JPH0933936A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示ムラや配向欠陥が少なく、階調表示が可
能な液晶表示素子を得る。 【解決手段】 電極膜１２，１３内で、電極として機能
する導電性領域１３ａ及び１２が凹凸形状を有するよう
に形成されていることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電性液晶、Ｔ
Ｎ液晶、及びＳＴＮ液晶などを用いた液晶表示素子及び
その製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶ディスプレイは、ワープロや
パソコン等のＯＡ機器、テレビ、カメラ一体型ビデオの
ビューファインダ、車載用ディスプレイなど種々の用途
で用いられており、今後もその用途は拡大するものとし
て注目されている。また液晶ディスプレイとしては、Ｔ
Ｎ型ディスプレイ及びＳＴＮ型ディスプレイなど種々の
タイプのものが知られているが、強誘電性液晶は、メモ
リー性を有し、かつ応答時間が非常に速いという特徴を
有し、その実用化が期待されている。

【０００３】強誘電性液晶は、液晶自身がメモリー性を
有しているので、単純マトリクス方式で大容量化を図る
ことができる。図１１は、このような強誘電性液晶を用
いた単純マトリクス方式の液晶ディスプレイの構造を示
す模式的断面図である。図１１を参照して、ガラスなど
の透光性基板１の上には、透明導電膜などからなる画素
電極２がストライプ状に並列に形成されている。画素電
極２の上には、絶縁膜３が設けられ、絶縁膜３の上に配
向膜４が形成されている。また他方の基板１０上には、
画素電極２と直交する方向にストライプ状の画素電極８
が並列に形成されている。このストライプ状の画素電極
８の上に絶縁膜７が設けられ、絶縁膜７の上に配向膜６
が形成されている。配向膜４と配向膜６の間に液晶層５
が設けられている。基板１と基板１０の間には、シール
材９が設けられ、シール材９によって内部が密閉されて
いる。

【０００４】図１２は、画素電極２と画素電極８の配置
状態を示す平面図である。図１２に示すように、画素電
極２と画素電極８は互いに直交するように配置されてい
る。このような強誘電性液晶を用いた液晶ディスプレイ
においては、強誘電性液晶が、完全な光透過状態（オン
状態）と完全な光不透過状態（オフ状態）の２つの状態
しか採り得ないため、中間調の表示を行えないという問
題がある。

【０００５】このような問題を解決する方法として、画
素電極を複数の領域に分割し、それぞれを独立に駆動す
ることによって画素部内のオン状態とオフ状態の面積比
を制御して中間調と表現する面積階調方式がある。しか
しながら、このような面積階調方式では、階調度を増や
そうとすれば多数の電極が必要になるという問題があ
る。

【０００６】また、中間調を表示する方式として、画素
部のオン状態とオフ状態の時間の比率を変化させる時間
階調方式も知られているが、この方式では、装置を駆動
するための回路が複雑になるという問題がある。

【０００７】また画素電極構造を改良することによっ
て、中間調を表示する方法が提案されている。特開平４
−２１３４２８号公報では、画素電極にくり抜き部分を
形成することにより、画素内における空間的なしきい電
圧値に分布を与え、中間調表示を行う試みがなされてい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに電極にくり抜き部分を形成する方法では、くり抜き
部分における液晶層の厚みと、他の領域における液晶層
の厚みが異なり、全体としての液晶層の厚みに不均一を
生じ、表示ムラを生じるという問題があった。また配向
膜における配向ムラを生じ、液晶層の配向欠陥を生じる
という問題もあった。

【０００９】本発明の目的は、表示ムラや配向欠陥が少
なく、階調表示が可能な液晶表示素子及びその製造方法
を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、画素部内において液晶層を挟み電極膜が対向して設
けられており、電極膜の少なくとも一方において、該電
極膜内で電極として機能する導電性領域の対向電極側の
界面が凹凸形状を有するように形成されていることを特
徴としている。

