JP2016157771A - 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 221
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 69
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 127
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 57
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 45
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 28
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 3
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
【課題】被処理体の面内形状を制御することができる熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラムを提供する。【解決手段】熱処理装置１は、複数枚の半導体ウエハＷを収容する反応管２内を加熱するヒータ部１０と、熱処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、反応管２内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶手段と、熱処理条件における熱処理結果を実行する熱処理実行手段と、実行された熱処理結果を受信する熱処理結果受信手段と、目標とする熱処理結果と、目標とする熱処理結果の形状に関する情報に基づいて、半導体ウエハＷの面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、算出した面内形状に関する目標とする熱処理結果と、熱処理変化モデルとに基づいて、目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出手段と、を備えている。【選択図】図１
Description
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体を熱処理する熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラムに関し、特に、被処理体を多数枚一括して処理するバッチ式の熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラムに関する。
半導体装置の製造工程では、多数枚の被処理体、例えば、半導体ウエハの成膜処理、酸化処理あるいは拡散処理などを一括して行うバッチ式の熱処理システムが用いられている。バッチ式の熱処理システムでは、効率的に半導体ウエハを処理することが可能であるが、多数枚の半導体ウエハの熱処理の均一性を確保することは困難である。
このような問題を解決するため、例えば、特許文献１には、ヒータ室内に取り込まれる外気の温度が一定になるように外気の温度を自動的に調整する熱処理装置が提案されている。
ところで、近年の微細化に伴い、要求される均一性のスペックが厳しくなっており、半導体ウエハの面内均一性をより向上させることが求められている。また、マスク成膜工程では、半導体ウエハの面内形状を凹型に揃えたいという要望がある。さらに、パターンなしの半導体ウエハを使ったプロセス条件出しでは、半導体ウエハの面内形状を凸状に揃えることが求められている。このため、半導体ウエハの面内形状をコントロールすることができるような熱処理システム及び熱処理方法が求められている。
本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、被処理体の面内形状を制御することができる熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラムを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる熱処理システムは、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、熱処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶手段と、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件を実行する熱処理実行手段と、
前記熱処理実行手段により実行された熱処理結果を受信する熱処理結果受信手段と、
目標とする熱処理結果と、該目標とする熱処理結果の形状に関する情報とに基づいて、前記被処理体の面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、該算出した面内形状に関する目標とする熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出手段と、
を備える、ことを特徴とする。
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、熱処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶手段と、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件を実行する熱処理実行手段と、
前記熱処理実行手段により実行された熱処理結果を受信する熱処理結果受信手段と、
目標とする熱処理結果と、該目標とする熱処理結果の形状に関する情報とに基づいて、前記被処理体の面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、該算出した面内形状に関する目標とする熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出手段と、
