TWI493263B - Liquid crystal display device - Google Patents

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TWI493263B TW101107777A TW101107777A TWI493263B TW I493263 B TWI493263 B TW I493263B TW 101107777 A TW101107777 A TW 101107777A TW 101107777 A TW101107777 A TW 101107777A TW I493263 B TWI493263 B TW I493263B
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Description

液晶顯示裝置
本發明之實施形態係關於一種液晶顯示裝置。
[相關申請案之交互參照]
本申請案係基於且主張2011年7月28日申請的先前日本專利申請案第2011-165257號之優先權的權利；該案之全部內容以引用之方式併入本文中。
近年來，平面顯示裝置開發盛行，其中，液晶顯示裝置因輕量、薄型、低消耗電力等之優點而尤其引人注目。特別是在於各像素中配置開關元件之主動矩陣型液晶顯示裝置中，利用IPS(In-Plane Switching：平面內切換)模式或FFS(Fringe Field Switching：邊界電場切換)模式等之橫向電場(亦包含邊界電場)之構造較受關注。如此之橫向電場模式之液晶顯示裝置具備形成於陣列基板上之像素電極與對向電極，以相對於陣列基板之主表面大致平行之橫向電場開關液晶分子。
另一方面，亦有於形成於陣列基板上之像素電極、與形成於對向基板上之對向電極之間形成橫向電場或斜向電場，從而開關液晶分子之提案。
一般而言，根據一實施例，本發明之液晶顯示裝置，其特徵在於包含：第1基板，其包含：帶狀之主像素電極，其於第1方向具有第1寬度，於交叉於第1方向之第2方向直線性延伸，其具備於第2方向延伸之第1邊緣；副像素電 極，其與上述主像素電極交叉，且自上述第1邊緣於第1方向突出；及第1配向膜，其覆蓋上述主像素電極及上述副像素電極；第2基板，其包含在包夾上述主像素電極之兩側與上述主像素電極大致平行地延伸之主共用電極、及覆蓋上述主共用電極之第2配向膜；及液晶層，其包含保持於上述第1基板與上述第2基板之間之液晶分子；且上述副像素電極於第1方向具有較第1寬度更大之第2寬度，且在其中央部於第1方向具有成為最大寬度之第3寬度，且，自上述第1邊緣於第1方向在隔著第1距離之位置於第2方向具有第4寬度，且自上述第1邊緣於第1方向隔著較第1距離更遠離之第2距離之位置具有較第4寬度小之第5寬度。
根據另一實施例，本發明之液晶顯示裝置，其特徵在於包含：第1基板，其包含：第1配線及第2配線，其沿第1方向隔以間隔而鄰接，且於交叉於第1方向之第2方向延伸；帶狀之主像素電極，其位於上述第1配線與上述第2配線之間之位置，於第1方向具有第1寬度，於第2方向直線性延伸；副像素電極，其在上述主像素電極之第2方向之中間部交叉，具備向上述第1配線及上述第2配線分別突出之突出部之；第2基板，其包含與上述第1配線及上述第2配線分別對向且與上述主像素電極大致平行地延伸之主共用電極；及液晶層，其包含保持於上述第1基板與上述第2基板之間之液晶分子；且上述副像素電極於第1方向具有較第1寬度更大之第2寬度，且在其中央部於第1方向具有成為最大寬度之第3寬度，且，在上述主像素電極側於第2方向具 有第4寬度，在上述第1配線側及上述第2配線側分別於第2方向具有較第4寬度小之第5寬度。
根據另一實施例，本發明之液晶顯示裝置，其特徵在於包含：第1基板，其包含：第1配線及第2配線，該等沿第1方向隔以間隔而鄰接，且於交叉於第1方向之第2方向延伸；帶狀之主像素電極，位於上述第1配線與上述第2配線之間之位置，且具備於第2方向直線性延伸之第1邊緣；及副像素電極，其具備於與上述主像素電極之上述第1邊緣不同之方向延伸且與上述第1邊緣相連之第2邊緣；第2基板，其包含與上述第1配線及上述第2配線分別對向且與上述主像素電極大致平行地延伸之主共用電極；及液晶層，其包含保持於上述第1基板與上述第2基板之間之液晶分子；且上述第1邊緣與上述第2邊緣之間之外角為鈍角。
根據另一實施例，本發明之液晶顯示裝置，其特徵在於包含：第1基板，其包含：第1配線及第2配線，其沿第1方向隔以間隔而鄰接，且於交叉於第1方向之第2方向延伸；帶狀之主像素電極，其位於上述第1配線與上述第2配線之間之位置，於第1方向具有第1寬度，於第2方向直線性延伸，副像素電極，其係在上述主像素電極之第2方向之一端部交叉，且具備向上述第1配線及上述第2配線分別突出之突出部；第2基板，其包含與上述第1配線及上述第2配線分別對向且與上述主像素電極大致平行地延伸之主共用電極；及液晶層，其包含保持於上述第1基板與上述第2基板之間之液晶分子；且上述副像素電極於第1方向具有較 第1寬度更大之第2寬度，且在其中央部於第1方向具有成為最大寬度之第3寬度，且，在上述主像素電極側於第2方向具有第4寬度，且在上述第1配線側及上述第2配線側分別於第2方向具有較第4寬度小之第5寬度。
以下，參照圖式詳細說明本實施形態。另，在各圖中，於發揮同一或類似之功能之構成要件上標註同一參照符號，省略重複之說明。
圖1係概略顯示本實施形態之液晶顯示裝置之構成及等價電路之圖。
即，液晶顯示裝置具備主動矩陣類型之液晶顯示面板LPN。液晶顯示面板LPN具備作為第1基板之陣列基板AR、對向於陣列基板AR而配置之第2基板即對向基板CT、及保持於該等陣列基板AR與對向基板CT之間之液晶層LQ。如此之液晶顯示面板LPN具備顯示圖像之主動區域ACT。該主動區域ACT利用m×n個配置成矩陣狀之複數個像素PX而構成(其中，m及n為正整數)。
液晶顯示面板LPN在主動區域ACT中具備n根閘極配線G(G1~Gn)、n根輔助電容線C(C1~Cn)、及m根源極配線S(S1~Sm)等。閘極配線G及輔助電容線C例如沿第1方向X大致直線性延伸。該等閘極配線G及輔助電容線C沿交叉於第1方向X之第2方向Y隔以間隔鄰接，交互並列配置。此處，第1方向X與第2方向Y互相正交。源極配線S與閘極配線G及輔助電容線C交叉。源極配線S沿第2方向Y大致直線性延伸。另，閘極配線G、輔助電容線C、及源極配線S可 並非一定直線性延伸，該等之一部分可彎曲。
各閘極配線G被抽出至主動區域ACT之外側，連接於閘極驅動器GD。各源極配線S被抽出至主動區域ACT之外側，連接於源極驅動器SD。該等閘極驅動器GD及源極驅動器SD之至少一部分例如形成於陣列基板AR上，與內藏控制器之驅動IC晶片2連接。
各像素PX具備開關元件SW、像素電極PE、及共用電極CE等。保持電容Cs形成於例如輔助電容線C與像素電極PE之間。輔助電容線C與施加輔助電容電壓之電壓施加部VCS電性連接。
另，在本實施形態中，液晶顯示面板LPN係一方面像素電極PE形成於陣列基板AR上且共用電極CE之至少一部分形成於對向基板CT上之構成，主要利用形成於該等像素電極PE與共用電極CE之間之電場而開關液晶層LQ之液晶分子。形成於該等像素電極PE與共用電極CE之間之電場係相對以第1方向X與第2方向Y規定之X-Y平面或陣列基板AR之基板主表面或對向基板CT之基板主表面略微傾斜之斜向電場(或，大致平行於基板主表面之橫向電場)。
開關元件SW係由例如n通道薄膜電晶體(TFT)構成。該開關元件SW與閘極配線G及源極配線S電性連接。如此之開關元件SW可為頂閘極型或底閘極型之任一項。又，開關元件SW之半導體層，例如利用多晶矽形成，亦可利用非結晶矽形成。
像素電極PE配置於各像素PX，且電性連接於開關元件 SW。共用電極CE為例如共用電位，經由液晶層LQ相對於複數個像素PX之像素電極PE共通地配置。如此之像素電極PE及共用電極CE，例如利用氧化銦錫(ITO)或氧化鋅銦(IZO)等之具有光穿透性之導電材料而形成，亦可利用氧化鋁等之其他金屬材料形成。
