TWI412047B - 陶瓷電子零件 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種陶瓷電子零件，特別是關於一種陶瓷電子零件所具備之外部端子電極構造。
近年來，隨著行動電話與隨身聽等之電子機器之小型化與薄型化，電子機器所裝載之陶瓷電子零件之小型化與薄型化亦急速進展。一般而言，陶瓷電子零件構裝於電子機器內部所裝載之配線基板上，但隨著陶瓷電子零件之小型化與薄型化，陶瓷電子零件本身之強度有降低之傾向，在構裝時或使用時陶瓷電子零件會有產生裂痕之情形。以下，針對此進行詳細說明。
圖16係顯示作為習知陶瓷電子零件之一例之積層陶瓷電容器1的俯視圖，圖17係圖16所示之積層陶瓷電容器1的截面圖，用以說明構裝時或構裝狀態下因施加應力所引起之問題。
積層陶瓷電容器1具備之陶瓷體2具有彼此對向之第1主面3及第2主面4，但圖16中顯示朝向構裝面側之第2主面4。如圖16所示，在第2主面4對向之第1及第2外部端子電極5及6之各端部形成為直線狀。
例如，將此積層陶瓷電容器1構裝於配線基板(未圖示)上時，藉由構裝機之吸附頭(未圖示)吸附第1主面3，支撐於配線基板之焊墊上，但如圖17所示，在第1主面3施加支撐時之慣性導致之應力，而形成力點7。此外，形成於積層陶瓷電容器1兩端之第1及第2外部端子電極5及6與配線基板之接點成為支點8及9。其結果，在構裝面上之外部端子電極5及6分別圍繞主面4上之圍繞部之端部(虛線所圍繞之部分)成為作用點10及11，而易以此部分為起點在陶瓷體2內部產生裂痕。
此外，施加於力點7之應力，不僅是上述構裝時所產生者，亦包含使用時配線基板之變形等所產生者。
此現象，在陶瓷體2之主面3及4與構裝面平行之情形下容易產生，其中，積層陶瓷電容器1之高度方向之尺寸愈薄愈容易產生。
為了解決上述問題，例如日本特開2001-126950號公報(專利文獻1)揭示如圖18所示，在陶瓷電子零件14所具備之陶瓷體15之朝向構裝面側之主面16形成三角形之外部端子電極17及18，據以分散應力。
然而，上述專利文獻1所記載之電極形狀具有以下問題。
(1)由於朝向構裝面側之主面16上外部端子電極17及18之面積變小，因此外部端子電極17及18對陶瓷體15之固著力降低。
(2)由於朝向構裝面側之主面16上外部端子電極17及18之面積變小，因此與焊料等之接合材之接觸面積變小，陶瓷電子零件14對配線基板之連接可靠性降低。
(3)例如日本特開2003-309373號公報(專利文獻2)所揭示，近年來，提出將電子零件埋入配線基板以進行構裝之方法。適用此技術時，從配線基板側朝向電子零件之外部端子電極照射雷射光以形成導通孔，在導通孔內部填充導電體以進行與配線基板之電路之連接。此時，如圖18所示之陶瓷電子零件14般，朝向構裝面側之主面16上外部端子電極17及18之面積小時，不易使雷射光以高精度到達外部端子電極17及18。
專利文獻1：日本特開2001-126950號公報
專利文獻2：日本特開2003-309373號公報
因此，本發明之目的在於提供一種能解決上述問題之陶瓷電子零件之外部電極構造。
本發明之陶瓷電子零件，其具備：陶瓷體，具有彼此對向之第1主面及第2主面、彼此對向之第1側面及第2側面、及彼此對向之第1端面及第2端面，第2主面朝向構裝面側；第1外部端子電極，係配置在陶瓷體之至少第2主面上；以及第2外部端子電極，係配置成在陶瓷體之至少第2主面上，隔著既定間隙區域與第1外部端子電極分離，為了解決上述技術問題，其特徵在於具備下述構成。
