液之黏度為15000 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約5%乙烯基之溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KS-830，不揮發份30%)…67重量份(ii)黏度300 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約5%乙烯基之無溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KNS-3002，不揮發份100%)…10重量份(iii)以(CH3 )3 SiO(-SiH(CH3 )-O)m -Si(CH3 )3 表示之聚矽氧(Gelest公司製造：HMS-991，黏度約20 mPa．s)…1.4重量份(iv)含鉑觸媒(信越化學(股)製造：cat PL-50T)…1重量份以上述實施例所得各薄膜之特性彙整列於下表2。
實施例1B及實施例2B之薄膜於儲存時之保持力密切有關之低速下之剝離較重而相當於實際剝離時之高速下剝離較輕，暴露大氣之影響亦小，而且非移行性亦優異。
<第三主旨之發明實施例> 實施例1C：
以塗佈量(乾燥後)成為約0.12(g/m2 )之方式將由下列組成構成之脫模劑塗佈在厚度38μm之二軸延伸PET薄膜(三菱化學聚酯薄膜股份有限公司製造：DIAFOIL T100-38)上，且在150℃下熱處理10秒鐘，獲得脫模薄膜。
《脫模劑組成》
以甲苯/MEK/異辛烷之混合溶劑(混合比率為1：1：1)稀釋下列四成分(i)~(iv)，製備固體成分濃度2重量%之塗佈液體。
(i)以30%甲苯溶液之黏度為8000 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約8%乙烯基之溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KS-3601，不揮發份30%)…70重量份(ii)黏度300 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約5%乙烯基之無溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KNS-3002，不揮發份100%)…4.5重量份．溶劑型反應性剝離調整劑(信越化學(股)製造：KS-3800，不揮發份30%)…15重量份(iii)以(CH3 )3 SiO(-SiH(CH3 )-O)m -Si(CH3 )3 表示之聚矽氧(Gelest公司製造：HMS-991，黏度約20 mPa．s)…2.4重量份(iv)含鉑觸媒(信越化學(股)製造：cat PL-50T)…1重量份實施例2C：實施例1C中，除將脫模劑組成改變成下列脫模劑組成以外，餘如實施例1C同樣製造，獲得脫模薄膜。
《脫模劑組成》
以甲苯/MEK/異辛烷之混合溶劑(混合比率為1：1：1)稀釋下列四成分(i)~(iv)，製備固體成分濃度2重量%之塗佈液體。
(i)以30%甲苯溶液之黏度為8000 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約8%乙烯基之溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KS-3601，不揮發份30%)…70重量份．黏度300 mPa．s，主要聚合物中以矽氧烷單位為準含有約5%乙烯基之無溶劑型聚矽氧(信越化學(股)製造：KNS-3002，不揮發份100%)…7.5重量份(ii)溶劑型反應性剝離調整劑(信越化學(股)製造：KS-3800，不揮發份30%)…5重量份(iii)以(CH3 )3 SiO(-SiH(CH3 )-O)m -Si(CH3 )3 表示之聚矽氧(Gelest公司製造：HMS-991，黏度約20 mPa．s)…2.4重量份(iv)含鉑觸媒(信越化學(股)製造：cat PL-50T)…1重量份以上述實施例及比較例所得各薄膜之特性彙整列於下表3。
實施例1C及實施例2C之薄膜於儲存時之保持力密切有關之低速下之剝離較重而相當於實際剝離時之高速下之剝離較輕，暴露大氣之影響亦小，而且非移行性亦優異。

Claims (3)