陣列基板AR具備用以對共用電極CE施加電壓之給電部VS。該給電部VS例如形成於主動區域ACT之外側。共用電極CE被抽出至主動區域ACT之外側，且經由未圖示之導電構件，與給電部VS電性連接。
圖2係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板LPN時之一像素PX之構造例之平面圖。此處，顯示X-Y平面之平面圖。
閘極配線G1、閘極配線G2、及輔助電容線C1分別沿第1方向X延伸。源極配線S1及源極配線S2分別沿第2方向Y延伸。輔助電容線C1位於閘極配線G1與閘極配線G2之大致中間之位置。即，閘極配線G1與輔助電容線C1之沿著第2方向Y之間隔，與閘極配線G2與輔助電容線C1之沿著第2方向Y之間隔大致等同。
在圖示之例中，如圖中之虛線所示，像素PX相當於閘極配線G1及閘極配線G2與源極配線S1及源極配線S2組成之方格區域，係沿著第2方向Y之長度之一方相較於沿著第1方向X之長度更長之長方形狀。像素PX之沿著第1方向X之長度相當於源極配線S1與源極配線S2之沿著第1方向X之間距，像素PX之沿著第2方向Y之長度相當於閘極配線 G1與閘極配線G2之沿著第2方向Y之間距。像素電極PE配置於鄰接之源極配線S1與源極配線S2之間。又，該像素電極PE位於閘極配線G1與閘極配線G2之間之位置。
在圖示之例中，在像素PX中，源極配線S1配置於左側端部，源極配線S2配置於右側端部，閘極配線G1配置於上側端部，閘極配線G2配置於下側端部。嚴密而言，源極配線S1跨該像素PX與鄰接於其左側之像素之邊界而配置，源極配線S2跨該像素PX與鄰接於其右側之像素之邊界而配置，閘極配線G1跨該像素PX與鄰接於其上側之像素之邊界而配置，閘極配線G2跨該像素PX與鄰接於其下側之像素之邊界而配置。輔助電容線C1配置於像素PX之大致中央部。
圖示之例之開關元件SW電性連接於閘極配線G1及源極配線S1。該開關元件SW設置於閘極配線G1與源極配線S1之交點，其汲極配線沿源極配線S1及輔助電容線C1延長，且經由形成於與輔助電容線C1重疊之區域中之接觸孔CH，與像素電極PE電性連接。如此之開關元件SW設置於與源極配線S1及輔助電容線C1重疊之區域中，幾乎不會自與源極配線S1及輔助電容線C1重疊之區域突出，從而抑制有助於顯示之開口部之面積之降低。
像素電極PE具備主像素電極PA及副像素電極PB。該等主像素電極PA及副像素電極PB一體性或連續性地形成，且互相電性連接。另，在圖示之例中，雖僅圖示配置於一像素PX中之像素電極PE，但對於省略圖示之其他像素， 亦配置有同一形狀之像素電極。
主像素電極PA位於源極配線S1與源極配線S2之間之位置。在圖示之例中，副像素電極PB在主像素電極PA之沿著第2方向之中間部交叉。因此，主像素電極PA自與副像素電極PB之交叉部直到像素PX之上側端部附近及下側端部附近為止，沿第2方向Y直線性延伸。即像素電極PE形成為十字狀。又，主像素電極PA配置於源極配線S1與源極配線S2之大致中間之位置，亦即配置於像素PX之中間。源極配線S1與主像素電極PA之沿著第1方向X之間隔，與源極配線S2與主像素電極PA之沿著第1方向X之間隔大致等同。如此之主像素電極PA形成為沿第1方向X具有大致同一之寬度W1之帶狀。又，主像素電極PA具有沿第2方向Y直線性延伸之第1邊緣E1。第1邊緣E1以寬度W1之間隔分別位於主像素電極PA之源極配線S1之側及主像素電極PA之源極配線S2之側之位置。
副像素電極PB與主像素電極PA交叉，且沿第1方向X延伸。或，該副像素電極PB自主像素電極PA之第1邊緣E1於第1方向X突出。如此之副像素電極PB具有自與主像素電極PA之交叉部向源極配線S1及源極配線S2分別突出之突出部。即，該副像素電極PB之中、自主像素電極PA向源極配線S1突出之區域相當於突出部PB1，自主像素電極PA向源極配線S2突出之區域相當於突出部PB2。該等突出部PB1及突出部PB2位於包夾主像素電極PA之兩側之位置，為同一形狀，且為相對於主像素電極PA之沿著第2方向Y 之中心線O線對稱之形狀。如此之副像素電極PB具有與第1邊緣E1相連之第2邊緣E2。該第2邊緣E2於與第1邊緣E1不同之方向即第2方向Y延伸。關於該副像素電極PB之形狀，此後將詳述。
在圖示之例中，副像素電極PB與輔助電容線C1對向。即，副像素電極PB之突出部PB1及突出部PB2位於其全體與輔助電容線C1重疊之區域。如此之副像素電極PB經由接觸孔CH與開關元件SW電性連接。
共用電極CE具備主共用電極CA。該主共用電極CA在X-Y平面內，在包夾主像素電極PA之兩側，沿與主像素電極PA大致平行之第2方向Y直線性延伸。或，主共用電極CA與於第2方向Y延伸之源極配線S分別對向，且與主像素電極PA大致平行地延伸。如此之主共用電極CA形成為沿第1方向X具有大致同一之寬度之帶狀。
在圖示之例中，主共用電極CA於第1方向X隔以間隔兩根平行地並列，具備配置於像素PX之左側端部之主共用電極CAL、及配置於像素PX之右側端部之主共用電極CAR。嚴密而言，主共用電極CAL跨該像素PX與鄰接於其左側之像素之邊界而配置，主共用電極CAR跨該像素PX與鄰接於其右側之像素之邊界而配置。主共用電極CAL與源極配線S1對向，主共用電極CAR與源極配線S2對向。該等主共用電極CAL及主共用電極CAR在主動區域內或主動區域外互相電性連接。
著眼於像素電極PE與主共用電極CA之位置關係，像素 電極PE與主共用電極CA沿第1方向X交互配置。主像素電極PA與主共用電極CA互相大致平行地配置。其時，在X-Y平面內，主共用電極CA之任一項皆不會與像素電極PE重疊。
於鄰接之主共用電極CAL及主共用電極CAR之間，配置有一根像素電極PE。換言之，主共用電極CAL及主共用電極CAR配置於包夾像素電極PE之正上方之位置之兩側。或，像素電極PE配置於主共用電極CAL與主共用電極CAR之間。因此，主共用電極CAL、主像素電極PA、及主共用電極CAR沿第1方向X依該序配置。
主像素電極PA位於主共用電極CAL與主共用電極CAR之大致中間之位置。即，主共用電極CAL與主像素電極PA之沿著第1方向X之間隔，與主共用電極CAR與主像素電極PA之沿著第1方向X之間隔大致等同。
圖3係放大圖2所示之副像素電極PB及其周邊之X-Y平面之平面圖。另，此處，僅圖示說明所需之部位。
在圖示之例中，副像素電極PB之中、位於主像素電極PA與源極配線S1之間之位置之突出部PB1、及位於主像素電極PA與源極配線S2之間之位置之突出部PB2各自為三角形狀，更具體而言，為二等邊三角形狀。即，突出部PB1及突出部PB2各自具備相對第1方向X傾斜之斜邊E21及斜邊E22、及與第1邊緣E1位於同一直線上之底邊E23。底邊E23之長度與斜邊E21及斜邊E22相等時，突出部PB1及突出部PB2之各者成為正三角形狀。斜邊E21及斜邊E22相當 於分別與第1邊緣E1相連之一對直線狀之第2邊緣E2。斜邊E21之長度與斜邊E22之長度相等。斜邊E21相對斜邊E22非平行。突出部PB1中之斜邊E21與斜邊E22之交點、即突出部PB1之頂點T1處於最接近於源極配線S1或主共用電極CAL之位置。突出部PB2中之斜邊E21與斜邊E22之交點、即突出部PB2之頂點T2處於最接近於源極配線S2或主共用電極CAR之位置。
由於如此之副像素電極PB在主像素電極PA之中間部交叉，故以主像素電極PA與副像素電極PB，於四部位形成外角θ1。此處之外角θ1，相當於第1邊緣E1與直線狀之第2邊緣E2組成之角度。於四部位形成之外角θ1，任一項皆為大於90°之鈍角。圖示之四部位之外角θ1，任一項皆為大致等同之角度。因此，四部位之外角θ1之和大於360度。作為一例，外角θ1為135°。換言之，底邊E23與第2邊緣E2之內角θ2為銳角。
著眼於副像素電極PB之沿著第1方向X之寬度，突出部PB1之斜邊E21與突出部PB2之斜邊E21之間之沿著第1方向X之寬度W2大於主像素電極PA之寬度W1。突出部PB1之頂點T1與突出部PB2之頂點T2之間之沿著第1方向X之寬度W3大於寬度W2，且成為最大寬度。突出部PB1之斜邊E22與突出部PB2之斜邊E22之間之沿著第1方向X之寬度W4大於主像素電極PA之寬度W1，小於寬度W3。即，副像素電極PB在沿著第2方向Y之中央部於第1方向X具有成為最大寬度之寬度W3，且在包夾該中央部之兩側，成為大於寬 度W1且小於寬度W3之寬度。
著眼於副像素電極PB之沿著第2方向Y之寬度，越自主像素電極PA離開(或越靠近源極配線或主共用電極)，越成為較小之寬度。即，副像素電極PB之突出部PB1在自第1邊緣E1(或底邊E23)沿第1方向X隔距離D1之位置(主像素電極PA側之位置)具有寬度W11，在自第1邊緣E1沿第1方向X隔較距離D1更遠離之距離D2之位置(源極配線S1側之位置或主共用電極CAL側之位置)具有較寬度W11更小之寬度W12。同樣，副像素電極PB之突出部PB2在主像素電極PA側之位置具有寬度W11，在源極配線S2側之位置或主共用電極CAR側之位置具有較寬度W11更小之寬度W12。
圖4係概略顯示以A-A線切斷圖2所示之液晶顯示面板LPN時之剖面構造之剖面圖。另，此處，僅圖示說明所需之部位。
於構成液晶顯示面板LPN之陣列基板AR之背面側配置有背光源4。作為背光源4，可應用各種形態，又，利用發光二極體(LED)作為光源者或利用冷陰極管(CCFL)者等之任一項均可應用，關於詳細之構造，省略說明。
陣列基板AR係利用具有光穿透性之第1絕緣基板10而形成。源極配線S形成於第1層間絕緣膜11之上，且由第2層間絕緣膜12覆蓋。另，未圖示之閘極配線或輔助電容線，例如配置於第1絕緣基板與第1層間絕緣膜11之間。像素電極PE形成於第2層間絕緣膜12之上。該像素電極PE相較於鄰接之源極配線S之各自之正上方之位置，位於該等之更 內側之位置。第1配向膜AL1配置於陣列基板AR之與對向基板CT對向之面上，跨主動區域ACT之大致全體而延伸。該第1配向膜AL1覆蓋像素電極PE等，且亦配置於第2層間絕緣膜12之上。如此之第1配向膜AL1係利用顯示斜展配向性之材料而形成。另，陣列基板AR進而可具備共用電極CE之一部分。
對向基板CT係利用具有光穿透性之第2絕緣基板20而形成。該對向基板CT具備黑色矩陣BM、彩色濾光片CF、保護層OC、共用電極CE、及第2配向膜AL2等。
黑色矩陣BM區劃各像素PX，形成與像素電極PE對向之開口部AP。即，黑色矩陣BM以對向於源極配線S、閘極配線、輔助電容線、開關元件等之配線部之方式配置。此處，黑色矩陣BM，雖僅圖示沿第2方向Y延伸之部分，但可具備沿第1方向X延伸之部分。該黑色矩陣BM配置於第2絕緣基板20之對向於陣列基板AR之內表面20A上。
彩色濾光片CF對應於各像素PX而配置。即，彩色濾光片CF配置於在第2絕緣基板20之內表面20A之開口部AP中，且其一部分抬升黑色矩陣BM。分別配置於第1方向X上鄰接之像素PX中之彩色濾光片CF，顏色互不相同。例如，彩色濾光片CF利用分別著色成紅色、藍色、綠色之三原色之樹脂材料而形成。由著色成紅色之樹脂材料而成之紅色彩色濾光片CFR對應於紅色像素而配置。由著色成藍色之樹脂材料而成之藍色彩色濾光片CFB對應於藍色像素而配置。由著色成綠色之樹脂材料而成之綠色彩色濾光片 CFG對應於綠色像素而配置。該等彩色濾光片CF彼此之邊界處於與黑色矩陣BM重疊之位置。保護層OC覆蓋彩色濾光片CF。該保護層OC將緩和彩色濾光片CF之表面之凹凸之影響。如此之保護層OC係由例如透明之樹脂材料而形成。
共用電極CE形成於保護層OC之與陣列基板AR對向之側。主共用電極CA位於源極配線S之上方之位置。第2配向膜AL2配置於對向基板CT之與陣列基板AR對向之面上，且跨主動區域ACT之大致全體而延伸。該第2配向膜AL2覆蓋共用電極CE及保護層OC等。如此之第2配向膜AL2係由顯示斜展配向性之材料而形成。
對該等第1配向膜AL1及第2配向膜AL2，進行用以使液晶層之液晶分子初始配向之配向處理(例如，摩擦處理或光配向處理)。使第1配向膜AL1將液晶分子初始配向之第1配向處理方向PD1，與使第2配向膜AL2將液晶分子初始配向之第2配向處理方向PD2平行。在圖2(A)所示之例中，第1配向處理方向PD1與第2配向處理方向PD2互相平行，且互相為相同方向。在圖2(B)所示之例中，第1配向處理方向PD1與第2配向處理方向PD2互相平行，且互相為相反方向。
如上述之陣列基板AR與對向基板CT，以使各自之第1配向膜AL1及第2配向膜AL2對向之方式配置。其時，於陣列基板AR之第1配向膜AL1與對向基板CT之第2配向膜AL2之間，配置例如利用樹脂材料一體化形成於一方之基板上之 柱狀間隔物，藉此，形成特定之晶胞間隙，例如2~7 μm之晶胞間隙。陣列基板AR與對向基板CT在形成特定之晶胞間隙之狀態下，利用主動區域ACT之外側之密封材料SB加以貼合。
液晶層LQ保持於形成於陣列基板AR與對向基板CT之間之晶胞間隙中，且配置於第1配向膜AL1與第2配向膜AL2之間。液晶層LQ包含有液晶分子LM。如此之液晶層LQ，例如，由介電率各向異性為正(正型)之液晶分子而構成。
於陣列基板AR之外表面、即構成陣列基板AR之第1絕緣基板10之外表面10B上，利用接著劑等黏貼有第1光學元件OD1。該第1光學元件OD1位於與液晶顯示面板LPN之背光源4對向之側之位置，控制自背光源4入射至液晶顯示面板LPN之入射光之偏光狀態。該第1光學元件OD1包含有具有第1偏光軸(或第1吸收軸)AX1之第1偏光板PL1。另，可於第1偏光板PL1與第1絕緣基板10之間配置相位差板等之其他光學元件。
於對向基板CT之外表面、即構成對向基板CT之第2絕緣基板20之外表面20B上，利用接著劑等黏貼有第2光學元件OD2。該第2光學元件OD2位於液晶顯示面板LPN之顯示面側之位置，控制自液晶顯示面板LPN出射之出射光之偏光狀態。該第2光學元件OD2包含有具有第2偏光軸(或第2吸收軸)AX2之第2偏光板PL2。另，可於第2偏光板PL2與第2絕緣基板20之間配置相位差板等之其他光學元件。
第1偏光板PL1之第1偏光軸AX1與第2偏光板PL2之第2偏 光軸AX2處於正交偏光之位置關係。其時，一方之偏光板，例如以使其偏光軸與液晶分子LM之初始配向方向即第1配向處理方向PD1或第2配向處理方向PD2平行或正交之方式配置。初始配向方向與第2方向Y平行之情形，一方之偏光板之偏光軸與第2方向Y平行，或與第1方向X平行。
在圖2中，在(a)所示之例中，第1偏光板PL1以使其第1偏光軸AX1相對作為液晶分子LM之初始配向方向之第2方向Y正交之方式配置，又，第2偏光板PL2以使其第2偏光軸AX2相對液晶分子LM之初始配向方向平行之方式配置。又，在圖2中，在(b)所示之例中，第2偏光板PL2以使其第2偏光軸AX2相對作為液晶分子LM之初始配向方向之第2方向Y正交之方式配置，又，第1偏光板PL1以使其第1偏光軸AX1相對液晶分子LM之初始配向方向平行之方式配置。
接著，關於上述構成之液晶顯示面板LPN之動作，參照圖2至圖4進行說明。
即，未對液晶層LQ施加電壓之狀態、即未於像素電極PE與共用電極CE之間形成電場之狀態(斷開時)，液晶層LQ之液晶分子LM，以使其長軸朝向第1配向膜AL1之第1配向處理方向PD1及第2配向膜AL2之第2配向處理方向PD2之方式配向。如此之斷開時相當於初始配向狀態，斷開時之液晶分子LM之配向方向相當於初始配向方向。
另，嚴密而言，液晶分子LM並非限於於X-Y平面中水平 配向，預先傾斜之情形較多。因此，此處之液晶分子LM之初始配向方向，係使斷開時之液晶分子LM之長軸正交投影至X-Y平面中之方向。以下，為簡略說明，液晶分子LM，設為於X-Y平面中水平配向者，且作為在與X-Y平面平行之面內旋轉者進行說明。
此處，第1配向處理方向PD1及第2配向處理方向PD2均為與第2方向Y大致平行之方向。在斷開時，液晶分子LM如圖2中虛線所示般，其長軸於與第2方向Y大致平行之方向初始配向。即，液晶分子LM之初始配向方向與第2方向Y平行(或，相對第2方向Y為0°)。