を備える、ことを特徴とする。
前記最適温度算出手段では、例えば、前記被処理体の中央部と端部とにおける目標とする熱処理結果と、前記目標とする熱処理結果の形状に関する情報に基づいて、前記被処理体の面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、該算出した目標とする熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する。
例えば、前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、
前記加熱手段は、前記処理室内のゾーンごとに温度設定可能であり、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された熱処理条件は、前記処理室内のゾーンごとに設定され、
前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルは、前記ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、前記ゾーンごとの熱処理結果の変化との関係を示し、
前記最適温度算出手段は、前記ゾーンごとに最適温度を算出する。
前記加熱手段は、前記処理室内のゾーンごとに温度設定可能であり、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された熱処理条件は、前記処理室内のゾーンごとに設定され、
前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルは、前記ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、前記ゾーンごとの熱処理結果の変化との関係を示し、
前記最適温度算出手段は、前記ゾーンごとに最適温度を算出する。
例えば、前記熱処理内容は成膜処理であり、
前記熱処理結果は被処理体に形成された薄膜の膜厚である。
前記熱処理結果は被処理体に形成された薄膜の膜厚である。
本発明の第２の観点にかかる熱処理方法は、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で加熱される処理室内の温度を含む、熱処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶工程と、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶工程と、
前記熱処理条件記憶工程で記憶された熱処理条件を実行する熱処理実行工程と、
前記熱処理実行工程により実行された熱処理結果を受信する熱処理結果受信工程と、
目標とする熱処理結果と、該目標とする熱処理結果の形状に関する情報とに基づいて、前記被処理体の面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、該算出した面内形状に関する目標とする熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶工程で記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出工程と、
を備える、ことを特徴とする。
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で加熱される処理室内の温度を含む、熱処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶工程と、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶工程と、
前記熱処理条件記憶工程で記憶された熱処理条件を実行する熱処理実行工程と、
前記熱処理実行工程により実行された熱処理結果を受信する熱処理結果受信工程と、
目標とする熱処理結果と、該目標とする熱処理結果の形状に関する情報とに基づいて、前記被処理体の面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、該算出した面内形状に関する目標とする熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶工程で記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出工程と、
を備える、ことを特徴とする。
本発明の第３の観点にかかるプログラムは、
コンピュータを、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、熱処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶手段、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件を実行する熱処理実行手段、
前記熱処理実行手段により実行された熱処理結果を受信する熱処理結果受信手段、
目標とする熱処理結果と、該目標とする熱処理結果の形状に関する情報とに基づいて、前記被処理体の面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、該算出した面内形状に関する目標とする熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出手段、
として機能させる、ことを特徴とする。
コンピュータを、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、熱処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶手段、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件を実行する熱処理実行手段、
前記熱処理実行手段により実行された熱処理結果を受信する熱処理結果受信手段、
