TWI449186B - A method of connecting an electrical conductor, an electrical conductor connecting member, a connecting structure, and a solar cell module - Google Patents

A method of connecting an electrical conductor, an electrical conductor connecting member, a connecting structure, and a solar cell module Download PDF

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Description

導電體之連接方法，導電體連接構件，連接構造及太陽電池模組
本發明係關於導電體之連接方法、導電體連接用構件、連接構造及太陽電池模組。
太陽電池模組，具有令複數的太陽電池單元，透過其表面電極電連接的配線構件，以串聯及/或並聯連接的構造。於電極與配線構件的連接上，以往，已使用焊料(例如，參照專利文獻1)。焊料因導通性、固著強度等之連接信賴性優良，廉價且具泛用性，故廣被使用。
另一方面，由保護環境的觀點而言，檢討不使用焊料連接配線的方法。例如，於下述專利文獻2及3中，揭示使用糊狀或薄膜狀之導電性接著劑的連接方法。
專利文獻1：特開2004-204256號公報
專利文獻2：特開2000-286436號公報
專利文獻3：特開2005-101519號公報
但是，專利文獻1中所記載之使用焊料的連接方法，由於焊料的熔融溫度通常為230~260℃左右，故連接所伴隨的高溫或焊料的體積收縮對於太陽電池單元的半導體構造造成不良影響，且所製作的太陽電池模組易產生特性惡化。更且，根據最近半導體基板的薄型化，使得單元的裂開或彎曲更加容易發生。又，以焊料連接，難以控制電極及配線構件間的距離，故難以充分取得包裝時之尺寸精細度。若無法取得充分的尺寸精細度，則在包裝步驟時，連帶造成製品的產率降低。
另一方面，使用專利文獻2及3記載般之導電性接著劑進行電極與配線構件連接的手法，比使用焊料之情形可在低溫下接著，故可抑制高溫下加熱對於太陽電池單元所造成的不良影響。但是，在以此手法製作的太陽電池模組，首先，於太陽電池單元的電極上塗佈或層合糊狀或薄膜狀之導電性接著劑，形成接著劑層，其次，將配線構件對準於所形成之接著劑層並予以接著的步驟，必須對於全部的電極重複進行。因此，具有連接步驟煩雜化且太陽電池模組的生產性降低的問題。
本發明為鑑於上述情事而完成者，以提供可圖謀電連接互相分離之導電體彼此時之連接步驟的簡略化，同時可取得優良之連接信賴性之導電體的連接方法，以及導電體連接用構件為其目的。又，本發明為以提供優良之生產性和高連接信賴性可兩相成立之連接構造及太陽電池模組為其目的。
為了解決上述課題，本發明為提供以電連接互相分離之第1導電體與第2導電體的方法，其係具備將金屬箔、設置於該金屬箔之一面之第1接著劑層、及第1導電體依此順序配置的狀態，進行加熱加壓，以電連接金屬箔與第1導電體，同時予以接著，將金屬箔、第1接著劑層或設置於金屬箔之另一面之第2接著劑層及第2導電體依此順序配置的狀態，進行加熱加壓，以電連接金屬箔與第2導電體，同時予以接著之步驟之導電體的連接方法。
若根據本發明之導電體之連接方法，經由使用預先設置接著劑層的金屬箔，則可輕易配設控制導電體、與具有作為電連接各導電體的配線構件職務之金屬箔之間厚度的接著劑 層，且可良好接著，同時比使用焊料之情形可在更低溫(特別於200℃以下)令導電體與金屬箔連接，並且可充分抑制設置導電體之基材裂開或彎曲等。因此，若根據本發明之導電體之連接方法，則可圖謀電連接互相分離之導電體彼此時之連接步驟的簡略化，同時可取得優良的連接信賴性。
於本發明之導電體的連接方法中，第1接著劑層之厚度、或、第1接著劑層及第2接著劑層之厚度為滿足下述式(1)的條件為佳。
0.8≦t/Rz≦1.5...(1)
式(1)中，t係表示接著劑層之厚度(μm)，Rz係表示導電體與接著劑層接觸之面的十點平均粗度(μm)。
於本說明書中，所謂十點平均粗度，係為根據JIS-B0601-1994所導出之值，若以超深度形狀測定顯微鏡(例如，KEYENCES公司製、超深度形狀測定顯微鏡「VK-8510」等)觀察，以畫像計測、解析軟體予以算出則可導出。又，接著劑層的厚度為以測微計所測定之值。
接著劑層之厚度，以根據欲連接之導電體表面粗度滿足上述條件般設定，則可更加提高連接信賴性，特別為高溫高濕下的連接信賴性。
又，於本發明之導電體之連接方法中，第1導電體與金屬箔接觸之面的十點平均粗度Rz1(μm)及第2導電體與金屬箔接觸之面的十點平均粗度Rz2(μm)為2μm以上30μm以下為佳。
導電體之表面為具有上述粗度時，接著劑易被充填至此類導電體的表面粗度部，同時表面粗度部的突起部份易與金屬箔接觸，可達成更高水準的連接信賴性。
又，於本發明之導電體之連接方法中，由高連接強度及耐熱性之觀點而言，第1接著劑層、或、第1接著劑層及第2接著劑層為含有熱硬化性樹脂及潛在性硬化劑為佳。
又，於本發明之導電體之連接方法中，由增加連接時之接觸點數、取得低電阻化之效果、防止氣泡混入連接部以更加提高連接信賴性的觀點而言，第1接著劑層、或第1接著劑層及第2接著劑層為含有導電粒子，第1導電體與第1接著劑層接觸之面之最大高度為Ry1(μm)、第2導電體與第1接著劑層或第2接著劑層接觸之面之最大高度為Ry2(μm)時，滿足下述(a)或(b)的條件為佳。
(a)第1接著劑層所含之導電粒子的最大粒徑r1max (μm)為最大高度Ry1以下，且，最大高度Ry2以下。
(b)第1接著劑層所含之導電粒子的最大粒徑r1max (μm)為最大高度Ry1以下，且，第2接著劑層所含之導電粒子的最大粒徑r2max (μm)為最大高度Ry2以下。
於本說明書中，所謂最大高度，係為根據JIS-B0601-1994所導出之值，若以超深度形狀測定顯微鏡(例如，KEYENCES公司製、超深度形狀測定顯微鏡「VK-8510」等)觀察，以畫像計測、解析軟體予以算出則可導出。