【００１１】本発明に従えば、電極膜内に電極として機
能する導電性領域が形成されており、その対向電極側の
界面が凹凸形状を有している。従って、画素部内のしき
い値に分布を与えることができ、電極に印加する電圧を
制御することにより階調表示を行うことができる。また
本発明に従えば、電極膜内の導電性領域に凹凸形状が形
成されるので、電極膜の対向電極側の表面を、平坦な表
面にすることができる。従って、液晶層の厚みを均一に
することができ、表示ムラの発生を抑制することができ
る。また液晶層の配向欠陥を少なくすることができる。

【００１２】本発明の第１の局面に従う液晶表示素子
は、電極膜の少なくとも一方が複数の電極層を積層する
ことにより構成されており、各電極層内の導電性領域の
形成領域を異ならせることにより、電極として機能する
電極膜全体内の導電性領域の対向電極側の界面を凹凸形
状となるように形成させたことを特徴としている。

【００１３】本発明の第２の局面に従う液晶表示素子
は、電極膜の少なくとも一方において、該電極膜内で電
極として機能する導電性領域の対向電極側の界面が凹凸
形状を有するように、該電極膜内に非導電性領域と導電
性領域が形成されていることを特徴としている。

【００１４】本発明の第３の局面に従う製造方法は、上
記本発明の第１の局面の液晶表示素子を製造することが
できる方法であり、全体が導電性領域である電極層を形
成する工程と、電極層の上に半導体層を形成する工程
と、半導体層の一部の領域に不純物をドーピングするこ
とにより半導体層に導電性領域を形成する工程とを備え
ている。第３の局面に従う製造方法においては、電極膜
が電極層と半導体層の積層構造から形成される。また、
第３の局面においては、一般に電極層として透明電極層
が形成されるが、反射型の液晶表示素子の反射面側で
は、必ずしも透明電極層でなくともよい。

【００１５】第３の局面においては、電極層の上に形成
される半導体層の一部の領域を不純物ドーピングにより
導電化することにより、導電性領域を形成している。従
って、半導体層において形成されている導電性領域が、
導電性領域の凸部となり、電極層と半導体層からなる電
極膜内の導電性領域に凹凸形状を形成することができ
る。また半導体層の表面はほぼ平坦な表面となるよう形
成することができるので、液晶層の厚みを均一にするこ
とができ、表示ムラや配向欠陥を少なくすることができ
る。

【００１６】第３の局面において半導体層に不純物をド
ーピングする方法としては、半導体層の上にＰＳＧ（リ
ンガラス）膜またはＢＳＧ（ボロンガラス）膜などの不
純物を含有した絶縁層を形成し、この絶縁層の一部の領
域を加熱することによって、不純物を絶縁層から半導体
層の一部の領域に拡散し不純物ドーピングする方法を採
用することができる。

【００１７】また半導体層の上にマスク層を形成し、マ
スク層の上から不純物をドーピングすることにより、半
導体層の一部の領域に不純物をドーピングして導電性領
域を形成してもよい。

【００１８】第３の局面において形成する半導体層は、
不純物のドーピングにより導電化することができるもの
であれば特に限定されるものではなく、シリコンや化合
物半導体などの半導体膜を用いることができる。また半
導体膜はアモルファスであってもよいし、多結晶質であ
ってもよい。

【００１９】第３の局面において電極層として透明電極
層を用いる場合には、従来より液晶ディスプレイの透明
電極膜として用いられているものを用いることができ、
例えばＩＴＯ膜や酸化錫膜などを用いることができる。

【００２０】本発明の第４の局面に従う製造方法は、上
記本発明の第２の局面の液晶表示素子を製造することが
できる方法であり、少なくとも一方の電極膜として、少
なくとも対向電極側に非導電性領域が形成されている電
極膜を形成する工程と、電極膜の非導電性領域の一部の
領域を酸化または還元することにより導電性領域を形成
し、これによって導電性領域の対向電極側の界面に凹凸
形状を形成する工程とを備えている。また、第４の局面
においては、一般に電極膜として透明電極膜が形成され
るが、反射型の液晶表示素子の反射面側では、必ずしも
透明電極膜でなくともよい。

