TWI427728B - A substrate processing apparatus and a substrate transfer method, and a computer program - Google Patents

A substrate processing apparatus and a substrate transfer method, and a computer program Download PDF

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Description

基板處理裝置及基板搬送方法，以及電腦程式
本發明是具備：對液晶表示裝置(LCD)等的平板面板顯示器(FPD)製造用的玻璃基板或半導體晶圓等的基板實施乾蝕刻等的處理的處理室、及對處理室內的基板載置台進行基板的受取或交接的搬送裝置之基板處理裝置、及如此的基板處理裝置的基板搬送方法、以及電腦程式。
在以液晶顯示器(LCD)為代表的平板面板顯示器(FPD)的製造過程中，是使用所謂多室型的基板處理裝置，其係具備複數個在真空下對玻璃基板施以蝕刻、灰化、成膜等的所定處理之處理室。
如此的基板處理裝置是具備：設有搬送基板的搬送裝置的搬送室、及設於其周圍的複數個處理室，藉由設於搬送室內的搬送裝置的搬送臂來將被處理基板搬入各處理室內，且處理完成的基板會從各處理裝置的處理室搬出。而且，搬送室連接預載室，在大氣側的基板的搬出入時，可使處理室及搬送室維持於真空狀態，處理複數的基板。如此的多室型的處理系統例如揭示於專利文獻1。
在如此的處理系統中，將玻璃基板搬入處理室時，是藉由搬送裝置的搬送臂來搬送玻璃基板至製程室內的基板載置台的上方，藉由從基板載置台突出昇降銷，來使玻璃基板載置於昇降銷上之後，使搬送臂退避至搬送室內。然 後使昇降銷下降，將玻璃基板載置於基板載置台。並且，從製程室搬出玻璃基板時，藉由昇降銷來使載置台上的玻璃基板上昇，交接至搬送室內的搬送臂。如此之基板的交接是被要求高位置精度，因此最初進行用以使正確的位置記憶於搬送裝置的控制部之所謂教導(Teaching)的作業，而使玻璃基板能夠正確地載置於基板載置台的所定位置。
可是，近年來隨著玻璃基板的日益大型化，基板處理裝置的各室大型化也跟進，搬送裝置的搬送距離(室間搬送距離)也有變長的傾向，出現有距離長達5m者。
另一方面，一般處理室是在於進行壁部的溫調，根據處理來調溫成40℃以上較高的溫度。上述搬送裝置的教導是在通常室溫下進行，因此當被調溫於如此高的溫度時，處理室會因熱膨脹而形成比室溫時更大，其中的基板載置台的位置也會變化。
如此的位置變化，在以往處理室沒有那麼大時，雖無太大的問題，但隨著上述處理室的大型化，變得不能無視。
[專利文獻1]特開平11-340208號公報
本發明是有鑑於上述情事而研發者，其目的是在於提供一種即使處理室的溫度高時，照樣能夠藉由搬送裝置以 高精度來將基板搬送至處理室內的所定位置之基板處理裝置及基板搬送方法。又，以提供一種能夠實現此的電腦程式為目的。
為了解決上述課，本發明的第1觀點係提供一種基板處理裝置，其特徵係具備：處理室，其係收容基板載置台，對該基板載置台上的基板實施所定的處理；溫度感測器，其係檢測出上述處理室的溫度；搬送裝置，其係進行對上述處理室內的上述基板載置台之基板的受取或交接；上述搬送裝置係具有：搬送裝置本體、及藉由控制上述搬送裝置本體的驅動來控制基板的搬送之搬送控制部，上述搬送控制部係以所定時序按照對應於藉由上述溫度感測器所檢測出的溫度之上述處理室的變位來補正上述搬送裝置本體的上述處理室內的基準位置，以所被補正的基準位置作為基準來控制上述搬送裝置本體的基板的搬送。
在上述第1的觀點中，上述搬送控制部可具有：記憶部，其係記憶有預先求取的基準位置資訊、及上述處理室的溫度與變位的關係；及演算部，其係根據藉由上述溫度感測器所檢測出的溫度與上述預先求取的基準位置資訊及上述關係來補正基準 位置。
又，可使用室溫的基準位置資訊作為記憶於上述記憶部的上述預先求取的基準位置資訊。
又，上述記憶部可將上述處理室的溫度與變位的關係作為函數記憶，或將上述處理室的溫度與變位的關係作為表格記憶。
在上述第1觀點中，上述搬送裝置本體可為具有支持基板的基板支持部者，可使用上述基板支持部對上述處理室內的上述基板載置台進行基板的交接之位置作為上述基準位置。
此情況，上述記憶部可記憶上述處理室壁部的溫度與對應於上述基板載置台的基板前端位置的部份的變位的關係，作為上述處理室的溫度與變位的關係。
在上述第1觀點中，上述搬送控制部係上述搬送裝置本體在存取於上述處理室的每個時序可進行上述基準位置的補正。
又，可更具備：收容上述搬送裝置本體，鄰接於上述處理室的搬送室。