目標とする熱処理結果と、該目標とする熱処理結果の形状に関する情報とに基づいて、前記被処理体の面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、該算出した面内形状に関する目標とする熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出手段、
として機能させる、ことを特徴とする。
本発明によれば、被処理体の面内形状を制御することができる。
以下、本発明の熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラムを、図１に示すバッチ式の縦型の熱処理装置に適用した場合を例に本実施の形態を説明する。また、本実施の形態では、成膜用ガスとして、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）と一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）とを用いて、半導体ウエハにＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明する。
図１に示すように、本実施の形態の熱処理装置１は、略円筒状で有天井の反応管２を備えている。反応管２は、その長手方向が垂直方向に向くように配置されている。反応管２は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。
反応管２の下側には、略円筒状のマニホールド３が設けられている。マニホールド３は、その上端が反応管２の下端と気密に接合されている。マニホールド３には、反応管２内のガスを排気するための排気管４が気密に接続されている。排気管４には、バルブ、真空ポンプなどからなる圧力調整部５が設けられており、反応管２内を所望の圧力（真空度）に調整する。
マニホールド３（反応管２）の下方には、蓋体６が配置されている。蓋体６は、ボートエレベータ７により上下動可能に構成され、ボートエレベータ７により蓋体６が上昇するとマニホールド３（反応管２）の下方側（炉口部分）が閉鎖され、ボートエレベータ７により蓋体６が下降すると反応管２の下方側（炉口部分）が開口されるように配置されている。
蓋体６の上部には、保温筒（断熱体）８を介して、ウエハボート９が設けられている。ウエハボート９は、被処理体、例えば、半導体ウエハＷを収容（保持）するウエハ保持具であり、本実施の形態では、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚、例えば、１５０枚収容可能に構成されている。そして、ウエハボート９に半導体ウエハＷを収容し、ボートエレベータ７により蓋体６を上昇させることにより、半導体ウエハＷが反応管２内にロードされる。
反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように、例えば、抵抗発熱体からなるヒータ部１０が設けられている。このヒータ部１０により反応管２の内部が所定の温度に加熱され、この結果、半導体ウエハＷが所定の温度に加熱される。ヒータ部１０は、例えば、５段に配置されたヒータ１１〜１５から構成され、ヒータ１１〜１５には、それぞれ電力コントローラ１６〜２０が接続されている。このため、この電力コントローラ１６〜２０にそれぞれ独立して電力を供給することにより、ヒータ１１〜１５をそれぞれ独立に所望の温度に加熱することができる。このように、反応管２内は、このヒータ１１〜１５により、図３に示すような５つのゾーンに区分されている。例えば、反応管２内のＴＯＰ（ＺＯＮＥ１）を加熱する場合には、電力コントローラ１６を制御してヒータ１１を所望の温度に加熱する。反応管２内のＣＥＮＴＥＲ（ＣＴＲ（ＺＯＮＥ３））を加熱する場合には、電力コントローラ１８を制御してヒータ１３を所望の温度に加熱する。反応管２内のＢＯＴＴＯＭ（ＢＴＭ（ＺＯＮＥ５））を加熱する場合には、電力コントローラ２０を制御してヒータ１５を所望の温度に加熱する。
また、マニホールド３には、反応管２内に処理ガスを供給する複数の処理ガス供給管が設けられている。なお、図１では、マニホールド３に処理ガスを供給する３つの処理ガス供給管２１〜２３を図示している。処理ガス供給管２１は、マニホールド３の側方からウエハボート９の上部付近（ＺＯＮＥ１）まで延びるように形成されている。処理ガス供給管２２は、マニホールド３の側方からウエハボート９の中央付近（ＺＯＮＥ３）まで延びるように形成されている。処理ガス供給管２３は、マニホールド３の側方からウエハボート９の下部付近（ＺＯＮＥ５）まで延びるように形成されている。
各処理ガス供給管２１〜２３には、それぞれ、流量調整部２４〜２６が設けられている。流量調整部２４〜２６は、処理ガス供給管２１〜２３内を流れる処理ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）などから構成されている。このため、処理ガス供給管２１〜２３から供給される処理ガスは、流量調整部２４〜２６により所望の流量に調整されて、それぞれ反応管２内に供給される。
また、熱処理装置１は、反応管２内のガス流量、圧力、処理雰囲気の温度といった処理パラメータを制御するための制御部（コントローラ）５０を備えている。制御部５０は、流量調整部２４〜２６、圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０等に制御信号を出力する。図２に制御部５０の構成を示す。
図２に示すように、制御部５０は、モデル記憶部５１と、レシピ記憶部５２と、ＲＯＭ（Read Only Memory）５３と、ＲＡＭ（Random Access Memory）５４と、Ｉ／Ｏ（Input/Output Port）ポート５５と、ＣＰＵ（Central Processing Unit)５６と、これらを相互に接続するバス５７と、から構成されている。
