JP3922883B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

技術分野
本発明は液晶表示装置に係り、特に、横電界方式を用いた液晶表示装置に関する。
背景技術
液晶表示装置は薄い、軽量という特徴からノートパソコンに代表される携帯機器の表示装置として広く普及している。特に薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ）に代表される能動素子を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ブラウン管に匹敵する高画質という点から、最近では、デスクトップパソコンのモニターおよびＯＡ機器等の表示端末として広く普及し始めている。
しかしながら、液晶表示装置には、視野角が狭いという特有の欠点が存在する。
これを抜本的に解決する手段として提案されているのが、インプレーンスイッチングモード（ＩＰＳ）と呼ばれる表示モードである。
このインプレーンスイッチングモードに関しては、例えば、「Ｒ．Ｋｉｅｆｅｒ，Ｂ．Ｗｅｂｅｒ，Ｆ．Ｗｉｎｄｃｈｅｉｄ ａｎｄ Ｇ．Ｂａｕｒ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｔｗｅｌｆｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ’９２）ｐｐ．５４７−５５０」に開示されている。
また、この他に、「ＳＩＤ ９７ ＤＩＧＥＳＴ ｐ１８４_〜１８７」、特開平１０−６２７８８号公報、特開平１０−６２８０２号公報等にも記載されている。
上述の文献から明らかなように、上記インプレーンスイッチングモードを利用する液晶表示装置は、一方の透明基板の液晶側の面の各画素領域に少なくとも一対（必ずしも整数というわけではなく、たとえば３本の電極で１．５対でもよい）の電極が形成され、これらの電極の間に該透明基板面と水平方向に発生する電界によって該電極の間を透過する光の量を制御する構成となっている。
しかしながら、このように構成された液晶表示装置は、その各画素において、各電極に印加する電圧（電圧差）に対する光透過率（輝度と同等）の特性を調べてみると、中間調領域（輝度０〜２０％）で急俊に変化することが認められることが確認されるに到った。
このことは、電極間の電圧のわずかな変化によっても光透過量が大きく変化し、中間調領域の場合においてそれが極めて容易に人間の目で判別しやすいことを意味する。
このため、中間調領域あたりの前記特性を該中間調領域以外の他の領域の特性と均衡を図ることによって表示品質を向上させることが必要とされるに到った。
また、前記各電極はそれらの間隔を均一にすることによって、所定の光透過率を得ることができるが、それら各電極を形成するときのホトリソグラフィーやエッチングのばらつきで各画素毎における電極の間隔がばらつくことが免れない。
これに対し、電極を形成するときのホトリソグラフィーやエッチングのばらつきを最大限抑えられるように、ホトレジスト材やエッチング液等を改良し対策していたが、液晶表示装置の大画面化に伴いばらつきも大きくなり、この対策では対処できなくなった。
本発明は上記の課題を解決するもので、その目的は、ブラウン管並の広い視野角を有するＩＰＳ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、輝度むらのなく、輝度均一性の高い良好な画質を有するものを提供することにある。
発明の開示
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、液晶を介して対向配置される一対の透明基板と、前記液晶の初期配向方向を規制する手段と、前記透明基板の液晶側の面の各画素領域に互いに離間されて形成された画素電極と対向電極とを備え、
前記画素電極と対向電極との間の電界によって、これら電極間を透過する液晶内の光量を制御する液晶表示装置であって、
前記画素領域中の光透過領域に、前記画素電極と対向電極との間の電界方向と前記初期配向方向とのなす角度が設定された一方の領域に対して、前記角度が異なる電界方向と初期配向方向を有する他の領域が設けられていることを特徴とするものである。
このように構成された液晶表示装置は、画素電極と対向電極との間の電界方向と前記初期配向方向とのなす角度を所定の値に設定することにより、液晶を透過させる光の透過率の向上を図ることができるようになるが、その電圧（画素電極と対向電極との間の）−輝度特性において、特に中間調領域のあたりで、電圧変化に対して光透過（輝度）変化が大きくなる部分（特性カーブが急になる部分）が生じていることが確認される。
このことから、各画素領域中の光透過領域において、画素電極と対向電極との間の電界方向と前記初期配向方向とのなす角度が設定された一方の領域に対して、前記角度が異なる電界方向と前記初期配向方向を有する他の領域を設けることによって、これら各画素領域の電圧−輝度特性のカーブを緩やかにでき、上述したような電圧変化に対して輝度変化が大きくなる部分をなくすことができるようになる。
すなわち、画素電極と対向電極との間に印加される電圧に対して、輝度の変化をほぼ一様にすることができ、表示品質の向上を図ることができるようになる。
また、異なる画素領域において、画素電極と対向電極との間の距離にバラツキが生じていると輝度のバラツキが輝度むらとして容易に認識されやすくなるが、上述のような構成とすることによって、画素電極と対向電極との間のバラツキに対して、輝度の変化を鈍くすることができるようになる。
このため、画素電極と対向電極との間の距離のバラツキが生じていたとしても、表示面における輝度むらを大幅に低減でき、表示の品質を向上させることができるようになる。
そして、この場合、他方の領域を一方の領域の存在を前提として設けることによって、画素電極と対向電極との間に印加する所望電圧の上昇をほぼ抑制させた状態で、画素領域の電圧−輝度特性のカーブを緩やかにすることができる。
このため、画素電極および対向電極に供給する信号を形成する駆動回路系をほとんど変更させることなく、輝度むらの発生を大幅に低減できるようになる。
発明を実施するための最良の形態
本発明、本発明の更に他の目的及び本発明の更に他の特徴は図面を参照した以下の説明から明らかとなるであろう。また、本発明の主な目的は、電極の形状を工夫し、電極の寸法ばらつきに対する輝度変化を抑制することであり、すなわち、
電圧−輝度特性の傾きを、最大駆動電圧Ｖｍａｘを上げることなく、緩やかにすることである。
（実施例１）
《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
以下、アクティブ・マトリクス方式のカラー液晶表示装置に本発明を適用した実施例を説明する。なお、以下説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
《マトリクス部（画素部）の平面構成》
第１図は本発明のアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
第１図に示すように、各画素は走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬと、対向電圧信号線（対向電極配線）ＣＬと、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを含む。走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは図では左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されている。画素電極ＰＸはソース電極ＳＤ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に接続され、対向電極ＣＴも対向電圧信号線ＣＬと電気的に接続されている。ここで、走査信号線ＧＬは各画素の薄膜トランジスタ素子に走査信号を伝搬するためのものであり、映像信号線ＤＬは、各画素の画素電極ＰＸに薄膜トランジスタ素子を介して映像信号電圧を供給するためのものであり、対向電圧信号線ＣＬは各画素の対向電極ＣＴに対向電圧を供給するためのものである。
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間で発生させられる基板面に略平行な電界により液晶組成物ＬＣの光学的な状態を制御し、表示を制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成され、それぞれ、図の上下方向に長細い電極となっている。
本実施例では、１画素内の対向電極ＣＴは３本、画素電極ＰＸの本数は２本とした。但し、これに限らず、１画素内の対向電極ＣＴの本数Ｏ（櫛歯の本数）、画素電極ＰＸの本数（櫛歯の本数）Ｐは、Ｏ＝Ｐ＋１の関係を持つように構成すれば良い。
ここで、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間を２つの領域に分割する（第１図のＡ，Ｂ）。第１図Ａ領域は、本実施例の画素の主な光学スイッチング領域であり、第１図Ｂ領域は、電極寸法バラツキに対する輝度変動を緩慢にするための補助的な光学スイッチング領域である。本実施例では、Ａ領域とＢ領域の面積比率（Ａ領域：Ｂ領域）を約１：０．１５とした。本実施例では、Ａ領域の電極間隔Ｌ１は４分割された各領域で約１０μｍとした（領域毎に±２μｍ程度の誤差は生じる）。また、Ｂ領域の電極間隔Ｌ２は４分割された各領域で約５μｍとした（領域毎に±２μｍ程度の誤差は生じる）。さらに、Ｂ領域は電界印加方向ＥＤＲを、水平方向（走査線の延在方向）と平行な方向から約１５°傾く様に電極形状を構成した。これにより、後述の初期配向方向ＲＤＲと電界方向ＥＤＲのなす角φＬＣは、約６０°となる。一方、Ａ領域では、電界印加方向ＥＤＲは水平方向と平行であるので、後述の初期配向方向ＲＤＲと電界方向ＥＤＲのなす角φＬＣは、約７５°となる。すなわち、本実施例では、Ａ領域とＢ領域の電界印加方向ＥＤＲを約１５°変え、後述の初期配向方向ＲＤＲと電界方向ＥＤＲのなす角φＬＣを約１５°変えている。
ここで、上述した実施例では、Ａ領域での電極間隔Ｌ１に対してＢ領域での電極間隔Ｌ２を狭く（この値は一定である必要はなく、変化するものであってもよい）しているものであるが、必ずしもこのような構成としなくても、Ｌ１＝Ｌ２の関係にあっても本発明の目的を達成することができる。
Ａ領域における画素電極ＰＸと対向電極ＣＴがＢ領域へ延在する個所でその延在方向を変化させる構成のみにすることによって、各領域の電界方向が異なり、ひいては、各領域における電界方向と前記初期配向方向とのなす角度をそれぞれ異ならしめることができるからである。
