JP2014220430A - 基板処理方法、プログラム、制御装置、成膜装置及び基板処理システム - Google Patents
基板処理方法、プログラム、制御装置、成膜装置及び基板処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014220430A JP2014220430A JP2013099591A JP2013099591A JP2014220430A JP 2014220430 A JP2014220430 A JP 2014220430A JP 2013099591 A JP2013099591 A JP 2013099591A JP 2013099591 A JP2013099591 A JP 2013099591A JP 2014220430 A JP2014220430 A JP 2014220430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- temperature
- etching
- film formation
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 112
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 68
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 65
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 25
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 22
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 101
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】 昇温又は降温を含む設定温度プロファイルで、処理容器内で処理ガスを用いて被処理体上に膜を形成する成膜工程と、前記膜をエッチングするエッチング工程と、を含み、前記エッチング工程は、前記成膜工程での成膜温度によってエッチングレートが変化する前記膜をエッチングする工程であり、前記設定温度プロファイルは、前記エッチング工程でのエッチングレートの前記成膜温度に対する第1の温度依存性と、前記成膜工程での成膜量の前記成膜温度に対する第2の温度依存性とに基づいて決定される、基板処理方法。
【選択図】図1
Description
前記膜をエッチングするエッチング工程と、
を含み、
前記エッチング工程は、前記成膜工程での成膜温度によってエッチングレートが変化する前記膜をエッチングする工程であり、
前記設定温度プロファイルは、前記エッチング工程でのエッチングレートの前記成膜温度に対する第1の温度依存性と、前記成膜工程での成膜量の前記成膜温度に対する第2の温度依存性とに基づいて決定される、
基板処理方法。
先ず、本実施形態に係る基板処理方法を実施することができる、基板処理システムについて、説明する。
先ずは、本実施形態に係る成膜装置について説明する。図1に、本実施形態に係る成膜装置の一例の概略構成図を示す。
次に、本実施形態に係るエッチング装置について説明する。図3に、本実施形態に係るエッチング装置の一例の概略構成図を示す。なお、本実施形態においては、一例として、前述した成膜装置を用いて所定の膜が成膜されたウェハWをウェットエッチングするウェットエッチング装置について説明するが、本発明はこの点において限定されない。前述の成膜装置で成膜した膜のエッチングレートが、成膜時の成膜温度に依存するプロセスであれば、ウェハWをドライエッチングするドライエッチング装置を使用しても良い。
次に、以上説明したように構成される成膜装置及びエッチング装置を使用した、本実施形態に係る基板処理方法について、以下説明する。
昇温又は降温を含む設定温度プロファイルで、処理ガスを用いて基板上に膜を形成する成膜工程(S300)と、
前記膜をエッチングするエッチング工程(S350)と、
を含み、
前記エッチング工程は、エッチングレートが前記成膜工程での成膜温度に依存する前記膜をエッチングする工程であり、
前記設定温度プロファイルは、前記エッチング工程でのエッチングレートの前記成膜温度に対する第1の温度依存性と、前記成膜工程での成膜量の前記成膜温度に対する第2の温度依存性とに基づいて決定される。
図5に、従来の基板処理方法を説明するための概略図を示す。より具体的には、図5(a)は、時間の経過(横軸)と設定温度(縦軸)との関係を表したものである。図5(b)は、図5(a)の設定温度プロファイルでウェハWが成膜処理された場合の、ウェハWの成膜状況を説明するための概略図であり、横軸はウェハWの位置を意味する。図5(c)は、図5(a)の設定温度プロファイルでウェハWが成膜処理された場合の、ウェハWの面内でのエッチングレートを説明するための概略図である。図5(c)において、横軸はウェハWの位置を意味し、縦軸はエッチングレートの大きさを意味する。図5(d)は、図5(a)の設定温度プロファイルでウェハWが成膜処理された場合の、エッチング後のウェハの様子の一例を説明するための概略図であり、横軸はウェハWの位置を意味する。
図6に、本実施形態に係る基板処理方法の一例を説明するための概略図を示す。より具体的には、図6(a)は、時間の経過と設定温度との関係を表したものである。図6(b)は、図6(a)の設定温度プロファイルでウェハWが成膜処理された場合の、ウェハWの成膜状況を説明するための概略図である。図6(c)は、図6(a)の設定温度プロファイルでウェハWが成膜処理された場合の、ウェハWの面内でのエッチングレートを説明するための概略図である。図6(d)は、図6(a)の設定温度プロファイルでウェハWが成膜処理された場合の、エッチング後のウェハの様子の一例を説明するための概略図である。
102 処理容器
104 マニホールド
106 ガス導入部
108 ガス排気部
110 配管
112 真空ポンプ
114 開度可変弁
116 配管
118 炉口
120 蓋体
122 昇降機構
125 保温筒
126 ウェハボート
128 ヒータ
130 電力制御機
132 制御部
134 モデル記憶部
136 レシピ記憶部
138 ROM
140 RAM
142 I/Oポート
144 CPU
146 バス
148 操作パネル
200 エッチング装置
202 保持部
204 駆動部
206 カップ
208 排気管
210 ドレイン管
212 ノズル
W 半導体ウェハ
Claims (8)
- 昇温又は降温を含む設定温度プロファイルで、処理容器内で処理ガスを用いて被処理体上に膜を形成する成膜工程と、
前記膜をエッチングするエッチング工程と、
を含み、
前記エッチング工程は、エッチングレートが前記成膜工程での成膜温度に依存する前記膜をエッチングする工程であり、
前記設定温度プロファイルは、前記エッチング工程でのエッチングレートの前記成膜温度に対する第1の温度依存性と、前記成膜工程での成膜量の前記成膜温度に対する第2の温度依存性とに基づいて決定される、
基板処理方法。 - 前記設定温度プロファイルは、所定の前記成膜量と所定の前記エッチングレートに対して、
前記成膜温度が、前記成膜量に与える影響を表す第1のプロセスモデルと、
前記成膜温度が、前記エッチングレートに与える影響を表す第2のプロセスモデルと、
前記処理容器内の温度を、前記第1のプロセスモデルと前記第2のプロセスモデルとから算出される前記成膜温度とするように、前記設定温度プロファイルを決定する熱モデルと、
に基づいて決定される、
請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記設定温度プロファイルは、第1の温度から第2の温度へと第1の時間で温度を変化させる設定温度プロファイルを含む、
請求項1又は2に記載の基板処理方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
- 処理容器及びヒータを有し、昇温又は降温を含む設定温度プロファイルで、被処理体上に膜を成膜することが可能な成膜装置の作動を制御する制御装置であって、
前記制御装置はモデル記憶部を有し、
前記モデル記憶部は、
成膜温度が前記膜の成膜量に与える影響を表す、第1のプロセスモデルと、
前記成膜温度が前記膜のエッチングレートに与える影響を表す、第2のプロセスモデルと、
前記処理容器内の温度を、前記第1のプロセスモデルと前記第2のプロセスモデルとから算出される前記成膜温度とするように、前記設定温度プロファイルを決定する熱モデルと、
を有する、制御装置。 - 処理容器、ヒータ及び制御部を有し、被処理体上に、昇温又は降温を含む設定温度プロファイルで、膜を成膜することが可能な成膜装置であって、
前記制御部はモデル記憶部を有し、
前記モデル記憶部は、
成膜温度が前記膜の成膜量に与える影響を表す、第1のプロセスモデルと、
