KR20190077591A - 기판 처리 장치, 지지 핀 - Google Patents

기판 처리 장치, 지지 핀 Download PDF

Info

Publication number
KR20190077591A
KR20190077591A KR1020197018007A KR20197018007A KR20190077591A KR 20190077591 A KR20190077591 A KR 20190077591A KR 1020197018007 A KR1020197018007 A KR 1020197018007A KR 20197018007 A KR20197018007 A KR 20197018007A KR 20190077591 A KR20190077591 A KR 20190077591A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
support
mask
glass substrate
chamber
Prior art date
Application number
KR1020197018007A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102243370B1 (ko
Inventor
유스케 사토우
츠요시 시미즈
다이스케 요시다
아키라 유야마
마코토 타카하시
Original Assignee
가부시키가이샤 아루박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 아루박 filed Critical 가부시키가이샤 아루박
Publication of KR20190077591A publication Critical patent/KR20190077591A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102243370B1 publication Critical patent/KR102243370B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 장치이며, 챔버 내에서 상기 기판의 표면을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 인접하고, 상기 기판을 이동함과 동시에, 상기 기판을 지지하는 후배실과, 상기 처리실과 상기 후배실의 경계 위치에 배치된 마스크와, 기판을 처리할 때에, 상기 기판과 상기 마스크를 밀착시키도록, 상기 기판을 상기 마스크를 향해서 누름 가능하게 지지하고, 상기 기판과 상기 마스크의 변형에 추종하여 상기 기판의 이면에 작용하는 압압력을 조정 가능하게 설정하는 지지 기구를 갖는다.

Description

기판 처리 장치, 지지 핀
본 발명은, 기판 처리 장치, 지지 핀에 관한 것으로, 특히, 종형(縱型)(입위(立位))으로 피처리 기판을 처리하는, 증착, 스퍼터링, CVD 등의 성막 처리, 가열 처리 등의 기판에 대한 처리에 이용되는 적합한 기술에 관한 것이다.
본원은, 2017년 10월 24일에 일본에 출원된 특원2017-205427호에 근거하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
반도체 디바이스 분야, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 분야에서, 각종의 박막을 형성하는 수단으로서, 스퍼터링이나 증착이 이용되고 있다.
일반적인 스퍼터링 장치에서는, 챔버 내에 스퍼터링용의 음극이 설치되고 있다. 스퍼터링 장치에서 성막을 실시할 때, 감압한 챔버 내에서, 음극에 장착된 타깃에 대해서, 소정의 간격을 두고, 대향하도록 마스크와 피처리체(기판)가 배치된다.
또, 증착 장치에서 성막을 실시할 때에도, 증착원에 대해서, 마스크와 피처리체(기판)를 배치한다.
이러한 장치의 예로서, 특허문헌 1에 기재되듯이, 입위의 마스크를 기판에 누르는(押) 얼라이먼트 기구를 갖는 기술이 알려져 있다. 또, 특허문헌 2에 기재되듯이, 마스크에 대해서 기판을 마그넷에 의해서 유지함과 동시에, 마스크를 기판에 얼라이먼트 하여 위치 관계를 유지한 상태로 성막하는 기술이 알려져 있었다.
일본 특개2010-165571호 공보 일본 특개평10-317139호 공보
더구나, 이러한 문제를 해결하기 위해서 기판에 마스크를 강하게 눌러 상기 변형을 해소하려고 했을 경우, 기판에 깨짐(割)이나 파손(欠)이 발생한다고 하는 어려움이 발생할 가능성이 있다. 특허문헌 1 기재의 기술에서는 이 문제를 해결할 수 없다.
또, 특허문헌 2에 기재되듯이, 마그넷에 의해 마스크와 기판을 유지했을 경우, 성막 입자가 자장의 영향을 받게 된다. 자장은, 특히 스퍼터 입자에 대해서 현저하게 영향을 준다. 이에 의해, 마그넷을 이용하여 마스크와 기판을 유지했을 경우에는, 자장이 성막 상태에 영향을 미칠 가능성이 있다고 하는 문제가 있었다.
더구나, 기판의 면이 대략 연직 방향으로 평행이 되도록 기판을 세운 상태로 성막을 실시하는 경우, 즉, 기판이 입위(종형)에 있는 상태로 성막을 실시하는 종형 성막의 경우, 기판의 면이 수평으로 유지된 상태로 성막을 실시하는 경우(수평 성막)에 비해, 기판과 마스크의 밀착성이 더 악화될 가능성이 있다고 하는 문제가 있다.
본 발명은, 상기의 사정을 감안한 것으로, 이하의 목적을 달성하고자 하는 것이다.
1. 기판의 처리 중에서, 마스크와 기판의 밀착성 향상을 도모하는 것.
2. 기판의 깨짐이나 파손의 발생을 방지하는 것.
3. 자장에 기인하고, 기판에 대한 처리에 악영향이 미치는 것을 저감하는 것.
4. 기판 또는 마스크의 변형에 기인하고, 기판에 대한 처리에 악영향이 미치는 것을 저감하는 것.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 장치이며, 챔버 내에서 상기 기판의 표면을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 인접하고, 상기 기판을 이동함과 동시에, 상기 기판을 지지하는 후배실(後背室, rear chamber)과, 상기 처리실과 상기 후배실의 경계 위치에 배치된 마스크와, 기판을 처리할 때에, 상기 기판과 상기 마스크를 밀착시키도록, 상기 기판을 상기 마스크를 향해서 누름(押壓, press) 가능하게 지지하고, 상기 기판과 상기 마스크의 변형에 추종(追從)하여 상기 기판의 이면에 작용하는 압압력(押壓力, pressing force)을 조정 가능하게 설정하는 지지 기구를 갖는다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서는, 상기 지지 기구는, 지지 핀을 갖고, 상기 지지 핀은, 상기 마스크의 면에 직교하는 방향으로 연재하고, 상기 지지 기구가 상기 기판을 지지할 때에 상기 기판의 상기 이면에 맞닿는(當接) 선단을 갖고, 상기 기판의 상기 이면에 작용하는 상기 압압력을 조정 가능하게 하고, 축 방향으로 신장(伸長) 가능 및 퇴피(退避) 가능하게 배치되어도 좋다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서는, 상기 지지 핀은, 상기 지지 핀이 상기 기판의 상기 이면을 누를 때에 상기 기판의 상기 이면에 맞닿는 선단을 갖는 지지 샤프트와, 가요성을 갖는 탄성 부재를 갖고, 상기 지지 핀의 상기 축 방향에서 상기 지지 샤프트를 신장 가능 및 퇴피 가능하게 하여 지지하는 샤프트 지지부를 갖고, 상기 지지 샤프트의 신장 및 퇴피에 의해, 상기 지지 핀은, 상기 기판의 상기 이면에 작용하는 상기 압압력을 조정 가능해도 좋다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서는, 상기 지지 핀이, 상기 기판의 상기 이면에 대향하도록 상기 지지 기구에 복수 개소에 설치되어도 좋다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서는, 상기 지지 핀은, 상기 지지 핀이 상기 기판의 상기 이면을 누를 때에 상기 기판의 상기 이면에 맞닿는 선단을 갖는 지지 샤프트를 갖고, 상기 지지 샤프트의 선단이, 구면상(球面狀)으로 형성되어도 좋다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서는, 상기 지지 기구는, 상기 지지 핀의 신장 및 퇴피에 추종하여 상기 축 방향과 동 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능한 클램프 지지부와, 상기 클램프 지지부에 의해서 지지되고, 상기 기판의 가장자리(緣部)를 지지하는 클램프를 가져도 좋다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서는, 상기 클램프 지지부는, 상기 지지 핀의 신장 및 퇴피에 추종하여 상기 축 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능한 가요성을 갖는 탄성 부재를 가져도 좋다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서는, 상기 클램프가, 상기 기판의 주연부에 대하여 복수 개소에 설치되어도 좋다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서는, 상기 처리실에서 증착 처리를 해도 좋다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서는, 상기 처리실에서 스퍼터링 처리를 해도 좋다.
본 발명의 제2 태양에 따른 지지 핀은, 상술한 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에 이용되는 지지 핀이며, 상기 마스크의 면에 직교하는 방향으로 연재하도록 상기 기판 처리 장치에 장착되어, 기판을 지지할 때에 상기 기판의 이면에 맞닿는 선단을 갖는 지지 샤프트와, 가요성을 갖는 탄성 부재를 갖고, 상기 지지 샤프트를 축 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능하게 하여 지지하는 샤프트 지지부를 갖고, 상기 지지 샤프트의 신장 및 퇴피에 의해, 상기 기판의 상기 이면에 작용하는 상기 압압력을 조정 가능하다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 장치이며, 챔버 내에서 상기 기판의 표면을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 인접하고, 상기 기판을 이동함과 동시에, 상기 기판을 지지하는 후배실과, 상기 처리실과 상기 후배실의 경계 위치에 배치된 마스크와, 기판을 처리할 때에, 상기 기판과 상기 마스크를 밀착시키도록, 상기 기판을 상기 마스크를 향해서 누름 가능하게 지지하고, 상기 기판과 상기 마스크의 변형에 추종하여 상기 기판의 이면에 작용하는 압압력을 조정 가능하게 설정하는 지지 기구를 갖는다. 기판의 표면과 마스크의 면을 밀착시켜 지지했을 경우에는, 마스크 및 기판의 적어도 일방에서, 실질적으로 물결(波打) 등의 변형이 발생하여 버린다. 종래, 이러한 문제를 해소할 수 없었다. 이에 대해서, 상술한 기판 처리 장치에 의하면, 종래에는 기판의 표면과 마스크의 면의 밀착 지지 시에 변형하기 쉬운 마스크나 기판에 대해서도, 기판과 마스크가 충분히 밀착한 상태로 할 수 있다. 또, 기판과 마스크가 맞닿고 있지 않는 영역을 발생시키지 않고, 성막 등의 기판에 대한 처리에 필요한 밀착성을 얻을 수 있다. 동시에, 마스크를 기판에 억눌렀을 경우에 발생하는 기판의 깨짐(割)이나 파손(欠) 등을 방지할 수 있다. 이에 의해, 성막 등의 기판에 대한 처리에서의 처리 특성을 향상하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 지지 기구는, 상기 기판을 지지했을 때에 기판에 발생하는 변형에 추종하여, 상기 기판의 면상의 각 위치에서 상기 기판의 상기 이면에 작용하는 압압력을 조정 가능하게 설정할 수 있다. 상기 지지 기구는, 상기 기판을 지지했을 때에, 지지되는 기판의 이동에 추종하고, 상기 기판의 면에서의 복수의 위치의 각각에서 기판의 이면에 작용하는 압압력을 조정 가능하게 설정할 수 있다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 지지 기구는, 지지 핀을 갖고, 상기 지지 핀은, 상기 마스크의 면에 직교하는 방향으로 연재하고, 상기 지지 기구가 상기 기판을 지지할 때에 상기 기판의 상기 이면에 맞닿는 선단을 갖고, 상기 기판의 상기 이면에 작용하는 상기 압압력을 조정 가능하게 하고, 축 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능하게 배치되어 있다. 이에 의해, 지지 핀에 의해서 기판을 마스크를 향해서 누르고, 지지 핀에 의해서 기판을 마스크에 따라 밀착시킨다. 또, 지지 핀은, 지지 핀이 기판을 누르는 압압력이 일정 이상이 되지 않게 조절한다. 따라서, 기판에 대한 응력을 억제하고, 기판에서 깨짐이나 파손 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 성막 등의 기판에 대한 처리에서의 처리 특성을 향상하는 것이 가능해진다.
