TWI422301B - Wiring board - Google Patents

Description

配線基板 發明領域

本發明係有關於一種可廣泛使用於電腦、移動體通信用電話機、電視攝影機等之各種電子機器之配線基板。

發明背景

最近、行動裝置商品如個人電腦、數位相機、携帯電話等漸趨普及，特別是對於其小型化、薄型、輕量、高精細、多機能化等要求與期望也變大。為了對應於此一情況，半導體元件中，也進行攜帶之小型、小體積化，以及以三次元立體安裝。可容易實現此種封裝之小體積化、三次元之安裝化之方法之一，已知的是使用模穴基板之方法。

第15圖係記載於專利文獻1或專利文獻2之習知之配線基板27之截面圖。以連接層21為中間，將電極或窗對位後，將下側子配線基板22與上側子配線基板23疊合。然後，將下側子配線基板22與上側子配線基板23加熱壓著，形成具有供電子零件埋入之凹洞之配線基板27。連接層21係由如熱硬化性樹脂與無機填料的混合物構成。

習知之配線基板27中，在一面將子配線基板22、23與連接層21加熱加壓一面進行積層之程序中，連接層21內所含之熱硬化性樹脂的黏度變低，熱硬化性樹脂流動，一般會流出到基板之外部。此時，由於連接層21之無機填料也會與熱硬化性樹脂共同流出，因此無機填料之粒子會由連 接層21層露出。露出之無機填料之粒子會成為垃圾或異物附著殘留於基板27之表面。殘留之粒子會有在基板27形成後脫落而汙染基板27之表面之情況。

又，由於無機填料本身不具有接著力，因此無機填料之粒子流動到連接層21之端面附近時，子配線基板22、23與連接層21無法完全接著，容易發生由子配線基板22、23之連接層21剝離或裂開。

又，無機填料由連接層21流出時，連接層21之端面變薄，連接層21之表面成為曲面。由於上側子配線基板23係在沿著連接層21之表面彎曲之狀態下與連接層21接合，因此上側子配線基板23經常具有由連接層21剝離之方向之內部應力。由於該內部應力，降低連接層21與上側子配線基板23之密著強度。

含有熱硬化性樹脂之連接層21會因為溫度上昇而熔融硬化，且與子配線基板22、23密著。在連接層21與子配線基板22、23密著時之溫度，應力為零。然後，連接層21當子配線基板22、23冷卻時，連接層21與子配線基板22、23之熱收縮量不同，因此內部應力施加於連接層21與子配線基板22、23。由於該應力，完成後之配線基板27中會發生翹曲之情況。

配線基板可高密度地安裝LSI等半導體元件、具有多層構造且便宜之要求與期望也為之增加。在具有此種多層構造之配線基板中，設置於不同層且以微細之間隔形成之複數配線圖案之間需要以高連接信賴性來進行電氣連接。

此種微細之層間連接，係使用記載於專利文獻3或專利文獻4之內通路孔(IVH)構造，取代具有設有金屬鍍敷導體之內壁之通孔。

第16A圖係具有IVH構造之習知之配線基板501之截面圖。配線基板501具有：具有貫通孔503之絕緣基板502、由填充於貫通孔503之導電性糊構成之通孔導體504、及設置於絕緣基板502之兩面之配線圖案505。通孔導體504係連接兩面之配線圖案505。該構造中，可在連接零件之基底之正下方設置通孔導體504，因此可實現配線基板501之小型化或零件之高密度安裝。

第16B圖係經加壓之習知配線基板501之截面圖。當貫通孔503填充導電性糊且對配線基板501加壓時，貫通孔503之徑在絕緣基板502之兩表面附近會變大，且經填充之導電性糊在絕緣基板502之兩表面流動散開，通孔導體504會變形。由於導電性糊流動，因此通孔導體504對配線圖案505之連接安定性降低。由於通孔導體504如此的變形，因此在絕緣基板502之兩面之通孔導體504之徑會變寬，難以形成微細之通孔導體504。藉此，變得無法微細且高密度配置配線圖案505。

【專利文獻1】日本專利公開公報特開2004-253774號公報

【專利文獻2】日本專利公開公報特開2001-244368號公報

【專利文獻3】日本專利公開公報特開平6-268345號 公報

【專利文獻4】日本專利公開公報特開2002-208763號公報

發明概要

一種配線基板，包含有：下側子配線基板、設置於前述下側子配線基板上之連接層、及設置於連接層上之上側子配線基板。下側子配線基板具有：具有上面之第1基材層、及設置於前述第1基材層上面之第1配線圖案。上側子配線基板具有：具有下面之第2基材層、及設置於前述第2基材層之下面之第2配線圖案。連接層具有：絕緣層，係具有位於前述第1基材層之前述上面上之下面、及位於前述第2基材層之前述下面上之上面者；通孔導體，係貫通前述絕緣層且連接於前述第1配線圖案與前述第2配線圖案者。前述上側子配線基板與前述連接層係使前述下側子配線基板之前述上面之一部分露出。前述絕緣層含有：熱硬化性樹脂、分散於前述熱硬化性樹脂之無機填料、及分散於前述熱硬化性樹脂之彈性體。

該配線基板中，可高密度以通孔導體連接子配線基板間。

圖式簡單說明

第1A圖係本發明之實施形態1之配線基板之立體圖。

第1B圖係實施形態1之配線基板之立體圖。

第1C圖係實施形態1之配線基板之連接層之截面圖。

第2A圖係第1B圖所示之線2A-2A之配線基板之截面圖。

第2B圖係實施形態1之其他配線基板之截面圖。

第3A圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第3B圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第3C圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第3D圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第4A圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第4B圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第4C圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第5A圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第5B圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第6A圖係顯示實施形態1之更進一步其他配線基板之製造方法之截面圖。

第6B圖係顯示實施形態1之更進一步其他配線基板之 製造方法之截面圖。

第7圖係顯示實施形態1之配線基板之連接層之熔融黏度。

第8圖係顯示實施形態1之配線基板之子配線基板之其他基材層之截面圖。

第9A圖係顯示實施形態1之更進一步其他配線基板之截面圖。

第9B圖係第9A圖所示之配線基板之截面圖。

第9C圖係實施形態1之更進一步其他配線基板之截面圖。

第9D圖係實施形態1之更進一步其他配線基板之截面圖。

第10圖係本發明之實施形態2之配線基板之截面圖。

第11A圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第11B圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第11C圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第11D圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第11E圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第11F圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截 面圖。

第11G圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第12圖係顯示實施形態2之配線基板之連接層之熔融黏度。

第13圖係實施形態2之配線基板之截面圖。

第14圖係實施形態2之配線基板之截面圖。

第15圖係習知之配線基板之截面圖。

第16A圖係其他習知之配線基板之截面圖。

第16B圖係第16A圖所示之配線基板之截面圖。

較佳實施例之詳細說明 (實施之形態1)

第1A圖與第1B圖係本發明之實施形態1中具有配線基板1001之組件1002之立體圖。配線基板1001具有：下側子配線基板2、設置於下側子配線基板2之上面92A上之連接層3、及設置於連接層3之上面3A上之上側子配線基板1。即，連接層3之下面3B係位於下側子配線基板2之上面92A上，上側子配線基板1之下面1B位於連接層3之上面3A上。上側子配線基板1與下側子配線基板2係由玻璃織布與環氧系樹脂之複合材等絕緣材構成。上側子配線基板1之下面1B與下側子配線基板2之上面92A設置有配線圖案。連接層3在上側子配線基板1之下面1B上具有均一厚度，該厚度為30~300 μm。上側子配線基板1與下側子配線基板2具有互異之形 狀。即，位於上側子配線基板1之下面1B上之連接層3設置於上面92A，露出下側子配線基板2之上面92A之部分2C。下側子配線基板2之上面92A之部分2C之正上方形成有凹部4，凹部4由下側子配線基板2之上面92A之部分2C與上面92A之部分2C與連接層3之外周端面3C與上側子配線基板1之側端面1C所圍成。如第1B圖所示，組件1002由配線基板1001、與安裝於配線基板1001之下側子配線基板2之上面92A之部分2C上之零件5構成。由於凹部4內安裝零件5，因此組件1002可變薄。

第1C圖係連接層3之截面圖。連接層3具有：具有上面3A與下面3B之絕緣層33、及設置於絕緣層33內之通孔導體7。絕緣層33包含：環氧樹脂等之熱硬化性樹脂33A、及分散於熱硬化性樹脂之粒子之無機填料33B。絕緣層33形成有聯繫上面3A與下面3B之貫通孔33C，通孔導體7係由填充於貫通孔33C之導電性糊6。

連接層3中之無機填料宜由二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇內之至少一種所構成。無機填料之粒徑為1 μm~15 μm。無機填料之含有率為70重量%~90重量%。當無機填料之含有量小於70%時，絕緣層33內，無機填料係粗略分布於熱硬化性樹脂，熱硬化性樹脂在壓製中流動時，無機填料也會流動。當無機填料之含有量超過90%時，熱硬化樹脂的量會變得過少，設置於上側子配線基板1之下面1B或下側子配線基板2之上面92A之配線圖案變得難以埋入，又，由於連接層3變得難以密著於子配線基板1、2而不適合。

形成通孔導體7之導電性糊6係由銅、銀、金、鈀、鉍、錫及該等之合金中之一構成，粒徑宜為1 μm~20 μm。

第2A圖係第1B圖所示之線2A-2A之配線基板1001之截面圖。上側子配線基板1具有：具有上面1A與下面1B之基材層111、及設置於基材層111之下面1B之配線圖案110。下側子配線基板2具有：具有上面92A與下面2B之基材層222、設置於基材層222上面92A之配線圖案10。聯繫連接層3之(絕緣層33)上面3A與下面3B之通孔導體7(導電性糊6)係連接於配線圖案110與配線圖案10。連接層3具有設置於外周端面3C且由連接層3露出之填角層12。來自外周端面3C之填角層12的寬度為10 μn~100 μm。填角層12僅由形成絕緣層33之熱硬化性樹脂與無機填料中之熱硬化性樹脂構成，不含有無機填料。藉此，無機填料之粒子不會由連接層3流出，可防止無機填料之粒子附著或殘留或脫落於配線基板1001上，特別是凹部4。

藉由不含有無機填料而僅由熱硬化樹脂構成之填角層12，可將連接層3強力接著於上側子配線基板1與下側子配線基板2，並可防止連接層3與上側子配線基板1及連接層3與下側子配線基板2之間的剝離或裂開。

又，含有絕緣層33與填角層12之連接層3全體具有實質上均一之厚度，特別是填角層12較上側子配線基板1突出。連接層3之外周端面3C之填角層12係僅由樹脂構成而不含有無機填料，因此無機填料不會由外周端面3C流出，在外周端面3C附近，連接層3不會變薄，而連接層3具有實質上 均一之厚度。藉此，上側子配線基板1不會彎曲也不會產生應力，因此不會由連接層3剝落。

第2B圖係實施形態1之其他配線基板1101之立體圖。第2B圖中，與第2A圖所示之配線基板1001相同之部分則賦與相同參照編號，並省略其說明。又，包含絕緣層33與填角層12之連接層3全體實質上具有均一之厚度，特別是填角層12較上側子配線基板1突出。連接層3之外周端面3C之填角層12係僅由樹脂構成而不含有無機填料，因此無機填料不會由外周端面3C流出，在端面3C附近連接層3不會變薄，且連接層3具有實質上均一之厚度。藉此，由於上側子配線基板1不會彎曲而不會受到應力，因此不會由連接層3剝落。

其次，說明配線基板1001之製造方法。第3A圖～第3D圖、第4A圖～第4C圖、第5A圖、第5B圖係顯示配線基板1001之製造方法之截面圖。

首先，如第3A圖所示，將由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等之樹脂構成之離型性膜8A、8B分別貼附於連接層3之絕緣層33之上面3A與下面3B。其次如第3B圖所示，將絕緣層33切斷成上側子配線基板1之形狀，並且在使上側子配線基板1與下側子配線基板2之配線連接之位置形成貫通孔9 (33C)。其次，如第3C圖所示，於貫通孔9內填充含有銅或銅合金之導電性糊6，形成通孔導體7。其次如第3D圖所示，爲了使連接層3接著於下側子配線基板2，在離型性膜8A貼合於絕緣層33之上面3A之狀態下，由絕緣層33剝離離型性膜8B。又，爲了使連接層3接著於上側子配線基板1， 亦可在使離型性膜8B貼合於絕緣層33之下面3B之狀態下，由絕緣層33剝離離型性膜8A。同時剝離離型性膜8A、8B時，由於未硬化狀態之連接層3容易破碎，因此難以處理。

其次如第4A圖所示，將連接層3配置於下側子配線基板2之上面92A之預定位置，如第4B圖所示，將導電性糊6加熱加壓且積層於形成於下側子配線基板2之上面92A上之配線圖案10上。此時，配線圖案10埋入連接層3(絕緣層33)之下面3B。藉此，由於可更壓縮導電性糊6，因此可更確實地連接於配線圖案10。然後，如第4C圖所示，將設置於連接層3之絕緣層33之上面3A之離型性膜8A由上面3A剝離。此時，導電性糊6僅由上面3A突出離型性膜8A之厚度份量之高度。

其次，如第5A圖所示，將上側子配線基板1配置於連接層3之上面3A上，並如第5B圖所示，將導電性糊6加熱加壓於設置於上側子配線基板1之下面1B之配線圖案110上，並且將上側子配線基板1積層於連接層3之上面3A上。此時，配線圖案110埋入連接層3(絕緣層33)之上面3A。藉此，由於更壓縮導電性糊6，因此可更確實地連接配線圖案110。藉由此時之加熱加壓，連接層3之絕緣層33流動。由於含有70~90重量%之高密度無機填料，因此在絕緣層33中無機填料不流動而僅有熱硬化性樹脂流動，因此形成有不含有無機填料僅含有熱硬化性樹脂之填角層12。如此完成配線基板13。

僅由樹脂所構成之填角層12以實質上均一之厚度形成 於連接層3之端面，藉此可提高上側子配線基板1、下側子配線基板2、與連接層3之接著性，故可防止在各層間發生裂開或剝離。本發明中之填角層12之寬度為10~100 μm，厚度係與連接層3連續且實質上呈均一。

如2A圖所示，連接層3之絕緣層33或填角層12係具有實質上相同且均一之厚度，因此填角層12亦可由上側子配線基板1突出。藉此，可防止上側子配線基板1彎曲。實施形態1中，填角層12之寬度為10~100 μm。

第6A圖係實施形態1之更進一步其他配線基板1003之截面圖。與第2A圖所示之配線基板1001相同之部分賦與相同參考標號，並省略其說明。配線基板1003於第2A圖所示之配線基板1001，更具有絕緣性乾式膜狀且厚度為5 μm~30 μm之絕緣性覆膜11。絕緣性覆膜11覆蓋上側子配線基板1之上面1A與側端面1C、下側子配線基板2之上面92A、連接層3之外周端面3C。絕緣性覆膜11亦可含有防靜電劑。

第6B圖係實施形態1之更進一步其他配線基板1201之截面圖。與第2A圖所示之配線基板1001相同之部分賦與相同參考標號，並省略其說明。配線基板1201於第2B圖所示之配線基板1101更具有絕緣性乾式膜狀且厚度為5 μm~30 μm之絕緣性覆膜11。絕緣性覆膜11覆蓋上側子配線基板1之上面1A與側端面1C、下側子配線基板2之上面92A、連接層3之外周端面3C。絕緣性覆膜11亦可含有防靜電劑。

有時候會由上側子配線基板1之上面1A與側端面1C、下側子配線基板2之上面92A、連接層3之外周端面3C(填 角層12)掉出無機填料之粉末或基材層之材料之粉末等殘屑。不具有凹部之平滑配線基板中，可以使用清除殘屑用黏著輥子輕易地除去殘屑。一般而言，在具有凹部之配線基板中，在凹部之角落部分容易堆積殘屑，且在凹部之角落部分難以使用黏著輥子除去殘屑。配線基板1003中，覆蓋上側子配線基板1之上面1A與側端面1C、下側子配線基板2之上面92A、連接層3之外周端面3C之絕緣性覆膜11可防止殘屑進入凹部4內。當絕緣性覆膜11之厚度小於5 μm時，在絕緣性覆膜11容易產生小孔，因此無法完全覆蓋上側子配線基板1之上面1A與側端面1C、下側子配線基板2之上面92A、連接層3之外周端面3C(填角層12)。當絕緣性覆膜11之厚度超過30 μm時，則難以沿著配線基板1003之形狀形成絕緣性覆膜11。

配線基板1001、1003亦可使用樹脂覆蓋上側子配線基板1及下側子配線基板2之兩方。藉此，可防止殘屑附著於配線基板1001、1003。

連接層3之絕緣層33在玻璃態化溫度以下之溫度時之熱膨脹係數為4ppm/℃~65ppm/℃、或者在4ppm/℃以上，宜低於上側子配線基板1(基材層111)及下側子配線基板2(基材層222)之熱膨脹係數。

絕緣層33之熱膨脹係數小於4ppm/℃時，由於小於二氧化矽等之半導體等之零件5的熱膨脹係數因而不適合。絕緣層33之熱膨脹係數超過65ppm/℃時，或者超過上側子配線基板1及下側子配線基板2之熱膨脹係數時，由於連接層3 變形，因此配線基板1001、1003容易發生翹曲或變形，故不適合。

連接層3之絕緣層33之藉由動態機械分析(DynAmic Mechanical Analysis: DMA)法所測定之玻璃態化溫度宜在185℃以上或高出上側子配線基板1及下側子配線基板2之玻璃態化溫度10℃以上。當絕緣層33之玻璃態化溫度小於185℃或差小於10℃時，由於在導電性糊6開始硬化且可維持形狀之前，積層時絕緣層33容易熔融，該導電性糊6容易變形故不適合。

又，連接層3之絕緣層33不含有織布、不織布、膜等之芯材。即，絕緣層33之面3A與面3B之間由熱硬化性樹脂33A、與分散於熱硬化性樹脂33A之無機填料33B構成，因此實質上係均一的。當絕緣層33含有芯材時，子配線基板1、2之配線圖案10、110難以埋入連接層3之絕緣層33之面3A、3B，因此不適合。

第7圖係顯示連接層3之絕緣層33之熔融黏度與溫度之關係。如第7圖所示，絕緣層33會因為溫度而熔融，改變黏度，在某個溫度下成為最低熔融黏度。絕緣層33之最低熔融黏度適宜在1000PA‧s~100000PA‧s。當最低熔融黏度小於1000PA‧s時，絕緣層33之熱硬化性樹脂會大幅流動，而有流入凹部4內之虞。當最低熔融黏度超過100000PA‧s時，恐有絕緣層33與子配線基板1、2之接著不良或配線圖案10、110無法完全埋入絕緣層33之面3A、3B而產生不良之虞，故不適當。

又，連接層3之絕緣層33亦可含有著色劑。藉此，提高安裝性、光反射性。

亦可使用熔融溫度低於絕緣層33之熔融溫度之離型薄片沿著基板2之上面92A之形狀來加以覆蓋。藉此，在加壓時可抑制連接層3之絕緣層33之熱硬化性樹脂之流動，即，可防止該熱硬化性樹脂流入凹部4內。

又，連接層3之絕緣層33更可含有分散有熱硬化性樹脂之彈性體。彈性體可在無機填料之表面離析，使無機填料難以流動。

彈性體係由丙烯酸系彈性體、熱可塑性彈性體之任一者構成。具體而言，彈性體係使用如聚丁二烯或丁二烯系無規共聚橡膠或具有硬段與軟段之共聚物。彈性體之含有量相對於絕緣層33之全量宜含有0.2重量%~5.0重量%，較佳者為0.5重量%~4.5重量%。

藉由連接層3之絕緣層33含有：熱硬化性樹脂、分散於熱硬化性樹脂之無機填料、分散於熱硬化性樹脂之彈性體，可使無機填料難以流動。無機填料之熱膨脹係數為熱硬化性樹脂之1/10左右，相較於熱硬化性樹脂難以熱膨脹，因此將連接層3積層於子配線基板1、2時，可縮小連接層3因溫度上昇而造成之尺寸變動。子配線基板1、2在高溫時藉由壓製壓力限制形狀並在維持內部應力之狀態下密著於連接層3。然後，子配線基板1、2會回到常溫，在形成配線基板15時，解放其內部應力，降低翹曲。

上側子配線基板1及下側子配線基板2係通路孔配線基 板或全層內通路孔(IVH)構造之配線基板等之樹脂基板，可為兩面基板，亦可為多層基板。又，複數之子配線基板與複數之連接層3亦可交互積層。

上側子配線基板1及下側子配線基板2之絕緣性之基材層111、222係由玻璃織布與環氧系樹脂之複合材所構成。實施形態1之上側子配線基板1及下側子配線基板2亦可由織布與熱硬化性樹脂之複合材形成，前述織布可由選自於醯胺與全芳香族聚酯之有機質纖維、及選自於玻璃纖維與氧化鋁纖維之無機質纖維之任一者所構成。又，子配線基板1、2亦可由不織布與熱硬化性樹脂之複合材所形成，不織布係由選自於p-聚苯醯胺、醯亞胺與聚-p-伸苯基苯并二唑、全芳香族聚酯、聚四氟乙烯(PTFE)與聚醚碸與聚醚醯亞胺之有機質纖維、及選自於玻璃纖維與氧化鋁纖維之無機質纖維任一者。第8圖係子配線基板1、2之其他基材層333之立體圖。基材層333係由具有合成樹脂膜91與設置於合成樹脂膜之兩面之熱硬化性樹脂層92之複合材所形成，且合成樹脂膜91係p-聚苯醯胺、聚-p-伸苯基苯并二唑、全芳香族聚酯、聚醚醯亞胺、聚醚酮、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸乙二酯、聚四氟乙烯、聚醚碸、聚對苯二甲酸酯、聚醯亞胺、及聚苯硫醚之至少其中一者。

熱硬化性樹脂層92係由選自於環氧樹脂、聚丁二烯樹脂、苯酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、及氰酸鹽樹脂之至少一種熱硬化性樹脂所構成。

第9A圖係實施形態1之更進一步其他之配線基板1004 之立體圖。第9B圖係配線基板1004之立體圖。與第1圖所示之配線基板1001相同之部分賦與相同參考標號，並省略其說明。第1圖所示之配線基板1001中，上側子配線基板1之外側形狀小於下側子配線基板2。第9A圖與第9B圖所示之配線基板1004中，上側子配線基板1之外側形狀與下側子配線基板2相同，且形成於下側子配線基板2之上面92A露出之部分2C之上方之凹部4的全周由上側子配線基板1所包圍。設置於連接層3之端面之填角層12包圍上面92A之部分2C，並可防止連接層3之無機填料流出到凹部4。

第9C圖係實施形態1之更進一步其他之配線基板1301之截面圖。與第9A圖及第9B圖所示之配線基板1004相同之部分則賦與相同參考標號，並省略其說明。第9C圖所示之配線基板1301中，上側子配線基板1之外側之狀與下側子配線基板2相同，且形成於下側子配線基板2之上面92A之露出部分2C之上方之凹部4的全周由上側子配線基板1所包圍。設置於連接層3之端面之填角層12係由上側子配線基板1之側端面突出。填角層12包圍上面92A之部分2C，可防止連接層3之無機填料流出到凹部4。

第9D圖係實施形態1之更進一步其他之配線基板1401之截面圖。與第9A圖及第9B圖所示之配線基板1004相同之部分則賦與相同參考標號，並省略其說明。第9D圖所示之配線基板1401中，上側子配線基板1之外側形狀與下側子配線基板2相同，形成於下側子配線基板2之上面92A之露出部分2C之上方之凹部4的全周由上側子配線基板1所包圍。配 線基板1401中，在連接層3之端面未設有填角層12，但與實施形態1之上述配線基板同樣可達到連接層3具有之效果。

(實施形態2)

第10圖係本發明之實施形態2中配線基板201之截面圖。配線基板201具有：具有上面202A與下面202B之絕緣層202、及露出於上面202A與下面202B且設置於絕緣層202內之通孔導體205。絕緣層202形成有連繫上面202A與下面202B之貫通孔203。通孔導體205係由填充於貫通孔203之導電性糊204構成。絕緣層202之面202A、202B上形成有連接於通孔導體205之配線圖案208。絕緣層202由熱硬化性樹脂701、及分散於熱硬化性樹脂701之無機填料702構成。絕緣層202未含有織布、不織布、膜等之芯材。通孔導體205係朝厚度方向2001、即絕緣層202之上面202A與下面202B排列之方向2001被壓縮。無機填料702係以絕緣層202之70重量%~90重量%分散於熱硬化性樹脂701。即，不含有芯材之絕緣層202之面202A與面202B之間係由熱硬化性樹脂701、及分散於熱硬化性樹脂701之無機填料702構成，實質上更均一。

其次，說明配線基板201之製造方法。第11A圖～第11G圖係顯示配線基板201之製造方法之截面圖。

首先，如第11A圖所示，使用積層加工將離型性膜206貼附於絕緣層202之上面202A與下面202B。離型性膜206係由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等之樹脂構成。

接著，如第11B圖所示，使用雷射等形成貫通絕緣層202 與離型性離型性膜206之貫通孔203。

其次，如第11C圖所示，於貫通孔203填充導電性糊204。導電性糊204含有金屬粒等之導電性粒。離型性之離型性膜206覆蓋面202A、202B，使導電性糊204不殘存於絕緣層202之面202A、202B。

之後，如第11D圖所示，由面202A、202B剝離離型性膜206。藉此，導電性糊204由絕緣層202之面202A、202B僅突出離型性膜206之厚度份量。如第11E圖所示，準備由金屬等之導電構件構成之導體箔207。然後，如第11F圖所示，將導體箔207積層於絕緣層202之面202A、202B。

其次，加熱導體箔207，朝絕緣層202之面202A、202B加壓，藉此使之接著於絕緣層202。藉由該加熱加壓，由面202A、202B突出之導電性糊204係壓縮成與面202A、202B在同一面上，成為通孔導體205。藉由該壓縮，導電性糊204內之導電性粒之密度變高，導電性粒可確實地互相接觸。藉此，可實現導體箔207與通孔導體205(導電性糊204)之電氣連接。

配線基板201中，無機填料702以如絕緣層202之70重量%~90重量%之高密度分散於熱硬化性樹脂701。藉此，即使將導體箔207加熱加壓，絕緣層202之無機填料702不會流動，因此無機填料702與熱硬化性樹脂701構成之通孔壁202D可維持於形成有通孔導體205之貫通孔203之壁面。通孔壁203A可防止填充於貫通孔203內之導電性糊204流往絕緣層202，且可使通孔導體205與導體箔207安定導通。藉由 通孔壁203A，即使將導體箔207加熱加壓，導電性糊204也不會流往絕緣層202，因此通孔導體205難以變形，可使貫通孔203之形狀維持在接近圓筒形狀或者圓錐台形狀之形狀。

之後，如第11G圖所示，藉由將導體箔207圖案化，將配線圖案208形成於絕緣層202之面202A、202B上，完成配線基板201。

絕緣層202之無機填料702宜由二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇之中至少一種以上者構成。無機填料702之粒徑宜為1 μm~15 μm。又，絕緣層202中之無機填料之含有量小於70%時，由於無機填料702成粗略分布，因此將導體箔207加熱加壓於絕緣層202而熱硬化性樹脂701流動時，同時無機填料702也流動。絕緣層202中之無機填料之含有量超過90%時，絕緣層202會變得無法確實密著於導體箔207。

導電性糊204所含有之導電性粒宜由銅、銀、金、鈀、鉍、錫及該等之合金之其中一種構成，且具有1 μm~20 μm之粒徑。

又，無機填料702之平均粒徑大於導電性糊204之導電性粒之平均粒徑。

絕緣層202除了含有熱硬化性樹脂701與無機填料702之外，亦可更含有分散於熱硬化性樹脂701之彈性體。彈性體可離析於無機填料702之表面，並使無機填料702難以流動。

彈性體係由丙烯酸系彈性體、熱可塑性彈性體之任一 種所構成。具體而言，使用如具有聚丁二烯或丁二烯系彈性體無規共聚橡膠或具有硬段與軟段之共聚物。彈性體之含有量相對於絕緣層202宜為0.2重量%~5.0重量%。

絕緣層202亦可含有著色劑。此時可提高安裝性、光反射性。

第12圖係顯示絕緣層202之熔融黏度與溫度之關係。如第12圖所示，絕緣層202因為溫度而熔融，且改變黏度，在某一溫度時成為最低熔融黏度。絕緣層202之最低熔融黏度宜為1000PA‧s~100000PA‧s。當最低熔融黏度小於1000PA‧s時，絕緣層202之熱硬化性樹脂701恐有過度大幅流動之虞。最低熔融黏度超過100000PA‧s時，恐有絕緣層202與導體箔207發生接著不良之虞，故不適合。

第13圖係實施形態2中其他配線基板201A之截面圖。第13圖中，與第10圖所示之配線基板201相同之部分則賦與相同參考標號並省略其說明。配線基板201A係由積層之複數配線基板201構成。

第14圖係實施形態2中之其他配線基板201B之截面圖。第14圖中，與第10圖所示之配線基板201相同之部分則賦與相同參考標號，並省略其說明。配線基板201B係於第1圖所示之配線基板201上更具有設置於面202A、202B上之子配線基板209。子配線基板209亦可具有由與配線基板201之絕緣層202不同之樹脂構成之基材層219。

子配線基板209係通孔配線基板或全層內通路孔(IVH)構造之配線基板等之樹脂基板，可為兩面基板亦可 為多層基板。又，複數之子配線基板209與複數之配線基板201亦可交互積層。

再者，實施形態1、2中，表示「上面」、「下面」、「上側」、「下側」、「正上方」等之方向之用語不過是表示依存於構成構件之位置之相對方向，並非表示上下方向等之絕對方向。

【產業上之利用可能性】

本發明之配線基板可高密度地連接子配線基板間，適用於用以對應於如個人電腦、數位相機、携帯電話等小型、薄型、輕量、高精細、多機能化之封裝基板。

1, 23‧‧‧上側子配線基板

1A‧‧‧上側子配線基板上面

1B‧‧‧上側子配線基板下面

1C‧‧‧上側子配線基板側端面

2, 22‧‧‧下側子配線基板

2B‧‧‧下側子配線基板下面

2C‧‧‧下側子配線基板上面之露出部分

27, 201, 501, 1001, 1003, 1004, 1201, 1401‧‧‧配線基板

3.21‧‧‧連接層

3A‧‧‧連接層上面

3B‧‧‧連接層下面

3C‧‧‧外周端面

33‧‧‧絕緣層

33A‧‧‧熱硬化性樹脂

33B‧‧‧無機填料

4‧‧‧凹部

502‧‧‧絕緣基板

6‧‧‧導電性糊

7, 504‧‧‧通孔導體

8A. 8B‧‧‧離型性膜

9, 33C, 503‧‧‧貫通孔

91‧‧‧合成樹脂膜

92‧‧‧熱硬化性樹脂層

92A‧‧‧下側子配線基板之上面

10, 110, 505‧‧‧配線圖案

1002‧‧‧組件

11‧‧‧絕緣性覆膜

111, 222, 333‧‧‧基材層

12‧‧‧填角層

2001‧‧‧厚度方向

201A, 201B‧‧‧配線基板

202‧‧‧絕緣層

202A‧‧‧絕緣層上面

202B‧‧‧絕緣層下面

203‧‧‧貫通孔

204‧‧‧導電性糊

205‧‧‧通孔導體

206‧‧‧離型性膜

207‧‧‧導體箔

208‧‧‧配線圖案

209‧‧‧子配線基板

701‧‧‧熱硬化性樹脂

702‧‧‧無機填料

第1A圖係本發明之實施形態1之配線基板之立體圖。

第1B圖係實施形態1之配線基板之立體圖。

第1C圖係實施形態1之配線基板之連接層之截面圖。

第2A圖係第1B圖所示之線2A-2A之配線基板之截面圖。

第2B圖係實施形態1之其他配線基板之截面圖。

第3A圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第3B圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第3C圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第3D圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第4A圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第4B圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第4C圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第5A圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第5B圖係顯示實施形態1之配線基板之製造方法之截面圖。

第6A圖係顯示實施形態1之更進一步其他配線基板之製造方法之截面圖。

第6B圖係顯示實施形態1之更進一步其他配線基板之製造方法之截面圖。

第7圖係顯示實施形態1之配線基板之連接層之熔融黏度。

第8圖係顯示實施形態1之配線基板之子配線基板之其他基材層之截面圖。

第9A圖係顯示實施形態1之更進一步其他配線基板之截面圖。

第9B圖係第9A圖所示之配線基板之截面圖。

第9C圖係實施形態1之更進一步其他配線基板之截面 圖。

第9D圖係實施形態1之更進一步其他配線基板之截面圖。

第10圖係本發明之實施形態2之配線基板之截面圖。

第11A圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第11B圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第11C圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第11D圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第11E圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第11F圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第11G圖係顯示實施形態2之配線基板之製造方法之截面圖。

第12圖係顯示實施形態2之配線基板之連接層之熔融黏度。

第13圖係實施形態2之配線基板之截面圖。

第14圖係實施形態2之配線基板之截面圖。

第15圖係習知之配線基板之截面圖。

第16A圖係其他習知之配線基板之截面圖。

第16B圖係第16A圖所示之配線基板之截面圖。

1‧‧‧上側子配線基板

1A‧‧‧上側子配線基板上面

1B‧‧‧上側子配線基板下面

1C‧‧‧上側子配線基板側端面

2‧‧‧下側子配線基板

222‧‧‧基材層

3‧‧‧連接層

3A‧‧‧連接層上面

3B‧‧‧連接層下面

3C‧‧‧外周端面

33‧‧‧絕緣層

7‧‧‧通孔導體

10‧‧‧配線圖案

12‧‧‧填角層

92A‧‧‧下側子配線基板之上面

110, 1001‧‧‧配線圖案

111‧‧‧基層材

Claims (24)

1. 一種配線基板，包含有：下側子配線基板，具有：具有上面之第1基材層、及設置於前述第1基材層之前述上面之第1配線圖案；上側子配線基板，具有：具有下面之第2基材層、及設置於前述第2基材層之前述下面之第2配線圖案；連接層，具有絕緣層及通孔導體，該絕緣層具有位於前述第1基材層之前述上面上之下面、及位於前述第2基材層之前述下面上之上面，而該通孔導體貫通前述絕緣層且連接於前述第1配線圖案與前述第2配線圖案；及填角層，覆蓋前述連接層之端面之外周，前述上側子配線基板與前述連接層使前述下側子配線基板之前述上面之一部分露出，並且前述絕緣層含有：熱硬化性樹脂、分散於前述熱硬化性樹脂之無機填料、及分散於前述熱硬化性樹脂之彈性體，前述填角層，於前述下側子配線基板之前述上面之前述露出之一部份，覆蓋前述連接層之前述端面之前述外周，前述填角層，含有前述絕緣層之前述熱硬化性樹脂，且不含有前述無機填料。
2. 如申請專利範圍第1項之配線基板，更具有一覆蓋前述連接層之端面與前述上側子配線基板之端面的絕緣性覆膜。
3. 如申請專利範圍第2項之配線基板，其中前述絕緣性覆膜含有防靜電劑。
4. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述連接層之無機填料含有率為70重量%~90重量%。
5. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中更具有一覆蓋前述填角層與前述上側子配線基板之端面的絕緣性覆膜。
6. 如申請專利範圍第5項之配線基板，其中前述絕緣性覆膜含有防靜電劑。
7. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之配線基板，其中前述絕緣層不含有芯材。
8. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之配線基板，其中前述通孔導體由導電性糊構成，前述導電性糊朝前述絕緣層之厚度方向被壓縮，且前述導電性糊在朝前述絕緣層之厚度方向被壓縮之期間維持前述貫通孔之形狀。
9. 如申請專利範圍第7項之配線基板，其中前述通孔導體由導電性糊構成，且前述導電性糊朝前述絕緣層之厚度方向被壓縮，並且前述導電性糊在朝前述絕緣層之厚度方向被壓縮之期間維持前述貫通孔之形狀。
10. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之配線基板，其中前述無機填料由二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇之至少一種所構成。
11. 如申請專利範圍第7項之配線基板，其中前述無機填料由二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇之至少一種構成。
12. 如申請專利範圍第8項之配線基板，其中前述無機填料由二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇之至少一種構成。
13. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之配線基板，其中前述彈性體由丙烯酸系彈性體、熱可塑性彈性體之任一種所構成，且前述絕緣層中前述彈性體之含有量為0.2重量%~5.0重量%。
14. 如申請專利範圍第7項之配線基板，其中前述彈性體由丙烯酸系彈性體、熱可塑性彈性體之任一種所構成，且前述絕緣層中前述彈性體之含有量為0.2重量%~5.0重量%。
15. 如申請專利範圍第8項之配線基板，其中前述彈性體由丙烯酸系彈性體、熱可塑性彈性體之任一種所構成，且前述絕緣層中前述彈性體之含有量為0.2重量%~5.0重量%。
16. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之配線基板，其中前述絕緣層之前述熱硬化性樹脂由環氧樹脂所構成。
17. 如申請專利範圍第7項之配線基板，其中前述絕緣層之前述熱硬化性樹脂由環氧樹脂構成。
18. 如申請專利範圍第8項之配線基板，其中前述絕緣層之前述熱硬化性樹脂由環氧樹脂構成。
19. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之配線基板，其中前述絕緣層之玻璃轉移點高於前述第1基材層與前述第2基材層之玻璃轉移點10℃以上。
20. 如申請專利範圍第7項之配線基板，其中前述絕緣層之 玻璃轉移點高於前述第1基材層與前述第2基材層之玻璃轉移點10℃以上。
21. 如申請專利範圍第8項之配線基板，其中前述絕緣層之玻璃轉移點高於前述第1基材層與前述第2基材層之玻璃轉移點10℃以上。
22. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之配線基板，其中前述絕緣層含有著色劑。
23. 如申請專利範圍第7項之配線基板，其中前述絕緣層含有著色劑。
24. 如申請專利範圍第8項之配線基板，其中前述絕緣層含有著色劑。