CN112447548A - 一种半导体处理设备及腔室间传送口结构 - Google Patents

Abstract

一种半导体处理设备及腔室间传送口结构，通过对腔室间传送口结构进行改进，同时在传送口的衬垫组件上设置阀门和遮挡片，阀门保证了处理腔的结构密封，遮挡片既实现了传送口区域与处理腔区域的隔离，防止颗粒物沉积在传送口区域，又实现了传送口与区域与处理腔区域的连通，便于对传送口区域进行清洁，去除颗粒物，并且在遮挡片、衬垫组件和阀门上都设置防腐涂层，大大提高了腔室间传送口结构的防腐性能，提高了使用寿命。本发明大大减少了腔室间传送口区域的颗粒物数量，从而降低了晶圆在通过传送口区域时被污染的几率，提高了晶圆良率，降低了晶圆缺陷，同时由于腔室间传送口结构的寿命提高，无需频繁更换，也提高了半导体处理设备的运行速率和吞吐量。

Description

一种半导体处理设备及腔室间传送口结构

技术领域

本发明涉及一种半导体处理设备及腔室间传送口结构。

背景技术

采用半导体处理设备来对半导体器件执行各种不同类型的处理，包括蚀刻，化学气相沉积，灰化和溅射。如图1所示，在半导体处理设备中，通常包含处理腔1’和辅助腔2’。处理腔1’中设置有基座3’，静电吸盘4’设置在基座3’上，晶圆5’放置在静电吸盘4’上，处理腔1’中还设置有进气装置6’，进气装置6’连接外部的气源8’，提供反应气体进入处理腔1’，以实现对晶圆5’的处理，同时处理腔1’中还设置有排气装置7’，用于在半导体制程结束后对处理腔1’抽真空，准备进行其它制程。辅助腔2’连接到处理腔1’，辅助腔2’可以分别连接两个处理腔1’，或者分别连接处理腔1’和外部大气环境，其功能是用于传输晶圆，并隔绝处理腔1’和大气环境，确保大气中的杂质不会进入处理腔1’，影响半导体制程。处理腔1’和辅助腔2’之间设置传送口，一个衬垫组件9’分别穿过处理腔1’和辅助腔2’的腔壁，形成传送口，晶圆5’也通过该传送口在处理腔1’和辅助腔2’之间传送。在每个传送口上，设置有阀门元件10’，该阀门元件10’通常设置在辅助腔2’一侧，通过阀门驱动装置11’来控制阀门元件10’的开启和关闭，当阀门元件10’关闭时，传送口闭合，处理腔1’是密闭结构，当阀门元件10’开启时，晶圆5’可以通过传送口进行传送。

连接处理腔1’的传送口通常都设置在处理腔1’内的反应气体易于聚集的区域中，因此在反应气体对晶圆5’进行处理的过程中，反应气体会延伸到传送口的位置，在晶圆处理过程中，产生的副产品颗粒物会附着到衬垫组件9’位置，同时由于阀门元件10’的启闭产生的摩擦也会带来一些微颗粒物，同样附着到衬垫组件9’上。由于衬垫组件9’和阀门元件10’通常由铝合金构成，其表面涂有阳极氧化涂层，该阳极氧化涂层容易被反应气体侵蚀，侵蚀反应物剥落也会形成颗粒物。为了避免破坏阳极氧化涂层，处理腔1’内进行气体清洁的过程中，清洁气体一般不会延伸到衬垫组件9’和阀门元件10’的位置，这就导致衬垫组件9’和阀门元件10’位置处的颗粒物不能被及时清理。

随着颗粒物在传送口和阀门元件处的不断累积，在传送晶圆的过程中颗粒物会运动到晶圆表面或背面，增加晶圆的缺陷，影响晶圆的良率。同时随着腐蚀和污染程度的增加，必须更频繁地进行清洁和更换被颗粒腐蚀或污染的传送口和闸阀的维护工作，维护过程往往是复杂和耗时的。如果半导体处理设备经常具有较长的停机时间，则设备的运行速率变差，导致低吞吐量。

发明内容

本发明提供一种半导体处理设备及腔室间传送口结构，大大减少了腔室间传送口区域的颗粒物数量，从而降低了晶圆在通过传送口区域时被污染的几率，提高了晶圆良率，降低了晶圆缺陷，也提高了半导体处理设备的运行速率和吞吐量。