【００２１】電極膜として透明電極膜を用いる場合に
は、従来より液晶ディスプレイにおいて用いられている
透明電極膜を用いることができ、ＩＴＯ膜や酸化錫膜な
どを用いることができる。

【００２２】透明電極膜としてＩＴＯ膜や酸化錫膜を用
いる場合、酸素が化学量論量より少ない状態でＩＴＯ膜
や酸化錫膜を形成することにより、非導電性領域の状態
で形成することができる。このようにして形成した透明
電極膜に酸化処理を施すことにより、化学量論量の酸素
にすることができ、導電性領域とすることができる。

【００２３】本発明の第５の局面に従う製造方法は、上
記本発明の第２の局面の液晶表示素子を製造することが
できる方法であり、少なくとも一方の電極膜として、全
体が導電性領域として形成されている電極膜を形成する
工程と、電極膜の一部の領域を酸化または還元すること
により非導電性領域を形成し、これによって導電性領域
の対向電極側の界面に凹凸形状を形成する工程とを備え
ている。また、第５の局面においては、一般に電極膜と
して透明電極膜が形成されるが、反射型の液晶表示素子
の反射面側では、必ずしも透明電極膜でなくともよい。

【００２４】透明電極膜としてＩＴＯ膜や酸化錫膜を用
いる場合、一般には、還元処理をすることにより一部の
領域を非導電性領域とすることができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に従う一実施形態
の液晶表示素子を示す模式的断面図である。本実施形態
における液晶表示素子は、強誘電性液晶を用いた単純マ
トリクス方式による液晶ディスプレイである。図１を参
照して、ガラスなどの透光性基板からなる基板１１の上
には、ＩＴＯ膜やＳｎＯ₂ （酸化錫）膜などからなる透
明電極層１２が形成されている。透明電極層１２は、画
素部の位置に対応しており、ストライプ状に並列に複数
形成されている。透明電極層１２上には、透明電極層１
２を覆うように、半導体層としてのポリシリコン膜１３
が形成されている。

【００２６】ポリシリコン膜１３の一部の領域に不純物
がドーピングされ、導電性領域１３ａが形成されてい
る。この導電性領域１３ａは、透明電極層１２の上方の
一部の領域に形成されている。導電性領域１３ａは透明
電極層１２と直接接触するように形成されているので、
電気的に接続されている。また透明電極層１２は導電性
領域として形成されているので、透明電極層１２と、ポ
リシリコン膜１３内の導電性領域１３ａとから電極膜内
部の導電性領域が構成される。また本実施形態にいて
は、透明電極層１２とポリシリコン膜１３とから電極膜
が構成されている。従って、電極膜内部に、図１にハッ
チングを付して示すような導電性領域が形成されている
こととなり、この導電性領域１２及び１３ａは、凸部と
して導電性領域１３ａを有しており、凹凸形状を有して
いる。

【００２７】ポリシリコン膜１３の上には、不純物を含
有する絶縁層として、ＰＳＧ膜１４が形成されている。
ＰＳＧ膜１４の上には、配向膜１５が形成されている。
基板１１と対向する基板２０は、基板１１と同様に、ガ
ラスなどからなる透光性基板から形成されている。基板
２０の上にはストライプ状の画素電極１９が形成されて
いる。画素電極１９は、透明電極層１２と直交する方向
に並列に複数形成されている。この画素電極１９と透明
電極層１２の交差部分が、画素部となるように配置され
ている。画素電極１９の上には、絶縁膜１８が形成され
ており、この絶縁膜１８の上に配向膜１７が形成されて
いる。配向膜１５と配向膜１７の間に液晶層１６が設け
られている。基板１１及び基板２０間の周囲には、シー
ル材２１が設けられており、このシール材２１により液
晶ディスプレイ内が密閉されている。

【００２８】図２は、基板１１上の電極膜内の導電性領
域を示す平面図である。図２に示すように、透明電極層
１２と導電性領域１３ａからなるストライプ状の導電性
領域は一方向に並列に形成されている。

