CN105097408B - 一种干法刻蚀机台及其使用方法 - Google Patents

一种干法刻蚀机台及其使用方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种干法刻蚀机台及其使用方法，属于显示技术领域，可改善干法刻蚀过程中，基板的表面温度均匀性不理想的技术问题。该干法刻蚀机台包括用于对基板进行干法刻蚀的密封的工艺腔，工艺腔内设置有位于腔顶的上部电极、与上部电极相对位于腔底的下部电极、多个温度传感器和冷却控制器，多个温度传感器设置于下部电极的上表面，冷却控制器包括多个气体喷嘴和处理器，每一温度传感器旁设置有一个气体喷嘴；下部电极上放置有基板时，温度传感器接触基板的下表面，用于检测自身所在位置的基板的温度，并将检测到的基板的温度值传输给冷却控制器；冷却控制器的处理器用于根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制各气体喷嘴的气体流量。

Description

一种干法刻蚀机台及其使用方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种干法刻蚀机台及其使用方法。
背景技术
在目前的液晶显示面板的阵列基板的制造过程中，刻蚀部分分为湿法刻蚀和干法刻蚀。其中在干法刻蚀部分中，干法刻蚀机台的工艺腔主要由上部电极、下部电极和工艺腔壁组成。
现有的温度控制方式下，下部电极的表面温度均匀性不理想。在阵列基板的制程中，基板(例如玻璃基板)通过直流电源加载的方式固定在下部电极的表面，受到下部电极的影响，基板的表面温度均匀性也不理想，影响刻蚀的均匀性。并且基板上温度较高处的光刻胶易发生硬化，影响后续光刻胶剥离的制程。由于硬化后的光刻胶很难剥离干净，进而影响光刻胶剥离后的成膜工艺，影响制得的阵列基板的品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种干法刻蚀机台及其使用方法，可改善干法刻蚀过程中，基板的表面温度均匀性不理想的技术问题。
本发明第一方面提供了一种干法刻蚀机台，该干法刻蚀机台包括用于对基板进行干法刻蚀的密封的工艺腔，所述工艺腔内设置有位于腔顶的上部电极、与所述上部电极相对位于腔底的下部电极、多个温度传感器和冷却控制器，多个温度传感器设置于所述下部电极的上表面，冷却控制器包括多个气体喷嘴和处理器，每一温度传感器旁设置有一个气体喷嘴；所述下部电极上放置有基板时，温度传感器接触基板的下表面，用于检测自身所在位置的基板的温度，并将检测到的基板的温度值传输给冷却控制器；冷却控制器的处理器用于根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制各气体喷嘴的气体流量。
可选的，当冷却控制器的处理器检测到同一时刻各温度传感器传来的温度值中，最高温度值和最低温度值之间的差值大于或等于预设温度差值时，处理器增大检测到最高温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量，减小或保持检测到最低温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量。
可选的，当冷却控制器的处理器检测到各温度传感器传来的温度值中，最高温度值大于或等于预设最高温度值，处理器增大检测到最高温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量。
可选的，该干法刻蚀机台还包括电源控制器，所述电源控制器用于在检测到处理器增大气体喷嘴的气体流量时，增大固定基板的直流电源的输出电压。
可选的，所述预设温度差值为10℃。
可选的，所述预设最高温度为100℃。
可选的，气体喷嘴喷出的气体为氦气。
本发明带来了以下有益效果：本发明实施例提供了一种干法刻蚀机台，当基板放置于该干法刻蚀机台的工艺腔内部进行刻蚀工艺时，基板放置在下部电极上。下部电极上放置多个温度传感器，温度传感器可实时将检测到的基板的温度值传输给冷却控制器。冷却控制器的处理器可根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制各气体喷嘴的气体流量。每一温度传感器旁都设置有气体喷嘴，因此，冷却控制器可通过调整各气体喷嘴喷出的冷却气体的流量，对基板各处的温度进行较为精确的调控。有利于提高基板各处温度的稳定性和均匀性，提高该基板制得的阵列基板的产品质量。
本发明第二方面提供了一种干法刻蚀机台的使用方法，该方法包括：
多个温度传感器各自检测对应位置的基板的温度，并将各自检测到的温度值传输给冷却控制器；
冷却控制器的处理器根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制各气体喷嘴的气体流量；
其中，每一温度传感器旁设置有一个气体喷嘴。
可选的，冷却控制器的处理器根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制各气体喷嘴的气体流量包括：
冷却控制器的处理器判断同一时刻各温度传感器传来的温度值中，最高温度值和最低温度值之间的差值是否大于或等于预设温度差值；
若是，处理器增大检测到最高温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量，减小或保持检测到最低温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量。