亦即，第1外部端子電極及第2外部端子電極，在第2主面上皆具有實質方形之區域；在第2主面上，第1外部端子電極之與間隙區域接觸之端部、及第2外部端子電極之與間隙區域接觸之端部皆形成為凹凸狀。
較佳實施形態中，在第1主面上亦採用與上述同樣之構成。更詳細而言，第1外部端子電極，在第1主面上進一步具有實質方形之區域；第2外部端子電極，在第1主面上進一步具有實質方形之區域，該方形之區域係配置成隔著既定間隙區域與第1外部端子電極分離；在第1主面上，第1外部端子電極之與間隙區域接觸之端部、及第2外部端子電極之與間隙區域接觸之端部皆形成為凹凸狀。
第1外部端子電極，係形成為圍繞第1端面；第2外部端子電極，係形成為圍繞第2端面亦可。
本發明之陶瓷電子零件，進一步具備形成於陶瓷體內部之第1及第2內部電極亦可。此時，第1內部電極與第1外部端子電極電氣連接，第2內部電極與第2外部端子電極電氣連接。
上述實施形態中，陶瓷體具有積層之複數層陶瓷層所構成之積層構造，第1內部電極與第2內部電極係隔著特定陶瓷層對向配置，如此可構成積層型陶瓷電子零件。
又，如上述，較佳為，第1外部端子電極，係形成為圍繞第1端面，第2外部端子電極，係形成為圍繞第2端面之情形，第1內部電極與第1外部端子電極在第1端面上電氣連接，第2內部電極與第2外部端子電極在第2端面上電氣連接。
又，在陶瓷體內部，除了第1及第2內部電極之外，進一步形成到達至少第2主面以使第1內部電極與第1外部端子電極電氣連接之第1導通孔導體、及到達至少該第2主面以使第2內部電極與第2外部端子電極電氣連接之第2導通孔導體亦可。此時，較佳為，第1外部端子電極及第2外部端子電極，係形成為皆不圍繞第1側面及第2側面、以及第1端面及第2端面之任一者上。
陶瓷體，設在連結第1側面與第2側面之方向所測定之尺寸為W、在連結第1主面與第2主面之方向所測定之尺寸為T時，W＞T，此時可特別有利適用於本發明。
該凹凸狀為不規則之鋸齒狀、實質上為三角波狀、實質上為正弦波狀亦可。
設凹凸狀之複數個凸部之排列間距為D1、在連結陶瓷體之第1側面與第2側面之方向所測定之尺寸為W時，1/50W≦D1≦1/10W，此時可特別有利適用於本發明。
較佳為，第1及第2外部端子電極，係在各自厚度之至少一部分埋沒於陶瓷體內部之狀態下形成。
根據本發明，由於在陶瓷體之朝向構裝面側之第2主面上，外部端子電極之端部形成為凹凸狀，因此可分散施加於外部端子電極之端部之應力，可抑制裂痕產生。
又，由於在朝向構裝面側之第2主面上，外部端子電極具有實質方形之區域，因此可增加與陶瓷體或配線基板之接觸面積，且將陶瓷電子零件埋入配線基板時，可增加雷射光之照準面積。其結果，可提升外部端子電極之固著力，且提升對配線基板之連接可靠性，且容易使雷射光照射所形成之導通孔高精度到達外部端子電極。
在第1主面上亦採用在陶瓷體之第2主面上所實現之外部端子電極之特徵構成時，在陶瓷電子零件之構裝上，在第1主面與第2主面之間可消除方向性，能有效率地進行構裝步驟。
圖1至圖4係用以說明本發明第1實施形態。此處，圖1係顯示作為本發明之陶瓷電子零件之一例之積層陶瓷電容器21的仰視圖、圖2係側視圖、圖3係沿著圖1之線A-A的截面圖。積層陶瓷電容器21具備陶瓷體22，圖4係顯示陶瓷體22之內部裝態的俯視圖。
積層陶瓷電容器21除了上述陶瓷體22之外，亦具備第1及第2外部端子電極23及24、以及第1及第2內部電極25及26。
陶瓷體22具有彼此對向之第1主面27及第2主面28、彼此對向之第1側面29及第2側面30、及彼此對向之第1端面31及第2端面32。又，陶瓷體22具有積層之複數層陶瓷層33所構成之積層構造。