前記成膜温度が前記膜のエッチングレートに与える影響を表す、第2のプロセスモデルと、
前記処理容器内の温度を、前記第1のプロセスモデルと前記第2のプロセスモデルとから算出される前記成膜温度とするように、前記設定温度プロファイルを決定する熱モデルと、
を有する、成膜装置。 - 処理容器及びヒータを有し、被処理体上に、昇温又は降温を含む設定温度プロファイルで、膜を成膜することが可能な成膜装置と、
成膜後の前記被処理体をエッチングするエッチング装置と、
前記成膜装置及び前記エッチング装置を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記エッチング装置による前記膜のエッチングレートの、前記膜の成膜温度に対する第1の温度依存性と、前記膜の成膜量の、前記成膜温度に対する第2の温度依存性とに基づいて前記設定温度プロファイルを決定する、
基板処理システム。 - 前記制御部は、モデル記憶部を有し、
前記モデル記憶部は、
前記成膜温度が前記膜の成膜量に与える影響を表す、第1のプロセスモデルと、
前記成膜温度が前記膜のエッチングレートに与える影響を表す、第2のプロセスモデルと、
前記処理容器内の温度を、前記第1のプロセスモデルと前記第2のプロセスモデルとから算出される前記成膜温度とするように、前記設定温度プロファイルを決定する熱モデルと、
を有する、請求項7に記載の基板処理システム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013099591A JP6106519B2 (ja) | 2013-05-09 | 2013-05-09 | 基板処理方法、プログラム、制御装置、成膜装置及び基板処理システム |
US14/264,384 US10096499B2 (en) | 2013-05-09 | 2014-04-29 | Substrate processing method, program, control apparatus, film forming apparatus, and substrate processing system |
KR1020140054014A KR101755761B1 (ko) | 2013-05-09 | 2014-05-07 | 기판 처리 방법, 프로그램, 제어 장치, 성막 장치 및 기판 처리 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013099591A JP6106519B2 (ja) | 2013-05-09 | 2013-05-09 | 基板処理方法、プログラム、制御装置、成膜装置及び基板処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014220430A true JP2014220430A (ja) | 2014-11-20 |
JP6106519B2 JP6106519B2 (ja) | 2017-04-05 |
Family
ID=51865082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013099591A Active JP6106519B2 (ja) | 2013-05-09 | 2013-05-09 | 基板処理方法、プログラム、制御装置、成膜装置及び基板処理システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10096499B2 (ja) |
JP (1) | JP6106519B2 (ja) |
KR (1) | KR101755761B1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016157771A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP2017174983A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
JP2017183311A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
WO2023013436A1 (ja) * | 2021-08-05 | 2023-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 予測方法、予測プログラム、予測装置、学習方法、学習プログラム及び学習装置 |
WO2023042774A1 (ja) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6211960B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2017-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理装置及び基板処理システム |
CN105977140B (zh) * | 2016-07-22 | 2019-01-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法 |
TWI787752B (zh) * | 2017-05-31 | 2022-12-21 | 荷蘭商耐克創新有限合夥公司 | 在製程中監測對物品施加表面處理的方法及系統 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06318551A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-15 | Toshiba Corp | 薄膜の形成方法およびその装置 |
JPH0945681A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002141347A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-17 | Tokyo Electron Ltd | バッチ式熱処理方法とバッチ式熱処理装置 |
JP2003158160A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 膜の評価方法,温度測定方法及び半導体装置の製造方法 |
US20050126489A1 (en) * | 2003-12-10 | 2005-06-16 | Beaman Kevin L. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
JP2007266439A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2012138641A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-07-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6074696A (en) * | 1994-09-16 | 2000-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing method which utilizes a rotary member coupled to a substrate holder which holds a target substrate |
US5605600A (en) * | 1995-03-13 | 1997-02-25 | International Business Machines Corporation | Etch profile shaping through wafer temperature control |
US5751896A (en) * | 1996-02-22 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus to compensate for non-uniform film growth during chemical vapor deposition |
US5891807A (en) * | 1997-09-25 | 1999-04-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Formation of a bottle shaped trench |
JP3892609B2 (ja) * | 1999-02-16 | 2007-03-14 | 株式会社東芝 | ホットプレートおよび半導体装置の製造方法 |
US6936182B2 (en) * | 2002-02-28 | 2005-08-30 | The Regents Of The University Of California | Method and system for optical figuring by imagewise heating of a solvent |