可选的，冷却控制器的处理器根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制各气体喷嘴的气体流量包括：
冷却控制器的处理器判断各温度传感器传来的温度值中，最高温度值是否大于或等于预设最高温度值；
若是，处理器增大检测到最高温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：
图1是本发明实施例提供的干法刻蚀机台的工艺腔的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的干法刻蚀机台的使用方法流程图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
本发明实施例提供了一种干法刻蚀机台，包括用于对基板6进行干法刻蚀的密封的工艺腔1。如图1所示，该工艺腔1内设置有位于腔顶的上部电极2、与上部电极2相对位于腔底的下部电极3。另外，本发明实施例中的干法刻蚀机台的工艺腔1内部，还设置有多个温度传感器4和冷却控制器。
具体的，多个温度传感器4设置于下部电极3的上表面，温度传感器4的感应部位朝上放置。设置的温度传感器4的个数与下部电极3的尺寸有直接关系，下部电极3的尺寸越大需设置越多的温度传感器4。
本发明实施例中的冷却控制器包括多个气体喷嘴5和处理器，为了实现对基板6温度的较为精确的调控，每一温度传感器4旁设置有一个气体喷嘴5。
当基板6放置于工艺腔1内部进行刻蚀工艺时，下部电极3上放置该基板6。由于温度传感器4的感应部位朝上放置，此时温度传感器4的感应部位接触基板6的下表面，检测基板6下表面的温度。
温度传感器4可周期性地检测所处位置的基板6的温度，即能够检测到感应部位接触到的基板6的温度。其中，温度传感器4的检测周期可以根据实际情况进行设置，本发明实施例对此不进行限制。
温度传感器4可实时将检测到的基板6的温度值传输给冷却控制器。冷却控制器的处理器可根据同一时刻各温度传感器4检测到的温度值，控制各气体喷嘴5的气体流量。气体喷嘴5喷出的气体沿着基板6和下部电极3之间的缝隙流动，带走基板6的热量，降低基板6的温度。
由于每一温度传感器4旁都设置有气体喷嘴5，因此，冷却控制器可通过调整各气体喷嘴5喷出的冷却气体的流量，对基板6各处的温度进行较为精确的调控。有利于提高基板6各处温度的稳定性和均匀性，提高基于该基板6制得的阵列基板6的产品质量。
其中，冷却气体优选氦气，因为氦气为惰性气体并且使用成本低。
具体的，本发明实施例中，当冷却控制器的处理器检测到同一时刻各温度传感器4传来的温度值中，最高温度值和最低温度值之间的差值大于或等于预设温度差值时，处理器可以增大检测到最高温度值的温度传感器4旁的气体喷嘴5的气体流量，同时减小或保持检测到最低温度值的温度传感器4旁的气体喷嘴5的气体流量，以提高基板6各处温度的均匀性。
例如，该干法刻蚀机台中设置有5个温度传感器4，当前时刻下，各温度传感器4传来的温度值分别为T1、T2、T3、T4和T5。其中，冷却控制器的处理器检测到温度值最大的为T1，最小的为T3。之后，对T1和T3进行做差处理，得到△T。接下来，处理器判断T1和T3的差值△T是否超出预设温度差值(假设10℃)。若超出，处理器增大温度值为T1之处的气体喷嘴5的气体流量，以通过更大的气体流动带走T1之处的热量、降低T1之处的温度；而对于T3之处的气体喷嘴5而言，处理器可以保持该气体喷嘴5的气体流量，也可适当减小该气体喷嘴5的气体流量。反之，若未超过，处理器可保持各气体喷嘴5的气体流量不变。
另外，为了防止基板6出现光刻胶硬化、导致光刻胶无法完全剥离的不良现象，基板6的温度应当保持较好的稳定性，即基板6温度不能过高。因此，本发明实施例中，当冷却控制器的处理器检测到各温度传感器4传来的温度值中，最高温度值大于或等于预设最高温度值，处理器增大检测到最高温度值的温度传感器4旁的气体喷嘴5的气体流量。
同样的，假设该干法刻蚀机台中设置有5个温度传感器4，当前时刻下，各温度传感器4传来的温度值分别为T1、T2、T3、T4和T5。其中，冷却控制器的处理器检测到温度值最大的为T1后，处理器判断T1是否超出预设最高温度值。若超出，处理器增大温度值为T1之处的气体喷嘴5的气体流量，以通过增大气体流动性带走T1之处更多的热量、降低T1之处的温度；反之，若未超过，处理器可保持各气体喷嘴5的气体流量不变。其中，由于光刻胶在接触温度超过100℃时，很可能发生硬化，因此，本发明实施例中的预设最高温度值可设为100℃。
由于基板6是利用直流加载的方式固定设置于下部电极3上的，因此，冷却处理器对部分气体喷嘴5的气体流量进行控制时，很容易使得基板6因各处受力不均匀发生移位，易降低基板6的刻蚀精度。为了防止该不良现象的发生，本发明实施例中的干法刻蚀机台还包括电源控制器。电源控制器用于在检测到处理器增大气体喷嘴5的气体流量时，增大固定基板6的直流电源的输出电压。
具体的，电源控制器可检测同一时刻时各温度传感器4对应的温度值，判断各温度值中的最高温度值是否大于或等于最高温度值，或判断各温度值中的最高温度值和最低温度值的差值是否大于或等于预设温度差值。若两个判断结果至少之一为是，则电源控制器可适当增大固定基板6的直流电源的输出电压，以防止基板6由于气流的作用发生移位。
