具体实施方式
总之,根据一实施例,液晶显示装置的特征在于,包括:第一基板、第二基板和液晶层,上述第一基板包括:带状的主像素电极,沿第一方向具有第一宽度,沿与第一方向交叉的第二方向直线延伸,并且具有沿第二方向延伸的第一边缘;副像素电极,与上述主像素电极交叉,从上述第一边缘沿第一方向突出;以及第一取向膜,覆盖上述主像素电极及上述副像素电极;上述第二基板包括:主公共电极,在夹着上述主像素电极的两侧与上述主像素电极大致平行地延伸;和第二取向膜,覆盖上述主公共电极;上述液晶层包含被保持在上述第一基板与上述第二基板之间的液晶分子;上述副像素电极沿第一方向具有比第一宽度大的第二宽度,并且在其中央部沿第一方向具有作为最大宽度的第三宽度;而且在从上述第一边缘沿第一方向间隔了第一距离的位置上沿第二方向具有第四宽度,并且在从上述第一边缘沿第一方向间隔了比第一距离更远的第二距离的位置上具有比第四宽度小的第五宽度。
根据另一实施例,液晶显示装置的特征在于,包括:第一基板、第二基板和液晶层,上述第一基板包括:第一布线及第二布线,沿第一方向隔有间隔地相邻,并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸;带状的主像素电极,位于上述第一布线和上述第二布线之间,沿第一方向具有第一宽度,沿第二方向直线延伸;以及副像素电极,在上述主像素电极的第二方向的中间部交叉,包括朝向上述第一布线及上述第二布线分别突出的突出部;上述第二基板包括主公共电极,该主公共电极与上述第一布线及上述第二布线分别相对置,与上述主像素电极大致平行地延伸;上述液晶层包含被保持在上述第一基板与上述第二基板之间的液晶分子;上述副像素电极沿第一方向具有比第一宽度大的第二宽度,并且在其中央部沿第一方向具有作为最大宽度的第三宽度;而且在上述主像素电极侧沿第二方向具有第四宽度,在上述第一布线侧及上述第二布线侧分别沿第二方向具有比第四宽度小的第五宽度。
根据另一实施例,液晶显示装置的特征在于,包括:第一基板、第二基板和液晶层,上述第一基板包括:第一布线及第二布线,沿第一方向隔有间隔地相邻,并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸;带状的主像素电极,位于上述第一布线和上述第二布线之间,包括沿第二方向直线延伸的第一边缘;以及副像素电极,包括第二边缘,该第二边缘沿与上述主像素电极的上述第一边缘不同的方向延伸,与上述第一边缘相连;上述第二基板包括主公共电极,该主公共电极与上述第一布线及上述第二布线分别相对置,与上述主像素电极大致平行地延伸;上述液晶层包含被保持在上述第一基板与上述第二基板之间的液晶分子;上述第一边缘与上述第二边缘之间的外角是钝角。
根据另一实施例,液晶显示装置的特征在于,包括:第一基板、第二基板和液晶层,上述第一基板包括:第一布线及第二布线,沿第一方向隔有间隔地相邻,并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸;带状的主像素电极,位于上述第一布线和上述第二布线之间,沿第一方向具有第一宽度,沿第二方向直线延伸;以及副像素电极,在上述主像素电极的第二方向的一端部交叉,包括朝向上述第一布线及上述第二布线分别突出的突出部;上述第二基板包括主公共电极,该主公共电极与上述第一布线及上述第二布线分别相对置,与上述主像素电极大致平行地延伸;上述液晶层包含被保持在上述第一基板与上述第二基板之间的液晶分子;上述副像素电极沿第一方向具有比第一宽度大的第二宽度,并且在其中央部沿第一方向具有作为最大宽度的第三宽度;而且在上述主像素电极侧沿第二方向具有第四宽度,在上述第一布线侧及上述第二布线侧分别沿第二方向具有比第四宽度小的第五宽度。
以下,参照附图来详细说明本实施方式。在各图中,对发挥同一或类似功能的构件附以同一标号,并省略重复的说明。
图1是本实施方式的液晶显示装置的结构及等价电路的概略图。
即,液晶显示装置包括有源矩阵型的液晶显示面板LPN。液晶显示面板LPN包括:作为第一基板的阵列基板AR;作为第二基板的对置基板CT,与阵列基板AR相对置地配置;以及液晶层LQ,被保持在该阵列基板AR和对置基板CT之间。这种液晶显示面板LPN包括显示图像的有源区ACT。该有源区ACT具有配置为m×n个的矩阵状的多个像素PX(其中,m及n是正整数)。
液晶显示面板LPN在有源区ACT上,包括n根栅极布线G(G1~Gn)、n根辅助电容线C(C1~Cn)、m根源极布线S(S1~Sm)等。栅极布线G及辅助电容线C例如沿第一方向X大致直线延伸。这些栅极布线G及辅助电容线C沿与第一方向X交叉的第二方向Y隔有间隔地相邻,并被交替地并列配置。这里,第一方向X和第二方向Y相互正交。源极布线S与栅极布线G及辅助电容线C交叉。源极布线S沿第二方向Y大致直线延伸。其中,栅极布线G、辅助电容线C、及源极布线S也可以不必直线延伸,它们的一部分也可以弯曲。
各栅极布线G被引出到有源区ACT的外侧,被连接在栅极驱动器GD上。各源极布线S被引出到有源区ACT的外侧,被连接在源极驱动器SD上。这些栅极驱动器GD及源极驱动器SD的至少一部分例如被形成在阵列基板AR上,与内置了控制器的驱动IC芯片2相连。
各像素PX包括切换元件SW、像素电极PE、公共电极CE等。保持电容Cs例如被形成在辅助电容线C和像素电极PE之间。辅助电容线C与被施加了辅助电容电压的电压施加部VCS电连接。
在本实施方式中,液晶显示面板LPN采用将像素电极PE形成在阵列基板AR上而将公共电极CE的至少一部分形成在对置基板CT上的结构,主要利用这些像素电极PE和公共电极CE之间形成的电场来切换液晶层LQ的液晶分子。像素电极PE和公共电极CE之间形成的电场是相对于由第一方向X和第二方向Y规定的X-Y平面或阵列基板AR的基板主面或对置基板CT的基板主面略微倾斜的倾斜电场(或与基板主面大致平行的横向电场)。