このような領域Ｂを設けることによって、各画素領域の全体としての電圧−輝度特性のカーブを緩やかにすることができ、画素電極と対向電極との間の距離のバラツキに起因する電圧変化に対して輝度変化が大きくなることがなくなる。
すなわち、第２２図の模式グラフに示すように、Ａ領域の特性を示すグラフとＢ領域の特性を示すグラフがある。この場合、Ａ領域の特性は、本発明を適用しない場合の特性であり、その一部において、電圧変化に対して輝度変化の急な個所が存在することが明らかになる。
しかし、Ｂ領域を設け、その部分の特性を図示のように設定することにより、画素全体の特性はＡ領域の特性とＢ領域の特性とを合成した特性となり、その特性は、電圧変化に対して輝度変化が緩やかにすることができる。
このため、各画素領域における画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の距離のバラツキが生じていたとしても、表示面における輝度むらを大幅に低減でき、表示の品質を向上させることができるようになる。
そして、この実施例において、特に、Ｂ領域においてＡ領域よりも画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの距離を小さくしているのは次の理由からである。
すなわち、Ｂ領域における電界方向を変化させることは、その領域における新たな電圧−輝度特性を形成することを意味するが、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の距離を変化させることによって、電圧−輝度特性をその電圧方向（第２２図の矢印Ｑ方向）に微妙にシフトさせることができ、該画素領域において所定の電圧−輝度特性を得る場合に極めてその制御がしやすくなるからである。
また、上述した実施例では、Ａ領域とＢ領域の面積比率を約１：０．１５としたものであるが、必ずしもこれに限定されることはない。Ｂ領域を設ける趣旨は、画素領域において、Ａ領域のみの場合と比較して、その電圧−輝度特性を緩やかにするためであり、これが満足できればよいからである。
しかし、この実施例においては、後述するように、Ｂ領域の面積は、Ａ領域の面積の０．０５倍から０．３倍の範囲内にあることが好適であることが確かめられている。
この理由は、輝度むらは中間調領域（輝度０〜２０％）において最も大きいことが判明し、そのあたりの寸法バラツキに対する感度を鈍くするには、上述した面積比で充分であることが確認されているからである。
また、上述した実施例では、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴのそれぞれを、Ａ領域からＢ領域にかけてそれらの延在方向を変化させることによって、各領域において電界方向を異ならしめたものである。
しかし、これに限定されることなく、たとえば、第２３図に示すように、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴのうちその一方の電極のみ（図では画素電極ＰＸ）をパターン変更させるようにしてもよいことはもちろんである。
この場合においても、同図の矢印Ｐに示すように、Ａ領域に対してＢ領域における電界方向を異ならしめることができるようになるからである。
同様の趣旨から、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの双方においてパターン変更してもよいことはいうまでもない。
また、第２３図では、第１図と比較して、画素領域におけるＢ領域の場所が異なっている。Ｂ領域の場所は特に限定される必要はなく、また、１ヶ所に限定されることはなく、分散されて形成されていても同様の効果を奏するようになる。
尚、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度か異なるため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映像信号駆動回路（信号側ドライバ）の耐圧で設定される信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるようにするためである。
《マトリクス部（画素部）の断面構成》
第２図は第１図の６−６切断線における断面を示す図、第３図は第１図の７−７切断線における薄膜トランジスタＴＦＴの断面図、第４図は第１図の８−８切断線における蓄積容量Ｃｓｔｇの断面を示す図である。第２図〜第４図に示すように、液晶組成物層ＬＣを基準にして下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇおよび電極群が形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されている。
また、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれの内側（液晶ＬＣ側）の表面には、液晶の初期配向を制御する配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２が設けられており、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれの外側の表面には、偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２が設けられている。
《ＴＦＴ基板》
まず、下側透明ガラス基板ＳＵＢ１側（ＴＦＴ基板）の構成を詳しく説明する。
《薄膜トランジスタＴＦＴ》
薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極ＧＴに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は大きくなるように動作する。
薄膜トランジスタＴＦＴは、第３図に示すように、ゲート電極ＧＴ、絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ、導電型決定不純物がドープされていない）非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。なお、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現する。
《ゲート電極ＧＴ》
ゲート電極ＧＴは走査信号線ＧＬと連続して形成されており、走査信号線ＧＬの一部の領域がゲート電極ＧＴとなるように構成されている。ゲート電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴの能動領域を超える部分である。本例では、ゲート電極ＧＴは、単層の導電膜ｇ３で形成されている。導電膜ｇ３としては例えばスパッタで形成されたクロムーモリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜が用いられるがそれに限ったものではない。また、異種の金属を２層形成しても良い。
《走査信号線ＧＬ》
走査信号線ＧＬは導電膜ｇ３で構成されている。この走査信号線ＧＬの導電膜ｇ３はゲート電極ＧＴの導電膜ｇ３と同一製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。この走査信号線ＧＬにより、外部回路からゲート電圧（走査電圧）Ｖｇをゲート電極ＧＴに供給する。本例では、導電膜ｇ３としては例えばスパッタで形成されたクロムーモリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜が用いられる。また、走査信号線ＧＬおよびはゲート電極ＧＴは、クロムーモリブデン合金のみに限られたものではなく、たとえば、低抵抗化のためにアルミニウムまたはアルミニウム合金をクロムーモリブデンで包み込んだ２層構造としてもよい。さらに、映像信号線ＤＬと交差する部分は映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするため細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切り離すことができるように二股にしても良い。
《対向電圧信号線ＣＬ》
対向電圧信号線ＣＬは導電膜ｇ３で構成されている。この対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ３はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬおよび対向電極ＣＴの導電膜ｇ３と同一製造工程で形成され、かつ対向電極ＣＴと一体形成されている。この対向電圧信号線ＣＬにより、外部回路から対向電圧Ｖｃｏｍを対向電極ＣＴに供給する。また、対向電圧信号線ＣＬは、クロムーモリブデン合金のみに限られたものではなく、たとえば、低抵抗化のためにアルミニウムまたはアルミニウム合金をクロムーモリブデンで包み込んだ２層構造としてもよい。さらに、映像信号線ＤＬと交差する部分は映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするため細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切り離すことができるように二股にしても良い。
《絶縁膜ＧＩ》
絶縁膜ＧＩは、薄膜トランジスタＴＦＴにおいて、ゲート電極ＧＴと共に半導体層ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用される。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走査信号線ＧＬの上層に形成されている。絶縁膜ＧＩとしては例えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜が選ばれ、２０００〜４５００Åの厚さに（本実施例では、３５００Å程度）形成される。また、絶縁膜ＧＩは走査信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬの層間絶縁膜としても働き、それらの電気的絶縁にも寄与している。
《ｉ型半導体層ＡＳ》
ｉ型半導体層ＡＳは、非晶質シリコンで、１５０〜２５００Åの厚さに（本実施例では、１２００Å程度の膜厚）で形成される。層ｄ０はオーミックコンタクト用のリン（Ｐ）をドープしたＮ（＋）型非晶質シリコン半導体層であり、下側にｉ型半導体層ＡＳが存在し、上側に導電層ｄ３が存在するところのみに残されている。