或者，电源控制器可实时检测各气体喷嘴5的气体流量，一旦检测到各气体喷嘴5的气体流量不相等，电源控制器也可立即增大输出电压，防止基板6发生移位。
进一步的，本发明实施例还提供了一种干法刻蚀机台的使用方法，如图2所示，该方法包括：
步骤S101、多个温度传感器各自检测对应位置的基板的温度，并将各自检测到的温度值传输给冷却控制器。
步骤S102、冷却控制器的处理器根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制各气体喷嘴的气体流量。
此时，冷却控制器的处理器可以判断同一时刻各温度传感器4传来的温度值中，最高温度值和最低温度值之间的差值是否大于或等于预设温度差值；若是，处理器增大检测到最高温度值的温度传感器4旁的气体喷嘴5的气体流量，减小或保持检测到最低温度值的温度传感器4旁的气体喷嘴5的气体流量。
或者，冷却控制器的处理器可以判断各温度传感器4传来的温度值中，最高温度值是否大于或等于预设最高温度值；若是，处理器增大检测到最高温度值的温度传感器4旁的气体喷嘴5的气体流量。
冷却控制器的处理器可同时对上述两个情况进行判断，有利于提高基板6温度的稳定性和均匀性，保证整个刻蚀制程中不会发生光刻胶硬化，提高阵列基板6的刻蚀均匀程度。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (5)

1.一种干法刻蚀机台，其特征在于，包括用于对基板进行干法刻蚀的密封的工艺腔，所述工艺腔内设置有位于腔顶的上部电极、与所述上部电极相对位于腔底的下部电极、多个温度传感器和冷却控制器，
多个温度传感器设置于所述下部电极的上表面，冷却控制器包括多个气体喷嘴和处理器，每一温度传感器旁设置有一个气体喷嘴；
所述下部电极上放置有基板时，温度传感器接触基板的下表面，用于检测自身所在位置的基板的温度，并将检测到的基板的温度值传输给冷却控制器；冷却控制器的处理器用于根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制各气体喷嘴的气体流量；
还包括电源控制器，所述电源控制器用于根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制用于固定基板的直流电源的输出电压；
其中，当冷却控制器的处理器检测到同一时刻各温度传感器传来的温度值中，最高温度值和最低温度值之间的差值大于或等于预设温度差值时，处理器增大检测到最高温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量，减小或保持检测到最低温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量；
当冷却控制器的处理器检测到各温度传感器传来的温度值中，最高温度值大于或等于预设最高温度值，处理器增大检测到最高温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量；
所述电源控制器检测到各温度传感器传来的温度值中，最高温度值大于或等于预设最高温度值，和/或各温度值中的最高温度值和最低温度值的差值大于或等于预设温度差值时，增大固定基板的直流电源的输出电压。
2.根据权利要求1所述的干法刻蚀机台，其特征在于，
所述预设温度差值为10℃。
3.根据权利要求1所述的干法刻蚀机台，其特征在于，
所述预设最高温度为100℃。
4.根据权利要求1所述的干法刻蚀机台，其特征在于，
气体喷嘴喷出的气体为氦气。
5.一种干法刻蚀机台的使用方法，其特征在于，包括：
多个温度传感器各自检测对应位置的基板的温度，并将各自检测到的温度值传输给冷却控制器与电源控制器；
冷却控制器的处理器根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制各气体喷嘴的气体流量；
其中，每一温度传感器旁设置有一个气体喷嘴；
电源控制器根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制用于固定基板的直流电源的输出电压；
其中，冷却控制器的处理器根据同一时刻各温度传感器检测到的温度值，控制各气体喷嘴的气体流量包括：
冷却控制器的处理器判断同一时刻各温度传感器传来的温度值中，最高温度值和最低温度值之间的差值是否大于或等于预设温度差值；
若是，处理器增大检测到最高温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量，减小或保持检测到最低温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量；
冷却控制器的处理器判断各温度传感器传来的温度值中，最高温度值是否大于或等于预设最高温度值；
若是，处理器增大检测到最高温度值的温度传感器旁的气体喷嘴的气体流量；
所述电源控制器检测到各温度传感器传来的温度值中，最高温度值大于或等于预设最高温度值，和/或各温度值中的最高温度值和最低温度值的差值大于或等于预设温度差值时，增大固定基板的直流电源的输出电压。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108364845B (zh) * 2018-03-20 2020-05-05 武汉华星光电技术有限公司 一种干法刻蚀设备
CN110767568B (zh) * 2018-07-26 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 压力调节组件、下电极装置、工艺腔室和半导体处理设备
CN110347196B (zh) * 2019-06-24 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 温度控制装置、温度控制方法及干法刻蚀机
CN113556926A (zh) * 2021-07-16 2021-10-26 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其冷却组件、冷却方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63229716A (ja) * 1987-03-19 1988-09-26 Fujitsu Ltd ドライエツチング方法
JPH1154482A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および装置ならびにワークの処理方法
US5937541A (en) * 1997-09-15 1999-08-17 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor wafer temperature measurement and control thereof using gas temperature measurement
JP2001351880A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Denso Corp ドライエッチング方法及びこの方法に用いるドライエッチング装置
KR20050048713A (ko) * 2003-11-19 2005-05-25 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치의 냉각시스템
KR100549529B1 (ko) * 2003-12-26 2006-02-03 삼성전자주식회사 반도체제조장치
JP4330467B2 (ja) * 2004-02-26 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 プロセス装置及び該プロセス装置内のパーティクル除去方法
JP2004207756A (ja) * 2004-03-11 2004-07-22 Oki Electric Ind Co Ltd ドライエッチング装置
US7789962B2 (en) * 2005-03-31 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same
JP4593381B2 (ja) * 2005-06-20 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 上部電極、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8012304B2 (en) * 2005-10-20 2011-09-06 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with a multiple zone thermal control feed forward control apparatus
US20070283709A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Veeco Instruments Inc. Apparatus and methods for managing the temperature of a substrate in a high vacuum processing system
KR20080006734A (ko) * 2006-07-13 2008-01-17 삼성전자주식회사 반도체 식각장치의 웨이퍼 온도조절장치
JP5036290B2 (ja) * 2006-12-12 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板搬送方法、ならびにコンピュータプログラム
US7576018B2 (en) * 2007-03-12 2009-08-18 Tokyo Electron Limited Method for flexing a substrate during processing
JP4838197B2 (ja) * 2007-06-05 2011-12-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置，電極温度調整装置，電極温度調整方法
CN103745904B (zh) * 2013-12-31 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种干法刻蚀机及其刻蚀方法

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