JP2643283B2

JP2643283B2 - 処理装置

Info

Publication number: JP2643283B2
Application number: JP63105751A
Authority: JP
Inventors: 和良斉木
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1988-04-28
Filing date: 1988-04-28
Publication date: 1997-08-20
Anticipated expiration: 2012-08-20
Also published as: JPH01275785A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、処理装置に関する。

（従来の技術）近年、半導体素子の複雑な製造工程の簡略化、工程の
自動化を可能とし、しかも微細パターンを高精度で形成
することが可能な各種薄膜の処理装置、例えばエッチン
グ装置として、ガスプラズマ中の反応成分を利用したプ
ラズマエッチング装置が注目されている。

このプラズマエッチング装置は、真空装置に連設した
気密容器内の下方にアルミニウム製の電極が設けられ、
このアルミニウム製電極と対向する上方にアモルファス
カーボン製電極を備えた例えばアルミニウム製電極体が
設けられ、このアモルファスカーボン製電極と上記アル
ミニウム製電極にRF電源が接続しており、上記アルミニ
ウム製電極上に被処理基板例えば半導体ウエハを設定し
て上記電源から各電極間に電力を印加する。同時に、所
望の処理ガスを上記電極間に供給する。すると、この処
理ガスが上記電力によりプラズマ化され、このプラズマ
化した処理ガスにより上記半導体ウエハ表面をエッチン
グするものである。

上記エッチングは、半導体ウエハを枚葉式に取り出し
て、処理室、例えば真空チャンバに搬送したのちに上述
説明した処理が行われることになる。

この処理において、例えば発生した生成体が半導体ウ
エハ表面に付着して悪影響を及しており、この半導体ウ
エハ表面に付着した生成体を取り省くために、後処理工
程が可能なエッチング装置が切望されている。

上記エッチング装置として、実開昭61−9837公報で記
載されたものがある。

上記公報では気密な主処理室と、気密な副処理室とを
設け、これらの間を正逆二方向に切替えて搬送して二種
類の処理を容易に行う構成のものが周知である。

（発明が解決しようとする課題）従来の処理装置、例えばエッチング装置は気密な主処
理室と副処理室とを設け、エッチング処理した後の後処
理工程、例えばライトエッチング工程、及びエッチング
処理する前の半導体ウエハ上の有機物を取り省く工程を
搬送方向を逆に駆動させて行っている。

しかしながら、上記エッチング装置では、上記主処理
室に半導体ウエハを搬入したのちに、この主処理室の気
体を吸引して真空するまでは膨大な処理時間が費され
る。

また、上記副処理室についても上記主処理室と同様に
膨大な処理時間が費される。

また、上記主処理室から上記副処理室に半導体ウエハ
を搬送する際に、大気に触れるのでこの大気中の不純物
が付着して処理精度を低下させてしまう。

そこで、本発明の目的とするところは、上述した従来
の問題点に鑑みなされたもので、上記第１処理室と、第
２処理室にロードロックを設けて被処理体が気密内を搬
送するようにして処理時間の短かい処理装置を提供する
ことである。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）本発明は、未処理の被処理体および処理済の被処理体
を収納する収納部と、この収納部から搬出された前記被
処理体を位置合わせするアライメント部と、このアライ
メント部から前記被処理体を搬入する第１の搬送手段を
備えた第１のロードロック室と、この第１のロードロッ
ク室から前記第１の搬送手段で前記被処理体が搬入さ
れ、この被処理体に所定の処理を施す第１の処理室と、
この第１の処理室に隣接して設けられ、処理室内の前記
被処理体を搬出する第２の搬出手段を備えた第２のロー
ドロック室と、この第２のロードロック室に隣接して設
けられ、前記第２の搬送手段により前記被処理体が搬入
される第２の処理室と、前記各部の操作を行う操作部と
を具備し、前記収納部および操作部を装置本体の前部に配置する
と共に、前記第１のロードロック室、第１の処理室、第
２のロードロック室および第２の処理室からなる処理部
を平面視で略コ字状に配置し、かつ前記処理部の前部側
に位置する前記第１のロードロック室と前記第２の処理
室の前面と平行に移動し、前記収納部とアライメント部
および第２の処理室との間で被処理体の搬送を行う第３
の搬送手段を設けたことを特徴とする。

また、前記装置本体の前部側に配置した収納部および
操作部は、クリーンルームに配置し、他の各部はクリー
ンルーム外に配置したことを特徴とする。

（作用）本発明は、気密な第１処理部に搬送するローダ部を設
けているので、収納された被処理体を気密な第１処理部
に搬送することができる。

被処理体を処理する気密な第１処理部を設けているの
で、搬送された被処理体を設定された処理を実施するこ
とができる。

他の処理を実施する気密な第２処理部を設けているの
で、上記第１処理部で処理された被処理体を他の処理を
実施することができる。

上記第２処理室から取出し収納庫に収納するアンロー
ダ部が設けられているので、第２処理終了の被処理体
を、収納庫に収納させることのできる。

さらに、上記第１処理室と、第２処理室との間にロー
ドロックが設けられているので、被処理体がこのロード
ロックを介して、第１処理室から第２処理室に真空状態
で搬送させることができる。

（実施例）以下本発明装置を半導体製造工程に於けるエッチング
装置に適用した一実施例につき図面を参照して説明す
る。

被処理基板、例えば半導体ウエハをエッチング処理す
る装置は、例えば第４図に示すようにプラズマエッチン
グ装置、上記ウエハ（１）を収納する収納部（２）とこ
の収納部（２）から上記ウエハ（１）を搬出入する為の
搬送部（３）と、この搬送部（３）からのウエハ（１）
を位置合せするアライメント部（４）と、このアライメ
ント部（４）で位置合せされたウエハ（１）をエッチン
グ処理する処理部（５）と、これら各部の動作設定及び
モニタ等を行なう操作部（６）とから構成されている。

上記収納部（２）は半導体ウエハ（１）を板厚方向に
所定の間隔を設けて複数枚、例えば25枚を積載収納可能
なウエハカセット（７）を複数個、例えば２個収納可能
とされている。

このウエハカセット（７）は、夫々に対応するカセッ
ト載置台（８）に載置され、このカセット載置台（８）
はそれぞれ独立した図示しない昇降機構により上下動可
能となっている。ここで、上記昇降機構防じん対策の為
に上記カセット載置台（８）より常に下側に位置する事
が望ましい。

そして、搬送部（３）には、上記収納部（２）とアラ
イメント部（４）及び処理部（５）間でウエハ（１）の
搬送を行なう第３の搬送手段、例えば多関節ロボット
（９）が設けられている。この多関節ロボット（９）に
は保持機構例えば図示しない真空吸着機構を設えたアー
ム（10）が設けられている。このアーム（10）はウエハ
（１）の重金属汚せんを防止する為の材質、例えばセラ
ミックや石英により形成されている。そして、この多関
節ロボット（９）は一点を軸として回転自在であり、さ
らに水平−軸方向へ移動可能となっている。

上記搬送部（３）より搬送されたウエハ（１）の位置
合せを行なうアライメント部（４）には第３図に示すよ
うにバキュームチャック（11）が設けられている。この
バキュームチャック（11）は円板状内チャック及びこの
内チャックの外周と所定の間隔を設けた円環状外チャッ
クから構成されている。上記内チャックは内チャックの
中心を軸とした回転及び上下動が可能であり、上記外チ
ャックは、水平−軸方向へ移動可能となっている。ま
た、内チャックの中心方向に移動可能なウエハ外周端部
を検出するセンサー例えば透過形センサー（11a）が設
けられている。

そして、上記アライメント部（４）で位置合せされた
ウエハ（１）を処理する処理部（５）が構成されてい
る。この処理部（５）は第１図で示すように、エッチン
グ処理する処理室（12）に気密を保ちながらウエハ
（１）を搬送可能な複数例えばイン側の第１のロードロ
ック室（13）及びアウト側の第２のロードロック室（1
4）２系統が設けられている。またアウト側ロードロッ
ク室（14）には処理後のウエハ（１）をライトエッチや
アッシング等のトリートメントを行なう多目的使用が可
能な予備室（15）が接続されている。上記イン側ロード
ロック室（13）には上記アライメント部（４）側の一側
面（図では二点鎖線で図示）はウエハ（１）搬入口を形
成する如く開閉機構（16a）が設けられ、この開閉機構
（16a）の対向面に上記処理室（12）との遮断を可能と
する開閉機構（16b）が設けられている。したがって、
ロードロック室13、処理室12、ロードロック室14および
予備室15からなる処理部が平面視で略コ字状に配置さ
れ、その処理部の前側、つまり装置本体の前部に収納部
２と操作部６が配置されている。さらに、処理室12およ
び予備室15の側面からメンテナンスができ、メンテナン
スの容易化を図ることができる。

そして、このイン側ロードロック室（13）には、アラ
イメント部（４）から処理室（12）へウエハ（１）の受
け渡しを行なう第１の搬送手段、例えばハンドリングア
ーム（17a）が設けられている。また上記アウト側ロー
ドロック室（14）には、上記処理室（12）側の一側面
に、この処理室（12）とのしゃ断を可能とする開閉機構
（18a）が設けられ、この開閉機構（18a）と隣接する予
備室（15）側の側面に予備室（15）とのしゃ断を可能と
する開閉機構（18b）が設けられている。そして、アウ
ト側ロードロック室（14）には反応作用する処理室（1
2）から予備室（15）へウエハ（１）の受け渡しを行な
う第２の搬送手段、例えばハンドリングアーム（17b）
が設けられている。尚、上記各ロードロック室（13），
（14）には図示しない真空排気機構例えばロータリーポ
ンプが接続され、さらに不活性ガス例えばN₂ガスを導入
可能な図示しないパージ機構が設けられている。

そして、上記処理室（12）は第２図で示すようにAl製
で表面アルマイト処理した内部が円筒状に形成されてい
る。この処理室（12）の下方には昇降機構（19）に連設
した電極体（20）が昇降自在に設けられこの昇降に対応
して材質例えばSUS製のベローズ（12a）により気密が保
たれている。この下部電極体（20）は例えばアルミニウ
ム製で表面にアルマイト処理を施してある平板状のもの
であり、半導体ウエハ（１）を保持する下部電極体（2
0）の上面はＲに形成されており、これは、中心部から
周縁部にかけて傾斜している。

また、下部電極体（20）と半導体ウエハ（１）載置面
間には、半導体ウエハ（１）とこの半導体ウエハ（１）
を保持する電極、即ち、下部電極体（20）間のインピー
ダンスを一様にする如く、合成高分子フィルム（21）例
えば厚さ20μｍ〜100μｍ程度の耐熱性ポリイミド系樹
脂が、下部電極体（20）の半導体ウエハ（１）載置面に
耐熱性アクリル樹脂系粘着剤で接着することにより設け
られている。

そして、また上記下部電極体（20）には鉛直方向に貫
通した例えば４箇所の貫通口（22）が形成され、この貫
通口（22）内には昇降自在なリフターピン（23）が設け
られている。このリフターピン（23）は、例えばSUS部
材で形成され、４本のリフターピン（23）が接続した板
（24）を昇降機構（25）の駆動により同期して昇降自在
となっている。この場合、上記板（24）は昇降機構（2
5）が駆動していないと、コイルスプリング（26）によ
り下方へ付勢されており、上記リフターピン（23）の先
端は下部電極体（20）表面より下降している。また、上
記貫通口（22）には冷却ガス流導管（27）が接続してお
り、この冷却ガス流導管（27）は上記半導体ウエハ
（１）周縁部に位置する下部電極体（20）表面に設けら
れた複数個例えば16個の開口（28）に連通している。こ
の開口（28）及び上記貫通口（22）から半導体ウエハ
（１）裏面に冷却ガス例えばヘリウムガスを供給自在な
如く、処理室（12）下部に冷却導入管（29）が設けら
れ、図示しない冷却ガス供給源に連設している。

また、上記下部電極体（20）に電力を印加する場合、
エッチング処理のユニフォミィティを向上させるため冷
却機構例えば下部電極体（20）内に流路（30）が設けら
れ、この流路（30）に接続した配管（31）に連設してい
る液冷装置（図示せず）により冷却液例えば不凍液と水
との混合水の循環による冷却手段が設けられている。

下部電極体（20）の側部から上記処理室（12）の内面
までの隙間に直径例えば5mmで所定の角度例えば10゜間
隔に均等配した36個の排気孔を備えた排気リングが処理
室（12）側壁に固定されており、この排気リング下方の
処理室（12）側壁に接続した排気管（34）を介して図示
しない排気装置例えばターボ分子ポンプとロータリーポ
ンプを連続的に接続したもの等により処理室（12）内部
の排気ガスを排気自在としている。この様な下部電極体
（20）に半導体ウエハ（１）を載置固定する為に下部電
極体（20）が上昇したとき、ウエハ（１）を抑える様に
クランプリング（35）が設けられている。そして、この
クランプリング（35）にウエハ（１）が当接しさらに電
極体（20）を上昇させたときこのクランプリング（35）
は所定の押圧力を保持しながら所定の高さ例えば5mm上
昇するごとく構成されている。

即ち、このクランプリング（35）は、処理室（12）の
上部にシールを保ちながら貫通した複数のシャフト例え
ば材質高純度のAl₂O₃を例えば、４本のエアシリンダー
（36）を介して遊設保持されている。

上記クランプリング（35）は上記半導体ウエハ（１）
の周縁部を下部電極体（20）のＲに形成した表面に当接
させる如く半導体ウエハ（１）の口径に適応させてい
る。このクランプリング（35）は、例えばアルミニウム
製で表面にアルマイト処理を施し、このアルマイト処理
により表面に絶縁性のアルミナの被覆を設けたものであ
る。

そして、下部電極体（20）と対向した処理室（12）の
上部には、この上部電極体（37）が設けられている。こ
の上部電極体（37）は導電性材質、例えばアルミニウム
製で表面にアルマイト処理を施したもので、この上部電
極体（37）には冷却手段が備えられている。この冷却手
段は、例えば上部電極体（37）内部に循環する流路（3
8）を形成し、この流路（38）に接続した配管（39）を
介して上記処理（12）外部に設けられた冷却装置（図示
せず）に連設し、液体例えば不凍液と水との混合水を所
定温度に制御して循環する構造となっている。このよう
な上部電極体（37）の下面には例えばアモルファスカー
ボン製上部電極（40）が、上記上部電極体（37）と電気
的接続状態で設けられている。この上部電極（40）と上
部電極体（37）との間には多少の空間（41）が形成さ
れ、この空間（41）にはガス供給管（42）が接続してお
り、このガス供給管（42）は上記処理室（12）外部のガ
ス供給源（図示せず）から図示しない流量調節器例えば
マス・フローコントローラを介して反応ガス例えばCHF₃
やCF₄等及びキャリアガス例えばArやHe等を上記空間（4
1）に供給自在としている。

またこの空間（41）には、ガスを均等に拡散する為に
複数の開孔を有するバッフル（43）が複数枚設けられて
いる。

そして、このバッフル（43）で拡散された反応ガス等
を上記上部電極（40）を介して処理室（12）内部へ流出
する如く、上部電極（40）には複数の孔（44）が形成さ
れている。この上部電極（40）及び上部電極体（37）の
周囲には絶縁リングが設けられており、この絶縁リング
（45）の下面から上記上部電極（40）下面周縁部に伸び
たシールドリング（46）が配設されている。このシール
ドリング（46）は、エッチング処理される被処理基板例
えば半導体ウエハ（１）とはぼ同じ口径にプラズマを発
生可能な如く、絶縁体例えば四弗化エチレン樹脂製で形
成されている。

上記上部電極体（37）と下部電極体（20）に高周波電
力を印加する如く高周波電源（47）が設けられている。

第１図に戻って説明すると上記予備室（15）には多関
節ロボット（９）側に開閉機構（15a）が設けられ、こ
の開閉で大気との圧力差によりウエハ（１）の舞い上り
等を防止する為に図示しない排気機構及び不活性ガス等
を導入するパージ機構が設けられ、またウエハ（１）を
受け渡しする為の図示しない載置台が昇降可能に設けら
れている。

そして、上記構成された各機構の動作設定及びウエハ
処理状態を監視するごとく操作部（第４図中６）が設け
られている。これら操作部（６）はマイクロコントロー
ラから成る図示しない制御部及びメモリー部及び入出力
部から構成され、ソフトウエア例えばＣ言語により構成
されている。

そして、上記したエッチング装置はスルーザウォール
に対応するごとく、メンテナンス用クリーンルームより
圧力の高いクリーンルーム側からメンテナンス用クリー
ンルーム側へ空気の流路が形成されるごとく成ってい
る。

本実施例の特徴は、上述したように第１図に戻って説
明する。

気密な第１処理室である処理室（12）と気密な第２処
理室である予備室（15）との間にアウト側ロードロック
室（14）を配置した構成にある。

即ち、上記アウト側ロードロック室（14）には上記処
理室（12）から被処理体、例えば半導体ウエハ（１）を
取出して予備室（15）に搬送可能に設けられている。

さらに、上記処理室（12）と、アウト側ロードロック
室（14）と遮断可能な開閉機構（18a）が設けられてい
る。

同様に、上記予備室（15）と、アウト側ロードロック
室（14）と遮断可能に開閉機構（18b）が設けられてい
る。

次に上述したエッチング装置の動作作用について説明
する。

まず、オペレータ又はロボットハンド等によりロード
用のカセット載置台（８）にウエハ25枚程度を収納した
ウエハカセット（７）を載置し、アンロード用のカセッ
ト載置台（８）に空のウエハカセット（７）を載置す
る。そして昇降機構によりウエハ（１）を上下動して所
定の位置に設置する。これと同時多関節ロボット（９）
をロード用ウエハカセット（７）側に移動設定する。そ
して、多関節ロボットのアーム（10）を所望のウエハ
（１）の下面に挿入する。そしてカセット載置台（８）
を所定量下降し、アーム（10）でウエハ（１）を真空吸
着する。

次にアーム（10）を挿出し、プイアライメント部
（４）のバキュームチャック（11）上に搬送し、載置す
る。

ここで、上記ウエハ（１）の中心合せとオリフラの位
置合せをする。この時すでにイン側のロードロック室
（13）には不活性ガス例えばN₂ガスを導入し加圧状態と
しておく。そして、N₂ガスを導入しながらイン側ロード
ロック（13）の開閉機構（16a）を開口し、ハンドリン
グアーム（17a）により位置合せされたウエハ（１）を
上記イン側ロードロック室へ搬送し、その後開口機構
（16a）を閉鎖する。そしてこのイン側ロードロック室
（13）内を所定の圧力例えば0.1〜2Torrに減圧する。こ
の時すでに処理室（12）も所定の圧力例えば１×10^-4To
rrに減圧されている。この状態でイン側ロードロック室
（13）の開閉機構（16b）を開口ハンドリングアーム（1
7a）でウエハ（１）を処理室（12）へ搬入する。この搬
入動作により、下部電極体（20）の貫通口（22）から昇
降機構（25）の駆動によりリフターピン（23）例えば12
mm/Sのスピードで上昇させる。この上昇により各リフタ
ーピン（23）の上端部でウエハ（１）を載置し停止状態
とする。

この後上記ハンドリングターム（17a）をイン側にロ
ードロック室（13）に収納し、開閉機構（16b）を閉鎖
する。そして処理室（12）内の下部電極体（20）を所定
量、例えば下部電極体（20）でウエハ（１）を載置する
ごとく昇降機構（19）の駆動により上昇する。さらに、
連続動作で下部電極体（20）を低速度で上昇し、クラン
プリング（35）に当接させ、さらに当接し、所定の押圧
力を保持しながら所定量例えば5mm上昇する。これによ
り下部電極体（20）と上部電極（40）とのギャップが所
定の間隔例えば６〜20mmに設定される。上記動作中排気
制御しておき、所望のガス流及び排気圧に設定されてい
るかを確認する。その後、処理室（12）内を２〜3Torr
に保つごとく排気制御しながら反応ガス例えばCHF₃ガス
100SCCMやCF₄ガス100SCCM及びキャリアガスHeガス1000S
CCMやArガス2000SCCM等をガス供給源からのガス供給管
（42）を介して上部電極体（37）の空間（41）に設けら
れたバッフル（43）により均等整流させ上部電極（40）
に設けられた複数の孔（44）から半導体ウエハ（１）へ
流出する。

同時に、高周波電源（47）により上部電極（40）と下
部電極体（20）との間に高周波数例えば13.56MHzの高周
波電力を印加して上記反応ガスをプラズマ化し、このプ
ラズマ化した反応ガスにより上記半導体ウエハ（１）の
エッチング例えば異方性エッチングを行なう。この時、
高周波電力の印加により上部電極（40）及び下部電極体
（20）が高温となる。上部電極（40）が高温となると当
然熱膨張が発生する。この場合、この上部電極（40）の
材質はアモルファスカーボン製でありこれと当接してい
る上部電極体（37）はアルミニウム製であるため、熱膨
光係数が異なりひび割れが発生する。このひび割れの発
生を防止するために上部電極体（37）内部に形成された
流路（38）に配管（39）を介して連設している冷却手段
（図示せず）から不凍液と水との混合水を流し、間接的
に上部電極（40）を冷却している。また、下部電極体
（20）が高温となっていくと、半導体ウエハ（１）の温
度も高温となるため、この半導体ウエハ（１）表面に形
成されているレジストパターンを破壊し、不良を発生さ
せてしまう恐れがある。そのため下部電極体（20）も上
部電極（40）と同様に、下部に形成された流路（30）に
配管（31）を介して連設している別系統の冷却装置（図
示せず）から不凍液と水との混合水等を流すことにより
冷却している。この冷却水は、上記半導体ウエハ（13）
を一定温度で処理するために例えば０〜60℃程度に制御
している。また、半導体ウエハ（１）もプラズマの熱エ
ネルギーにより加熱されるため、下部電極体（20）に形
成されている複数例えば周辺16箇所の開口（28）及び中
心付近４箇所の貫通口（22）から、冷却ガス流導管（2
7），冷却ガス導入管（29）を介して冷却ガス供給源
（図示せず）から冷却ガス例えばヘリウムガスを半導体
ウエハ（１）裏面へ供給して冷却している。この時、上
記開口（28）及び貫通口（22）は半導体ウエハ（１）の
設定により封止されている。しかし、実際には半導体ウ
エハ（１）と下部電極体（20）表面との間には微小な隙
間があり、この隙間に上記ヘリウムガスを供給して上記
半導体ウエハ（１）を冷却している。この様な状態を維
持しながら所定時間例えばエッチング処理を行なう。そ
してこの処理の終了に伴い処理室（12）の反応ガス等を
排気しながら、下部電極体（20）を下降し、リフターピ
ン（23）上にウエハ（１）を載置する。そしてアウト側
ロードロック（14）と処理室（12）の圧力を同程度に
し、開閉機構（18b）を開口する。次にアウト側ロード
ロック室（14）に設けられたハンドリングアーム（17
b）を処理室（12）内に挿入し、上記リフターピン（2
3）を降下し、ウエハ（１）をハンドリングアーム（17
b）に吸着載置する。そして、ハンドリングアーム（17
b）をアウト側ロードロック室（14）に収納し、開閉機
構（18a）を閉鎖する。この時すでに予備室（15）はア
ウト側ロードロック室（14）と同程度に減圧されてい
る。そして開閉機構（18b）を開口し、ハンドリングア
ーム（17b）によりウエハ（１）を予備室（15）内の図
示しない載置台へ収納する。そして開口機構（18b）を
閉鎖し、載置台を下降し予備室（15）の開閉機構（15
a）を開口する。

次に第３図で示すようにあらかじめ所定の位置に多関
節ロボット（９）を移動しておき、この多関節ロボット
（９）のアーム（10）を予備室（15）へ挿入し、アーム
上にウエハ（１）を吸着載置する。そして、アーム（1
0）を搬出し、予備室（15）の開閉機構（15a）を閉鎖す
ると同時に、多関節ロボット（９）を所定の位置に移動
しながら180゜回転し、空のカセット（７）の所定の位
置にウエハ（１）をアーム（10）により搬送収納する。

上記の様な一連の動作をカセット（７）に収納されて
いるウエハ（１）について行なう。

本実施例の効果は、第１処理室である処理室と第２処
理室である予備室をロードロック室でコ字形に形成した
ので、被処理体が収納されている収納部から搬出し、再
び収納部の他の収納庫に搬入可能となり、スルーザ・ウ
ォールに使用する場合に、上記収納部及び操作部のみを
クリーンルームに配置し気密な処理室はクリーンルーム
外に配置してクリーンルームを効率よく使用可能とな
る。さらに、第１のロードロック室、第１の処理室、第
２のロードロック室および第２の処理室からなる処理部
を平面視で略コ字状に配置することにより、装置全体の
小型化を図ることができると共に、処理室の側面からメ
ンテナンスができ、メンテナンスの容易化を図ることで
きる。さらに、第１のロードロック室と第２の処理室の
前面と平行に移動し、収納部とアライメント部および第
２の処理室との間で被処理体の搬送を行う第３の搬送手
段を設けることにより、第３の搬送機構の小型化と搬送
の迅速化を図ることができるという効果がある。また、
請求項２によれば、収納部および操作部をクリーンルー
ムに配置し、他の各部はクリーンルーム外に配置するこ
とにより、膨大な建設費を必要とするクリーンルームの
スペースを節約できるという効果がある。

〔発明の効果〕

第１処理室と、第２処理室との間にロードロックで連
結させ、このロードロック室の内部に被処理体を搬送さ
せているので、被処理体に大気の不純物が付着されず、
また、第１処理室及び第２処理室の真空圧調整が容易で
あり、処理時間の短い、高精度の処理を得ることが可能
になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明をエッチング装置に用いた一実施例の特
徴的構成を説明するための説明図、第２図は第１図のエ
ッチング装置の処理部を説明する説明図、第３図は第１
図のエッチング装置のアライメント部及び予備室から収
納部に搬送する動作を説明する説明図、第４図は本発明
をエッチング装置に用いて構成外観を説明する説明図で
ある。１……ウエハ、２……収納部３……搬送部、５……処理部６……操作部、７……ウエハカセット 13……イン側ロードロック室 14……アウト側ロードロック室 15……予備室 15a,16a,16b,18a,18b……開閉機構

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】未処理の被処理体および処理済の被処理体
を収納する収納部と、この収納部から搬出された前記被
処理体を位置合わせするアライメント部と、このアライ
メント部から前記被処理体を搬入する第１の搬送手段を
備えた第１のロードロック室と、この第１のロードロッ
ク室から前記第１の搬送手段で前記被処理体が搬入さ
れ、この被処理体に所定の処理を施す第１の処理室と、
この第１の処理室に隣接して設けられ、処理室内の前記
被処理体を搬出する第２の搬出手段を備えた第２のロー
ドロック室と、この第２のロードロック室に隣接して設
けられ、前記第２の搬送手段により前記被処理体が搬入
される第２の処理室と、前記各部の操作を行う操作部と
を具備し、前記収納部および操作部を装置本体の前部に配置すると
共に、前記第１のロードロック室、第１の処理室、第２
のロードロック室および第２の処理室からなる処理部を
平面視で略コ字状に配置し、かつ前記処理部の前部側に
位置する前記第１のロードロック室と前記第２の処理室
の前面と平行に移動し、前記収納部とアライメント部お
よび第２の処理室との間で被処理体の搬送を行う第３の
搬送手段を設けたことを特徴とする処理装置。
【請求項２】前記装置本体の前部側に配置した収納部お
よび操作部は、クリーンルームに配置し、他の各部はク
リーンルーム外に配置したことを特徴とする請求項１記
載の処理装置。