JP2013207256A - 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム - Google Patents

熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム Download PDF

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Abstract

【課題】温度調整を容易に行うことができる熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部５０は、成膜処理が終了すると、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定し、測定した膜厚が許容範囲内か否かを判別する。制御部５０は、特定した膜厚が許容範囲内でないと判別すると、ヒータ１１〜１５のパワーが飽和しない範囲内で、膜厚が最も目標膜厚に近づく最適温度を算出する。制御部５０は、膜厚の測定、最適温度の算出をゾーンごとに行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理体を熱処理する熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラムに関し、特に、被処理体を多数枚一括して処理するバッチ式の熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラムに関する。
半導体装置の製造工程では、多数枚の被処理体、例えば、半導体ウエハの成膜処理、酸化処理あるいは拡散処理などを一括して行うバッチ式の熱処理システムが用いられている。バッチ式の熱処理システムでは、効率的に半導体ウエハを処理することが可能であるが、多数枚の半導体ウエハの熱処理の均一性を確保することは困難である。
このような問題を解決するため、例えば、特許文献１には、ヒータ室内に取り込まれる外気の温度が一定になるように外気の温度を自動的に調整する熱処理装置が提案されている。
特開２００５−１８３５９６号公報
ところで、温度調整に用いるヒータは、そのパワーが隣接するゾーンに設けられたヒータのパワーと互いに干渉しあうことから、隣接するゾーンのヒータのパワーによってそのパワーが増減してしまう。また、近年の省エネヒータは、従来のヒータに比べてパワー出力が極めて小さいため、わずかな温度調整であっても、ヒータのパワーが飽和（０％または１００％）してしまうことがある。ヒータのパワーが飽和すると、正しい温度制御ができず、熱処理の再現性が低下してしまう。このため、ヒータの温度調整においては、ヒータのパワーを考慮して定める必要がある。
このように、ヒータの温度調整が困難となっていることから、熱処理システムの操作者が、経験や勘に基づいて微調整を行っており、熱処理システムやプロセスに関する知識や経験のない操作者であっても、ヒータのパワーが飽和することなく、温度調整を容易に行うことができるような熱処理システム及び熱処理方法が求められている。
本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、温度調整を容易に行うことができる熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラムを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる熱処理システムは、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、
前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶手段と、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶手段と、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件における熱処理結果と、目標とする熱処理結果とに関する情報を受信する熱処理結果受信手段と、
前記熱処理結果受信手段により受信された前記熱処理条件における熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出手段と、
を備え、
前記最適温度算出手段は、前記パワー変化モデル記憶手段に記憶されたモデルと、算出した温度とに基づいて、当該温度における加熱手段のパワーを算出し、算出した加熱手段のパワーが飽和しない範囲内で、前記目標とする熱処理結果に最も近い温度を最適温度とする、ことを特徴とする。
前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、
前記加熱手段は、前記処理室内のゾーンごとに温度設定可能であり、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された熱処理条件は、前記処理室内のゾーンごとに設定され、
前記パワー変化モデル記憶手段に記憶されたパワー変化モデルは、前記ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、前記ゾーンごとの加熱手段のパワーの変化との関係を示し、
前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルは、前記ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、前記ゾーンごとの熱処理結果の変化との関係を示し、
前記熱処理結果受信手段は、前記ゾーンごとの目標とする熱処理結果とに関する情報を受信し、
前記最適温度算出手段は、前記ゾーンごとに最適温度を算出することが好ましい。
前記処理内容は、例えば、成膜処理である。この場合、前記熱処理結果は被処理体に形成された薄膜の膜厚である。
本発明の第２の観点にかかる熱処理方法は、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶工程と、
前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶工程と、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶工程と、
前記熱処理条件記憶工程により記憶された熱処理条件における熱処理結果と、目標とする熱処理結果とに関する情報を受信する熱処理結果受信工程と、
前記熱処理結果受信工程により受信された前記熱処理条件における熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶工程で記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出工程と、
を備え、
前記最適温度算出工程では、前記パワー変化モデル記憶工程で記憶されたモデルと、算出した温度とに基づいて、当該温度における加熱手段のパワーを算出し、算出した加熱手段のパワーが飽和しない範囲内で、前記目標とする熱処理結果に最も近い温度を最適温度とする、ことを特徴とする。
本発明の第３の観点にかかるプログラムは、
コンピュータを、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段、
前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶手段、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶手段、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件における熱処理結果と、目標とする熱処理結果とに関する情報を受信する熱処理結果受信手段、
前記熱処理結果受信手段により受信された前記熱処理条件における熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出手段、
として機能させ、
前記最適温度算出手段は、前記パワー変化モデル記憶手段に記憶されたモデルと、算出した温度とに基づいて、当該温度における加熱手段のパワーを算出し、算出した加熱手段のパワーが飽和しない範囲内で、前記目標とする熱処理結果に最も近い温度を最適温度とする、ことを特徴とする。
本発明によれば、温度調整を容易に行うことができる。
本発明の実施の形態に係る熱処理装置の構造を示す図である。 図１の制御部の構成例を示す図である。 反応管内のゾーンを示す図である。 ヒータの温度の変化と形成されるＳｉＯ２膜の膜厚変化との関係を示す膜厚変化モデルの一例である。 ヒータの温度変化とパワー変化の関係を示すパワー変化モデルの一例である。 調整処理を説明するためのフローチャートである。 操作者が入力した目標膜厚を示す図である。 レシピに記憶された温度と、この温度におけるヒータのパワーを示す図である。 ＳｉＯ２膜の膜厚を示す図である。 最適温度を説明するための図である。 最適温度と、最適温度におけるヒータのパワーを示す図である。 ＳｉＯ２膜の調整後の膜厚を示す図である。
以下、本発明の熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラムを、図１に示すバッチ式の縦型の熱処理装置に適用した場合を例に本実施の形態を説明する。また、本実施の形態では、成膜用ガスとして、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）と一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）とを用いて、半導体ウエハにＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明する。
図１に示すように、本実施の形態の熱処理装置１は、略円筒状で有天井の反応管２を備えている。反応管２は、その長手方向が垂直方向に向くように配置されている。反応管２は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。
反応管２の下側には、略円筒状のマニホールド３が設けられている。マニホールド３は、その上端が反応管２の下端と気密に接合されている。マニホールド３には、反応管２内のガスを排気するための排気管４が気密に接続されている。排気管４には、バルブ、真空ポンプなどからなる圧力調整部５が設けられており、反応管２内を所望の圧力（真空度）に調整する。
マニホールド３（反応管２）の下方には、蓋体６が配置されている。蓋体６は、ボートエレベータ７により上下動可能に構成され、ボートエレベータ７により蓋体６が上昇するとマニホールド３（反応管２）の下方側（炉口部分）が閉鎖され、ボートエレベータ７により蓋体６が下降すると反応管２の下方側（炉口部分）が開口されるように配置されている。
蓋体６の上部には、保温筒（断熱体）８を介して、ウエハボート９が設けられている。ウエハボート９は、被処理体、例えば、半導体ウエハＷを収容（保持）するウエハ保持具であり、本実施の形態では、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚、例えば、１５０枚収容可能に構成されている。そして、ウエハボート９に半導体ウエハＷを収容し、ボートエレベータ７により蓋体６を上昇させることにより、半導体ウエハＷが反応管２内にロードされる。
反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように、例えば、抵抗発熱体からなるヒータ部１０が設けられている。このヒータ部１０により反応管２の内部が所定の温度に加熱され、この結果、半導体ウエハＷが所定の温度に加熱される。ヒータ部１０は、例えば、５段に配置されたヒータ１１〜１５から構成され、ヒータ１１〜１５には、それぞれ電力コントローラ１６〜２０が接続されている。このため、この電力コントローラ１６〜２０にそれぞれ独立して電力を供給することにより、ヒータ１１〜１５をそれぞれ独立に所望の温度に加熱することができる。このように、反応管２内は、このヒータ１１〜１５により、図３に示すような５つのゾーンに区分されている。例えば、反応管２内のＴＯＰ（ＺＯＮＥ１）を加熱する場合には、電力コントローラ１６を制御してヒータ１１を所望の温度に加熱する。反応管２内のＣＥＮＴＥＲ（ＣＴＲ（ＺＯＮＥ３））を加熱する場合には、電力コントローラ１８を制御してヒータ１３を所望の温度に加熱する。反応管２内のＢＯＴＴＯＭ（ＢＴＭ（ＺＯＮＥ５））を加熱する場合には、電力コントローラ２０を制御してヒータ１５を所望の温度に加熱する。
また、マニホールド３には、反応管２内に処理ガスを供給する複数の処理ガス供給管が設けられている。なお、図１では、マニホールド３に処理ガスを供給する３つの処理ガス供給管２１〜２３を図示している。処理ガス供給管２１は、マニホールド３の側方からウエハボート９の上部付近（ＺＯＮＥ１）まで延びるように形成されている。処理ガス供給管２２は、マニホールド３の側方からウエハボート９の中央付近（ＺＯＮＥ３）まで延びるように形成されている。処理ガス供給管２３は、マニホールド３の側方からウエハボート９の下部付近（ＺＯＮＥ５）まで延びるように形成されている。
各処理ガス供給管２１〜２３には、それぞれ、流量調整部２４〜２６が設けられている。流量調整部２４〜２６は、処理ガス供給管２１〜２３内を流れる処理ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）などから構成されている。このため、処理ガス供給管２１〜２３から供給される処理ガスは、流量調整部２４〜２６により所望の流量に調整されて、それぞれ反応管２内に供給される。
また、熱処理装置１は、反応管２内のガス流量、圧力、処理雰囲気の温度といった処理パラメータを制御するための制御部（コントローラ）５０を備えている。制御部５０は、流量調整部２４〜２６、圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０等に制御信号を出力する。図２に制御部５０の構成を示す。
図２に示すように、制御部５０は、モデル記憶部５１と、レシピ記憶部５２と、ＲＯＭ５３と、ＲＡＭ５４と、Ｉ／Ｏポート５５と、ＣＰＵ（Central Processing Unit)５６と、これらを相互に接続するバス５７と、から構成されている。
モデル記憶部５１には、ヒータの温度の変化と形成されるＳｉＯ２膜の膜厚変化との関係を示す膜厚変化モデルが記憶されている。また、モデル記憶部５１には、ヒータの温度の変化とヒータのパワーの変化との関係を示すパワー変化モデルが記憶されている。なお、これらのモデルの詳細については後述する。
レシピ記憶部５２には、この熱処理装置１で実行される成膜処理の種類に応じて、制御手順を定めるプロセス用レシピが記憶されている。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う処理（プロセス）毎に用意されるレシピであり、反応管２への半導体ウエハＷのロードから、処理済みの半導体ウエハＷをアンロードするまでの、各部の温度の変化、反応管２内の圧力変化、ガスの供給の開始及び停止のタイミング、供給量などを規定する。
ＲＯＭ５３は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ５６の動作プログラムなどを記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ５４は、ＣＰＵ５６のワークエリアなどとして機能する。
Ｉ／Ｏポート５５は、温度、圧力、ガスの流量に関する測定信号をＣＰＵ５６に供給すると共に、ＣＰＵ５６が出力する制御信号を各部（圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０、流量調整部２４〜２６等）へ出力する。また、Ｉ／Ｏポート５５には、操作者が熱処理装置１を操作する操作パネル５８が接続されている。
ＣＰＵ５６は、制御部５０の中枢を構成し、ＲＯＭ５３に記憶された動作プログラムを実行し、操作パネル５８からの指示に従って、レシピ記憶部５２に記憶されているプロセス用レシピに沿って、熱処理装置１の動作を制御する。
ＣＰＵ５６は、モデル記憶部５１に記憶されている膜厚変化モデルと、形成されたＳｉＯ２膜の膜厚とに基づいて、目標膜厚が形成される反応管２内の各ＺＯＮＥ（ＺＯＮＥ１〜５）に配置されたヒータ１１〜１５の設定温度を算出する。また、ＣＰＵ５６は、モデル記憶部５１に記憶されているパワー変化モデルと、算出されたヒータ１１〜１５の設定温度とに基づいて、設定温度におけるヒータ１１〜１５のパワーを算出する。ＣＰＵ５６は、このヒータ１１〜１５の設定温度の算出において、設定温度におけるヒータ１１〜１５のパワーが飽和（０％または１００％）するか否かを判別し、パワーが飽和しない範囲内で膜厚が最も目標膜厚に近づく温度（最適温度）を算出する。
バス５７は、各部の間で情報を伝達する。
次に、モデル記憶部５１に記憶されているモデルについて説明する。前述のように、モデル記憶部５１には、ヒータの温度の変化と形成されるＳｉＯ２膜の膜厚変化との関係を示す膜厚変化モデルが記憶されている。
一般に、反応管２内の温度を高くすると、形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が増加する。また、反応管２内の１つの収容位置（ＺＯＮＥ）の温度を変化させると、そのＺＯＮＥだけでなく、他のＺＯＮＥについても、半導体ウエハＷに形成されるＳｉＯ２膜の膜厚に影響を及ぼす。図４に膜厚変化モデルの一例を示す。
図４に示すように、膜厚変化モデルは、所定ＺＯＮＥの温度を１℃上げたとき、各ＺＯＮＥに形成されるＳｉＯ２膜の膜厚がどれだけ変化するかを示している。例えば、図４に示すように、電力コントローラ１６を制御してヒータ１１を加熱することによりＺＯＮＥ１の温度設定値を１℃上げると、ＺＯＮＥ１に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が２ｎｍ増加し、ＺＯＮＥ２に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．７ｎｍ減少し、ＺＯＮＥ３に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．８ｎｍ増加し、ＺＯＮＥ４に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．０５ｎｍ減少することを示している。
なお、膜厚変化モデルは、所定ＺＯＮＥの温度を変化させたときに、各ＺＯＮＥに形成されるＳｉＯ２膜の膜厚がどれだけ変化するかを示すことができるものであればよく、これ以外の種々のモデルを用いてもよい。
また、モデル記憶部５１には、ヒータの温度の変化とヒータのパワーの変化との関係を示すパワー変化モデルが記憶されている。
一般に、反応管２内の１つの収容位置（ＺＯＮＥ）の温度を変化させると、そのＺＯＮＥだけでなく、他のＺＯＮＥについても、ヒータのパワーに影響を及ぼす。図５にパワー変化モデルの一例を示す。
図５に示すように、パワー変化モデルは、所定ＺＯＮＥに配置されたヒータの温度を１℃上げたとき、各ＺＯＮＥに配置されたヒータのパワーがどれだけ変化するかを示している。
例えば、図５中の破線で囲まれた箇所は、電力コントローラ１６を制御してＺＯＮＥ１のヒータ１１の温度設定値を１℃上げると、ＺＯＮＥ１のヒータ１１のパワーが１．００％増加し、ＺＯＮＥ２のヒータ１２のパワーが０．７０％減少し、ＺＯＮＥ３のヒータ１３のパワーが０．０６％増加し、ＺＯＮＥ４のヒータ１４のパワーが０．０１％減少し、ＺＯＮＥ５のヒータ１５のパワーが０．０２％増加することを示している。
なお、パワー変化モデルは、所定ＺＯＮＥに配置されたヒータの温度を変化させたときに、各ＺＯＮＥに配置されたヒータのパワーがどれだけ変化するかを示すことができるものであればよく、これ以外の種々のモデルを用いてもよい。
また、これらのモデルは、プロセス条件や装置の状態によってデフォルトの数値が最適でない場合も考えられることから、ソフトウエアに拡張カルマンフィルターなどを付加して学習機能を搭載することにより、モデルの学習を行うものであってもよい。このカルマンフィルターによる学習機能については、例えば、米国特許第５ ，９９１，５２５号公報などに開示されている手法を利用することができる。
次に、以上のように構成された熱処理装置１を用いて反応管２内（ＺＯＮＥ１〜５）の温度を調整する調整方法（調整処理）について説明する。調整処理は、パワーが飽和しない範囲内で、膜厚が最も目標膜厚に近づく温度（最適温度）を算出するものである。なお、調整処理は、成膜処理を行う前のセットアップの段階で行っても、成膜処理と同時に行ってもよい。図６は、本例の調整処理を説明するためのフローチャートである。
この調整処理においては、操作者は、操作パネル５８を操作して、プロセス種別、本例では、ジクロロシランと一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）とのＳｉＯ２膜の成膜（ＤＣＳ−ＨＴＯ）を選択するとともに、図７に示すように、ターゲットとするＳｉＯ２膜の膜厚をゾーンごとに入力する。
制御部５０（ＣＰＵ５６）は、プロセス種別等の必要な情報が入力されたか否かを判別する（ステップＳ１）。ＣＰＵ５６は、必要な情報が入力されていると判別すると（ステップＳ１；Ｙｅｓ）、入力されたプロセス種別に対応するプロセス用レシピをレシピ記憶部５２から読み出す（ステップＳ２）。プロセス用レシピには、反応管２内の圧力、温度などのプロセス条件が記憶されている。例えば、プロセス用レシピには、図８（ａ）に示すように、反応管２内のＺＯＮＥ１〜５の温度が記憶されている。また、ＣＰＵ５６は、図８（ｂ）に示すように、記憶されたＺＯＮＥ１〜５の温度からヒータ１１〜１５のパワーを算出する。
次に、ＣＰＵ５６は、ボートエレベータ７（蓋体６）を降下させ、少なくとも各ＺＯＮＥに半導体ウエハＷ（モニターウエハ）を搭載したウエハボート９を蓋体６上に配置する。続いて、ＣＰＵ５６は、ボートエレベータ７（蓋体６）を上昇して、ウエハボート９（半導体ウエハＷ）を反応管２内にロードする。そして、ＣＰＵ５６は、レシピ記憶部５２から読み出したレシピに従って、圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０、流量調整部２４〜２６等を制御して、半導体ウエハＷにＳｉＯ２膜を成膜する（ステップＳ３）。
ＣＰＵ５６は、成膜処理が終了すると、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定する（ステップＳ４）。例えば、ＣＰＵ５６は、ボートエレベータ７（蓋体６）を降下させ、ＳｉＯ２膜が成膜された半導体ウエハＷをアンロードし、半導体ウエハＷを、例えば、図示しない測定装置に搬送し、半導体ウエハＷに成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定させる。測定装置では、半導体ウエハＷに成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定すると、例えば、図９に示すような測定したＳｉＯ２膜の膜厚データを熱処理装置１（ＣＰＵ５６）に送信する。ＣＰＵ５６は、測定されたＳｉＯ２膜の膜厚データを受信することにより、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を特定する。なお、操作者が操作パネル５８を操作して、測定結果を入力してもよい。
ＣＰＵ５６は、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定すると、測定した膜厚が許容範囲内か否かを判別する（ステップＳ５）。許容範囲内とは、入力された目標膜厚から許容可能な所定の範囲内に含まれていることをいい、例えば、入力された目標膜厚から±１％以内の場合をいう。ＣＰＵ５６は、測定した膜厚が許容範囲内であると判別すると（ステップＳ５；Ｙｅｓ）、この処理を終了する。
ＣＰＵ５６は、測定した膜厚が許容範囲内でないと判別すると（ステップＳ５；Ｎｏ）、ヒータ１１〜１５のパワーが飽和しない範囲内で膜厚が最も目標膜厚に近づく温度（最適温度）を算出する（ステップＳ６）。
例えば、ＣＰＵ５６は、モデル記憶部５１に記憶されている膜厚変化モデルと、図９に示す特定されたＳｉＯ２膜の膜厚とに基づいて、図１０（ａ）に示すように、目標膜厚が形成される反応管２内の各ＺＯＮＥ（ＺＯＮＥ１〜５）に配置されたヒータ１１〜１５の設定温度を算出する。ここで、ＣＰＵ５６は、モデル記憶部５１に記憶されているパワー変化モデルと、図１０（ａ）に示す算出したヒータ１１〜１５の設定温度とに基づいて、設定温度におけるヒータ１１〜１５のパワーを算出する。
設定温度におけるヒータ１１〜１５のそれぞれのパワー（Ｐ）は、例えば、以下の式で求めることができる。
（Ｐ）＝（Ｍ）×（ΔＴ）＋（Ｐ０）
ここで、（Ｍ）は図５に示すヒータの温度変化とパワー変化との関係を示すモデルであり、（ΔＴ）は図１０（ｂ）に示す変更前後の差分であり、（Ｐ０）は、図８（ｂ）に示すヒータのパワーである。また、変更前後の差分（ΔＴ）は図１０（ａ）に示す算出した設定温度と、図８（ａ）に示す記憶された温度とから算出される。
ＣＰＵ５６は、算出されたヒータ１１〜１５のパワーのいずれかが飽和している、すなわち、以下の式に該当しない場合には、この式に該当する範囲内で、再び、設定温度を算出する。
０ ＜（Ｐ）＝（Ｍ）×（ΔＴ）＋（Ｐ０）＜ １００
本例では、図１０（ｃ）に示すように、ＺＯＮＥ５（ヒータ１５）のパワーが「−４．５」と上記式に該当しないので、モデル記憶部５１に記憶されている膜厚変化モデルと、図９に示す特定されたＳｉＯ２膜の膜厚とに基づいて、図１１（ａ）に示すように、目標膜厚が形成される反応管２内の各ＺＯＮＥ（ＺＯＮＥ１〜５）に配置されたヒータ１１〜１５の設定温度を算出する。そして、この設定温度でのヒータ１１〜１５のパワーを算出すると、図１１（ｂ）に示す値が求められる。この場合、算出されたヒータ１１〜１５のパワーのいずれも飽和しておらず、図１１（ａ）に示す温度が最適温度となる。
次に、ＣＰＵ５６は、読み出したレシピの各ＺＯＮＥの温度を、算出した最適温度に更新し（ステップＳ７）、再び、ステップＳ３〜ステップＳ５を実行する。すなわち、ＣＰＵ５６は、反応管２内の温度について、図１１（ａ）に示す最適温度、すなわち、ヒータ１１の温度を５８１．４℃、ヒータ１２の温度を５８０．４℃、ヒータ１３の温度を５８０．４℃、ヒータ１４の温度を５８０．６℃、ヒータ１５の温度を５７６．８℃、となるように、電力コントローラ１６〜２０を制御する。そして、ＣＰＵ５６は、モニターウエハにＳｉＯ２膜を成膜し（ステップＳ３）、その膜厚を測定し（ステップＳ４）、測定した膜厚が許容範囲内であるか否かを判別する（ステップＳ５）。本例の場合、図１２に示すように、特定した膜厚と、図７に示す入力されたＳｉＯ２膜の目標膜厚との差が１％以内であり、許容範囲内にあることが確認できた。このように、熱処理装置やプロセスに関する知識や経験のない操作者であっても半導体ウエハＷの表面に目標通りのＳｉＯ２膜を形成することができた。なお、ＣＰＵ５６は、許容範囲内でないと判別すると（ステップＳ５；Ｎｏ）、再び、ステップＳ６、ステップＳ７、ステップＳ３〜ステップＳ５を実行する。
そして、ＣＰＵ５６は、許容範囲内であると判別すると（ステップＳ５；Ｙｅｓ）、この処理を終了する。
以上説明したように、本実施の形態によれば、操作者が目標膜厚等を入力するだけで、ヒータ１１〜１５のパワーのいずれも飽和しない範囲内で、最も目標膜厚に近づく最適温度を算出することができる。このため、熱処理装置やプロセスに関する知識や経験のない操作者であっても半導体ウエハＷの表面に目標通りのＳｉＯ２膜を形成するための温度制御を容易に行うことができる。
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
上記実施の形態では、ジクロロシランと一酸化二窒素とを用いてＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明したが、例えば、ジクロロシランとアンモニア（ＮＨ３）とを用いたＳｉＮ膜の成膜にも本発明を適用可能である。
上記実施の形態では、ＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明したが、処理の種類は任意であり、他種類の膜を形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、酸化装置などの様々なバッチ式の熱処理装置に適用可能である。
上記実施の形態では、ヒータの段数（ゾーンの数）が５段の場合を例に本発明を説明したが、４段以下であっても、６段以上であってもよい。また。各ゾーンから抽出する半導体ウエハＷの数などは任意に設定可能である。
上記実施の形態では、単管構造のバッチ式熱処理装置の場合を例に本発明を説明したが、例えば、反応管２が内管と外管とから構成された二重管構造のバッチ式縦型熱処理装置に本発明を適用することも可能である。また、本発明は、半導体ウエハの処理に限定されるものではなく、例えば、ＦＰＤ基板、ガラス基板、ＰＤＰ基板などの処理にも適用可能である。
本発明の実施の形態にかかる制御部５０は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭなど）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部５０を構成することができる。
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板（ＢＢＳ）に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
本発明は半導体ウエハ等の被処理体を熱処理する熱処理システムに有用である。
１ 熱処理装置
２ 反応管
３ マニホールド
６ 蓋体
９ ウエハボート
１０ ヒータ部
１１〜１５ ヒータ
１６〜２０ 電力コントローラ
２１〜２３ 処理ガス供給管
２４〜２６ 流量調整部
５０ 制御部
５１ モデル記憶部
５２ レシピ記憶部
５３ ＲＯＭ
５４ ＲＡＭ
５６ ＣＰＵ
Ｗ 半導体ウエハ

Claims (5)

  1. 複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
    前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、