ｉ型半導体層ＡＳおよび層ｄ０は、走査信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの交差部（クロスオーバ部）の両者間にも設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差部における走査信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの短絡を低減する。
《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２》
ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれは、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０に接触する導電膜ｄ３から構成されている。
導電膜ｄ３はスパッタで形成したクロム−モリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜を用い、５００〜３０００Åの厚さに（本実施例では、２５００Å程度）で形成される。Ｃｒ−Ｍｏ膜は低応力であるので、比較的膜厚を厚く形成することができ配線の低抵抗化に寄与する。また、Ｃｒ−Ｍｏ膜はＮ（＋）型半導体層ｄ０との接着性も良好である。導電膜ｄ３として、Ｃｒ−Ｍｏ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ_２、ＴｉＳｉ_２、ＴａＳｉ_２、ＷＳｉ_２）膜を用いてもよく、また、アルミニウム等との積層構造にしてもよい。
《映像信号線ＤＬ》
映像信号線ＤＬはソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の導電膜ｄ３で構成されている。また、映像信号線ＤＬはドレイン電極ＳＤ２と一体に形成されている。本例では、導電膜ｄ３はスパッタで形成したクロムーモリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜を用い、５００〜３０００Åの厚さに（本実施例では、２５００Å程度）で形成される。Ｃｒ−Ｍｏ膜は低応力であるので、比較的膜厚を厚く形成することができ配線の低抵抗化に寄与する。また、Ｃｒ−Ｍｏ膜はＮ（＋）型半導体層ｄ０との接着性も良好である。導電膜ｄ３として、Ｃｒ−Ｍｏ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ_２、ＴｉＳｉ_２、ＴａＳｉ_２、ＷＳｉ_２）膜を用いてもよく、また、アルミニウム等との積層構造にしてもよい。
《蓄積容量Ｃｓｔｇ》
導電膜ｄ３は、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１部分において、対向電圧信号線ＣＬと重なるように形成されている。この重ね合わせは、第５図からも明らかなように、ソース電極ＳＤ１（ｄ３）を一方の電極とし、対向電圧信号ＣＬを他方の電極とする蓄積容量（静電容量素子）Ｃｓｔｇを構成する。この蓄積容量Ｃｓｔｇの誘電体膜は、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用される絶縁膜ＧＩで構成されている。
第１図に示すように平面的には蓄積容量Ｃｓｔｇは対向電圧信号線ＣＬの一部分に形成されている。
《保護膜ＰＳＶ１》
薄膜トランジスタＴＦＴ上には保護膜ＰＳＶ１が設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジスタＴＦＴを湿気等から保護するために形成されており、透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護膜ＰＳＶ１はたとえばプラズマＣＶＤ装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、０．１〜１μｍ程度の膜厚で形成する。
保護膜ＰＳＶ１は、外部接続端子ＤＴＭ、ＧＴＭを露出するよう除去されている。保護膜ＰＳＶ１と絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前者は保護効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コンダクタンスｇｍを薄くされる。
また、保護膜ＰＳＶ１は、ポリイミド等の有機膜を厚く構成したものとの積層構造としても良い。
《画素電極ＰＸ》
画素電極ＰＸは、ソース電極ＳＤ１と一体で形成されている。ここで、前述のようにＡ領域とＢ領域で、電界印加方向ＥＤＲを異ならせるため、電極とくの字型に湾曲させている。
《対向電極ＣＴ》
対向電極ＣＴは対向電極信号線ＣＬと一体で形成されている。ここで、画素電極と同様に、前述のようにＡ領域とＢ領域で、電界印加方向ＥＤＲを異ならせるため、電極をくの字型に湾曲させている。
対向電極ＣＴには対向電圧Ｖｃｏｍが印加されるように構成されている。本実施例では、対向電圧Ｖｃｏｍは映像信号線ＤＬに印加される最小レベルの駆動電圧Ｖｄｍｉｎと最大レベルの駆動電圧Ｖｄｍａｘとの中間直流電位から、薄膜トランジスタ素子ＴＦＴをオフ状態にするときに発生するフィードスルー電圧ΔＶｓ分だけ低い電位に設定されるが、映像信号駆動回路で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場合は、交流電圧を印加すれば良い。
《カラーフィルタ基板》
次に、第１図、第２図に戻り、上側透明ガラス基板ＳＵＢ２側（カラーフィルタ基板）の構成を詳しく説明する。
《遮光膜ＢＭ》
上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側には、第１図に示すＢＭ境界線の様に、不要な間隙部（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間以外の隙間）からの透過光が表示面側に出射して、コントラスト比等を低下させないように遮光膜ＢＭ（いわゆるブラックマトリクス）を形成している。遮光膜ＢＭは、外部光またはバックライト光がｉ型半導体層ＡＳに入射しないようにする役割も果たしている。すなわち、薄膜トランジスタＴＦＴのｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭおよび大き目のゲート電極ＧＴによってサンドイッチにされ、外部の自然光やバックライト光が当たらなくなる。
これにより、各画素領域は、この遮光膜ＢＭによって画される光透過領域を有し、この光透過領域が実質上の画素領域として機能するようになる。
第１図に示す遮光膜ＢＭは、１つの画素についてしか示していないが、すべての画素毎に内側が開口になるように形成されている。また、このパターンは、１例である。櫛歯電極端部等の電界方向が乱れる部分においては、その部分の表示は、画素内の映像情報に１対１で対応し、かつ、黒の場合には黒、白の場合には白になるため、表示の一部として利用することが可能である。
但し、遮光膜ＢＭは光に対する遮蔽性を有しなければならない。特に画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の隙間は、映像信号線方向のクロストーク（縦スミア）を抑制するために、光学濃度３以上が必要である。また、Ｃｒ等の導電性を有する金属で形成してもよいが、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電界に影響を与えないように絶縁性の高い膜で形成したほうが好ましい。本実施例では黒色の有機顔料をレジスト材に混入し、１．２μｍ程度の厚さで形成している。また、光に対する遮蔽性を向上させるためにカーボン、チタン酸化物（Ｔｉ_ｘＯ_ｙ）を、絶縁性が液晶組成物層内の電界に影響を与えない１０^８Ωｃｍ以上を維持できる範囲で、混入させても良い。
また、遮光膜ＢＭは各行の有効表示領域が仕切っているため、各行の画素の輪郭をはっきりとさせる役割も持つ。
第１図の上下方向の境界線において、特に上部分は、画素内の映像情報に１対１で対応し、かつ、黒の場合には黒、白の場合には白になるため、表示の一部として利用することが可能である。また、図の左右方向の境界線は上下基板の合わせ精度によって決まり、合わせ精度が映像信号線ＤＬに隣接する対向電極ＣＴの電極幅よりも良い場合には、対向電極の幅の間に設定すれば、より開口部を拡大することができる。即ち、上下方向の境界線は少なくとも薄膜トランジスタＴＦＴの部分を遮光すれば充分であり、左右方向の境界線は映像信号線の両側の対向電極の幅の間に設定すれば最も開口率を向上できる。
遮光膜ＢＭは周辺部にも額縁状に形成され、そのパターンは第１図に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されている。周辺部の遮光膜ＢＭは、シール部ＳＬの外側に延長され、パソコン等の実装機に起因する反射光等の漏れ光がマトリクス部に入り込むのを防いぐと共に、バックライト等の光が表示エリア外に漏れるのも防いでいる。他方、この遮光膜ＢＭは基板ＳＵＢ２の縁よりも約０．３〜１．０ｍｍ程内側に留められ、基板ＳＵＢ２の切断領域を避けて形成されている。
《カラーフィルタＦＩＬ》
カラーフィルタＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しでストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは遮光膜ＢＭ部分と重なるように形成されている。
カラーフィルタＦＩＬは次のように形成することができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材を除去する。この後、染色基材を赤色顔料で染め、固着処理を施し、赤色フィルタＲを形成する。つぎに、同様な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、青色フィルタＢを順次形成する。なお、染色には染料を用いてもよい。
《オーバーコート膜ＯＣ》
オーバーコート膜ＯＣはカラーフィルタＦＩＬの染料の液晶組成物層ＬＣへの漏洩の防止、および、カラーフィルタＦＩＬ、遮光膜ＢＭによる段差の平坦化のために設けられている。オーバーコート膜ＯＣはたとえばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成されている。また、オーバーコート膜オＣとして、流動性の良いポリイミド等の有機膜を使用しても良い。
《液晶層および偏向板》
次に、液晶層、配向膜、偏光板等について説明する。
《液晶層》
液晶組成物ＬＣとしては、誘電率異方性Δεが正でその値が１３．２、屈折率異方性Δｎが０．０８１（５８９ｎｍ、２０℃）のネマテイック液晶を用いる。液晶組成物層の厚み（ギャップ）は、３．８μｍとし、リタデーションΔｎ・ｄは０．３１μｍとする。このリタデーションΔｎ・ｄの値は、０．２５μｍ以上から０．３５μｍの間、好ましくは、０．２８μｍ以上から０．３２μｍの間に設定し、後述の配向膜と偏光板と組み合わせ、液晶分子が初期配向方向から電界方向に４５°回転したとき最大透過率を得ることができ、可視光の範囲ないで波長依存性がほとんどない透過光を得ることができるようにする。
また、液晶組成物層の厚み（ギャップ）は、垂直配向処理を施したポリマビーズで制御している。これにより、黒表示時のビーズ周辺の液晶分子の配向を安定化し、良好な黒レベルを得、コントラスト比を向上している。
なお、液晶材料ＬＣは、特に限定したものではなく、誘電率異方性Δεは負でも良い。誘電率異方性Δεは、その値が大きいほうが、駆動電圧が低減でき、屈折率異方性Δｎは小さいほうが、液晶層の厚み（ギャップ）を厚くでき、液晶の封入時間が短縮され、かつギャップばらつきを少なくすることができる。
また、液晶組成物の比抵抗としては、１０^９Ωｃｍ以上１０^１４Ωｃｍ以下、好ましくは１０^１１Ωｃｍ以上１０^１３Ωｃｍ以下のものを用いる。本方式では、液晶組成物の抵抗が低くても、画素電極と対向電極間に充電された電圧を十分保持することができ、その下限は１０^９Ωｃｍ、好ましくは１０^１１Ωｃｍである。これは、画素電極と対向電極を、同一基板上に構成していることによる。また、抵抗が高すぎると、製造工程上に入った静電気を緩和しにくいため、１０^１４Ωｃｍ以下、好ましくは１０^１３Ωｃｍ以下が良い。
《配向膜》
配向膜ＯＲＩとしては、ポリイミドを用いる。初期配向方向ＲＤＲは上下基板で互いに平行にする。初期配向方向を付与する方法としては、ラビングが最も一般的であるが、その他に斜方蒸着がある。初期配向方向ＲＤＲと印加電界方向ＥＤＲとの関係は第１８図に示す。
本実施例では、初期配向方向ＲＤＲは、水平方向に対して約７５°とした。これにより、第１図のＡ領域では、初期配向方向ＲＤＲと印加電界方向ＥＤＲのなす角が７５°となり、Ｂ領域では、初期配向方向ＲＤＲと印加電界方向ＥＤＲのなす角が６０°となる。
しかし、画素領域の電圧−輝度特性の最大透過率を得る電圧は低く、かつ相対透過率１０％付近の特性を緩やかにするという本発明の目的からすると、必ずしも上述した値に限定されることはなく、Ａ領域は最大透過率を得る電圧を低くするために電界方向と初期配向方向のなす角度は７０°以上、Ｂ領域は相対透過率１０％付近の特性を緩やかにするために電界方向と初期配向方向のなす角度は３０°を超え７５°未満の範囲内にあれば充分であることが確認されている。
なお、初期配向方向ＲＤＲと印加電界方向ＥＤＲとのなす角度は、液晶材料の誘電率異方性Δεが正であれば、９０°未満、誘電率異方性Δεが負であれば、０°を超えていなければならない。
ここで、この実施例では、第１図に示すように、各画素領域において、領域Ａ内で延在する画素電極ＰＸと対向電極ＣＴを屈曲させることによって領域Ｂを形成したものであるが、このように構成することなく、配向膜ＯＲＩの一部加工によっても同様な効果を得るようにすることができる。
すなわち、透明基板ＳＵＢ１上の画素領域の構成において、第２４図（ａ）に示すように、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴになんらの工夫がされておらず、同図（ｂ）に示すように、該画素領域のＢ領域に相当する部分の配向膜ＯＲＩにおいてその初期配向方向がＡ領域におけるそれと異なるようになっている。
このようにした場合においても、Ａ領域の電界方向と初期配向方向とのなす角度はＢ領域の電界方向と初期配向方向とのなす角度が異なることから、該画素領域の電圧−輝度特性が緩やかになり、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間隔のバラツキによる輝度むらを減少させることができるようになる。
このようなＢ領域における配向膜の形成としては、たとえば次のような方法がある。
まず、ポリイミドの被膜を形成した後に、その全域にＡ領域において設定される初期配向方向にラビングを行う。そして、このようにラビングされた表面にフォトレジスト膜を全面に形成し、周知のフォトリソグラフィ技術によってＢ領域に相当する部分を孔開けする。さらに、このフォトレジスト膜の表面に所定方向（前記初期配向方向と異なる方向）にラビングを行うことにより、孔開けされたフォトレジスト膜から露出している部分（Ｂ領域）の前記ポリイミドにラビングを行う。そして、前記フォトレジスト膜を除去する。
なお、このようにした場合においても、たとえばＢ領域における画素電極ＰＸと対向電極ＣＴのそれぞれの電極幅をＡ領域におけるそれよりも大きくし、これらの電極幅の制御に伴う画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間隔の制御によって、所定の電圧−輝度特性を容易に得るよう構成してもよいことはいうまでもない。
《偏光板》
偏光板ＰＯＬとしては、導電性を有する偏光板を用い、下側の偏光板ＰＯＬ１の偏光透過軸ＭＡＸ１を初期配向方向ＲＤＲと一致させ、上側の偏向板ＰＯＬ２の偏光透過軸ＭＡＸ２を、それに直交させる。第１８図にその関係を示す。これにより、本発明の画素に印加される電圧（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電圧）を増加させるに伴い、透過率が上昇するノーマリクローズ特性を得ることができ、また、電圧無印加時には、良質な黒表示ができる。
なお、本実施例では、偏光板に導電性を持たせることにより、外部からの静電気による表示不良およびＥＭＩ対策を施している。導電性に関しては、静電気による影響を対策するためだけであれば、シート抵抗が１０^８Ω／ロ以下、ＥＭＩに対しても対策するのであれば、１０^４Ω／ロ以下とするのが望ましい。また、ガラス基板の液晶組成物の挟持面の裏面（偏光板を粘着させる面）に導電層を設けてもよい。
《マトリクス周辺の構成》
第５図は上下のガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬのマトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面を示す図である。また、第６図は、左側に走査回路が接続されるべき外部接続端子ＧＴＭ付近の断面を、右側に外部接続端子が無いところのシール部付近の断面を示す図である。
このパネルの製造では、小さいサイズであればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経てからガラスを切断する。第５図、第６図は後者の例を示すもので、第５図、第６図の両図とも上下基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の切断後を表しており、ＬＮは両基板の切断前の縁を示す。いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群Ｔｇ、Ｔｄおよび端子ＣＯＴ（添字略）が存在する（図で上辺と左辺の）部分はそれらを露出するように上側基板ＳＵＢ２の大きさが下側基板ＳＵＢ１よりも内側に制限されている。端子群Ｔｇ，Ｔｄはそれぞれ後述する走査回路接続用端子ＧＴＭ、映像信号回路接続用端子ＤＴＭとそれらの引出配線部を集積回路チップＣＨＩが搭載されたテープキャリアパッケージＴＣＰの単位に複数本まとめて名付けたものである。各群のマトリクス部から外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜している。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチ及び各パッケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネルＰＮＬの端子ＤＴＭ，ＧＴＭを合わせるためである。また、対向電極端子ＣＯＴは、対向電極ＣＴに対向電圧を外部回路から与えるための端子である。マトリクス部の対向電圧信号線ＣＬは、走査回路用端子ＧＴＭの反対側（図では右側）に引き出し、各対向電圧信号線を共通バスラインＣＢで一纏めにして、対向電極端子ＣＯＴに接続している。
透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間にはその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣを．封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シール材は例えばエポキシ樹脂から成る。
配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２の層は、シールパターンＳＬの内側に形成される。偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に構成されている。液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパターンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配向膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜ＰＳＶ１の上部に形成される。
この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキシ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって組み立てられる。
《ゲート端子部》
第７図は表示マトリクスの走査信号線ＧＬからその外部接続端子ＧＴＭまでの接続構造を示す図であり、（Ａ）は平面であり（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示している。なお、同図は第５図下方付近に対応し、斜め配線の部分は便宜状一直線状で表した。
図中Ｃｒ−Ｍｏ層ｇ３は、判り易くするためハッチを施してある。
ゲート端子ＧＴＭはＣｒ−Ｍｏ層ｇ３と、更にその表面を保護し、かつ、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋｅｇｅ）との接続の信頼性を向上させるための透明導電層ｉ１とで構成されている。この透明導電層ｉ１は透明導電膜ＩＴＯを用いている。
平面図において、絶縁膜ＧＩおよび保護膜ＰＳＶ１はその境界線よりも右側に形成されており、左端に位置する端子部ＧＴＭはそれらから露出し外部回路との電気的接触ができるようになっている。図では、ゲート線ＧＬとゲート端子の一つの対のみが示されているが、実際はこのような対が上下に複数本並べられ端子群Ｔｇ（第５図）が構成され、ゲート端子の左端は、製造過程では、基板の切断領域を越えて延長され配線ＳＨｇ（図示せず）によって短絡される。製造過程における配向膜ＯＲＩ１のラビング時等の静電破壊防止に役立つ。
《ドレイン端子ＤＴＭ》
第８図は映像信号線ＤＬからその外部接続端子ＤＴＭまでの接続を示す図であり、（Ａ）はその平面を示し、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は第５図右上付近に対応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端方向が基板ＳＵＢ１の上端部に該当する。
ＴＳＴｄは検査端子でありここには外部回路は接続されないが、プローブ針等を接触できるよう配線部より幅が広げられている。同様に、ドレイン端子ＤＴＭも外部回路との接続ができるよう配線部より幅が広げられている。外部接続ドレイン端子ＤＴＭは上下方向にに配列され、ドレイン端子ＤＴＭは、第５図に示すように端子群Ｔｄ（添字省略）を構成し基板ＳＵＢ１の切断線を越えて更に延長され、製造過程中は静電破壊防止のためその全てが互いに配線ＳＨｄ（図示せず）によって短絡される。検査端子ＴＳＴｄは第８図に示すように一本置きの映像信号線ＤＬに形成される。
ドレイン接続端子ＤＴＭは透明導電層ｉ１で形成されており、保護膜ＰＳＶ１を除去した部分で映像信号線ＤＬと接続されている。この透明導電膜ｉ１はゲート端子ＧＴＭの時と同様に透明導電膜ＩＴＯを用いている。
マトリクス部からドレイン端子部ＤＴＭまでの引出配線は、映像信号線ＤＬと同じレベルの層ｄ３が構成されている。
《対向電極端子ＣＴＭ》
第９図は対向電圧信号線ＣＬからその外部接続端子ＣＴＭまでの接続を示す図であり、（Ａ）はその平面を示し、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は第５図左上付近に対応する。
各対向電圧信号線ＣＬは共通バスラインＣＢ１で一纏めして対向電極端子ＣＴＭに引き出されている。共通バスラインＣＢ１は導電層ｇ３の上に導電層３を積層し，透明導電層ｉ１でそれらを電気的に接続した構造となっている。これは、共通バスラインＣＢの抵抗を低減し、対向電圧が外部回路から各対向電圧信号線ＣＬに十分に供給されるようにするためである。本構造では、特に新たに導電層を負荷することなく、共通バスラインの抵抗を下げられるのが特徴である。
対向電極端子ＣＴＭは、導電層ｇ３の上に透明導電層ｉ１が積層された構造になっている。この透明導電膜ｉ１は他の端子の時と同様に透明導電膜ＩＴＯを用いている。透明導電層ｉ１により、その表面を保護し、電食等を防ぐために耐久性のよい透明導電層ｉ１で、導電層ｇ３を覆っている。また透明導電層ｉ１と導電層ｇ３および導電層ｄ３との接続は保護膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩにうスルーホールを形成し導通を取っている。
一方、第１０図は対向電圧信号線ＣＬのもう一方の端からその外部接続端子ＣＴＭ２までの接続を示す図であり、（Ａ）はその平面を示し、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は第５図右上付近に対応する。ここで、共通バスラインＣＢ２では各対向電圧信号線ＣＬのもう一方の端（ゲート端子ＧＴＭ側）をで一纏めして対向電極端子ＣＴＭ２に引き出されている。共通バスラインＣＢ１と異なる点は、走査信号線ＧＬとは絶縁されるように、導電層ｄ３と透明導電層ｉ１で形成していることである。また、走査信号線ＧＬとの絶縁は絶縁膜ＧＩで行っている。
《表示装置全体等価回路》
表示マトリクス部の等価回路とその周辺回路の結線図を第１１図に示す。同図は回路図ではあるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。ＡＲは複数の画素を二次元状に配列したマトリクス・アレイである。
図中、Ｘは映像信号線ＤＬを意味し、添字Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青および赤画素に対応して付加されている。Ｙは走査信号線ＧＬを意味し、添字１，２，３，…，ｅｎｄは走査タイミングの順序に従って付加されている。
走査信号線Ｙ（添字省略）は垂直走査回路Ｖに接続されており、映像信号線Ｘ（添字省略）は映像信号駆動回路Ｈに接続されている。
ＳＵＰは１つの電圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路である。
《駆動方法》
第１２図に本実施例の液晶表示装置の駆動波形を示す。対向電圧Ｖｃｈは一定電圧とする。走査信号Ｖｇは１走査期間ごとに、オンレベルをとり、その他はオフレベルをとる。映像信号電圧は、液晶層に印加したい電圧の２倍の振幅で正極と負極を１フレーム毎に反転して１つの画素に伝えるように印加する。ここで、映像信号電圧Ｖｄは１列毎に極性を反転し、２行毎にも極性を反転する。これにより、極性が反転した画素が上下左右にとなりあう構成となり、フリッカ、クロストーク（スミア）を発生しにくくすることができる。また、対向電圧Ｖｃは映像信号電圧の極性反転のセンター電圧から、一定量さげた電圧に設定する。これは、薄膜トランジスタ素子がオンからオフに変わるときに発生するフィードスルー電圧を補正するものであり、液晶に直流成分の少ない交流電圧を印加するために行う（液晶は直流が印加されると、残像、劣化等が激しくなるため）。
また、この他に、対向電圧は交流化することで映像信号電圧の最大振幅を低減でき、映像信号駆動回路（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いることも可能である。
《製造方法》
つぎに、上述した液晶表示装置の基板ＳＵＢ１側の製造方法について第１３図〜第１５図を参照して説明する。なお同図において、中央の文字は工程名の略称であり、左側は第３図に示す薄膜トランジスタＴＦＴ部分、右側は第７図に示すゲート端子付近の断面形状でみた加工の流れを示す。工程Ｂ、工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理に対応して区分けしたもので、各工程のいずれの断面図も写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除去した段階を示している。なお、写真処理とは本説明ではフォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経てそれを現像するまでの一連の作業を示すものとし、繰返しの説明は避ける。
以下区分けした工程に従って、説明する。
工程Ａ、第１３図
ＡＮ６３５ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基板ＳＵＢ１上に膜厚が２０００ÅのＣｒ−Ｍｏ等からなる導電膜ｇ３をスパッタリングにより設ける。写真処理後、硝酸第２セリウムアンモンで導電膜ｇ３を選択的にエッチングする。それによって、ゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬ、対向電極ＣＴ、ゲート端子ＧＴＭ、共通バスラインＣＢ１の第１導電層、対向電極端子ＣＴＭ１の第１導電層、ゲート端子ＧＴＭを接続するバスラインＳＨｇ（図示せず）を形成する。
工程Ｂ、第１３図
プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜厚が３５００Åの窒化Ｓｉ膜を設け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入して、膜厚が１２００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたのち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを導入して、膜厚が３００ÅのＮ（＋）型非晶質Ｓｉ膜を設ける。
工程Ｃ、第１３図
写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６、ＣＣ１４を使用してＮ（＋）型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層ＡＳの島を形成する。
工程Ｄ、第１４図
膜厚が３００ÅのＣｒからなる導電膜ｄ３をスパッタリングにより設ける。写真処理後、導電膜ｄ３を工程Ａと同様な液でエッチングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、画素電極ＰＸ、ドレイン電極ＳＤ２、共通バスラインＣＢ２の第１導電層、およびドレイン端子ＤＴＭを短絡するバスラインＳＨｄ（図示せず）を形成する。つぎに、ドライエッチング装置にＣＣ１４、ＳＦ６を導入して、Ｎ（＋）型非晶質Ｓｉ膜をエッチングすることにより、ソースとドレイン間のＮ（＋）型半導体層ｄ０を選択的に除去する。導電膜ｄ３をマスクパターンでパターニングした後、導電膜ｄ３をマスクとして、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ型半導体層ＡＳ上に残っていたＮ（＋）型半導体層ｄ０は導電膜ｄ１、導電膜ｄ２以外の部分がセルフアラインで除去される。このとき、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０はその厚さ分は全て除去されるようエッチングされるので、ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分がエッチングされるが、その程度はエッチング時間で制御すればよい。
工程Ｅ、第１４図
プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜厚が０．４μｍの窒化Ｓｉ膜を設ける。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６を使用して窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングすることによって、保護膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩをパターニングする。ここで、保護膜ＰＳＶ１と絶縁膜ＧＩは同一ホトマスクでパターニングされ、一括で加工される。
工程Ｆ、第１５図
膜厚が１４００ÅのＩＴＯ膜からなる透明導電膜ｉ１をスパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング液として塩酸と硝酸との混酸液で透明導電膜ｉ１を選択的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭの最上層、ドレイン端子ＤＴＭおよび対向電極端子ＣＴＭ１およびＣＴＭ２の第２導電層を形成する。
《表示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢ１》
第１６図は、第５図等に示した表示パネルＰＮＬに映像信号駆動回路Ｈと垂直走査回路Ｖを接続した状態を示す上面図である。
ＣＨＩは表示パネルＰＮＬを駆動させる駆動ＩＣチップ（下側の５個は垂直走査回路側の駆動ＩＣチップ、左の１０個ずつは映像信号駆動回路側の駆動ＩＣチップ）である。ＴＣＰは駆動用ＩＣチップＣＨＩがテープ・オートメイティド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテープキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰやコンデンサ等が実装された駆動回路基板で、映像信号駆動回路用と走査信号駆動回路用の２つに分割されている。ＦＧＰはフレームグランドパッドであり、シールドケースＳＨＤに切り込んで設けられたバネ状の破片が半田付けされる。ＦＣは下側の駆動回路基板ＰＣＢ１と左側の駆動回路基板ＰＣＢ１を電気的に接続するフラットケーブルである。フラットケーブルＦＣとしては図に示すように、複数のリード線（りん青銅の素材にＳｎ鍍金を施したもの）をストライプ状のポリエチレン層とポリビニルアルコール層とでサンドイッチして支持したものを使用する。
《液晶表示モジュールの全体構成》
第１７図は、液晶表示モジュールＭＤＬの各構成部品を示す分解斜視図である。
ＳＨＤは金属板から成る枠状のシールドケース（メタルフレーム）、ＬＣＷその表示窓、ＰＮＬは液晶表示パネル、ＳＰＢは光拡散板、ＬＣＢは導光体、ＲＭは反射板、ＢＬはバックライト蛍光管、ＬＣＡはバックライトケースであり、図に示すような上下の配置関係で各部材が積み重ねられてモジュールＭＤＬが組み立てられる。
モジュールＭＤＬは、シールドケースＳＨＤに設けられた爪とフックによって全体が固定されるようになっている。
バックライトケースＬＣＡはバックライト蛍光管ＢＬ、光拡散板ＳＰＢ光拡散板、導光体ＬＣＢ、反射板ＲＭを収納する形状になっており、導光体ＬＣＢの側面に配置されたバックライト蛍光管ＢＬの光を、導光体ＬＣＢ、反射板ＲＭ、光拡散板ＳＰＢにより表示面で一様なバックライトにし、液晶表示パネルＰＮＬ側に出射する。
バックライト蛍光管ＢＬにはインバータ回路基板ＰＣＢ３が接続されており、バックライト蛍光管ＢＬの電源となっている。
《本実施例の特性》
第２１図は、このように構成した液晶表示装置の電気光学特性（電圧−輝度特性）を示すグラフである。
ここで、このグラフでは、Ａ領域のみの電圧−輝度特性Ａ、およびＢ領域のみの電圧−輝度特性Ｂをも示され、本実施例による液晶表示装置の電圧−輝度特性はそれらの合成として示され、図中Ａ＋Ｂで示している。
なお、Ｂ領域の電圧−輝度特性Ｂは、第１図に示すように、そのＢ領域において画素電極ＰＸと対向電極の間隔を、Ａ領域のそれよりも狭くした場合のもので、該Ｂ領域における画素電極ＰＸと対向電極の間隔を変化させることによって、電圧方向にシフトする（電極の間隔を狭くするとグラフ左側へシフトする）特性が得られるようになる。
このため、Ａ領域の電圧−輝度特性Ａを微妙に変化させて所望の特性にするためには、該Ｂ領域における画素電極ＰＸと対向電極の間隔を制御することが好ましくなる。
このグラフから明らかとなるように、Ａ領域のみの電圧−輝度特性Ａは、電圧に対する輝度の変化が急な部分が存在するが、電圧−輝度特性Ｂを有するＢ領域を設けることによって該部分を緩やかな部分とすることができるようになる。
この実施例の場合、電圧に対する輝度の変化の急な部分は、暗い方の中間調領域（透過率が０〜２０％）のうち透過率が１０の近傍において顕著に存在するが、その部分において緩やかになっており、この場合、Ｂ領域の面積は、Ａ領域の面積の０．０５倍から０．３倍の範囲にある場合において効果的であることが判明している。
このようにした場合、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間隔の寸法バラツキに対する輝度バラツキは従来よりも約５０％に抑えることができ、表示の品質の向上を図ることができた。
そして、同図のグラフから明らかなように、上述した効果は、画素電極ＰＸと対向電圧ＣＴの間の最大駆動電圧Ｖｍａｘの上昇なく行い得ることができるようになる。
すなわち、画素領域における電圧−輝度特性を緩やかなカーブにするだけの目的からすれば、各画素領域における電界方向と初期配向方向とのなす角度φＬＣを小さくすればよいことになる（換言すれば、画素領域の全てをＢ領域とする）。
しかし、このようにした場合、画素の最大透過率を得るための画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電圧（Ｖｍａｘ）を大幅に上昇させなければならず、低消費電力を長所とする液晶表示装置としては不適当となってしまう。
この観点からすると、第２０図に示すようにＡ領域における電界方向と初期配向方向とのなす角度φＬＣを７５°以上（φＬＣ≧７５°）とすることによって、最大駆動電圧Ｖｍａｘの上昇を抑制し、Ｂ領域において、その電界方向と初期配向方向とのなす角度φＬＣを３０°を超え７５°未満の範囲にあるようにする（好ましくは４５°から６０°にする）ことによって、輝度の立上りを最も低電圧にすることができるようになる。
また、Ａ領域は、上述したように、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に印加する電圧の上昇を抑制させるためにあり、このことから、Ａ領域はＢ領域よりも主たる領域として把握することが好ましい。換言すれば、Ａ領域はＢ領域よりも大きな面積をもつ領域とし、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に印加する電圧を従来の場合のそれとほぼ等しい状態とした上で、各画素領域の電圧−輝度特性を緩やかなカーブにするようにすることが好ましい。
しかし、このようなＡ領域とＢ領域の面積比は、この発明において特に限定されることはない。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に印加する電圧は、どうしても所定の値以下としなければならないという技術的理由はなく、得ようとする印加電圧と特性の緩やかカーブとの兼ね合いで適宜に定めることができるからである。
要は、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界方向と初期配向方向とのなす角度が設定されたＡ領域に対して、前記角度が異なる電界方向と初期配向方向を有するＢ領域が設けられていればよい。Ｂ領域を設けることによって、Ａ領域のみの画素領域よりも電圧−輝度特性を緩やかなカーブにすることができ、前記各電極の間隔のバラツキによる輝度バラツキを減少させることができるからである。
このような本発明の効果は、液晶の初期配向方向を規制する手段のみ、すなわち、配向膜ＯＲＩのみにおいて上述のような改良を施す場合においても同様に得られる。
本発明は、画素領域にＡ領域とＢ領域とがあり、Ｂ領域において電界方向と初期配向方向とのなす角度がＡ領域におけるそれと異なっていることにあり、画素領域内のＡ領域およびＢ領域において電界方向を一定とした場合、Ｂ領域において初期配向方向をＡ領域と異ならしめればよいからである。
また、同様の理由から、Ｂ領域において電界方向および初期配向方向のそれぞれをＡ領域のそれと異ならしめ、結果として、Ｂ領域において電界方向と初期配向方向とのなす角度がＡ領域におけるそれと異ならしめる構成としても同様の効果が得られることはもちろんである。
なお、上述した実施例では、特に、各画素における対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間隔のばらつきによる輝度むらの防止の観点で説明をしたものである。
しかし、本発明は、画素領域の電圧−輝度特性の一部が急俊になっている場合、その部分を緩和させて表示の品質の向上を図るという観点でも適用できることから、必ずしも対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間隔のばらつきがあることを前提とするものではない。
そして、画素領域の電圧−輝度特性が急俊になる部分の一つとして、いわゆる中間調領域（光透過率が０〜２０％の領域）があり、この部分において本発明を適用させることにより、人間の目において認識され易い中間調領域の輝度変化を滑らかにすることができる。
（実施例２）
第２５図は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図である。なお、同図の７−７線における断面図は第３図と同様になっている。
同図はマトリックス部（画素部）の平面構成を示す図で、これ以外の部分においては実施例１の場合とほぼ同様となっている。
本実施例では、各画素領域を分断するようにしてそのほぼ中央に走行する対向電圧信号線ＣＬが形成されているとともに、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間隔をＡ領域とＢ領域に相当する部分で異ならしめていることに相違を有するものである。
第２５図において、透明基板ＳＵＢ１の主表面に、その左右方向に延在する走査信号線ＧＬが上下にそれぞれ形成され、これら各走査信号線ＧＬの間にやはり左右方向に延在する対向電圧信号線ＣＬが形成されている。
この場合、走査信号線ＧＬと対向電圧信号線ＣＬはたとえば同一の材料で構成されているともに、同時に形成されるようになっている。
画素領域は、前記各走査信号線ＧＬと後述の互いに隣接する映像信号線ＤＬとで囲まれた領域で構成され、これにより、各画素領域のほぼ中央に対向電圧信号線ＣＬが形成されるようになっている。
このような構成としたのは、該対向電圧信号線ＣＬを走査信号線ＧＬからできるだけ離間させることによって、製造の際にそれらが接続されて形成されるのを回避するためである。
ここで、この実施例では、前記画素領域のうちの各上下部分、すなわち各走査信号線ＧＬに近接する部分をＢ領域として構成し、他の残りの領域をＡ領域として構成している。これらの各領域における構成の相違は後に明らかとなるであろう。