JP5153614B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2013-02-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体基板の処理方法、制御プログラム、制御プログラムが記録された記録媒体および基板処理方法 |
JP4708243B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP4553266B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、制御定数の自動調整方法及び記憶媒体 |
JP2009188257A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体 |
JP5957812B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2016-07-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP5973731B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2016-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法 |
-
2013
- 2013-05-09 JP JP2013099591A patent/JP6106519B2/ja active Active
-
2014
- 2014-04-29 US US14/264,384 patent/US10096499B2/en active Active
- 2014-05-07 KR KR1020140054014A patent/KR101755761B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06318551A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-15 | Toshiba Corp | 薄膜の形成方法およびその装置 |
US5561087A (en) * | 1993-05-10 | 1996-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a uniform thin film by cooling wafers during CVD |
JPH0945681A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002141347A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-17 | Tokyo Electron Ltd | バッチ式熱処理方法とバッチ式熱処理装置 |
JP2003158160A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 膜の評価方法,温度測定方法及び半導体装置の製造方法 |
US20050126489A1 (en) * | 2003-12-10 | 2005-06-16 | Beaman Kevin L. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
JP2007266439A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2012138641A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-07-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016157771A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
US10640871B2 (en) | 2015-02-24 | 2020-05-05 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system, heat treatment method, and program |
JP2017174983A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
JP2017183311A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
WO2023013436A1 (ja) * | 2021-08-05 | 2023-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 予測方法、予測プログラム、予測装置、学習方法、学習プログラム及び学習装置 |
WO2023042774A1 (ja) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140335693A1 (en) | 2014-11-13 |
US10096499B2 (en) | 2018-10-09 |
KR101755761B1 (ko) | 2017-07-07 |
JP6106519B2 (ja) | 2017-04-05 |
KR20140133449A (ko) | 2014-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6106519B2 (ja) | 基板処理方法、プログラム、制御装置、成膜装置及び基板処理システム | |
JP5788355B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
CN107230654B (zh) | 控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质 | |
JP5766647B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP5049303B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
JP6066847B2 (ja) | 基板処理方法及び制御装置 | |
KR101810282B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 제어 장치 | |
JP6512860B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP6541599B2 (ja) | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム | |
KR101872067B1 (ko) | 기판 처리 방법, 프로그램, 제어 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 | |
JP5752634B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP5049302B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム | |
JP6596316B2 (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム | |
JP6353802B2 (ja) | 処理システム、処理方法、及び、プログラム | |
JP6584350B2 (ja) | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム | |
JP6267881B2 (ja) | 基板処理方法及び制御装置 | |
JP6378639B2 (ja) | 処理システム、処理方法、及び、プログラム | |
JP2016143794A (ja) | 処理システム、処理方法、及び、プログラム | |
US10692782B2 (en) | Control device, substrate processing system, substrate processing method, and program | |
JP2016136598A (ja) | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151014 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6106519 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |