JP2009260261A - 熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム - Google Patents
熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラム Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】熱処理装置1の制御部50は、半導体ウエハWにSiO2膜を成膜し、SiO2膜が面内均一性を満たすか否かを判別する。制御部50は、面内均一性を満たさないと判別すると面内均一性を満たすような予備加熱部23の温度を算出する。制御部50は、算出した予備加熱部23の温度に変更した処理条件で半導体ウエハWにSiO2膜を成膜し、予備加熱部23の温度調整を行う。また、制御部50は、面内均一性を満たすと判別すると、面間均一性についても同様の手順でヒータ11〜15の温度調整を行う。
【選択図】図1
Description
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段により供給される処理ガスを前記処理室内に供給する前に加熱する予備加熱手段と、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、前記予備加熱手段により加熱される処理ガスの温度、処理の面内均一性、及び、処理の面間均一性を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、
前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件で前記被処理体を処理する処理手段と、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面内均一性を満たすか否かを判別し、該面内均一性を満たさないと判別すると、前記予備加熱手段により加熱する処理ガスの温度が当該面内均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理ガスの温度を前記算出した処理ガスの温度に変更し、変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理ガスの温度を調整する処理ガス温度調整手段と、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面間均一性を満たすか否かを判別し、該面間均一性を満たさないと判別すると、前記加熱手段により加熱する処理室内の温度が当該面間均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理室内の温度を前記算出した処理室内の温度に変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理室内の温度を調整する処理室温度調整手段と、
を、備えることを特徴とする。
前記処理室は、例えば、複数のゾーンに区分けされている。この場合、前記加熱手段は、前記処理室内のゾーン毎に温度設定可能である。
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理ガス供給手段により供給される処理ガスを前記処理室内に供給する前に加熱する予備加熱手段と、前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、前記予備加熱手段により加熱される処理ガスの温度、処理の面内均一性、及び、処理の面間均一性を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件で前記被処理体を処理する処理手段と、を備える熱処理装置の温度調整方法であって、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面内均一性を満たすか否かを判別し、該面内均一性を満たさないと判別すると、前記予備加熱手段により加熱する処理ガスの温度が当該面内均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理ガスの温度を前記算出した処理ガスの温度に変更し、変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理ガスの温度を調整する処理ガス温度調整工程と、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面間均一性を満たすか否かを判別し、該面間均一性を満たさないと判別すると、前記加熱手段により加熱する処理室内の温度が当該面間均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理室内の温度を前記算出した処理室内の温度に変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理室内の温度を調整する処理室温度調整工程と、を備え、
前記処理ガス温度調整工程、及び、前記処理室温度調整工程の一方の工程を行った後に他方の工程を行う、ことを特徴とする。
前記処理内容としては、例えば、成膜処理がある。
コンピュータを、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段、
前記処理ガス供給手段により供給される処理ガスを前記処理室内に供給する前に加熱する予備加熱手段、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、前記予備加熱手段により加熱される処理ガスの温度、処理の面内均一性、及び、処理の面間均一性を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段、
前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件で前記被処理体を処理する処理手段、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面内均一性を満たすか否かを判別し、該面内均一性を満たさないと判別すると、前記予備加熱手段により加熱する処理ガスの温度が当該面内均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理ガスの温度を前記算出した処理ガスの温度に変更し、変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理ガスの温度を調整する処理ガス温度調整手段、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面間均一性を満たすか否かを判別し、該面間均一性を満たさないと判別すると、前記加熱手段により加熱する処理室内の温度が当該面間均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理室内の温度を前記算出した処理室内の温度に変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理室内の温度を調整する処理室温度調整手段、
として機能させることを特徴とする。
RAM54は、CPU56のワークエリアなどとして機能する。
バス57は、各部の間で情報を伝達する。
V=A×exp−Ea/kT ・・・式(1)
ここで、Vは反応速度(成膜速度)、Aは頻度因子、Eaは活性化エネルギー、kはボルツマン定数、Tは絶対温度である。なお、活性化エネルギーEaとは、成膜プロセスの種類によって決定され、本例の反応では、1.8(eV)である。
dThickness/dt=thickness×Ea/kT2 ・・・式(2)
この式(2)の{dThickness/dt}が温度と膜厚との関係を表し、ヒータ11〜15の温度を1℃変えたときの膜厚変化量となる。この式(2)により、半導体ウエハWの膜厚を所望の膜厚にするためのヒータ11〜15の温度が算出される。
2 反応管
3 マニホールド
6 蓋体
9 ウエハボート
10 ヒータ部
11〜15 ヒータ
16〜20 電力コントローラ
21 処理ガス供給管
22 流量調整部
23 予備加熱部
50 制御部
51 モデル記憶部
52 レシピ記憶部
53 ROM
54 RAM
56 CPU
W 半導体ウエハ
Claims (9)
- 複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段により供給される処理ガスを前記処理室内に供給する前に加熱する予備加熱手段と、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、前記予備加熱手段により加熱される処理ガスの温度、処理の面内均一性、及び、処理の面間均一性を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、
前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件で前記被処理体を処理する処理手段と、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面内均一性を満たすか否かを判別し、該面内均一性を満たさないと判別すると、前記予備加熱手段により加熱する処理ガスの温度が当該面内均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理ガスの温度を前記算出した処理ガスの温度に変更し、変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理ガスの温度を調整する処理ガス温度調整手段と、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面間均一性を満たすか否かを判別し、該面間均一性を満たさないと判別すると、前記加熱手段により加熱する処理室内の温度が当該面間均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理室内の温度を前記算出した処理室内の温度に変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理室内の温度を調整する処理室温度調整手段と、