为了达到上述目的，本发明提供一种腔室间传送口结构，用于连接半导体处理设备中的处理腔和辅助腔，实现晶圆在腔室之间的传输，所述的腔室间传送口结构包含：

衬垫组件，其分别穿过处理腔和与处理腔相邻的辅助腔的腔壁，形成传送口区域；

阀门，其设置在辅助腔一侧，用于密封衬垫组件；

所述的衬垫组件和阀门上都具有抗腐蚀涂层，防止衬垫组件和阀门受到处理腔内部的等离子体腐蚀。

所述的腔室间传送口结构还包含：遮挡片，其设置在处理腔一侧，该遮挡片用于遮挡传送口区域，实现传送口区域与处理腔之间的隔离，所述的遮挡片上具有抗腐蚀涂层，防止遮挡片受到处理腔内部的等离子体腐蚀。

所述的遮挡片通过遮挡片驱动机构实现竖直方向的运动，所述的遮挡片驱动机构上具有抗腐蚀涂层，防止遮挡片驱动机构受到处理腔内部的等离子体腐蚀。

所述的阀门包含阀门主体和嵌入设置在阀门主体上的密封圈，抗腐蚀涂层涂覆在阀门主体上设置有密封圈的一侧，并位于密封圈内部区域，用于防止阀门与处理腔内部的等离子体直接接触而受到腐蚀。

所述的阀门通过阀门驱动机构实现水平方向和竖直方向的运动。

所述的抗腐蚀涂层采用特氟龙涂层，或者高分子聚合物涂层，或者碳化硅涂层，或者稀土氧化物涂层，或者稀土氟化物涂层。

所述的抗腐蚀涂层的厚度为5um-30um。

采用沉积方式或液体流挂方式形成所述的抗腐蚀涂层。

本发明还提供一种半导体处理设备，所述的半导体处理设备包含至少一个处理腔和至少一个辅助腔，所述的处理腔用于对晶圆进行半导体制程处理，所述的辅助腔用于传输晶圆，所述的处理腔和辅助腔通过所述的腔室间传送口结构连接。

所述的处理腔是刻蚀处理腔，或者是沉积处理腔，或者是灰化处理腔。

本发明还提供了一种半导体处理设备的清洁方法，所述半导体处理设备包含至少一个处理腔和至少一个辅助腔，所述处理腔和所述辅助腔通过腔室间传送口结构连接，以在腔室之间传输晶圆，所述所述腔室间传送口结构包含：

衬垫组件，其分别穿过处理腔和与处理腔相邻的辅助腔的腔壁，形成传送口区域；

阀门，其设置在辅助腔一侧，用于密封衬垫组件；

所述的衬垫组件和阀门上都具有抗腐蚀涂层，防止衬垫组件和阀门受到处理腔内部的等离子体腐蚀；

遮挡片，其设置在处理腔一侧，该遮挡片用于遮挡传送口区域，实现传送口区域与处理腔之间的隔离，所述的遮挡片上具有抗腐蚀涂层，防止遮挡片受到处理腔内部的等离子体腐蚀；所述清洁方法包括：

移动遮挡片使得处理腔与传送口区域连通；

关闭阀门以密封衬垫组件；

使得等离子体进入传送口区域以清洁密封衬垫的内表面以及面向传送口区域一侧的阀门表面。

本发明通过对腔室间传送口结构进行改进，同时在传送口的衬垫组件上设置阀门和遮挡片，阀门保证了处理腔的结构密封，遮挡片既实现了传送口区域与处理腔区域的隔离，防止颗粒物沉积在传送口区域，又实现了传送口与区域与处理腔区域的连通，便于对传送口区域进行清洁，去除颗粒物，并且在遮挡片、衬垫组件和阀门上都设置防腐涂层，大大提高了腔室间传送口结构的防腐性能，提高了使用寿命。本发明大大减少了腔室间传送口区域的颗粒物数量，从而降低了晶圆在通过传送口区域时被污染的几率，提高了晶圆良率，降低了晶圆缺陷，同时由于腔室间传送口结构的寿命提高，无需频繁更换，也提高了半导体处理设备的运行速率和吞吐量。