又，於本發明之導電體之連接方法中，由導電性、耐腐蝕性、可撓性等之觀點而言，金屬箔為含有選自Cu、Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn及Al之一種以上的金屬為佳。
又，本發明為提供以電連接互相分離之導電體彼此用的導電體連接用構件，係具備金屬箔、與形成於該金屬箔之至少一面的接著劑層的導電體連接用構件。
若根據本發明之導電體連接用構件，經由具有上述構成，則可輕易配設控制導電體、與具有作為電連接各導電體的配線構件職務之金屬箔之間厚度的接著劑層，且可良好接著，同時比使用焊料之情形可在更低溫(特別於200℃以下)令導電體與金屬箔連接，並且可充分抑制設置導電體之基材裂開或彎曲等。因此，若根據本發明之導電體連接用構件，則可圖謀電連接互相分離之導電體彼此時之連接步驟的簡略化，同時可取得優良的連接信賴性。
又，本發明之導電體連接用構件為令導電體表面具有粗度，將導電體連接用構件配置於導電體上，使接著劑層介於金屬箔與導電體間，將這些加熱加壓直到金屬箔與導電體被電連接為止時，接著劑層具有可填充該導電體之表面粗度部的接著劑量為佳。
導電體連接用構件之接著劑層為具有上述之接著劑量時，可更加提高連接信賴性。
又，於本發明之導電體連接用構件中，金屬箔為帶狀為佳。此時，配合至連接部的寬度易呈一定，且若令長度方向上連續則連接時的自動化容易等，取得連接步驟之簡略化上的有效效果。
又，於本發明之導電體連接用構件中，由高連接強度及耐熱性之觀點而言，接著劑層為含有熱硬化性樹脂及潛在性硬化劑為佳。
又，於本發明之導電體連接用構件中，由增加連接時之接觸點數、取得低電阻化之效果、防止氣泡混入連接部以更加提高連接信賴性的觀點而言，接著劑層為含有導電粒子，導電體與接著劑層接觸之面之最大高度為Ry(μm)時，導 電粒子之最大粒徑rmax (μm)為Ry以下為佳。
又，於本發明之導電體連接用構件中，由導電性、耐腐蝕性、可撓性等之觀點而言，金屬箔為含有選自Cu、Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn及Al之一種以上的金屬為佳。
又，本發明為提供具備互相分離之第1電極及第2電極、以電連接第1電極及前述第2電極的金屬箔、接著第1電極與金屬箔之第1接著構件、和接著第2電極與金屬箔之第2接著構件的連接構造。
若根據本發明之連接構造，則可根據上述本發明之導電體的連接方法或本發明之導電體連接用構件予以製作，可令優良之生產性和高連接信賴性兩相成立。
於本發明之連接構造中，第1電極與金屬箔接觸之面之十點平均粗度Rz1(μm)及第2電極與金屬箔接觸之面之十點平均粗度Rz2(μm)為2μm以上30μm以下為佳。此時，可更加提高連接信賴性。
又，於本發明之連接構造中，第1電極及金屬箔以及第2電極及金屬箔，係介由導電粒子以電連接為佳。此時，經由增加電極與金屬箔的接觸點，則可實現更加有效提高低電阻化、連接信賴性。
又，於本發明之連接構造中，由導電性、耐腐蝕性、可撓性等之觀點而言，金屬箔為含有選自Cu、Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn及Al之一種以上的金屬為佳。
又，本發明為提供具有本發明之連接構造，且第1電極為太陽電池單元之電極，且，第2電極為另外之太陽電池單 元之電極的太陽電池模組。
若根據本發明之太陽電池模組，經由具有本發明之連接構造且太陽電池單元彼此為連接，則可根據上述本發明之導電體之連接方法或本發明之導電體連接用構件予以製作，可令優良之生產性和高連接信賴性兩相成立。
於本發明之太陽電池模組中，金屬箔之與第1電極接觸之面及與第2電極接觸之面以外之一部份或全部以樹脂被覆為佳。此時，可有效防止金屬箔與其他導電構件接觸所引起的電性短路(短路)，又，經由防止金屬箔的腐蝕則可提高金屬箔的耐久性。
又，本發明之太陽電池模組為令太陽電池單元彼此，以金屬箔兩面設置接著劑層之上述導電體連接用構件，予以串聯連接而成時，各別的接著劑層為兼具接著金屬箔與電極之機能、及、作為被覆金屬箔之樹脂的機能，且此類太陽電池模組為具有高信賴性並且易於製造。
若根據本發明，則可提供可圖謀電連接互相分離之導電體彼此時之連接步驟的簡略化，同時可取得優良之連接信賴性之導電體的連接方法，以及導電體連接用構件。又，若根據本發明，則可提供可令優良之生產性和高連接信賴性兩相成立之連接構造及太陽電池模組。
以下，視需要一邊參照圖面，一邊詳細說明本發明之較佳的實施形態。另外，圖面中，同一要素加以同一符號，且省略重複說明。又，上下左右等之位置關係，只要無特別指明，則根據圖面所示的位置關係。更且，圖面的尺寸比率並 非被限定於圖示之比率。
圖1為示出本發明之導電體連接用構件之一實施形態的模式剖面圖。圖1所示之導電體連接用構件10為具備帶狀之金屬箔1、和設置於金屬箔之兩主面上的第1接著劑層2及第2接著劑層3，具有附接著劑之金屬箔帶的形態。又，圖2為示出本發明之導電體連接用構件之其他實施形態的模式剖面圖。圖2所示之導電體連接用構件20為具備帶狀之金屬箔1、和設置於金屬箔之一主面上的第1接著劑層2。
於金屬箔兩面設置接著劑層的導電體連接用構件10，於製作後述之太陽電池模組之情形中，可輕易進行連接太陽電池單元之表面電極、與鄰近之太陽電池單元之裏面電極的連接步驟。即，因為兩面設置接著劑層，故不會令導電體連接用構件反轉，可將表面電極與裏面電極連接。又，不參與電極連接的接著劑層，於作用為金屬箔之被覆材的機能下，可有效防止金屬箔與其他導電構件接續所造成的電性短路(短路)，又，經由防止金屬箔的腐蝕，則可提高金屬箔的耐久性。此類效果，於導電體連接用構件10使用於連接同一面上設置之導電體彼此時亦可取得。
另一方面，金屬箔之單面設置接著劑層的導電體連接用構件20，可輕易製作構件，且費用方面優良，適於連接同一面上設置之導電體彼此之情形等。
導電體連接用構件10、20為具有附接著劑之金屬箔帶的形態，以帶型式捲繞時，於接著劑層的面上設置脫模紙等之間隔件，或者於導電體連接用構件20之情形中，於金屬箔1的背面設置矽等之背面處理劑層。