積層陶瓷電容器21中，設在連結陶瓷體22之第1端面31與第2端面32之方向所測定之尺寸為L(參照圖1)、在連結第1側面29與第2側面30之方向所測定之尺寸為W(參照圖1)、在連結第1主面27與第2主面28之方向所測定之尺寸為T(參照圖2)時，L＞W＞T。更具體而言，具有T≦0.3mm之小型陶瓷體22或1/5W≦T≦2/3W之薄型陶瓷體22之情形，本發明之效果特別顯著。
陶瓷體22，如圖1至圖4所示，較佳為對角落部及稜部施加去角。
作為構成陶瓷層33之陶瓷材料，可使用例如以BaTiO3
、CaTiO3
、SrTiO3
、CaZrO3
等為主成分之電介質陶瓷。又，使用在該等主成分添加Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等之副成分者亦可。
陶瓷體22係經由燒成步驟製得，較佳為，各陶瓷層之燒成後之厚度為0.5～10μm。
此外，本實施形態中，作為陶瓷電子零件，由於採用積層陶瓷電容器21，因此作為構成陶瓷層33之陶瓷，雖使用電介質陶瓷，但使用PZT(鋯鈦酸鉛)系陶瓷等之壓電體陶瓷時，可獲得具有壓電零件功能之陶瓷電子零件，使用尖晶石系陶瓷等之半導體陶瓷時，可獲得具有熱阻器功能之陶瓷電子零件。
又，本實施形態中，陶瓷體22具有複數層陶瓷層33所構成之積層構造，但不構成積層型陶瓷電子零件之情形，陶瓷體不具有積層構造亦可。
接著，說明外部端子電極23及24。
第1外部端子電極23遍布第1主面27、第1端面31、及第2主面28形成，在第1端面31上與第1內部電極25電氣連接。另一方面，第2外部端子電極24遍布第1主面27、第2端面32、及第2主面28形成，在第2端面32上與第2內部電極26電氣連接。
本實施形態中，較佳為，從圖1及圖2可知，第1及第2外部端子電極23及24實質上未形成於第1及第2側面29及30上。因此，在圖1所示之W方向，可謀求積層陶瓷電容器21之小型化。
此外，對陶瓷體22之端面31及32與側面29及30之間之角落部施加去角之情形，會有第1及第2外部端子電極23及24圍繞此等角落部之情形。圖2係顯示上述情形之外部端子電極23及24之形成狀態。又，使用導電性糊形成外部端子電極23及24之情形，施加於端面31及32之導電性糊會有分別圍繞陶瓷體22之長邊方向50μm以下程度之情形，視情形，會有到達側面29及30之平坦面之情形。
若著眼於朝向構裝面側之第2主面28時，第1及第2外部端子電極23及24係配置成隔著既定間隙區域34對向。此外，第1及第2外部端子電極23及24在第2主面28上皆具有實質方形之區域35及36。此處，稱為「實質」係如後述，與端部為凹凸狀有關係，但此外亦考慮會有接受陶瓷體22之去角而使角落部去角之情形。
本實施形態中，上述方形之區域35及36係形成為到達第2主面28與第1及第2側面29及30交叉之稜線。又，較佳為，第2主面28上方形之區域35及36分別所佔之比例，從W方向觀察為80%以上，從L方向觀察為20%以上。
第1及第2外部端子電極23及24個別之端部37及38皆形成為凹凸狀。本第1實施形態中，凹凸狀，如圖1所示，為不規則之鋸齒狀。
圖5及圖6分別係用以說明本發明第2及第3實施形態，係放大顯示第1外部端子電極23之端部37。凹凸狀，如圖5所示，實質上為三角波狀亦可，如圖6所示，實質上為正弦波狀亦可。
從應力分散之觀點觀之，如圖5所示為三角波狀之情形，較佳為，各凸部之形狀為正三角形。又，圖6所示之正弦波狀，從應力分散之觀點觀之亦較佳。又，在外部端子電極23上形成鍍膜之情形，從抑制鍍敷過度成長之觀點觀之，較佳為，凹凸狀之各凸部之前端不會銳利。又，較佳為，在外部端子電極23之凹凸狀之端部37上，凸部之個數為10～50個。