此情況，可具備複數個上述處理室，在每個該等處理室具有溫度感測器，該等複數的處理室係連接至上述搬送室，上述搬送控制部係於每個上述複數的處理室按照藉由上述溫度感測器所檢測出的溫度來補正各處理室的上述基準位置。
在上述第1觀點中，可更具有：測定上述搬送裝置本 體的溫度的溫度感測器，上述搬送控制部係按照從上述處理室的變位減去上述搬送裝置本體的變位後的值來補正上述基準位置。
本發明的第2觀點係提供一種基板搬送方法，係藉由搬送裝置來針對對基板施以所定的處理的處理室內的基板載置台進行基板的受取或交接之基板搬送方法，其特徵係具有：求取上述搬送裝置的基準位置之工程；求取上述處理室的溫度與變位的關係之工程；掌握上述處理室的溫度之工程；根據上述處理室的溫度與上述基準位置及上述關係來補正基準位置之工程；及以所被補正的基準位置作為基準來進行對上述處理室之基板的受取或交接之工程。
在上述第2觀點中，求取上述基準位置的工程可於室溫中進行。又，上述搬送裝置可為具有支持基板的基板支持部者，可使用上述基板支持部對上述處理室內的上述基板載置台進行基板的交接之位置作為上述基準位置。
此情況，可使用上述處理室壁部的溫度與對應於上述基板載置台的基板前端位置的部份的變位的關係，作為上述處理室的溫度與變位的關係。
又，可更具有掌握上述搬送裝置本體的溫度之工程，按照從上述處理室的熱膨脹減去上述搬送裝置本體的熱膨脹後的值來補正上述基準位置。
本發明的第3觀點係提供一種電腦程式，係針對對基板施以所定的處理的處理室內的基板載置台，使基板的受取或交接動作實行於搬送裝置之電腦程式，其特徵係具有：記憶上述搬送裝置的基準位置之機能；記憶上述處理室的溫度與變位的關係之機能；及以所定的時序根據上述處理室的溫度與上述基準位置及上述關係來補正基準位置之機能。
在上述第3觀點中，上述基準位置可使用在室溫中求取者。又，上述搬送裝置可為具有支持基板的基板支持部者，上述基準位置可使用上述基板支持部對上述處理室內的上述基板載置台進行基板的交接之位置。又，可使用上述處理室壁部的溫度與對應於上述基板載置台的基板前端位置的部份的變位的關係，作為上述處理室的溫度與變位的關係。又，上述基準位置的補正可在上述搬送裝置本體存取於上述處理室的每個時序進行。又，上述基準位置的補正可按照從上述處理室的變位減去上述搬送裝置本體的變位後的值來進行。
若根據本發明，則在藉由搬送裝置來針對對基板施以所定的處理的處理室內的基板載置台進行基板的受取或交接時，將搬送裝置本體以所定時序按照對應於藉由上述溫度感測器所檢測出的溫度之上述處理室的變位來補正上述 搬送裝置本體的上述處理室內的基準位置，以所被補正的基準位置作為基準來控制上述搬送裝置本體的基板的搬送，因此即使處理室的溫度高，還是可自動地補正因該溫度的熱膨脹所造成變動後的基準位置，所以可藉由搬送裝置以高精度將基板搬送至處理室內的所定位置。
以下，一邊參照圖面一邊說明有關本發明的較佳形態。在此，舉本發明的基板處理裝置之一實施形態、搭載對FPD用的玻璃基板G進行電漿蝕刻的電漿蝕刻裝置之多室型的電漿蝕刻系統為例來說明。在此，FPD可舉液晶顯示器(LCD)、電激發光(Electro Luminescence; EL)顯示器、電漿顯示器面板(PDP)等。
圖1是概略表示本發明的基板處理裝置之一實施形態的多室型的電漿蝕刻裝置的立體圖，圖2是概略表示其內部的水平剖面圖。
此電漿蝕刻裝置1是在其中央部接連設有搬送室20及預載室30。在搬送室20的周圍連接用以進行3個電漿蝕刻的處理室10。
在搬送室20與預載室30之間、搬送室20與各處理室10之間、及連通預載室30與外側的大氣環境的開口部，是氣密地密封該等之間，且分別介插有構成可開閉的閘閥22。
在預載室30的外側設有2個的卡匣索引器(indexer )41，在其上載置有分別收容玻璃基板G的卡匣40。該等卡匣40是例如可在其一方收容未處理基板，在另一方收容處理完成基板。該等卡匣40可藉由昇降機構42來昇降。
在該等2個卡匣40之間，於支持台44上設有搬送機構43，此搬送機構43是具備：設成上下2段的拾取器(pick)45，46、及可使該等一體進出退避及旋轉的基部(base)47。
搬送室20是與真空處理室同樣可保持於所定的減壓環境，其中如圖2所示，配設有搬送裝置50。然後，藉由該搬送裝置50在預載室30及3個電漿蝕刻裝置10之間搬送玻璃基板G。搬送裝置50是在迴旋可能及上下動可能的基部51上2個基板搬送臂52設成可前後動。搬送裝置50的詳細構造會在往後敘述。
預載室30是與各處理室10及搬送室20同樣可保持於所定的減壓環境。並且，預載室30是用以在處於大氣環境的卡匣40與減壓環境的處理室10之間進行玻璃基板G的授受者，重複大氣環境與減壓環境的關係上，極力縮小構成其內容積。又，預載室30是基板収容部31會被設成上下2段(在圖2僅圖示上段)，在各基板収容部31內設有用以支持玻璃基板G的緩衝器32及進行玻璃基板G的對位之定位器(Positioner)33。
