JPWO2019082868A1 - 基板処理装置、支持ピン - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 462
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 146
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 61
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 193
- 239000010408 film Substances 0.000 description 94
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 36
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000001449 potential sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
Description
本願は、2017年10月24日に日本に出願された特願2017−205427号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
一般的なスパッタリング装置では、チャンバ内にスパッタリング用のカソードが設けられている。スパッタリング装置で成膜を行う際には、減圧したチャンバ内において、カソードに取り付けられたターゲットに対して、所定の間隔を空けて、対向するようにマスクと被処理体(基板)が配置される。
このような装置の例として、特許文献1に記載されるように、立位のマスクを基板に押しつけるアライメント機構を有する技術が知られている。また、特許文献2に記載されるように、マスクに対して基板をマグネットによって保持するとともに、マスクを基板にアライメントして位置関係を維持した状態で成膜する技術が知られていた。
しかも、このような問題を解決するために基板にマスクを強く押しつけて上記変形を解消しようとした場合、基板に割れや欠けが発生するといった不具合が起こる可能性がある。特許文献1に記載の技術ではこの問題を解決できていな。
しかも、基板の面が略鉛直方向に平行となるように基板を立てた状態で成膜を行う場合、すなわち、基板が立位(縦型)にある状態で成膜を行う縦型成膜の場合、基板の面が水平に維持された状態で成膜を行う場合(水平成膜)に比べて、基板とマスクとの密着性がさらに悪化する可能性があるという問題がある。
1.基板の処理中において、マスクと基板との密着性向上を図ること。
2.基板の割れや欠けの発生を防止すること。
3.磁場に起因して、基板に対する処理に悪影響が及ぶことを低減すること。
4.基板又はマスクの変形に起因して、基板に対する処理に悪影響が及ぶことを低減すること。
本発明の第1態様に係る基板処理装置においては、前記支持機構は、支持ピンを有し、前記支持ピンは、前記マスクの面に直交する方向に延在し、前記支持機構が前記基板を支持する時に前記基板の前記裏面に当接する先端を有し、前記基板の前記裏面に作用する前記押圧力を調整可能とし、軸方向に伸長可能及び退避可能に配置されてもよい。
本発明の第1態様に係る基板処理装置においては、前記支持ピンは、前記支持ピンが前記基板の前記裏面を押圧する時に前記基板の前記裏面に当接する先端を有する支持シャフトと、可撓性を有する弾性部材を有し、前記支持ピンの前記軸方向において前記支持シャフトを伸長可能及び退避可能として支持するシャフト支持部と、を有し、前記支持シャフトの伸長及び退避により、前記支持ピンは、前記基板の前記裏面に作用する前記押圧力を調整可能であってもよい。
本発明の第1態様に係る基板処理装置においては、前記支持ピンが、前記基板の前記裏面に対向するように前記支持機構に複数箇所に設けられてもよい。
本発明の第1態様に係る基板処理装置においては、前記支持ピンは、前記支持ピンが前記基板の前記裏面を押圧する時に前記基板の前記裏面に当接する先端を有する支持シャフトを有し、前記支持シャフトの先端が、球面状に形成されてもよい。
本発明の第1態様に係る基板処理装置においては、前記支持機構は、前記支持ピンの伸長及び退避に追従して前記軸方向と同方向に伸長可能及び退避可能なクランプ支持部と、前記クランプ支持部によって支持されて、前記基板の縁部を支持するクランプと、を有してもよい。
本発明の第1態様に係る基板処理装置においては、前記クランプ支持部は、前記支持ピンの伸長及び退避に追従して前記軸方向に伸長可能及び退避可能な可撓性を有する弾性部材を有してもよい。
本発明の第1態様に係る基板処理装置においては、前記クランプが、前記基板の周縁部において複数箇所に設けられてもよい。
本発明の第1態様に係る基板処理装置においては、前記処理室において蒸着処理が行われてもよい。
本発明の第1態様に係る基板処理装置においては、前記処理室においてスパッタリング処理が行われてもよい。
本発明の第2態様に係る支持ピンは、上述した第1態様に係る基板処理装置に用いられる支持ピンであって、前記マスクの面に直交する方向に延在するように前記基板処理装置に取り付けられ、基板を支持する時に前記基板の裏面に当接する先端を有する支持シャフトと、可撓性を有する弾性部材を有し、前記支持シャフトを軸方向に伸長可能及び退避可能として支持するシャフト支持部と、を有し、前記支持シャフトの伸長及び退避により、前記基板の前記裏面に作用する前記押圧力を調整可能である。
