JP4884621B2 - 半導体製造装置、半導体製造方法、半導体製造装置のメンテナンス方法 - Google Patents
半導体製造装置、半導体製造方法、半導体製造装置のメンテナンス方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4884621B2 JP4884621B2 JP2001299017A JP2001299017A JP4884621B2 JP 4884621 B2 JP4884621 B2 JP 4884621B2 JP 2001299017 A JP2001299017 A JP 2001299017A JP 2001299017 A JP2001299017 A JP 2001299017A JP 4884621 B2 JP4884621 B2 JP 4884621B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- temperature
- value
- semiconductor manufacturing
- accumulated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プロセス処理実行によって炉内壁面に付着する膜厚の状態により温度制御を行い、バッチ間均一性を向上させる温度制御を行う半導体製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
枚葉装置などによる従来のプロセス処理は、炉内壁面に付着する膜厚の状態に関係なく温度制御を行っている。そのため、最初の数バッチは、プロセス処理実行を行っても問題のないプロセス処理が実行できる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、バッチ処理回数が増えるにつれて、炉内壁面に付着する膜厚が累積され、同じ温度設定値で制御しても、炉内温度が下がってくる。そのため、ウェーハを処理するプロセス温度が低下し、プロセス成膜条件から外れ、バッチ間均一性が低下したり、ウェーハ面内に成膜ができなくなる。
【0004】
本発明の目的は従来技術の問題点である、バッチ処理回数が増えるにつれ炉内壁面に付着する膜厚が累積されて炉内温度が低下し、その結果、ウェーハ面内にバッチ間での均一な膜が成膜できなくなるという問題点を解決するため、累積膜厚と膜生成に必要な温度の関係に従って温度制御を行い、バッチ間の均一性を向上させることができる半導体製造装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明は、加熱装置により炉内を加熱制御して半導体を製造する半導体製造装置であって、炉内壁面に付着する累積膜厚を記憶する第1記憶手段(累積膜厚値記憶部13)と、膜厚と温度との関係を記憶する第2記憶手段(プロセスレシピ記憶部7)と、前記第1記憶手段に記憶された累積膜厚と、前記第2記憶手段に記憶された膜厚と温度との関係とに基づいて、前記加熱装置を制御する制御手段とを備えたことを特徴とするものである。
【0006】
このような構成によれば、第1記憶手段に記憶された炉内壁面に付着した膜厚に基づいて、第2記憶手段に記憶された膜厚と温度との関係から、そのときの炉内壁面の膜厚に対する適切な制御温度を得、その制御温度に基づいて加熱装置を制御することで、バッチ間のウェーハの膜厚を炉内壁面に付着する膜厚の変動に拘わらず均一とすることができる。
【0007】
なお、実施の形態においては、炉内壁面に付着した膜厚と補正温度との関係を予め記憶しておき、レシピの進行に従って、そのレシピにより付着する膜厚を累積し、この累積膜厚と補正温度により加熱装置を制御する半導体製造方法が示されている。なお、累積膜厚を求めるに際しては、各レシピにより付着する膜厚を記憶させておき、各レシピの進行毎にその膜厚を加算していく。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
図1は本発明の実施の形態のブロック構成図、図2は実施の形態の動作を示すフローチャートである。
図1に示す半導体製造装置は、炉1と、加熱装置を構成するヒータ素線2と、温度を検出する熱電対3と、制御量を調整するサイリスタ(SCR)4と、加熱装置を制御する温度コントローラ5と、温度制御に用いられる累積膜厚温度補正値を記憶する累積膜厚温度補正テーブル6と、プロセスレシピを記憶するプロセスレシピ記憶部7と、温度制御を行うTUBEコントローラ8と、半導体製造装置全体の制御を行う主制御部9と、機構部分を制御するメカニズムコントローラ10と、主操作を行う主操作部11と、メカニズムコントローラ10により制御され、基板等を搬送する搬送ロボット12と、累積膜厚を記憶する累積膜厚値記憶部13とを備えている。
【0009】
以上の構成において、炉1は内部でウェーハを処理し、ヒータ素線2は加熱されて炉1内の温度を昇温させる。熱電対3は現在の炉1内の温度をモニタするため炉1内の温度を検出し、温度コントローラ5に送出する。サイリスタ4はヒータパワー出力を可変し、ヒータ素線2を制御する。温度コントローラ5は、熱電対3の電圧から現在の炉1内の温度を取り込み、設定温度からパワー出力を計算し、サイリスタを制御する。
【0010】
また、累積膜厚温度補正テーブル6は累積膜厚に対応する温度の補正値を記憶する。プロセスレシピ記憶部7はヒータの設定温度とプロセスレシピ実行により壁面に付着する膜厚を記憶している。TUBEコントローラ8は温度コントローラ5を制御し、累積膜厚値記憶部13と累積膜厚温度補正テーブル6とプロセスレシピ記憶部7の値から設定すべき温度を計算し、温度コントローラ5へ送信する。また、TUBEコントローラ8はプロセスレシピ記憶部7に設定された膜厚をプロセスレシピ実行後毎に累積膜厚値記憶部13に加算する。
【0011】
主制御部9はメカニズムコントローラ10を制御し、搬送スケジュールに従ってウェーハの搬送指示を行う。主操作部11は主制御部9の制御情報を画面に表示する。メカニズムコントローラ10は搬送ロボット12を制御し、ウェーハの搬送を行う。
【0012】
図2には、図1の構成において、温度制御されるフローチャートを示している。TUBEコントローラ8は、炉1内の制御したい温度とプロセスレシピ1回の実行で壁面に累積される膜厚をプロセスレシピ記憶部7へ記憶する(ステップS1)。TUBEコントローラ8は累積膜厚と、ウェーハ成膜の均一性を保つために補正すべき温度との関係を事前に取得し、累積膜厚温度補正テーブル6へ記憶する(ステップS2)。炉1内の壁面がプロセスレシピ実行処理継続不可能となる程に膜厚が累積されると(ステップS3、Y)、TUBEコントローラ8はメンテナンス周期と判断し、ステップS7へ移行する。プロセスレシピ実行処理継続可能であれば、ステップS4へ移行する。
【0013】
ステップS4では、TUBEコントローラ8はウェーハ成膜するため、累積膜厚温度補正テーブルに記憶された補正値を用いて、プロセスレシピを実行する(ステップS4)。そして、TUBEコントローラ8はプロセスレシピ実行終了でプロセスレシピに設定された膜厚を累積膜厚値記憶部13に記憶されている累積膜厚値に加算する(ステップS5)。また、TUBEコントローラ8は累積膜厚値とステップS2で設定した累積膜厚温度テーブル6から温度補正を行う(ステップS6)。ステップS3においてメンテナンスが必要と判断された場合は(ステップS3、Y)、TUBEコントローラ8は、炉1内をクリーニングし、累積膜厚値13をクリアする(ステップS7)。
【0014】
図3には、温度コントローラ5へ送信する設定温度の例を示す。各チャネル毎の設定温度の計算方法は、プロセスレシピ記憶部7の設定温度+累積膜厚温度補正テーブル6の値である。例えば、CH1の温度コントローラ5への設定温度は、600℃+5℃=605℃ と計算する。
【0015】
図4にはプロセスレシピ記憶部7の内容を示す。設定温度は600℃、650℃、…を例としている。図5には累積膜厚温度補正テーブル6の内容を示す。例えば、累積膜厚10μmでのCH1,CH2,…の温度補正値を5℃、4℃、…としている。
【0016】
図6には累積膜厚表示例を示す。累積膜厚値101をxxxx(プロセスレシピ回数)×100Åと表示している。プロセスレシピ記憶部7の膜厚値が100Åと設定され、プロセスレシピを12回実行すれば0012×100Åと表示する。図7には累積膜厚設定例を示す。プロセスレシピ記憶部7に1回の実行で累積される膜厚値102を設定する。図8には累積膜厚温度補正テーブル例を示す。累積膜厚値が基準膜厚値の上限値から下限値の範囲であれば、各ゾーン毎にテーブルに従って温度補正する。図9には、累積膜厚消去コマンド例を示す。累積膜厚値を0にする「CLEANING」103コマンドの設定をする。通常はメンテナンス周期の炉内をクリーニングするため、クリーニングレシピ実行で行われる。
【0017】
実施の形態2.