본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 지지 핀은, 상기 지지 핀이 상기 기판의 상기 이면을 누를 때에 상기 기판의 상기 이면에 맞닿는 선단을 갖는 지지 샤프트와, 가요성을 갖는 탄성 부재를 갖고, 상기 지지 핀의 상기 축 방향에서 상기 지지 샤프트를 신장 가능 및 퇴피 가능하게 하여 지지하는 샤프트 지지부를 갖고, 상기 지지 샤프트의 신장 및 퇴피에 의해, 상기 지지 핀은, 상기 기판의 상기 이면에 작용하는 상기 압압력을 조정 가능하다. 이에 의해, 지지 핀을 기판에 맞닿도록 하고, 이 지지 핀에 의해서 기판을 누를 때에, 탄성 부재의 탄성변형에 의해서, 지지 샤프트가 신장 및 퇴피했을 때에서 지지 핀의 축 방향에서의 지지 샤프트의 선단의 위치를 조절하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 지지 핀이 기판을 누르는 압압력이 일정 이상이 되지 않게 조정하는 것이 가능해진다. 동시에, 지지 핀이 기판을 누르는 압압력이 소정의 압압력이 되게 유지하도록 조정하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 지지 핀이, 상기 기판의 이면에 대향하도록 지지 기구에 복수 개소에 설치되고 있으므로, 어떠한 크기의 기판이어도, 기판의 전면이 마스크와 매우 적합하게 밀착한 상태로 하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 지지 샤프트의 선단이 구면상으로 형성되고 있으므로, 구면상으로 형성된 지지 샤프트의 선단이 기판에 점으로 접촉한다. 따라서, 기판에 필요 이상의 압압력을 걸치지 않고 있다. 동시에, 지지 샤프트는, 기판을 마스크에 대해서 적정한 범위가 되는 압압력으로 누른다. 또, 물결 등의 변형이 기판에 생기고 있는 경우여도, 기판을 마스크에 대해서 누르는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 지지 기구는, 상기 지지 핀의 신장 및 퇴피에 추종하여 상기 축 방향과 동 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능한 클램프 지지부와, 상기 클램프 지지부에 의해서 지지되고, 상기 기판의 가장자리를 지지하는 클램프를 가지고 있다. 이에 의해, 지지 핀이 기판을 마스크에 대해서 누름으로써 기판을 마스크를 따르게 했을 때에, 클램프에 맞닿은 기판의 가장자리(단부)에 불필요한 힘이 더해지지 않는다. 따라서, 기판에 깨짐이나 파손 등이 발생하고, 기판이 파손하여 버리는 것을 방지한다. 동시에, 물결 등의 변형이 생기고 있는 기판이어도, 지지 핀에 의해서 기판을 마스크에 대해서 누름으로써, 변형이 생긴 기판과 마스크를 밀착시키는 것이 가능해진다.
또한, 클램프가 기판의 단부에 접촉한 상태로서, 클램프가 상기 기판의 가장자리를 지지할 수 있다.
또, 클램프를 지지 핀에 추종시키기 위해서, 마스크에, 클램프의 축 방향에서의 이동거리를 규제하는 축 방향 이동거리 규제부를 설치할 수도 있다.
또, 본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 클램프 지지부는, 상기 지지 핀의 신장 및 퇴피에 추종하여 상기 축 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능한 가요성을 갖는 탄성 부재를 갖는다. 이에 의해, 지지 핀에서의 압압력의 제어에 대해서 클램프가 추종하여 동작하기 위해서 필요한 구조를, 간단한 구조로 실현되는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 클램프가, 상기 기판의 주연부에서 복수 개소에 설치되고 있으므로, 기판을 처리할 때에, 기판에 깨짐이나 파손 등이 발생하여 기판이 파손하여 버리는 것을 방지한다. 동시에, 기판을 마스크에 대해서 얼라이먼트 한 상태로, 기판에 대한 처리를 실시하는 것이 가능해진다. 또한, 종형(입위)으로 기판을 지지한 상태로 기판에 대한 처리를 실시하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 처리실에서 증착 처리를 함으로써, 증착에 의해서 기판에 성막할 때에, 처리되는 기판에 깨짐이나 파손 등이 발생하여 기판이 파손되는 것을 방지한다. 동시에, 마스크에 기판을 밀착시키고, 성막 특성의 악화가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또, 본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 처리실에서 스퍼터링 처리를 함으로써, 마그넷에 의한 스퍼터 입자에의 영향에 의해 성막 특성이 악화되는 것을 저감한다. 동시에, 처리되는 기판에 깨짐이나 파손 등이 발생하여 기판이 파손하여 버리는 것을 방지한다. 또, 마스크에 기판을 밀착시키고, 성막 특성의 악화가 생기는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 제2 태양에 따른 지지 핀은, 상술한 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에 이용되는 지지 핀이며, 상기 마스크의 면에 직교하는 방향으로 연재하도록 상기 기판 처리 장치에 장착되어, 기판을 지지할 때에 상기 기판의 이면에 맞닿는 선단을 갖는 지지 샤프트와, 가요성을 갖는 탄성 부재를 갖고, 상기 지지 샤프트를 축 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능하게 하여 지지하는 샤프트 지지부를 갖고, 상기 지지 샤프트의 신장 및 퇴피에 의해, 상기 기판의 상기 이면에 작용하는 상기 압압력을 조정 가능하다. 이에 의해, 처리되는 기판의 표면과 마스크의 면을 밀착시키기 위해서 매우 적합한 장소에 지지 핀을 설치하는 것이 가능해진다. 필요한 기존의 기판 처리 장치에 이 지지 핀을 설치하는 것이 가능해진다. 또한, 기판과 마스크가 맞닿고 있지 않는 영역을 발생시키지 않는다. 성막 등의 기판에 대한 처리를 실시할 때에 필요한 밀착성을 얻을 수 있다. 동시에, 마스크를 기판에 억눌렀을 경우에 발생하는 기판의 깨짐이나 파손 등을 방지할 수 있다. 또, 처리 대상이 되는 기판의 크기, 재질, 두께 등의 특성에 대응하도록 지지 핀의 배치를 변경 가능하게 할 수 있다. 또한, 마스크에서 발생하는 변형의 정도에 의해서, 지지 핀의 배치나 개수 등을 조절하는 것이 가능해진다. 혹은, 기판과 마스크의 필요한 밀착 정도에 의해서, 지지 핀의 배치나 개수 등을 조절하는 것이 가능해진다.
본 발명의 제2 태양에 따른 지지 핀에서, 지지 핀이 기판에 맞닿는 부분을 수지로 형성할 수 있다. 구체적으로는, 지지 샤프트의 선단 부분이, 수지로 이루어질 수 있다. 또, 본 발명의 제1 태양에 따른 기판 처리 장치에서의 기판에 대한 처리로서는, 기판면이 대략 연직 방향이 되는 입위 상태로 기판에 처리를 실시하는 종형 처리를 채용하는 것이 가능하고, 또, 기판면이 대략 수평이 되는 수평형(횡형) 처리에 의해서 기판에 대한 처리를 실시할 수 있다. 또, 수평형 처리의 경우에는, 마스크가 기판의 상측에 위치하는 것이 가능하다. 또는, 마스크가 기판의 하측에 위치하는 것이 가능하다.
본 발명의 태양에 의하면, 기판에 대한 처리를 실시하고 있는 동안에서, 마스크와 기판의 밀착성을 향상할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다. 또, 기판의 깨짐이나 파손의 발생을 방지하는 것이 가능하다고 하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 기판에 대한 처리에 대해서 자장이 미치는 영향을 저감할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다. 또, 기판 또는 마스크의 변형에 의해서 기판에 대한 처리의 악영향을 저감할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.
[도 1] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 모식 평면도이다.
[도 2] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 성막실의 일부를 나타내는 사시도이다.
[도 3] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 지지 기구의 유지부를 나타내는 측면도이다.
[도 4] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 지지 기구의 유지부를 나타내는 정면도이다.
[도 5] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 지지 핀을 나타내는 축 방향 단면도이다.
[도 6] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 클램프 기구를 나타내는 단면도이다.
[도 7] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 클램프 기구의 유지 동작을 나타내는 단면도이다.
[도 8] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 성막실에서 행해지는 공정을 나타내는 모식 측면도이다.
[도 9] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 성막실에서 행해지는 공정을 나타내는 모식 측면도이다.
[도 10] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 성막실에서 행해지는 공정을 나타내는 모식 측면도이다.
[도 11] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 성막실에서 행해지는 공정을 나타내는 모식 측면도이다.
[도 12] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 성막실에서 행해지는 공정을 나타내는 모식 측면도이다.
[도 13] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 지지 핀 및 클램프 기구의 동작을 나타내는 모식 단면도이다.
[도 14] 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 지지 핀 및 클램프 기구의 동작을 나타내는 모식 단면도이다.
[도 15] 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 성막실의 일부를 나타내는 모식 정면도이다.
이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를, 도면에 근거하여 설명한다. 또, 본 실시 형태는, 발명의 취지를 보다 좋게 이해시키기 위해서 구체적으로 설명하는 것으로, 특히 지정하지 않는 한, 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
도 1은, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치를 나타내는 모식 평면도이며, 도 1에서, 부호 1은, 기판 처리 장치이다.
본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 예를 들면, 액정 디스플레이의 제조 공정에서 유리 등으로 이루어지는 기판 상에 TFT(Thin Film Transistor)를 형성하는 경우 등, 유리나 수지로 이루어지는 기판(11)에 대해서, 진공 환경하에서 가열 처리, 성막 처리, 에칭 처리 등을 실시하는 인터백식의 스퍼터링 장치나 유기 EL의 제조에 이용하는 증착 장치로 이루어진다.
본 실시 형태에서는, 스퍼터 처리를 실시하는 경우에 대해 설명한다.