を、備えることを特徴とする熱処理装置。 - 前記処理室温度調整手段は、前記処理ガス温度調整手段により処理ガスの温度が調整されたとき、該処理ガスの温度が調整された処理条件で前記処理手段により処理された処理結果に基づいて処理の面間均一性を満たすか否かを判別する、ことを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記処理内容は成膜処理である、ことを特徴とする請求項1または2に記載の熱処理装置。
- 前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、
前記加熱手段は、前記処理室内のゾーン毎に温度設定可能である、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の熱処理装置。 - 複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理ガス供給手段により供給される処理ガスを前記処理室内に供給する前に加熱する予備加熱手段と、前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、前記予備加熱手段により加熱される処理ガスの温度、処理の面内均一性、及び、処理の面間均一性を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件で前記被処理体を処理する処理手段と、を備える熱処理装置の温度調整方法であって、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面内均一性を満たすか否かを判別し、該面内均一性を満たさないと判別すると、前記予備加熱手段により加熱する処理ガスの温度が当該面内均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理ガスの温度を前記算出した処理ガスの温度に変更し、変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理ガスの温度を調整する処理ガス温度調整工程と、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面間均一性を満たすか否かを判別し、該面間均一性を満たさないと判別すると、前記加熱手段により加熱する処理室内の温度が当該面間均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理室内の温度を前記算出した処理室内の温度に変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理室内の温度を調整する処理室温度調整工程と、を備え、
前記処理ガス温度調整工程、及び、前記処理室温度調整工程の一方の工程を行った後に他方の工程を行う、ことを特徴とする熱処理装置の温度調整方法。 - 前記処理ガス温度調整工程を行った後に前記処理室温度調整工程を行う、ことを特徴とする請求項5に記載の熱処理装置の温度調整方法。
- 前記処理内容は成膜処理である、ことを特徴とする請求項5または6に記載の熱処理装置の温度調整方法。
- 前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、前記加熱手段は前記処理室内のゾーン毎に温度設定可能であり、
前記処理室温度調整工程では、前記処理室内のゾーン毎に温度を調整する、ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の熱処理装置の温度調整方法。 - コンピュータを、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段、
前記処理ガス供給手段により供給される処理ガスを前記処理室内に供給する前に加熱する予備加熱手段、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度、前記予備加熱手段により加熱される処理ガスの温度、処理の面内均一性、及び、処理の面間均一性を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段、
前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件で前記被処理体を処理する処理手段、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面内均一性を満たすか否かを判別し、該面内均一性を満たさないと判別すると、前記予備加熱手段により加熱する処理ガスの温度が当該面内均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理ガスの温度を前記算出した処理ガスの温度に変更し、変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理ガスの温度を調整する処理ガス温度調整手段、
前記処理手段により処理された処理結果が前記処理条件記憶手段に記憶された処理の面間均一性を満たすか否かを判別し、該面間均一性を満たさないと判別すると、前記加熱手段により加熱する処理室内の温度が当該面間均一性を満たすような温度を算出し、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件の処理室内の温度を前記算出した処理室内の温度に変更した処理条件で前記被処理体を処理して処理室内の温度を調整する処理室温度調整手段、
として機能させるプログラム。
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TW98108035A TWI433239B (zh) | 2008-03-17 | 2009-03-12 | 熱處理裝置、熱處理裝置之溫度調整方法、及程式 |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012015476A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 基板加工装置 |
JP2013197421A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2013207110A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 連続処理システム、連続処理方法、及び、プログラム |
JP2016157771A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP2017059658A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの成膜条件決定方法、ならびにエピタキシャルウェーハの製造方法および製造装置 |
JP2017098464A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002043300A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置の制御条件決定方法、熱処理装置、および熱処理方法 |
JP2003209099A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2007081365A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
-
2009
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002043300A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置の制御条件決定方法、熱処理装置、および熱処理方法 |
JP2003209099A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2007081365A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012015476A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 基板加工装置 |
JP2013197421A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2013207110A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 連続処理システム、連続処理方法、及び、プログラム |
KR101565896B1 (ko) | 2012-03-28 | 2015-11-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 연속 처리 시스템, 연속 처리 방법 및, 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독가능 기록매체 |
JP2016157771A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
KR20160103528A (ko) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 시스템, 열처리 방법 및 프로그램 |
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US10640871B2 (en) | 2015-02-24 | 2020-05-05 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system, heat treatment method, and program |
JP2017059658A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの成膜条件決定方法、ならびにエピタキシャルウェーハの製造方法および製造装置 |
JP2017098464A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
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