在處理室10內，如圖3的剖面圖所示，具備用以進行蝕刻處理的構成。處理室10是例如表面被防蝕鈍化鋁 (alumite)處理(陽極氧化處理)之鋁所構成的角筒形狀，在該處理室10內的底部設有用以載置被處理基板亦即玻璃基板G的基板載置台亦即基座101。在該基座101插通有可昇降的昇降銷130，其係用以進行往其上之玻璃基板G的載置或卸載。此昇降銷130是在搬送玻璃基板G時，上昇至基座101上方的搬送位置，除此以外時是形成沒入基座101內的狀態。基座101是隔著絕緣構件104來支持於處理室10的底部，具有金屬製的基材102與設於基材102的周緣之絕緣構件103。
在基座101的基材102連接有用以供給高頻電力的給電線123，在此給電線123連接整合器124及高頻電源125。由高頻電源125來對基座101供給例如13.56MHz的高頻電力。
在上述基座101的上方，與該基座101平行對向設有具有作為上部電極的機能之蓮蓬頭111。蓮蓬頭111是被支持於處理室10的上部，在內部具有內部空間112，且在與基座101對向的面形成有用以突出處理氣體的複數個吐出孔113。此蓮蓬頭111會被接地，與基座101一起構成一對的平行平板電極。
在蓮蓬頭111的上面設有氣體導入口114，在該氣體導入口114連接有處理氣體供給管115，該處理氣體供給管115是經由閥116及質量流控制器117來連接處理氣體供給源118。從處理氣體供給源118供給蝕刻用的處理氣體。處理氣體可使用鹵素系的氣體、O2 氣體、Ar氣體等 通常使用於該領域的氣體。
在處理室10的底部形成有排氣管119，此排氣管119連接排氣裝置120。排氣裝置120是具備渦輪分子泵等的真空泵，藉此可將處理室10內真空吸引至所定的減壓環境。並且，在處理室10的側壁設有基板搬出入口121，此基板搬出入口121可藉由上述閘閥22來開閉。而且，可在開啟該閘閥22的狀態下藉由搬送室20內的搬送裝置50來搬入玻璃基板G。
在處理室10的壁部設有溫調流體流路(未圖示)，藉此可對處理室10進行溫調。並且，在基座亦設有溫調流體流路(未圖示)，可進行溫調。在處理室10的壁部的溫調流體流路附近位置設有溫度感測器131，在基座101內設有溫度感測器132。該等溫度感測器131，132的檢測信號是如後述使用於搬送裝置50的控制。
如圖2所示，電漿蝕刻裝置1的各構成部是形成藉由具備微處理器的製程控制器70來進行控制的構成。在該製程控制器70連接有鍵盤或使用者介面，該鍵盤是供以操作者管理電漿蝕刻裝置1的指令輸入操作等，該使用者介面是由使電漿蝕刻裝置1的操業狀況可視化的顯示器等所構成。並且，在製程控制器70連接記憶部72，其係儲存有用以藉由製程控制器70的控制來實現在電漿蝕刻裝置1所被實行的各種處理、或按照處理條件來使所定的處理實行於電漿蝕刻裝置1的控制程式亦即處方(recipe)、或各種資料庫等。記憶部72是具有記憶媒體，處方等 是被記憶於該記憶媒體。記憶媒體可為硬碟或半導體記憶體，或者CDROM、DVD、快閃記憶體等的可攜帶者。然後，按照所需，以來自使用者介面71的指示等，從記憶部72叫出任意的處方，而使實行於製程控制器70，藉此在製程控制器70的控制下，在電漿蝕刻裝置1進行所望的處理。
其次，詳細說明有關搬送室20的搬送裝置50。圖4是表示該搬送裝置50的概略構成圖，圖5是表示該搬送裝置的立體圖，圖6是表示將搬送裝置50的滑動拾取器插入處理室10的狀態。此搬送裝置50是具有：特長的基部51、及可在基部51上獨立滑動可能地設成上下2段的滑動拾取器52，53、及使基部51旋轉驅動(θ驅動)的同時，使昇降(Z驅動)，更使滑動拾取器52，53滑動(R驅動)之驅動機構54、及藉由控制驅動機構54的驅動來控制搬送裝置的搬送之搬送控制部55。
基部51是其橫剖面為形成中央凸狀，在該凸狀的中央部設有2根第1滑軌(rail)56，在比中央部更低的兩端部份別各設置1根的第2滑軌657。而且，設於下段的滑動拾取器52是設有分別崁合於中央的2根第1滑軌56而滑動的2個滑件(slider)58，具有延伸於與滑動方向正交的方向之平板狀的安裝構件59、及安裝於安裝構件59的上面之4根的基板支持銷60。又，設於上段的滑動拾取器53是設有分別崁合於兩端部的2根第2滑軌57而滑動的2個滑件61，具有以能夠包圍平板59的方式設成 箱狀的安裝構件62、及安裝於安裝構件62的上板62a的下面之4根的基板支持銷63。然後，如圖6所示，藉由使一方的滑動拾取器(在圖6是下段的滑動拾取器52)插入處理室10，來對處理室10內的基座101進行基板G的交接。圖是顯示將載置於滑動拾取器52的玻璃基板G搬入處理室10的基座101正上方的狀態。