【００２９】図３は、基板１１上の導電性領域と、基板
２０上の画素電極の配置状態を示す平面図である。図３
に示すように、透明電極層１２と導電性領域１３ａから
なる電極膜の導電性領域は、基板２０上の画素電極１９
と直交するよう配置されている。そして、これらの交差
部分に画素部が形成される。

【００３０】図４は、図１に示す液晶表示素子における
画素部の階調表示状態を説明するための平面図である。
図４において、２１は画素部を示しており、２１ａは、
図１におけるポリシリコン膜１３の導電性領域１３ａに
対応する画素部領域を示しており、２１ｂは導電性領域
１３ａが設けられていない領域に対応している。図１を
参照して、導電性領域１３ａが設けられている領域にお
いては、画素電極１９との間の距離が相対的に短く、導
電性領域１３ａが設けられていない、すなわち、透明電
極層１２のみの領域では、画素電極１９との間の距離が
相対的に長くなっている。従って、導電性領域１３ａが
設けられている領域、すなわち図４に示す画素部領域２
１ａにおいては、より低いしきい値電圧で駆動させるこ
とができ、導電性領域１３ａが設けられていない領域、
すなわち図４に示す画素部領域２１ｂにおいては相対的
に高いしきい値電圧で駆動させる必要がある。従って、
電極間に印加する電圧を変化させることにより、各画素
部領域を独立して駆動制御することができる。

【００３１】図４においては、オン状態をハッチングを
付して示し、ハッチングを付していない領域はオフ状態
に相当するものとして説明する。図４（ａ）において
は、画素部領域２１ａ及び２１ｂ共にオフ状態である。
図１に示す導電性領域１３ａ及び透明電極層１２と、画
素電極１９との間に相対的に低い電圧を印加すると、導
電性領域１３ａに対応する画素部領域２１ａの部分は、
図４（ｂ）に示すようにオン状態となる。また相対的に
高い電圧を印加すると、画素部領域２１ａ及び２１ｂ共
に、図４（ｄ）に示すように、オン状態となる。次に、
逆極性の電圧を、導電性領域１３ａ及び透明電極層１２
と、画素電極１９との間に印加すると、導電性領域１３
ａに対応する画素部領域２１ａにおいて、オン状態がオ
フ状態に戻る。従って、図４（ｃ）に示すように、画素
部領域２１ｂのみがオン状態となる。さらに、より高い
逆極性の電圧を印加すると、両画素部領域２１ａ及び２
１ｂがオフ状態となり、図４（ａ）に示す状態に戻る。
従って、本実施形態においては、電極間に印加する電圧
を制御することにより、図４に示すような４段階の階調
表示が可能となる。

【００３２】図５及び図６は、図１に示す実施形態の液
晶表示素子を製造する工程を示す模式的断面図である。
本実施形態では、半導体の上にＰＳＧ膜を形成し、この
ＰＳＧ膜からの不純物ドーピングによりポリシリコン膜
に不純物をドーピングして導電性領域を形成している。
図５（ａ）に示すように、まず基板１１の上に透明電極
層１２を形成する。次に図５（ｂ）に示すように、透明
電極層１２を覆うようにポリシリコン膜１３を形成す
る。次に図５（ｃ）に示すように、ポリシリコン膜１４
の上に、ＰＳＧ膜１４を形成する。

【００３３】次に図６（ｄ）に示すように、レーザー２
２を照射し、ＰＳＧ膜１４の一部の領域を加熱すること
によってＰＳＧ膜１４からポリシリコン膜１３の領域に
不純物を拡散させる。これによって、導電性領域１３ａ
となる不純物拡散領域が形成される。図６（ｅ）に示す
ように、透明電極層１２の上の一部の領域に導電性領域
１３ａが形成される。これによって、ポリシリコン膜１
３内に凸部となる導電性領域１３ａを有する導電性領域
が形成される。

【００３４】上記実施形態においては、レーザー光の照
射により、不純物を拡散させているが、マスクを用いて
ランプアニール等の方法により一部の領域を照射して加
熱し不純物を拡散させてもよい。

【００３５】図７及び図８は、本発明に従う他の実施形
態の液晶表示素子を製造する工程を示す模式的断面図で
ある。本実施形態の製造方法では、半導体層の上にマス
ク層を設け、これによって半導体層の一部の領域に不純
物をドーピングし、導電性領域を形成している。まず図
７（ａ）に示すように、基板１１の上に透明電極層１２
を形成し、図７（ｂ）に示すように、透明電極層１２の
上を覆うようにポリシリコン膜１３を形成する。次に、
図７（ｃ）に示すように、ポリシリコン膜１３の上にレ
ジスト膜からなるマスク層２３を形成する。このマスク
層２３には、透明電極層１２上のポリシリコン膜１３の
一部の領域に対し不純物がドーピングできるように、貫
通したストライプ状の溝２３ａが形成されている。

【００３６】次に図８（ｄ）に示すように、マスク層２
３を通して不純物２４をイオン注入またはイオンシャワ
ーなどの方法によりドーピングする。これにより、図８
（ｅ）に示すように、透明電極層１２上のポリシリコン
膜１３の領域に、不純物がドーピングされ導電化した導
電性領域１３ａが形成される。これにより、図８（ｆ）
に示すように、ポリシリコン膜１３中に導電性領域１３
ａ及び透明電極層１２からなる導電性領域が形成され
る。以上の製造工程により製造される液晶表示素子は、
図１に示す液晶表示素子においてＰＳＧ膜１４が省略さ
れた構造を有している。

【００３７】図９は、本発明の第４の局面に従う製造方
法の一実施形態を示す模式的断面図である。図９（ａ）
を参照して、基板１１の上に、透明電極膜３０を形成す
る。透明電極膜３０は、第１の透明電極層３１の上に第
２の透明電極層３２を積層することにより構成されてい
る。本実施形態においては、第１の透明電極層３１とし
て、透明電極層が通常の導電性を示すような酸素量を含
有した透明導電膜から形成されている。透明電極層３２
は、化学量論量より少ない酸素量であり、高抵抗となる
ように形成されている。従って、非導電性領域として形
成されている。図９（ａ）に示すような透明電極膜３０
は、透明電極層３１及び３２の積層構造を形成した後ス
トライプ状となるようにパターニングすることにより形
成することができる。

【００３８】次に、図９（ｂ）に示すように、透明電極
層３２の上の一部の領域を覆うように、レジスト膜３３
を形成する。次に、図９（ｃ）に示すように、酸素イオ
ンビーム等を照射することにより、レジスト膜３３で覆
われていない透明電極層３２の部分を酸化する。これに
より、レジスト膜３３で覆われた透明電極層の領域３２
ａ以外の部分が酸化され、透明電極層３１と同様の導電
性領域となる。

【００３９】レジスト膜３３を除去し、図９（ｄ）に示
すように、透明電極膜３０内において非導電性領域３２
ａと、それ以外の導電性領域が形成される。透明電極層
３２の一部が導電性領域となるため、図９（ａ）に示す
ように、凹凸形状を有する導電性領域が透明電極膜３０
内に形成されたことになる。この後、絶縁膜を透明電極
膜３０上に形成し、その上に配向膜を形成する。

【００４０】図１０は、本発明の第５の局面に従う製造
方法の一実施形態における製造工程を示す模式的断面図
である。本実施形態においては、導電性の透明電極膜の
一部を還元処理することにより非導電化し、非導電性領
域を形成している。まず、図１０（ａ）に示すように、
基板１１の上に、ストライプ状にパターニングされた透
明電極膜４０を形成する。この透明電極膜４０は、導電
性を示す酸素含有量となるように形成する。次に、図１
０（ｂ）に示すように、透明電極膜４０の上に透明電極
膜４０の一部を覆うようにレジスト膜４１を形成する。
次に、図１０（ｃ）に示すように、水素プラズマなどに
より、レジスト膜４１で覆われた部分以外の領域に水素
処理を施し、還元する。これによりレジスト膜４１で覆
われていない領域４０ａが還元され、酸素含有量が低減
することにより、高抵抗を示す領域、すなわち非導電性
領域が形成される。

【００４１】レジスト膜４１を取り除き、図１０（ｄ）
に示すように、透明電極膜４０内に非導電性領域４０ａ
が形成され、これよって透明電極膜４０内に凹凸形状を
有する導電性領域が形成されたことになる。この後、透
明電極膜４０の上に絶縁膜及び配向膜を順次積層する。

【００４２】以上のように、本発明の従う液晶表示素子
は、種々の製造方法により製造することができる。上記
実施形態においては、導電性領域の凹凸形状が、１つの
凸部を有する形状のもののみを示したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、２つ以上の凸部を有する凹
凸形状のものでもよい。また複数の凸部を形成する場
合、その凸部の高さを異ならせることにより、より多く
の階調表示を行うことができる。

【００４３】また、上記実施形態においては、凸部形成
箇所が電極膜の端部であるが、本発明はこれに限定され
るものではなく、凸部形成箇所は中央部分であってもよ
く、その形成位置は限定されるものではない。

【００４４】また、上記実施形態においては、対向する
電極のうちの一方にのみ導電性領域の凹凸を形成してい
るが、本発明はこれに限定されるものではなく、対向す
る電極の両方に凹凸形状を有する導電性領域を形成する
ことができる。この場合、両電極における導電性領域の
パターンの組み合わせにより、より多くの階調表示を行
うことが可能になる。

【００４５】また上記実施形態においては、基板の両方
が透光性基板である透過型の液晶表示素子を示したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、反射型の液晶
表示素子に適用してもよい。この場合、基板の一方には
非透光性の基板を用いることができる。

【００４６】また上記各実施形態においては、液晶とし
て強誘電性液晶を用いているが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、ＴＮ型の液晶表示素子やＳＴＮ型の
液晶表示素子にも適用することができる。さらには、単
純マトリクス駆動方式の液晶表示素子に限定されるもの
ではなく、ＴＦＴなどを駆動素子として用いたアクティ
ブマトリクス型駆動方式の液晶表示素子にも適用するこ
とができるものである。

【００４７】また、透明電極膜としては、ＩＴＯ膜や酸
化錫膜などの透明酸化物膜を用いることができるが、後
工程において耐熱性が要求される場合には、より分解温
度の高い酸化錫膜を用いることが好ましい。

【００４８】

【発明の効果】本発明の液晶表示素子は、電極膜内に、
電極として機能する導電性領域が凹凸形状を有するよう
に形成されている。従って、画素部内でしきい値電圧の
分布を形成することができ、電極間に印加する電圧を制
御することにより、階調表示を行うことができる。

【００４９】また、本発明に従えば、電極膜の表面を平
坦な表面となるように形成することができるので、液晶
層の厚みを均一にすることができ、表示ムラ及び配向欠
陥の少ない液晶表示素子とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う一実施形態の液晶表示素子を示す
模式的断面図。

【図２】図１に示す液晶表示素子における導電性領域の
パターンを示す平面図。

【図３】図１に示す液晶表示素子における画素領域と導
電性領域のパターンを示す平面図。

【図４】図１に示す液晶表示素子の画素部における階調
表示状態を説明するための平面図。

【図５】図１に示す液晶表示素子の製造工程を示す模式
的断面図。

【図６】図１に示す液晶表示素子の製造工程を示す模式
的断面図。

【図７】本発明に従う他の実施形態の液晶表示素子を製
造する工程を示す模式的断面図。

【図８】本発明に従う他の実施形態の液晶表示素子を製
造する工程を示す模式的断面図。

【図９】本発明に従うさらに他の実施形態の液晶表示素
子の製造工程を示す模式的断面図。

【図１０】本発明に従うさらに他の実施形態の液晶表示
素子の製造工程を示す模式的断面図。

【図１１】従来の液晶表示素子を示す模式的断面図。

【図１２】図１１に示す従来の液晶表示素子における画
素電極のパターンを示す平面図。

【符号の説明】

１１，２０…基板 １２…透明電極層 １３…ポリシリコン膜 １３ａ…ポリシリコン膜の導電性領域 １４，１８…絶縁膜 １５，１７…配向膜 １６…液晶層 １９…画素電極 ２１…シール材