切换元件SW例如由n沟道薄膜晶体管(TFT)构成。该切换元件SW与栅极布线G及源极布线S电连接。这种切换元件SW可以是顶栅型或底栅型中的任一种。此外,切换元件SW的半导体层例如由多晶硅形成,但是也可以由非晶硅形成。
像素电极PE被配置在各像素PX中,与切换元件SW电连接。公共电极CE例如是公共电位,经液晶层LQ相对于多个像素PX的像素电极PE共用地配置。这种像素电极PE及公共电极CE例如由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等具有透光性的导电材料形成,但是也可以由铝等其他金属材料形成。
阵列基板AR包括用于向公共电极CE施加电压的供电部VS。该供电部VS例如被形成在有源区ACT的外侧。公共电极CE被引出到有源区ACT的外侧,经未图示的导电部件,与供电部VS电连接。
图2是从对置基板侧看图1所示的液晶显示面板LPN时的一个像素PX的构造例的概略平面图。这里,示出了X-Y平面上的平面图。
栅极布线G1、栅极布线G2、及辅助电容线C1分别沿第一方向X延伸。源极布线S1及源极布线S2分别沿第二方向Y延伸。辅助电容线C1位于栅极布线G1和栅极布线G2的大致中间。即,栅极布线G1和辅助电容线C1沿第二方向Y的间隔与栅极布线G2和辅助电容线C1沿第二方向Y的间隔大致同等。
在图示的例子中,像素PX如图中的虚线所示,相当于栅极布线G1及栅极布线G2与源极布线S1及源极布线S2所成的网格的区域,是沿第二方向Y的长度比沿第一方向X的长度长的长方形。像素PX沿第一方向X的长度相当于源极布线S1与源极布线S2之间的沿第一方向X的节距,像素PX沿第二方向Y的长度相当于栅极布线G1与栅极布线G2之间的沿第二方向Y的节距。像素电极PE被配置在相邻的源极布线S1和源极布线S2之间。此外,该像素电极PE位于栅极布线G1和栅极布线G2之间。
在图示的例子中,在像素PX中,源极布线S1被配置在左侧端部,源极布线S2被配置在右侧端部,栅极布线G1被配置在上侧端部,栅极布线G2被配置在下侧端部。严密地说,源极布线S1跨该像素PX与其左侧相邻的像素之间的边界来配置,源极布线S2跨该像素PX与其右侧相邻的像素之间的边界来配置,栅极布线G1跨该像素PX与其上侧相邻的像素之间的边界来配置,栅极布线G2跨该像素PX与其下侧相邻的像素之间的边界来配置。辅助电容线C1被配置在像素PX的大致中央部。
图示的例子的切换元件SW与栅极布线G1及源极布线S1电连接。该切换元件SW被设在栅极布线G1及源极布线S1的交点上,其漏极布线沿源极布线S1及辅助电容线C1延长,经与辅助电容线C1重叠的区域上形成的接触孔CH而与像素电极PE电连接。这种切换元件SW被设在与源极布线S1及辅助电容线C1重叠的区域上,几乎不从与源极布线S1及辅助电容线C1重叠的区域露出,抑制了对显示有贡献的开口部的面积的减少。
像素电极PE包括主像素电极PA及副像素电极PB。这些主像素电极PA及副像素电极PB被一体或连续形成,相互电连接。在图示的例子中,只图示了配置在一个像素PX上的像素电极PE,但是对省略了图示的其他像素也配置了同一形状的像素电极。
主像素电极PA位于源极布线S1和源极布线S2之间。在图示的例子中,副像素电极PB在主像素电极PA沿第二方向的中间部交叉。因此,主像素电极PA从与副像素电极PB之间的交叉部到像素PX的上侧端部附近及下侧端部附近沿第二方向Y直线延伸。即,像素电极PE被做成十字形。此外,主像素电极PA被配置在源极布线S1和源极布线S2的大致中间的位置、即像素PX的中央。源极布线S1与主像素电极PA之间的沿第一方向X的间隔与源极布线S2与主像素电极PA之间的沿第一方向X的间隔大致同等。这种主像素电极PA被做成沿第一方向具有大致同一宽度W1的带状。此外,主像素电极PA具有沿第二方向Y直线延伸的第一边缘E1。第一边缘E1以宽度W1的间隔,分别位于主像素电极PA的源极布线S1侧及主像素电极PA的源极布线S2侧。
副像素电极PB与主像素电极PA交叉,沿第一方向X延伸。或者,该副像素电极PB从主像素电极PA的第一边缘E1沿第一方向X突出。这种副像素电极PB包括从与主像素电极PA之间的交叉部朝向源极布线S1及源极布线S2分别突出的突出部。即,该副像素电极PB中,从主像素电极PA朝向源极布线S1突出的区域相当于突出部PB1,从主像素电极PA朝向源极布线S2突出的区域相当于突出部PB2。这些突出部PB1及突出部PB2位于夹着主像素电极PA的两侧,是同一形状,是相对于主像素电极PA沿第二方向Y的中心线O线对称的形状。这种副像素电极PB具有与第一边缘E1相连的第二边缘E2。该边缘E2沿与第一边缘E1不同的方向即与第二方向Y不同的方向延伸。该副像素电极PB的形状以后详述。
在图示的例子中,副像素电极PB与辅助电容线C1相对置。即,副像素电极PB的突出部PB1及突出部PB2整体位于与辅助电容线C1重叠的区域。这种副像素电极PB经接触孔CH而与切换元件SW电连接。
公共电极CE包括主公共电极CA。该主公共电极CA在X-Y平面内,在夹着主像素电极PA的两侧沿与主像素电极PA大致平行的第二方向Y直线延伸。或者,主公共电极CA与沿第二方向延伸的源极布线S分别相对置,并且与主像素电极PA大致平行地延伸。这种主公共电极CA被做成沿第一方向X具有大致同一宽度的带状。
在图示的例子中,主公共电极CA沿第一方向X隔开间隔地平行排列2根,包括被配置在像素PX的左侧端部的主公共电极CAL、和被配置在像素PX的右侧端部的主公共电极CAR。严密地说,主公共电极CAL跨该像素PX与其左侧相邻的像素之间的边界来配置,主公共电极CAR跨该像素PX与其右侧相邻的像素之间的边界来配置。主公共电极CAL与源极布线S1相对置,主公共电极CAR与源极布线S2相对置。这些主公共电极CAL及主公共电极CAR在有源区内或有源区外相互电连接。