モデル記憶部５１には、ヒータの温度の変化と形成されるＳｉＯ２膜の膜厚変化との関係を示す膜厚変化モデルが記憶されている。図４に膜厚変化モデルの一例を示す。図４に示すように、膜厚変化モデルは、所定ＺＯＮＥの温度を１℃上げたとき、各ＺＯＮＥに形成されるＳｉＯ２膜の膜厚がどれだけ変化するかを示している。例えば、図４に示すように、電力コントローラ１６を制御してヒータ１１を加熱することによりＺＯＮＥ１の温度設定値を１℃上げると、ＺＯＮＥ１に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が２ｎｍ増加し、ＺＯＮＥ２に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．７ｎｍ減少し、ＺＯＮＥ３に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．８ｎｍ増加し、ＺＯＮＥ４に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．０５ｎｍ減少することを示している。
なお、膜厚変化モデルは、所定ＺＯＮＥの温度を変化させたときに、各ＺＯＮＥに形成されるＳｉＯ２膜の膜厚がどれだけ変化するかを示すことができるものであればよく、これ以外の種々のモデルを用いてもよい。また、これらのモデルは、プロセス条件や装置の状態によってデフォルトの数値が最適でない場合も考えられることから、ソフトウエアに拡張カルマンフィルターなどを付加して学習機能を搭載することにより、モデルの学習を行うものであってもよい。この拡張カルマンフィルターによる学習機能については、例えば、米国特許第５ ，９９１，５２５号公報などに開示されている手法を利用することができる。
また、モデル記憶部５１には、目標とする半導体ウエハＷの面内形状が平坦でない凹状、または、凸状である場合に、凹状、または、凸状に変換するための変換式（変換係数）が記憶されている。変換式は、測定された膜厚から面内凹凸形状を作るために意図的にずらした膜厚に変換する式であり、例えば、以下の式で表される。
変換後膜厚＝変換前膜厚×変換係数
なお、変換係数は、例えば、以下の式で表される。
変換係数＝パターン付き半導体ウエハでの目標膜厚／パターン無し半導体ウエハでの ウエハ毎の目標膜厚
変換後膜厚＝変換前膜厚×変換係数
なお、変換係数は、例えば、以下の式で表される。
変換係数＝パターン付き半導体ウエハでの目標膜厚／パターン無し半導体ウエハでの ウエハ毎の目標膜厚
本例では、後述するように、入力された入力膜厚と入力座標とから最小二乗法により二次近似式を求め、求めた二次近似式から各入力点の近似膜厚を算出し、この各入力点での近似膜厚から、下記の式により、変換後膜厚を算出する。
変換後膜厚＝各入力点での近似膜厚×（スロット・位置毎の目標膜厚／レシピ内の目 標膜厚）
変換後膜厚＝各入力点での近似膜厚×（スロット・位置毎の目標膜厚／レシピ内の目 標膜厚）
レシピ記憶部５２には、この熱処理装置１で実行される成膜処理の種類に応じて、制御手順を定めるプロセス用レシピが記憶されている。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う処理（プロセス）毎に用意されるレシピであり、反応管２への半導体ウエハＷのロードから、処理済みの半導体ウエハＷをアンロードするまでの、各部の温度の変化、反応管２内の圧力変化、ガスの供給の開始及び停止のタイミング、供給量などを規定する。
ＲＯＭ５３は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ５６の動作プログラムなどを記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ５４は、ＣＰＵ５６のワークエリアなどとして機能する。
ＲＡＭ５４は、ＣＰＵ５６のワークエリアなどとして機能する。
Ｉ／Ｏポート５５は、温度、圧力、ガスの流量に関する測定信号をＣＰＵ５６に供給すると共に、ＣＰＵ５６が出力する制御信号を各部（圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０、流量調整部２４〜２６等）へ出力する。また、Ｉ／Ｏポート５５には、操作者が熱処理装置１を操作する操作パネル５８が接続されている。
ＣＰＵ５６は、制御部５０の中枢を構成し、ＲＯＭ５３に記憶された動作プログラムを実行し、操作パネル５８からの指示に従って、レシピ記憶部５２に記憶されているプロセス用レシピに沿って、熱処理装置１の動作を制御する。
ＣＰＵ５６は、モデル記憶部５１に記憶されている膜厚変化モデルと、形成されたＳｉＯ２膜の膜厚とに基づいて、目標膜厚が形成される反応管２内の各ＺＯＮＥ（ＺＯＮＥ１〜５）に配置されたヒータ１１〜１５の設定温度を算出する。また、ＣＰＵ５６は、測定膜厚から面内凹凸形状を作るために意図的にずらした膜厚に変換する。
バス５７は、各部の間で情報を伝達する。
バス５７は、各部の間で情報を伝達する。
次に、以上のように構成された熱処理装置１を用いた熱処理方法について説明する。なお、本例の熱処理においては、操作者は、操作パネル５８を操作して、プロセス種別、本例では、ジクロロシランと一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）とのＳｉＯ２膜の成膜（ＤＣＳ−ＨＴＯ）を選択するとともに、図５に示すように、ターゲットとするＳｉＯ２膜の膜厚について、半導体ウエハの中央（センタ）の目標膜厚、端部（エッジ）の目標膜厚をゾーンごとに入力する。図６は、本例の熱処理を説明するためのフローチャートである。
まず、制御部５０（ＣＰＵ５６）は、プロセス種別等の必要な情報が入力されたか否かを判別する（ステップＳ１）。ＣＰＵ５６は、必要な情報が入力されていると判別すると（ステップＳ１；Ｙｅｓ）、入力されたＳｉＯ２膜のセンタの目標膜厚、エッジの目標膜厚に基づいて、各半導体ウエハＷの面内形状に関する変換後膜厚を算出する（ステップＳ２）。
例えば、ＣＰＵ５６は、まず、モデル記憶部５１に記憶された変換式に基づいて、入力された目標膜厚とその入力座標とから二次近似曲線を求める。例えば、最小二乗法により、各入力点の膜厚＝ａ×（半導体ウエハＷ中心からの距離）２＋ｂとなる二次近似式を求める。