기판 처리 장치(스퍼터링 장치)(1)는, 도 1에 나타내듯이, 대략 직사각형(矩形)의 유리 기판(기판)(11)을 반입/반출하는 로드·언로드실(2)(챔버)과, 유리 기판(11) 상에, 예를 들면, ZnO계나 In2O3계의 투명 도전막 등의 피막을 스퍼터법에 의해 형성하는 내압(耐壓)의 성막실(챔버)(4)과, 성막실(4)과 로드·언로드실(2) 사이에 설치된 반송실(3)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 도 1에서, 사이드 스퍼터식이 채용되고 있지만, 스퍼터 다운식, 혹은, 스퍼터 업식을 채용할 수도 있다.
기판 처리 장치(1)에는, 성막실(4A)과 로드·언로드실(2A)이 설치되고 있다. 이들 복수의 챔버(2, 2A, 4, 4A)가 반송실(3)의 주위를 둘러싸도록 형성되고 있고, 이러한 챔버(2, 2A, 4, 4A)는, 예를 들면, 서로 인접하여 형성된 2개의 로드·언로드실(챔버)과, 복수의 처리실(챔버)로서 구성되게 된다. 예를 들면, 일방의 로드·언로드실(2)은, 외부로부터 기판 처리 장치(스퍼터링 장치)(1)를 향해서 유리 기판(11)을 반입하는 로드실로서 기능한다. 타방의 로드·언로드실(2A)은, 기판 처리 장치(1)로부터 외부로 유리 기판(11)을 반출하는 언로드실로서 기능한다. 또, 성막실(4)과 성막실(4A)에서 다른 성막 공정을 하는 구성이어도 좋다.
로드·언로드실(챔버)(2)과 반송실(3) 사이, 로드·언로드실(챔버)(2A)과 반송실(3) 사이, 성막실(챔버)(4)과 반송실(3) 사이, 및 성막실(챔버)(4A)과 반송실(3) 사이에는, 게이트 밸브가 형성되어 있으면 좋다.
로드·언로드실(2)에는, 위치 결정 부재가 배치되어 있다. 위치 결정 부재에는, 로드·언로드실(2)에 외부로부터 반입된 유리 기판(11)이 재치된다. 위치 결정 부재는, 유리 기판(11)의 위치를 설정하고, 유리 기판(11)의 얼라이먼트를 가능하게 하고 있다.
로드·언로드실(2)에는, 로드·언로드실(2)의 내부를 조진공(組眞空) 흡입(引)하는 로터리 펌프 등의 조인(組引) 배기부가 설치된다.
반송실(3)의 내부에는, 도 1에 나타내듯이, 반송 장치(반송 로봇)(3a)가 배치되어 있다.
반송 장치(3a)는, 회전축과, 이 회전축에 장착된 로봇 암과, 로봇 암의 일단에 형성된 로봇 핸드와, 상하동 장치를 가지고 있다. 로봇 암은, 서로 굴곡 가능한 제1, 제2 능동 암과, 제1, 제2 종동암으로 구성되어 있다. 반송 장치(3a)는, 피반송물인 유리 기판(11)을, 챔버(2, 2A, 3, 4, 4A) 간에 이동시킬 수 있다.
도 2는, 본 실시 형태에서의 성막실의 일부를 나타내는 사시도이다.
성막실(4)의 내부에는, 도 1, 도 2에 나타내듯이, 성막 재료를 공급하는 수단으로서, 입설된 타깃(7)을 유지하는 배킹 플레이트(음극 전극)(6)와, 배킹 플레이트(6)에 부전위(負電位)의 스퍼터 전압을 인가하는 전원과, 성막실(4)의 내부에 가스를 도입하는 가스 도입부와, 성막실(4)의 내부를 고진공 흡입하는 터보 분자 펌프 등의 고진공 배기부가 설치되고 있다. 성막실(4)의 내부에서, 배킹 플레이트(6)는, 반송실(3)과 성막실(4) 사이에 위치하는 반송구(4a)로부터 가장 먼(最遠) 위치에 입설(立設)된다.
배킹 플레이트(6)에는, 기판을 처리할 때에 유리 기판(11)과 대략 평행하게 대면하는 전면 측에 타깃(7)이 고정된다. 배킹 플레이트(음극 전극)(6)는, 타깃(7)에 대해서 부전위의 스퍼터링 전압을 인가하기 위한 전극이다. 배킹 플레이트(6)는, 부전위의 스퍼터링 전압을 인가하는 전원에 접속되고 있다.
음극 전극(6)의 이측(離側)에는, 타깃(7) 상에 소정의 자장을 형성하기 위한 마그네트론 자기회로가 설치되어 있다. 마그네트론 자기회로는, 요동 기구에 장착되고 있다. 요동 기구는, 마그네트론 자기회로 요동용의 구동장치를 갖는다. 요동 기구의 구동장치는, 마그네트론 자기회로를 요동 가능하게 구성되어 있다.
성막실(4)의 내부 공간은, 도 1에 나타내듯이, 성막 시에 유리 기판(11)의 표면측이 되는 전측 공간(前側空間)(처리실)(4m)과, 유리 기판(11)의 이면측이 되는 이측 공간(離側空間)(후배실(後背室))(4n)을 갖는다. 성막실(4)의 전측 공간(4m)에는, 타깃(7)이 고정된 배킹 플레이트(음극 전극)(6)가 배치된다.
성막실(4)의 이측 공간(4n)에는, 도 1, 도 2에 나타내듯이, 전측 공간(4m)을 향해 개구되는 성막구(4b)가 설치되고 있다. 성막구(4b)에서는, 전측 공간(처리실)(4m)과 이측 공간(후배실)(4n)의 경계 위치에 마스크(20)가 배치되어 있다.
도시하지 않은 마스크 얼라이먼트부에 의해서, 성막 전 공정에서, 마스크(20)의 위치를 얼라이먼트 하는 것이 가능하다.
마스크(20)는, 도 2에 나타내듯이, 대략 직사각형의 마스크 프레임(20a)과, 마스크 프레임(20a)에 종횡으로 깔린 복수의 리브(20b)를 갖는다. 복수의 리브(20b)는, 마스크 프레임(20a)의 내측 영역을 구획한다.
마스크 프레임(20a)은, 강성을 갖는 SUS 등의 금속으로 형성되고 있다. 리브(20b)는, 인바(invar) 등으로 이루어지는 금속박으로 형성되고 있다. 마스크 프레임(20a)에 의해서 리브(20b)의 양단이 인장된 상태로, 마스크 프레임(20a)에 리브(20b)가 고정되고 있다. 마스크 프레임(20a)의 내측에서는, 종횡으로 깔린 복수의 리브(20b)에 의해서 둘러싸인 영역이, 성막 영역으로 되어 있다.
이측 공간(4n)의 내부에는, 도 1, 도 2에 나타내듯이, 지지 기구(기판 지지 장치)(10)가 설치되고 있다. 지지 기구(10)는, 성막 중에 타깃(7)에 대향하도록 유리 기판(11)을 유지(지지)하고, 유리 기판(11)을 외부로부터 반입하고, 및, 유리 기판(11)을 외부로 반출하는 것이 가능하다.
도 3은, 본 실시 형태에 따른 지지 기구에서의 유지부를 나타내는 측면도이다.
지지 기구(10)는, 도 2, 도 3에 나타내듯이, 이측 공간(4n)의 하측에 위치한다. 지지 기구(10)는, 회전축(12)과, 유지부(platen)(13)를 구비한다. 회전축(12)은, 반송구(4a) 및 성막구(4b) 중 적어도 일방과 대략 병행이며, 수평 상태로 연재한다. 유지부(13)는, 회전축(12)에 장착되어, 유리 기판(11)의 이면을 지지한다.
회전축(12)에는, 도 2에 나타내듯이, 회전 구동부(12A)가 접속되고 있다. 회전 구동부(12A)는, 회전축(12)을 축선 주위로 회전 가능하게 한다. 회전축(12)은, 이측 공간(4n)을 형성하는 측벽을 관통하고 있다. 회전 구동부(12A)는, 성막실(챔버)의 외측에 배치되어 있다.
회전축(12)에는, 설치 부재(12a)를 통해, 대략 직사각형(矩形) 평판상(平板狀)의 유지부(13)가 장착된다. 유지부(13)는, 유지부(13)의 평면과 회전축(12)의 축선이 일치하지 않는 위치에서, 회전축(12)에 장착되고 있다. 유지부(13)는, 회전축(12)의 축선 주위의 회동에 추종하고, 유지부(13)에 의해서 유지된 유리 기판(11)을 이동 가능하게 되어 있다.
유지부(13)는, 도 2에 나타내듯이, 회전 구동부(12A)에 의해서 회전축(12)의 축선 주위의 회동에 의해, 회전 동작이 가능하다. 유지부(13)는, 회전축(12)보다 상측에서 대략 수평 방향 위치로 이루어진 수평 재치 위치와, 대략 연직 방향 위치에 세워진(立上) 연직 처리 위치 사이에서 회전 동작이 가능하게 된다.
지지 기구(10)에서, 유지부(13)가 수평 재치 위치에 있는 경우, 유지부(13)의 표면의 연장에는, 반송구(4a)가 위치한다. 이 상태에서는, 반송실(3)로부터 수평 반송된 유리 기판(11)이 지지 기구(10) 상에 재치 가능해진다.
한편, 지지 기구(10)에서, 유지부(13)가 연직 처리 위치에 있는 경우, 유지부(13)의 표면 측에서, 도 2에 나타내듯이, 유리 기판(11)의 이면으로부터, 유리 기판(11)을 지지 가능하다. 유지부(13)의 표면측은, 유리 기판(11)보다 큰 윤곽을 갖는다. 유지부(13)가 연직 처리 위치에 있는 경우, 유지부(13)의 표면측은, 거의 성막구(4b)를 막도록 위치한다. 이 상태로, 유지부(13)에 의해서 지지된 유리 기판(11)의 표면(11T)(도 5 참조)가 음극 전극(6)에 대향하고, 유리 기판(11)의 표면(11T)에 대해서 성막이 가능해진다.
도 4는, 본 실시 형태에 따른 지지 기구에서의 유지부를 나타내는 정면도이다.
유지부(13)에는, 도 3, 도 4에 나타내듯이, 유지부(13)가 연직 처리 위치에 배치되었을 때에 유리 기판(11)의 이면(11B)(도 5 참조)에 맞닿는 지지 핀(30)이 복수 설치되고 있다.
지지 핀(30)은, 유지부(13)가 연직 처리 위치에 배치되었을 때에, 유리 기판(11)을 마스크(20)에 밀착시키도록 누름 가능하다.
복수의 지지 핀(30)은, 유리 기판(11)의 이면(11B)에 대향하도록 유지부(13)의 면 상에서 복수 개소에 분산해서 배치되어 있다.
도 5는, 본 실시 형태에 따른 지지 핀을 나타내는 축 방향 단면도이다.