圖7是表示驅動機構54及搬送控制部55的方塊圖。驅動機構54是具有：使基部51執行θ驅動的θ驅動部541、及使基部51執行Z驅動的Z驅動部542、及使滑動拾取器52，53執行R驅動的R驅動部543，構成該等的馬達是分別連接編碼器(encoder)544、545、546。編碼器544、545、546可藉由檢測出馬達的旋轉角度(旋轉次數)來掌握R-θ-Z座標的滑動拾取器52、53的位置。
搬送控制部55是具有：藉由控制驅動機構54來控制滑動拾取器52、53的位置之控制器551、及記憶對應於溫度的位移資訊之記憶部552。並且，可在控制器551輸入上述溫度感測器131、132的檢測信號。搬送控制部55可根據製程控制器70的指令來進行搬送控制。
然後，可根據來自溫度感測器131、132的溫度檢測信號、及對應於記憶部552所記憶的溫度的位移資訊，從控制器551輸出位置補正信號至驅動機構54的各驅動部。然後，藉由此位置補正信號來按照溫度補正滑動拾取器52、53的基準位置。此基準位置是使滑動拾取器52、53延伸，而對處理室10內的基座101交接基板的位置，此 基準位置的初期設定是在室溫中，以作業者能夠使滑動拾取器52、53對準於可將玻璃基板交接至基座101的正確位置之位置，使該處形成基準之方式，藉由設定控制器551之所謂教導的作業來進行。
其次，說明有關如此構成的電漿蝕刻裝置1的處理動作。首先，使搬送機構43的2個拾取器45、46進退驅動，從收容未處理基板的一方卡匣40來將2片的玻璃基板G搬入預載室30的2段基板収容室31。
拾取器45，46退避後，使預載室30的大氣側的閘閥22對閉預載室30內進行排氣，而將內部減壓至所定的真空度。抽真空後，藉由定位器33來按壓基板而進行玻璃基板G的對位。
如以上那樣定位後，開啟搬送室20與預載室30之間的閘閥22，藉由搬送室20內的搬送裝置50來接受收容於預載室30的基板収容部31之玻璃基板G，搬入處理室10。
具體而言，是在使玻璃基板G載置於搬送裝置50的滑動拾取器52或53上的狀態下，將該滑動拾取器插入處理室10內，搬入玻璃基板G。其次，使昇降銷130上昇至搬送位置，從插入後的滑動拾取器來將玻璃基板G交接至昇降銷130上。然後，使處理室10內的滑動拾取器退避至搬送室20，其次，使昇降銷130降下來將玻璃基板G載置於基座101上。
然後，關閉閘閥22，藉由排氣裝置120來將處理室 10內抽真空至所定的真空度。然後，開放閥116，從處理氣體供給源118使處理氣體一邊藉由質量流控制器117來調整其流量，一邊經由處理氣體供給管115、氣體導入口114來導入至蓮蓬頭111的內部空間112，更經由吐出孔113來對基板G均一地吐出，一面調節排氣量一面將處理室10內控制於所定壓力。
在此狀態下從處理氣體供給源118將所定的處理氣體導入至處理室10內，且由高頻電源125來將高頻電力施加於基座104，使高頻電場產生於作為下部電極的基座101及作為上部電極的蓮蓬頭111之間，而生成處理氣體的電漿，藉由此電漿來對玻璃基板G實施蝕刻處理。
如此實施蝕刻處理後，停止來自高頻電源125的高頻電力施加。然後，排除殘留於處理室10內的處理氣體，藉由昇降銷130來使玻璃基板G上昇至搬送位置。在此狀態下開放閘閥22來將搬送裝置50的滑動拾取器52、53的其中之一插入處理室10內，使位於昇降銷130上的玻璃基板G交接至該滑動拾取器。然後，將玻璃基板G經由基板搬出入口121來從處理室10內搬出至搬送室20。
從處理室10搬出的玻璃基板G是在載置於滑動拾取器的狀態下搬送至預載室30，藉由、搬送機構43來收容於卡匣40。此時，可回到原本的卡匣40，或收容於他方的卡匣40。
以收容於卡匣40的玻璃基板G的片數量重複以上那 樣的一連串動作，完成處理。
在如此的蝕刻處理中，為了實現安定高精度的處理，必須藉由搬送裝置50來以高位置精度將玻璃基板G載置於處理室10內的基板載置台亦即基座101的所定位置。
因應於此，作業者會使滑動拾取器52、53對位於正確的交接位置，以該位置作為基準位置，進行以此時的R-θ-Z座標的R值、θ值、Z值作為基準值設定的教導作業。此作業因為作業者介在所以通常是在室溫下進行。
然而，如上述般，處理室10是進行壁部的溫調，蝕刻處理時大多是調溫成40℃以上，依情況，會被調溫成80~90℃的高溫。並且，處理室10的材質是熱膨脹係數高的鋁。如圖8所示，處理室10會因熱膨脹而伸展至外方，因此基座101的位置也會偏移至外方。所以，如上述在室溫下進行搬送裝置50的教導時，滑動拾取器的位置會比基座101上的所定位置更偏移至前側，因此玻璃基板G的前端位置也會偏移。近年來隨著玻璃基板大型化，一邊會超過2m，因此處理室的一邊會超過3m，一旦溫度從室溫(25℃)上昇至50℃，則玻璃基板G的載置位置會比所定位置更偏移1.5mm程度、若上昇至80℃，則會偏移3mm程度。
於是，本實施形態會補正基準位置，該基準位置是藉由測定處理室10的溫度而按照該溫度來教導所取得的基準位置。在此，參照圖9的流程圖來說明補正此時的基準位置的動作。
首先，在搬送控制部55的記憶部552中，如圖10所示，使藉由在室溫的教導而求取之滑動拾取器52、53的基準位置資訊(Ro，θo，Zo)記憶(步驟1)，更使對應於R方向、θ方向、Z方向之表示處理室10的溫度與熱膨脹的變位的關係之函數(f，g，h)記憶(步驟2)。此函數可由根據實測值的近似式來計算者，或以計算式求取者。例如，若可將該等的關係當作一次函數表示，則舉R方向為例，變位△R是形成△R=at+b(t為溫度)，作為函數f來記憶a、b的值。
然後，一旦對搬送裝置50的搬送控制部55發出從製程控制器70往滑動拾取器52或53的處理室10內之進入指令，則接受該指令的搬送控制部55的控制器551會取入來自處理室10的壁部所設置的溫度感測器131之溫度檢測信號(步驟3)。
然後，控制器551會根據溫度感測器131所檢測出的溫度t1、及記憶於記憶部552之基準位置的位置資訊(R0 ，θ0 ，Z0 )、及表示溫度與熱膨脹的變位的關係之函數(f、g、h)來進行演算，求取基準位置的補正值(步驟4)。補正後的基準位置(R1 ，θ1 ，Z1 )的R1 ，θ1 ，Z1 是分別可如其次般求取， R1 =R0 +f (t1 -t0 ) θ1 =θ0 +g (t1 -t0 ) Z1 =Z0 +h (t1 -t0 )(t0 是進行教導時的溫度)
另外，可輔助性地取入設於基座101的溫度感測器 132的溫度檢測信號，因應所需，使用加上基座101的熱膨脹所造成的變位之補正值。藉此，可求取更高精度的補正值。
如此求取補正後的基準位置(R1 ，θ1 ，Z1 )之後，將記憶於記憶部552的基準位置(R0 ，θ0 ，Z0 )置換成(R1 ，θ1 ，Z1 )(步驟5)。
如此，搬送控制部55的基準位置的補正終了後，插入滑動拾取器52或53，根據補正後的基準位置來進行對基座101之基板G的交接或受取動作(步驟6)。
如此，按照溫度來自動地補正基準位置，即使處理室10形成高溫，還是可以高位置精度來將玻璃基板G載置於基座101的所定位置，且可受取玻璃基板G。如此，可提高玻璃基板G的位置精度，因此可安定實現更高精度的處理。
另外，如此對應於溫度之基準位置的補正是滑動拾取器52或53在進入處理室10的每個時序實施，藉此可實現更高精度的位置補正，一旦進行處理室10的溫度設定，則因為該批處理之間處理室10的溫度不太會變化，所以可只在該批處理的的最初或在每一定期間定期地進行上述那樣按照溫度來補正基準位置的動作。
在基準位置的補正中，亦可取代函數，使用表格記憶於記憶部552。就表格的例子而言，如圖11所示，可舉依所定的溫度、例如每10℃，分配R、θ、Z的變位值者。此時的溫度範圍只要按照所被容許的位置不均來適當決 定即可。
又，複數的處理室10是分別具有溫度感測器，搬送控制部55是按照在複數的各處理室10藉由溫度感測器所檢測出的溫度來補正各處理室的基準位置。藉此，即使溫度依處理室而有所不同，還是可在各個的處理室以高精度搬送玻璃基板G至所定位置。
又，由於複數的處理室10是具有同一構成，因此表示溫度與熱膨脹的變位的關係之函數或表格可為共通者。並且，當複數的處理室10的溫度設定為相同時，可在任一個的處理室進行上述那樣基準位置的補正，將該資料使用於其他的處理室。此情況，可使補正作業簡略化。但依處理室，多少會有個差，且即使溫度設定相同，還是有時會有溫度不均，因此由高精度補正基準位置的觀點來看，最好是按各處理室記憶函數或表格，而使能夠在每次搬送至各處理室時補正基準位置。
搬送室20通常是被保持於室溫，因此幾乎不必考量搬送裝置50本身的熱膨脹，但當搬送室20本身調溫至高溫時，在基準位置的補正時，最好是以從處理室的熱膨脹之變位減去搬送裝置50的熱膨脹之變位後的值作為補正值。
又，本發明並非限於上述實施形態，亦可實施各種的變形。例如，在上述實施形態雖是將本發明適用於蝕刻裝置，但並非限於蝕刻處理，亦可適用於成膜等的其他處理。又，上述實施形態雖是舉多室型的裝置為例來進行說明 ，但處理室僅為一個的單室型的裝置亦可適用。又，有關搬送裝置並非限於上述實施形態，亦可適用於各種型態的搬送裝置。
又，上述實施形態是基板為使用FPD用玻璃基板的例子，但並非限於此，亦可為半導體晶圓等的其他基板。
1‧‧‧電漿蝕刻裝置
10‧‧‧處理室
20‧‧‧搬送室
22‧‧‧閘閥
30‧‧‧預載室
50‧‧‧搬送裝置
52、53‧‧‧滑動拾取器(基板支持部)
54‧‧‧驅動機構
55‧‧‧搬送控制部
70‧‧‧製程控制器
101‧‧‧基座
551‧‧‧控制器(演算部)
552‧‧‧記憶部
G‧‧‧玻璃基板
圖1是表示本發明的基板處理裝置之一實施形態的電漿蝕刻裝置的概略立體圖。
圖2是表示圖1的電漿蝕刻裝置的內部的概略水平剖面圖。
圖3是表示使用於圖1的電漿蝕刻裝置的處理室的剖面圖。
圖4是表示本發明之一實施形態的電漿蝕刻裝置的搬送裝置的概略構成圖。
圖5是表示圖4的搬送裝置的裝置本體部的立體圖。
圖6是表示將圖4的搬送裝置的滑動拾取器插入處理室的狀態剖面圖。
圖7是表示圖4的搬送裝置的驅動機構及驅動控制部的方塊圖。
圖8是用以說明被調溫成高溫度的處理室的熱膨脹的狀態、及在室溫下調整基準位置的搬送裝置之基板搬送位置的位移的模式圖。
圖9是表示用以補正基準位置的動作流程圖。
圖10是用以說明記憶於搬送控制部的記憶部的資訊。
圖11是表示溫度與熱膨脹的變位的關係表之例。
54‧‧‧驅動機構
55‧‧‧搬送控制部
131、132‧‧‧溫度感測器
541‧‧‧θ驅動部
542‧‧‧Z驅動部
543‧‧‧R驅動部
544、545、546‧‧‧編碼器
551‧‧‧控制器(演算部)
552‧‧‧記憶部

Claims (21)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係具備：處理室，其係收容基板載置台，對該基板載置台上的基板實施所定的處理；溫度感測器，其係檢測出上述處理室的溫度；及搬送裝置，其係進行對上述處理室內的上述基板載置台之基板的受取或交接；上述搬送裝置係具有：搬送裝置本體、及藉由控制上述搬送裝置本體的驅動來控制基板的搬送之搬送控制部，上述搬送控制部係以所定時序按照對應於藉由上述溫度感測器所檢測出的溫度之上述處理室的變位來針對旋轉方向、滑動方向及昇降方向而補正上述搬送裝置本體的上述處理室內的基準位置，以所被補正的基準位置作為基準來控制上述搬送裝置本體的基板的搬送，更具備：收容上述搬送裝置本體，鄰接於上述處理室的搬送室。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述搬送控制部係具有：記憶部，其係記憶有預先求取的基準位置資訊、及上述處理室的溫度與變位的關係；及演算部，其係根據藉由上述溫度感測器所檢測出的溫度與上述預先求取的基準位置資訊及上述關係來補正基準位置。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，記 憶於上述記憶部的上述預先求取的基準位置資訊為室溫的基準位置資訊。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理裝置，其中，上述記憶部係將上述處理室的溫度與變位的關係作為函數記憶。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理裝置，其中，上述記憶部係將上述處理室的溫度與變位的關係作為表格記憶。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板處理裝置，其中，上述搬送裝置本體係具有支持基板的基板支持部，上述基準位置係上述基板支持部對上述處理室內的上述基板載置台進行基板的交接之位置。
  7. 如申請專利範圍第2項所記載之基板處理裝置，其中，上述記憶部係記憶上述處理室壁部的溫度與對應於上述基板載置台的基板前端位置的部份的變位的關係，作為上述處理室的溫度與變位的關係。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板處理裝置，其中，上述搬送控制部係上述搬送裝置本體在存取於上述處理室的每個時序進行上述基準位置的補正。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，具備複數個上述處理室，在每個該等處理室具有溫度感測器，該等複數的處理室係連接至上述搬送室，上述搬送控制部係於每個上述複數的處理室按照藉由上述溫度感測器所檢測出的溫度來補正各處理室的上述基準位置。
  10. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板處理裝置，其中，更具有：測定上述搬送裝置本體的溫度的溫度感測器，上述搬送控制部係按照從上述處理室的變位減去上述搬送裝置本體的變位後的值來補正上述基準位置。