次に、ＣＰＵ５６は、求めた二次近似式から各入力点の近似膜厚を算出する。続いて、ＣＰＵ５６は、この各入力点での近似膜厚から、以下の式により、変換後膜厚を算出する。
変換後膜厚＝各入力点での近似膜厚×（スロット・位置毎の目標膜厚／レシピ内の目 標膜厚）
ここで、スロット・位置毎の目標膜厚は、入力されたセンタおよびエッジの目標膜厚であり、レシピ内の目標膜厚の平均膜厚である。
変換後膜厚＝各入力点での近似膜厚×（スロット・位置毎の目標膜厚／レシピ内の目 標膜厚）
ここで、スロット・位置毎の目標膜厚は、入力されたセンタおよびエッジの目標膜厚であり、レシピ内の目標膜厚の平均膜厚である。
また、ＣＰＵ５６は、入力されたプロセス種別に対応するプロセス用レシピをレシピ記憶部５２から読み出す（ステップＳ３）。プロセス用レシピには、例えば、図７に示すように、エリア毎に反応管２内の温度等のプロセス条件が記憶されている。
次に、ＣＰＵ５６は、ボートエレベータ７（蓋体６）を降下させ、少なくとも各ＺＯＮＥに半導体ウエハＷ（モニターウエハ）を搭載したウエハボート９を蓋体６上に配置する。続いて、ＣＰＵ５６は、ボートエレベータ７（蓋体６）を上昇して、ウエハボート９（半導体ウエハＷ）を反応管２内にロードする。そして、ＣＰＵ５６は、レシピに従って、圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０、流量調整部２４〜２６等を制御して、半導体ウエハＷにＳｉＯ２膜を成膜する（ステップＳ４）。
ＣＰＵ５６は、成膜処理が終了すると、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定する（ステップＳ５）。例えば、ＣＰＵ５６は、ボートエレベータ７（蓋体６）を降下させ、ＳｉＯ２膜が成膜された半導体ウエハＷをアンロードし、半導体ウエハＷを、例えば、図示しない測定装置に搬送し、半導体ウエハＷに成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定させる。測定装置では、半導体ウエハＷに成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定すると、測定したＳｉＯ２膜の膜厚データを熱処理装置１（ＣＰＵ５６）に送信する。ＣＰＵ５６は、測定されたＳｉＯ２膜の膜厚データを受信することにより、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を特定する。なお、操作者が操作パネル５８を操作して、測定結果を入力してもよい。
ＣＰＵ５６は、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定すると、測定した膜厚が許容範囲内か否かを判別する（ステップＳ６）。許容範囲内とは、入力された目標膜厚から許容可能な所定の範囲内に含まれていることをいい、例えば、入力された目標膜厚から±１％以内の場合をいう。
ＣＰＵ５６は、測定した膜厚が許容範囲内でないと判別すると（ステップＳ６；Ｎｏ）、目標膜厚に合致するような温度設定値を算出する（ステップＳ７）。例えば、ＣＰＵ５６は、算出した温度設定値と、モデル記憶部５１に記憶されている膜厚変化モデルとに基づいて、図８に示すように、目標膜厚が形成される反応管２内の各ＺＯＮＥ（ＺＯＮＥ１〜５）に配置されたヒータ１１〜１５の設定温度を算出する。そして、ＣＰＵ５６は、読み出したレシピの各ＺＯＮＥの温度を、算出した設定温度に更新する（ステップＳ８）。そして、ＣＰＵ５６は、ステップＳ４に戻り、半導体ウエハＷにＳｉＯ２膜を成膜する。
ＣＰＵ５６は、測定した膜厚が許容範囲内であると判別すると（ステップＳ６；Ｙｅｓ）、この処理を終了する。
次に、本発明の効果を確認するため、本発明の熱処理により各ゾーンの半導体ウエハＷの表面が浅い面内凹状となるように成膜した。図９（ａ）に、調整前の各ゾーンの半導体ウエハＷに形成された膜厚を示し、図９（ｂ）が調整後の各ゾーンの半導体ウエハＷに形成された膜厚を示す。図９に示すように、本発明の熱処理により、全てのゾーンの半導体ウエハＷについて、その表面が面内凹状となるように成膜できることを確認した。
以上説明したように、本実施の形態によれば、操作者が目標膜厚等を入力するだけで、半導体ウエハＷの面内形状を容易に制御することができる。
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
上記実施の形態では、図５に示すように、成膜するＳｉＯ２膜について中央部と端部の目標膜厚をゾーンごとに入力した場合を例に本発明を説明したが、例えば、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、目標膜厚と目標形状（凹状、凸状、平坦）と面内均一性とを入力したり、図１０（ｃ）に示すように、目標膜厚と目標形状と面内レンジとをゾーンごとに入力してもよい。
上記実施の形態では、成膜処理における成膜温度が一定の場合を例に本発明を説明したが、例えば、図１１に示すように、各ゾーンにおいて、成膜処理における成膜温度を徐々に低下（降温）させてもよい。これは、半導体ウエハＷの中央部（Center部）と端部（Edge部）とでは、設定温度に対する温度変化の程度が異なる。例えば、半導体ウエハＷの端部は半導体ウエハＷの外部（ヒータ部１０）に近いため、加熱、冷却されやすい傾向にある。一方、半導体ウエハＷの中央部は半導体ウエハＷの外部（ヒータ部１０）から遠いため、加熱、冷却されにくい傾向にある。このため、半導体ウエハＷに形成される薄膜の膜厚は、図１２（ａ）に示すように、その中央部が薄い凹状に形成されやすい。
ここで、図１１に示すように、設定温度を時間と共に降温させることにより、半導体ウエハＷの端部近傍が、中央部近傍より先に温度が低下する。この結果、半導体ウエハＷの中央部温度は、図１２（ｂ）に示すように、端部の温度よりも相対的に高くなる。このような半導体ウエハＷの面内温度の変化により、各ゾーンにおいて、成膜処理における成膜温度を徐々に低下（降温）させながら成膜すると、図１２（ｃ）に示すように、図１２（ａ）に示す膜厚分布の凹状が緩和され、より平坦な膜厚分布が得られる。この結果、半導体ウエハＷにおける膜厚の面内均一性が向上する。