如圖5及圖6所示，外部端子電極23之凹凸狀之端部37上之複數個凸部之排列間距D1，相對陶瓷體22之尺寸W，較佳為，1/50W≦D1≦1/10W之關係。例如，W為0.5mm時，較佳為，10μm≦D1≦50μm。此外，圖1中雖未圖示排列間距D1，但較佳為，就圖1所示之凹凸狀之端部37及38，凸部之排列間距相對尺寸W亦為同樣之關係。
欲求出上述排列間距D1時，在凸部之頂點不規則配置之情形，較佳為，沿著W方向選擇任意5個部位(例如，從側面29朝向側面30相隔大致均等之間隔之5個部位)，求出在各部位相鄰頂點彼此之距離，將其平均值作為排列間距D1。此時，上述頂點彼此之距離，未必為頂點間之直線距離，為頂點間沿著W方向之距離。
又，凹凸狀之端部37上相鄰凹部與凸部之高低差，亦即凹凸差D2，例如定義為圖5所示之距離時，較佳為，30μm≦D2≦60μm。此處，測定凹凸差D2時，凸部之頂點與凹部之頂點不規則配置之情形，找出凸部之中朝向第2端面32(參照圖1)最突出之頂點與凹部之中朝向第1端面31(參照圖1)最陷入之頂點，將該等頂點間沿著L方向(參照圖1)之距離定義為凹凸差D2。
圖7係針對圖5所示之實施形態說明外部端子電極23之凹凸狀之端部37所佔之較佳面積比例。
參照圖7，在陶瓷體22延伸於W方向之邊定義為長邊、上述D2尺寸所規定之邊定義為短邊之長方形區域中，外部端子電極23之凹凸狀之端部37所佔之面積比例，較佳為40～60%。
此外，外部端子電極23未到達側面29及/或30之情形，置換為最接近側面29及30之凸部或凹部之頂點間沿著W方向之距離所規定之邊定義為長邊、上述D2尺寸所規定之邊定義為短邊之長方形區域。
上述參照圖5及圖6之說明以及參照圖7之說明，僅針對第1外部端子電極23進行，但第2外部端子電極24亦採用同樣之構成。
又，本實施形態中，上述第2主面28上之特徵構成，在第1主面27上亦採用。
作為用於外部端子電極23及24之導電材料，可使用例如Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。外部端子電極23及24，例如係藉由導電性糊之燒接形成，但藉由與內部電極25及26同時燒成之共燒形成亦可，在內部電極25及26燒成後塗布導電性糊藉由燒接後燒形成亦可。外部端子電極23及24之厚度，最厚之部分較佳為10～50μm。
在外部端子電極23及24上形成鍍膜亦可。作為構成鍍膜之金屬，可使用例如Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。鍍膜可為單層亦可為複數層，但每一層鍍膜之厚度較佳為1～10μm。又，在各外部端子電極23及24與鍍膜之間形成應力緩和用樹脂層亦可。
接著，說明內部電極25及26。
如圖3及圖4所示，第1內部電極25係引出至第1端面31，第2內部電極26係引出至第2端面32。其結果，如上述，第1內部電極25與第1外部端子電極23在第1端面31上電氣連接，第2內部電極26與第2外部端子電極24在第2端面32上電氣連接。
第1內部電極25與第2內部電極26係隔著特定陶瓷層33對向配置。此外，在第1內部電極25與第2內部電極26對向之部分發現既定電氣特性。如本實施形態，積層陶瓷電容器21之情形，在第1內部電極25與第2內部電極26對向之部分形成靜電電容。
作為構成內部電極25及26之導電材料，可使用例如Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。