附图说明

图1是背景技术中半导体处理设备的结构示意图。

图2是本发明提供的一种半导体处理设备的结构示意图。

图3是图2中腔室间传送口结构的放大示意图。

图4是图3中阀门的左视图。

图5是本发明的实施例示意图。

具体实施方式

以下根据图2～图5，具体说明本发明的较佳实施例。

如图2所示，本发明提供一种半导体处理设备，该半导体处理设备至少应该包含一个处理腔1，处理腔1中设置有基座3，静电吸盘4设置在基座3上，晶圆5放置在静电吸盘4上，处理腔1中还设置有进气装置6，进气装置6连接外部的气源8，提供反应气体进入处理腔1，以实现对晶圆5的处理，同时处理腔1中还设置有排气装置7，用于在晶圆制程结束后对处理腔1抽真空，准备进行下一步制程。

所述的处理腔1可以是化学气相沉积反应腔，对晶圆5进行化学气相沉积制程。此时的处理腔1内还设置有晶圆加热装置(图中未显示)，用于加热晶圆5。反应气体从进气装置6进入处理腔1，从晶圆5表面流过，并沉积到晶圆5表面，制程结束后，排气装置7将反应气体排出处理腔1，恢复处理腔1的真空状态。

所述的处理腔1还可以是等离子体刻蚀反应腔，对晶圆5进行刻蚀制程。

如果处理腔1是电容耦合等离子刻蚀反应腔，则反应腔1的顶壁可以作为上电极，静电吸盘4作为下电极，通常设置一射频功率源施加到所述下电极，用来将上下电极间的反应气体激发为等离子体。反应气体从进气装置6进入处理腔1，被激发为等离子体，等离子体对晶圆5进行刻蚀处理，制程结束后，排气装置7将反应气体排出处理腔1，恢复处理腔1的真空状态。

如果处理腔1是电感耦合等离子刻蚀反应腔，则处理腔1的顶部设置有电感耦合线圈(图中未显示)，射频功率源向电感耦合线圈提供射频能量，使得电感耦合线圈产生磁场，反应气体从进气装置6进入处理腔1，反应气体被磁场电离为等离子体，等离子体对晶圆5进行刻蚀处理，制程结束后，排气装置7将反应气体排出处理腔1，恢复处理腔1的真空状态。

所述的处理腔1还可以是光刻胶去除反应腔，对晶圆5进行灰化处理。此时的处理腔1上还设置一氧原子发生器(图中未显示)，等离子体从进气装置6进入处理腔1，氧原子发生器利用等离子体将含氧的反应气体解离为氧原子，使用氧原子去除晶圆5上的光刻胶，光刻胶被氧化成气体，然后通过排气装置7被排出处理腔1。

一个半导体设备可以仅仅进行单一的制程(刻蚀，沉积或灰化)，此时该半导体设备中可以仅设置一个处理腔1，或者设置几个处理腔1，每个处理腔都进行相同的制程，但是可以同时处理多个晶圆，提高了处理速度。此时，为了维持处理腔1的隔离性，通常会设置辅助腔2，该辅助腔2分别连接处理腔1和外部大气环境，实现处理腔1的真空环境与大气环境之间的隔离。例如，可以设置辅助腔2连接晶圆存储盒和多个处理腔1，用于实现晶圆在不同的处理腔1和晶圆存储盒之间的传送。该辅助腔2中可设置机械手(图中未显示)，从晶圆存储盒中取出未处理的晶圆，放入处理腔1中进行反应，待反应结束后，再将处理后的晶圆5从处理腔1中取出，放入晶圆存储盒中。

一个半导体设备还可以同时进行多个不同的制程，即不同的处理腔1中分别进行刻蚀处理、沉积处理或灰化处理。此时的辅助腔2不仅承担着从晶圆存储盒中存取晶圆放入处理腔1中的任务，辅助腔2还承担着根据不同的制程顺序，将晶圆从前序制程的处理腔1中取出，放入后续制程的处理腔1中进行后续制程。例如，辅助腔2先从晶圆存储盒中取出一未处理的晶圆5放入沉积处理腔中进行沉积制程，沉积制程完成后，辅助腔2从沉积处理腔中取出晶圆5，放入刻蚀处理腔中进行刻蚀制程，刻蚀制程完成后，辅助腔2从刻蚀处理腔中取出晶圆5，放入晶圆存储盒中。