なお、前記支持機構は、前記基板を支持した際に基板に発生する変形に追従して、前記基板の面上の各位置において前記基板の前記裏面に作用する押圧力を調整可能に設定することができる。前記支持機構は、前記基板を支持した際に、支持される基板の移動に追従して、前記基板の面における複数の位置の各々において基板の裏面に作用する押圧力を調整可能に設定することができる。
なお、クランプが基板の端部に接触した状態として、クランプが前記基板の縁部を支持することができる。
また、クランプを支持ピンに追従させるために、マスクに、クランプの軸方向における移動距離を規制する軸方向移動距離規制部を設けることもできる。
図1は、本実施形態における基板処理装置を示す模式平面図であり、図1において、符号1は、基板処理装置である。
本実施形態においては、スパッタ処理を行う場合について説明する。
ロード・アンロード室2には、ロード・アンロード室2の内部を粗真空引きするロータリーポンプ等の粗引き排気部が設けられる。
搬送装置3aは、回転軸と、この回転軸に取り付けられたロボットアームと、ロボットアームの一端に形成されたロボットハンドと、上下動装置とを有している。ロボットアームは、互いに屈曲可能な第一、第二の能動アームと、第一、第二の従動アームとから構成されている。搬送装置3aは、被搬送物であるガラス基板11を、チャンバ2,2A,3,4,4A間で移動させることができる。
成膜室4の内部には、図1,図2に示すように、成膜材料を供給する手段として、立設されたターゲット7を保持するバッキングプレート(カソード電極)6と、バッキングプレート6に負電位のスパッタ電圧を印加する電源と、成膜室4の内部にガスを導入するガス導入部と、成膜室4の内部を高真空引きするターボ分子ポンプ等の高真空排気部と、が設けられている。成膜室4の内部において、バッキングプレート6は、搬送室3と成膜室4との間に位置する搬送口4aから最遠となる位置に立設される。
カソード電極6の裏側には、ターゲット7上に所定の磁場を形成するためのマグネトロン磁気回路が設置されている。マグネトロン磁気回路は、揺動機構に装着されている。揺動機構は、マグネトロン磁気回路揺動用の駆動装置を有する。揺動機構の駆動装置は、マグネトロン磁気回路を揺動可能に構成されている。
図示しないマスクアライメント部によって、成膜前工程において、マスク20の位置をアライメントすることが可能である。
支持機構10は、図2,図3に示すように、裏側空間4nの下側に位置する。支持機構10は、回転軸12と、保持部(プラテン)13と、を備える。回転軸12は、搬送口4aおよび成膜口4bのうち少なくとも一方と略並行であり、水平状態に延在する。保持部13は、回転軸12に取り付けられ、ガラス基板11の裏面を支持する。
保持部13には、図3,図4に示すように、保持部13が鉛直処理位置に配置された際にガラス基板11の裏面11B(図5参照)に当接する支持ピン30が複数設けられている。
支持ピン30は、保持部13が鉛直処理位置に配置された際に、ガラス基板11をマスク20に密着させるように押圧可能である。
複数の支持ピン30は、ガラス基板11の裏面11Bに対向するように保持部13の面上において複数個所に分散して配置されている。
支持ピン30は、保持部13において支持されるガラス基板11の面(表面11T、裏面11B)に直交する方向に延在するように、保持部13に取り付けられている。
図5に示すように、支持ピン30は、支持シャフト31と、シャフト支持筒33とを備える。
支持シャフト31は、保持部13がガラス基板11を支持しつつ鉛直処理位置に配置された際に、ガラス基板11が処理される位置において、ガラス基板11の裏面11Bに当接する先端を有する。シャフト支持筒33は、可撓性を有する弾性部材32を有し、支持シャフト31を軸方向に伸長可能及び退避可能として支持する。支持シャフト31が伸長可能及び退避可能であることによって、支持ピン30は、ガラス基板11の裏面11Bに作用する押圧力が調整可能とされている。支持ピン30は、支持機構10を構成している。
シャフト支持筒33は、固定部35と、固定部35に螺合されたナット36とによってプラテン13に固定されている。固定部35は、支持シャフト31の基端側(当接部34とは反対側)に設けられ、支持シャフト31の外側に位置する。ナット36は、固定部35に対して回転することで、固定部35とシャフト支持筒33との支持シャフト31における軸方向の位置を調整可能である。ナット36を固定部35に対して回転させることで、プラテン13に対する、シャフト支持筒33の軸方向における固定位置を調節可能である。
シャフト支持筒33の内部において、シャフト支持筒33の基端側に位置するブシュ33bと、支持シャフト31の段差31bとの間には、弾性部材32が収納されている。弾性部材32は、支持シャフト31の軸方向に弾性変形可能である。
図6,図7に示すように、クランプ機構は、クランプ40、支持部41、弾性部材42、及び支持基部43を有する。クランプ40(クランプ機構)は、図4に示すように、保持部13の周縁の外側となる位置に複数設けられている。
クランプ40の上面(先端)は、当接部40dである。当接部40dは、支持ピン30にガラス基板11を載置した際にガラス基板11の周縁の端面に当接する当接面44と、当接面44よりも保持部13の面上における中心側に突出する凸部40aとを有する。当接面44は、支持ピン30にガラス基板11を載置した際に、ガラス基板11の周縁の端面に当接することで、ガラス基板11のアライメントを行う。凸部40aは、当接面44がガラス基板11の周縁の端面に当接した際に、ガラス基板11の表面11Tが保持部13から離間することを防止する。
当接部40dは、マスクフレーム20aの裏面20Bに設けられた凹部20dに対応している。換言すると、ガラス基板11の鉛直方向から見て、当接部40dの位置と凹部20dの位置とは重なっている。このようなクランプ機構においては、支持シャフト31の軸方向に沿って、クランプ40にマスクフレーム20a(マスク20)が近づくようにマスクフレーム20aが移動すると、当接部40dが凹部20dに当接するようになっている。マスク20の移動については後述する。
クランプ40を構成する材料に関し、少なくともガラス基板11に当接する当接面44は、支持ピン30の当接部34と同等の材質、例えば、樹脂などで構成されている。
支持部41は、支持シャフト31の軸方向において、支持基部43からクランプ40に向けて突出し、クランプ40に設けられた位置規制穴43aに挿入されている。支持部41は、位置規制穴43aが延在する方向に沿って、位置規制穴43aに進入し、かつ、位置規制穴43aから後退することが可能である。支持部41が位置規制穴43aに沿って移動することで、クランプ40の移動方向が、支持シャフト31の軸方向と同じ方向となるように、クランプ40の移動が規制されている。
支持部41、弾性部材42、支持基部43、位置規制穴43a、図示しない揺動軸などは、クランプ支持部を構成している。
また、マスクフレーム20aの凹部20dと当接部40dとは、クランプ40を支持ピン30に追従させるための軸方向移動距離規制部を構成している。
リフトピン50の伸長及び退避する方向と、支持ピン30の軸方向とは略平行である。
まず、成膜室4の搬送口4aが開放される。成膜室4では、図8に示すように、支持機構10において、回転駆動部12Aによって回転軸12が回転される。これにより、保持部13が水平載置位置とされる。同時に、図示しないリフトピン移動装置によって、リフトピン50が保持部13の表面から突出した準備位置とされる。同時に、図7に示すように、クランプ40は、外側位置に配置されており、保持部13の上側位置から退避している。
そして、図11の符号Bに示すように、支持機構10に設けられたリフトピン移動装置でリフトピン50が下降し、保持部13の下側にリフトピン50が格納されることによって、ガラス基板11は、保持部13に載置される。
このとき、支持ピン30の先端に位置する当接部34がガラス基板11の裏面11Bに当接してガラス基板11を支持する。
クランプ40の移動が停止することにより、ガラス基板11の周縁の端面が、保持部13の周囲に配置された複数のクランプ40のそれぞれの当接面44と当接する。この状態で、クランプ40は、ガラス基板11を成膜処理位置に配置されるようにアライメントする。クランプ40は、ガラス基板11の周縁を係止する。これによって、ガラス基板11が支持機構10に保持される。この際、ガラス基板11の重量は、保持部13に設けられた支持ピン30によって支持される。加えて、ガラス基板11の重量は、基板ガイドなどによって支持されることも可能である。
これにより、ガラス基板11と保持部13とによって成膜口4bがほぼ閉塞された状態となる。同時に、図6に示すように、ガラス基板11がマスク20に近接する。
マスク20の面内における位置のアライメントが終了した後、同様に、図示しないマスクアライメント部は、マスク20を、マスク20の面に対して鉛直な方向に移動する。これにより、図13に示すように、マスク20をガラス基板11に当接させる。このとき、鉛直処理位置に配置されている保持部13は、鉛直処理位置から移動しない。ガラス基板11に対してマスク20を密着させるために、マスク20がガラス基板11に近接する方向に移動するようにマスク20が駆動されて、マスク20がガラス基板11と接触する。
マスク20の移動により、マスク20に接触しているガラス基板11がマスク20によって押圧される。これにより、ガラス基板11を介して支持ピン30とクランプ40とが押圧される。
次いで、回転駆動部12Aにより回転軸12が回動される。これにより、保持部13にガラス基板11が保持された状態で、保持部13は、回転軸12の軸線周りで、図12の矢印Cと逆方向に回動する。回転軸12が回動することにより、保持部13は、水平載置位置に配置される。さらに、クランプ40を図7の矢印Dとは逆方向に揺動させ、クランプ40を解除し、ガラス基板11の周縁の端部から当接面44を離間させる。これにより、クランプ40によるガラス基板11の係止を解除する。
同時に、支持ピン30を用いることで、マグネットを利用せずに、ガラス基板11とマスク20とを密着させた状態で、ガラス基板11が成膜処理される。これにより、マグネットがスパッタ粒子に与える影響により成膜特性が悪化することを低減できる。