各內部電極25及26之燒成後之厚度較佳為0.3～2.0μm。
此外，本發明適用於積層陶瓷電容器以外之陶瓷電子零件之情形，亦可不具備內部電極。
接著，參照圖8及圖9，說明上述積層陶瓷電容器21之製造方法。
首先，分別準備應成為陶瓷層33之陶瓷坯片、內部電極用導電性糊及外部端子電極用導電性糊。在陶瓷坯片及導電性糊含有結合劑及溶劑，但該等可使用公知之有機結合劑及有機溶劑。
接著，如圖8(a)及(b)所示，在陶瓷坯片41上，例如藉由網版印刷等以既定圖案印刷導電性糊，分別形成第1及第2內部電極25及26與第1及第2內部電極圖案42及43。
接著，將未形成上述內部電極圖案42及43之外層用陶瓷坯片積層既定片數，在其上方將印刷有第1內部電極圖案42之陶瓷坯片41與印刷有第2內部電極圖案43之陶瓷坯片41交互積層既定片數，在其上方將外層用陶瓷坯片再次積層既定片數，製作母積層體。在此時點，視需要，藉由靜水壓加壓等手段在積層方向對母積層體加壓亦可。
接著，如圖9所示，在母積層體44之上下面，藉由網版印刷等形成應成為第1及第2外部端子電極23及24之外部端子電極圖案45。
接著，沿著圖9中虛線所示之切割線46將母積層體44切割成既定尺寸，裁切出應成為各陶瓷體22之未加工陶瓷體47。
接著，對未加工陶瓷體施加桶式研磨。此時，以在外部端子電極23及24之端部37及38形成凹凸狀之方式調整研磨量。
接著，在未加工陶瓷體47之兩端面塗布導電性糊，在外部端子電極23及24之端面31及32形成圍繞部分。
接著，燒成未加工陶瓷體47。燒成溫度依所使用之陶瓷材料及導電材料而定，但較佳為900～1300℃。藉此，同時燒成陶瓷坯片、內部電極用導電性糊及外部端子電極用導電性糊，獲得處於燒結狀態之積層陶瓷電容器21。之後，視需要，在外部端子電極23及24之表面施加鍍敷。
上述製造方法中，藉由桶式研磨對外部端子電極23及24之端部37及38賦予凹凸狀，但除此以外，藉由印刷版之加工在印刷時賦予凹凸狀亦可，藉由增加導電性糊之溶劑量使印刷圖形滲透賦予凹凸狀亦可。特別是圖5及圖6分別所示之外部端子電極23之端部37具備之凹凸狀，適於藉由印刷版之加工在印刷時形成。
以下，說明本發明之另一實施形態。
圖10係用以說明本發明第4實施形態之與圖3對應的圖。圖10中，對與圖3所示之元件相當之元件賦予相同參照符號，以省略重複說明。
圖10所示之積層陶瓷電容器21a中，特徵在於，在各外部端子電極23及24之厚度之至少一部分埋沒於陶瓷體22之內部之狀態下形成。藉此，可謀求積層陶瓷電容器21a之薄型化。
此外，上述構造，可藉由下述方式實現，即在上述第1實施形態之積層陶瓷電容器21之製造方法中，如圖9所示，在形成外部端子電極圖案45後，在積層方向對母積層體44加壓。
圖11係用以說明本發明第5實施形態之與圖3對應的圖。圖11中，對與圖3所示之元件相當之元件賦予相同參照符號，以省略重複說明。
圖11所示之積層陶瓷電容器21b中，特徵在於，在第1主面27上未形成外部端子電極23及24。藉此，可謀求積層陶瓷電容器21b之薄型化。
圖12係用以說明本發明第6實施形態之與圖2對應的圖。圖12中，對與圖2所示之元件相當之元件賦予相同參照符號，以省略重複說明。
圖12所示之積層陶瓷電容器21c中，特徵在於，在第1及第2側面29及30上亦形成外部端子電極23及24。在構裝時，增加焊料之濕潤面積、提高與配線基板之連接可靠性之情形，採用本實施形態即可。
圖13係用以說明本發明第7實施形態之與圖1對應的圖。圖13中，對與圖1所示之元件相當之元件賦予相同參照符號，以省略重複說明。
圖13所示之積層陶瓷電容器21d中，特徵在於，外部端子電極23及24之方形之區域35及36，未到達第2主面28與第1及第2側面29及30交叉之稜線、在位於朝向側面29及30側之部分之端部37及38亦形成凹凸狀。藉此，可提高應力分散效果。
此外，圖13中，雖圖示第2主面28側，但較佳為，在未圖示之第1主面27側亦為同樣構成。
圖14及圖15係用以說明本發明第8實施形態，圖14與圖1對應，圖15與圖3對應。圖14及圖15中，對與圖1或圖3所示之元件相當之元件賦予相同參照符號，以省略重複說明。
圖14及圖15所示之積層陶瓷電容器21e中，特徵在於，外部端子電極23及24之方形之區域35及36，不僅未到達第2主面28上與第1及第2側面29及30之稜線、亦未到達與第1及第2端面31及32之稜線。此外，對遍布各方形之區域35及36之全周之端部37及38賦予凹凸狀。
又，在陶瓷體22之內部，形成到達第1及第2主面27及28以使第1內部電極25與第1外部端子電極23電氣連接之第1導通孔導體48、及到達第1及第2主面27及28以使第2內部電極26與第2外部端子電極24電氣連接之第2導通孔導體49。
此外，作為上述第8實施形態之變形例，在第1主面27上不形成外部端子電極23及24，僅形成為導通孔導體48及49到達第2主面28亦可。
21,21a,21b,21c,21d,21e‧‧‧積層陶瓷電容器
22‧‧‧陶瓷體
23‧‧‧第1外部端子電極
24‧‧‧第2外部端子電極
25‧‧‧第1內部電極
26‧‧‧第2內部電極
27‧‧‧第1主面
28‧‧‧第2主面
29‧‧‧第1側面
30‧‧‧第2側面
31‧‧‧第1端面
32‧‧‧第2端面
33‧‧‧陶瓷層
34‧‧‧間隙區域
35,36‧‧‧方形之區域
37,38‧‧‧端部
48‧‧‧第1導通孔導體
49‧‧‧第2導通孔導體
圖1係顯示本發明第1實施形態之積層陶瓷電容器21之第2主面28側的仰視圖。
圖2係顯示圖1所示之積層陶瓷電容器21之第1側面29側的側視圖。
圖3係沿著圖1之線A-A的截面圖。
圖4係顯示圖1所示之積層陶瓷電容器21具備之陶瓷體22之內部構造的俯視圖。
圖5係用以說明本發明第2實施形態，係放大顯示外部端子電極23之方形之區域35之端部37的圖。
圖6係用以說明本發明第3實施形態，係放大顯示外部端子電極23之方形之區域35之端部37的圖。
圖7係針對圖5所示之實施形態說明外部端子電極23之凹凸狀之端部37所佔之較佳面積比例。
圖8(a)、(b)係用以說明圖1所示之積層陶瓷電容器21之製造方法，係顯示內部電極圖案42及43分別形成之狀態下之陶瓷坯片41的俯視圖。
圖9係用以說明圖1所示之積層陶瓷電容器21之製造方法，係顯示外部端子電極圖案45形成之狀態下之母積層體44的俯視圖。
圖10係用以說明本發明第4實施形態之與圖3對應的圖。
圖11係用以說明本發明第5實施形態之與圖3對應的圖。
圖12係用以說明本發明第6實施形態之與圖2對應的圖。
圖13係用以說明本發明第7實施形態之與圖1對應的圖。
圖14係用以說明本發明第8實施形態之與圖1對應的圖。
圖15係用以說明本發明第8實施形態之與圖3對應的圖。
圖16係顯示作為習知積層陶瓷電子零件之一例之積層陶瓷電容器1的俯視圖。
圖17係圖16所示之積層陶瓷電容器1的截面圖，用以說明構裝時或構裝狀態下施加之應力所引起之問題。
圖18係從主面16側顯示習知積層陶瓷電子零件14的仰視圖。
21．．．積層陶瓷電容器
22．．．陶瓷體
23．．．第1外部端子電極
24．．．第2外部端子電極
28．．．第2主面
29．．．第1側面
30．．．第2側面
31．．．第1端面
32．．．第2端面
34．．．間隙區域
35,36．．．方形之區域
37,38．．．端部
Claims (14)
- 一種陶瓷電子零件，其具備：陶瓷體，具有彼此對向之第1主面及第2主面、彼此對向之第1側面及第2側面、及彼此對向之第1端面及第2端面，該第2主面朝向構裝面側；第1外部端子電極，係配置在該陶瓷體之至少該第2主面上；以及第2外部端子電極，係配置成在該陶瓷體之至少該第2主面上，隔著既定間隙區域與該第1外部端子電極分離；該第1外部端子電極及該第2外部端子電極，在該第2主面上皆具有實質方形之區域；在該第2主面上，該第1外部端子電極之與該間隙區域接觸之端部、及該第2外部端子電極之與該間隙區域接觸之端部皆形成為包含複數個凸部之凹凸狀。
- 如申請專利範圍第1項之陶瓷電子零件，其中，該第1外部端子電極，在該第1主面上進一步具有實質方形之區域；該第2外部端子電極，在該第1主面上進一步具有實質方形之區域，該方形之區域係配置成隔著既定間隙區域與該第1外部端子電極分離；在該第1主面上，該第1外部端子電極之與該間隙區域接觸之端部、及該第2外部端子電極之與該間隙區域接觸之端部皆形成為凹凸狀。
- 如申請專利範圍第1或2項之陶瓷電子零件，其中，該第1外部端子電極，係形成為圍繞該第1端面；該第2外部端子電極，係形成為圍繞該第2端面。
- 如申請專利範圍第1或2項之陶瓷電子零件，其進一步具備形成於該陶瓷體內部之第1及第2內部電極，該第1內部電極與該第1外部端子電極電氣連接，該第2內部電極與該第2外部端子電極電氣連接。
- 如申請專利範圍第4項之陶瓷電子零件，其中，該陶瓷體具有積層之複數層陶瓷層所構成之積層構造，該第1內部電極與該第2內部電極係隔著特定該陶瓷層對向配置。
- 如申請專利範圍第3項之陶瓷電子零件，其進一步具備形成於該陶瓷體內部之第1及第2內部電極，該第1內部電極與該第1外部端子電極在該第1端面上電氣連接，該第2內部電極與該第2外部端子電極在該第2端面上電氣連接。
- 如申請專利範圍第1或2項之陶瓷電子零件，其進一步具備分別形成於該陶瓷體內部之第1及第2內部電極、到達至少該第2主面以使該第1內部電極與該第1外部端子電極電氣連接之第1導通孔導體、及到達至少該第2主面以使該第2內部電極與該第2外部端子電極電氣連接之第2導通孔導體。
- 如申請專利範圍第7項之陶瓷電子零件，其中，該第1外部端子電極及該第2外部端子電極，係形成為皆不圍繞該第1側面及該第2側面、以及該第1端面及該第2端面之任一者上。
- 如申請專利範圍第1或2項之陶瓷電子零件，其中，該陶瓷體，設在連結該第1側面與該第2側面之方向所測定之尺寸為W、在連結該第1主面與該第2主面之方向所測定之尺寸為T時，W＞T。
- 如申請專利範圍第1或2項之陶瓷電子零件，其中，該凹凸狀為不規則之鋸齒狀。
- 如申請專利範圍第1或2項之陶瓷電子零件，其中，該凹凸狀實質上為三角波狀。
- 如申請專利範圍第1或2項之陶瓷電子零件，其中，該凹凸狀實質上為正弦波狀。
- 如申請專利範圍第1或2項之陶瓷電子零件，其中，設該凹凸狀之複數個凸部之排列間距為D1、在連結該陶瓷體之該第1側面與該第2側面之方向所測定之尺寸為W時，1/50W≦D1≦1/10W。
- 如申請專利範圍第1或2項之陶瓷電子零件，其中，該第1及第2外部端子電極，係在各自厚度之至少一部分埋沒於該陶瓷體內部之狀態下形成。
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