そして、対向電圧信号線ＣＬには各画素領域内にて延在する対向電極ＣＴが一体になって形成されている。
この対向電極ＣＴは、たとえば、対向電圧信号線ＣＬを間にしてその上下方向にそれぞれ延在し、一方の映像信号線ＤＬに隣接するようにして１本、他方の映像信号線ＤＬに隣接して１本、そして、その間に１本というように、合計３本の対向電極ＣＴから構成されている。
なお、この実施例では、各対向電極ＣＴの走査信号線ＧＬに近接する部分（画素領域中のＢ領域）において、特別の形状をなしている。
すなわち、対向電圧信号線ＣＬを間してその上方向に延在する３本のうちたとえば左側２本は右側へ突出する部分を有し、これにより右側に位置づけられる後述の画素電極ＰＸとの電極間幅がＡ領域よりも小さく形成されるようになっている。
同様に、対向電圧信号線ＣＬを間してその下方向に延在する３本のうちたとえば右側２本は左側へ突出する部分を有し、これにより左側に位置づけられる後述の画素電極ＰＸとの電極間幅がＡ領域よりも小さく形成されるようになっている。
このように形成された透明基板ＳＵＢ１上には、走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）をも被って絶縁膜ＧＩ（第３図参照）が形成されている。
この絶縁膜ＧＩは、後述する映像信号線ＤＬに対しては走査信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＴに対してはゲート絶縁膜として、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域に対してはゲート絶縁膜として、蓄積容量Ｃｓｔｇの形成領域に対しては誘電体膜として機能するようになっている。
この絶縁膜ＧＩの表面には、まず、その薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において非晶質シリコンＡＳが形成されている。この非晶質シリコンＡＳは走査信号線ＧＬ上において映像信号線ＤＬに近接された部分に重畳して形成されている。
これにより、走査信号線ＧＬの一部が薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴを兼ねた構成となっている。
また、絶縁膜ＧＩの表面には、その上下方向に延在し左右方向に並設される映像信号線ＤＬが形成されている。
そして、この映像信号線ＤＬは、薄膜トランジスタＴＦＴの前記非晶質シリコンＡＳの表面の一部にまで延在されて形成されたドレイン電極ＳＤ２が一体となって備えられている。
さらに、画素領域における絶縁膜ＧＩの表面には、映像信号線ＤＬとたとえば同一材料からなりかつ同時に形成される画素電極ＰＸが形成されている。
この画素電極ＰＸは、対向電極ＣＴの間を走行するようにして形成されている。
すなわち、対向電圧信号線ＣＴの一部に重畳するようにして画素電極ＰＸの共通接続部ＰＸＣが形成され、図中左側に隣接して配置される２本の対向電極ＣＴの間を走行するようにして１本、図中右側に隣接して配置される２本の対向電極ＣＴの間を走行するようにして１本というように、合計２本の画素電極ＰＴから構成されている。
このように構成される画素電極ＰＴは前記共通接続部をも含めてほぼ’Ｈ’状に形成され、その各端の一つは薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域にまで延在され、該薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１を構成するようになっている。
ここで、この実施例では、各画素電極ＰＴの走査信号線ＧＬに近接する部分（画素領域中のＢ領域）において、特別の形状をなしている。
すなわち、前記共通接続部ＰＸＣを間してその上方向に延在する２本は右側へ突出する部分を有し、これにより右側に位置づけられる前記対向電極ＣＴとの電極間幅がＡ領域よりも小さく形成されるようになっている。
同様に、該共通接続部ＰＸＣを間してその下方向に延在する２本のうちたとえば右側１本は左側へ突出する部分を有し、これにより左側に位置づけられる前記対向電極ＣＴとの電極間幅がＡ領域よりも小さく形成されるようになっている。
これにより、この実施例では、前記対向電極ＣＴの説明の部分と合わせ考えて、画素領域のＢ領域において、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとの離間距離がＡ領域のそれと比較して小さく形成されていることが明らかになる。
この場合、このＢ領域において、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとの間に発生する電界を考察すると、一方の電極に対する他方の電極の突起のうち互いに平行になっている部分の間の電界はそれらと直交する方向に発生することから、Ａ領域における電界方向と変わりはない。
しかし、該突起が形成されている部分とそうでない部分とのほぼ境界に相当する部分の近傍においては、そこに発生する電界の方向はＡ領域における電界方向に対してある角度を有しており、この部分において実質的なＢ領域を構成することになる。
第２５図においては、各電極の突起が形成されている部分とそうでない部分との境界は斜線によって連続された形状となっているが、たとえ段差的に接続された（突起が形成されている部分とそうでない部分との間が９０°の角度を有する）形状であっても、上述した理由からＢ領域が形成されることはいうまでもない。
このようにして形成されるＢ領域の技術上の効果は後に実験データによって明らかになるであろう。
なお、画素電極ＰＸの共通接続部ＰＸＣであって対向電圧信号線ＣＴに重畳される部分は、該対向電圧信号線ＣＴとの間に誘電体膜としての前記絶縁膜を備える蓄積容量Ｃｓｔｇを構成している。この蓄積容量Ｃｓｔｇによってたとえば薄膜トランジスタＴＦＴがオフした際に画素電極ＰＸに映像情報を長く蓄積させる効果を奏するようにしている。
また、前述した薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ２とソース電極ＳＤ１との界面に相当する非晶質シリコンＡＳの表面にはリン（Ｐ）がドープされて高濃度層となっており、これにより前記各電極におけるオーミックコンタクトを図っている。この場合、非晶質シリコンＡＳの表面の全域には前記高濃度層が形成されており、前記各電極を形成した後に、該電極をマスクとして該電極形成領域以外の高濃度層をエッチングするようにして上記の構成とすることができる。
そして、このように薄膜トランジスタＴＦＴ、映像信号線ＤＬ、画素電極ＰＸ、および蓄積容量Ｃｓｔｇが形成された絶縁膜ＧＩの上面にはたとえばシリコン窒化膜からなる保護膜ＰＳＶ（第３図参照）が形成され、この保護膜ＰＳＶの上面には配向膜が形成されている。
そして、このように構成された透明基板ＳＵＢ１と液晶を介して対向配置される他の基板である透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面にはブラックマトリックスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬ等が形成されている。
この場合、ブラックマトリックスＢＭは、少なくとも、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域、および映像信号線ＤＬとそれに隣接する対向電極ＣＴとの間の隙間を被うようにして形成すれば足りる。薄膜トランジスタＴＦＴは光の照射があることによりその特性が変化し、映像信号線ＤＬと対向電極ＣＴとの隙間は光漏れが生じるからである。このような事情は実施例１の場合においても同様に言える。
第２６図は、上述した構成からなる液晶表示装置の各画素におけるＢ（透過率：輝度）−Ｖ（対向電極と画素電極との間の電圧）特性を示したグラフである。
同図において、本発明を適用していない場合の特性（リファレンス）、副画素領域（Ｂ領域）においてその電極間隔と開口面積比率をそれぞれ、（６μｍ、１０％）、（５μｍ、５％）、（４μｍ、５％）、（３μｍ、５％）とした場合の各特性を順次示している。
ここで、副画素の開口面積比率とは、一画素における面積に対する副画素の面積比率をいう。
同図から明らかなように、中間調において（特に透過率が４の近傍において）急俊なカーブが副画素領域の存在によって滑らかになっていることが判明している。
また、第２７図は、上述した構成の液晶表示装置において、その画素の副画素部（Ｂ領域）における対向電極と画素電極の間隔を変化させた場合のＢ−Ｖ特性を示したグラフである。
ここで、副画素部の開口面積比率を５％とし、対向電極と画素電極の間隔をリファレンス状態の３μｍから±１．０μｍだけそれぞれ変化させた場合を示している。
一方、第２８図は、本発明を適用させていない場合の対向電極と画素電極の間隔を変化させた場合のＢ−Ｖ特性を示したグラフであり、対向電極と画素電極の間隔を±１．０μｍだけそれぞれ変化させた場合を示している。
これらの図から明らかなように、相対透過率１０％（Ｖ^１０）での電極間隔変化による輝度変動ΔＢ^１０（図中矢印の幅で示している）が狭ギャップ副画素を設けることによって大幅に減少していることが判明する。
なお、同図のグラフ（前述した各グラフにおいても同じであるが）において、透過率Ｂは、人間の目で認識する場合、ｌｏｇＢによって認識されることから、図面矢印で示す変化幅は実際よりも大きな差を有して感知されるようになる。
（実施例３）
上述した各実施例では、それらのいずれも、対向電極ＣＴおよび画素電極ＰＸが、映像信号線ＤＬと平行に形成されたものである。
しかし、これに限定されることはなく、たとえば第２９図に示すように、対向電極ＣＴおよび画素電極ＰＸが映像信号線ＤＬに対して平行である必要はないことはもちろんである。
同様に、対向電極ＣＴおよび画素電極ＰＸのパターンが第２９図のようになっていなくてもよい。本発明は、画素領域中の光透過領域に主画素領域（Ａ領域）と副画素領域（Ｂ領域）が存在し、主画素領域のパターンに対して副画素領域のパターンが本明細書で詳述してきた各条件のもとに定められていればよいからである。
また、上述した各実施例では、Ａ領域とＢ領域とが画素領域を２分するようにして設けたが、必ずしもこれに限定されることはなく、複数のＡ領域と複数のＢ領域とがあり、これらの領域が混在するように配置された状態として形成しても同様の効果が得られることはいうまでもない。
（実施例４）
第３０図は、画素領域中の光透過領域のほぼ中央にＢ領域を設けた構成とした他の実施例で、たとえば第２３図に対応した図となっている。