지지 핀(30)은, 유지부(13)에서 지지되는 유리 기판(11)의 면(표면(11T), 이면(11B))에 직교하는 방향으로 연재하도록, 유지부(13)에 장착되고 있다.
도 5에 나타내듯이, 지지 핀(30)은, 지지 샤프트(31)와, 샤프트 지지통(33)을 구비한다.
지지 샤프트(31)는, 유지부(13)가 유리 기판(11)을 지지하면서 연직 처리 위치에 배치되었을 때에, 유리 기판(11)이 처리되는 위치에서, 유리 기판(11)의 이면(11B)에 맞닿는 선단을 갖는다. 샤프트 지지통(33)은, 가요성을 갖는 탄성 부재(32)를 갖고, 지지 샤프트(31)를 축 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능하게 하여 지지한다. 지지 샤프트(31)가 신장 가능 및 퇴피 가능함에 따라, 지지 핀(30)은, 유리 기판(11)의 이면(11B)에 작용하는 압압력(押壓力, pressing force)이 조정 가능하게 되어 있다. 지지 핀(30)은, 지지 기구(10)를 구성하고 있다.
지지 샤프트(31)에는, 도 5에 나타내듯이, 유리 기판(11)에 맞닿는 당접부(當接部)(34)가 설치되고 있다. 당접부(34)의 선단은, 구면상(球面狀)으로 형성되고 있다. 지지 샤프트(31)는, 통상(筒狀)의 샤프트 지지통(33)의 내부에 지지되고 있다. 지지 샤프트(31)는, 통상의 샤프트 지지통(33)의 내부에서, 지지 핀(30)의 축 방향으로 접동 가능하다.
샤프트 지지통(33)는, 고정부(35)와, 고정부(35)에 나합된 너트(36)에 의해서 플래튼(platen)(13)에 고정되고 있다. 고정부(35)는, 지지 샤프트(31)의 기단 측(당접부(34)와는 반대측)에 설치되고, 지지 샤프트(31)의 외측에 위치한다. 너트(36)는, 고정부(35)에 대해서 회전함으로써, 고정부(35)와 샤프트 지지통(33)의 지지 샤프트(31)에서의 축 방향의 위치를 조정 가능하다. 너트(36)를 고정부(35)에 대해서 회전시킴으로써, 플래튼(13)에 대한, 샤프트 지지통(33)의 축 방향에서의 고정 위치를 조절 가능하다.
샤프트 지지통(33)의 기단 위치에는, 너트(37)가 설치되고, 지지 샤프트(31)의 기단을 나합하고 있다. 너트(37)는, 샤프트 지지통(33)에 대해서 회전시킴으로써, 샤프트 지지통(33)과 지지 샤프트(31)의 축 방향의 세팅 위치를 조정 가능하다. 너트(37)에 의한 세팅 위치의 조정을 실시함으로써, 탄성 부재(32)가 발생시키는 부세력(付勢力)의 크기를 조정하는 것이 가능해진다. 즉, 너트(37)를 회전시킴으로써, 당접부(34)로부터 유리 기판(11)에 작용하는 압압력의 크기를 조정하는 것이 가능해진다.
샤프트 지지통(33)의 내경에 관해서는, 지지 샤프트(31)의 선단 측에 가까운 위치에서의 내경이 크고, 지지 샤프트(31)의 기단 측에 가까운 위치에서의 내경이 작아지도록, 내경이 다단상(多段狀)으로 설정되어 있다. 샤프트 지지통(33)의 내부에서의 선단 측에 가까운 위치에는, 부쉬(33a)가 주설(周設)되고 있다. 샤프트 지지통(33)의 내부에서의 기단 측에 가까운 위치에는, 부쉬(33a)로부터 소정 거리만큼 이간한 위치에, 부쉬(33b)가 주설되고 있다. 부쉬(33a, 33b)에 의해서, 지지 샤프트(31)가 샤프트 지지통(33)에 대해서 축 방향으로 접동 가능해지고 있다. 동시에, 부쉬(33a, 33b)에 의해서 지지 샤프트(31)와 샤프트 지지통(33) 사이의 틈새가 밀폐되고 있다.
지지 샤프트(31)에는, 지지 샤프트(31)의 지름 방향에서 단차(31b)가 형성되고 있다. 단차(31b)보다 지지 샤프트(31)의 선단 측에 가까운 위치에서는, 지지 샤프트(31)의 지름이 크고, 단차(31b)보다 지지 샤프트(31)의 기단 측에 가까운 위치에서는, 지지 샤프트(31)의 지름이 작다. 단차(31b)보다 지지 샤프트(31)의 선단 측에 가까운 위치에서, 지지 샤프트(31)와 샤프트 지지통(33) 사이에 부쉬(33a)가 배치되어 있다. 단차(31b)보다 지지 샤프트(31)의 기단 측에 가까운 위치에서, 지지 샤프트(31)와 샤프트 지지통(33) 사이에 부쉬(33b)가 배치되어 있다.
샤프트 지지통(33)의 내부에서, 샤프트 지지통(33)의 기단 측에 위치하는 부쉬(33b)와, 지지 샤프트(31)의 단차(31b) 사이에는, 탄성 부재(32)가 수납되고 있다. 탄성 부재(32)는, 지지 샤프트(31)의 축 방향으로 탄성변형 가능하다.
탄성 부재(32)의 재료로서는, 용수철, 탄성변형 가능한 수지, 실리콘 고무 등이 선택된다. 탄성 부재(32)는, 지지 샤프트(31)의 주위에 설치되고 있다. 탄성 부재(32)는, 부쉬(33b)와 지지 샤프트(31)의 단차(31b) 사이에 위치하고 있고, 부쉬(33b)와 단차(31b)에 의해서 탄성 부재(32)가 눌리면, 탄성 부재(32)는 축 방향을 따라서 부세력(반발력, 복원력)을 발생시킨다. 지지 샤프트(31)의 선단에 위치하는 당접부(34)가 유리 기판(11)이 규정된 이상의 압압력으로 눌렀을 경우에, 지지 샤프트(31)가 기단 측을 향하여 소정 거리만큼 이동 가능하도록, 탄성 부재(32)의 부세력이 조정되고 있다.
당접부(34)의 선단 측은, 구면상으로 형성되고 있다. 당접부(34)는, 유리 기판(11)의 이면(11B)에 대해서, 거의 점접촉 가능하게 되어 있다. 또한, 당접부(34)는, 스퍼터링 등의 처리(기판에 대한 처리)에 대해서 내열성 및 내진공성을 갖는다. 당접부(34)는, 유리 기판(11)을 지지 가능한 강도를 갖는 수지로 형성되고 있다. 당접부(34)는, 예를 들면, 베스펠(Vespel)(듀퐁 사제, 등록상표) 등의 폴리이미드 수지로 형성되고 있다.
탄성 부재(32), 샤프트 지지통(33), 부쉬(33a, 33b), 고정부(35), 너트(36), 너트(37)는, 샤프트 지지부를 구성하고 있다.
유지부(13)에는, 도 3, 도 4에 나타내듯이, 클램프(40)가 복수 설치되고 있다. 클램프(40)는, 유지부(13)가 연직 처리 위치에 배치되었을 때에, 유리 기판(11)의 주연의 단면에 맞닿아서 유리 기판(11)을 지지한다. 유지부(13)에서, 클램프(40)는, 유리 기판(11)의 주연에서의 복수의 위치에 배치되어 있다. 클램프(40)는, 지지 기구(10)를 구성하고 있다.
도 6은, 본 실시 형태에 따른 클램프 기구를 나타내는 단면도이며, 도 7은, 본 실시 형태에 따른 클램프 기구의 유지 동작을 나타내는 도면이다.
도 6, 도 7에 나타내듯이, 클램프 기구는, 클램프(40), 지지부(41), 탄성 부재(42), 및 지지 기초부(43)를 갖는다. 클램프(40)(클램프 기구)는, 도 4에 나타내듯이, 유지부(13)의 주연의 외측이 되는 위치에 복수 설치되고 있다.
복수의 클램프(40)의 각각은, 도시하지 않은 클램프 구동 이동 장치에 의해, 유지부(13)의 중심에 대해서 외측이 되는 외측 위치와, 유지부(13)의 중심에 대해서 내측이 되는 지지 위치 사이로, 요동 가능하게 되어 있다.
클램프(40)의 표면(선단)은, 당접부(40d)이다. 당접부(40d)는, 지지 핀(30)에 유리 기판(11)을 재치했을 때에 유리 기판(11)의 주연의 단면에 맞닿는 당접면(44)과, 당접면(44)보다 유지부(13)의 면상에서의 중심 측으로 돌출하는 철부(凸部)(40a)를 갖는다. 당접면(44)은, 지지 핀(30)에 유리 기판(11)을 재치했을 때에, 유리 기판(11)의 주연의 단면에 맞닿음으로써, 유리 기판(11)의 얼라이먼트를 실시한다. 철부(40a)는, 당접면(44)이 유리 기판(11)의 주연의 단면에 맞닿을 때에, 유리 기판(11)의 표면(11T)이 유지부(13)로부터 이간하는 것을 방지한다.
당접부(40d)는, 마스크 프레임(20a)의 이면(20B)에 설치된 요부(凹部)(20d)에 대응하고 있다. 환언하면, 유리 기판(11)의 연직 방향에서 보았을 때, 당접부(40d)의 위치와 요부(20d)의 위치는 겹치고 있다. 이러한 클램프 기구에서는, 지지 샤프트(31)의 축 방향을 따라서, 클램프(40)에 마스크 프레임(20a)(마스크(20))이 가까워지도록 마스크 프레임(20a)이 이동하면, 당접부(40d)가 요부(20d)에 맞닿게 되어 있다. 마스크(20)의 이동에 대해서는 후술한다.
당접면(44)은, 지지 샤프트(31)의 축 방향에서, 지지 샤프트(31)의 선단에 대응하는 위치에 설치되고 있다. 철부(40a)는, 당접면(44)보다 지지 샤프트(31)의 축 방향에서의 선단 측에 위치하는 당접부(34)의 근처에 설치된다.
클램프(40)를 구성하는 재료에 관한 것으로, 적어도 유리 기판(11)에 맞닿는 당접면(44)은, 지지 핀(30)의 당접부(34)와 동등의 재질, 예를 들면, 수지 등으로 구성되고 있다.
클램프(40)는, 클램프(40)의 하부에 개구되는 위치 규제혈(43a)을 갖는다. 위치 규제혈(43a)의 내부에는, 지지부(41)가 배치되어 있다. 도 6에 나타내는 예에서는, 위치 규제혈(43a)의 내부에 지지부(41)가 배치되어 있고, 또한, 지지부(41)와 지지 기초부(43)가 이간하고 있는 단면 구조가 나타나고 있지만, 도 6에 나타내지 않은 영역에서, 지지부(41)는, 지지 기초부(43)에 접속되고 있다. 지지부(41)에 인접하는 위치에는, 탄성 부재(42)가 설치되고 있다.