金屬箔1可列舉例如含有選自Cu、Ag、Au、Fe、Ni、 Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn及Al之一種以上的金屬、及其層合者。於本實施形態中，以銅箔及鋁箔因導電性優良故為佳。
金屬箔1之厚度可為5~150μm左右。將本實施形態之導電體連接用構件以帶型式捲繞時，就變形性或操作性方面而言，金屬箔之厚度為20~100μm左右為佳。另外，金屬箔的厚度薄、強度不足時，可以塑膠薄膜等進行補強。
本實施形態所用之金屬箔，就與接著劑之密黏性優良方面而言，以表面平滑者、設置有電化學性不規則微細凹凸之一般所謂的電解箔為佳。特別，使用於印刷配線板材料之貼銅層合板的電解銅箔，易以泛用材料輕易取得且經濟性方面亦佳。
接著劑層2、3可廣泛應用含有熱可塑性材料、經由熱或光而顯示硬化性之硬化性材料所形成者。於本實施形態中，根據連接後之耐熱性、耐濕性優良的觀點，接著劑層含有硬化性材料為佳。硬化性材料可列舉熱硬化性樹脂，且可使用公知物質。熱硬化性樹脂可列舉例如，環氧樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、酚樹脂、蜜胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂等。其中，由連接信賴性的觀點而言，以接著劑層中含有環氧樹脂、苯氧基樹脂、及丙烯酸系樹脂中之至少一種為佳。
又，接著劑層2、3為含有熱硬化性樹脂、和此熱硬化性樹脂之潛在性硬化劑為佳。潛在性硬化劑為經由熱及/或壓力所引起的反應開始活性點較為明顯，適於伴隨加熱加壓步驟的連接方法。更且，接著劑層2、3為含有環氧樹脂、和環氧樹脂之潛在性硬化劑為更佳。含有潛在性硬化劑之環 氧系接著劑所形成的接著劑層，可在短時間硬化且連接作業性佳，且因分子構造上接著性優良，故為特佳。
上述環氧樹脂可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、乙內醯脲型環氧樹脂、異氰脲酸酯型環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂等。此些環氧樹脂亦可經鹵化，且予以氫化亦可。此些環氧樹脂亦可併用二種以上。
潛在性硬化劑可列舉陰離子聚合性之觸媒型硬化劑、陽離子聚合性之觸媒型硬化劑、加聚型之硬化劑等。其可為單獨或二種以上之混合物型式供使用。其中，由速硬化性優良、且不必考慮化學當量方面而言，則以陰離子或陽離子聚合性之觸媒型硬化劑為佳。
陰離子或陽離子聚合性之觸媒型硬化劑可列舉例如，三級胺類、咪唑類、醯肼系化合物、三氟化硼‧胺錯合物、鎓鹽(鋶鹽、銨鹽等)、胺醯亞胺、二胺基馬來腈、蜜胺及其衍生物、聚胺之鹽、雙氰胺等，且其變性物亦可使用。加聚型之硬化劑可列舉聚胺類、聚硫醇、聚苯酚、酸酐等。
陰離子聚合性之觸媒型硬化劑於使用三級胺類或咪唑類時，環氧樹脂以160℃~200℃左右之中溫加熱數10秒鐘~數小時左右即硬化。因此，可使用時間(使用壽命)較長故為佳。
陽離子聚合性之觸媒型硬化劑，以經由能量線照射令環氧樹脂硬化之感光性鎓鹽(芳香族重氮鎓鹽、芳香族鋶鹽等 為主要使用)為佳。又，於能量線照射以外以加熱活化且令環氧樹脂硬化者，係為脂肪族鋶鹽等。此種硬化劑由於具有速硬化性之特徵故為佳。
此些硬化劑，以聚胺基甲酸酯系、聚酯系等之高分子物質、或鎳、銅等之金屬薄膜及矽酸鈣等之無機物被覆且微膠囊化者，因為其可延長可使用時間故為佳。
接著劑層的活性溫度為40~200℃為佳，且以50~150℃為更佳。活性溫度若未達40℃，則與室溫(25℃)的溫度差少，且在連接用構件的保存上必須為低溫，另一方面，若超過200℃，則連接部份以外的構件易受到熱影響。另外，接著劑層的活性溫度為顯示以接著劑層作為試料，使用DSC(差示掃描熱量計)，由室溫以10℃/分鐘升溫時的發熱波峰溫度。
又，接著劑層的活性溫度若設定於低溫側，則反應性提高但保存性有降低之傾向，故考慮此等情況加以決定為佳。即，若根據本實施形態之導電體連接用構件，則可經由接著劑層之活性溫度以下的熱處理，暫時連接至基板所設置的導電體上，並且取得附有金屬箔及接著劑的基板。於是，將接著劑層的活性溫度設定於上述範圍，則可充分確保接著劑層的保存性，並且於活性溫度以上加熱之情形中，可輕易實現信賴性優良的連接。如此，可更有效實現將暫時連接品整理後一併硬化等的二階段硬化。又，製作如上述之暫時連接品時，於活性溫度以下幾乎無硬化反應所伴隨之接著劑層的黏度上升，故對於電極之微細凹凸的填充性優良，並且取得所謂可輕易進行製造管理的效果。
本實施形態之導電體連接用構件為利用電極面的粗度， 取得厚度方向的導電性，但由增加連接時之凹凸面數和增加接觸點數的方面而言，令接著劑層含有導電粒子為佳。
導電粒子並無特別限制，可列舉例如，金粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子、鍍金鎳粒子、鍍金/鎳塑膠粒子、鍍銅粒子、鍍鎳粒子等。又，由導電粒子於連接時對於被黏體表面之凹凸的埋入性觀點而言，導電粒子為具有毬栗狀或球狀之粒子形狀為佳。即，此類形狀之導電粒子即使對於金屬箔或被黏體表面複雜的凹凸形狀亦為埋入性高，對於連接後的振動或膨脹等之變動的追隨性高，可更加提高連接信賴性。
本實施形態中的導電粒子可使用粒徑分佈為1~50μm左右、較佳為1~30μm範圍者。
又，接著劑層為含有導電粒子時，由可更加提高連接信賴性的觀點而言，導電體與接著劑層接觸之面的最大高度為Ry(μm)時，導電粒子的最大粒徑rmax (μm)為Ry以下為佳。
又，接著劑層為含有導電粒子、且設置接著劑層之金屬箔面為平滑之情形，令導電體與接著劑層接觸之面的十點平均粗度為Rz(μm)時，導電粒子的最大粒徑rmax (μm)為Rz以下為佳。此時，可防止氣泡因接著劑之未填充部而混入連接部，且易取得提高連接信賴性的效果。另外，所謂面為平滑，係指Rz為未達1μm者。