如图2和图3所示，所述的辅助腔2通过腔室间传送口结构与处理腔1连接，晶圆5通过该腔室间传送口结构在辅助腔2和处理腔1之间传送。所述的腔室间传送口结构包含：

衬垫组件9，其分别穿过处理腔1和辅助腔2的腔壁，形成传送口区域；

阀门10，其设置在辅助腔2一侧，用于密封衬垫组件9；

遮挡片12，其设置在处理腔1一侧，用于遮挡传送口，实现传送口区域与处理腔1之间的隔离。

在一个实施例中，处理腔1的腔壁和辅助腔2的腔壁分别设有一开口，两个开口相对设置，衬垫组件9穿过所述两个开口，并且衬垫组件9的外表面与两个开口的内表面紧密结合，以形成传送口区域用于在处理腔1与辅助腔2之间传送晶圆。衬垫组件9内嵌在处理腔1腔壁和辅助腔2腔壁上的开口。衬垫组件9的两端与处理腔1腔壁和辅助腔2腔壁的内表面齐平。

所述的衬垫组件9通常采用铝合金材质，表面进行阳极氧化处理，即包覆阳极氧化物材料，比如阳极氧化铝，为了提高抗腐蚀性，在衬垫组件9的内表面设置衬垫组件抗腐蚀涂层14，该衬垫组件抗腐蚀涂层14覆盖衬垫组件9与处理腔1连通的整个内表面，防止阳极氧化物材料暴露在处理腔1的反应气体环境中。所述的衬垫组件抗腐蚀涂层14可以采用任何具有抗腐蚀效果，尤其是抗等离子体腐蚀的材料，例如可以采用非金属涂层(特氟龙涂层，高分子聚合物涂层，碳化硅涂层等等)，或者采用稀土氧化物，或者采用稀土氟化物(YF3涂层)。稀土氟化物的抗等离子体腐蚀效果比稀土氧化物更好。采用沉积方式或液体流挂方式来形成衬垫组件抗腐蚀涂层14，以达到更好的表面平整度和材料纯度。所述的衬垫组件抗腐蚀涂层14的厚度为5um-30um，更薄的厚度可以节约成本，防止应力剥落。

如图3和图4所示，所述的阀门10进一步包含：

阀门主体18，其用于封堵衬垫组件9；

密封圈16，其嵌入设置在阀门主体18上，用于实现处理腔1的密封；

阀门抗腐蚀涂层15，其涂覆在阀门主体18上设置有密封圈16的一侧，并位于密封圈16内部区域，用于防止阀门10与处理腔1内部的等离子体直接接触而受到腐蚀。

所述的阀门抗腐蚀涂层15可以采用任何具有抗腐蚀效果，尤其是抗等离子体腐蚀的材料，例如可以采用非金属涂层(特氟龙涂层，高分子聚合物涂层，碳化硅涂层等等)，或者采用稀土氧化物，或者采用稀土氟化物(YF3涂层)。稀土氟化物的抗等离子体腐蚀效果比稀土氧化物更好。采用沉积方式或液体流挂方式来形成阀门抗腐蚀涂层15，以达到更好的表面平整度和材料纯度。所述的阀门抗腐蚀涂层15的厚度为5um-30um，更薄的厚度可以节约成本，防止应力剥落。

采用阀门驱动装置11实现阀门10的移动，阀门驱动装置11可以驱动阀门10在水平方向上运动，并施加一个水平方向的压力给阀门10，使密封圈16可以更加理想地实现对传送口区域的良好密封，同时阀门驱动装置11还可以驱动阀门10在竖直方向上运动，以便晶圆可以顺利通过传送口区域在处理腔1和辅助腔2之间传送。由于阀门驱动装置11需要实现阀门10在水平和竖直方向上的驱动，所以阀门驱动装置11的机械结构要比遮挡片驱动机构13的机械机构复杂，也不方便对较为复杂的机械机构进行防腐涂层处理，以免出现机械故障，所以较佳的方式，是将阀门驱动装置11和阀门10都设置在辅助腔2一侧，这样就无需对阀门驱动装置11进行防腐处理。

