JP7442407B2 - 制御装置、システム及び制御方法 - Google Patents
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Description
図1を参照し、システムの全体構成について説明する。図1は、システムの全体構成の一例を示す図である。
成膜装置10は、各種の成膜処理を実行する装置である。成膜装置10は、装置コントローラ12を含む。
膜厚測定器20は、測定条件に基づいて、ウエハに成膜された膜の膜厚を測定する。測定条件は、例えばウエハの面内の複数の位置において膜厚を測定する条件を含む。複数の位置は、例えばウエハの面内における中心近傍位置、外端近傍位置及び中間位置を含む。
図2を参照し、群管理コントローラ40のハードウェア構成について説明する。図2は、群管理コントローラ40のハードウェア構成の一例を示す図である。
図9を参照し、実施形態の群管理コントローラ40が実行する制御方法の一例について説明する。図9は、実施形態の群管理コントローラ40の動作の一例を示すフローチャートである。
41 受信部
42 動作制御部
43 第1判定部
44 診断部
45 第2判定部
46 最適化処理部
47 更新部
48 表示制御部
49 第3判定部
50 実行部
51 モデル記憶部
52 レシピ記憶部
53 ログ記憶部
Claims (10)
- 処理レシピに基づく成膜処理により基板に成膜された膜の複数の位置における膜特性を受信する受信部と、
前記膜特性に基づいて前記処理レシピの最適化計算を実行する最適化処理部と、
前記膜特性に基づいて前記膜特性の面内形状の妥当性を診断する診断部と、
前記診断部による診断結果に基づいてユーザに推奨行動を通知するか否かを判定する判定部と、
前記ユーザに前記推奨行動を取るように通知する表示制御部と、
を有し、
前記判定部は、前記診断部により診断された前記膜特性の面内形状が予め定めた所定の形状であるか否かを判定するよう構成され、
前記最適化処理部は、前記判定部が前記膜特性の面内形状が予め定めた所定の形状であると判定した場合に前記処理レシピの最適化計算を実行するよう構成され、
前記表示制御部は、前記判定部が前記膜特性の面内形状が予め定めた所定の形状でないと判定した場合に前記ユーザに前記推奨行動を取るように通知するよう構成される、
制御装置。 - 前記診断部は、前記基板の面内における複数の位置の膜特性の大小関係に基づいて、前記面内形状の妥当性を診断する、
請求項1に記載の制御装置。 - 前記複数の位置は、前記基板の面内における中心近傍位置、外端近傍位置及び中間位置を含む、
請求項2に記載の制御装置。 - 前記診断部は、前記基板の面内における複数の位置の膜特性に基づいて基板マップを作成し、該基板マップと、基板マップと面内形状とが対応付けされた対応情報とに基づいて、前記面内形状の妥当性を診断する、
請求項1に記載の制御装置。 - 前記診断部は、前記受信部が受信した前記膜特性の面内均一性と、前記受信部が受信した前記膜特性に基づいて前記最適化計算が実行された前記処理レシピにより成膜処理が施された場合に予測される膜特性の面内均一性と、目標とする膜特性の面内均一性と、に基づいて、前記面内形状の妥当性を診断する、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の制御装置。 - 前記最適化処理部は、前記受信部が受信した前記膜特性と、前記基板の温度が前記膜特性に与える影響を表すモデルと、に基づいて、前記処理レシピの最適化計算を実行する、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の制御装置。 - 前記表示制御部により通知された前記推奨行動を実行する実行部を更に有する、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の制御装置。 - 前記膜特性は、膜厚である、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の制御装置。 - 処理レシピに基づいて基板に成膜処理を実行する成膜装置と、前記処理レシピの最適化計算を行う制御装置と、成膜処理が実行された基板に成膜された膜の膜特性を測定する測定器と、をネットワークで接続したシステムであって、
前記制御装置は、
処理レシピに基づく成膜処理により基板に成膜された膜の複数の位置における膜特性を受信する受信部と、
前記膜特性に基づいて前記処理レシピの最適化計算を実行する最適化処理部と、
前記膜特性に基づいて前記膜特性の面内形状の妥当性を診断する診断部と、
前記診断部による診断結果に基づいてユーザに推奨行動を通知するか否かを判定する判定部と、
前記ユーザに前記推奨行動を取るように通知する表示制御部と、
を有し、
前記判定部は、前記診断部により診断された前記膜特性の面内形状が予め定めた所定の形状であるか否かを判定するよう構成され、
前記最適化処理部は、前記判定部が前記膜特性の面内形状が予め定めた所定の形状であると判定した場合に前記処理レシピの最適化計算を実行するよう構成され、
前記表示制御部は、前記判定部が前記膜特性の面内形状が予め定めた所定の形状でないと判定した場合に前記ユーザに前記推奨行動を取るように通知するよう構成される、
システム。 - (a)処理レシピに基づく成膜処理により基板に成膜された膜の複数の位置における膜特性を受信するステップと、
(b)前記膜特性に基づいて前記処理レシピの最適化計算を実行するステップと、
(c)前記膜特性に基づいて前記膜特性の面内形状の妥当性を診断するステップと、
(d)前記診断するステップにおける診断結果に基づいてユーザに推奨行動を通知するか否かを判定するステップと、
(e)前記ユーザに前記推奨行動を取るように通知するステップと、
を有し、
前記ステップ(d)は、前記ステップ(c)において診断された前記膜特性の面内形状が予め定めた所定の形状であるか否かを判定することを含み、
前記ステップ(b)は、前記ステップ(d)において前記膜特性の面内形状が予め定めた所定の形状であると判定された場合に実行され、
前記ステップ(e)は、前記膜特性の面内形状が予め定めた所定の形状でないと判定された場合に実行される、
制御方法。
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JP2013153142A (ja) | 2011-12-26 | 2013-08-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
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Patent Citations (5)
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---|---|---|---|---|
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JP2013153142A (ja) | 2011-12-26 | 2013-08-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
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JP2017183311A (ja) | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
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