又，接著劑層為含有導電粒子之情形，令導電體與接著劑層接觸之面的十點平均粗度為Rz(μm)，且設置接著劑層之金屬箔面的十點平均粗度為RzM(μm)時，導電粒子之最大粒徑rmax (μm)為Rz與RzM的合計以下為佳。此 時，可防止氣泡因接著劑之未填充部而混入連接部，且易取得提高連接信賴性的效果。
於本實施形態中，如上述，將導電粒子的最大粒徑根據欲連接之導電體(例如，電極)的表面粗度、或、導電體及金屬箔之表面粗度設定則可圖謀提高連接信賴性，故可使用具有廣粒徑分佈的導電粒子。如此，與此種用途所常用之均勻粒徑的導電粒子相比較，可減低費用。
接著劑層所含有之導電粒子的含量，若為不會顯著降低接著劑層之接著性的範圍即可，例如，以接著劑層之全體積作為基準為10體積%以下、較佳為0.1~7體積%。
又，接著劑層為含有潛在性硬化劑和導電粒子之情形，潛在性硬化劑比導電粒子的平均粒徑更小，在提高保存性、接著劑層之表面更加平滑下，可取得接著性及導電性兩相成立方面而言為更佳。另外，導電粒子的平均粒徑D為根據下式求出。
〔數1〕D=Σnd /Σn
此處，式中，n為表示最大粒徑為d的粒子數。粒徑的測定方法可列舉一般所用的電子顯微鏡、光學顯微鏡、庫爾特計數器(Coulter counter)、光散射法等。另外，粒子為具有縱橫比之情形，d為採用中心粒徑。又，於本發明中，以電子顯微鏡最低測定10個以上之粒子為佳。
於本實施形態之導電體連接用構件中，導電體之表面為具有粗度之情形，由更加提高連接信賴性的觀點而言，將導 電體連接用構件配置於導電體上，使接著劑層介於金屬箔與導電體間，將這些加熱加壓直到金屬箔與導電體被電連接為止時，接著劑層為具有可填充導電體之表面粗度部的接著劑量為佳。
於本實施形態中，由確保上述之接著劑量且令金屬箔與導電體之間的導電性充分的觀點而言，接著劑層的厚度為滿足下述式(1)的條件為佳。
0.8≦t/Rz≦1.5...(1)
式(1)中，t係表示接著劑層之厚度(μm)，Rz係表示導電體與接著劑層接觸之面的十點平均粗度(μm)。
接著劑層之厚度為以測微計所測定之值。又，設置接著劑層的金屬箔表面為具有粗度時，接著劑層的厚度為意指金屬箔的十點平均粗度RzM(μm)面與接著劑表面的距離。
此處，更且，由提高連接信賴性的觀點而言，接著劑層的厚度為令上述t/Rz為0.7~1.2般設定為更佳，且以0.8~1.1般設定為再佳。
又，於本實施形態中，由更加確實填充導電體之表面粗度並且令金屬箔與導電體之間的導電性充分的觀點而言，接著劑層的厚度為滿足下述式(2)的條件為佳。
0.6≦t/Ry≦1.3...(2)
式(2)中，t係表示接著劑層之厚度(μm)，Ry係表示導電體與接著劑層接觸之面的最大高度(μm)。
此處，更且，由提高連接信賴性的觀點而言，接著劑層的厚度t為以大約同於導電體與接著劑層接觸之面的最大高度(μm)值(t/Ry=約1.0之值)作為中心值，並於其前後設置安全寬度加以設定為佳。此情形提高連接信賴性的理 由，本發明者等人認為金屬箔膜與導電體之間隔，大為依賴導電體表面之凹凸粗度高低差最大的部份，即Ry，故以此Ry作為指標設定接著劑層的厚度，則可令填充性及導電體兩者更加確實且輕易地兩相成立。另外，安全寬度為例如考慮被連接之導電體的電極面形狀及粗度、金屬箔之粗度及形狀、接著劑層之流動特性、及、連接時之接著劑的滲出量等因素而加以設定。於本實施形態中，令安全寬度的範圍以上述t/Ry為0.6~1.3左右之範圍內設定為佳，且以0.7~1.2之範圍內設定為更佳，以0.8~1.1之範圍內設定為特佳。
於接著劑層2、3中，除了上述成分以外，為了改善與硬化劑、硬化促進劑、及設置導電體之基材的接著性或濕潤性，可含有矽烷系偶合劑、鈦酸酯系偶合劑或鋁酸酯系偶合劑等之改質材料，又，為了提高導電粒子的分散性，可含有磷酸鈣、或碳酸鈣等之分散劑、抑制銀或銅遷移等之嵌合材料等。
上述說明之本實施形態的導電體連接用構件為配置於導電體上，進行加熱加壓，令金屬箔與導電體接黏，且於通電時可於金屬箔及導電體間達成顯示10-1 Ω/cm2 以下左右之低電阻性的導通。
本實施形態之導電體連接用構件，適於作為將複數個太陽電池單元彼此以串聯及/或並聯連接之連接用構件。
其次，說明關於本發明之導電體的連接方法。
本實施形態之導電體之連接方法，係以電連接互相分離之第1導電體與第2導電體的方法，其係具備將金屬箔、設置於該金屬箔之一面之第1接著劑層、及第1導電體依此順序配置的狀態，進行加熱加壓，以電連接金屬箔與第1導電 體，同時予以接著，將金屬箔、第1接著劑層或設置於金屬箔之另一面之第2接著劑層，及第2導電體依此順序配置的狀態，進行加熱加壓，以電連接金屬箔與第2導電體，同時予以接著的步驟。
於本實施形態之導電體之連接方法中，可使用上述本實施形態之導電體連接用構件10或20。使用導電體連接用構件10之情形，經由實施於第1導電體上，將導電體連接用構件10的一端側，以金屬箔1、第1接著劑層2及第1導電體之順序配置，並將這些加熱加壓，以電連接金屬箔1與第1導電體，同時予以接著的第1步驟，和於第2導電體上，將導電體連接用構件10的另一端側，以金屬箔1、第2接著劑層3及第2導電體之順序配置，並將這些加熱加壓，以電連接金屬箔1與第2導電體，同時予以接著的第2步驟，則可令互相分離的第1導電體與第2導電體予以電連接。另外，第1步驟及第2步驟可同時進行，且亦可以第1步驟、第2步驟之順序或其相反順序進行亦可。又，上述第2步驟為於第2導電體上，將導電體連接用構件10的另一端側，以金屬箔1、第1接著劑層及第2導電體之順序配置，並將這些加熱加壓，以電連接金屬箔1與第2導電體，同時予以接著亦可。
使用導電體連接用構件20之情形，經由實施於第1導電體上，將導電體連接用構件20的一端側，以金屬箔1、第1接著劑層2及第1導電體之順序配置，並將這些加熱加壓，以電連接金屬箔1與第1導電體，同時予以接著的第1步驟，和於第2導電體上，將導電體連接用構件20的另一端側，以金屬箔1、第1接著劑層2及第2導電體之順序配 置，並將這些加熱加壓，以電連接金屬箔1與第2導電體，同時予以接著的第2步驟，則可令互相分離的第1導電體與第2導電體予以電連接。此情形亦可令第1步驟及第2步驟同時進行，且亦可以第1步驟、第2步驟之順序或其相反順序進行亦可。
以本實施形態之導電體的連接方法所連接的導電體，可列舉例如，太陽電池單元的總線電極、電磁波屏蔽之屏蔽配線和接地電極、短路型式用途的半導體電極和顯示器電極等。
太陽電池單元的總線電極，可列舉可取得電性導通之公知材質且一般含有銀的玻璃糊料、或於接著劑樹脂中分散各種導電粒子的銀糊料、金糊料、碳糊料、鎳糊料、鋁糊料及經由煅燒或蒸鍍所形成的ITO等，由耐熱性、導電性、安全性、費用之觀點而言，以含有銀的玻璃糊料電極為適於使用。又，太陽電池單元之情形，主要於Si之單結晶、多結晶、非結晶之至少一者以上所構成的半導體基板上，經由網版印刷等分別設置Ag電極和Al電極。此時，電極表面一般具有3~30μm之凹凸。特別，形成於太陽電池單元的電極為最大高度Ry為30μm左右、十點平均粗度Rz為2~30μm左右，一般亦多粗至2~18μm之情形。
於本實施形態之導電體的連接方法中，第1接著劑層的厚度、或、第1接著劑層及第2接著劑層的厚度為滿足下述式(1)的條件為佳。
0.8≦t/Rz≦1.5...(1)
式(1)中，t係表示接著劑層之厚度(μm)，Rz係表示導電體與接著劑層接觸之面的十點平均粗度(μm)。
經由令接著劑層的厚度，根據欲連接之導電體的表面粗度，以滿足上述條件般設定，則可更加提高連接信賴性，特別為高溫高濕下的連接信賴性。
此處，更且，由提高連接信賴性的觀點而言，接著劑層的厚度為令上述之t/Rz為0.1~1.2般設定為更佳，且以0.8~1.1般設定為再佳。
又，於本實施形態中，由更加確實填充導電體之表面粗度部並且令金屬箔與導電體之間的導電性充分的觀點而言，第1接著劑層的厚度、或、第1接著劑層及第2接著劑層的厚度為滿足下述式(2)的條件為佳。
0.6≦t/Ry≦1.3...(2)
式(2)中，t係表示接著劑層之厚度(μm)，Ry係表示導電體與接著劑層接觸之面的最大高度(μm)。
此處，更且，由提高連接信賴性的觀點而言，接著劑層的厚度t為以大約同於導電體與接著劑層接觸之面的最大高度(μm)值(t/Ry=約1.0之值)作為中心值，並於其前後設置安全寬度加以設定為佳。另外，安全寬度為例如考慮被連接之導電體的電極面形狀及粗度、金屬箔之粗度及形狀、接著劑層之流動特性、及、連接時之接著劑的滲出量等因素而加以設定。於本實施形態中，令安全寬度的範圍以上述t/Ry為0.6~1.3左右之範圍內設定為佳，且以0.7~1.2之範圍內設定為更佳，以0.8~1.1之範圍內設定為特佳。
又，於本實施形態之導電體之連接方法中，第1導電體與金屬箔接觸之面的十點平均粗度Rz1(μm)、及第2導電體與金屬箔接觸之面的十點平均粗度Rz2(μm)為2μm以上30μm以下為佳。
導電體之表面為具有上述粗度之情形，接著劑易被填充至此類導電體的表面粗度部，同時表面粗度部的突起部份易與金屬箔接觸，可達成更高水準的連接信賴性。
於本實施形態之導電體的連接方法中，接著劑層的厚度為如上述以導電體表面之十點平均粗度或最大高度為基準並且適當決定為佳，若考慮接著性及導電性兩特性，則以3~30μm左右為佳，若考慮高信賴性則以5~30μm為更佳。
又，於本實施形態之導電體的連接方法中，由高連接強度及耐熱性的觀點而言，第1接著劑層、或、第1接著劑層及第2接著劑層為含有熱硬化性樹脂及潛在性硬化劑為佳。熱硬化性樹脂及潛在性硬化劑，可列舉本實施形態之導電體連接用構件之說明中所述者。
又，於本實施形態之導電體的連接方法中，由連接時增加接觸點數並取得低電阻化之效果、防止氣泡混入連接部以更加提高連接信賴性的觀點而言，第1接著劑層、或、第1接著劑層及第2接著劑層為含有導電粒子，且第1導電體與第1接著劑層接觸之面的最大高度為Ry1(μm)、第2導電體與第1接著劑層或第2接著劑層接觸之面的最大高度為Ry2(μm)時，滿足下述(a)或(b)的條件為佳。
(a)第1接著劑層所含之導電粒子的最大粒徑r1max (μm)為最大高度Ry1以下，且，最大高度Ry2以下。
(b)第1接著劑層所含之導電粒子之最大粒徑r1max (μm)為最大高度Ry1以下，且，第2接著劑層所含之導電粒子之最大粒徑r2max (μm)為最大高度Ry2以下。
又，於本實施形態之導電體的連接方法中，由導電性、耐腐蝕性、可撓性等之觀點而言，金屬箔為含有選自Cu、 Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn及Al之一種以上的金屬為佳。
加熱溫度及加壓壓力的條件，若可確保金屬箔與導電體間的電性連接，且導電體及金屬箔為經由接著劑層予以接著的範圍，則無特別限制。另外，此加壓及加熱之各條件為根據使用用途、接著劑層中之各成分、設置導電體之基材材料等而適當選擇。例如，接著劑層為含有熱硬化性樹脂之情形，加熱溫度若為可令熱硬化性樹脂硬化之溫度即可。又，加壓壓力若為可令導電體及金屬箔間充分密黏，且不會損傷導電體和金屬箔等之範圍即可。更且，加熱、加壓時間若為不會對設置導電體之基材等傳搬過剩的熱，使此些材料損傷且變質的時間即可。具體而言，加壓壓力為0.1MPa~10MPa、加熱溫度為100℃~220℃、加熱加壓時間為60秒鐘以下為佳。又，此些條件以低壓、低溫、短時間的方向為更佳。
圖3為示出根據本實施形態之導電體的連接方法所連接之一部份連接構造的模式剖面圖。圖3所示之連接構造30，係經由於導電體之電極4上配置本實施形態之導電性連接用構件20(附有接著劑之金屬箔帶)的一部份，並且將其加熱加壓而取得者，具有導電性連接用構件20之金屬箔1的平滑面和微小突起部份的一部份為與電極4的突起部直接接觸，同時金屬箔1及電極4為藉由電極4之表面粗度部所填充之接著劑層2的硬化物2a予以接著的構造。又，以同樣之構造令導電性連接用構件20的其他部份連接至其他的導電體上，構成連接構造30。若根據此類連接構造，金屬箔1及電極4為經由接著劑的接著力、硬化收縮力等被固定維持，令金屬箔1及電極4間所得的導電性安定維持，且導 電體彼此的連接信賴性充分。
又，圖4為示出接著劑層2為含有導電粒子時之一部份連接構造的模式剖面圖。圖4所示之連接構造40中，除了金屬箔1之平滑面和微小突起的一部份與電極4之突起部接觸以外，藉由導電粒子5而增加接觸點。
若根據上述說明之本實施形態之導電體的連接方法，則可令金屬箔與導電體良好接著，並且於通電時達成金屬箔及導電體間顯示10-1 Ω/cm2 以下左右之低電阻性的導通。
本實施形態之導電體的連接方法，適於作為將複數個太陽電池單元彼此以串聯及/或並聯連接的方法。太陽電池為以含有太陽電池模組所構成，該太陽電池模組具備將複數個太陽電池單元以串聯及/或並聯連接，且為了耐環境性而以強化玻璃等夾住，間隙以具有透明性的樹脂掩埋的外部端子。
此處，圖5為示出本實施形態之太陽電池模組之主要部份的模式圖，示出複數的太陽電池單元為相互被配線連接的概略構造。圖5(a)為表示太陽電池模組的表面側，圖5(b)為表示裏面側，圖5(c)為表示側面側。
如圖5(a)~(c)所示般，太陽電池模組100為將半導體晶圓6之表面側分別形成柵極7及總線電極(表面電極)4a、裏面側分別形成裏面電極8及總線電極(表面電極)46的太陽電池單元，經由配線構件10a將複數相互連接。令配線構件10a的一端與作為表面電極的總線電極4a連接，另一端與作為表面電極的總線電極4b連接。另外，配線構件10a為使用導電性連接用構件10，根據本實施形態之導電體的連接方法予以設置。具體而言，將導電性連接用構 件10的一端側，於總線電極4a上，以金屬箔1、第1接著劑層2及總線電極4a的順序配置之狀態進行加熱加壓，並將導電性連接用構件10的另一端側，於總線電極4b上，以金屬箔1、第2接著劑層3及總線電極4b的順序配置之狀態進行加熱加壓以設置配線構件10a。
金屬箔1及總線電極4a、及金屬箔1及總線電極4b為經由圖3所示之連接構造予以電性連接且同時被固定。於本實施形態中，金屬箔1及總線電極4a、及金屬箔1及總線電極4b為如圖4所示般，中介存在導電粒子予以連接亦可。
又，圖6為沿著圖5(c)所示之太陽電池模組之VI-VI線的剖面圖。另外，圖6中，僅示出半導體晶圓6的表面側，且省略關於裏面側的構成。本實施形態之太陽電池模組為經過將導電性連接用構件10的一端側，配置於總線電極4a上進行加熱加壓的步驟所製作，具有金屬箔1及總線電極4a被電連接、同時經由填充於總線電極4a之表面粗度部之接著劑層2的硬化物2a予以接著的構造。更且，於本實施形態中，金屬箔1與總線電極4a接觸之面以外的部份為經由接著劑的硬化物(較佳為樹脂)所被覆。具體而言，金屬箔1與總線電極4a接觸之面的反側面，經由第2接著劑層3的硬化物3a所被覆，且金屬箔1的側面為在連接時的加熱加壓下，經由滲出之接著劑的硬化物12所被覆。若根據此類構造，則可有效防止金屬箔與其他導電構件接觸所造成的電性短路(短路)，又，經由防止金屬箔的腐蝕而提高金屬箔的耐久性。
又，如本實施形態般，導電性連接用構件10為帶狀之 情形，由於構件寬度比長度方向非常小，故接著劑多往金屬箔的側面方向滲出，易取得補強連接部之強度的效果。
以上，說明本發明之較佳的實施形態，但本發明不被限定於上述實施形態。本發明在不超出其要旨的範圍下可作出各式各樣的變形。
本發明之導電體的連接方法不僅於製作上述之太陽電池時，例如，於製作電磁波屏蔽、鉭電容器等之短路型式、鋁電解電容器、陶瓷電容器、功率電晶體、各種感應器、MEMS關連材料、顯示器材料之拉出的配線構件等之時亦適於使用。
實施例
以下，列舉實施例具體說明本發明，但本發明不被此些實施例所限定。
(實施例1)
(1)附接著劑之金屬箔帶(導電體連接用構件)的製作
將作為薄膜形成材料的苯氧基樹脂(Inchem公司製、商品名「PKHA、分子量25000之高分子量環氧樹脂)50克、及環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製、商品名「EPPN」)20克，溶解於醋酸乙酯175克，取得溶液。其次，將作為潛在性硬化劑之咪唑系微膠囊於液狀環氧樹脂中分散的母煉膠型硬化劑(旭化成工業股份有限公司製、商品名「Novacure」、平均粒徑2μm)5克添加至上述溶液，取得固形成分30質量%之形成接著劑層用塗佈液。另外，此塗佈液之活性溫度為120℃。
其次，將上述形成接著劑層用塗佈液，使用輥塗器，於兩面粗化電解銅箔(厚度：35μm、表面之十點平均表面粗 度Rz：2.5μm、最大高度Ry：3μm)的兩面塗佈，並於110℃下乾燥5分鐘，形成厚度18μm之接著劑層，取得層合體。
其次，將上述層合體，於接著劑層上將作為間隔件的聚乙烯薄膜捲入，取得捲成輥狀的捲取物。將此捲取物以寬2.0mm裁斷，取得附接著劑之金屬箔帶。
(2)使用附導電性接著劑之金屬箔帶之太陽電池單元的連接
準備於矽晶圓的表面上，設置由銀玻璃糊料所形成之表面電極(寬2mm×長度15cm、Rz：18μm、Ry：20μm)的太陽電池單元(厚度：150μm、大小15cm×15cm)。
其次，將上述所得之附接著劑之金屬箔帶，配合太陽電池單元的表面電極位置，使用壓黏工具(裝置名AC-S300、日化設備工程公司製)以170℃、2MPa、20秒加熱加壓，進行接黏。如此處理，取得於太陽電池單元之表面電極，電解銅箔之配線構件為藉由導電性接著薄膜連接的連接構造。
(實施例2)
除了令接著劑層的厚度為14μm以外，同實施例1處理，取得附接著劑之金屬箔帶。其次，使用此附接著劑之金屬箔帶，同實施例1處理取得連接構造。
(實施例3)
除了令接著劑層的厚度為22μm以外，同實施例1處理，取得附接著劑之金屬箔帶。其次，使用此附接著劑之金屬箔帶，同實施例1處理取得連接構造。
(實施例4)
除了於形成接著劑層用塗佈液中添加2體積%粒徑分佈 寬為1~12μm(平均粒徑：7μm)的毬栗狀Ni粉以外，同實施例1處理，取得附接著劑之金屬箔帶。其次，使用此附接著劑之金屬箔帶，同實施例1處理取得連接構造。另外，添加之導電粒子未進行粒徑的均勻化處理，具有如上述寬廣的粒徑分佈。
(實施例5)
除了令接著劑層的厚度為5μm以外，同實施例1處理，取得附接著劑之金屬箔帶。其次，使用此附接著劑之金屬箔帶，且使用矽晶圓表面上，設置由銀玻璃糊料所形成之表面電極(寬2mm×長度15cm、Rz：5μm、Ry：6μm)的太陽電池單元(厚度：150μm、大小15cm×15cm)作為太陽電池單元以外，同實施例1處理，取得連接構造。
(實施例6)
除了令接著劑層的厚度為30μm以外，同實施例1處理，取得附接著劑之金屬箔帶。其次，使用此附接著劑之金屬箔帶，且使用矽晶圓表面上，設置由銀玻璃糊料所形成之表面電極(寬2mm×長度15cm、Rz：30μm、Ry：34μm)的太陽電池單元(厚度：150μm、大小15cm×15cm)作為太陽電池單元以外，同實施例1處理，取得連接構造。
(實施例7)
除了使用厚度100μm之平滑銅箔作為金屬箔，且接著劑層之厚度為20μm以外，同實施例1處理，取得附接著劑之金屬箔帶。其次，使用此附接著劑之金屬箔帶，同實施例1處理取得連接構造。
(實施例8)
除了使用厚度20μm之鋁箔(Rz：0.1μm、Ry：0.2μm )作為金屬箔，且接著劑層之厚度為20μm以外，同實施例1處理，取得附接著劑之金屬箔帶。其次，使用此附接著劑之金屬箔帶，同實施例1處理取得連接構造。
(參考例1)
除了令接著劑層之厚度為9μm以外，同實施例1處理，取得附接著劑之金屬箔帶。其次，使用此附接著劑之金屬箔帶，同實施例1處理取得連接構造。
(參考例2)
除了令接著劑層之厚度為45μm以外，同實施例1處理，取得附接著劑之金屬箔帶。其次，使用此附接著劑之金屬箔帶，同實施例1處理取得連接構造。
<評價>
對於上述實施例1~8及參考例1~2之連接構造，如下述評價導電性、填充性，又，對於上述實施例1~8之連接構造，如下述評價deltaF.F.。結果示於表1。
〔導電性〕
對於所得之連接體，簡易地測定帶之金屬箔與單元電極之間的電阻。電阻為10-1 Ω/cm2 以下之情形視為具有導電性，且以「○」表示，超過10-1 Ω/cm2 之情形以「×」表示。
〔填充性〕
對於所得之連接體，由連接部之全體性觀察，觀察接著劑的滲出度。察見接著劑滲出之情形視為接著劑具有填充性，且以「○」表示，未察見接著劑滲出之情形視為接著劑無填充性，且評價為「×」。
〔deltaF.F.〕
所得連接構造之IV曲線，係使用太陽模擬器(Wacom電創公司製、商品名「WXS-155S-10」、AM：1.5G)測定。又，連接構造於85℃、85%RH之高溫高濕氛圍氣下靜置1500小時後，同樣測定IV曲線。由各個IV曲線分別導出F.F.，並由高溫高濕氛圍氣下靜置前之F.F.，減去高溫高濕條件下靜置後之F.F.值〔F.F.(0h)-F.F.(1500h)〕視為Delta(F.F.)，並將其使用作為評價指標。另外，一般若Delta(F.F.)值為0.2以下，則判斷連接信賴性為良好。
於實施例1~8及參考例1~2中，電極/接著劑層/配線構件(金屬箔)的對準容易，且，連接溫度為比先前焊料的連接溫度更為低溫(170℃)，亦未察見基板彎曲。又，以接著劑層之厚度t與電極之十點平均粗度Rz之比t/Rz為0.8~1.2之條件所製作之實施例1~8的連接構造，均顯示出良好的導電性及填充性。又，顯示出十分小的Delta(F.F.)，可知連接信賴性優良。另一方面，以t/Rz為0.5之條件所連接之參考例1的連接構造，雖較輕易取得厚度方向的導電性，但接著劑的填充性不足，接著強度低且具有易剝落之傾向。又，以t/Rz為2.5之條件所連接之參考例2的連接構造，雖然由端部滲出的接著劑多且接著力良好，但為導電性差之結果。
(產業上之可利用性)
若根據本發明，則可提供可圖謀電連接互相分離之導電體彼此時之連接步驟的簡略化，同時可取得優良之連接信賴性之導電體的連接方法、及導電體連接用構件。又，若根據本發明，則可提供優良之生產性和高連接信賴性兩相成立之連接構造以及太陽電池模組。
1‧‧‧金屬箔
2‧‧‧第1接著劑層
2a‧‧‧硬化物
3‧‧‧第2接著劑層
3a‧‧‧硬化物
4‧‧‧電極
4a‧‧‧總線電極
4b‧‧‧總線電極
5‧‧‧導電粒子
6‧‧‧半導體晶圓
7‧‧‧柵極
8‧‧‧裏面電極
10‧‧‧配線構件
10a‧‧‧配線構件
12‧‧‧硬化物
20‧‧‧導電性連接用構件
30‧‧‧連接構造
40‧‧‧連接構造
100‧‧‧太陽電池模組
圖1為示出本發明之導電體連接用構件之一實施形態之模式剖面圖。
圖2為示出本發明之導電體連接用構件之其他實施形態之模式剖面圖。
圖3為示出實施形態之一部份連接構造的模式剖面圖。
圖4為示出實施形態之一部份連接構造的模式剖面圖。
圖5為示出實施形態之太陽電池模組的主要部份之模式 圖。
圖6為示出實施形態之一部份太陽電池模組之模式剖面圖。
1‧‧‧金屬箔
2‧‧‧第1接著劑層
3‧‧‧第2接著劑層
10‧‧‧配線構件

Claims (21)

  1. 一種導電體之連接方法，其係以電連接互相分離之第1導電體與第2導電體的方法，其特徵係具備：將金屬箔、設置於該金屬箔之一面之第1接著劑層及前述第1導電體依此順序配置的狀態，進行加熱加壓，以電連接前述金屬箔與前述第1導電體，同時予以接著，將前述金屬箔、前述第1接著劑層或設置於前述金屬箔之另一面之第2接著劑層及前述第2導電體依此順序配置的狀態，進行加熱加壓，以電連接前述金屬箔與前述第2導電體，同時予以接著的步驟，其中前述第1接著劑層之厚度或前述第1接著劑層及前述第2接著劑層之厚度為滿足下述式(1)的條件，0.8≦t/Rz≦1.5...(1)，[式(1)中，t係表示接著劑層之厚度(μm)，Rz係表示導電體與接著劑層接觸之面的十點平均粗度(μm)]。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電體之連接方法，其中前述第1導電體與前述金屬箔接觸之面的十點平均粗度Rz1(μm)及該第2導電體與前述金屬箔接觸之面的十點平均粗度Rz2(μm)為2μm以上30μm以下。
  3. 一種導電體之連接方法，其係以電連接互相分離之第1導電體與第2導電體的方法，其特徵係具備：將金屬箔、設置於該金屬箔之一面之第1接著劑層及前述第1導電體依此順序配置的狀態，進行加熱加壓，以電連接前述金屬箔與前述第1導電體，同時予以接著，將前述金屬箔、前述第1接著劑層或設置於前述金屬箔之另一面之第2接著劑層及前述第2導電體依此順序配置的狀態，進行加熱加壓，以電連接前述金屬箔與前述第2導電體，同時予以接著的步驟， 其中前述第1導電體與前述金屬箔接觸之面的十點平均粗度Rz1(μm)及該第2導電體與前述金屬箔接觸之面的十點平均粗度Rz2(μm)為2μm以上30μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1或3項之導電體之連接方法，其中前述第1接著劑層或前述第1接著劑層及前述第2接著劑層含有熱硬化性樹脂及潛在性硬化劑。
  5. 如申請專利範圍第1或3項之導電體之連接方法，其中該第1接著劑層或該第1接著劑層及前記第2接著劑層含有導電粒子，前述第1導電體與前述第1接著劑層接觸之面之最大高度為Ry1(μm)，前述第2導電體與前述第1接著劑層或前述第2接著劑層接觸之面之最大高度為Ry2(μm)時，滿足下述(a)或(b)的條件，(a)前述第1接著劑層所含之導電粒子的最大粒徑r1max (μm)為前述最大高度Ry1以下，且前述最大高度Ry2以下，(b)前述第1接著劑層所含之導電粒子之最大粒徑r1max (μm)為前述最大高度Ry1以下，且前述第2接著劑層所含之導電粒子之最大粒徑r2max (μm)為前述最大高度Ry2以下。
  6. 如申請專利範圍第1或3項之導電體之連接方法，其中該金屬箔為含有選自Cu、Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn及Al之一種以上的金屬者。
  7. 一種導電體連接用構件，其係以電連接互相分離之導電體彼此用的導電體連接用構件，其特徵係具備金屬箔與形成於該金屬箔之至少一面的接著劑層，其中該導電體之表面 具有粗度，將前述導電體連接用構件配置於前述導電體上，使前述接著劑層介於前述金屬箔與前述導電體間，將這些加熱加壓直到前述金屬箔與前述導電體被電連接為止時，前述接著劑層具有可填充前述導電體之表面粗糙部的接著劑量。
  8. 一種導電體連接用構件，其係以電連接互相分離之導電體彼此用的導電體連接用構件，其特徵係具備金屬箔與形成於該金屬箔之至少一面的接著劑層，其中接著劑層含有熱硬化性樹脂及潛在性硬化劑，其中該導電體之表面具有粗度，將前述導電體連接用構件配置於前述導電體上，使前述接著劑層介於前述金屬箔與前述導電體間，將這些加熱加壓直到前述金屬箔與前述導電體被電連接為止時，前述接著劑層具有可填充前述導電體之表面粗糙部的接著劑量。
  9. 如申請專利範圍第7或8項中任一項之導電體連接用構件，其中該金屬箔為帶狀。
  10. 如申請專利範圍第7或8項中任一項之導電體連接用構件，其中前述接著劑層含有導電粒子，導電體與前述接著劑層接觸之面之最大高度為Ry(μm)時，前述導電粒子之最大粒徑rmax (μm)為前述Ry以下。
  11. 如申請專利範圍第7或8項中任一項之導電體連接用構件，其中前述金屬箔為含有選自Cu、Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn及Al之一種以上的金屬者。
  12. 一種連接構造，其特徵係具備：互相分離之第1電極及第2電極，以電連接前述第1電極及前述第2電極的金屬箔，接著前述第1電極與前述金屬箔的第1接著構件， 接著前述第2電極與前述金屬箔之第2接著構件，其中前述第1電極與前述金屬箔接觸之面之十點平均粗度Rz1(μm)及前述第2電極與前述金屬箔接觸之面之十點平均粗度Rz2(μm)為2μm以上30μm以下。
  13. 如申請專利範圍第12項之連接構造，其中前述第1電極及前述金屬箔及前述第2電極及前述金屬箔為介由導電粒子，以電連接。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之連接構造，其中前述金屬箔為含有選自Cu、Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn及Al之一種以上的金屬者。
  15. 一種太陽電池模組，其特徵係具有申請專利範圍第12~14項中任一項之連接構造，前述第1電極為太陽電池單元之電極，且前述第2電極為另外之太陽電池單元的電極。
  16. 如申請專利範圍第15項之太陽電池模組，其中前述金屬箔之與前述第1電極接觸之面及與前述第2電極接觸之面以外之一部份或全部以樹脂被覆。
  17. 一種太陽電池模組之製造方法，其特徵係將太陽電池單元之表面電極作為第1導電體，相鄰之太陽電池單元之表面電極作為第2導電體，將此等藉由如申請專利範圍第1~3項中任一項之導電體之連接方法連接，複數個太陽電池單元彼此以串聯及/或併聯連接。
  18. 如申請專利範圍第17項之太陽電池模組之製造方法，其係將太陽電池單元之表面側之表面電極作為第1導電體，相鄰之太陽電池單元之裏面側之表面電極作為第2導電體，將此等藉由前述導電體之連接方法連接，複數個太陽電池 單元彼此以串聯連接。
  19. 如申請專利範圍第17或18項之太陽電池模組之製造方法，其中前述第1接著劑層或前述第1接著劑層及前述第2接著劑層含有熱硬化性樹脂及潛在性硬化劑。
  20. 如申請專利範圍第17或18項之太陽電池模組之製造方法，其中前述第1接著劑層或前述第1接著劑層及前述第2接著劑層含有導電粒子，前述第1導電體與前述第1接著劑層接觸之面之最大高度為Ry1(μm)，前述第2導電體與前述第1接著劑層或前述第2接著劑層接觸之面之最大高度為Ry2(μm)時，滿足下述(a)或(b)的條件，(a)前述第1接著劑層所含之導電粒子之最大粒徑r1max (μm)為前述最大高度Ry1以下，且前述最大高度Ry2以下，(b)前述第1接著劑層所含之導電粒子之最大粒徑r1max (μm)為前述最大高度Ry1以下，且前述第2接著劑層所含之導電粒子之最大粒徑r2max (μm)為前述最大高度Ry2以下。
  21. 如申請專利範圍第17或18項之太陽電池模組之製造方法，其中前述金屬箔為含有選自Cu、Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn及Al之一種以上的金屬者。
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