如圖示之例般，第1配向處理方向PD1及第2配向處理方向PD2平行且為相同方向之情形，在液晶層LQ之剖面，液晶分子LM在液晶層LQ之中間部附近大致水平(預傾角大致為零)地配向，以此為界，具有在第1配向膜AL1之附近及第2配向膜AL2之附近成為對稱之預傾角而進行配向(斜展配向)。如此般液晶分子LM斜展配向之狀態下，在自基板之法線方向傾斜之方向，亦利用第1配向膜AL1之附近之液晶分子LM與第2配向膜AL2之附近之液晶分子LM得以光學補償。因此，第1配向處理方向PD1及第2配向處理方向PD2互相平行且為相同方向之情形時，黑顯示之情形時光洩露較少，從而可實現高對比度，可提高顯示品質。
另，第1配向處理方向PD1及第2配向處理方向PD2互相平行且為相反方向之情形，在液晶層LQ之剖面，液晶分子LM在第1配向膜AL1之附近、第2配向膜AL2之附近、及 液晶層LQ之中間部具有大致均一之預傾角而配向(水平配向)。
來自背光源4之背光之一部分穿透第1偏光板PL1，入射至液晶顯示面板LPN。入射至液晶顯示面板LPN之光係與第1偏光板PL1之第1偏光軸AX1正交之直線偏光。如此之直線偏光之偏光狀態在通過斷開時之液晶顯示面板LPN時幾乎不變化。因此，穿透液晶顯示面板LPN之直線偏光，由相對第1偏光板PL1處於正交偏光之位置關係之第2偏光板PL2吸收(黑顯示)。
另一方面，在對液晶層LQ施加電壓之狀態、即於像素電極PE與共用電極CE之間形成電位差之狀態(接通時)下，於像素電極PE與共用電極CE之間形成與基板大致平行之橫向電場(或斜向電場)。液晶分子LM受電場之影響，其長軸如圖中之實線所示般在與X-Y平面大致平行之平面內旋轉。
在圖2所示之例中，像素電極PE與主共用電極CAL之間之區域之中、下側一半之區域內之液晶分子LM以相對第2方向Y順時針旋轉且朝向圖中之左下之方式配向，又，上側一半之區域內之液晶分子LM以相對第2方向Y逆時針旋轉且朝向圖中之左上之方式配向。像素電極PE與主共用電極CAR之間之區域之中、下側一半之區域內之液晶分子LM以相對第2方向Y逆時針旋轉且朝向圖中之右下之方式配向，上側一半之區域內之液晶分子LM以相對第2方向Y順時針旋轉且朝向圖中之右上之方式配向。
如此般，在各像素PX中，在於像素電極PE與共用電極CE之間形成電場之狀態下，液晶分子LM之配向方向以與像素電極PE重疊之位置為界而分成複數個方向，且在各個配向方向形成晶疇。即，於一像素PX中形成複數個晶疇。
於如此之接通時，與第1偏光板PL1之第1偏光軸AX1正交之直線偏光入射至液晶顯示面板LPN，該偏光狀態於通過液晶層LQ時依據液晶分子LM之配向狀態而變化。在如此之接通時，通過液晶層LQ之至少一部分之光穿透第2偏光板PL2(白顯示)。
圖5係用以說明形成於圖2所示之液晶顯示面板LPN中之像素電極PE與共用電極CE之間之電場、及基於該電場之液晶分子LM之指向向量與穿透率之關係之圖。
在斷開狀態下，液晶分子LM於大致平行於第2方向Y之方向初始配向。在於像素電極PE與共用電極CE之間形成電位差之接通狀態下，當成為液晶分子LM之指向向量(或液晶分子LM之長軸方向)在X-Y平面內相對於第1偏光板PL1之第1偏光軸AX1及第2偏光板PL2之第2偏光軸AX2大致偏移45°之狀態時，液晶層LQ之光學調變率成為最高(即，開口部中之穿透率成為最大)。
在圖示之例中，成為接通狀態時，主共用電極CAL與像素電極PE之間之液晶分子LM之指向向量在X-Y平面內與45°-225°之方位大致平行，主共用電極CAR與像素電極PE之間之液晶分子LM之指向向量在X-Y平面內與135°-315°之方位大致平行，從而可獲得峰值穿透率。另，液晶分子 LM之指向向量在X-Y平面內與0°-180°之方位大致平行之情形，或在X-Y平面內與90°-270°之方位大致平行之情形時，開口部中之穿透率成為最小。
在接通狀態下，若著眼於每一像素之穿透率分佈，在像素電極PE上及共用電極CE上，液晶分子LM幾乎不會自初始配向方向旋轉。即，液晶分子LM之指向向量與90°-270°之方位大致平行。因此，穿透率大致為零，另一方面，在像素電極PE與共用電極CE之間之電極間隙中，跨大致全域而可獲得較高穿透率。
另，位於源極配線S1之正上之位置之主共用電極CAL及位於源極配線S2之正上之位置之主共用電極CAR雖分別與黑色矩陣BM對向，但該等主共用電極CAL及主共用電極CAR均具有與黑色矩陣BM之沿著第1方向X之寬度同等以下之寬度，且較與黑色矩陣BM重疊之位置未於像素電極PE之側延伸。因此，每一像素有助於顯示之開口部，相當於黑色矩陣BM之間或源極配線S1與源極配線S2之間之區域之中、像素電極PE與主共用電極CAL及主共用電極CAR之間之區域。
在本實施形態中，像素電極PE具備在與主像素電極PA相近之位置具有寬度W11且在自主像素電極PA更遠離之位置具有較寬度W11更小之寬度W12之副像素電極PB。因此，可在開口部獲得較高之穿透率。關於該點，以下具體進行說明。
圖6係用以說明形成於本實施形態之液晶顯示面板LPN 中之像素電極PE與共用電極CE之間之電場及穿透率之關係之圖。此處，以形成於自主像素電極PA突出之副像素電極PB之突出部PB1、與主共用電極CAL之間之電場與穿透率之關係為例進行說明。此處所示之例相當於副像素電極PB之沿著第2方向Y之寬度越自主像素電極PA離開則越小之例、或主像素電極PA之第1邊緣E1與其之副像素電極PB相連之第2邊緣E2之間之外角θ1為鈍角之例。
於接通時，於主像素電極PA及副像素電極PB與主共用電極CAL之間形成電場，在液晶分子LM之配向狀態自初始配向狀態變化之區域中，背光穿透，而成為明部(白顯示)。且，如上述，即使接通時，在重疊於像素電極PE及共用電極CE之區域中，由於液晶分子LM之配向狀態幾乎不會自初始配向狀態變化，故背光不會穿透，而成為暗部(黑顯示)。另，在重疊於通過副像素電極PB之正下方沿第1方向X延伸之輔助電容線C1、或未圖示之閘極配線及源極配線之區域中，由於該等配線係由不透明之配線材料形成，故不論接通時及斷開時，背光不會穿透，而成為暗部。
在如此之接通時，自第1邊緣E1與第2邊緣E2聯結之交點E12朝向主共用電極CAL之電場在X-Y平面內靠近45°-225°方位、或135°-315°方位。因此，在不重疊於輔助電容線C1之區域、且與交點E12相近之區域中，液晶分子LM以靠近使穿透率成為最大之45°-225°方位、或135°-315°方位之方式配向。即，在如此之交點E12附近之區域中，背光穿 透，而成為明部(白顯示)。
另一方面，自突出部PB1之頂點T1附近朝向主共用電極CAL之電場在X-Y平面內靠近0°-180°方位。因此，如此之區域之液晶分子LM以靠近使穿透率成為最小之0°-180°方位之方式配向。即，如此之區域雖成為背光不會穿透之暗部，但由於原本位於輔助電容線C1之正上方之位置，不論液晶分子LM之配向狀態，成為暗部，故實質性之穿透率不會成為零。
如此般，根據本實施形態之構成，可抑制在聯結第1邊緣E1與第2邊緣E2之交點E12附近產生暗部，從而可提高穿透率。
圖7係用以說明形成於比較例之液晶顯示面板LPN中之像素電極PE與共用電極CE之間之電場及穿透率之關係之圖。此處所示之例相當於副像素電極PB之沿著第2方向Y之寬度自主像素電極PA不論距離而一定之例、或主像素電極PA之第1邊緣E1和與其之副像素電極PB相連之第2邊緣E2之間之外角θ1為直角之例。
於接通時，於主像素電極PA及副像素電極PB與主共用電極CAL之間形成電場。在如此之接通時，自第1邊緣E1與第2邊緣E2聯結之交點E12朝向主共用電極CAL之電場在X-Y平面內靠近90°-270°方位。特別是，在與交點E12相近之位置，電場以沿著第1邊緣E1之方式形成。因此，在不重疊於輔助電容線C1之區域、且與交點E12相近之區域中，液晶分子LM以靠近使穿透率成為最小之90°-270°方位 之方式配向。即，在如此之區域中，背光不會穿透，而成為暗部(黑顯示)。