  1. 一種脫模薄膜，其為在聚酯薄膜之至少一面上以乾燥後的塗佈量為0.06~0.3g/m3 的範圍塗佈以硬化型聚矽氧為主之塗料而成之脫模薄膜，其特徵為上述塗料中之硬化型聚矽氧之含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且塗料中之SiH/Vi比為2.5~7，以0.3m/min之速度剝離時的剝離強度與以30m/min之速度剝離時的剝離強度之比在0.41以上。
  2. 如請求項1之脫模薄膜，其為在聚酯薄膜之至少一面上以乾燥後的塗佈量為0.06~0.3g/m3 的範圍塗佈以硬化型聚矽氧為主之塗料而成之脫模薄膜，其特徵為上述塗料含有溶劑型聚矽氧及無溶劑型聚矽氧作為主要成分，該溶劑型聚矽氧為含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且無溶劑型聚矽氧係具有1000mPa．s以下之黏度且含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且塗料中之SiH/Vi比為2.5~7。
  3. 如請求項1之脫模薄膜，其為在聚酯薄膜之至少一面上以乾燥後的塗佈量為0.06~0.3g/m3 的範圍塗佈以硬化型聚矽氧為主之塗料而成之脫模薄膜，其特徵為上述塗料含有溶劑型聚矽氧、無溶劑型聚矽氧及反應性再剝離調整劑作為主要成分，該溶劑型聚矽氧為含有乙烯基之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上；且無溶劑型聚矽氧具有1000mPa．s以下之黏度且含有乙烯基 之聚矽氧烷鏈中乙烯基之含有比例以矽氧烷單位為準在3%以上，且塗料中之SiH/Vi比為2.5~7。
TW098107149A 2008-03-09 2009-03-05 Demoulding film TWI498216B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008058867A JP5236320B2 (ja) 2008-03-09 2008-03-09 離型フィルム
JP2008058865A JP5236318B2 (ja) 2008-03-09 2008-03-09 離型フィルム
JP2008058866A JP5236319B2 (ja) 2008-03-09 2008-03-09 離型フィルム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201000315A TW201000315A (en) 2010-01-01
TWI498216B true TWI498216B (zh) 2015-09-01

Family

ID=41064931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098107149A TWI498216B (zh) 2008-03-09 2009-03-05 Demoulding film

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110059322A1 (zh)
EP (1) EP2253466A4 (zh)
KR (1) KR101493832B1 (zh)
CN (1) CN101965262B (zh)
TW (1) TWI498216B (zh)
WO (1) WO2009113258A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5591004B2 (ja) * 2010-07-26 2014-09-17 三菱樹脂株式会社 離型ポリエステルフィルム
JP6164791B2 (ja) * 2010-12-27 2017-07-19 三菱ケミカル株式会社 基材レス両面粘着シート用ポリエステルフィルム
US20150225574A1 (en) * 2012-09-13 2015-08-13 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Antistatic release agent and antistatic release film
US10676816B2 (en) 2013-06-27 2020-06-09 Flex Films (Usa) Inc. High-barrier polyethylene terephthalate film
US9580798B2 (en) 2013-06-27 2017-02-28 Flex Films (Usa) Inc. High-barrier polyethylene terephthalate film
JP6742583B2 (ja) * 2016-05-13 2020-08-19 東レフィルム加工株式会社 積層体
JP6745153B2 (ja) * 2016-07-11 2020-08-26 信越ポリマー株式会社 導電性離型層形成用塗料及びその製造方法、並びに導電性離型フィルム及びその製造方法
JP6771746B2 (ja) * 2016-08-29 2020-10-21 東レフィルム加工株式会社 積層体
KR101915664B1 (ko) 2017-01-25 2018-11-06 도레이첨단소재 주식회사 이형필름
KR102239262B1 (ko) 2017-05-29 2021-04-12 도레이첨단소재 주식회사 이형필름
CN107189095A (zh) * 2017-07-11 2017-09-22 佛山市佳世达薄膜科技有限公司 一种防摔手机离型膜
KR102088105B1 (ko) * 2018-07-04 2020-03-11 도레이첨단소재 주식회사 재사용 가능한 이형필름
CN109705768A (zh) * 2018-11-29 2019-05-03 安徽荣泽科技有限公司 一种pet离型膜制作工艺
CN110408249B (zh) * 2019-07-22 2021-06-08 佛山宜可居新材料有限公司 一种高分子复合薄膜的制备方法
CN111748278A (zh) * 2020-07-07 2020-10-09 浙江洁美电子科技股份有限公司 一种可用于oca光学胶快速剥离的离型剂及含有该离型剂的离型膜

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0693183A (ja) * 1992-09-09 1994-04-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 剥離性皮膜形成用シリコーン組成物及び剥離性皮膜
JP2006007550A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Mitsubishi Polyester Film Copp 両面離型フィルム

