JP6647931B2 - 半導体ウェーハの温度制御装置、および半導体ウェーハの温度制御方法 - Google Patents
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Description
このため、処理装置は複数の温度調整手段を持ち、それぞれの温度調整手段に対して制御ループを設け、個別に温度制御することによって半導体ウェーハを望ましい温度に温度制御する方法が一般的であり、このような多入力多出力系の制御方法のひとつとして、モデル追従サーボ制御という方法が用いられている。
モデル追従サーボ制御では、一般に規範モデルとして望ましい動特性を持つモデル(例えば二次遅れ系)を選び、目標値応答は、そのモデルのステップ応答を参照軌道として制御量を追従させることとなる。
このため、特許文献1には、複数の制御ループのうち、最も応答速度の遅い制御ループの操作量を100%として、他の制御ループはこれに追従するように制御された応答から規範モデルを生成し、生成した規範モデルを用いて、目標温度に最短時間で到達させるための操作量パターンを所定の評価関数を用いて探索し、規範モデルに対して、探索された最適操作量パターンの操作量を与え、得られた出力を、規範モデル出力として使用する技術が開示されている。
複数の温度調整手段により半導体ウェーハの温度を調整するために、前記複数の温度調整手段の温度制御を行う半導体ウェーハの温度制御装置であって、
前記複数の温度調整手段に設定された複数の制御ループと、
それぞれの制御ループに設けられ、それぞれの温度調整手段で温度調整された半導体ウェーハの温度を検出する複数の温度検出手段と、
それぞれの温度検出手段で検出された温度に基づいて、それぞれの制御ループの温度調整手段に与える操作量を演算する操作量演算手段とを備え、
前記操作量演算手段は、
前記複数の制御ループのうち、最も応答速度の遅い制御ループの操作量を100%として、他の制御ループはこれに追従するように制御された応答から生成された規範モデルと、
前記規範モデルを用い、目標温度に最短時間で到達させるための操作量パターンをオンラインまたは事前にオフラインで探索する最適操作量パターン探索手段と、
前記規範モデルに対して、前記最適操作量パターン探索手段で探索された最適操作量パターンの操作量を与える規範モデル出力生成手段と、
前記規範モデル出力生成手段によって得られた前記規範モデルの出力を、規範モデル出力として使用するモデル追従サーボ演算手段と、
前記規範モデルの出力開始後、前記規範モデル出力が予め設定された所定の時間、または所定の温度に達したら、前記規範モデル出力および前記目標温度の偏差をフィードバックし、前記偏差をゼロにするフィードバック制御に切り替える制御切替手段を備えていることを特徴とする。
複数の温度調整手段により半導体ウェーハの温度を調整するために、前記複数の温度調整手段の温度制御を行う半導体ウェーハの温度制御方法であって、
前記複数の温度制御を行う温度制御装置は、
前記複数の温度調整手段のそれぞれに設定された複数の制御ループと、
それぞれの制御ループに設けられ、それぞれの温度調整手段で温度調整された半導体ウェーハの温度を検出する複数の温度検出手段と、
それぞれの温度検出手段で検出された温度に基づいて、それぞれの制御ループの温度調整手段に与える操作量を演算する操作量演算手段とを備え、
前記操作量演算手段は、
前記複数の制御ループのうち、最も応答速度の遅い制御ループの操作量を100%として、他の制御ループはこれに追従するように制御された応答から生成された規範モデルを用い、目標温度に最短時間で到達させるための操作量パターンをオンラインまたは事前にオフラインで探索する手順と、
前記規範モデルに対して、前記最適操作量パターン探索手段で探索された最適操作量パターンの操作量を与える手順と、
得られた前記規範モデルの出力を、規範モデル出力として使用するモデル追従サーボ演算を実行して制御対象への操作量を演算する手順と、
出力開始後、予め設定された所定の時間、または所定の温度に達したら、前記規範モデル出力および前記目標温度の偏差をフィードバックし、前記偏差をゼロにするフィードバック制御に切り替える手順とを実施することを特徴とする。
[1]温度調整装置1の構成
図1には、本発明の第1実施形態に係る温度調整装置1が示されている。温度調整装置1は、プレート状のステージ2上に載置されたシリコンウェーハWの温度を目標温度に制御し、シリコンウェーハWの面内の温度分布を制御するための装置である。この温度調整装置1は、たとえばドライプロセスに使用される。
温度調整装置1は、プレート状のステージ2であり、温度調整手段3を備えている。尚、温度調整手段3としては、加熱冷却制御を行う場合は、チラー装置や熱電素子を採用するのが好ましく、専ら加熱制御だけの場合は、加熱用ヒータを採用することができる。
ドライプロセス時には、真空チャンバー4内は真空引きされ、所定の低圧状態に維持される。
ステージ2内には、図2(A)、(B)に示されるように、ステージ2上に載置されたシリコンウェーハWの面内温度分布を調整できるように、複数の温度調整手段3が配置されている。
図2(B)は、ステージ2の平面図であり、ステージ2は、同心円状に3つのゾーン2A(後述するゾーン1)、2B(後述するゾーン2)、2C(後述するゾーン3)に分割され、各領域に温度調整手段3が配置される。また、プレート5内の温度検出手段としての温度センサ6は、温度調整手段3に応じた位置に配置される。
図3には、本実施形態に係るコントローラ24のブロック図が示されている。コントローラ24は、操作量演算手段としての操作量演算部30を備える。この操作量演算部30は、規範モデル出力手段としての規範モデル出力生成部31、モデル追従サーボ演算手段としての偏差算出部32、積分器33、および偏差算出部34を備え、一般的なモデル追従制御を実施する。また、ステージ2の温度センサ6からの出力には、状態フィードバックゲインK1、規範モデル出力生成部31からの出力には、状態フィードフォワードゲインK2、及び積分器33に対するゲインK3が設定されている。尚、各ブロック図の各要素に対する入出力は、以下に示されるものである。
r:目標温度
yr:参照軌道
xr:規範モデルの状態量
error:偏差
u:操作量
y:制御量(温度)
xp:制御対象の状態量
なお、図3では制御対象の状態量xpは制御対象より直接観測可能としているが、観測できない場合は推定器等を用いた推定値をxpの代わりに用いてもよい。
各部のゲイン(K1,K2,K3)は最適制御の手法を用いて決定する。本手法を用いれば最適制御の長所(安定性の保証、ロバスト性)を持ち、かつ非干渉化を陽に考慮することなく取り入れることができ、本制御対象のような干渉のある多入力多出力系には好適である。
目標温度SVに最短時間で到達させるための操作量パターンは、図4に示すように、途中のポイントXまでは最大操作量で加速し、XからSVまでは最小操作量で減速させ、SV到達後はその位置を維持するために必要な操作量MVssに切り替える方法である。
多入力多出力系の場合、図5(B)の様な操作量パターンが制御ループの数だけ必要となり、しかも各制御ループの制御量が、干渉下で均一にならなければ追従するための参照軌道も均一にならない。このような操作量パターンをステップ状信号の組み合わせだけで作るのは非常に困難となるため次に示す方法をとることとした。
(2)(1)で得られた応答波形のうち一番遅い制御ループを選び、これをステップ入力による応答と仮定し、システム同定によって無駄時間+一次遅れ系の規範モデルGm(s)を得る。
(3)(2)で得た規範モデルGm(s)に対して、最適時間制御を実現する操作量パターンを逐次シミュレーションで決定する。ここでは最大操作量から定常時操作量に制御開始からt1秒後に切り替えるものとしてt1の最適値を探索する。
最適値の探索に用いる評価関数としては、例えば下記式(4)で表されるIAE(Integral of Absolute Error)評価規範を採用し、評価関数が最小になるような操作量パターンを探索する。
御ループの参照軌道が共通となるため、制御ループ間の制御量の均一性が期待できる。規範モデルをループの数だけ用意して個別に異なる目標値を与えることももちろん可能である。
このため、目標温度SVから操作量パターンMVrefへ対応させる必要がある。
最適操作量パターン探索手段としてのシミュレータ31Aは、目標温度SVが入力された時点で、切り替え時間t1の逐次探索を実施し、最大操作量MVmaxから操作量MVssへの切り替えを行う操作量パターンMVrefを決定する。なお、本実施形態では、シミュレータ31Aを用いて、オンラインで逐次探索を実施して最適時間を求めているが、これに限らず、予めオフラインで制御対象等で目標温度SVと、その目標温度に最短で達する最適時間とを対応させた操作量パターンのテーブルを準備しておき、目標温度SVが入力されたら、このテーブルを参照して最適操作量パターンMVrefを選択するようにしてもよい。
次に、本実施形態における半導体ウェーハの温度制御方法を、図7に示されるフローチャートに基づいて説明する。
コントローラ24の操作量演算部30は、装置の起動とともに初期化を行う(手順S1)。
操作量演算部30は、目標温度SVが変更されたか否かを判定し(手順S2)、目標温度SVが変更されていない場合、後述する手順S7による規範モデル出力yrを生成し、制御を継続する。
目標温度SVが変更された場合、制御切替部31Cは、PIDコントローラを初期化するとともに、タイマーをゼロリセットする(手順S3)。
切り替え時間t1が探索されたら、シミュレータ31Aは、MVref=MVmaxとして、規範モデル31Bに入力する。
規範モデル31Bは、生成した規範モデルGm(s)に操作量パターンMVrefを乗じて、規範モデル出力を出力する(手順S7)。
切り替え時間t1が経過したと判定された場合、制御切替部31Cは、規範モデル出力yrが所定の温度Tswに達しているか否かを判定する(手順S10)。
所定の温度Tswに達していないと判定された場合、MVref=MVssを設定する(手順S11)。
所定の温度Tswに達していると判定された場合、制御切替部31Cは、目標温度SVと規範モデル出力yrの偏差errorをPIDコントローラにフィードバックして、その出力をMVssに加算する(手順S12)。
このようにして設定された操作量を次のサンプリングタイムで出力する。
[4-1]シミュレーションにおける制御システムの構成
3入力3出力系の制御を、図8に示した制御システムをモデル化したシミュレーション結果を例に説明する。この制御システムは、図9に示されるように、400×150×t4のアルミプレートの温度を制御するシステムであり、アクチュエータとして加熱・冷却可能なサーモモジュールを、3個を使用している。アルミプレートの温度はモジュールの近くに配した3つのK熱電対によって測定する。サーモモジュール及び熱電対はプレート長手方向に対してわざと非対称になるように配置しており図9にその寸法詳細を示す。左からゾーン1、2、3とする。
前記特許文献における規範モデルを、下記式(6)の無駄時間+一次遅れ系とした場合の切り替え時間の同定方法について具体的に説明する。
このため、定常時の規範モデル出力yrは、目標温度SVに対してわずかながら偏差を持つ可能性がある。具体的なシミュレーション結果として、図10に示されるように、目標温度24℃に到達後、わずかにオーバーシュートして時刻t=250sでは、まだ目標温度に制定していない。このように規範モデル出力yrに偏差が残れば、当然それに追従する制御量も偏差を持つこととなる。
Claims (2)
- 複数の温度調整手段により半導体ウェーハの温度を調整するために、前記複数の温度調整手段の温度制御を行う半導体ウェーハの温度制御装置であって、
前記複数の温度調整手段のそれぞれに設定された複数の制御ループと、
それぞれの制御ループに設けられ、それぞれの温度調整手段で温度調整された半導体ウェーハの温度を検出する複数の温度検出手段と、
それぞれの温度検出手段で検出された温度に基づいて、それぞれの制御ループの温度調整手段に与える操作量を演算する操作量演算手段とを備え、
前記操作量演算手段は、
前記複数の制御ループのうち、最も応答速度の遅い制御ループの操作量を100%として、他の制御ループはこれに追従するように制御された応答から生成された規範モデルと、
前記規範モデルを用い、目標温度に最短時間で到達させるための操作量パターンを探索する最適操作量パターン探索手段と、
前記規範モデルに対して、前記最適操作量パターン探索手段で探索された最適操作量パターンの操作量を与える規範モデル出力生成手段と、
前記規範モデル出力生成手段によって得られた前記規範モデルの出力を、規範モデル出力として使用するモデル追従サーボ演算手段と、
規範モデルの出力開始後、規範モデル出力が予め設定された所定の時間、または所定の温度に達したら、前記規範モデル出力および前記目標温度の偏差をフィードバックし、前記偏差をゼロにするフィードバック制御に切り替える制御切替手段とを備えていることを特徴とする半導体ウェーハの温度制御装置。 - 複数の温度調整手段により半導体ウェーハの温度を調整するために、前記複数の温度調整手段の温度制御を行う半導体ウェーハの温度制御方法であって、
前記複数の温度調整手段の温度制御を行う温度制御装置は、
前記複数の温度調整手段のそれぞれに設定された複数の制御ループと、
それぞれの制御ループに設けられ、それぞれの温度調整手段で温度調整された半導体ウェーハの温度を検出する複数の温度検出手段と、
それぞれの温度検出手段で検出された温度に基づいて、それぞれの制御ループの温度調整手段に与える操作量を演算する操作量演算手段とを備え、
前記操作量演算手段は、
前記複数の制御ループのうち、最も応答速度の遅い制御ループの操作量を100%として、他の制御ループはこれに追従するように制御された応答から生成された規範モデルを用い、目標温度に最短時間で到達させるための操作量パターンを探索する手順と、
前記規範モデルに対して、前記最適操作量パターン探索手段で探索された最適操作量パターンの操作量を与える手順と、
得られた前記規範モデルの出力を、規範モデル出力として使用するモデル追従サーボ演算を実行して制御対象への操作量を演算する手順と、
出力開始後、予め設定された所定の時間、または所定の温度に達したら、前記規範モデル出力および前記目標温度の偏差をフィードバックし前記偏差をゼロにするフィードバック制御に切り替える手順とを実施することを特徴とする半導体ウェーハの温度制御方法。
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