如此般，根據比較例之構成，因在聯結第1邊緣E1與第2邊緣E2之交點E12附近會產生暗部，故會使穿透率減小。即，在圖7所示之比較例中，與圖6所示之本實施形態比較，穿透率下降。另，在圖7所示之比較例中，已說明第1邊緣E1與第2邊緣E2之間之外角θ1為直角之情形，由於外角θ1越小於90°，則形成於交點E12與主共用電極CAL之間之電場越靠近90°-270°方位，故暗部會擴大，使穿透率之減小變大。
為確認上述現象，發明者準備相當於圖6所示之本實施形態之液晶顯示裝置、及相當於圖7所示之比較例之液晶顯示裝置，在對液晶層LQ施加同一電壓之接通狀態下測定穿透率。在相當於本實施形態之液晶顯示裝置中，使主像素電極PA之第1邊緣E1和與其之副像素電極PB相連之第2邊緣E2之間之外角θ1為135°。在相當於比較例之液晶顯示裝置中，使第1邊緣E1與第2邊緣E2之間之外角θ1為80°。關於其他條件，完全相同。即，使主像素電極PA之沿著第1方向X之寬度為5 μm，主共用電極CA之沿著第1方向X之寬度為5 μm，主像素電極PA與主共用電極CA之沿著第1方向X之水平電極間距離為10 μm，像素間距為30 μm，晶胞間隙為4 μm。
使相當於比較例之液晶顯示裝置中之穿透率為1時，在相當於本實施形態之液晶顯示裝置中，可獲得1.05之穿透 率。
根據如此之本實施形態，可抑制在陣列基板AR所具備之像素電極PE之主像素電極PA和與其之副像素電極PB相連之交點附近產生暗部，從而可抑制穿透率下降。藉此，可獲得良好之顯示品質。
又，根據本實施形態，可在像素電極PE與共用電極CE之間之電極間隙中獲得較高之穿透率。因此，藉由擴大主像素電極與主共用電極之間之電極間距離，可充分提高每一像素之穿透率。又，藉由針對像素間距不同之製品樣式變更電極間距離，可利用如圖5所示之穿透率分佈之峰值條件。即，在本實施形態之顯示模式中，自像素間距比較大之低解析度之製品樣式直到像素間距比較小之高解析度之製品樣式為止，並非必定需要微細之電極加工，可藉由電極間距離之設定而提供各種像素間距之製品。因此，可容易實現高穿透率且高解析度之要求。
又，根據本實施形態，如圖5所示，著眼於在與黑色矩陣BM重疊之區域中之穿透率分佈，穿透率充分下降。其理由，由於相較於共用電極CE之位置，不會於該像素之更外側產生電場之洩漏，又，在包夾黑色矩陣BM而鄰接之像素間不會產生不期望之橫向電場，故與黑色矩陣BM重疊之區域之液晶分子與斷開時(或黑顯示時)同樣保持初始配向狀態。因此，即使在鄰接之像素間彩色濾光片之顏色不同之情形，仍可抑制產生混色，從而可抑制色彩再現性下降或對比度下降。
又，當發生陣列基板AR與對向基板CT之配向錯位時，有包夾像素電極PE之兩側與共用電極CE之水平電極間距離產生差之狀況。但，如此之配向錯位共通地產生於所有像素PX中，因此，在像素PX間，電場分佈無差異，波及圖像之顯示之影像極其小。又，即使例如在陣列基板AR與對向基板CT之間產生錯位，仍可抑制不期望之電場向鄰接之像素之洩漏。因此，即使在鄰接之像素間彩色濾光片之顏色不同之情形，仍可抑制產生混色，從而可抑制顏色再現性下降或對比度下降。
又，根據本實施形態，主共用電極CA分別與源極配線S對向。特別是，主共用電極CAL及主共用電極CAR分別配置於源極配線S1及源極配線S2之正上方之情形時，與主共用電極CAL及主共用電極CAR相較於源極配線S1及源極配線S2配置於像素電極PE側之情形比較，可擴大開口部AP，從而可提高像素PX之穿透率。
又，藉由將主共用電極CAL及主共用電極CAR分別配置於源極配線S1及源極配線S2之正上方，可擴大像素電極PE與主共用電極CAL及主共用電極CAR之間之電極間距離，從而可形成更近於水平之橫向電場。因此，亦可維持作為先前之構成之IPS模式等之優點即視野廣角化。
又，根據本實施形態，可於一像素內形成複數個晶疇。因此，可在複數個方向光學性地補償視角，從而可實現視野廣角化。
另，在上述之例中，雖已說明液晶分子LM之初始配向 方向與第2方向Y平行之情形，但如圖2所示，液晶分子LM之初始配向方向可為斜向交叉第2方向Y之斜方向D。此處，初始配向方向D相對第2方向Y所成之角度θ為0°以上45°以下之角度。另，自液晶分子LM之配向控制之觀點而言，較好的是，液晶分子LM之初始配向方向為相對第2方向Y0°以上20°以下之範圍內之方向。
又，在上述之例中，雖已說明利用具有正(正型)之介電率各向異性之液晶材料構成液晶層LQ之情形，但液晶層LQ可利用介電率各向異性為負(負型)之液晶材料而構成。且，詳細之說明省略，從介電率各向異性為正負相反之關係來看，負型液晶材料之情形時，較好的是，上述之所成角度θ為45°以上90°以下，更期望設為70°以上90°以下之範圍內。
另，即使在接通時，在像素電極PE上或共用電極CE上，幾乎不會形成橫向電場(或，未形成驅動液晶分子LM所需之充分之電場)，故，液晶分子LM與斷開時同樣幾乎不會自初始配向方向移動。因此，即使利用ITO等之光穿透性之導電材料形成像素電極PE及共用電極CE，在該等區域中，背光仍幾乎不會穿透，在接通時對顯示幾乎不起作用。因此，像素電極PE及共用電極CE無須必定由透明之導電材料形成，可利用鋁、或銀、銅等之不透明之配線材料形成。
又，在上述之例中，雖已說明於副像素電極PB之正下方配置輔助電容線之構成，但於副像素電極PB之正下方可配 置閘極配線。即，副像素電極PB之突出部PB1及突出部PB2可位於其全體與閘極配線重疊之區域中。
在本實施形態中，像素PX之構造並非限定於圖2所示之例。以下，關於本實施形態之變形進行說明，圖示像素電極PE、與主共用電極CAL及主共用電極CAR，省略其他構成之圖示。
圖8係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板LPN時之一像素PX之另一構造例之平面圖。
該構造例與圖2所示之構造例比較，在副像素電極PB具有與第1邊緣E1相連之曲線狀之第2邊緣E2之點上不同。該情形時，第1邊緣E1與第2邊緣E2之間之外角θ1對應於第1邊緣E1與第2邊緣E2之切線所成之角度θ1。該所成之角度θ1為鈍角。另，底邊E23與第2邊緣E2之切線所成之角度θ2為銳角。突出部PB1及突出部PB2各自具備相對第1方向X傾斜之一對之斜邊E21及斜邊E22、及與第1邊緣E1位於同一直線上之底邊E23。直線狀之斜邊E21及斜邊E22均與第2邊緣E2聯結。突出部PB1具有斜邊E21與斜邊E22之交點即頂點T1。突出部PB2亦同樣具有斜邊E21與斜邊E22之交點即頂點T2。另，頂點T1及頂點T2任一項皆有成為圓之狀況。
在如此之形狀之副像素電極PB中，與參照圖3說明者相同之寬度之關係亦成立。因此，在如此之構造例中，亦可獲得與上述構造例相同之效果。
圖9係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面 板LPN時之一像素PX之另一構造例之平面圖。
該構造例與圖2所示之構造例比較，在副像素電極PB之突出部PB1及突出部PB2各自為梯形形狀之點上不同。即，突出部PB1及突出部PB2各自具備相對第1方向X傾斜之一對之斜邊E21及斜邊E22、與第1邊緣E1位於同一直線上之下底E23、及短於下底E23之上底E24。斜邊E21及斜邊E22相當於分別與第1邊緣E1相連之一對之直線狀之第2邊緣E2。斜邊E21之長度與斜邊E22之長度相等。斜邊E21相對斜邊E22為非平行。與斜邊E21及斜邊E22相連之上底E24平行於第2方向Y。突出部PB1之上底E24處於最接近於源極配線S1或主共用電極CAL之位置。突出部PB2之上底E24處於最接近於源極配線S2或主共用電極CAR之位置。
該情形時，第1緣邊E1與直線狀之第2邊緣E2之間之外角θ1成為鈍角。圖示之四部位之外角θ1皆為大致等同之角度。因此，四部位之外角θ1之和大於360度。另，底邊E23與第2邊緣E2之切線所成之角度θ2為銳角。
著眼於副像素電極PB之沿著第1方向X之寬度，突出部PB1之斜邊E21與突出部PB2之斜邊E21之間之沿著第1方向X之寬度W2大於主像素電極PA之寬度W1。突出部PB1之上底E24與突出部PB2之上底E24之間之沿著第1方向X之寬度W3大於寬度W2，成為最大寬度。突出部PB1之斜邊E22與突出部PB2之斜邊E22之間之沿著第1方向X之寬度W4大於主像素電極PA之寬度W1，小於寬度W3。即，副像素電極PB在與突出部之上底E24交叉之位置，於第1方向X具有成 為最大寬度之寬度W3。
著眼於副像素電極PB之沿著第2方向Y之寬度，在副像素電極PB之突出部PB1及突出部PB2之各者中，寬度W11之下底E23長於寬度W12之上底E24。在如此之構造例中，亦可獲得與上述之構造例相同之效果。
圖10係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板LPN時之一像素PX之另一構造例之平面圖。
該構造例與圖9所示之構造例比較，在副像素電極PB具有與第1邊緣E1相連之曲線狀之第2邊緣E2之點上不同。該情形時，第1邊緣E1與第2邊緣E2之間之外角θ1對應於第1邊緣E1與第2邊緣E2之切線所成之角度θ1。該所成之角度θ1為鈍角。突出部PB1及突出部PB2各自具備相對第1方向X傾斜之一對之斜邊E21及斜邊E22、與第1邊緣E1位於同一直線上之底邊E23、及短於下底E23之上底E24。直線狀之斜邊E21及斜邊E22均與第2邊緣E2聯結。另，斜邊E21與上底E24之交點、及斜邊E22與上底E24之交點，任一項皆有成為圓之狀況。
在如此之形狀之副像素電極PB中，與參照圖9說明者相同之寬度之關係亦成立。因此，在如此之構造例中，亦可獲得與上述構造例相同之效果。
圖11係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板LPN時之一像素PX之另一構造例之平面圖。
該構造例與圖2所示之構造例比較，在副像素電極PB之突出部PB1及突出部PB2各自為半圓形狀或半橢圓形狀之 點上不同。該情形時，主像素電極PA之第1邊緣E1、和與其之副像素電極PB相連之第2邊緣E2所成之角度θ1為鈍角。此處之第2邊緣E2相當於突出部PB1及突出部PB2弧。
在如此之形狀之副像素電極PB中，與參照圖3說明者相同之寬度之關係亦成立。因此，在如此之構造例中，亦可獲得與上述構造例相同之效果。
圖12係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板LPN時之一像素PX之另一構造例之平面圖。
該構造例與圖11所示之構造例比較，在副像素電極PB具有與第1邊緣E1相連之曲線狀之第2邊緣E2之點上不同。該情形時，第1邊緣E1與第2邊緣E2之間之外角θ1對應於第1邊緣E1與第2邊緣E2之切線所成之角度θ1。該所成之角度θ1為鈍角。
在如此之形狀之副像素電極PB中，與參照圖3說明者相同之寬度之關係亦成立。因此，在如此之構造例中，亦可獲得與上述構造例相同之效果。
在上述之圖2、圖8至圖12之各構造例中，已說明直線狀之第1邊緣E1、與直線狀或曲線狀之第2邊緣E2之組合例，第1邊緣E1及第2邊緣E2在蝕刻等之像素電極形成過程中，有描繪和緩之曲線之情形。又，第1邊緣E1與第2邊緣E2之交點等、形成副像素電極PB之各邊之交點亦有變圓之情形。第1邊緣E1及第2邊緣E2均為曲線之情形，第1邊緣E1之切線與第2邊緣E2之切線所成之角度之中，位於像素電 極PE之外側之位置之角度為鈍角，位於像素電極PE之內側之位置之角度為銳角。若以如此之方式配置第1邊緣E1與第2邊緣E2，則可抑制在陣列基板AR所具備之像素電極PE之主像素電極PA和與其之副像素電極PB相連之交點附近產生暗部，從而可抑制穿透率下降。
圖13係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板時之一像素之構造例之平面圖。
該構造例與圖2所示之構造例比較，在對向基板CT除了主共用電極CA之外亦具備構成共用電極CE之副共用電極CB之點上不同。該副共用電極CB與主共用電極CA一體性或連續性地形成，且沿第1方向X延伸。如此之副共用電極CB與閘極配線G之各者對向。在圖示之例中，副共用電極CB於第2方向Y隔以間隔而2根平行地並列，且具備配置於像素PX之上側端部之副共用電極CBU、及配置於像素PX之下側端部之副共用電極CBB。副共用電極CBU與閘極配線G1對向，跨該像素PX與鄰接於其上側之像素之邊界而配置。又，副共用電極CBB與閘極配線G2對向，跨該像素PX與鄰接於其下側之像素之邊界而配置。該等副共用電極CBU及副共用電極CBB與主共用電極CA聯結，在對向基板CT中構成格柵狀之共用電極CE。又，副共用電極CBU及副共用電極CBB與主共用電極CA同樣由第2配向膜AL2覆蓋。在如此之構造例中，亦可獲得與上述構造例相同之效果。
圖14係概略顯示自對向基板側觀察陣列基板AR時之另 一構造例之平面圖。
該構造例與圖2所示之構造例比較，在陣列基板AR具備第1屏蔽電極SE1之點上不同。該第1屏蔽電極SE1與主共用電極CA電性連接，且與主共用電極CA為同電位。又，第1屏蔽電極SE1沿第1方向X延伸，與閘極配線G之各者對向。在圖示之例中，第1屏蔽電極SE1於第2方向Y隔以間隔而2根平行地並列。如此之第1屏蔽電極SE1與像素電極PE形成於同一層中，且可與像素電極PE利用同一材料形成。即，在圖4所示之例中，像素電極PE形成於第2層間絕緣膜12之上之情形，第1屏蔽電極SE1形成於第2層間絕緣膜12之上，且由第1配向膜AL1覆蓋。另，該第1屏蔽電極SE1自像素電極PE離開。
在如此之構造例中，可獲得與上述構造例相同之效果。再者，藉由設置第1屏蔽電極SE1，可屏蔽來自閘極配線G之不期望之電場。因此，可更加抑制顯示品質之劣化。
圖15係概略顯示自對向基板側觀察陣列基板AR時之另一構造例之平面圖。
該構造例與圖14所示之構造例比較，在陣列基板AR除了第1屏蔽電極SE1之外亦具備第2屏蔽電極SE2之點上不同。該第2屏蔽電極SE2與第1屏蔽電極SE1聯結，且與主共用電極CA為同電位。又，第2屏蔽電極SE2沿第2方向Y延伸，與源極配線S之各者對向。在圖示之例中，第2屏蔽電極SE2於第1方向X隔以間隔而2根平行地並列。如此之第2屏蔽電極SE2與像素電極PE形成於同一層中，且可與 像素電極PE利用同一材料形成。即，第2屏蔽電極SE2形成於第2層間絕緣膜12之上，且由第1配向膜AL1覆蓋。另，該第2屏蔽電極SE2自像素電極PE離開。即，副像素電極PB雖接近於第2屏蔽電極SE2，但自第2屏蔽電極SE2離開。
在如此之構造例中，可獲得與上述構造例相同之效果。再者，藉由設置第2屏蔽電極SE2，可屏蔽來自源極配線S之不期望之電場。因此，可更加抑制顯示品質之劣化。
另，上述之圖13至圖15中圖示之副像素電極PB雖與圖10所示之構造例為同一形狀，但可與圖2、圖8、圖9、圖11、及圖12所示之構造例為同一形狀。
圖16係概略顯示自對向基板側觀察陣列基板AR時之另一構造例之平面圖。
該構造例與圖2所示之構造例比較，在像素電極PE形成為T字狀之點上不同。主像素電極PA自閘極配線G1側之一端部跨閘極配線G2側之另一端部，沿第2方向Y直線狀地形成。副像素電極PB與輔助電容線C1對向，在主像素電極PA之沿著第2方向Y之一端部交叉。如此之副像素電極PB具備自與主像素電極PA之交叉部向源極配線S1突出之突出部PB1及向源極配線S2突出之突出部PB2。該等突出部PB1及突出部PB2為同一形狀。如此之副像素電極PB具有與第1邊緣E1相連之第2邊緣E2。
在如此之形狀之像素電極PE中，在主像素電極PA與副像素電極PB中，於兩部位形成外角θ1。此處之外角θ1相當 於第1邊緣E1與第2邊緣E2所成之角度。形成於兩部位之外角θ1均為大於90°之鈍角，又，均為大致等同之角度。