図15は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置を構成する成膜室を示す模式正面図である。本実施形態において、上述した第1実施形態と異なるのは、基板を処理する時におけるマスクとガラス基板との位置に関する点である。これ以外の上述した第1実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
保持部13の面内における内側となる位置には、第1実施形態と同様に、複数の支持ピン30が設けられている。支持ピン30は、ガラス基板11に対して鉛直方向に伸退可能である。複数の支持ピン30の各々においては、当接部34が上向きに突出した状態となっている。支持ピン30は、保持部13の面内において、ヒータによるガラス基板11の加熱に対する影響を低減するように立設されている。
また、保持部13の周縁において外側となる位置には、複数のクランプ40が設けられていてもよい。
さらに、従来の保持部において、波打ちなどの発生したガラス基板11では、さらに必要以上の押圧力がかかる。このため、従来の保持部では、ガラス基板11に割れや欠けが発生する可能性が一層高まる。
本発明では、このような構造に加えて、ガラス基板11の中央部に比べて、ガラス基板11の周縁部において支持ピン30が配置される間隔を小さくすることもできる。つまり、ガラス基板11の中央部に比べてガラス基板11の周縁部において、支持ピン30の密度が高くなるように、複数の支持ピン30を配置することもできる。
本発明では、ガラス基板11の中央部に比べて、ガラス基板11の周縁部において、支持ピン30の本数を多く配置することもできる。さらに、縦型の基板処理装置の場合には、ガラス基板11の中央部において、支持ピン30が配置される間隔を小さくして多数配置することもできる。つまり、ガラス基板11の周縁部に比べてガラス基板11の中央部において、支持ピン30の密度が高くなるように配置できる。
本発明では、ガラス基板11の周縁部に比べて、ガラス基板11の中央部において、支持ピン30の本数を多く配置することもできる。あるいは、保持部13の面内で、支持ピン30を均等に配置して、支持ピン30の間隔を一定にすることもできる。
ここでは、図4に示すように、支持機構10における諸元を示す。
ガラス基板11寸法;2500mm×2200mm
支持ピン30における弾性部材32によって支持シャフト31が伸退する寸法;0.5mm
保持部13の面内において支持ピン30を配置する間隔;300mm
2…ロード・アンロード室(チャンバ)
3…搬送室(チャンバ)
3a…搬送装置(搬送ロボット)
4…成膜室(チャンバ)
4a…搬送口
4b…成膜口
4m…前側空間(処理室)
4n…裏側空間(後背室)
6…バッキングプレート(カソード電極)
7…ターゲット
10…支持機構(基板保持装置)
11…ガラス基板(基板)
12…回転軸
12a…取り付け部材
13…保持部(プラテン)
12A…回転駆動部
20…マスク
20a…マスクフレーム
20b…リブ
30…支持ピン
31…支持シャフト
31b…段差
32…弾性部材(シャフト支持部)
33…シャフト支持筒(シャフト支持部)
33a,33b…ブシュ(シャフト支持部)
34…当接部
35…固定部(シャフト支持部)
36…ナット(シャフト支持部)
37…ナット(シャフト支持部)
40…クランプ(クランプ機構)
40a…凸部
40d…当接部
44…当接面
41…支持部(クランプ機構)
42…弾性部材(クランプ機構)
43…支持基部(クランプ機構)
43a…位置規制穴
50…リフトピン
Claims (11)
- 基板を処理する装置であって、
チャンバ内にて前記基板の表面を処理する処理室と、
前記処理室に隣接し、前記基板を移動するとともに、前記基板を支持する後背室と、
前記処理室と前記後背室との境界位置に配置されたマスクと、
基板を処理する時に、前記基板と前記マスクとを密着させるように、前記基板を前記マスクに向けて押圧可能に支持し、前記基板と前記マスクとの変形に追従して前記基板の裏面に作用する押圧力を調整可能に設定する支持機構と、
を有する基板処理装置。 - 前記支持機構は、支持ピンを有し、
前記支持ピンは、前記マスクの面に直交する方向に延在し、前記支持機構が前記基板を支持する時に前記基板の前記裏面に当接する先端を有し、前記基板の前記裏面に作用する前記押圧力を調整可能とし、軸方向に伸長可能及び退避可能に配置されている
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記支持ピンは、
前記支持ピンが前記基板の前記裏面を押圧する時に前記基板の前記裏面に当接する先端を有する支持シャフトと、
可撓性を有する弾性部材を有し、前記支持ピンの前記軸方向において前記支持シャフトを伸長可能及び退避可能として支持するシャフト支持部と、
を有し、
前記支持シャフトの伸長及び退避により、前記支持ピンは、前記基板の前記裏面に作用する前記押圧力を調整可能である、
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記支持ピンが、前記基板の前記裏面に対向するように前記支持機構に複数箇所に設けられている、