如图3和图4所示，所述的遮挡片12通常也采用铝合金材质，表面进行阳极氧化处理，即包覆阳极氧化物材料，比如阳极氧化铝。由于遮挡片12设置在处理腔1内，需要经常处于等离子体环境中，必须进行抗腐蚀处理。为了提高抗腐蚀性，在遮挡片12的整个表面都包覆遮挡片抗腐蚀涂层17。由于遮挡片的主要功能是隔离传送口与处理腔1，无需具有阀门的密封功能，也就无需在水平方向给遮挡片12施加压力，因此遮挡片12的运动方式可以比较简单，仅具备在竖直方向上移动的能力即可，所以遮挡片12的驱动机构13也就相应简单许多，遮挡片驱动机构13仅仅采用直线驱动机构来实现竖直方向上的运动即可，避免了采用过多的轴承和机构来实现水平方向的运动，这样也就方便了在遮挡片驱动机构13上包覆抗腐蚀涂层，从而使遮挡片12和遮挡片驱动机构13全部都被抗腐蚀涂层包覆，提高了在等离子体环境中的使用寿命。所述的抗腐蚀涂层可以采用任何具有抗腐蚀效果，尤其是抗等离子体腐蚀的材料，例如可以采用非金属涂层(特氟龙涂层，高分子聚合物涂层，碳化硅涂层等等)，或者采用稀土氧化物，或者采用稀土氟化物(YF3涂层)。稀土氟化物的抗等离子体腐蚀效果比稀土氧化物更好。采用沉积方式或液体流挂方式来形成抗腐蚀涂层，以达到更好的表面平整度和材料纯度。所述的抗腐蚀涂层的厚度为5um-30um，更薄的厚度可以节约成本，防止应力剥落。

如图5所示，在本发明的一个实施例中，半导体处理设备可以对晶圆同时进行刻蚀处理和灰化处理，该半导体处理设备中至少包含一个刻蚀处理腔1-1和一个灰化处理腔1-2，该半导体处理设备中还设置一个辅助腔2，该辅助腔2分别通过本发明提供的腔室间传送口结构连接刻蚀处理腔1-1和灰化处理腔1-2，衬垫组件9-1穿过刻蚀处理腔1-1和辅助腔2的腔壁形成传送口区域，衬垫组件9-2穿过灰化处理腔1-2和辅助腔2的腔壁形成传送口区域，该辅助腔2还连接与大气环境连通的晶圆存储盒(图中未显示)。在制程开始后，辅助腔2中的机械手从晶圆存储盒中取出待处理晶圆，阀门10-1和遮挡片12-1开启，辅助腔2与刻蚀处理腔1-1之间的传送口打开，将晶圆从辅助腔2与刻蚀处理腔1-1之间的腔室间传送口结构送入刻蚀处理腔1-1中，关闭阀门10-1和遮挡片12-1，刻蚀处理腔1-1中通入反应气体，开始对晶圆的刻蚀制程。刻蚀制程结束后，排出刻蚀处理腔1-1中的剩余反应气体，打开阀门10-1和遮挡片12-1，将刻蚀后的晶圆通过腔室间传送口结构传送到辅助腔2。接下来开启阀门10-2和遮挡片12-2，辅助腔2与灰化处理腔1-2之间的传送口打开，将刻蚀后的晶圆从辅助腔2与灰化处理腔1-2之间的腔室间传送口结构送入灰化处理腔1-2中，关闭阀门10-2和遮挡片12-2，灰化处理腔1-2中通入反应气体，开始对晶圆的灰化制程。灰化制程结束后，排出灰化处理腔1-2中的剩余反应气体，打开阀门10-2和遮挡片12-2，将灰化后的晶圆通过腔室间传送口结构传送到辅助腔2。最后将完成了刻蚀和灰化的晶圆从辅助腔2放入晶圆存储盒。

在处理腔中充满反应气体，对晶圆进行处理的过程中，遮挡片是全程关闭的，从而可以阻止反应气体进入传送口区域，进一步降低腔室间传送口结构受到腐蚀的几率。

也需要定期对刻蚀处理腔1-1和灰化处理腔1-2进行清洁，由于衬垫组件的内表面具有抗腐蚀涂层，阀门主体上也具有抗腐蚀涂层，因此整个传送口区域都可以暴露在等离子体环境中而不受腐蚀，此时将阀门关闭，处理腔中形成密封空间，将遮挡片打开，令清洁气体可以延伸进入传送口区域，对处理腔和传送口区域进行清洁，及时去除附着在遮挡片、衬垫组件和阀门上的颗粒物。