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS595216B2 (ja) 1979-01-25 1984-02-03 ダイアホイル株式会社 ポリエステルフイルム
DE3313923A1 (de) 1983-04-16 1984-10-18 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Polyesterrohstoff, daraus hergestellte formkoerper, vorzugsweise eine folie, sowie verwendung der formkoerper
JPS62240363A (ja) * 1986-04-10 1987-10-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 離型フイルム用シリコ−ン組成物
JPH1161094A (ja) * 1997-08-25 1999-03-05 Oji Paper Co Ltd 剥離剤組成物
JP2000169794A (ja) * 1998-12-10 2000-06-20 Tokuyama Corp 離型性付与塗工液並びに離型フィルム
JP4216962B2 (ja) 1999-08-05 2009-01-28 三菱樹脂株式会社 離型フィルム
JP4476423B2 (ja) 2000-04-04 2010-06-09 三菱樹脂株式会社 離型フィルム
JP2002285087A (ja) * 2001-03-26 2002-10-03 Jsr Corp 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP4495880B2 (ja) * 2001-05-09 2010-07-07 帝人株式会社 離形フイルム
JP4339645B2 (ja) * 2002-08-06 2009-10-07 三菱樹脂株式会社 離型シート及び粘着体
JP4676735B2 (ja) * 2004-09-22 2011-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
CN100341943C (zh) * 2004-11-29 2007-10-10 李彦民 硅橡胶组合物及其制造方法
JP4530356B2 (ja) * 2005-01-26 2010-08-25 株式会社トンボ鉛筆 感圧転写修正テープ
JP4488916B2 (ja) * 2005-01-26 2010-06-23 王子特殊紙株式会社 修正テープ用両面離型フィルム
CN1872927B (zh) * 2005-05-31 2010-04-28 台湾道康宁股份有限公司 聚硅氧烷防粘涂料组合物
KR100672857B1 (ko) * 2005-06-13 2007-01-22 도레이새한 주식회사 실리콘 이형조성물 및 이를 이용한 실리콘 이형 플라스틱필름

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0693183A (ja) * 1992-09-09 1994-04-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 剥離性皮膜形成用シリコーン組成物及び剥離性皮膜
JP2006007550A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Mitsubishi Polyester Film Copp 両面離型フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
TW201000315A (en) 2010-01-01
CN101965262A (zh) 2011-02-02
CN101965262B (zh) 2014-01-08
US20110059322A1 (en) 2011-03-10
KR101493832B1 (ko) 2015-02-16
KR20100123843A (ko) 2010-11-25
EP2253466A1 (en) 2010-11-24
WO2009113258A1 (ja) 2009-09-17
EP2253466A4 (en) 2012-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI498216B (zh) Demoulding film
KR101704548B1 (ko) 기재가 없는 양면 점착 시트
JP4993484B2 (ja) 離型フィルム
JP5236320B2 (ja) 離型フィルム
JP2012071433A (ja) 離型フィルム
JP2010214826A (ja) ポリエステル離型フィルム
JP5026843B2 (ja) 離型フィルム
JP6164791B2 (ja) 基材レス両面粘着シート用ポリエステルフィルム
JP2009196176A (ja) 離型フィルム
KR102046146B1 (ko) 경시 박리 안정성이 우수한 실리콘 이형필름
JP2013052552A (ja) 離型フィルム
JP2012137567A (ja) 偏光板用離型ポリエステルフィルム
JP5236319B2 (ja) 離型フィルム
JP5236318B2 (ja) 離型フィルム
JP6390149B2 (ja) ポリエステルフィルム
KR101955241B1 (ko) 계면접착 특성이 우수한 실리콘 이형 조성물, 그를 이용한 실리콘 이형 필름 및 그의 제조방법
KR101992493B1 (ko) 실리콘 경화도가 우수하고 전사율이 낮은 실리콘 이형필름
JP2011230469A (ja) 離型フィルム
JP2016188265A (ja) 離型フィルム
KR101556704B1 (ko) 코팅외관이 우수한 실리콘 이형필름
KR102553899B1 (ko) 불소기 함유 이형필름 및 이의 제조방법
JP2011207197A (ja) 離型フィルム
JP2012232493A (ja) 離型ポリエステルフィルム
JP2013052553A (ja) 離型フィルム
JP2016187871A (ja) 離型フィルム