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記支持ピンは、
前記支持ピンが前記基板の前記裏面を押圧する時に前記基板の前記裏面に当接する先端を有する支持シャフトを有し、
前記支持シャフトの先端が、球面状に形成されている、
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記支持機構は、
前記支持ピンの伸長及び退避に追従して前記軸方向と同方向に伸長可能及び退避可能なクランプ支持部と、
前記クランプ支持部によって支持されて、前記基板の縁部を支持するクランプと、
を有する請求項2から請求項5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記クランプ支持部は、前記支持ピンの伸長及び退避に追従して前記軸方向に伸長可能及び退避可能な可撓性を有する弾性部材を有する、
請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記クランプが、前記基板の周縁部において複数箇所に設けられている、
請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記処理室において蒸着処理が行われる、
請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理室においてスパッタリング処理が行われる、
請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の基板処理装置に用いられる支持ピンであって、
前記マスクの面に直交する方向に延在するように前記基板処理装置に取り付けられ、基板を支持する時に前記基板の裏面に当接する先端を有する支持シャフトと、
可撓性を有する弾性部材を有し、前記支持シャフトを軸方向に伸長可能及び退避可能として支持するシャフト支持部と、
を有し、
前記支持シャフトの伸長及び退避により、前記基板の前記裏面に作用する前記押圧力を調整可能である、
支持ピン。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017205427 | 2017-10-24 | ||
JP2017205427 | 2017-10-24 | ||
PCT/JP2018/039265 WO2019082868A1 (ja) | 2017-10-24 | 2018-10-23 | 基板処理装置、支持ピン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019082868A1 true JPWO2019082868A1 (ja) | 2019-11-14 |
JP6799147B2 JP6799147B2 (ja) | 2020-12-09 |
Family
ID=66246574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019516025A Active JP6799147B2 (ja) | 2017-10-24 | 2018-10-23 | 基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6799147B2 (ja) |
KR (1) | KR102243370B1 (ja) |
CN (1) | CN110100043B (ja) |
TW (1) | TWI705152B (ja) |
WO (1) | WO2019082868A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7389917B2 (ja) * | 2020-09-17 | 2023-11-30 | 株式会社アルバック | スパッタ装置 |
WO2023286369A1 (ja) | 2021-07-16 | 2023-01-19 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
WO2023160836A1 (en) * | 2022-02-25 | 2023-08-31 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly, substrate processing apparatus method for fixing an edge support frame to a table frame, and method of manufacturing a portion of a display device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005158571A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造装置及び有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2005281746A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置、蒸着方法、電気光学装置、および電子機器 |
JP2010031345A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Canon Inc | 成膜装置及びそれを用いた成膜方法 |
JP2012092395A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Canon Inc | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2013093279A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 有機elデバイス製造装置 |
JP2013204097A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置および成膜方法 |
JP2015137391A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 株式会社アルバック | 基板保持装置および成膜装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE29707686U1 (de) | 1997-04-28 | 1997-06-26 | Balzers Prozess Systeme Vertri | Magnethalterung für Folienmasken |
CN101667630A (zh) * | 2008-09-04 | 2010-03-10 | 株式会社日立高新技术 | 有机el设备制造装置和其制造方法以及成膜装置和成膜方法 |
JP5074429B2 (ja) | 2009-01-16 | 2012-11-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 成膜装置 |
KR101337491B1 (ko) * | 2012-03-07 | 2013-12-05 | 주식회사 선익시스템 | 기판 정렬장치 및 정렬방법 |
-
2018
- 2018-10-23 WO PCT/JP2018/039265 patent/WO2019082868A1/ja active Application Filing
- 2018-10-23 CN CN201880005312.8A patent/CN110100043B/zh active Active
- 2018-10-23 JP JP2019516025A patent/JP6799147B2/ja active Active
- 2018-10-23 TW TW107137361A patent/TWI705152B/zh active
- 2018-10-23 KR KR1020197018007A patent/KR102243370B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005158571A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造装置及び有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2005281746A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置、蒸着方法、電気光学装置、および電子機器 |
JP2010031345A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Canon Inc | 成膜装置及びそれを用いた成膜方法 |
JP2012092395A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Canon Inc | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2013093279A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 有機elデバイス製造装置 |
JP2013204097A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置および成膜方法 |
JP2015137391A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 株式会社アルバック | 基板保持装置および成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190077591A (ko) | 2019-07-03 |
KR102243370B1 (ko) | 2021-04-22 |
TWI705152B (zh) | 2020-09-21 |
TW201923127A (zh) | 2019-06-16 |
CN110100043B (zh) | 2021-09-03 |
CN110100043A (zh) | 2019-08-06 |
WO2019082868A1 (ja) | 2019-05-02 |
JP6799147B2 (ja) | 2020-12-09 |
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