第３０図において、その画素電極ＰＸのほぼ中央に比較的線幅の広い領域を形成することによってＢ領域を形成している。
このようにすることによって、画素電極ＰＸは隣接する対向電極ＣＴとの間において、それらの距離が狭い部分が形成され、その近傍に、電界方向が他の領域であるＡ領域の電界方向と異なる部分が形成されることになる。
第３２図は、この部分を拡大した図で、電界の方向を画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の矢印で示している。
同図から明らかなように、画素電極ＰＸの幅の広い部分を形成することによって、電界方向が異なる領域が形成され、この領域がＢ領域として機能するようになる。
この実施例では画素電極ＰＸに比較的線幅の広い領域を形成したものであるが、対向電極ＣＴに同様の構成を施すようにしても同様の効果が得られることはいうまでもない。
なお、この実施例の構成を基に、たとえば第２３図に示す構成を合わせて採用するようにしてもよいことはいうまでもない。この場合、Ｂ領域は画素領域中の光透過領域にそれぞれ分割された状態で存在することになる。
（実施例５）
第３１図は、さらに他の実施例を示す構成図である。
第３０図の構成で画素電極ＰＸに線幅の広い部分（突起）を形成することにより、第３２図（ａ）に示すように、画素電極ＰＸと突起の角部にいわゆるドメインＤＭが発生してしまう領域が形成される場合がある。
このドメインＤＭとは、たとえば初期配向された液晶分子の軸方向と一致する方向に電界が発生してしまう領域で、たとえ電界がかかっても該液晶分子が捻じれず光透過率の制御ができなくなってしまう領域となっている。
第３１図は、このような不都合を解消するための実施例を示す図で、該ドメインＤＭの発生する領域を対向電圧信号線ＣＬによってマスクするようにしている。
すなわち、同図は、第２５図あるいは第２９図と対応する図であり、対向電圧信号線ＣＬに絶縁膜を介して交差するようにして形成される画素電極ＰＸにおいて、その交差部に線幅の広い部分（突起）を形成するようにしている。
このようにすることによって、第３２図（ｂ）に示すように、対向電圧信号線ＣＬによって、Ｂ領域をマスクすることなく、ドメインＤＭが発生してしまう領域のみをマスクすることができるようになる。
この場合、蓄積容量Ｃｓｔｇは前記画素電極ＰＸの線幅の広い部分の領域において確保され、また、複数の各画素電極ＰＸは走査信号線ＧＬ（図中上側）に近接する部分で共通接続されている。この結果、画素電極はコ字状の形状をなして形成されている。
ドメインＤＭをマスクする方法としては、ブラックマトリックスＢＭでマスクする方法もあることから、このように構成してもよい。
しかし、上述のように、対向電圧信号線ＣＬによってマスクする場合、合わせ精度がブラックマスクＢＭよりも高いことから、高精度にドメインＤＭが発生してしまう領域のみをマスクできる（Ｂ領域の一部をマスクしてしまうことがない）効果を奏するようになる。
なお、この実施例の構成を基に、たとえば第２５図あるいは第２９図に示す構成を合わせて採用するようにしてもよいことはいうまでもない。この場合、Ｂ領域は画素領域中の光透過領域にそれぞれ分割された状態で存在することになる。
以上詳述したように、本発明によれば、ブラウン管並の視野角を実現できる横電界方式の液晶表示装置において、電極を形成するときのホトリソグラフィーやエッチングのばらつきで電極間隔がばらついた時でも輝度むらが発生しにくく、輝度均一性の高い良好な画質を有する液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例１のアクティブ・マトリックス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素とその周辺を示す要部平面図である。
第２図は、第１図の６−６切断線における画素の断面図である。
第３図は、第１図の７−７切断線における薄膜トランジスタ素子ＴＦＴの断面図である。
第４図は、第１図の８−８切断線における蓄積容量Ｃｓｔｇの断面図である。
第５図は、表示パネルのマトリクス周辺部の構成を説明するための平面図である。
第６図は、左側に走査信号端子、右側に外部接続端子の無いパネル縁部分を示す断面図である。
第７図は、ゲート端子ＧＴＭとゲート配線ＧＬの接続部近辺を示す平面と断面の図である。
第８図は、ドレイン端子ＤＴＭと映像信号線ＤＬとの接続部付近を示す平面と断面の図である。
第９図は、共通電極端子ＣＴＭ１、共通バスラインＣＢ１および共通電圧信号線ＣＬの接続部付近を示す平面と断面の図である。
第１０図は、共通電極端子ＣＴＭ２、共通バスラインＣＢ２および共通電圧信号線ＣＬの接続部付近を示す平面と断面の図である。
第１１図は、本発明のアクティブ・マトリックス型カラー液晶表示装置のマトリクス部とその周辺を含む回路図である。
第１２図は、本発明のアクティブ・マトリックス型カラー液晶表示装置の駆動波形を示す図である。
第１３図は、基板ＳＵＢ１側の工程Ａ〜Ｃの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
第１４図は、基板ＳＵＢ１側の工程Ｄ〜Ｆの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
第１５図は、基板ＳＵＢ１側の工程Ｇの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
第１６図は、液晶表示パネルに周辺の駆動回路を実装した状態を示す上面図である。
第１７図は、液晶表示モジュールの分解斜視図である。
第１８図は、印加電界方向、ラビング方向、偏光板透過軸の関係を示す図である。
第１９図は、従来の電圧−輝度特性（対数表示）を示す図である。
第２０図は、従来の電圧−輝度特性を示す図である。
第２１図は、本発明の電圧−輝度特性を示す図である。
第２２図は、本発明の効果を説明する模式グラフである。
第２３図は、本発明による他の実施例を示す構成図である。
第２４図は、本発明による他の実施例を示す構成図である。
第２５図は、本発明による他の実施例を示す構成図ある。
第２６図は、第２５図に示した液晶表示装置の構成における画素のＢ−Ｖ特性を示したグラフである。
第２７図は、第２５図に示した液晶表示装置の構成における画素のＢ−Ｖ特性を示したグラフである。
第２８図は、第２５図に示した液晶表示装置の構成における画素のＢ−Ｖ特性を示したグラフである。
第２９図は、本発明による他の実施例を示す構成図である。
第３０図は、本発明による他の実施例を示す構成図である。
第３１図は、本発明による他の実施例を示す構成図である。
第３２図は、第３１図および第３２図の構成による効果を説明する説明図である。

Claims (7)

1. 液晶を介して対向配置される一対の透明基板と、前記液晶の初期配向方向を規制する手段と、前記透明基板の液晶側の面の各画素領域に互いに離間されて形成された画素電極と対向電極とを備え、
   前記画素電極と対向電極との間の電界によって、これら電極間を透過する液晶内の光量を制御する液晶表示装置であって、
   前記画素領域中の光透過領域に、一対の画素電極と対向電極との間の領域であってその長手方向に分割された領域を備え、それら各領域は、電界方向が設定された一方の領域と、前記方向が異なる電界方向を有する他方の領域からなり、
   前記他方の領域の画素電極と対向電極との間隔は、前記一方の領域の画素電極と対向電極との間隔の０．３倍から０．７倍の範囲にあることを特徴とする液晶表示装置。
2. 液晶を介して対向配置される一対の透明基板と、前記液晶の初期配向方向を規制する手段と、前記透明基板の液晶側の面の各画素領域に互いに離間されて形成された画素電極と対向電極とを備え、
   前記画素電極と対向電極との間の電界によって、これら電極間を透過する液晶内の光量を制御する液晶表示装置であって、
   前記画素領域中の光透過領域に、前記画素電極と対向電極との間の電界方向と前記初期配向方向とのなす角度が設定された一方の領域に対して、前記角度が異なる電界方向と初期配向方向を有する他の領域が設けられており、
   前記初期配向方向の異なる各領域において、画素電極と対向電極との間隔が異なっていることを特徴とする液晶表示装置。
3. 液晶を介して対向配置される一対の透明基板と、前記液晶の初期配向方向を規制する手段と、前記透明基板の液晶側の面の各画素領域に互いに離間されて形成された画素電極と対向電極とを備え、
   前記画素電極と対向電極との間の電界によって、これら電極間を透過する液晶内の光量を制御する液晶表示装置であって、
   前記画素領域中の光透過領域に、前記画素電極と対向電極との間の電界方向と前記初期配向方向とのなす角度が設定された一方の領域に対して、前記角度が異なる電界方向と初期配向方向を有する他の領域が設けられ、かつ、一方の領域の電界方向と初期配向方向とのなす角度は７０°以上であるとともに、他方の領域の電界方向と初期配向方向とのなす角度は３０°を超え７５°未満の範囲内にあり、
   前記初期配向方向の異なる各領域において、画素電極と対向電極との間隔が異なっていることを特徴とする液晶表示装置。
4. 液晶を介して対向配置される一対の透明基板と、前記液晶の初期配向方向を規制する手段と、前記透明基板の液晶側の面の各画素領域に互いに離間されて形成された画素電極と対向電極とを備え、
   前記画素電極と対向電極との間の電界によって、これら電極間を透過する液晶内の光量を制御する液晶表示装置であって、
   前記画素領域中の光透過領域に、前記画素電極と対向電極との間の電界方向と前記初期配向方向とのなす角度が設定された一方の領域に対して、前記角度が異なる電界方向と初期配向方向を有する他の領域が設けられ、かつ、他方の領域の面積は、一方の領域の面積よりも小さく、
   前記初期配向方向の異なる各領域において、画素電極と対向電極との間隔が異なっていることを特徴とする液晶表示装置。
5. 前記電界方向と初期配向方向とのなす角度は、一方の領域に対して他方の領域の初期配向方向が違っていることによって、それぞれ異なっていることを特徴とする請求の範囲第２項ないし第４項のうちいずれか記載の液晶表示装置。
6. 前記初期配向方向は、配向膜のラビング方向が違っていることによって、それぞれ異なっていることを特徴とする請求の範囲第２項ないし第４項のうちいずれか記載の液晶表示装置。
7. 前記他方の領域の画素電極と対向電極との間隔は、一方の領域の画素電極と対向電極との間隔の０．３倍から０．７倍の範囲にあることを特徴とする請求の範囲第２項ないし第４項のうちいずれか記載の液晶表示装置。

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