지지부(41)는, 지지 샤프트(31)의 축 방향에서, 지지 기초부(43)로부터 클램프(40)를 향해서 돌출되고, 클램프(40)에 설치된 위치 규제혈(43a)에 삽입되고 있다. 지지부(41)는, 위치 규제혈(43a)이 연재하는 방향을 따라서, 위치 규제혈(43a)에 진입하고, 또한, 위치 규제혈(43a)로부터 후퇴하는 것이 가능하다. 지지부(41)가 위치 규제혈(43a)을 따라서 이동함으로써, 클램프(40)의 이동 방향이, 지지 샤프트(31)의 축 방향과 동일한 방향이 되도록, 클램프(40)의 이동이 규제되고 있다.
지지 기초부(43)의 기단 측(당접부(40d)와는 반대측)은, 도시하지 않은 요동 축에 의해 요동 가능하게 유지부(13)에 장착되고 있다. 지지 기초부(43)가 요동 가능하기 때문에, 유지부(13)에 대해서, 클램프(40)가 외측 위치와 지지 위치 사이로 요동 가능하게 된다. 또, 클램프(40)의 요동은, 유지부(13)에 유리 기판(11)을 재치할 때, 혹은, 유지부(13)로부터 유리 기판(11)을 반출할 때에 행해진다.
탄성 부재(42)는, 클램프(40)와 지지 기초부(43) 사이에 배치되어 있다. 탄성 부재(42)는, 당접부(40d)를 마스크(20)를 향해서 누르는 부세력(반발력, 복원력)을 발생시킨다. 위치 규제혈(43a)에 삽입되고 있는 지지부(41)에 의해서 클램프(40)의 이동이 규제되고 있기 때문에, 탄성 부재(42)는, 지지 샤프트(31)의 축 방향을 따라서, 당접부(40d)를 마스크(20)를 향해서 누른다. 클램프(40)의 선단에 위치하는 당접부(40d)가 규정된 이상의 압압력으로 눌렀을 경우에, 클램프(40)가 지지 기초부(43)의 기단 측을 향하여 소정 거리만큼 이동 가능하도록, 탄성 부재(42)의 부세력(반발력, 복원력)이 조정되고 있다.
지지부(41), 탄성 부재(42), 지지 기초부(43), 위치 규제혈(43a), 도시하지 않은 요동축 등은, 클램프 지지부를 구성하고 있다.
클램프(40)의 신퇴 동작(신장 동작 및 퇴피 동작)과 지지 샤프트(31)의 신퇴 동작이 동기하도록, 클램프(40)는 구성되어 있다. 즉, 지지 샤프트(31)의 축 방향을 따라서, 클램프(40) 및 지지 샤프트(31)는, 동기적으로, 마스크 프레임(20a)에 가까워지도록 이동하거나, 마스크 프레임(20a)로부터 이간하도록 이동하거나 한다.
구체적으로는, 클램프(40)의 선단에 위치하는 당접부(40d)는, 마스크 프레임(20a)의 이면(20B)의 요부(20d)에 맞닿음에 따라 지지 샤프트(31)의 선단에 위치하는 당접부(34)가 마스크(20)에 밀착한 유리 기판(11)에 눌렀을 때에, 이 지지 샤프트(31)의 축 방향 이동거리와 동일한 정도만큼 클램프(40)가 동 방향으로 이동하도록 설정되어 있다. 즉, 지지 샤프트(31)의 축 방향에서의 마스크 프레임(20a)의 이면(20B)에 형성된 요부(20d)의 깊이는, 클램프(40)와 지지 샤프트(31)의 신퇴 동작(신장 동작 및 퇴피 동작)이 동기하도록 설정된다.
또, 마스크 프레임(20a)의 요부(20d)와 당접부(40d)는, 클램프(40)를 지지 핀(30)에 추종시키기 위한 축 방향 이동거리 규제부를 구성하고 있다.
또, 탄성 부재(42)에 의한 클램프(40)에의 부세력의 크기와, 탄성 부재(32)에 의한 지지 샤프트(31)에의 부세력의 크기는, 서로 다르게 구성되어 있다. 구체적으로는, 탄성 부재(42)의 부세력이, 탄성 부재(32)의 부세력보다 커지도록 설정되어 있다. 이는, 지지 핀(30)에 의해서 지지되는 중량과 클램프(40)에 의해서 지지되는 중량이 다르기 때문이다. 즉, 지지 핀(30)은, 유리 기판(11)의 면과 직교하는 방향으로 탄성력을 부여한 상태로, 유리 기판(11)의 표면에 접촉하고, 유리 기판(11)의 중량을 지지한다. 이에 대해서, 클램프(40)는, 입위 상태(기립 상태)로 이루어진 유리 기판(11)의 면과 평행한 방향으로 탄성력을 부여한 상태로, 유리 기판(11)의 단면에 접촉한 상태로 유리 기판(11)의 중량을 지지하기 때문이다.
지지 기구(10)에는, 도 4에 나타내듯이, 리프트 핀(50)과, 이 리프트 핀(50)를 상하동시키는 리프트 핀 이동 장치(미도시)가 배치된다. 리프트 핀(50)은, 유지부(13)에 설치되고 있다. 유리 기판(11)이 성막실(4)(4A)에 반입될 때, 또는, 유리 기판(11)이 성막실(4)(4A)로부터 반출될 때에, 리프트 핀(50)은, 수평 재치 위치에 배치된 유지부(13)로부터 상방으로 돌출되고, 유지부(13)보다 상측에 위치하는 유리 기판(11)을 지지한다.
리프트 핀 이동 장치는, 성막실(챔버)(4, 4A)의 외측에 배치된 구동 모터 등의 구동장치이다. 리프트 핀 이동 장치는, 구동장치에 의해 리프트 핀(50)이 신장 또는 퇴피하는 구성을 갖는다. 리프트 핀(50)은, 구동장치에 의해서, 챔버(4)의 밀폐를 유지한 상태로 구동 가능하다. 이 구성에 의해, 성막실(4, 4A)에 대한 유리 기판(11)의 반입 또는 반출 시에, 유지부(13)와 반송 장치(3a)의 로봇 핸드 사이에서, 유리 기판(11)을 자유 자재(自在)로 주고 받는 것이 가능해진다.
리프트 핀(50)은, 유지부(13)의 면 내에서, 거의 균등 간격이 되도록 복수 배치되어 있다. 지지 핀(30)은, 이들 리프트 핀(50)의 사이에 위치하도록 유지부(13)의 면 내에 배치되어 있다.
리프트 핀(50)의 신장 및 퇴피할 방향과, 지지 핀(30)의 축 방향과는 대략 평행이다.
다음으로, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서, 지지 기구(10)에 의해서 유지된 유리 기판(11)에 대해서 성막하는 방법에 대해 설명한다. 또, 이하의 설명에서는, 2개의 성막실(4, 4A) 중, 성막실(4)에서의 기판에 대한 처리에 대해 설명한다. 유리 기판(11)을 마스크에 밀착시키는 구조에서는, 성막실(4, 4A)에서 동일하기 때문에, 성막실(4A)에 대해서는 설명을 생략한다.
우선, 유리 기판(11)은, 기판 처리 장치(1)의 외부에서 내부로 반입된다. 반입된 유리 기판(11)은, 우선, 로드·언로드실(2)의 내부의 위치 결정 부재에 재치된다. 이에 의해, 유리 기판(11)이, 위치 결정 부재 상에서 소정 위치에 얼라이먼트 된다.
다음으로, 로드·언로드실(2)의 위치 결정 부재에 재치된 유리 기판(11)은, 반송 장치(3a)의 로봇 핸드로 지지된다. 유리 기판(11)은, 반송 장치(3a)에 의해서, 로드·언로드실(2)로부터 꺼낸다(取出). 그리고, 유리 기판(11)은, 반송 장치(3a)에 의해서, 반송실(3)을 경유하여 성막실(4)로 반송된다.
도 8~도 12는, 본 실시 형태에서의 성막실(4)에서 행해지는 공정을 나타내는 모식 측면도이다. 또, 이러한 도 8~도 12에서, 상술한 실시 형태에 대해 설명한 구성은 생략되어 있는 경우가 있다.
우선, 성막실(4)의 반송구(4a)가 개방된다. 성막실(4)에서는, 도 8에 나타내듯이, 지지 기구(10)에서, 회전 구동부(12A)에 의해서 회전축(12)이 회전된다. 이에 의해, 유지부(13)가 수평 재치 위치로 된다. 동시에, 도시하지 않은 리프트 핀 이동 장치에 의해서, 리프트 핀(50)이 유지부(13)의 표면으로부터 돌출된 준비 위치가 된다. 동시에, 도 7에 나타내듯이, 클램프(40)는, 외측 위치에 배치되어 있고, 유지부(13)의 상측 위치로부터 퇴피하고 있다.
이 상태로, 성막실(4)에 도달한 유리 기판(11)은, 반송 장치(3a)에 의해서, 지지 기구(10)의 유지부(13) 상에 재치된다.
우선, 반송 장치(3a)는, 유리 기판(11)을 유지부(13)와 대략 병행 상태로 지지한다. 이 상태로, 반송 장치(3a)는, 도 9에 화살표 A로 나타내듯이, 유지부(13)로부터 돌출된 다수의 리프트 핀(50)의 상측의 위치에 유리 기판(11)이 도달할 때까지, 유지부(13)의 면과 평행한 방향에서의 횡측으로부터 성막실(4)의 내측을 향해서 유리 기판(11)을 삽입한다.
다음으로, 도 10에 나타내듯이, 반송 장치(3a)의 로봇 핸드가 유지부(13)에 근접한다. 이에 의해, 유리 기판(11)은, 유지부(13)의 면 내에서의 소정의 위치에 얼라이먼트 된 상태가 되고, 유리 기판(11)은, 유지부(13)의 리프트 핀(50) 상에 재치된다. 다음으로, 반송 로봇(3a)으로부터 리프트 핀(50)에 유리 기판(11)의 수수(授受)를 한 후, 반송 로봇(3a)의 암은, 성막실(4)로부터 반송실(3)로 후퇴하고, 성막실(4)의 반송구(4a)가 닫힌다(閉塞).
그리고, 도 11의 부호 B에 나타내듯이, 지지 기구(10)에 설치된 리프트 핀 이동 장치로 리프트 핀(50)이 하강하고, 유지부(13)의 하측에 리프트 핀(50)이 격납됨에 따라, 유리 기판(11)은, 유지부(13)에 재치된다.
이 때, 지지 핀(30)의 선단에 위치하는 당접부(34)가 유리 기판(11)의 이면(11B)에 맞닿아서 유리 기판(11)을 지지한다.
