TWI422526B - 氯化氫之純化方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種純化氯化氫之方法。其更特別關於一種純化含有芳族有機化合物(特別是氯化芳族化合物)的氯化氫氣體之方法。其進一步關於一種純化氯化氫氣體所用裝置及一種使用以本發明純化方法所得氯化氫的乙烯氧氯化方法。
有許多工業化學方法都會產生作為副產物的氯化氫氣體(HCl)。於最常作業者之中,它們包括氯乙烯的製造,氯甲烷類和氯化溶劑(其分子中含有兩個碳原子)之製造,異氰酸酯之合成以及氟化烴類之合成。
這種大量產生的HCl,在要用其作為其他方法的原料時,便產生了純化問題。
因此,以氯乙烯之製造為例,其係為將乙烯予以氯化和氧氯化及將所形成的1,2-二氯乙烷(DCE)熱分解之合成方法,理論上若該方法為可逆時,會產生該方法所需量的HCl。不過,於實作中,仍需要從外部來源添加補充用的HCl。於合成期間,為了防止形成毒性產物及對乙烯氧氯化觸媒的有效性有害之有機化合物,使用事先純化過的補充用HCl是很重要的。例如,文件EP-A-774 450教示在氧氯化作用中多氯化二苯并戴奧辛(PCDD)和多氯化二苯并呋喃(PCDF)之形成可歸因於污染該等試劑的芳族化合物。
經由使用溶劑滌氣的純化HCl法業經述及。例如法國專利1417388概括地提及使用高沸點有機化合物滌氣以從HCl中汽提有機和無機物質(第4頁,左欄,第二段末尾);法國專利申請公開案第2 151 107號中提及(第2頁,第18至31行)一種使用高沸點全氯化烴滌氣以從氯化氫中萃取低沸點雜質之方法,且有強調其缺陷;日本專利申請公開案第02137704 A2號述及經由用五氯乙烷溶液滌氣而進行含有氯化烴的HCl之純化。所有此等純方法的共同缺點在於滌氣所用化合物轉而會污染HCl,且此化合物的棄置會產生與HCl仍然至少部份溶於該化合物的液相中有關的問題。
根據文件PL-B-162 910,其係在使用經冷卻到-25與-15℃之間的DCE噴灑之下,在一吸收器內從多種非芳族有機氯化合物的混合物中分離出HCl。
文件EP-A-0774 450提及可用來製造氯乙烯的數種〝外部〞
補充用HCl來源(第3頁,第14至21行)。於此等來源中,有述及有機異氰酸酯的製造。此文件也述及從要用在氧氯化法中的〝外部〞HCl中移除芳族化合物之數種方法(第3頁,最後5行到第4頁,第17行)。這些方法係利用包括冷凝步驟的分部蒸餾,以適用液體或固體進行吸附或吸收,以及催化性氫化和氧化反應,但此等方法全部都具有與下列有關的缺點:所用裝置的複雜性,需要將所用吸附劑或吸收劑再生,轉而填充要純化的HCl中所含雜質,或需要將所用的昂貴氫化觸媒或氧化觸媒予以再生。
文件EP-A-0 618 170揭示一種從有機胺與光氣之反應製造有機異氰酸酯中所產生的HCl取得純〝試劑級〞鹽酸之方法。出於不明的原因,此HCl常含有超過200ppb的鐵系雜質(EP-A-0 618 170,第2頁,第27至37行)。鐵可能催化副反應,如HCl對烯烴的加成作用,或經由芳族化合物的烷基化形成更重質的化合物。於此文件中所提出的移除此等雜質所用的複雜且昂貴的解決之道為將此HCl轉化為鹽酸,然後使該鹽酸接觸陰離子交換樹脂。
文件US-A-2004/0163411述及可更特別應用於在異氰酸酯製造期間所產生的HCl之純化方法。此HCl係被氯化芳族化合物諸如異氰酸酯合成介質中所含的氯苯和二氯苯所污染。此等化合物及其轉化產物在例如氯乙烯製造期間將乙烯催化性氧氯化為DCE的步驟中所用HCl中的存在,會損害此氧氯化步驟的進展,特別是將觸媒去活化,不論該觸媒床為流化床或固定床皆然。固定床也對會造成高度壓力降的降解或碳酸化產物之蓄積具敏感性。為了解決此點,可能需要中斷生產以更新所有或部份的觸媒裝載。在文件US-A-2004/0163411中所提出用於從HCl汽提氯化芳族化合物之解決方法係一種兩段式凝結法,其中將得自第二段的較冷凝結相回流到第一段。此法涉及包含需要高能量消耗的昂貴冷凍單元之複雜裝置。再者,此種汽提法的效率在凝結所達到的溫度下,會受到要移除的芳族化合物之蒸氣壓所限制。
本發明的目的為提供不具前述缺陷的純化氯化氫所用方法和裝置。
據此,本發明主要關於一種含有芳族有機化合物的氯化氫氣體之純化方法,其包含至少一個令該氯化氫接觸含有1,2-二氯乙烷的滌氣劑之步驟。
於本說明中,〝含1,2-二氯乙烷的滌氣劑〞或簡稱為〝滌氣劑〞者意指其中1,2-二氯乙烷(DCE)係以液態存在之組成物。
本發明方法通常係用來純化藉涉及芳族有機化合物的存在之合成方法而製出的HCl。就此來源而言,此HCl含有呈雜質形式的一或多種標準沸點通常高於100℃之芳族有機化合物,至少部份可溶於滌氣劑中或可與其混溶的化合物。較為理想的是,要純化的HCl為經由光氣與有機胺(通常為芳族胺且較佳為芳族二胺)反應製造有機異氰酸酯之中的副產物。於此特定情況中,該等雜質常為氯芳族化合物,典型地為氯苯和二氯苯,它們係在此製程中用為溶劑。
可用於本發明中的滌氣劑含有液態DCE。在該滌氣劑中,能夠溶解在要純化的HCl中所含雜質或與其形成液體混合物的其他化合物之存在絕非排除在本發明架構之外。不過,較佳為該滌氣劑含有至少50體積%的DCE,更佳者至少80體積%。於一特別理想的方式中,該滌氣劑係實質上由液態DCE所組成,更明確的情況為要純化的HCl係欲再用於將乙烯轉化為DCE的催化性氧氯化反應中。於此情況中,本發明方法的根本優點在於此DCE的存在完全不具干擾性,因為其為此氧氯化作用中所形成的主要化合物。
如上所述者,若要純化的HCl係為經由有機胺與光氣反應製造有機異氰酸酯中的副產物,則其通常也含有鐵系雜質(參見EP-A-0 618 170)。
通常,HCl含有金屬雜質。此等金屬雜質包括由設備腐蝕所致者,特別為以鐵、鎳和鉻為基底者。以液滴形式或被蒸氣壓夾帶的無機化合物,諸如氯化銨,也可能存在其中且干擾該方法的下游部份,因為它們常會促進堵塞。
出乎意料的是,本發明純化方法特別簡單且可有效地移除金屬雜質。較佳地,本發明純化方法特別簡單且可有效地移除鐵系雜質。
各種雜質可以液滴、固體粒子或氣體部份之狀態存在於HCl氣體中。
本發明方法係有利地在可與將要純化之HCl維持在氣態的狀況相容之任何壓力下實行。此壓力通常為在1與20巴之間,較佳者在5與15巴之間,更特別者約10巴。實施該方法的溫度可由諳於此技者容易地選擇以促進雜質在滌氣劑中的溶解及/或吸收並斟酌以雜質形式存在於要純化的HCl中的芳族有機化合物之蒸氣壓。此溫度通常是在-20與+50℃之間,較佳者在0與+35℃之間。接近室溫(約25℃)的溫度係特別較佳者。
滌氣劑及要純化的HCl之個別流速比不具關鍵性且可大幅地變異。其在實作中只受到將滌氣劑再生的成本所限制。通常,滌氣劑的流速係在相對於要純化的HCl的流速之0.5與50重量%之間,較佳者在1與20%之間,且特別者在2與10%之間。
本發明方法可用連續方法或批式方式進行。較佳者為連續方式。
本發明方法包括至少一個令HCl與滌氣劑接觸之步驟。較佳者,且於連續操作情況中,其依然係以兩步驟進行;其中一步驟包括該滌氣劑的迴路流動(循環)且另一步驟包括補充用新鮮滌氣劑之添加。於此情況中,新鮮滌氣劑的流速通常在要純化的HCl的流速之0.1與10重量%之間,較佳者在0.5與5%之間,且特別者約2.5%。
包含滌氣劑的液體混合物或溶液(下面稱為液份(f)),其中含有從要純化的HCl萃取到的雜質以及溶解於滌氣劑中或與該滌氣劑混合的部份HCl,可隨即用任何已知手段予以至少部份地處理以從其中分離出HCl,例如經由滌氣、中和、沈著、蒸餾、吸收、汽提等。
較佳為經由對全部或至少部份的液份(f)施以汽提操作而從含有雜質的滌氣劑中分離出HCl。較佳為只對部份的液份(f)汽提。為此目的,較有利的是將液份(f)分成一液體部份(f1)和一液體部份(f2)。此種分液操作可以使用任何已知的用於將液流分成兩道及用於調節所得流速之裝置來實施,諸如裝配有流速控制閥的三通管(tee)。於使用連續方式進行本發明純化方法之情況中,較有利的是將富含滌氣劑的液份(f1)回流到令HCl接觸滌氣劑之步驟。較有利的是對液份(f2)(也稱為〝沖洗流〞)施以上述之汽提操作,其中將此液份(f2)所含HCl(其可回流到與滌氣劑的接觸步驟)與基本上包含內含雜質的殘留滌氣劑之剩餘沖洗流分離。
在如前文所述其中汽提劑實質上由液態DCE所組成的特別理想的情況中,可以經由將此殘留沖洗流送到一單元中予以有利地利用,該單元於其第一種變異形式中,可以一或多個步驟進行由乙烯氧氯化步驟所得DCE(沖洗流可加入其中)的滌氣,中和及/或沈著。然後可以有利地將DCE脫水及蒸餾後付諸使用。於第二種變異形式中,可將殘留沖洗流直接送到蒸餾步驟,而在其使用之前不施以滌氧、中和、沈著及/或乾燥。不過,較佳為第一種變異形式。所得DCE可以用於任何目的,不過,較佳為予以熱解製成氯乙烯。
經由將液份(f)分流所得液體部份(f1)和(f2)之個別比例可以大幅地變異。液體部份(f2)的流速係經選擇成用以限制汽提操作所需的能量消耗及充分地汽提液體部份(f1)的雜質以確保HCl的適當純化。液體部份(f2)的流速通常在液份(f)流速的1與70重量%之間,較佳者在10與50重量%之間,更特別者在15與35重量%之間。
本發明的純化方法具有高效率。此方法可用以將芳族有機雜質的含量減低到低於100ppm,較佳者低於50ppm。於上述氯芳族化合物的情況中,本發明方法可以用來得到在HCl中不超過10ppm的殘留含量。至於金屬雜質,特別是上述鐵系雜質,本發明純化方法可用來將彼等的含量減低到低於5ppm,較佳者低於0.5ppm。於一特別理想的方式中,由於本發明方法,導致HCl中的金屬雜質殘留含量,特別是鐵,不超過200ppb。
本發明方法具有可避免經由將芳族化合物送到氧氯化反應而形成諸如PCDD和PCDF等毒性產物之優點。其亦具有防止無機元素沈積而堵塞之優點以及防止經由導入鐵系雜質引起對氧氯化的副反應之優點。
另一方面,本發明係關於純化HCl氣體所用之裝置。此裝置包括至少一個使要純化的HCl與上述定義的滌氣劑逆向流動之滌氣器,該滌氣器包括彼此上下配置的兩段。純化過的HCl氣體係從塔頂排出。於塔的底部,收集液份(f),其包含滌氣劑,從要純化的HCl萃取出之雜質(如上述所定義者)以及被滌氣劑溶解或混合的部份HCl。
於該包括兩段的滌氣器中,於第一段中係供給至少部份上述所定義的液份(f),其於此段的底部流出且以迴路方式回流。此液份(f)在其回流過程中,可以用為此目的所用的任何已知手段予以完全或部份處理以分離出含有從HCl萃取出的雜質之滌氣劑。此等手段可為上述對液份(f)的處理所提及者。該液份(f)較佳為係在一汽提器中至少部份地處理以從其中萃取雜質後,再回流到滌氣器第一段的頂部。
於該包括兩段的滌氣器中,較有利的是經配置在第一段上面的第二段係經供給新鮮滌氣劑。
該滌氣器可裝上任何已知類型的裝填材料,以促進要純化的氣態成份(HCl)與液體滌氣劑之間的交換。最常用的材料之說明載於例如Unit Operations II of Ullmann’s Encyclopedia of Industrial Chemistry,Fifth,Completely Revised Edition,published by VCH,1988的volume B3中第8-20及8-21頁第3.4,3.5和3.6段中。於該包括兩段的滌氣器中,由拉西(Raschig)環或貝爾(Berl)鞍所組成的裝填料業經發現係有利者,其中特別較佳者為在第一段中用貝爾鞍,因為在此段中常通過高液體流速之故。只接納補充用滌氣劑的第二段可裝填泡罩盤使液相與氣相有良好的接觸。
本發明最後係關於一種使用由本發明純化方法所得氯化氫將乙烯予以氧氯化為1,2-二氯乙烷之方法。
該氧氯化反應較有利的是在包含活性成分(包括沈積在惰性載體上的銅)的觸媒存在下實施。該惰性載體可有利地選自氧化鋁、氧化矽凝膠、混合氧化物、黏土及其他天然來源的載體。氧化鋁是一種較佳的惰性載體。
較佳的觸媒為包含至少兩種活性成分且其中之一為銅者。於諸活性成分中,除了銅之外,可提及者為鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬及由釕、銠、鈀、鋨、銥、鉑和金所組成的金屬群組。特別有利者為包含下列活性成分的觸媒:銅/鎂/鉀、銅/鎂/鈉、銅/鎂/鋰、銅/鎂/銫、銅/鎂/鈉/鋰、銅/鎂/鉀/鋰,以及銅/鎂/銫/鋰、銅/鎂/鈉/鉀、銅/鎂/鈉/銫與銅/鎂/鉀/銫。最特別理想者為在EP-A-255 156、EP-A-494 474、EP-A-657 212和EP-A-657 213中所述的觸媒,這些專利申請案內容都以引用方式納入本文。
以金屬形式計算的銅含量,有利地係在30與90克/仟克觸媒之間,較佳者在40與80克/仟克觸媒之間,且於一特別較佳方式中,在50與70克/仟克觸媒之間。
以金屬形式計算的鎂含量有利地係在10與30克/仟克觸媒之間,較佳者在12與25克/仟克觸媒之間,且於一特別較佳形式中,在15與20克/仟克觸媒之間。
以金屬形式計算的鹼金屬含量有利地係在0.1與30克/仟克觸媒之間,較佳者在0.5與20克/仟克觸媒之間,且於一特別較佳方式中,在1與15克/仟克觸媒之間。
Cu:Mg:鹼金屬原子比有利地為1:0.1-2:0.05-2,較佳者為1:0.2-1.5:0.1-1.5,且於一特別較佳方式中為1:0.5-1:0.15-1。
特別有利的觸媒為具有根據B.E.T.法用氮氣測量所得比表面積有利地在25平方米/克與300平方米/克之間,較佳者在50與200平方米/克之間且於一特別較佳方式中在75與175平方米/克之間者。
該觸媒可用在固定床或流化床中。其中第二種選擇係較佳者。氧氯化程序有利地係在常建議用於此反應的條件範圍下使用。其溫度有利地係在150與300℃之間,較佳者在200與275℃之間且最佳者在215至255℃之間。其壓力有利地係大於大氣壓力。在2與10絕對巴之間的值可給出良好結果。較佳者為在4與7絕對巴之間的範圍。此壓力常可調整以得到在反應器內的最優滯留時間及對多種操作速度維持固定通過速率。常用的滯留時間為從1至60秒且較佳者為從10至40秒。
此氧氯化反應所用的氧氣來源可為空氣、純氧或彼等的混合物,較佳為純氧。較佳為後者溶液,其可促成未轉化試劑的容易回流。
該等試劑可用任何已知裝置導入床內。通常為了安全理由,有利的是將氧氣與其他試劑分開地導入。這些方式也需要將離開反應器或回流到其中的氣體混合物維持在所考慮到的壓力和溫度下之可燃性限值之外。較佳為維持一種所謂的富混合物(rich mixture),亦即含有相對於會點燃燃料而言為太少的氧者。於此方面,氫的大量存在(>2體積%,較佳者>5體積%)是不利的,因為其具有廣範圍的可燃性。
所用的氯化氫(HCl)/氧比例有利地係在3與6莫耳/莫耳之間。乙烯/氯化氫比例有利地係在0.4與0.6莫耳/莫耳之間。
經由乙烯的氧氯化所得DCE可隨後經熱解成為氯乙烯,該氯乙烯可隨後經聚合成為聚氯乙烯。
視將參照本說明部份後面所附圖式來閘明本發明純化方法和裝置。此圖式為後附圖1,其示意地顯示本發明各方面的實際具體實例。根據此具體實例,由異氰酸酯製造單元所發出的HCl氣體含有基本上由250ppm比例的單氯苯與10ppm比例的鐵所組成的雜質。滌氣劑係由DCE所組成。經純化的HCl係送到乙烯的氧氯化單元。
要純化的HCl係通過管線4導入滌氣器1的段2之中,該處的溫度為25℃且壓力為10巴。新鮮DCE(補充所需者,因為透過純化過的HCl被DCE蒸氣壓夾帶到乙烯氧氯化單元及透過沖洗系統移除DCE所致(詳參下文))係通過管線5以要純化的HCl的流速之約2.5重量%的流速導入滌氣器1的段3之中。滌氣器1的段2裝填著貝爾鞍。滌氣器1的段3裝著泡罩盤。將包含含有從要純化的HCl萃取出的溶解雜質的DCE和部份HCl的液體部份(f)從塔1底部通過管線6排出且通過泵7和管線8以要純化的HCl的流速之約7重量%的流速以迴路方式回流到段2的頂部。用於沖洗經單氯苯和鐵所污染的DCE之系統包括一汽提和分離塔10,其中通過管線9,由液份(f)旁通供給液體部份(f2)於其中。該液體部份(f2)的流速為所旁通的液份(f)的流速之25重量%。該汽提塔將大部份的溶解HCl通過管線12送到滌氣器1。通過管線11取出的殘留沖洗流基本上含有內含單氯苯和鐵的DCE。其流速只有要純化的HCl的流速之0.2重量%且其可用緊接氧氯化反應器之後的滌氣、中和及/或沈著系統與在氧氯化反應器中合成DCE的同時容易地予以處理。之後,可將該DCE乾燥與蒸餾後付諸使用。純化過的HCl氣體係通過管線13離開塔1且送到乙烯氧氯化單元。
由於此裝置,在通過管線13離開塔1的液體部份中,HCl的單氯苯含量已從250ppm減低到低於10ppm。無機污染也有減低:氣相的鐵含量從10ppm減低到低於200ppb。因此,此操作可以有效地純化HCl,從其中移除氯苯和鐵,不論後者係以固體粒子,液滴或氣體部份之形式存在皆可。如此可獲得可以沒有問題地用於乙烯氧氯化步驟中之產物。
1...滌氣器
2...裝填貝爾鞍填料的滌氣器1的一段
3...裝有泡罩盤的滌氣器1的一段
7...泵
10...滌氣與分離塔
4,5,6,8,9,11,12,13...管線
圖1示意地顯示本發明各方面的實際具體實例。
1...滌氣器
2...裝填貝爾鞍填料的滌氣器1的一段
3...裝有泡罩盤的滌氣器1的一段
7...泵
10...滌氣與分離塔
4,5,6,8,9,11,12,13...管線
Claims (11)
- 一種含有芳族有機化合物的氯化氫氣體之純化方法,該芳族有機化合物為氯芳族化合物,該方法包括至少一個令該氯化氫與含有1,2-二氯乙烷的滌氣劑接觸之步驟。
- 根據申請專利範圍第1項的方法,其中該氯化氫為經由令光氣與有機胺反應以製造有機異氰酸酯之中的副產物。
- 根據申請專利範圍第1項的方法,其中該氯化氫也含有金屬雜質。
- 根據申請專利範圍第1項的方法,其中該滌氣劑包含至少50體積%的1,2-二氯乙烷。
- 根據申請專利範圍第1項的方法,其中該滌氣劑包含至少80體積%的1,2-二氯乙烷。
- 根據申請專利範圍第1項的方法,其中該滌氣劑實質上由液態的1,2-二氯乙烷所組成。
- 根據申請專利範圍第1項的方法,其中該接觸滌氣劑的步驟係在-20與+50℃之間的溫度下進行。
- 根據申請專利範圍第1項的方法,其中該接觸滌氣劑的步驟係在1與20巴之間的壓力下進行。
- 根據申請專利範圍第1項的方法,其中該滌氣劑的流速係在要純化的HCl的流速之0.5與50重量%之間。
- 根據申請專利範圍第1項的方法,其中該氯化氫係欲用於乙烯的氧氯化反應中。
- 一種用於純化氯化氫氣體之裝置,其包含使該要純化的氯化氫與含有1,2-二氯乙烷的滌氣劑呈逆向流動的至少一個滌氣器,該滌氣器包括彼此上下配置的兩段,配置在第一段上面的第二段係經供給新鮮滌氣劑,且該第一段係經供給該滌氣劑的至少部分迴路流動(循環),該兩段皆配有不同類型的裝填材料。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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