JP2013207110A - 連続処理システム、連続処理方法、及び、プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理装置1の制御部50は、入力されたD−poly膜およびa−Si膜の目標膜厚から、各層の重み付けを算出し、算出した重み付けと活性化エネルギーとに基づいて積層膜の活性化エネルギーを算出する。次に、制御部50は、算出した活性化エネルギーとD−poly膜およびa−Si膜の膜厚における各ZONEの温度との関係とに基づいて積層膜のモデルを作成し、作成した積層膜のモデルを用いてZONEごとの最適温度を算出する。そして、制御部50は、ヒータ11〜15の電力コントローラ16〜20を制御して、反応管2内の温度を算出された各ゾーンの温度に設定するとともに、圧力調整部5、流量調整部24〜26等を制御して、半導体ウエハWに積層膜を形成する。
【選択図】図1
Description
被処理体に第1の膜を成膜した後に第2の膜を成膜して積層膜を形成する連続処理システムであって、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、前記第1の膜および前記第2の膜の成膜条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、
前記処理室内の温度と成膜される前記第1の膜の膜厚との関係を示す第1のモデルを記憶する第1のモデル記憶手段と、
前記処理室内の温度と成膜される前記第2の膜の膜厚との関係を示す第2のモデルを記憶する第2のモデル記憶手段と、
前記第1の膜および前記第2の膜の目標膜厚に基づいて、前記第1の膜と前記第2の膜との重み付けを算出する重み付け算出手段と、
前記重み付け算出手段により算出された重み付けと、前記第1のモデル記憶手段に記憶された第1のモデルと、前記第2のモデル記憶手段に記憶された第2のモデルと、に基づいて、前記処理室内の温度と前記積層膜の膜厚との関係を示す積層膜モデルを作成する積層膜モデル作成手段と、
前記積層膜モデル作成手段により作成された積層膜モデルに基づいて、当該積層膜の膜厚が所望の膜厚となる処理室内の温度を算出する温度算出手段と、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された処理室内の温度を前記温度算出手段により算出された処理室内の温度に変更し、変更した温度で前記積層膜を形成して、前記形成した積層膜が所望の膜厚となるように調整する調整手段と、
を、備えることを特徴とする。
被処理体に第1の膜を成膜した後に第2の膜を成膜して積層膜を形成する連続処理方法であって、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、前記第1の膜および前記第2の膜の成膜条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、前記処理室内の温度と成膜される前記第1の膜の膜厚との関係を示す第1のモデルを記憶する第1のモデル記憶手段と、前記処理室内の温度と成膜される前記第2の膜の膜厚との関係を示す第2のモデルを記憶する第2のモデル記憶手段と、を備え、
前記第1の膜および前記第2の膜の目標膜厚に基づいて、前記第1の膜と前記第2の膜との重み付けを算出する重み付け算出工程と、
前記重み付け算出工程で算出された重み付けと、前記第1のモデル記憶手段で記憶された第1のモデルと、前記第2のモデル記憶手段で記憶された第2のモデルと、に基づいて、前記処理室内の温度と前記積層膜の膜厚との関係を示す積層膜モデルを作成する積層膜モデル作成工程と、
前記積層膜モデル作成工程で作成された積層膜モデルに基づいて、当該積層膜の膜厚が所望の膜厚となる処理室内の温度を算出する温度算出工程と、
前記熱処理条件記憶手段で記憶された処理室内の温度を前記温度算出工程で算出された処理室内の温度に変更し、変更した温度で前記積層膜を形成して、前記形成した積層膜が所望の膜厚となるように調整する調整工程と、
を、備えることを特徴とする。
被処理体に第1の膜を成膜した後に第2の膜を成膜して積層膜を形成する連続処理システムとして機能させるプログラムであって、
コンピュータを、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、前記第1の膜および前記第2の膜の成膜条件を記憶する熱処理条件記憶手段、
前記処理室内の温度と成膜される前記第1の膜の膜厚との関係を示す第1のモデルを記憶する第1のモデル記憶手段、
前記処理室内の温度と成膜される前記第2の膜の膜厚との関係を示す第2のモデルを記憶する第2のモデル記憶手段、
前記第1の膜および前記第2の膜の目標膜厚に基づいて、前記第1の膜と前記第2の膜との重み付けを算出する重み付け算出手段、
前記重み付け算出手段により算出された重み付けと、前記第1のモデル記憶手段に記憶された第1のモデルと、前記第2のモデル記憶手段に記憶された第2のモデルと、に基づいて、前記処理室内の温度と前記積層膜の膜厚との関係を示す積層膜モデルを作成する積層膜モデル作成手段、
前記積層膜モデル作成手段により作成された積層膜モデルに基づいて、当該積層膜の膜厚が所望の膜厚となる処理室内の温度を算出する温度算出手段、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された処理室内の温度を前記温度算出手段により算出された処理室内の温度に変更し、変更した温度で前記積層膜を形成して、前記形成した積層膜が所望の膜厚となるように調整する調整手段、
として機能させることを特徴とする。
RAM54は、CPU56のワークエリアなどとして機能する。
バス57は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 マニホールド
6 蓋体
9 ウエハボート
10 ヒータ部
11〜15 ヒータ
16〜20 電力コントローラ
21〜23 処理ガス供給管
24〜26 流量調整部
50 制御部
51 モデル記憶部
52 レシピ記憶部
53 ROM
54 RAM
56 CPU
W 半導体ウエハ
Claims (7)
- 被処理体に第1の膜を成膜した後に第2の膜を成膜して積層膜を形成する連続処理システムであって、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、前記第1の膜および前記第2の膜の成膜条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、
前記処理室内の温度と成膜される前記第1の膜の膜厚との関係を示す第1のモデルを記憶する第1のモデル記憶手段と、
前記処理室内の温度と成膜される前記第2の膜の膜厚との関係を示す第2のモデルを記憶する第2のモデル記憶手段と、
前記第1の膜および前記第2の膜の目標膜厚に基づいて、前記第1の膜と前記第2の膜との重み付けを算出する重み付け算出手段と、
前記重み付け算出手段により算出された重み付けと、前記第1のモデル記憶手段に記憶された第1のモデルと、前記第2のモデル記憶手段に記憶された第2のモデルと、に基づいて、前記処理室内の温度と前記積層膜の膜厚との関係を示す積層膜モデルを作成する積層膜モデル作成手段と、
前記積層膜モデル作成手段により作成された積層膜モデルに基づいて、当該積層膜の膜厚が所望の膜厚となる処理室内の温度を算出する温度算出手段と、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された処理室内の温度を前記温度算出手段により算出された処理室内の温度に変更し、変更した温度で前記積層膜を形成して、前記形成した積層膜が所望の膜厚となるように調整する調整手段と、
を、備えることを特徴とする連続処理システム。 - 前記積層膜モデル作成手段は、前記重み付け算出手段により算出された重み付けと前記第1の膜の活性化エネルギーと前記第2の膜の活性化エネルギーに基づいて積層膜の活性化エネルギーを算出し、算出した積層膜の活性化エネルギーと前記第1のモデルと前記第2のモデルとに基づいて、積層膜モデルを作成する、ことを特徴とする請求項1に記載の連続処理システム。
- 前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、
前記加熱手段は、前記処理室内の前記ゾーンごとに温度設定可能であり、
前記第1のモデル、前記第2のモデル、および、前記積層膜モデルは、前記ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、前記ゾーンごとの膜厚の変化との関係を示し、
前記温度算出手段は、前記ゾーンごとの処理室内の温度を算出する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の連続処理システム。 - 被処理体に第1の膜を成膜した後に第2の膜を成膜して積層膜を形成する連続処理方法であって、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段と、前記加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、前記第1の膜および前記第2の膜の成膜条件を記憶する熱処理条件記憶手段と、前記処理室内の温度と成膜される前記第1の膜の膜厚との関係を示す第1のモデルを記憶する第1のモデル記憶手段と、前記処理室内の温度と成膜される前記第2の膜の膜厚との関係を示す第2のモデルを記憶する第2のモデル記憶手段と、を備え、
前記第1の膜および前記第2の膜の目標膜厚に基づいて、前記第1の膜と前記第2の膜との重み付けを算出する重み付け算出工程と、
前記重み付け算出工程で算出された重み付けと、前記第1のモデル記憶手段で記憶された第1のモデルと、前記第2のモデル記憶手段で記憶された第2のモデルと、に基づいて、前記処理室内の温度と前記積層膜の膜厚との関係を示す積層膜モデルを作成する積層膜モデル作成工程と、
前記積層膜モデル作成工程で作成された積層膜モデルに基づいて、当該積層膜の膜厚が所望の膜厚となる処理室内の温度を算出する温度算出工程と、
前記熱処理条件記憶手段で記憶された処理室内の温度を前記温度算出工程で算出された処理室内の温度に変更し、変更した温度で前記積層膜を形成して、前記形成した積層膜が所望の膜厚となるように調整する調整工程と、
を、備えることを特徴とする連続処理方法。 - 前記積層膜モデル作成工程では、前記重み付け算出工程で算出された重み付けと前記第1の膜の活性化エネルギーと前記第2の膜の活性化エネルギーに基づいて積層膜の活性化エネルギーを算出し、算出した積層膜の活性化エネルギーと前記第1のモデルと前記第2のモデルとに基づいて、積層膜モデルを作成する、ことを特徴とする請求項4に記載の連続処理方法。
- 前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、
前記加熱手段は、前記処理室内の前記ゾーンごとに温度設定可能であり、
前記第1のモデル、前記第2のモデル、および、前記積層膜モデルは、前記ゾーンごとの処理室内の温度の変化と、前記ゾーンごとの膜厚の変化との関係を示し、
前記温度算出工程では、前記ゾーンごとの処理室内の温度を算出する、ことを特徴とする請求項4または5に記載の連続処理方法。 - 被処理体に第1の膜を成膜した後に第2の膜を成膜して積層膜を形成する連続処理システムとして機能させるプログラムであって、
コンピュータを、
複数枚の被処理体を収容する処理室内を加熱する加熱手段により加熱される処理室内の温度を含む、前記第1の膜および前記第2の膜の成膜条件を記憶する熱処理条件記憶手段、
前記処理室内の温度と成膜される前記第1の膜の膜厚との関係を示す第1のモデルを記憶する第1のモデル記憶手段、
前記処理室内の温度と成膜される前記第2の膜の膜厚との関係を示す第2のモデルを記憶する第2のモデル記憶手段、
前記第1の膜および前記第2の膜の目標膜厚に基づいて、前記第1の膜と前記第2の膜との重み付けを算出する重み付け算出手段、
前記重み付け算出手段により算出された重み付けと、前記第1のモデル記憶手段に記憶された第1のモデルと、前記第2のモデル記憶手段に記憶された第2のモデルと、に基づいて、前記処理室内の温度と前記積層膜の膜厚との関係を示す積層膜モデルを作成する積層膜モデル作成手段、
前記積層膜モデル作成手段により作成された積層膜モデルに基づいて、当該積層膜の膜厚が所望の膜厚となる処理室内の温度を算出する温度算出手段、
前記熱処理条件記憶手段により記憶された処理室内の温度を前記温度算出手段により算出された処理室内の温度に変更し、変更した温度で前記積層膜を形成して、前記形成した積層膜が所望の膜厚となるように調整する調整手段、
として機能させるプログラム。
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