  11. 一種基板搬送方法，係藉由被收容於與上述處理室鄰接的搬送室之搬送裝置來針對對基板施以所定的處理的處理室內的基板載置台進行基板的受取或交接之基板搬送方法，其特徵係具有：求取上述搬送裝置的基準位置之工程；求取上述處理室的溫度與變位的關係之工程；掌握上述處理室的溫度之工程；根據上述處理室的溫度與上述基準位置及上述關係來針對旋轉方向、滑動方向及昇降方向而補正基準位置之工程；及以所被補正的基準位置作為基準來進行對上述處理室之基板的受取或交接之工程。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板搬送方法，其中，求取上述基準位置的工程係於室溫中進行。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之基板搬送方法，其中，上述搬送裝置係具有支持基板的基板支持部，上述基準位置係上述基板支持部對上述處理室內的上述基板載置台進行基板的交接之位置。
  14. 如申請專利範圍第11或12項所記載之基板搬送方法，其中，使用上述處理室壁部的溫度與對應於上述基 板載置台的基板前端位置的部份的變位的關係，作為上述處理室的溫度與變位的關係。
  15. 如申請專利範圍第11或12項所記載之基板搬送方法，其中，更具有掌握上述搬送裝置本體的溫度之工程，按照從上述處理室的熱膨脹減去上述搬送裝置本體的熱膨脹後的值來補正上述基準位置。
  16. 一種電腦程式，係針對對基板施以所定的處理的處理室內的基板載置台，使基板的受取或交接動作實行於被收容於與上述處理室鄰接的搬送室之搬送裝置之電腦程式，其特徵係具有：記憶上述搬送裝置的基準位置之機能；記憶上述處理室的溫度與變位的關係之機能；及以所定的時序根據上述處理室的溫度與上述基準位置及上述關係來針對旋轉方向、滑動方向及昇降方向而補正基準位置之機能，以所被補正的基準位置作為基準來使基板的受取或交接動作實行於上述搬送裝置之機能。
  17. 如申請專利範圍第16項之電腦程式，其中，上述基準位置係於室溫中求取。
  18. 如申請專利範圍第16或17項之電腦程式，其中，上述搬送裝置係具有支持基板的基板支持部，上述基準位置係上述基板支持部對上述處理室內的上述基板載置台進行基板的交接之位置。
  19. 如申請專利範圍第16或17項所記載之電腦程 式，其中，使用上述處理室壁部的溫度與對應於上述基板載置台的基板前端位置的部份的變位的關係，作為上述處理室的溫度與變位的關係。
  20. 如申請專利範圍第16或17項所記載之電腦程式，其中，上述基準位置的補正係於上述搬送裝置本體存取於上述處理室的每個時序進行。
  21. 如申請專利範圍第16或17項所記載之電腦程式，其中，上述基準位置的補正係按照從上述處理室的變位減去上述搬送裝置本體的變位後的值來進行。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5173699B2 (ja) * 2008-09-25 2013-04-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 有機ｅｌデバイス製造装置
JP5208800B2 (ja) * 2009-02-17 2013-06-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板搬送方法
JP5595202B2 (ja) * 2010-09-28 2014-09-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置およびそのメンテナンス方法
CN105097408B (zh) * 2015-07-21 2017-09-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种干法刻蚀机台及其使用方法
JP6285411B2 (ja) * 2015-12-25 2018-02-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US10184183B2 (en) * 2016-06-21 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Substrate temperature monitoring
JP7008609B2 (ja) * 2018-10-18 2022-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び搬送位置補正方法
CN112447548A (zh) * 2019-09-03 2021-03-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体处理设备及腔室间传送口结构
JP7362505B2 (ja) * 2020-02-20 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び液体吐出評価方法
JP7493362B2 (ja) * 2020-03-25 2024-05-31 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法及び基板処理装置
JP7553191B2 (ja) * 2020-08-31 2024-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システムの制御方法及び基板搬送システム
JP7216752B2 (ja) * 2021-02-08 2023-02-01 キヤノントッキ株式会社 計測装置、インライン型蒸着装置および調整方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000286324A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
TW412776B (en) * 1998-05-20 2000-11-21 Applied Komatsu Technology Inc Method and apparatus for substrate transfer and processing
JP2005262367A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Tokyo Electron Ltd 搬送ロボットの搬送ズレ確認方法及び処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2908227B2 (ja) * 1993-12-29 1999-06-21 日本電気株式会社 半導体製造装置
JP2002261154A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Anelva Corp 基板処理装置における基板のアライメント方法及び基板処理装置
JP4884621B2 (ja) * 2001-09-28 2012-02-29 株式会社日立国際電気 半導体製造装置、半導体製造方法、半導体製造装置のメンテナンス方法
JP3950698B2 (ja) * 2002-02-08 2007-08-01 キヤノン株式会社 半導体露光装置
WO2003100848A1 (fr) * 2002-05-23 2003-12-04 Anelva Corporation Dispositif et procede de traitement de substrats
US7079370B2 (en) * 2003-04-28 2006-07-18 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique electron attachment and remote ion generation
JP2005191511A (ja) * 2003-12-02 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2005191494A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光装置、デバイスの製造方法
JP4330467B2 (ja) * 2004-02-26 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 プロセス装置及び該プロセス装置内のパーティクル除去方法
JP2006155169A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Omron Corp 温度制御方法、温度調節器および熱処理システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW412776B (en) * 1998-05-20 2000-11-21 Applied Komatsu Technology Inc Method and apparatus for substrate transfer and processing
JP2000286324A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
JP2005262367A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Tokyo Electron Ltd 搬送ロボットの搬送ズレ確認方法及び処理装置

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