本发明通过对腔室间传送口结构进行改进，同时在传送口的衬垫组件上设置阀门和遮挡片，阀门保证了处理腔的结构密封，遮挡片既实现了传送口区域与处理腔区域的隔离，防止颗粒物沉积在传送口区域，又实现了传送口与区域与处理腔区域的连通，便于对传送口区域进行清洁，去除颗粒物，并且在遮挡片、衬垫组件和阀门上都设置防腐涂层，大大提高了腔室间传送口结构的防腐性能，提高了使用寿命。本发明大大减少了腔室间传送口区域的颗粒物数量，从而降低了晶圆在通过传送口区域时被污染的几率，提高了晶圆良率，降低了晶圆缺陷，同时由于腔室间传送口结构的寿命提高，无需频繁更换，也提高了半导体处理设备的运行速率和吞吐量。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (11)

1.一种腔室间传送口结构，用于连接半导体处理设备中的处理腔和辅助腔，实现晶圆在腔室之间的传输，其特征在于，所述的腔室间传送口结构包含：

衬垫组件，其分别穿过处理腔和与处理腔相邻的辅助腔的腔壁，形成传送口区域；

阀门，其设置在辅助腔一侧，用于密封衬垫组件；

所述的衬垫组件和阀门上都具有抗腐蚀涂层，防止衬垫组件和阀门受到处理腔内部的等离子体腐蚀。

2.如权利要求1所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的腔室间传送口结构还包含：遮挡片，其设置在处理腔一侧，该遮挡片用于遮挡传送口区域，实现传送口区域与处理腔之间的隔离，所述的遮挡片上具有抗腐蚀涂层，防止遮挡片受到处理腔内部的等离子体腐蚀。

3.如权利要求2所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的遮挡片通过遮挡片驱动机构实现竖直方向的运动，所述的遮挡片驱动机构上具有抗腐蚀涂层，防止遮挡片驱动机构受到处理腔内部的等离子体腐蚀。

4.如权利要求1所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的阀门包含阀门主体和嵌入设置在阀门主体上的密封圈，抗腐蚀涂层涂覆在阀门主体上设置有密封圈的一侧，并位于密封圈内部区域，用于防止阀门与处理腔内部的等离子体直接接触而受到腐蚀。

5.如权利要求4所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的阀门通过阀门驱动机构实现水平方向和竖直方向的运动。

6.如权利要求1-4中任意一项所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的抗腐蚀涂层采用特氟龙涂层，或者高分子聚合物涂层，或者碳化硅涂层，或者稀土氧化物涂层，或者稀土氟化物涂层。

7.如权利要求1-4中任意一项所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的抗腐蚀涂层的厚度为5um-30um。

8.如权利要求1-4中任意一项所述的腔室间传送口结构，其特征在于，采用沉积方式或液体流挂方式形成所述的抗腐蚀涂层。

9.一种半导体处理设备，其特征在于，所述的半导体处理设备包含至少一个处理腔和至少一个辅助腔，所述的处理腔用于对晶圆进行半导体制程处理，所述的辅助腔用于传输晶圆，所述的处理腔和辅助腔通过如权利要求1-8中任意一项所述的腔室间传送口结构连接。

10.如权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述的处理腔是刻蚀处理腔，或者是沉积处理腔，或者是灰化处理腔。

11.一种半导体处理设备的清洁方法，其特征在于，所述半导体处理设备包含至少一个处理腔和至少一个辅助腔，所述处理腔和所述辅助腔通过腔室间传送口结构连接，以在腔室之间传输晶圆，所述腔室间传送口结构包含：

衬垫组件，其分别穿过处理腔和与处理腔相邻的辅助腔的腔壁，形成传送口区域；

阀门，其设置在辅助腔一侧，用于密封衬垫组件；

所述的衬垫组件和阀门上都具有抗腐蚀涂层，防止衬垫组件和阀门受到处理腔内部的等离子体腐蚀；

遮挡片，其设置在处理腔一侧，该遮挡片用于遮挡传送口区域，实现传送口区域与处理腔之间的隔离，所述的遮挡片上具有抗腐蚀涂层，防止遮挡片受到处理腔内部的等离子体腐蚀；所述清洁方法包括：

移动遮挡片使得处理腔与传送口区域连通；

关闭阀门以密封衬垫组件；

使得等离子体进入传送口区域以清洁密封衬垫的内表面以及面向传送口区域一侧的阀门表面。

Images