着眼于像素电极PE与主公共电极CA的位置关系,则像素电极PE和主公共电极CA沿第一方向X交替配置。主像素电极PA和主公共电极CA相互大致平行地配置。此时,在X-Y平面内,无论哪个主公共电极CA都不与像素电极PE重叠。
1根像素电极PE位于相邻的主公共电极CAL及主公共电极CAR之间。换言之,主公共电极CAL及主公共电极CAR被配置在夹着像素电极PE的正上方的位置的两侧。或者,像素电极PE被配置在主公共电极CAL及主公共电极CAR之间。因此,主公共电极CAL、主像素电极PA、及主公共电极CAR被沿第一方向X依次配置。
主像素电极PA位于主公共电极CAL与主公共电极CAR的大致中间。即,主公共电极CAL和主像素电极PA之间的沿第一方向X的间隔与主公共电极CAR和主像素电极PA之间的沿第一方向X的间隔大致同等。
图3是将图2所示的副像素电极PB及其周边放大了的X-Y平面上的平面图。这里,只图示了说明所需的部位。
在图示的例子中,副像素电极PB中的、位于主像素电极PA与源极布线S1之间的突出部PB1、及位于主像素电极PA与源极布线S2之间的突出部PB2分别是三角形,更具体地说是等腰三角形。即,突出部PB1及突出部PB2分别包括相对于第一方向X倾斜的斜边E21及斜边E22、和与第一边缘E1位于同一直线上的底边E23。在底边E23的长度与斜边E21及斜边E22相等时,突出部PB1及突出部PB2分别为正三角形。斜边E21及斜边E22相当于与第一边缘E1分别相连的一对直线状的第二边缘E2。斜边E21的长度与斜边E22的长度相等。斜边E21与斜边E22不平行。突出部PB1的斜边E21和斜边E22的交点、即突出部PB1的顶点T1处于与源极布线S1或主公共电极CAL最接近的位置。突出部PB2的斜边E21和斜边E22的交点、即突出部PB1的顶点T2处于与源极布线S2或主公共电极CAR最接近的位置。
这种副像素电极PB在主像素电极PA的中间部交叉,所以主像素电极PA和副像素电极PB在4处形成外角θ1。这里的外角θ1相当于第一边缘E1和直线状的第二边缘E2所成的角度。4处形成的外角θ1都为比90°大的钝角。图示的4处外角θ1都是大致同等的角度。因此,4处外角θ1之和大于360度。作为一例,外角θ1是135°。换言之,底边E23和第二边缘E2的内角θ2为锐角。
着眼于副像素电极PB沿第一方向X的宽度,则突出部PB1的斜边E21和突出部PB2的斜边E21之间沿第一方向X的宽度W2大于主像素电极PA的宽度W1。突出部PB1的顶点T1和突出部PB2的顶点T2之间沿第一方向X的宽度W3大于宽度W2,为最大宽度。突出部PB1的斜边E22和突出部PB2的斜边E22之间沿第一方向X的宽度W4大于主像素电极PA的宽度W1,小于宽度W3。即,副像素电极PB在沿第二方向Y的中央部沿第一方向X具有作为最大宽度的宽度W3,在夹着该中央部的两侧为比宽度W1大且比宽度W3小的宽度。
着眼于副像素电极PB沿第二方向Y的宽度,越远离主像素电极PA(或者越接近源极布线或主公共电极),则宽度越小。即,副像素电极PB的突出部PB1在从第一边缘E1(或底边E23)沿第一方向X间隔了距离D1的位置(主像素电极PA侧的位置)上具有宽度W11,在从第一边缘E1沿第一方向X间隔了比距离D1更远的距离D2的位置(源极布线S1侧的位置或主公共电极CAL侧的位置)上具有比宽度W11小的宽度W12。同样,副像素电极PB的突出部PB2在主像素电极PA侧的位置上具有宽度W11,在源极布线S2侧的位置或主公共电极CAR侧的位置上具有比宽度W11小的宽度W12。
图4是将图2所示的液晶显示面板LPN沿A-A线切断时的断面构造的概略断面图。这里,只图示了说明所需的部位。
在构成液晶显示面板LPN的阵列基板AR的背面侧,配置了背光源4。作为背光源4,可以应用种种形态;此外,光源采用发光二极管(LED)者和采用冷阴极管(CCFL)者等中的哪一种都可以应用,省略详细构造的说明。
阵列基板AR用具有透光性的第一绝缘基板10形成。源极布线S被形成在第一层间绝缘膜11上,被第二层间绝缘膜12覆盖。其中,未图示的栅极布线和辅助电容线例如被配置在第一绝缘基板10和第一层间绝缘膜11之间。像素电极PE被形成在第二层间绝缘膜12上。该像素电极PE比相邻的源极布线S各自的正上方的位置更靠它们的内侧。第一取向膜AL1被配置在阵列基板AR的与对置基板CT相对置的面上,在有源区ACT的大致整体上延伸。该第一取向膜AL1覆盖像素电极PE等,也被配置在第二层间绝缘膜12上。这种第一取向膜AL1由呈现水平取向性的材料形成。其中,阵列基板AR也可以包括公共电极CE的一部分。
对置基板CT用具有透光性的第二绝缘基板20形成。该对置基板CT包括黑矩阵BM、滤色器CF、保护层OC、公共电极CE、第二取向膜AL2等。
黑矩阵BM划分各像素PX,形成与像素电极PE相对置的开口部AP。即,黑矩阵BM被配置得与源极布线S、栅极布线、辅助电容线、切换元件等的布线部相对置。这里,黑矩阵BM只图示了沿第二方向Y延伸的部分,但是也可以包括沿第一方向X延伸的部分。该黑矩阵BM被配置在第二绝缘基板20的与阵列基板AR相对置的内面20A上。
滤色器CF与各像素PX相对应地配置。即,滤色器CF被配置在第二绝缘基板20的内面20A的开口部AP上,并且其一部分延伸跃到黑矩阵BM上。沿第一方向X相邻的像素PX上分别配置的滤色器CF颜色互异。例如,滤色器CF由分别着色为红色、蓝色、绿色这三原色的树脂材料形成。由着色为红色的树脂材料组成的红色滤色器CFR与红色像素相对应地配置。由着色为蓝色的树脂材料组成的蓝色滤色器CFB与蓝色像素相对应地配置。由着色为绿色的树脂材料组成的绿色滤色器CFG与绿色像素相对应地配置。这些滤色器CF之间的边界处于与黑矩阵BM重叠的位置。保护层OC覆盖着滤色器CF。该保护层OC缓和滤色器CF的表面的凹凸的影响。这种保护层OC例如由透明的树脂材料形成。