副像素電極PB之沿著第1方向X之寬度W2大於主像素電極PA之寬度W1。又，副像素電極PB在沿著第2方向Y之中央部於第1方向X具有成為最大寬度之寬度W3。副像素電極PB之突出部PB1在主像素電極PA側之位置具有寬度W11，在源極配線S1側之位置或主共用電極CAL側之位置具有小於寬度W11之寬度W12。同樣，副像素電極PB之突出部PB2在主像素電極PA側之位置具有寬度W11，在源極配線S2側之位置或主共用電極CAR側之位置具有小於寬度W11之寬度W12。
在如此之構造例中，形成於一像素中之晶疇之數相較於圖2等所示之構造例較少，可抑制暗部之產生，從而獲得與上述之構造例相同之效果。
另，圖14至圖16所示之構造例之陣列基板AR可與具備圖2所示之主共用電極CA之對向基板CT組合，可與具備圖13所示之主共用電極CA及副共用電極CB之對向基板CT組合。
如以上說明般，根據本實施形態，可提供顯示品質良好之液晶顯示裝置。
雖然已描述特定實施例，但是此等實施例僅係經由實例而提出，且並非意欲限制本發明之範疇。實際上，本文中描述的新穎實施例可以多種其他形式體現；此外，在不脫離本發明之精神下，可在本文中描述之實施例的形式上作 出多種省略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其之等效物意欲涵蓋此等形式或修改，如同此等形式或修改落在本發明之範疇及精神內一般。
2‧‧‧驅動IC晶片
4‧‧‧背光源
10‧‧‧第1絕緣基板
10B‧‧‧外表面
11‧‧‧第1層間絕緣膜
12‧‧‧第2層間絕緣膜
20‧‧‧第2絕緣基板
20A‧‧‧內表面
20B‧‧‧外表面
ACT‧‧‧主動區域
AL1‧‧‧第1配向膜
AL2‧‧‧第2配向膜
AP‧‧‧開口部
AR‧‧‧陣列基板
AX1‧‧‧第1偏光軸
AX2‧‧‧第2偏光軸
BM‧‧‧黑色矩陣
C1‧‧‧輔助電容線
C2‧‧‧輔助電容線
C3‧‧‧輔助電容線
CA‧‧‧主共用電極
CAL‧‧‧主共用電極
CAR‧‧‧主共用電極
CB‧‧‧副共用電極
CBB‧‧‧副共用電極
CBU‧‧‧副共用電極
CE‧‧‧共用電極
CF‧‧‧彩色濾光片
CFB‧‧‧藍色彩色濾光片
CFG‧‧‧綠色彩色濾光片
CFR‧‧‧紅色彩色濾光片
CH‧‧‧接觸孔
Cn‧‧‧輔助電容線
CS‧‧‧保持電容
CT‧‧‧對向基板
D‧‧‧斜方向
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
E1‧‧‧第1邊緣
E2‧‧‧第2邊緣
E12‧‧‧交點
E21‧‧‧斜邊
E22‧‧‧斜邊
E23‧‧‧底邊(下底)
E24‧‧‧上底
G1‧‧‧閘極配線
G2‧‧‧閘極配線
G3‧‧‧閘極配線
G4‧‧‧閘極配線
GD‧‧‧閘極驅動器
Gn‧‧‧閘極配線
LM‧‧‧液晶分子
LPN‧‧‧液晶顯示面板
LQ‧‧‧液晶層
O‧‧‧中心線
OC‧‧‧保護層
OD1‧‧‧第1光學元件
OD2‧‧‧第2光學元件
PA‧‧‧主像素電極
PB‧‧‧副像素電極
PB1‧‧‧突出部
PB2‧‧‧突出部
PD1‧‧‧第1配向處理方向
PD2‧‧‧第2配向處理方向
PE‧‧‧像素電極
PL1‧‧‧第1偏光板
PL2‧‧‧第2偏光板
PX‧‧‧像素
S‧‧‧源極配線
S1‧‧‧源極配線
S2‧‧‧源極配線
S3‧‧‧源極配線
S4‧‧‧源極配線
SB‧‧‧密封材料
SD‧‧‧源極驅動器
SE1‧‧‧第1屏蔽電極
SE2‧‧‧第2屏蔽電極
Sm‧‧‧源極配線
SW‧‧‧開關元件
T1‧‧‧頂點
T2‧‧‧頂點
VCS‧‧‧電壓施加部
VS‧‧‧給電部
W1‧‧‧寬度1
W2‧‧‧寬度2
W3‧‧‧寬度3
W4‧‧‧寬度4
W11‧‧‧寬度11
W12‧‧‧寬度12
X‧‧‧第1方向
Y‧‧‧第2方向
θ‧‧‧外角
θ1‧‧‧外角1
θ2‧‧‧外角2
圖1係概略顯示本實施形態之液晶顯示裝置之構成及等價電路之圖。
圖2係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板時之一像素之構造例之平面圖。
圖3係放大圖2所示之副像素電極及其周邊之X-Y平面之平面圖。
圖4係概略顯示以A-A線切斷圖2所示之液晶顯示面板時之剖面構造之剖面圖。
圖5係用以說明形成於圖2所示之液晶顯示面板中之像素電極與共用電極之間之電場、及基於該電場之液晶分子之指向向量與穿透率之關係之圖。
圖6係用以說明形成於本實施形態之液晶顯示面板中之像素電極與共用電極之間之電場及穿透率之關係之圖。
圖7係用以說明形成於比較例之液晶顯示面板中之像素電極與共用電極之間之電場及穿透率之關係之圖。
圖8係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板時之一像素之另一構造例之平面圖。
圖9係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板時之一像素之另一構造例之平面圖。
圖10係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示 面板時之一像素之另一構造例之平面圖。
圖11係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板時之一像素之另一構造例之平面圖。
圖12係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板時之一像素之另一構造例之平面圖。
圖13係概略顯示自對向基板側觀察圖1所示之液晶顯示面板時之一像素之另一構造例之平面圖。
圖14係概略顯示自對向基板側觀察陣列基板時之另一構造例之平面圖。
圖15係概略顯示自對向基板側觀察陣列基板時之另一構造例之平面圖。
圖16係概略顯示自對向基板側觀察陣列基板時之另一構造例之平面圖。
AL1‧‧‧第1配向膜
AL2‧‧‧第2配向膜
AX1‧‧‧第1偏光軸
AX2‧‧‧第2偏光軸
C1‧‧‧輔助電容線
CA‧‧‧主共用電極
CAL‧‧‧主共用電極
CAR‧‧‧主共用電極
CE‧‧‧共用電極
CH‧‧‧接觸孔
D‧‧‧斜方向
E1‧‧‧第1邊緣
E2‧‧‧第2邊緣
G1‧‧‧閘極配線
G2‧‧‧閘極配線
LPN‧‧‧液晶顯示面板
O‧‧‧中心線
PA‧‧‧主像素電極
PB‧‧‧副像素電極
PB1‧‧‧突出部
PB2‧‧‧突出部
PD1‧‧‧第1配向處理方向
PD2‧‧‧第2配向處理方向
PE‧‧‧像素電極
PL1‧‧‧第1偏光板
PL2‧‧‧第2偏光板
PX‧‧‧像素
S1‧‧‧源極配線
S2‧‧‧源極配線
SW‧‧‧開關元件
X‧‧‧第1方向
Y‧‧‧第2方向
θ‧‧‧外角

Claims (30)

  1. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於包含：第1基板，其包含十字狀之像素電極及第1配向膜；其中該十字狀之像素電極包含：帶狀之主像素電極，其於第1方向具有第1寬度且於交叉於第1方向之第2方向直線性延伸，且具備於第2方向延伸之第1邊緣；及副像素電極，其與上述主像素電極交叉且自上述第1邊緣於第1方向突出；該第1配向膜係覆蓋上述主像素電極及上述副像素電極；第2基板，其包含在包夾上述主像素電極之兩側與上述主像素電極大致平行地延伸之主共用電極、及覆蓋上述主共用電極之第2配向膜；及液晶層，其包含保持於上述第1基板與上述第2基板之間之液晶分子；且上述副像素電極於第1方向具有較第1寬度更大之第2寬度，且在其中央部於第1方向具有成為最大寬度之第3寬度，且，自上述第1邊緣於第1方向在隔著第1距離之位置於第2方向具有第4寬度，且自上述第1邊緣於第1方向隔著較第1距離更遠離之第2距離之位置具有較第4寬度小之第5寬度。
  2. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述副像素電極在上述主像素電極之第2方向之中間部交叉，且具備包夾上述主像素電極而於兩側分別突出之突出部。
  3. 如請求項2之液晶顯示裝置，其中上述主像素電極與上 述副像素電極之四個外角之和大於360度。