다음으로, 도시하지 않은 클램프 구동 이동 장치에 의해, 도 7에 화살표 D로 나타내듯이, 클램프(40)(클램프 기구)가 유지부(13)에 근접하도록 이동한다.
클램프(40)의 이동이 정지함으로써, 유리 기판(11)의 주연의 단면이, 유지부(13)의 주위에 배치된 복수의 클램프(40)의 각각의 당접면(44)에 맞닿는다. 이 상태로, 클램프(40)는, 유리 기판(11)을 성막 처리 위치에 배치되도록 얼라이먼트 한다. 클램프(40)는, 유리 기판(11)의 주연을 계지한다. 이에 의해서, 유리 기판(11)이 지지 기구(10)에 유지된다. 이 때, 유리 기판(11)의 중량은, 유지부(13)에 설치된 지지 핀(30)에 의해서 지지된다. 더하여, 유리 기판(11)의 중량은, 기판 가이드 등에 의해서 지지되는 것도 가능하다.
다음으로, 회전 구동부(12A)에 의해 회전축(12)이 회동된다. 이에 의해, 도 12에 화살표 C로 나타내듯이, 설치 부재(12a)를 통해서 장착된 유지부(13)가, 회전축(12)의 축선 주위로 회동한다. 이에 의해, 유지부(13)는, 연직 처리 위치에 이르도록 세워진다. 이 때, 유리 기판(11)은, 지지 핀(30) 및 클램프(40)에 의해서 유지(保持)된 상태가 유지(維持)된다.
이에 의해, 유리 기판(11)과 유지부(13)에 의해서 성막구(4b)가 거의 폐색 된 상태가 된다. 동시에, 도 6에 나타내듯이, 유리 기판(11)이 마스크(20)에 근접한다.
이 상태로, 도시하지 않은 마스크 얼라이먼트부에 의해서 마스크(20)가, 마스크(20)의 면 내에서의 위치의 얼라이먼트를 한다. 구체적으로는, 도시하지 않은 촬상 장치에 의해서, 마스크(20)와 유리 기판(11)의 면 내에서의 위치를 검출한다. 이 검출 결과에 근거하여, 마스크 얼라이먼트부에 의해서 마스크(20)를 구동하고, 마스크(20)와 유리 기판(11)의 윤곽의 위치 맞춤을 실시한다.
도 13은, 본 실시 형태에서의 지지 핀 및 클램프 기구의 동작을 나타내는 모식 단면도이며, 도 14는, 본 실시 형태에서의 지지 핀 및 클램프 기구의 동작을 나타내는 모식 단면도이다.
마스크(20)의 면 내에서의 위치의 얼라이먼트가 종료한 후, 동일하게, 도시하지 않은 마스크 얼라이먼트부는, 마스크(20)를, 마스크(20)의 면에 대해서 연직인 방향으로 이동한다. 이에 의해, 도 13에 나타내듯이, 마스크(20)를 유리 기판(11)에 맞닿게 한다. 이 때, 연직 처리 위치에 배치되어 있는 유지부(13)는, 연직 처리 위치로부터 이동하지 않는다. 유리 기판(11)에 대해서 마스크(20)를 밀착시키기 위해서, 마스크(20)가 유리 기판(11)에 근접할 방향으로 이동하도록 마스크(20)가 구동되고, 마스크(20)가 유리 기판(11)에 접촉한다.
이 때, 유리 기판(11)에는, 지지 핀(30)으로부터 유리 기판(11)의 자중을 지지하는 이외의 압압력은, 작용하고 있지 않는 상태가 된다. 또, 마스크 프레임(20a)의 이면(20B)에 설치된 요부(20d)의 내부에 클램프(40)의 당접부(40d)가 침입하고, 요부(20d)와 당접부(40d)가 근접한다. 또한, 요부(20d)의 내부에 클램프(40)가 침입한다. 그리고, 마스크 프레임(20a)의 이면(20B)에 설치된 요부(20d)에는, 클램프(40)의 선단에 위치하는 당접부(40d)가 맞닿은 상태가 된다.
또한, 유리 기판(11)에 마스크(20)가 접촉한 후에도, 유리 기판(11)에 대해서 마스크(20)를 밀착시킨다. 이 때문에, 마스크(20)의 면과 연직인 방향에서, 마스크(20)와 유리 기판(11)이 더욱 근접하도록 마스크(20)가 구동한다. 이 때, 연직 처리 위치가 되는 유지부(13)는 구동시키지 않는다.
마스크(20)의 이동에 의해, 마스크(20)에 접촉하고 있는 유리 기판(11)이 마스크(20)에 의해서 눌린다. 이에 의해, 유리 기판(11)을 통해서 지지 핀(30)과 클램프(40)가 눌린다.
그러면, 도 14에 나타내듯이, 마스크(20)의 이동에 의해, 유리 기판(11)이, 유리 기판(11)의 이면(11B)에 맞닿고 있는 지지 핀(30)의 당접부(34)를 누른다. 이에 의해, 지지 샤프트(31)가 샤프트 지지통(33)에 대해서 축 방향으로 이동한다. 이에 의해, 지지 핀(30)의 탄성 부재(32)가 압축 변형된다. 탄성 부재(32)가 압축 변형됨에 따라, 탄성 부재(32)의 탄성력에 의해, 지지 샤프트(31)가 샤프트 지지통(33)에 대해서 눌린다. 따라서, 당접부(34)로부터 유리 기판(11)에 압압력이 작용한다. 탄성 부재(32)에서는, 당접부(34)로부터 유리 기판(11)에 작용하는 압압력이 소정의 값보다 작아지도록, 미리 탄성치(압압력)가 설정된다.
이와 같이, 지지 샤프트(31)의 당접부(34)가 마스크(20)에 밀착한 유리 기판(11)에 눌렀을 때에, 도 14에 나타내듯이, 클램프(40)의 선단에 위치하는 당접부(40d)가, 마스크 프레임(20a)의 이면(20B)에 설치된 요부(20d)에 맞닿는다. 이에 의해, 클램프(40)의 탄성 부재(42)가 압축된다. 탄성 부재(42)가 압축 변형됨에 따라, 탄성 부재(42)의 탄성력에 의해, 클램프(40)가 지지 기초부(43)에 대해서 눌리고, 지지부(41)가 위치 규제혈(43a)을 따라서 이동한다. 이에 의해서, 지지 샤프트(31)의 축 방향에서의 이동거리와 동일한 정도만큼, 클램프(40)가 지지 샤프트(31)의 축 방향으로 이동한다.
이와 같이, 클램프(40)와 지지 샤프트(31)의 신퇴 동작이 동기한다. 이 때문에, 유리 기판(11)의 가장자리(緣部)에 불필요한 변형이 생기지 않는다. 따라서, 유리 기판(11)에 깨짐이나 파손이 발생하지 않는다.
이와 같이, 유지부(13)가 연직 처리 위치에 배치되었을 때, 유리 기판(11)과 마스크(20)가 밀착한 상태가 된다. 동시에, 마스크 프레임(20a)에 의해서 형성된 개구 부분부터 유리 기판(11)이 노출된다. 유리 기판(11)은, 음극 전극(6)에 대해서 대향한 위치에 배치된다.
이 유지부(13)가 연직 처리 위치에 배치되었을 때, 지지 기구(10)에 유지된 유리 기판(11)은 마스크(20)에 밀착한다. 유지부(13)가 연직 처리 위치에 배치되었을 때, 유리 기판(11)은, 유리 기판(11)의 표면(11T)과 음극 전극(6)의 표면이 대략 평행한 상태로 유지된다. 이 상태로 성막실(4) 내에서 성막 공정을 하고, 유리 기판(11)의 표면(11T)에 막이 형성된다.
성막 공정에서는, 가스 도입부로부터 성막실(4)에 스퍼터 가스와 반응 가스가 공급된다. 성막 공정에서는, 외부의 전원으로부터 배킹 플레이트(음극 전극)(6)에 스퍼터 전압을 인가한다. 또, 성막 공정에서는, 마그네트론 자기회로에 의해 타깃(7) 상에 소정의 자장을 형성한다. 이에 의해, 성막실(4)의 전측 공간(4m) 내에서 플라스마에 의해 스퍼터 가스의 이온이 여기된다. 스퍼터 가스의 이온은, 음극 전극(6)의 타깃(7)에 충돌하고, 성막 재료의 입자를 뛰쳐나오게 한다. 그리고, 타깃(7)으로부터 뛰쳐나온 성막 재료의 입자와 반응 가스가 결합한 후, 결합한 성막 재료의 입자와 반응 가스가, 유리 기판(11)에 부착한다. 이에 의해, 유리 기판(11)의 표면(11T)에 소정의 막이 형성된다.
성막 처리가 종료하면, 도시하지 않은 마스크 얼라이먼트부에 의해서, 마스크(20)의 면에 연직인 방향으로 이간하도록, 마스크(20)가 이동된다. 이에 의해, 도 6에 나타내듯이, 마스크(20)를 유리 기판(11)으로부터 이간시킨다.
다음으로, 회전 구동부(12A)에 의해 회전축(12)이 회동된다. 이에 의해, 유지부(13)에 유리 기판(11)이 유지된 상태로, 유지부(13)는, 회전축(12)의 축선 주위에서, 도 12의 화살표 C와 역 방향으로 회동한다. 회전축(12)이 회동함으로써, 유지부(13)는, 수평 재치 위치에 배치된다. 또한, 클램프(40)를 도 7의 화살표 D와는 역 방향으로 요동시키고, 클램프(40)를 해제하고, 유리 기판(11)의 주연의 단부로부터 당접면(44)을 이간시킨다. 이에 의해, 클램프(40)에 의한 유리 기판(11)의 계지를 해제한다.
다음으로, 리프트 핀 이동 장치는, 리프트 핀(50)를 상승시키고, 리프트 핀(50)은, 유지부(13)의 표면으로부터 돌출한다. 상승한 리프트 핀(50)에 의해서 유리 기판(11)이 지지되고, 이 상태로, 반송 장치(3a)에 의해서, 도 9의 화살표 A와 역 방향으로 유리 기판(11)이 유지부(13)로부터 꺼내진다. 최종적으로, 반송실(3)을 통해, 로드·언로드실(2)로부터 기판 처리 장치(1)의 외부로 유리 기판(11)을 반출한다. 또, 다른 챔버에서, 그 외의 처리를 실시하는 것도 가능하다.
본 실시 형태에서의 기판 처리 장치(스퍼터링 장치)(1)에 의하면, 유지부(13)의 면 내에 설치한 복수의 지지 핀(30)이, 유리 기판(11)과 마스크(20)를 누른다. 이 때, 유리 기판(11)과 마스크(20)의 압압력이 소정의 크기를 넘지 않는 상태를 유지할 수 있다. 이에 의해, 유리 기판(11)과 마스크(20)를 밀착시킨 상태로, 성막 처리를 실시하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 마스크(20), 또는, 유리 기판(11)에 물결 등의 변형이 발생하고 있었을 경우에서도, 유리 기판(11)을 마스크(20)의 변형에 추종시킬 수 있다. 이 때문에, 유리 기판(11)과 마스크(20)를 밀착시키는 것이 가능해진다. 따라서, 마스크(20)에서, 유리 기판(11)에 대한 성막 영역을 정확하게 설정하는 것이 가능해진다. 동시에, 막 두께 균일성 등 성막 특성의 악화를 방지하는 것이 가능해진다.
동시에, 지지 핀(30)의 신퇴(신장 및 퇴피)와 동기하고, 클램프(40)의 위치가 조정 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 지지 핀(30)에 의해서 유리 기판(11)의 변형이 흡수된다. 이 때에, 유리 기판(11)에 불필요한 하중이 인가되지 않고, 유리 기판(11)이 불필요하게 변형될 수 없다. 이에 의해, 유리 기판(11)에서의 깨짐이나 파손의 발생을 지극히 저감하는 것이 가능해진다.
또, 유지부(13)에서는, 유리 기판(11)의 면 내에서, 복수의 지지 핀(30)이 배치되어 있다. 따라서, 복수의 지지 핀(30)에 의해, 다점(多点)에서, 유리 기판(11)이 눌린다. 이에 의해, 각각의 지지 핀(30)이 배치되는 포지션, 즉, 유리 기판(11)의 면 내에서의 눌림 위치에 대응하고, 눌림 위치마다, 지지 핀(30)이 유리 기판(11)을 누르는 압압력의 크기를 다르게 하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 복수의 눌림 위치의 각각에서, 지지 핀(30)이, 유리 기판(11) 또는 마스크(20)의 변형에 추종하여, 필요한 압압력을 유리 기판(11)에 부여할 수 있다.
동시에, 지지 핀(30)을 이용함으로써, 마그넷을 이용하지 않고, 유리 기판(11)과 마스크(20)를 밀착시킨 상태로, 유리 기판(11)이 성막 처리된다. 이에 의해, 마그넷이 스퍼터 입자에 주는 영향에 의해 성막 특성이 악화되는 것을 저감할 수 있다.
또한, 유지부(13)의 면 내에서의 지지 핀(30)의 배치는, 유리 기판(11)을 안정적으로 지지하기 위한 리프트 핀(50)의 배치에 영향을 주지 않게 할 필요가 있지만, 거의 균등한 간격으로, 복수의 지지 핀(30)을 배치할 수 있다.
이하, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를, 도면에 근거하여 설명한다.
도 15는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 성막실을 나타내는 모식 정면도이다. 본 실시 형태에서, 상술한 제1 실시 형태와 다른 것은, 기판을 처리할 때에서의 마스크와 유리 기판의 위치에 관한 점이다. 이외의 상술한 제1 실시 형태와 대응하는 구성에는 동일한 부호를 교부하여 그 설명을 생략 한다.
본 실시 형태에서는, 스퍼터링 처리시에, 유리 기판(11)이 횡형, 즉, 피처리면이 수평면에 가까운 상태로 유지부(13)에 유지된다.
본 실시 형태에서, 성막실(4)의 내부에는, 도 15에 나타내듯이, 성막중에 유리 기판(11)을 수평면과 대략 평행하게 유지하는 지지 기구(10)가 설치되고 있다. 지지 기구(기판 지지 장치)(10)는, 유리 기판(11)을 가열하는 히터를 구비하고 있어도 좋다. 또, 성막실(4)에는, 배킹 플레이트(음극 전극)(6)가 히터와 대향하는 상측 위치에 설치되고 있다. 성막실(4)에는, 성막 재료를 공급하는 수단으로서, 배킹 플레이트(6)에 더하여, 배킹 플레이트(6)에 부전위의 스퍼터 전압을 인가하는 전원(6A)과, 이 성막실(4) 내에 가스를 도입하는 가스 도입부(4s)가 설치되고 있다. 또, 성막실(4)에는, 성막실(4)의 내부를 고진공 흡입하는 터보 분자 펌프 등의 고진공 배기부(4t)가 설치되고 있다. 배킹 플레이트(6)에는, 유리 기판(11)과 대략 평행하게 대면하는 하면 측에 타깃이 고정된다.
유지부(13)는, 유리 기판(11)의 성막 처리시에, 유리 기판(11)을 피처리면의 이면측으로부터 지지한다. 유지부(13)는, 유리 기판(11)의 윤곽 형상보다 약간 큰 평판상(平板狀)으로 되어 있다. 유지부(13)의 면 내에서의 내측이 되는 위치에는, 도시하지 않은 히터가 배치되어 있다. 히터는, 유지부(13)에 지지된 유리 기판(11)을, 유리 기판(11)의 이면측으로부터 가열 가능하다.
유지부(13)의 면 내에서의 내측이 되는 위치에는, 제1 실시 형태와 동일하게, 복수의 지지 핀(30)이 설치되고 있다. 지지 핀(30)은, 유리 기판(11)에 대해서 연직 방향으로 신퇴 가능하다. 복수의 지지 핀(30)의 각각에서는, 당접부(34)가 상향으로 돌출된 상태가 되고 있다. 지지 핀(30)은, 유지부(13)의 면 내에서, 히터에 의한 유리 기판(11)의 가열에 대한 영향을 저감하도록 입설되고 있다.
또, 유지부(13)의 주연에서 외측이 되는 위치에는, 복수의 클램프(40)가 설치되고 있어도 좋다.
종래의 기판 처리 장치에서는, 예를 들면, 유지부(13)에 대응하는 유지부가 강성을 갖고, 수평인 면 내에서의 위치에서, 개별적으로 위치 조정할 수 없는 구성을 가지고 있었다. 이러한 구성에서, 종래의 유지부가 유리 기판(11)의 이면에 맞닿고 있는 경우에는, 얼라이먼트 후에 마스크(20)를 유리 기판(11)에 억눌러 밀착시켰을 때에, 유리 기판(11)에 필요 이상의 압압력이 걸린다. 게다가, 유리 기판(11)의 자중에 의해, 유리 기판(11)의 중앙 부근이 아래로 처진 상태가 된다. 이 상태의 유리 기판(11)과 마스크(20)를 밀착시키기 위해서는, 종래의 유지부에서는 더 큰 압압력이 필요하다. 이 때문에, 유리 기판(11)에 깨짐이나 파손이 발생할 가능성이 높았다.
또한, 종래의 유지부에서, 물결 등의 발생한 유리 기판(11)에서는, 더욱 필요 이상의 압압력이 걸린다. 이 때문에, 종래의 유지부에서는, 유리 기판(11)에 깨짐이나 파손이 발생할 가능성이 더 높아진다.
이에 대해서, 본 실시 형태에서는, 유지부(13)의 수평인 면 내에서, 복수의 포지션으로 이루어지는, 유리 기판(11)의 면 내에서의 눌림 위치에, 복수의 지지 핀(30)의 각각이 배치되어 있다. 게다가, 지지 핀(30)의 각각의 선단에 위치하는 당접부(34)가, 개별적으로, 연직 방향으로 신퇴 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 수평인 면 내에서의 복수의 포지션의 각각에서, 지지 핀(30)이 마스크(20) 혹은 유리 기판(11)의 변형에 따라, 신퇴한다. 따라서, 마스크(20)의 변형 형상을 모방하여, 마스크(20)에 밀착하도록 유리 기판(11)을 지지하는 것이 가능해진다.
본 실시 형태에서는, 상술한 제1 실시 형태와 동등의 효과를 상주할 수 있다.
상기의 각 실시 형태에서는, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 스퍼터링 장치인 경우를 설명했지만, 상술의 기판 처리 장치는, 증착 처리를 실시하는 장치여도 좋다. 이 경우에서도, 마스크와 유리 기판에 과도한 압압력을 작용시키지 않고 서로 밀착시키는 것이 가능해진다.
상기의 실시 형태에서는, 유지부(13)의 면 내에서, 균등한 간격으로 배치된 복수의 리프트 핀(50)의 사이에, 지지 핀(30)이 배치되어 있다. 즉, 유지부(13)의 면 내에서, 지지 핀(30)이 균등한 간격으로 배치되어 있다.
본 발명에서는, 이러한 구조에 더하여, 유리 기판(11)의 중앙부에 비해, 유리 기판(11)의 주연부에서 지지 핀(30)이 배치되는 간격을 작게 할 수도 있다. 즉, 유리 기판(11)의 중앙부에 비해 유리 기판(11)의 주연부에서, 지지 핀(30)의 밀도가 높아지도록, 복수의 지지 핀(30)을 배치할 수도 있다.
본 발명에서는, 유리 기판(11)의 중앙부에 비해, 유리 기판(11)의 주연부에서, 지지 핀(30)의 갯수를 많이 배치할 수도 있다. 또한, 종형의 기판 처리 장치의 경우에는, 유리 기판(11)의 중앙부에서, 지지 핀(30)이 배치되는 간격을 작게 하여 다수 배치할 수도 있다. 즉, 유리 기판(11)의 주연부에 비해 유리 기판(11)의 중앙부에서, 지지 핀(30)의 밀도가 높아지도록 배치할 수 있다.
본 발명에서는, 유리 기판(11)의 주연부에 비해, 유리 기판(11)의 중앙부에서, 지지 핀(30)의 갯수를 많이 배치할 수도 있다. 혹은, 유지부(13)의 면 내에서, 지지 핀(30)을 균등하게 배치하고, 지지 핀(30)의 간격을 일정하게 할 수도 있다.
또한, 상기의 실시 형태에서는, 복수의 지지 핀(30)이, 모두 평행 상태로서 배치했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 유리 기판(11)의 주연부에서, 지지 핀(30)의 압압 방향이 유리 기판(11)의 면 내에서의 중앙에서 외측을 향해서 경사할 수도 있다. 혹은, 마스크(20)가 평면이 아닌 경우에는, 마스크(20)의 형상에 대응하고, 당접부(34)의 접촉하는 부분에서의 마스크(20)의 면에 대한 법선 방향과, 지지 핀(30)이 유리 기판(11)을 누르는 방향이 평행한 배치로 하는 것도 가능하다.
또, 상기의 실시 형태에서는, 마스크(20)를 유지부(13)에 대해서 근접시키고, 유리 기판(11)과 마스크(20)를 밀착시켰지만, 유리 기판(11)과 마스크(20)는 상대적으로 근접시키면 좋고, 유리 기판(11)과 마스크(20)의 얼라이먼트 후에, 유지부(13)를 동작시켜서 유리 기판(11)과 마스크(20)를 밀착시키는 구성이라고 해도 좋다.