実施の形態1の図2のステップS2において、事前に取得する累積膜厚温度補正テーブルを複数バッチ毎温度補正テーブルとして取得しておくことにより、複数バッチ間でのウェーハ均一性を向上させることができる。
【0018】
実施の形態3.
実施の形態1の図2のステップS2で事前に取得する累積膜厚温度補正テーブルをカセット毎温度補正テーブルにすることで、カセット間でのウェーハ均一性を向上することができる。
【0019】
実施の形態4.
実施の形態1の図2のステップS2で事前に取得する累積膜厚温度補正テーブルを複数カセット毎温度補正テーブルにすることで、複数カセット間でのウェーハ均一性を向上することができる。
【0020】
実施の形態5.
実施の形態1乃至4におけるヒータ素線2をランプにすることで、ランプ加熱方式のウェーハ均一性を向上することができる。
【0021】
【発明の効果】
本発明によれば、バッチ処理回数が増え、炉内壁面に付着する膜厚が累積されても、ウェーハ面内に良好に成膜することができる。また複数バッチ毎、複数カセット毎でのウェーハ均一性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態における半導体製造装置を示すブロック図である。
【図2】実施の形態の動作を示すフローチャートである。
【図3】実施の形態における温度補正テーブルである。
【図4】温度設定テーブルである。
【図5】累積膜厚温度補正テーブルである。
【図6】累積膜厚表示例を示す図である。
【図7】累積膜厚設定例を示す図である。
【図8】累積膜厚温度補正テーブル例を示す図である。
【図9】累積膜厚消去コマンド例を示す図である。
【符号の説明】
1 炉、2 ヒータ素線、3 熱電対、4 サイリスタ、5 温度コントローラ、6 累積膜厚温度補正テーブル、7プロセスレシピ記憶部、8 TUBEコントローラ、9 主制御部、10 メカニズムコントローラ、11 主操作部、12 搬送ロボット、13 累積膜厚値記憶部。
Claims (9)
- 加熱装置により炉内を加熱制御して半導体を製造する半導体製造装置であって、
温度と該温度により成膜される膜厚とを記憶するプロセスレシピ記憶手段と、
炉内壁面に付着する累積膜厚を記憶する累積膜厚値記憶手段と、
前記プロセスレシピ記憶手段により記憶された前記膜厚を取得し、該膜厚を前記累積膜厚記憶手段により記憶された累積膜厚へ加算し、予め設定された累積膜厚と温度補正値との関係に基づいて、前記加算された累積膜厚に相当する温度補正値を決定し、該温度補正値により前記温度を補正し、前記補正した温度に基づいて、前記加熱装置を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記予め設定された累積膜厚と温度補正値との関係を記憶する温度補正テーブルを更に備えた請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記温度補正テーブルを複数のバッチ毎に備えた請求項2記載の半導体製造装置。
- 前記温度補正テーブルをカセット毎に備えた請求項2記載の半導体製造装置。
- 前記温度補正テーブルを複数のカセット毎に備えた請求項2記載の半導体製造装置。
- 加熱装置により炉内を加熱制御して半導体を製造する半導体製造方法であって、
温度と該温度により成膜される膜厚とを予めレシピに記憶しておき、前記レシピの進行に従って付着する膜厚を累積し、予め設定された累積膜厚と温度補正値との関係に基づいて、前記累積された膜厚に相当する温度補正値を決定し、前記決定した温度補正値により前記温度を補正し、前記補正した温度に基づいて、前記加熱装置を制御する半導体製造方法。 - 各レシピにより炉内壁面に付着する膜厚を累積膜厚値記憶部へ記憶しておき、各レシピの実行毎にその膜厚を加算して前記累積された膜厚とする請求項6記載の半導体製造方法。
- レシピを実行する毎に炉内壁面に累積される累積膜厚の値である累積膜厚値を記憶し、予め設定された累積膜厚値と温度補正値との関係を事前に取得し、前記記憶された累積膜厚値が上限値及び下限値で示された基準膜厚値の範囲から外れた場合にメンテナンス周期と判断し、炉内をクリーニングし、前記記憶された累積膜厚値が前記基準膜厚値の範囲であれば、前記レシピを実行した後、前記記憶された累積膜厚値と、前記予め設定された累積膜厚値と温度補正値との関係とから温度補正値を取得し、取得した温度補正値で温度を補正した後、再度メンテナンス周期を判断する半導体製造装置のメンテナンス方法。
- 前記クリーニング後は、前記記憶された累積膜厚値がクリアされる請求項8記載の半導体製造装置のメンテナンス方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001299017A JP4884621B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 半導体製造装置、半導体製造方法、半導体製造装置のメンテナンス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001299017A JP4884621B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 半導体製造装置、半導体製造方法、半導体製造装置のメンテナンス方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003109906A JP2003109906A (ja) | 2003-04-11 |
JP4884621B2 true JP4884621B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=19119829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001299017A Expired - Lifetime JP4884621B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 半導体製造装置、半導体製造方法、半導体製造装置のメンテナンス方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4884621B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339242A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5036290B2 (ja) * | 2006-12-12 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板搬送方法、ならびにコンピュータプログラム |