例えば、モデル記憶部５１に、成膜処理における成膜温度が一定な場合と、成膜温度を徐々に低下（降温）させる場合のレシピと、形成されるＳｉＯ２膜の膜厚変化との関係を示すモデルを記憶する。これにより、ステップＳ６の測定において測定した膜厚分布の凹状となり許容範囲内でないと判断した場合に、ステップＳ７の温度設定値の算出において成膜処理における成膜温度を徐々に低下（降温）させる温度設定値を算出することができ、半導体ウエハＷにおける膜厚の面内均一性を向上させることができる。
さらに、成膜温度を徐々に低下（降温）させる場合のレシピと、形成されるＳｉＯ２膜の膜厚変化との関係を示すモデルを複数記憶することにより、ＣＰＵ５６は、ステップＳ７において、降温させる温度の精度を向上（最適な温度を算出）することが可能となる。
上記実施の形態では、ジクロロシランと一酸化二窒素とを用いてＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明したが、例えば、ジクロロシランとアンモニア（ＮＨ３）とを用いたＳｉＮ膜の成膜にも本発明を適用可能である。
上記実施の形態では、ＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明したが、処理の種類は任意であり、他種類の膜を形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、酸化装置などの様々なバッチ式の熱処理装置に適用可能である。
上記実施の形態では、ヒータの段数（ゾーンの数）が５段の場合を例に本発明を説明したが、４段以下であっても、６段以上であってもよい。また、各ゾーンから抽出する半導体ウエハＷの数などは任意に設定可能である。
上記実施の形態では、単管構造のバッチ式熱処理装置の場合を例に本発明を説明したが、例えば、反応管２が内管と外管とから構成された二重管構造のバッチ式縦型熱処理装置に本発明を適用することも可能である。また、本発明は、半導体ウエハの処理に限定されるものではなく、例えば、ＦＰＤ基板、ガラス基板、ＰＤＰ基板などの処理にも適用可能である。
本発明の実施の形態にかかる制御部５０は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory）など）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部５０を構成することができる。
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板（ＢＢＳ：Bulletin Board System）に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳ（Operating System）の制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
本発明は半導体ウエハ等の被処理体を熱処理する熱処理システムに有用である。
１ 熱処理装置
２ 反応管
３ マニホールド
６ 蓋体
９ ウエハボート
１０ ヒータ部
１１〜１５ ヒータ
１６〜２０ 電力コントローラ
２１〜２３ 処理ガス供給管
２４〜２６ 流量調整部
５０ 制御部
５１ モデル記憶部
５２ レシピ記憶部
５３ ＲＯＭ
５４ ＲＡＭ
５６ ＣＰＵ
Ｗ 半導体ウエハ
２ 反応管
３ マニホールド
６ 蓋体
９ ウエハボート
１０ ヒータ部
１１〜１５ ヒータ
１６〜２０ 電力コントローラ
２１〜２３ 処理ガス供給管
２４〜２６ 流量調整部
５０ 制御部
５１ モデル記憶部
５２ レシピ記憶部
５３ ＲＯＭ
５４ ＲＡＭ
５６ ＣＰＵ
Ｗ 半導体ウエハ
Claims (6)
- 複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、熱処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶手段と、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件を実行する熱処理実行手段と、
前記熱処理実行手段により実行された熱処理結果を受信する熱処理結果受信手段と、
目標とする熱処理結果と、該目標とする熱処理結果の形状に関する情報とに基づいて、前記被処理体の面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、該算出した面内形状に関する目標とする熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出手段と、
を備える、ことを特徴とする熱処理システム。 - 前記最適温度算出手段では、前記被処理体の中央部と端部とにおける目標とする熱処理結果と、前記目標とする熱処理結果の形状に関する情報に基づいて、前記被処理体の面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、該算出した目標とする熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する、ことを特徴とする請求項１に記載の熱処理システム。
- 前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、
前記加熱手段は、前記処理室内のゾーンごとに温度設定可能であり、
前記熱処理条件記憶手段に記憶された熱処理条件は、前記処理室内のゾーンごとに設定され、
前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルは、前記ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、前記ゾーンごとの熱処理結果の変化との関係を示し、
前記最適温度算出手段は、前記ゾーンごとに最適温度を算出する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の熱処理システム。 - 前記熱処理内容は成膜処理であり、
前記熱処理結果は被処理体に形成された薄膜の膜厚である、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の熱処理システム。 - 複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で加熱される処理室内の温度を含む、熱処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶工程と、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶工程と、
前記熱処理条件記憶工程で記憶された熱処理条件を実行する熱処理実行工程と、
前記熱処理実行工程により実行された熱処理結果を受信する熱処理結果受信工程と、
目標とする熱処理結果と、該目標とする熱処理結果の形状に関する情報とに基づいて、前記被処理体の面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、該算出した面内形状に関する目標とする熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶工程で記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出工程と、
を備える、ことを特徴とする熱処理方法。 - コンピュータを、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、熱処理内容に応じた熱処理条件を記憶する熱処理条件記憶手段、
前記処理室内の温度の変化と、熱処理結果の変化との関係を示す熱処理変化モデルを記憶する熱処理変化モデル記憶手段、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された熱処理条件を実行する熱処理実行手段、
前記熱処理実行手段により実行された熱処理結果を受信する熱処理結果受信手段、
目標とする熱処理結果と、該目標とする熱処理結果の形状に関する情報とに基づいて、前記被処理体の面内形状に関する目標とする熱処理結果を算出し、該算出した面内形状に関する目標とする熱処理結果と、前記熱処理変化モデル記憶手段に記憶された熱処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする熱処理結果となる最適温度を算出する最適温度算出手段、
として機能させる、ことを特徴とするプログラム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015033722A JP6512860B2 (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
| KR1020160020712A KR101998921B1 (ko) | 2015-02-24 | 2016-02-22 | 열처리 시스템, 열처리 방법 및 프로그램 |
| US15/050,006 US10640871B2 (en) | 2015-02-24 | 2016-02-22 | Heat treatment system, heat treatment method, and program |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015033722A JP6512860B2 (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016157771A true JP2016157771A (ja) | 2016-09-01 |
| JP6512860B2 JP6512860B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=56693461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015033722A Active JP6512860B2 (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10640871B2 (ja) |
| JP (1) | JP6512860B2 (ja) |
| KR (1) | KR101998921B1 (ja) |
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2015
- 2015-02-24 JP JP2015033722A patent/JP6512860B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-22 KR KR1020160020712A patent/KR101998921B1/ko active IP Right Grant
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| KR20160103528A (ko) | 2016-09-01 |
| JP6512860B2 (ja) | 2019-05-15 |
| US20160244881A1 (en) | 2016-08-25 |
| KR101998921B1 (ko) | 2019-07-10 |
| US10640871B2 (en) | 2020-05-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170808 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180525 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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