이하, 본 발명에 따른 구체적인 예에 대해 설명한다.
여기에서는, 도 4에 나타내듯이, 지지 기구(10)에서의 제원을 나타낸다.
유리 기판(11) 치수; 2500mm×2200mm
지지 핀(30)에서의 탄성 부재(32)에 의해서 지지 샤프트(31)가 신퇴하는 치수; 0.5mm
유지부(13)의 면 내에서 지지 핀(30)을 배치하는 간격; 300mm
이러한 스퍼터링 장치(기판 처리 장치(1))를 이용함으로써, 유리 기판의 깨짐(割)이나 파손(欠)의 발생을 방지하고, 마스크와 기판의 밀착성의 향상을 도모할 수 있다.
1…기판 처리 장치(스퍼터링 장치, 성막 장치)
2…로드·언로드실(챔버)
3…반송실(챔버)
3a…반송 장치(반송 로봇)
4…성막실(챔버)
4a…반송구
4b…성막구
4m…전측 공간(처리실)
4n…이측 공간(후배실)
6…배킹 플레이트(음극 전극)
7…타깃
10…지지 기구(기판 유지 장치)
11…유리 기판(기판)
12…회전축
12a…설치 부재
13…유지부(保持部)(플래튼, platen)
12A…회전 구동부
20…마스크
20a…마스크 프레임
20b…리브
30…지지 핀
31…지지 샤프트
31b…단차(段差)
32…탄성 부재(샤프트 지지부)
33…샤프트 지지통(샤프트 지지부)
33a,33b…부쉬(샤프트 지지부)
34…당접부
35…고정부(샤프트 지지부)
36…너트(샤프트 지지부)
37…너트(샤프트 지지부)
40…클램프(클램프 기구)
40a…볼록부(凸部)
40d…당접부(當接部)
44…당접면
41…지지부(클램프 기구)
42…탄성 부재(클램프 기구)
43…지지 기초부(支持基部)(클램프 기구)
43a…위치 규제혈(位置規制穴)
50…리프트 핀

Claims (11)

  1. 기판을 처리하는 장치이며,
    챔버 내에서 상기 기판의 표면을 처리하는 처리실과,
    상기 처리실에 인접하고, 상기 기판을 이동함과 동시에, 상기 기판을 지지하는 후배실과,
    상기 처리실과 상기 후배실의 경계 위치에 배치된 마스크와,
    기판을 처리할 때에, 상기 기판과 상기 마스크를 밀착시키도록, 상기 기판을 상기 마스크를 향해서 눌림 가능하게 지지하고, 상기 기판과 상기 마스크의 변형에 추종하여 상기 기판의 이면에 작용하는 압압력을 조정 가능하게 설정하는 지지 기구,
    를 갖는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지 기구는, 지지 핀을 갖고,
    상기 지지 핀은, 상기 마스크의 면에 직교하는 방향으로 연재하고, 상기 지지 기구가 상기 기판을 지지할 때에 상기 기판의 상기 이면에 맞닿는 선단을 갖고, 상기 기판의 상기 이면에 작용하는 상기 압압력을 조정 가능하게 하여, 축 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능하게 배치되어 있는
    기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 지지 핀은,
    상기 지지 핀이 상기 기판의 상기 이면을 누를 때에 상기 기판의 상기 이면에 맞닿는 선단을 갖는 지지 샤프트와,
    가요성을 갖는 탄성 부재를 갖고, 상기 지지 핀의 상기 축 방향에서 상기 지지 샤프트를 신장 가능 및 퇴피 가능하게 하여 지지하는 샤프트 지지부,
    를 갖고,
    상기 지지 샤프트의 신장 및 퇴피에 의해, 상기 지지 핀은, 상기 기판의 상기 이면에 작용하는 상기 압압력을 조정 가능하는,
    기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 지지 핀이, 상기 기판의 상기 이면에 대향하도록 상기 지지 기구에 복수 개소에 설치되고 있는,
    기판 처리 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 지지 핀은,
    상기 지지 핀이 상기 기판의 상기 이면을 누를 때에 상기 기판의 상기 이면에 맞닿는 선단을 갖는 지지 샤프트를 갖고,
    상기 지지 샤프트의 선단이, 구면상으로 형성되고 있는,
    기판 처리 장치.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 기구는,
    상기 지지 핀의 신장 및 퇴피에 추종하여 상기 축 방향과 동 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능한 클램프 지지부와,
    상기 클램프 지지부에 의해서 지지되고, 상기 기판의 가장자리를 지지하는 클램프,
    를 갖는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 클램프 지지부는, 상기 지지 핀의 신장 및 퇴피에 추종하여 상기 축 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능한 가요성을 갖는 탄성 부재를 갖는,
    기판 처리 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 클램프가, 상기 기판의 주연부에서 복수 개소에 설치되고 있는,
    기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리실에서 증착 처리를 하는,
    기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리실에서 스퍼터링 처리를 하는,
    기판 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항 기재의 기판 처리 장치에 이용되는 지지 핀이며,
    상기 마스크의 면에 직교하는 방향으로 연재하도록 상기 기판 처리 장치에 장착되어, 기판을 지지할 때에 상기 기판의 이면에 맞닿는 선단을 갖는 지지 샤프트와,
    가요성을 갖는 탄성 부재를 갖고, 상기 지지 샤프트를 축 방향으로 신장 가능 및 퇴피 가능하게 하여 지지하는 샤프트 지지부,
    를 갖고,
    상기 지지 샤프트의 신장 및 퇴피에 의해, 상기 기판의 상기 이면에 작용하는 상기 압압력을 조정 가능한,
    지지 핀.
KR1020197018007A 2017-10-24 2018-10-23 기판 처리 장치 KR102243370B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-205427 2017-10-24
JP2017205427 2017-10-24
PCT/JP2018/039265 WO2019082868A1 (ja) 2017-10-24 2018-10-23 基板処理装置、支持ピン

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190077591A true KR20190077591A (ko) 2019-07-03
KR102243370B1 KR102243370B1 (ko) 2021-04-22

Family

ID=66246574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197018007A KR102243370B1 (ko) 2017-10-24 2018-10-23 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6799147B2 (ko)
KR (1) KR102243370B1 (ko)
CN (1) CN110100043B (ko)
TW (1) TWI705152B (ko)
WO (1) WO2019082868A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220148254A (ko) * 2020-09-17 2022-11-04 가부시키가이샤 아루박 스퍼터 장치
KR20240004704A (ko) 2021-07-16 2024-01-11 가부시키가이샤 알박 진공 처리 장치
CN113960824A (zh) * 2021-10-18 2022-01-21 江苏宏芯亿泰智能装备有限公司 基板上翻机构及基板检测方法
WO2023160836A1 (en) * 2022-02-25 2023-08-31 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly, substrate processing apparatus method for fixing an edge support frame to a table frame, and method of manufacturing a portion of a display device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10317139A (ja) 1997-04-28 1998-12-02 Balzers Hochvakuum Ag 金属箔マスク用磁力保持装置
JP2005158571A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造装置及び有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2005281746A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Seiko Epson Corp 蒸着装置、蒸着方法、電気光学装置、および電子機器
JP2010165571A (ja) 2009-01-16 2010-07-29 Hitachi High-Technologies Corp 有機ｅｌデバイス製造装置、成膜装置及びそれらの成膜方法
KR20130102151A (ko) * 2012-03-07 2013-09-17 주식회사 선익시스템 기판 정렬장치 및 정렬방법
JP2013204097A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Hitachi High-Technologies Corp 成膜装置および成膜方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5238393B2 (ja) * 2008-07-31 2013-07-17 キヤノン株式会社 成膜装置及びそれを用いた成膜方法
CN101667630A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 株式会社日立高新技术 有机el设备制造装置和其制造方法以及成膜装置和成膜方法
JP2012092395A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Canon Inc 成膜方法及び成膜装置
JP2013093279A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Hitachi High-Technologies Corp 有機ｅｌデバイス製造装置
JP6310705B2 (ja) * 2014-01-22 2018-04-11 株式会社アルバック 基板保持装置および成膜装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10317139A (ja) 1997-04-28 1998-12-02 Balzers Hochvakuum Ag 金属箔マスク用磁力保持装置
JP2005158571A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造装置及び有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2005281746A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Seiko Epson Corp 蒸着装置、蒸着方法、電気光学装置、および電子機器
JP2010165571A (ja) 2009-01-16 2010-07-29 Hitachi High-Technologies Corp 有機ｅｌデバイス製造装置、成膜装置及びそれらの成膜方法
KR20130102151A (ko) * 2012-03-07 2013-09-17 주식회사 선익시스템 기판 정렬장치 및 정렬방법
JP2013204097A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Hitachi High-Technologies Corp 成膜装置および成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201923127A (zh) 2019-06-16
CN110100043A (zh) 2019-08-06
JPWO2019082868A1 (ja) 2019-11-14
JP6799147B2 (ja) 2020-12-09
CN110100043B (zh) 2021-09-03
KR102243370B1 (ko) 2021-04-22
WO2019082868A1 (ja) 2019-05-02
TWI705152B (zh) 2020-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190077591A (ko) 기판 처리 장치, 지지 핀
KR20180001472A (ko) 기판 협지 방법, 기판 협지 장치, 성막 방법, 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법, 기판 재치 방법, 얼라인먼트 방법, 기판 재치 장치
US20210050240A1 (en) Transfer method and transfer apparatus for substrate processing system
KR0179385B1 (ko) 진공처리장치
JP6369054B2 (ja) 基板載置装置及び基板処理装置
KR100639071B1 (ko) 박막 작성 시스템
JPH0249424A (ja) エッチング方法
KR20190019965A (ko) 플라즈마 처리장치
JPWO2011024853A1 (ja) 成膜装置
KR20110040808A (ko) 기판 처리 장치
US20070138009A1 (en) Sputtering apparatus
US11183411B2 (en) Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency
JP2004102215A (ja) 基板組立装置
US6860711B2 (en) Semiconductor-manufacturing device having buffer mechanism and method for buffering semiconductor wafers
CN109563616B (zh) 成膜装置
JP5315081B2 (ja) 薄膜形成装置
KR101456783B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
KR102579389B1 (ko) 기판 보유지지 유닛, 기판 보유지지 부재, 기판 보유지지 장치, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP2004158781A (ja) ガス処理装置およびガス処理方法
WO2019228610A1 (en) Holder, carrier comprising at least two holders, apparatuses and methods
CN118016583A (zh) 基板支撑单元、包括基板支撑单元的用于处理基板的设备以及环传送方法
TW202027162A (zh) 電漿處理裝置
JPH04196459A (ja) 熱処理装置
JP2004266028A (ja) ガス処理装置およびガス処理方法、ならびにガス処理システム
KR20140123845A (ko) 얼라인장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)