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画素部内において液晶層を挟み電極膜が
   対向して設けられている液晶表示素子であって、 前記電極膜の少なくとも一方において、該電極膜内で電
   極として機能する導電性領域の対向電極側の界面が凹凸
   形状を有するように形成されていることを特徴とする液
   晶表示素子。
2. 【請求項２】 画素部内において液晶層を挟み電極膜が
   対向して設けられている液晶表示素子であって、 前記電極膜の少なくとも一方が複数の電極層を積層する
   ことにより構成されており、各電極層内の導電性領域の
   形成領域を異ならせることにより、電極として機能する
   電極膜全体内の導電性領域の対向電極側の界面を凹凸形
   状に形成させたことを特徴とする液晶表示素子。
3. 【請求項３】 画素部内において液晶層を挟み電極膜が
   対向して設けられている液晶表示素子であって、 前記電極膜の少なくとも一方において、該電極膜内で電
   極として機能する導電性領域の対向電極側の界面が凹凸
   形状を有するように、該電極膜内に非導電性領域と導電
   性領域が形成されていることを特徴とする液晶表示素
   子。
4. 【請求項４】 前記電極膜の対向電極側の表面がそれぞ
   れ実質的に平坦な表面である請求項１〜３のいずれか１
   項に記載の液晶表示素子。
5. 【請求項５】 画素部内において液晶層を挟み電極膜が
   対向して設けられており、前記電極膜の少なくとも一方
   において、電極として機能する導電性領域の対向電極側
   の界面が凹凸形状を有するように形成されている液晶表
   示素子を製造する方法であって、 全体が導電性領域である電極層を形成する工程と、 前記電極層の上に半導体層を形成する工程と、 前記半導体層の一部の領域に不純物をドーピングするこ
   とにより、前記半導体層に導電性領域を形成する工程と
   を備え、 前記電極膜が前記電極層と前記半導体層の積層構造から
   形成されていることを特徴とする液晶表示素子の製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記半導体層の上に不純物を含有した絶
   縁層を形成する工程と、 前記絶縁層の一部の領域を加熱する工程とをさらに備
   え、 前記絶縁層の一部の領域を加熱することにより、不純物
   が前記絶縁層から前記半導体層の一部の領域に拡散し不
   純物ドーピングがなされる請求項５に記載の液晶表示素
   子の製造方法。
7. 【請求項７】 前記半導体層の上にマスク層を形成する
   工程と、 前記マスク層の上から不純物をドーピングする工程とを
   備え、 前記マスク層の上からの不純物ドーピングにより、前記
   半導体層の一部の領域に導電性領域を形成する請求項５
   に記載の液晶表示素子の製造方法。
8. 【請求項８】 画素部内において液晶層を挟み電極膜が
   対向して設けられており、前記電極膜の少なくとも一方
   において、電極として機能する導電性領域の対向電極側
   の界面が凹凸形状を有するように形成されている液晶表
   示素子を製造する方法であって、 前記一方の電極膜として、少なくとも対向電極側に非導
   電性領域が形成されている電極膜を形成する工程と、 前記電極膜の前記非導電性領域の一部の領域を酸化また
   は還元することにより、前記非導電性領域内に導電性領
   域を形成し、これによって導電性領域の対向電極側界面
   を凹凸形状に形成する工程とを備える液晶表示素子の製
   造方法。
9. 【請求項９】 画素部内において液晶層を挟み電極膜が
   対向して設けられており、前記電極膜の少なくとも一方
   において、電極として機能する導電性領域の対向電極側
   の界面が凹凸形状を有するように形成されている液晶表
   示素子を製造する方法であって、 前記一方の電極膜として、全体が導電性領域として形成
   されている電極膜を形成する工程と、 前記電極膜の一部の領域を酸化または還元することによ
   り前記導電性領域内に非導電性領域を形成し、これによ
   って導電性領域の対向電極側界面を凹凸形状に形成する
   工程とを備える液晶表示素子の製造方法。