公共电极CE被形成在保护层OC的与阵列基板AR相对置的一侧。主公共电极CA位于源极布线S的上方。第二取向膜AL2被配置在对置基板CT的与阵列基板AR相对置的面上,在有源区ACT的大致整体上延伸。该第二取向膜AL2覆盖公共电极CE及保护层OC等。这种第二取向膜AL2由呈现水平取向性的材料形成。
对这些第一取向膜AL1及第二取向膜AL2,进行了用于使液晶层LQ的液晶分子初始取向的取向处理(例如摩擦处理或光取向处理)。第一取向膜AL1使液晶分子初始取向的第一取向处理方向PD1、与第二取向膜AL2使液晶分子初始取向的第二取向处理方向PD2平行。在图2(A)所示的例子中,第一取向处理方向PD1和第二取向处理方向PD2相互平行,相互同朝向。在图2(B)所示的例子中,第一取向处理方向PD1和第二取向处理方向PD2相互平行,相互逆朝向。
上述阵列基板AR和对置基板CT被配置得使得各自的第一取向膜AL1及第二取向膜AL2相对置。此时,在阵列基板AR的第一取向膜AL1与对置基板CT的第二取向膜AL2之间,例如配置由树脂材料在一方基板上一体形成的柱状隔离物,由此,形成规定的单元间隙、例如2~7μm的单元间隙。阵列基板AR和对置基板CT在形成了规定的单元间隙的状态下,由有源区ACT的外侧的密封材料SB粘合。
液晶层LQ被保持在阵列基板AR与对置基板CT之间形成的单元间隙中,被配置在第一取向膜AL1与第二取向膜AL2之间。液晶层LQ包含液晶分子LM。这种液晶层LQ例如由介电常数各向异性为正(正型)的液晶材料构成。
在阵列基板AR的外面、即构成阵列基板AR的第一绝缘基板10的外面10B上,用粘接剂等粘贴着第一光学元件OD1。该第一光学元件OD1位于液晶显示面板LPN的与背光源4相对置的一侧,控制从背光源4入射到液晶显示面板LPN上的入射光的偏光状态。该第一光学元件OD1包含具有第一偏光轴(或第一吸收轴)AX1的第一偏光板PL1。其中,也可以在第一偏光板PL1与第一绝缘基板10之间配置相差板等其他光学元件。
在对置基板CT的外面、即构成对置基板CT的第二绝缘基板20的外面20B上,用粘接剂等粘贴着第二光学元件OD2。该第二光学元件OD2位于液晶显示面板LPN的显示面侧,控制从液晶显示面板LPN出射的出射光的偏光状态。该第二光学元件OD2包含具有第二偏光轴(或第二吸收轴)AX2的第二偏光板PL2。其中,也可以在第二偏光板PL2与第二绝缘基板20之间配置相差板等其他光学元件。
第一偏光板PL1的第一偏光轴AX1、和第二偏光板PL2的第二偏光轴AX2处于正交偏振(正交尼科)的位置关系。此时,一方偏光板例如被配置得使得其偏光轴与液晶分子LM的初始取向方向即第一取向处理方向PD1或第二取向处理方向PD2平行或正交。在初始取向方向与第二方向Y平行的情况下,一方偏光板的偏光轴与第二方向Y平行,或者与第一方向X平行。
在图2中,在(a)所示的例子中,第一偏光板PL1被配置得使得其第一偏光轴AX1与液晶分子LM的初始取向方向即第二方向Y正交,而第二偏光板PL2被配置得使得其第二偏光轴AX2与液晶分子LM的初始取向方向平行。此外,在图2中,在(b)所示的例子中,第二偏光板PL2被配置得使得其第二偏光轴AX2与液晶分子LM的初始取向方向即第二方向Y正交,而第一偏光板PL1被配置得使得其第一偏光轴AX1与液晶分子LM的初始取向方向平行。
接着,参照图2至图4来说明上述结构的液晶显示面板LPN的动作。
即,在未向液晶层LQ施加电压的状态下,即在像素电极PE与公共电极CE之间未形成电场的状态下(OFF(“关”)时),液晶层LQ的液晶分子LM取向成为其长轴朝向第一取向膜AL1的第一取向处理方向PD1及第二取向膜AL2的第二取向处理方向PD2。这种OFF时相当于初始取向状态,OFF时的液晶分子LM的取向方向相当于初始取向方向。
其中,严密地说,液晶分子LM不限于取向为与X-Y平面平行,很多情况下进行预倾。因此,这里的液晶分子LM的初始取向方向是指将OFF时的液晶分子LM的长轴正投影到X-Y平面上所得的方向。以下,为了简化说明,假设液晶分子LM取向为与X-Y平面平行,在与X-Y平面平行的面内旋转,来进行说明。
这里,第一取向处理方向PD1及第二取向处理方向PD2都是与第二方向Y大致平行的方向。在OFF时,液晶分子LM如图2虚线所示,其长轴沿与第二方向Y大致平行的方向来初始取向。即,液晶分子LM的初始取向方向是与第二方向Y平行(或者与第二方向Y成0°)。
如图示的例子所示,在第一取向处理方向PD1及第二取向处理方向PD2平行而且同朝向的情况下,在液晶层LQ的断面上,液晶分子LM在液晶层LQ的中间部附近大致水平(预倾角大致为零)地取向,以此为边界,在第一取向膜AL1的近旁及第二取向膜AL2的近旁具有对称的预倾角来取向(扩散(spray)取向)。在这样液晶分子LM扩散取向的状态下,在从基板的法线方向倾斜的方向上也由第一取向膜AL1的近旁的液晶分子LM和第二取向膜AL2的近旁的液晶分子LM来光学补偿。因此,在第一取向处理方向PD1及第二取向处理方向PD2相互平行而且同朝向的情况下,黑显示的情况下漏光少,能够实现高对比度,能够提高显示质量。
而在第一取向处理方向PD1及第二取向处理方向PD2相互平行而且逆向的情况下,在液晶层LQ的断面上,液晶分子LM在第一取向膜AL1的近旁、第二取向膜AL2的近旁、及液晶层LQ的中间部具有大致均匀的预倾角来取向(均匀(homogeneous)取向)。
来自背光源4的背光的一部分透射第一偏光板PL1,入射到液晶显示面板LPN上。入射到液晶显示面板LPN上的光是与第一偏光板PL1的第一偏光轴AX1正交的直线偏光。这种直线偏光的偏光状态在通过OFF时的液晶显示面板LPN时几乎不变化。因此,透射液晶显示面板LPN的直线偏光由与第一偏光板PL1处于正交偏振的位置关系的第二偏光板PL2吸收(黑显示)。
另一方面,在向液晶层LQ施加了电压的状态下,即在像素电极PE与公共电极CE之间形成了电位差的状态下(ON(“开”)时),在像素电极PE和公共电极CE之间形成与基板大致平行的横向电场(或倾斜电场)。液晶分子LM受电场的影响,其长轴如图中的实线所示,在与X-Y平面大致平行的平面内旋转。
在图2所示的例子中,像素电极PE与主公共电极CAL之间的区域中的、下侧一半的区域内的液晶分子LM相对于第二方向Y顺时针旋转,朝向图中的左下地取向,而上侧一半的区域内的液晶分子LM相对于第二方向Y逆时针旋转,朝向图中的左上地取向。像素电极PE与主公共电极CAR之间的区域中的、下侧一半的区域内的液晶分子LM相对于第二方向Y逆时针旋转,朝向图中的右下地取向,而上侧一半的区域内的液晶分子LM相对于第二方向Y顺时针旋转,朝向图中的右上地取向。
这样,在各像素PX上,在像素电极PE与公共电极CE之间形成了电场的状态下,液晶分子LM的取向方向以与像素电极PE重叠的位置为边界分为多个方向,按各自的取向方向来形成畴(domain)。即,在一个像素PX上,形成多个畴。
在这种ON时,与第一偏光板PL1的第一偏光轴AX1正交的直线偏光入射到液晶显示面板LPN上,其偏光状态按照通过液晶层LQ时液晶分子LM的取向状态来变化。在这种ON时,通过液晶层LQ的至少一部分光透射第二偏光板PL2(白显示)。
图5是图2所示的液晶显示面板LPN上的像素电极PE与公共电极CE之间形成的电场、及该电场造成的液晶分子LM的指向矢与透射率的关系的说明图。
在OFF状态下,液晶分子LM沿与第二方向Y大致平行的方向来初始取向。在像素电极PE与公共电极CE之间形成了电位差的ON状态下,在液晶分子LM的指向矢(或液晶分子LM的长轴方向)在X-Y平面内变为相对于第一偏光板PL1的第一偏光轴AX1及第二偏光板PL2的第二偏光轴AX2大约偏离45°的状态时,液晶层LQ的光学调制系数最高(即,开口部的透射率最大)。
在图示的例子中,在变为ON状态时,主公共电极CAL与像素电极PE之间的液晶分子LM的指向矢在X-Y平面内与45°-225°的方位大致平行,主公共电极CAR与像素电极PE之间的液晶分子LM的指向矢在X-Y平面内与135°-315°的方位大致平行,得到峰值透射率。在液晶分子LM的指向矢在X-Y平面内与0°-180°的方位大致平行的情况下,或者在X-Y平面内与90°-270°的方位大致平行的情况下,开口部的透射率最小。
在ON状态下,着眼于每一个像素的透射率分布,则在像素电极PE上及公共电极CE上,液晶分子LM几乎不从初始取向方向旋转。即,液晶分子LM的指向矢与90°-270°的方位大致平行。因此,透射率大致为零,而在像素电极PE与公共电极CE之间的电极间隙中,在大致整个区域上得到高透射率。
其中,位于源极布线S1的正上方的主公共电极CAL及位于源极布线S2的正上方的主公共电极CAR分别与黑矩阵BM相对置,但是这些主公共电极CAL和主公共电极CAR都具有与黑矩阵BM沿第一方向X的宽度同等以下的宽度,未延伸到比与黑矩阵BM重叠的位置更靠像素电极PE一侧。因此,对每一个像素,对显示有贡献的开口部相当于黑矩阵BM之间或源极布线S1和源极布线S2之间的区域中的、像素电极PE与主公共电极CAL及主公共电极CAR之间的区域。
在本实施方式中,像素电极PE包括副像素电极PB,该副像素电极PB在靠近主像素电极PA的位置上具有宽度W11,并且在更远离主像素电极PA的位置上具有比宽度W11小的宽度W12。因此,在开口部上能够得到高透射率。这一点以下将更具体地说明。
图6是本实施方式的液晶显示面板LPN上的像素电极PE与公共电极CE之间形成的电场及透射率的关系的说明图。这里,以从主像素电极PA突出的副像素电极PB的突出部PB1与主公共电极CAL之间形成的电场和透射率的关系为例来进行说明。这里所示的例子相当于副像素电极PB沿第二方向Y的宽度越远离主像素电极PA则越小的例子、或主像素电极PA的第一边缘E1和与其相连的副像素电极PB的第二边缘E2之间的外角θ1是钝角的例子。
在ON时,在主像素电极PA及副像素电极PB与主公共电极CAL之间形成电场,在液晶分子LM的取向状态从初始取向状态变化了的区域中背光透射,成为亮部(白显示)。但是,如上所述,即使在ON时,在与像素电极PE及公共电极CE重叠的区域中,液晶分子LM的取向状态也几乎不从初始取向状态变化,所以背光不透射,成为暗部(黑显示)。其中,在与通过副像素电极PB的正下方且沿第一方向X延伸的辅助电容线C1、或未图示的栅极布线及源极布线重叠的区域中,由于这些布线由不透明的布线材料形成,所以不管是ON时还是OFF时,背光都不透射,成为暗部。
在这种ON时,从第一边缘E1和第二边缘E2相连的交点E12朝向主公共电极CAL的电场在X-Y平面内接近45°-225°方位、或135°-315°方位。因此,在与辅助电容线C1不重叠且接近交点E12的区域中,液晶分子LM取向为接近透射率最大的45°-225°方位、或135°-315°方位。即,在这种交点E12附近的区域中,背光透射,成为亮部(白显示)。
另一方面,从突出部PB1的顶点T1附近朝向主公共电极CAL的电场在X-Y平面内接近0°-180°方位。因此,这种区域的液晶分子LM取向为接近透射率最小的0°-180°方位。即,这种区域成为背光不透射的暗部,但是本来位于辅助电容线C1的正上方,不管液晶分子LM的取向状态如何,都成为暗部,所以没有实质性的透射率的损失。
这样,根据本实施方式的结构,能够抑制在第一边缘E1和第二边缘E2相连的交点E12附近产生暗部,能够提高透射率。
图7是比较例的液晶显示面板LPN中的像素电极PE和公共电极CE之间形成的电场及透射率的关系的说明图。这里所示的例子相当于副像素电极PB沿第二方向Y的宽度不管离主像素电极PA的距离如何都恒定的例子、或主像素电极PA的第一边缘E1和与其相连的副像素电极PB的第二边缘E2之间的外角θ1是直角的例子。
在ON时,在主像素电极PA及副像素电极PB与主公共电极CAL之间形成电场。在这种ON时,从第一边缘E1和第二边缘E2相连的交点E12朝向主公共电极CAL的电场在X-Y平面内接近90°-270°方位。特别是在接近交点E12的位置上,电场被形成得沿第一边缘E1。因此,在与辅助电容线C1不重叠且接近交点E12的区域中,液晶分子LM取向为接近透射率最小的90°-270°方位。即,在这种区域上,背光不透射,成为暗部(黑显示)。
这样,根据比较例的结构,在第一边缘E1和第二边缘E2相连的交点E12附近产生暗部,所以损失透射率。即,在图7所示的比较例中,与图6所示的本实施方式相比,透射率降低。在图7所示的比较例中,说明了第一边缘E1和第二边缘E2之间的外角θ1是直角的情况,但是外角θ1越小于90°,则交点E12与主公共电极CAL之间形成的电场越接近90°-270°方位,所以暗部扩大,透射率的损失增大。
为了确认上述现象,发明人准备了与图6所示的本实施方式相当的液晶显示装置、和与图7所示的比较例相当的液晶显示装置,在向液晶层LQ施加了同一电压的ON状态下,测定了透射率。在与本实施方式相当的液晶显示装置中,将主像素电极PA的第一边缘E1和与其相连的副像素电极PB的第二边缘E2之间的外角θ1设为135°。在与比较例相当的液晶显示装置中,将第一边缘E1和第二边缘E2之间的外角θ1设为80°。其他条件完全相同。即,将主像素电极PA沿第一方向X的宽度设为5μm,将主公共电极CA沿第一方向X的宽度设为5μm,将主像素电极PA与主公共电极CA之间的沿第一方向X的水平电极间距离设为10μm,将像素节距设为30μm,将单元间隙设为4μm。
在将与比较例相当的液晶显示装置中的透射率设为1时,与本实施方式相当的液晶显示装置能够得到1.05的透射率。
根据这种本实施方式,能够抑制在阵列基板AR中包括的像素电极PE的主像素电极PA和与其相连的副像素电极PB的交点附近产生暗部,能够抑制透射率的降低。由此,能够得到良好的显示质量。
此外,根据本实施方式,在像素电极PE和公共电极CE之间的电极间隙中能得到高透射率。因此,通过扩大主像素电极与主公共电极之间的电极间距离,能够充分提高每一个像素的透射率。此外,对于像素节距不同的产品规格,通过变更电极间距离,能够利用图5所示的透射率分布的峰值条件。即,在本实施方式的显示模式下,从像素节距比较大的低分辨率的产品规格到像素节距比较小的高分辨率的产品规格,不一定需要细微的电极加工,就能够通过设置电极间距离来提供种种像素节距的产品。因此,能够容易地实现高透射率且高分辨率的要求。
此外,根据本实施方式,如图5所示,着眼于与黑矩阵BM重叠的区域中的透射率分布,则透射率足够降低。这是因为在比公共电极CE的位置更靠该像素的外侧不发生电场的泄漏,而且在夹着黑矩阵BM而相邻的像素间不产生不期望的横向电场,所以与黑矩阵BM重叠的区域的液晶分子与OFF时(或黑显示时)同样保持着初始取向状态。因此,即使在相邻的像素间滤色器的颜色不同的情况下,也能够抑制混色的发生,能够抑制彩色重现性的降低和对比度的降低。
此外,在发生阵列基板AR和对置基板CT的对位偏差时,与夹着像素电极PE的两侧的公共电极CE之间的水平电极间距离有时发生差异。然而,这种对位偏差对所有像素PX共同发生,所以像素PX间的电场分布没有差异,对像素的显示造成的影响极小。此外,即使在阵列基板AR和对置基板CT之间发生了对位偏差,也能够抑制不期望的电场泄漏到相邻的像素。因此,即使在相邻的像素间滤色器的颜色不同的情况下,也能够抑制混色的发生,能够抑制彩色重现性的降低和对比度的降低。
此外,根据本实施方式,主公共电极CA分别与源极布线S相对置。特别是在主公共电极CAL及主公共电极CAR分别被配置在源极布线S1及源极布线S2的正上方的情况下,与主公共电极CAL及主公共电极CAR被配置得比源极布线S1及源极布线S2更靠像素电极PE侧的情况相比,能够扩大开口部AP,能够提高像素PX的透射率。
此外,通过将主公共电极CAL及主公共电极CAR分别配置在源极布线S1及源极布线S2的正上方,能够扩大像素电极PE与主公共电极CAL及主公共电极CAR之间的电极间距离,能够形成更接近水平的横向电场。因此,也能够维持作为以往结构的IPS模式等的优点即广视角化。
此外,根据本实施方式,能够在一个像素内形成多个畴。因此,能够在多个方向上光学补偿视角,能够实现广视角化。
在上述例子中,说明了液晶分子LM的初始取向方向与第二方向Y平行的情况,但是液晶分子LM的初始取向方向也可以如图2所示,是与第二方向Y倾斜交叉的倾斜方向D。这里,初始取向方向D与第二方向Y所成的角度Θ是0°以上、45°以下的角度。其中,从液晶分子LM的取向控制的观点出发,液晶分子LM的初始取向方向最好是与第二方向Y成0°以上、20°以下的范围内的方向。
此外,在上述例子中,说明了液晶层LQ由具有正(正型)的介电常数各向异性的液晶材料构成的情况,但是液晶层LQ也可以由介电常数各向异性为负(负型)的液晶材料构成。但是,虽然省略详细说明,然而由于介电常数各向异性处于正负相反的关系,在负型液晶材料的情况下,上述所成的角度Θ最好设为45°以上、90°以下的角度,更好的是70°以上、90°以下的范围内。
其中,即使在ON时,在像素电极PE上或公共电极CE上,也几乎不形成横向电场(或者不形成足以驱动液晶分子LM的电场),所以液晶分子LM与OFF时同样几乎不从初始取向方向变动。因此,即使像素电极PE及公共电极CE由ITO等透光性的导电材料形成,在这些区域中,背光也几乎不透射,在ON时也对显示几乎没有贡献。因此,像素电极PE及公共电极CE不必由透明的导电材料形成,也可以用铝或银、铜等不透明的布线材料形成。
此外,在上述例子中,说明了在副像素电极PB的正下方配置了辅助电容线的结构,但是在副像素电极PB的正下方,也可以配置栅极布线。即,副像素电极PB的突出部PB1及突出部PB2也可以整体位于与栅极布线重叠的区域。
在本实施方式中,像素PX的结构并不限于图2所示的例子。以下说明本实施方式的变形,图示像素电极PE、主公共电极CAL及主公共电极CAR,省略其他结构的图示。
图8是从对置基板侧看图1所示的液晶显示面板LPN时的一个像素PX的另一构造例的概略平面图。
该构造例与图2所示的构造例相比,不同点在于,副像素电极PB具有与第一边缘E1相连的曲线状的第二边缘E2。在此情况下,第一边缘E1和第二边缘E2之间的外角θ1对应于第一边缘E1和第二边缘E2的切线所成的角度θ1。该所成的角度θ1是钝角。其中,底边E23与第二边缘E2的切线所成的角度θ2是锐角。突出部PB1及突出部PB2分别包括相对于第一方向X倾斜的一对斜边E21及斜边E22、和与第一边缘E1位于同一直线上的底边E23。直线状的斜边E21及斜边E22都与第二边缘E2相连。突出部PB1具有作为斜边E21与斜边E22之间的交点的顶点T1。突出部PB2也同样,具有作为斜边E21与斜边E22之间的交点的顶点T2。其中,顶点T1及顶点T2都有时是圆的。
在这种形状的副像素电极PB上,与参照图3说明的例子相比,也成立同样的宽度关系。因此,在这种构造例中,也能得到与上述构造例同样的效果。
图9是从对置基板侧看图1所示的液晶显示面板LPN时的一个像素PX的另一构造例的概略平面图。
该构造例与图2所示的构造例相比,不同点在于,副像素电极PB的突出部PB1及突出部PB2分别是梯形。即,突出部PB1及突出部PB2分别包括相对于第一方向X倾斜的一对斜边E21及斜边E22、与第一边缘E1位于同一直线上的下底E23、以及比下底E23短的上底E24。斜边E21及斜边E22相当于与第一边缘E1分别相连的一对直线状的第二边缘E2。斜边E21的长度与斜边E22的长度相等。斜边E21与斜边E22不平行。与斜边E21及斜边E22相连的上底E24与第二方向Y平行。突出部PB1的上底E24处于最接近源极布线S1或主公共电极CAL的位置。突出部PB2的上底E24处于最接近源极布线S2或主公共电极CAR的位置。
在此情况下,第一边缘E1与直线状的第二边缘E2之间的外角θ1为钝角。图示的4处外角θ1都是大致同等的角度。因此,4处外角θ1之和大于360度。其中,底边E23和第二边缘E2的切线所成的角度θ2是锐角。
着眼于副像素电极PB沿第一方向X的宽度,则突出部PB1的斜边E21与突出部PB2的斜边E21之间沿第一方向X的宽度W2大于主像素电极PA的宽度W1。突出部PB1的上底E24与突出部PB2的上底E24之间沿第一方向X的宽度W3大于宽度W2,为最大宽度。突出部PB1的斜边E22与突出部PB2的斜边E22之间沿第一方向X的宽度W4大于主像素电极PA的宽度W1,小于宽度W3。即,副像素电极PB在与突出部的上底E24交叉的位置上沿第一方向X具有作为最大宽度的宽度W3。
着眼于副像素电极PB沿第二方向Y的宽度,则分别在副像素电极PB的突出部PB1及突出部PB2中,宽度W11的下底E23长于宽度W12的上底E24。在这种构造例中,也能得到与上述构造例同样的效果。
图10是从对置基板侧看图1所示的液晶显示面板LPN时的一个像素PX的另一构造例的概略平面图。
该构造例与图9所示的构造例相比,不同点在于,副像素电极PB具有与第一边缘E1相连的曲线状的第二边缘E2。在此情况下,第一边缘E1与第二边缘E2之间的外角θ1对应于第一边缘E1和第二边缘E2的切线所成的外角θ1。该所成的外角θ1是钝角。突出部PB1及突出部PB2分别包括相对于第一方向X倾斜的一对斜边E21及斜边E22、与第一边缘E1位于同一直线上的底边E23、以及比下底E23短的上底E24。直线状的斜边E21及斜边E22都与第二边缘E2相连。其中,斜边E21与上底E24的交点、及斜边E22与上底E24的交点都有时是圆的。
在这种形状的副像素电极PB中,与参照图9说明的例子相比,也成立同样的宽度关系。因此,在这种构造例中,也能得到与上述构造例同样的效果。
图11是从对置基板侧看图1所示的液晶显示面板LPN时的一个像素PX的另一构造例的概略平面图。
该构造例与图2所示的构造例相比,不同点在于,副像素电极PB的突出部PB1及突出部PB2分别是半圆形或半椭圆形。在此情况下,主像素电极PA的第一边缘E1、和与其相连的副像素电极PB的第二边缘E2所成的角度θ1为钝角。这里的第二边缘E2相当于突出部PB1及突出部PB2的弧。
在这种形状的副像素电极PB中,与参照图3说明的例子相比,也成立同样的宽度关系。因此,在这种构造例中,也能得到与上述构造例同样的效果。
图12是从对置基板侧看图1所示的液晶显示面板LPN时的一个像素PX的另一构造例的概略平面图。
该构造例与图11所示的构造例相比,不同点在于,副像素电极PB具有与第一边缘E1相连的曲线状的第二边缘E2。在此情况下,第一边缘E1与第二边缘E2之间的外角θ1对应于第一边缘E1和第二边缘E2的切线所成的外角θ1。该所成的外角θ1是钝角。
在这种形状的副像素电极PB中,与参照图3说明的例子相比,也成立同样的宽度关系。因此,在这种构造例中,也能得到与上述构造例同样的效果。
在上述图2、图8至图12的各构造例中,说明了直线状的第一边缘E1和直线状或曲线状的第二边缘E2的组合例,但是第一边缘E1及第二边缘E2在蚀刻等像素电极形成过程中,有时被描绘成缓和的舒缓的曲线。此外,第一边缘E1与第二边缘E2之间的交点等形成副像素电极PB的各边的交点有时也带有圆形。在第一边缘E1及第二边缘E2都是曲线的情况下,第一边缘E1的切线与第二边缘E2的切线所成的角度中、位于像素电极PE的外侧的角度为钝角,位于像素电极PE的内侧的角度为锐角。如果这样配置第一边缘E1和第二边缘E2,则能够抑制在阵列基板AR中包括的像素电极PE的主像素电极PA和与其相连的副像素电极PB之间的交点附近产生暗部,能够抑制透射率的降低。
图13是从对置基板侧看图1所示的液晶显示面板时的一个像素的另一构造例的概略平面图。
该构造例与图2所示的构造例相比,不同点在于,对置基板CT除了主公共电极CA之外,还包括构成公共电极CE的副公共电极CB。该副公共电极CB与主公共电极CA一体或连续地形成,沿第一方向X延伸。这种副公共电极CB与各个栅极布线G相对置。在图示的例子中,副公共电极CB沿第二方向Y隔开间隔地平行排列2根,包括被配置在像素PX的上侧端部的副公共电极CBU、和被配置在像素PX的下侧端部的副公共电极CBB。副公共电极CBU与栅极布线G1相对置,跨该像素PX与其上侧相邻的像素之间的边界来配置。而副公共电极CBB与栅极布线G2相对置,跨该像素PX与其下侧相邻的像素之间的边界来配置。这些副公共电极CBU及副公共电极CBB与主公共电极CA相连,在对置基板CT上构成网格状的公共电极CE。此外,副公共电极CBU及副公共电极CBB与主公共电极CA同样被第二取向膜AL2覆盖。在这种构造例中也能得到与上述构造例同样的效果。
图14是从对置基板侧看阵列基板AR时的另一构造例的概略平面图。
该构造例与图2所示的构造例相比,不同点在于,阵列基板AR包括第一屏蔽电极SE1。该第一屏蔽电极SE1与主公共电极CA电连接,与主公共电极CA同电位。此外,第一屏蔽电极SE1沿第一方向X延伸,与各个栅极布线G相对置。在图示的例子中,第一屏蔽电极SE1沿第二方向Y隔开间隔地平行排列2根。这种第一屏蔽电极SE1可以与像素电极PE形成在同一层上,与像素电极PE由同一材料形成。即,在图4所示的例子中像素电极PE被形成在第二层间绝缘膜12上的情况下,第一屏蔽电极SE1被形成在第二层间绝缘膜12上,被第一取向膜AL1覆盖。其中,该第一屏蔽电极SE1离开像素电极PE。
在这种构造例中,能得到与上述构造例同样的效果。再者,通过设第一屏蔽电极SE1,能够屏蔽来自栅极布线G的不希望的电场。因此,能够进一步抑制显示质量的恶化。
图15是从对置基板侧看阵列基板AR时的另一构造例的概略平面图。
该构造例与图14所示的构造例相比,不同点在于,阵列基板AR除了第一屏蔽电极SE1之外,还包括第二屏蔽电极SE2。该第二屏蔽电极SE2与第一屏蔽电极SE1相连,与主公共电极CA同电位。此外,第二屏蔽电极SE2沿第二方向Y延伸,与各个源极布线S相对置。在图示的例子中,第二屏蔽电极SE2沿第一方向X隔开间隔地平行排列2根。这种第二屏蔽电极SE2可以与像素电极PE形成在同一层上,与像素电极PE由同一材料形成。即,第二屏蔽电极SE2被形成在第二层间绝缘膜12上,被第一取向膜AL1覆盖。其中,该第二屏蔽电极SE2离开像素电极PE。即,副像素电极PB接近第二屏蔽电极SE2,但是与第二屏蔽电极SE2分开。
在这种构造例中,能得到与上述构造例同样的效果。再者,通过设第二屏蔽电极SE2,能够屏蔽来自源极布线S的不希望的电场。因此,能够进一步抑制显示质量的恶化。
上述图13至图15所示的副像素电极PB与图10所示的构造例是同一形状,但是也可以与图2、图8、图9、图11、图12所示的构造例是同一形状。
图16是从对置基板侧看阵列基板AR时的另一构造例的概略平面图。
该构造例与图2所示的构造例相比,不同点在于,像素电极PE被做成T字形。主像素电极PA从栅极布线G1侧的一端部直到栅极布线G2侧的另一端部沿第二方向Y被做成直线状。副像素电极PB与辅助电容线C1相对置,在主像素电极PA沿第二方向Y的一端部交叉。这种副像素电极PB包括从与主像素电极PA之间的交叉部朝向源极布线S1突出的突出部PB1及朝向源极布线S2突出的突出部PB2。这些突出部PB1及突出部PB2是同一形状。这种副像素电极PB具有与第一边缘E1相连的第二边缘E2。
在这种形状的像素电极PE中,主像素电极PA和副像素电极PB在2处形成外角θ1。这里的外角θ1相当于第一边缘E1和第二边缘E2所成的角度。2处形成的外角θ1都为比90°大的钝角,而且都是大致同等的角度。
副像素电极PB沿第一方向X的宽度W2大于主像素电极PA的宽度W1。此外,副像素电极PB在沿第二方向Y的中央部沿第一方向X具有作为最大宽度的宽度W3。副像素电极PB的突出部PB1在主像素电极PA侧的位置上具有宽度W11,在源极布线S1侧的位置或主公共电极CAL侧的位置上具有比宽度W11小的宽度W12。同样,副像素电极PB的突出部PB2在主像素电极PA侧的位置上具有宽度W11,在源极布线S2侧的位置或主公共电极CAR侧的位置上具有比宽度W11小的宽度W12。
在这种构造例中,一个像素中形成的畴数少于图2等所示的构造例,但是能够抑制暗部的产生,能得到与上述构造例同样的效果。
其中,图14至图16所示的构造例的阵列基板AR可以与图2所示的包括主公共电极CA的对置基板CT相组合,也可以与图13所示的包括主公共电极CA及副公共电极CB的对置基板CT相组合。
如上所述,根据本实施方式,能够提供显示质量良好的液晶显示装置。
尽管说明了特定的一些实施例,但是这些实施例只是作为例子给出的,并非用来限制本发明的范围。实际上,可以以各种其他形式来实施新的实施例;而且在不脱离本发明精神的情况下可以对这里说明的实施例的形式进行各种省略、替换和改变。所附权利要求书和它们的等价物包括这些落在本发明的范围和精神内的形式或修改。