  4. 如請求項3之液晶顯示裝置，其中位於上述主像素電極之兩側之位置之上述突出部為同一形狀。
  5. 如請求項3之液晶顯示裝置，其中上述突出部為具備相對於第1方向傾斜之第1斜邊及第2斜邊、與上述第1邊緣位於同一直線上之下底、及短於上述下底之上底之梯形形狀。
  6. 如請求項5之液晶顯示裝置，其中上述副像素電極在與上述突出部之上述上底交叉之位置具有上述第3寬度。
  7. 如請求項5之液晶顯示裝置，其中上述第1斜邊之長度等於上述第2斜邊之長度，上述第1斜邊相對於上述第2斜邊為非平行。
  8. 如請求項3之液晶顯示裝置，其中上述突出部為具備相對於第1方向傾斜之一對斜邊、及與上述第1邊緣位於同一直線上之底邊之三角形狀。
  9. 如請求項3之液晶顯示裝置，其中上述突出部為半圓形狀或半橢圓形狀。
  10. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述副像素電極具備與上述第1邊緣相連之第2邊緣，且上述第1邊緣與上述第2邊緣之間之外角為鈍角。
  11. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述第1基板進而包含於第1方向分別延伸之閘極配線及輔助電容線、及與上述主共用電極同電位且與於第1方向延伸之上述閘極配線對向並由上述第1配向膜覆蓋之第1屏蔽電極。
  12. 如請求項11之液晶顯示裝置，其中上述第1基板進而包含於第2方向延伸之源極配線、與上述閘極配線及上述源極配線電性連接之開關元件、及與上述主共用電極同電位且與於第2方向延伸之上述源極配線對向並由上述第1配向膜覆蓋之第2屏蔽電極。
  13. 如請求項12之液晶顯示裝置，其中上述副像素電極與上述輔助電容線對向，且與上述開關元件電性連接。
  14. 如請求項13之液晶顯示裝置，其中上述第2基板進而包含與上述主共用電極相連、於第1方向延伸且由上述第2配向膜覆蓋之副共用電極。
  15. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中未於上述主像素電極與上述主共用電極之間形成電場之狀態下之上述液晶分子之初始配向方向係與上述主像素電極之延伸方向大致平行，且在上述第1基板與上述第2基板之間進行斜展配向或水平配向。
  16. 如請求項15之液晶顯示裝置，其中進而包含配置於上述第1基板之外表面且具備第1偏光軸之第1偏光板、及配置於第2基板之外表面且具備與第1偏光軸處於正交偏光之位置關係之第2偏光軸之第2偏光板，且上述第1偏光板之第1偏光軸與上述液晶分子之初始配向方向正交或平行。
  17. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於包含：第1基板，其包含第1配線及第2配線以及十字狀之像素電極；其中該等第1配線及第2配線係沿第1方向隔以 間隔而鄰接，且於交叉於第1方向之第2方向延伸；該十字狀之像素電極包含：帶狀之主像素電極，其位於上述第1配線與上述第2配線之間之位置，於第1方向具有第1寬度，於第2方向直線性延伸；及副像素電極，其在上述主像素電極之第2方向之中間部交叉，且具備向上述第1配線及上述第2配線分別突出之突出部；第2基板，其包含與上述第1配線及上述第2配線分別對向且與上述主像素電極大致平行地延伸之主共用電極；及液晶層，其包含保持於上述第1基板與上述第2基板之間之液晶分子；且上述副像素電極於第1方向具有較第1寬度更大之第2寬度，且在其中央部於第1方向具有成為最大寬度之第3寬度，且，在上述主像素電極側於第2方向具有第4寬度，在上述第1配線側及上述第2配線側分別於第2方向具有較第4寬度小之第5寬度。
  18. 如請求項17之液晶顯示裝置，其中上述主像素電極與上述副像素電極之四個外角之和大於360度。
  19. 如請求項18之液晶顯示裝置，其中位於上述主像素電極之兩側之位置之上述突出部為同一形狀。
  20. 如請求項17之液晶顯示裝置，其中上述主像素電極具備於第2方向直線性延伸之第1邊緣；上述副像素電極具備與上述第1邊緣相連之第2邊緣； 上述第1邊緣與上述第2邊緣之間之外角為鈍角。
  21. 如請求項17之液晶顯示裝置，其中上述第1基板進而包含於第1方向分別延伸之閘極配線及輔助電容線、與上述閘極配線及上述第1配線電性連接之開關元件、與上述主共用電極同電位且與於第1方向延伸之上述閘極配線對向之第1屏蔽電極、及與上述主共用電極同電位且與於第2方向延伸之上述第1配線對向之第2屏蔽電極。
  22. 如請求項21之液晶顯示裝置，其中上述第2基板進而包含與上述主共用電極相連且於第1方向延伸之副共用電極。
  23. 如請求項22之液晶顯示裝置，其中進而包含配置於上述第1基板之外表面且具備第1偏光軸之第1偏光板、及配置於第2基板之外表面且具備與第1偏光軸處於正交偏光之位置關係之第2偏光軸之第2偏光板，且未於上述主像素電極與上述主共用電極之間形成電場之狀態下之上述液晶分子之初始配向方向係與上述主像素電極之延伸方向大致平行，且在上述第1基板與上述第2基板之間進行斜展配向或水平配向，而與上述第1偏光軸正交或平行。
  24. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於包含：第1基板，其包含第1配線及第2配線以及十字狀之像素電極；其中該等第1配線及第2配線係沿第1方向隔以間隔而鄰接，且於交叉於第1方向之第2方向延伸；該十字狀之像素電極包含：帶狀之主像素電極，其位於上述 第1配線與上述第2配線之間之位置，且具備於第2方向直線性延伸之第1邊緣；及副像素電極，其具備於與上述第1邊緣不同之方向延伸且與上述第1邊緣相連之第2邊緣；第2基板，其包含與上述第1配線及上述第2配線分別對向且與上述主像素電極大致平行地延伸之主共用電極；及液晶層，其包含保持於上述第1基板與上述第2基板之間之液晶分子；且上述第1邊緣與上述第2邊緣之間之外角為鈍角。
  25. 如請求項24之液晶顯示裝置，其中上述外角係上述第1邊緣與直線狀之上述第2邊緣所成之角度。
  26. 如請求項24之液晶顯示裝置，其中上述外角係上述第1邊緣與曲線狀之上述第2邊緣之切線所成之角度。
  27. 如請求項24之液晶顯示裝置，其中上述主像素電極與上述副像素電極之四個外角之和大於360度。
  28. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於包含：第1基板，其包含：閘極配線，其沿第1方向延伸；第1源極配線及第2源極配線，該等沿第1方向隔以間隔而鄰接，且於交叉於第1方向之第2方向延伸；開關元件，其與上述閘極配線及上述第1源極配線電性連接；帶狀之主像素電極，其位於上述第1源極配線與上述第2源極配線之間之位置，於第1方向具有第1寬度，於第2方向直線性延伸；及副像素電極，其係與上述開關元件電性 連接，並在上述主像素電極之接近上述閘極配線之一端部交叉，且具備向上述第1源極配線及上述第2源極配線分別突出之突出部；第2基板，其包含與上述第1源極配線及上述第2源極配線分別對向且與上述主像素電極大致平行地延伸之主共用電極；及液晶層，其包含保持於上述第1基板與上述第2基板之間之液晶分子；且上述副像素電極於第1方向具有較第1寬度更大之第2寬度，且在其中央部於第1方向具有成為最大寬度之第3寬度，且，在上述主像素電極側於第2方向具有第4寬度，在上述第1源極配線側及上述第2源極配線側分別於第2方向具有較第4寬度小之第5寬度。
  29. 如請求項28之液晶顯示裝置，其中位於上述主像素電極之兩側之位置之上述突出部為同一形狀。
  30. 如請求項29之液晶顯示裝置，其中上述主像素電極具備於第2方向直線性延伸之第1邊緣；上述副像素電極具備與上述第1邊緣相連之第2邊緣；上述第1邊緣與上述第2邊緣之間之外角為鈍角。
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