    前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶手段と、
    前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶手段と、
    前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件における熱処理結果と、目標とする熱処理結果とに関する情報を受信する熱処理結果受信手段と、
    前記熱処理結果受信手段により受信された前記熱処理条件における熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出手段と、
    を備え、
    前記最適温度算出手段は、前記パワー変化モデル記憶手段に記憶されたモデルと、算出した温度とに基づいて、当該温度における加熱手段のパワーを算出し、算出した加熱手段のパワーが飽和しない範囲内で、前記目標とする熱処理結果に最も近い温度を最適温度とする、ことを特徴とする熱処理システム。
  2. 前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、
    前記加熱手段は、前記処理室内のゾーンごとに温度設定可能であり、
    前記熱処理条件記憶手段に記憶された熱処理条件は、前記処理室内のゾーンごとに設定され、
    前記パワー変化モデル記憶手段に記憶されたパワー変化モデルは、前記ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、前記ゾーンごとの加熱手段のパワーの変化との関係を示し、
    前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルは、前記ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、前記ゾーンごとの熱処理結果の変化との関係を示し、
    前記熱処理結果受信手段は、前記ゾーンごとの目標とする熱処理結果とに関する情報を受信し、
    前記最適温度算出手段は、前記ゾーンごとに最適温度を算出する、ことを特徴とする請求項１に記載の熱処理システム。
  3. 前記処理内容は成膜処理であり、
    前記熱処理結果は被処理体に形成された薄膜の膜厚である、ことを特徴とする請求項１または２に記載の熱処理システム。
  4. 複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶工程と、
    前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶工程と、
    前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶工程と、
    前記熱処理条件記憶工程により記憶された熱処理条件における熱処理結果と、目標とする熱処理結果とに関する情報を受信する熱処理結果受信工程と、
    前記熱処理結果受信工程により受信された前記熱処理条件における熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶工程で記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出工程と、
    を備え、
    前記最適温度算出工程では、前記パワー変化モデル記憶工程で記憶されたモデルと、算出した温度とに基づいて、当該温度における加熱手段のパワーを算出し、算出した加熱手段のパワーが飽和しない範囲内で、前記目標とする熱処理結果に最も近い温度を最適温度とする、ことを特徴とする熱処理方法。
  5. コンピュータを、
    複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段、
    前記処理室内の温度の変化と、前記加熱手段のパワーの変化との関係を示すモデルを記憶するパワー変化モデル記憶手段、
    前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶手段、
    前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件における熱処理結果と、目標とする熱処理結果とに関する情報を受信する熱処理結果受信手段、
    前記熱処理結果受信手段により受信された前記熱処理条件における熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出手段、
    として機能させ、
    前記最適温度算出手段は、前記パワー変化モデル記憶手段に記憶されたモデルと、算出した温度とに基づいて、当該温度における加熱手段のパワーを算出し、算出した加熱手段のパワーが飽和しない範囲内で、前記目標とする熱処理結果に最も近い温度を最適温度とする、ことを特徴とするプログラム。
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