JP5005388B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP5274213B2 (ja) | 2008-11-14 | 2013-08-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法、温度制御方法 |
JP6301083B2 (ja) | 2012-09-12 | 2018-03-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びレシピの作成方法 |
KR102153149B1 (ko) | 2012-10-24 | 2020-09-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 보정값 산출 장치, 보정값 산출 방법 및 컴퓨터 프로그램 |
JP6378639B2 (ja) * | 2015-03-24 | 2018-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム、処理方法、及び、プログラム |
JP2020143333A (ja) | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
CN113614884B (zh) | 2019-03-22 | 2024-04-12 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07147257A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-06-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び装置 |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001299017A patent/JP4884621B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003109906A (ja) | 2003-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5005388B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
TWI458016B (zh) | 基板處理系統及基板處理系統之製程配方最佳化方法 | |
TWI409851B (zh) | Adjust the gas flow processing system, processing methods and memory media | |
JP4884621B2 (ja) | 半導体製造装置、半導体製造方法、半導体製造装置のメンテナンス方法 | |
TWI304617B (ja) | ||
JP2000306850A (ja) | ウエーハ加熱装置及びその制御方法 | |
JP2013207256A (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP6106519B2 (ja) | 基板処理方法、プログラム、制御装置、成膜装置及び基板処理システム | |
TW202213019A (zh) | 溫度控制方法、半導體裝置之製造方法、程式及基板處理裝置 | |
US20140090594A1 (en) | Thin film forming apparatus and computer-readable medium | |
US6780795B2 (en) | Heat treatment apparatus for preventing an initial temperature drop when consecutively processing a plurality of objects | |
JP2009260262A (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
US20080064128A1 (en) | Annealing apparatus, annealing method, and method of manufacturing a semiconductor device | |
JP4712343B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理方法、プログラム及び記録媒体 | |
JP5049302B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
CN114355998A (zh) | 半导体热处理设备的补偿参数获取方法和设备 | |
JP4222461B2 (ja) | バッチ式熱処理方法 | |
JP6524944B2 (ja) | 気相エッチング方法及びエピタキシャル基板の製造方法 | |
JP3103228B2 (ja) | ガス処理装置 | |
JPH09260294A (ja) | 電気炉の温度制御方法 | |
JP4703891B2 (ja) | 薄膜製造方法 | |
JP4783029B2 (ja) | 熱処理装置及び基板の製造方法 | |
JPH05267200A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
JPWO2005008755A1 (ja) | 温度制御方法、基板処理装置及び半導体製造方法 | |
TW201705294A (zh) | 熱處理裝置、熱處理方法及程式 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111207 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141216 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4884621 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |