TWI400162B - A support body, a glass substrate laminate, a panel for a display device with a support, and a manufacturing method of a panel for a display device - Google Patents

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TWI400162B
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Description

支持體、玻璃基板積層體、附有支持體之顯示裝置用面板、及顯示裝置用面板之製造方法
本發明係關於一種支持用於液晶顯示裝置、有機EL(Electro-Luminescence,電致發光)顯示裝置等之玻璃基板之支持體,該支持體之製造方法,使用該支持體之玻璃基板積層體之製造方法,包含支持體之玻璃基板積層體,使用該玻璃基板積層體之顯示裝置用面板製造用之附有支持體之顯示裝置用面板,及,使用該玻璃基板積層體之顯示裝置用面板之製造方法。
於液晶顯示裝置(LCD(Liquid Crystal Display))、有機EL顯示裝置(OLED(Organic Electro-Luminescence Display))、尤其是數位相機或行動電話等可攜式顯示裝置之領域中,顯示裝置之輕量化、薄型化成為重要之課題。
為應對該課題,期望使顯示裝置中所使用之玻璃基板之板厚進一步變薄。作為使玻璃基板之板厚變薄之通常之方法,係實行以下方法:於在玻璃基板之表面形成顯示裝置用構件之前或於形成之後,利用化學蝕刻對玻璃基板進行蝕刻處理,視需要進而進行物理研磨而使其變薄。
然而,若於在玻璃基板之表面形成顯示裝置用構件之前進行蝕刻處理等而使玻璃基板之板厚變薄,則玻璃基板之強度會降低,彎曲量亦增大。因此,會產生難以於已存之顯示裝置用面板之生產線上進行處理之問題。
又,若於在玻璃基板之表面形成顯示裝置用構件之後進行蝕刻處理等而使玻璃基板之板厚變薄,則會產生於在玻璃基板之表面形成顯示裝置用構件之過程中使玻璃基板之表面所形成的微細損傷明顯化之問題,即產生蝕刻斑(etchpit)之問題。
因此,為了解決此種問題,而提出以下方法等:將板厚較薄之玻璃基板與支持基板經由樹脂層黏合而製成積層體,於該狀態下實施用於製造顯示裝置之特定之處理,其後,將玻璃基板表面與樹脂層之剝離性表面剝離。
例如,於專利文獻1中記載有一種玻璃基板積層體,其特徵在於:其係使玻璃基板與支持基板積層而形成之玻璃基板積層體,上述玻璃基板與上述支持基板係經由具有剝離性表面,且進而表現非黏著性之聚矽氧樹脂層而積層。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:國際公開第2007/018028號說明書
於專利文獻1中揭示出,具有剝離性表面、且表現非黏著性之聚矽氧樹脂層包含於主鏈結構中具有烯基之聚矽氧烷與甲基氫化聚矽氧烷之間的加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化物。
又,作為所使用之具有烯基之聚矽氧烷之結構,揭示有以下述組成式(3)或(4)所表示之化合物。再者,於組成式(3)及(4)中,m表示2以上之整數,n表示包括0之整數。
又,作為甲基氫化聚矽氧烷,揭示有以下述組成式(5)所表示之化合物。再者,於通式(5)中,a表示包括0之整數,b表示1以上之整數。
然而,本發明者等人使用於專利文獻1中記載之該等化合物而進行研究後,於製作使具備樹脂層之支持基板與玻璃基板積層而形成之玻璃基板積層體後將其長時間放置,其後於將玻璃基板自樹脂層表面剝離時,存在如下情況:玻璃基板未自樹脂層表面脫離而其一部分受到破壞,或樹脂層之樹脂之一部分殘留於玻璃基板上,使良率極端下降。
又,於為製造於400℃左右之高溫環境下實施製造製程之TFT(Thin Film Transistor,薄膜電晶體)陣列等顯示裝置用構件而應用上述玻璃基板積層體之情形時,產生於樹脂層中或於樹脂層與兩基板間之界面上出現發泡之問題,而必須進一步加以改良。
因此,本發明為解決上述問題,目的在於提供一種耐熱性優異,可抑制於所積層之玻璃基板之間的經時性之剝離強度上升,進而可不破壞所積層之玻璃基板而於短時間內進行剝離,且亦可應用於TFT陣列之製造等高溫條件下之製造製程的用於支持玻璃基板之支持體,及其製造方法。進而,本發明之目的亦在於提供一種使用該支持體之玻璃基板積層體、包含支持體之玻璃基板積層體之製造方法、用於製造顯示裝置用面板之附有支持體之顯示裝置用面板、使用玻璃基板積層體之顯示裝置用面板之製造方法。
本發明者等人對先前技術進行銳意研究,結果發現,構成支持體中之硬化聚矽氧樹脂層之化合物間之交聯反應並未充分進行。進而,其結果發現,硬化聚矽氧樹脂層之耐熱性變得不充分,或產生以下問題:殘留於硬化後之樹脂層表面之矽氫基經由水解反應成為矽烷醇基,並與積層時之玻璃基板之矽烷醇基進行縮合反應,從而導致剝離強度上升。
本發明者等人基於上述見解,發現藉由使用含有具有特定結構之有機氫化聚矽氧烷之加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物,而解決上述課題,從而完成了本發明。
即,為達成上述目的,本發明之第1態樣為,一種支持體,其特徵在於:其係包含支持基板與設置於支持基板之單面並具有剝離性表面之硬化聚矽氧樹脂層、且用以於該硬化聚矽氧樹脂層表面積層玻璃基板之支持體;上述硬化聚矽氧樹脂層之硬化聚矽氧樹脂係硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化物,該硬化性聚矽氧樹脂組合物包含下述線性有機聚矽氧烷(a)與下述線性有機聚矽氧烷(b);上述硬化聚矽氧樹脂層係藉由使上述硬化性聚矽氧樹脂組合物於上述支持基板表面上硬化而形成者。
線性有機聚矽氧烷(a):其為每1分子至少具有2個烯基之線性有機聚矽氧烷。
線性有機聚矽氧烷(b):其為每1分子至少具有3個與矽原子鍵結之氫原子之線性有機聚矽氧烷,且為上述氫原子之至少1個與分子末端之矽原子鍵結之線性有機聚矽氧烷。
於第1態樣中,較好的是於硬化性聚矽氧樹脂組合物中,與矽原子鍵結之所有氫原子相對於所有烯基之莫耳比(氫原子/烯基)為0.7~1.05。又,較好的是支持基板之材料之5%加熱重量損失溫度為300℃以上。又,較好的是支持基板為玻璃板、矽晶圓、合成樹脂板或金屬板。
本發明之第2態樣係提供一種支持體之製造方法,其係製造包含支持基板與設置於支持基板之單面並具有剝離性表面之硬化聚矽氧樹脂層、且用以於該硬化聚矽氧樹脂層表面積層玻璃基板之支持體者;該製造方法之特徵在於:將包含下述線性有機聚矽氧烷(a)與線性有機聚矽氧烷(b)之硬化性聚矽氧樹脂組合物塗佈於支持基板之單面而形成硬化性聚矽氧樹脂組合物之層,繼而使上述硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化而形成上述硬化聚矽氧樹脂層。
線性有機聚矽氧烷(a):其為每1分子至少具有2個烯基之線性有機聚矽氧烷。
線性有機聚矽氧烷(b):其為每1分子至少具有3個與矽原子鍵結之氫原子之線性有機聚矽氧烷,且為上述氫原子之至少1個與分子末端之矽原子鍵結之線性有機聚矽氧烷。
本發明之第3態樣係提供一種玻璃基板積層體之製造方法,其特徵在於,其係於上述支持體之硬化聚矽氧樹脂層表面積層玻璃基板。
於本發明之第3態樣中,較好的是上述玻璃基板之厚度為0.05~0.4 mm。
本發明之第4態樣係提供一種玻璃基板積層體,其特徵在於:其係包含支持基板、玻璃基板及存在於該等之間的硬化聚矽氧樹脂層之玻璃基板積層體;上述硬化聚矽氧樹脂層包含硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化物,該硬化性聚矽氧樹脂組合物含有下述線性有機聚矽氧烷(a)與下述線性有機聚矽氧烷(b),上述玻璃基板與硬化聚矽氧樹脂層之間的剝離強度低於上述支持基板與硬化聚矽氧樹脂層之間的剝離強度低。
線性有機聚矽氧烷(a):其為每1分子至少具有2個烯基之線性有機聚矽氧烷。
線性有機聚矽氧烷(b):其為每1分子至少具有3個與矽原子鍵結之氫原子之線性有機聚矽氧烷,且為上述氫原子之至少1個與分子末端之矽原子鍵結之線性有機聚矽氧烷。
於第4態樣中,較好的是上述硬化聚矽氧樹脂層係:使處於與支持基板表面接觸且不與玻璃基板表面接觸之狀態之上述硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化,於硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化後使其與上述玻璃基板表面接觸而形成之層。又,較好的是於硬化性聚矽氧樹脂組合物中,與矽原子鍵結之所有氫原子相對於所有烯基之莫耳比(氫原子/烯基)為0.7~1.05。又,較好的是支持基板之材料之5%加熱重量損失溫度為300℃以上。又,較好的是支持基板為玻璃板、矽晶圓、合成樹脂板或金屬板。又,較好的是玻璃基板之厚度為0.05~0.4 mm。
本發明之第5態樣係提供一種顯示裝置用面板,其附有用於製造顯示裝置用面板之支持體,上述顯示裝置用面板係:於上述玻璃基板積層體之玻璃基板表面,形成顯示裝置用面板之構成構件之至少一部分而形成者。
本發明之第6態樣係提供一種顯示裝置用面板之製造方法,該顯示裝置用面板具有玻璃基板,該製造方法之特徵在於:於上述玻璃基板積層體之玻璃基板表面上,形成顯示裝置用面板之構成構件之至少一部分,其後將玻璃基板與附有硬化聚矽氧樹脂層之支持基板分離。
根據本發明,可提供一種耐熱性優異,可抑制於所積層之玻璃基板之間的經時性剝離強度上升,進而可不破壞所積層之玻璃基板而於短時間內進行剝離,且亦可應用於TFT陣列之製造等高溫條件下之製造製程的用於支持玻璃基板之支持體,及其製造方法。進而,根據本發明,亦可提供一種使用該支持體而獲得之玻璃基板積層體、該玻璃基板積層體之製造方法、使用該玻璃基板積層體而獲得之顯示裝置用面板製造用之附有支持體之顯示裝置用面板、及使用該玻璃基板積層體之顯示裝置用面板之製造方法。
更具體而言,本發明中之支持體之樹脂層之樹脂具有如下特徵:包含作為特定加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化物的硬化聚矽氧樹脂,該特定硬化性聚矽氧樹脂組合物具有線性結構且將至少一個末端具有鍵結有氫原子之矽原子之有機氫化聚矽氧烷作為原料成分之一。該有機氫化聚矽氧烷與其他有機氫化聚矽氧烷相比反應性較高,於硬化反應後之硬化聚矽氧樹脂中所殘留之與矽原子鍵結之氫原子較少。其結果為,具有難以發生硬化聚矽氧樹脂之經時性水解反應,且剝離強度等物性之經時性變化較少之特徵。因此於本發明中,具有以下特徵:於玻璃基板積層時及積層後,樹脂層與玻璃基板間之剝離強度不易發生變化,尤其是不易發生剝離強度上升。又,由於有機氫化聚矽氧烷之反應性較高,因此硬化反應之完成度升高,所獲得之硬化聚矽氧樹脂之耐熱性亦提高。並且,由於可穩定地長時間維持適當之低剝離強度,因此於玻璃基板剝離時樹脂層不易受到破壞,且於玻璃基板積層體中,可容易地且於短時間內將密接之玻璃基板表面與樹脂層之剝離性表面剝離。
進而,根據使用本發明之支持體之玻璃基板積層體之製造方法,可抑制由於混入至玻璃基板與樹脂層之間的氣泡或灰塵等異物而導致之玻璃缺陷之產生,或蝕刻斑之產生。
以下,基於圖式所示之較佳實施形態對本發明之支持體、包含支持體之玻璃基板積層體、附有支持體之顯示裝置用面板、及顯示裝置用面板進行詳細說明。
圖1係本發明之附有支持體之顯示裝置用面板之一實施形態的示意性剖面圖。
該圖中所示之附有支持體之顯示裝置用面板10係具備本發明之支持體20者,具有依序積層有支持基板12、樹脂層14、玻璃基板16、顯示裝置用面板之構成構件18之積層結構。再者,各層之厚度並不限定於該圖。
再者,支持基板12與樹脂層14構成本發明之支持體20,支持體20與玻璃基板16構成本發明之玻璃基板積層體30,玻璃基板16與顯示裝置用面板之構成構件18構成本發明之顯示裝置用面板40(無支持體20者)。
首先,對構成本發明之支持體20、玻璃基板積層體30、顯示裝置用面板40、及附有支持體之顯示裝置用面板10之各層進行說明。
<支持基板>
本發明中所使用之支持基板12經由下述樹脂層14而支持玻璃基板16,只要為用於增強玻璃基板16之強度者,則無特別限定。
作為支持基板12之材質並無特別限制,但就工業上之獲得容易性之觀點而言,可例示玻璃、矽、合成樹脂、金屬等作為較佳例。其中,作為支持基板12,較好的是玻璃板、矽晶圓、合成樹脂板或金屬板。
於採用玻璃作為支持基板12之材質之情形時,可使用其組成為例如含有鹼金屬氧化物之玻璃(鈉鈣玻璃等)、無鹼玻璃等各種組成之玻璃。其中,就熱收縮率較小之方面而言,較好的是無鹼玻璃。
玻璃基板16與支持基板12中所使用之玻璃之線性膨脹係數之差較好的是150×10-7 /℃以下,更好的是100×10-7 /℃以下,進而較好的是50×10-7 /℃以下。玻璃基板16之玻璃與支持基板12之玻璃亦可為相同材質之玻璃。於此情形時,兩玻璃之線性膨脹係數之差為0。
於採用塑膠(合成樹脂)作為支持基板12之材質之情形時,其種類並無特別限制,例如,可例示聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚碳酸脂樹脂、聚醯亞胺樹脂、氟樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚醚酮樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚丙烯酸系樹脂、各種液晶聚合物樹脂、聚矽氧樹脂等。
於採用金屬作為支持基板12之材質之情形時,其種類並無特別限制,例如可例示不鏽鋼、銅等。
支持基板12之耐熱性並無特別限制,較好的是於將玻璃基板16積層於該支持基板12上後,形成顯示裝置用構件之TFT陣列等之情形時耐熱性較高。具體而言,將其材料試樣於空氣環境下、以每分鐘10℃之速度進行加熱時之重量減量超過試樣重量之5%時的溫度定義為5%加熱重量損失溫度,該溫度較好的是300℃以上。更好的是350℃以上。
於此情形時,就耐熱性之方面而言上述玻璃可為任一者。
就耐熱性之觀點而言,作為較好之塑膠材料,可例示聚醯亞胺樹脂、氟樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚醚酮樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、各種液晶聚合物樹脂等。
支持基板12之厚度並無特別限定,較好的是可將本發明之玻璃基板積層體於現行之顯示裝置用面板之生產線上進行處理之厚度。例如,目前液晶顯示裝置中所使用之玻璃基板之厚度主要處於0.5~1.2 mm之範圍內,尤其是多為0.7 mm。於本發明中假定主要使用較此更薄之玻璃基板。此時,若玻璃基板積層體之厚度為與現行之玻璃基板同等程度之厚度,則可容易地適用於現行之生產線。
例如,現行之生產線係設計為處理厚度為0.5 mm之基板者,於玻璃基板之厚度為0.1 mm之情形時,使支持基板之厚度與樹脂層之厚度之和為0.4 mm。又,最通常的是將現行之生產線設計為處理厚度為0.7 mm之玻璃基板者,例如,若玻璃基板之厚度為0.4 mm,則使支持基板之厚度與樹脂層之厚度之和為0.3 mm。
本發明中之玻璃基板並不限定於液晶顯示裝置,又本發明並不僅僅以使玻璃基板積層體適合於現行之顯示裝置用面板之生產線為目的。因此,支持基板12之厚度並無限定,較好的是0.1~1.1 mm之厚度。進而,較好的是支持基板12之厚度較玻璃基板16更厚。又,於支持基板12為玻璃板之情形時,尤其好的是0.3 mm以上。於支持基板12為玻璃板之情形時,其厚度更好的是0.3~0.8 mm,進而較好的是0.4~0.7 mm。
於採用玻璃基板作為支持基板之情形時,由上述各種材料所構成之支持基板12之表面既可為經研磨處理之研磨面,或亦可為未經研磨處理之非蝕刻面(原始面)。就生產性及成本之方面而言,較好的是非蝕刻面(原始面)。
支持基板12包含第1主面及第2主面,其形狀並無限定,但較好的是矩形。此處,所謂矩形,實質上為大致矩形,亦包括將周邊部之角切掉(切角(corner cut))而成之形狀。
支持基板12之大小並無限定,例如於矩形之情形時可為100~2000 mm×100~2000 mm,較好的是500~1000 mm×500~1000 mm。
<樹脂層(硬化聚矽氧樹脂層)>
本發明之樹脂層14係固定於上述支持基板12之第1主面上,於積層有玻璃基板16之玻璃基板積層體中,密接於具有第1主面及第2主面之玻璃基板16之第1主面上。必須使玻璃基板16之第1主面與樹脂層14之間的剝離強度低於支持基板12之第1主面與樹脂層14之間的剝離強度。即,於將玻璃基板16與支持基板12分離時,必須於玻璃基板16之第1主面與樹脂層14之界面中進行剝離,於支持基板12之第1主面與樹脂層14之界面中難以進行剝離。因此,雖然樹脂層14密接於玻璃基板16之第1主面,但其具有可容易地將玻璃基板16剝離之表面特性。即,樹脂層14對於玻璃基板16之第1主面以某種程度之結合力進行結合而防止玻璃基板16之位置偏移等,同時於將玻璃基板16剝離時,以可不破壞玻璃基板16而容易地將其剝離之程度之結合力進行結合。
於本發明中,將該樹脂層表面之可容易地剝離之性質稱為剝離性。另一方面,支持基板12之第1主面與樹脂層14係以相對難以剝離之結合力進行結合。
於本發明之玻璃基板積層體30中,較好的是樹脂層14與玻璃基板16並非係藉由黏著劑所具有之黏著力而黏合,而係藉由起因於固體分子間之凡得瓦(Van Der Waals)力之力、即密接力而黏合。
另一方面,樹脂層14對於上述支持基板12之第1主面之結合力、與對於玻璃基板16之第1主面之結合力相比相對較高。於本發明中將對於玻璃基板16之第1主面之結合稱為密接,將對於支持基板12之第1主面之結合稱為固定。
又,由於樹脂層14之柔軟性較高,因此即便於玻璃基板16與樹脂層14之間混入氣泡或灰塵等異物,亦可抑制玻璃基板16之歪扭缺陷之產生。
為使樹脂層14對於玻璃基板16之第1主面之剝離強度相對較低,並使樹脂層14對於支持基板12之第1主面之剝離強度相對較高,較好的是使硬化性聚矽氧樹脂組合物於支持基板12之第1主面上硬化而形成包含硬化聚矽氧樹脂之樹脂層14,其後於包含硬化聚矽氧樹脂之樹脂層14上積層玻璃基板16而使其密接。本發明中之硬化聚矽氧樹脂係與剝離紙等所使用之非黏著性之硬化聚矽氧樹脂相同之樹脂,即便使其與玻璃基板16密接,剝離強度亦較低。但一般認為,若使成為硬化聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧樹脂組合物於支持基板12表面硬化,則藉由與硬化反應時之支持基板表面之相互作用而黏接,並且硬化後之硬化聚矽氧樹脂與支持基板表面之剝離強度會增強。
因此,即便玻璃基板16與支持基板12為包含相同材質者,亦可在樹脂層與兩者間之剝離強度上設置差。
在對於玻璃基板16之第1主面之剝離強度與對於支持基板12之第1主面之剝離強度上設置了差之樹脂層14之形成並不限定於上述方法。例如於使用對於硬化聚矽氧樹脂表面之密接性高於玻璃基板16之材質的支持基板12之情形時,可夾雜硬化聚矽氧樹脂膜而同時積層玻璃基板16與支持基板12。又,於藉由硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化所引起之黏接性對於玻璃基板16足夠低且該黏接性對於支持基板12足夠高之情形時,可於玻璃基板16與支持基板12之間使硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化而形成樹脂層14。即便於支持基板12包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之情形時,亦可施行提高支持基板12表面之黏接性之處理而提高對於樹脂層14之剝離強度。例如可於包含玻璃材料之支持基板12表面施行提高矽烷醇基之濃度的處理而提高與樹脂層14之結合力。
加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物係包含線性有機烯基聚矽氧烷與線性有機氫化聚矽氧烷以及觸媒等的添加劑之硬化性組合物,藉由加熱硬化而成為硬化聚矽氧樹脂。本發明中之樹脂層14具體而言,係使含有線性有機烯基聚矽氧烷即線性有機聚矽氧烷(a)與特定有機氫化聚矽氧烷即線性有機聚矽氧烷(b)之加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化而形成的硬化聚矽氧樹脂之層。一般而言,與其他硬化性聚矽氧樹脂組合物相比,加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物易進行硬化反應,且硬化收縮亦較低,硬化物之剝離性之程度良好。其中本發明之加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化物中,尤其是剝離強度之經時性變化較少,耐熱性優異。又,一般而言,加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物使用形態為溶劑型、乳液型、及無溶劑型之組合物。本發明之硬化性聚矽氧樹脂組合物亦可使用任一類型之組合物。
作為含有線性有機聚矽氧烷(a)與線性有機聚矽氧烷(b)之加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物,可使用公知者。例如,於日本專利特表2005-509711號公報(國際公開編號:WO2003/044084)或其引用文獻中,記載有用以於紙或塑膠膜上形成具有斥水性及剝離性之聚矽氧膜之加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物。然而由該等公知之加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物所獲得之硬化聚矽氧樹脂係使用於剝離紙等用途者,並未暗示關於本發明之用途。又,雖然剝離性較高之效果與本發明之用途共通,但並未暗示耐熱性等本發明所要求之效果。
以下詳細敘述形成樹脂層14時所使用之硬化性聚矽氧樹脂組合物。
<線性有機聚矽氧烷(b)>
本發明之硬化性聚矽氧樹脂組合物包含線性有機聚矽氧烷(a)與線性有機聚矽氧烷(b)。其中,線性有機聚矽氧烷(b)係有機氫化聚矽氧烷之1種。線性有機聚矽氧烷(b)係每1分子至少具有3個與矽原子鍵結之氫原子之線性有機聚矽氧烷,且係上述氫原子之至少1個與分子末端之矽原子鍵結之線性有機聚矽氧烷。
一般而言,將線性有機聚矽氧烷之兩末端之1官能性單元稱為M單元,將兩末端以外之2官能性之單元稱為D單元,具有n個D單元之線性有機聚矽氧烷之結構係以M(D)n M表示。又,於表示各單元之平均組成之情形時,亦存在以M2 (D)n 表示之情形。
本發明之線性有機聚矽氧(b)之特徵在於,於2個M單元中,至少一個存在與矽原子鍵結之氫原子。更好的線性有機聚矽氧烷(b)係於2個M單元中分別存在與矽原子鍵結之氫原子,且於n個D單元之一部分D單元中、亦存在與矽原子鍵結之氫原子之線性有機聚聚矽氧烷。又,線性有機聚矽氧烷(b)亦可與其他線性有機氫化聚矽氧烷併用。作為其他線性有機氫化聚矽氧烷,係於M單元中不存在與矽原子鍵結之氫原子,而僅於D單元之一部分中存在與矽原子鍵結之氫原子之線性有機氫化聚矽氧烷。
作為線性有機聚矽氧烷(b)或線性有機聚矽氧烷(b)與其他線性有機氫化聚矽氧烷之混合物,較好的是以下述式(1)所表示之平均組成之線性有機聚矽氧烷。以下,將以該平均組成式所表示之有機氫化聚矽氧烷稱為有機氫聚聚矽氧烷(1)。
(M1 )α (M2 )β (D1 )γ (D2 )δ ‧‧‧(1)
然而,M1 表示不存在與矽原子鍵結之氫原子之M單元,M2 表示存在與矽原子鍵結之氫原子之M單元,D1 表示不存在與矽原子鍵結之氫原子之D單元,及D2 表示存在與矽原子鍵結之氫原子之D單元,α為0以上且未達2之數,β為非0之2以下之數且α+β=2,γ為大於0之數,δ為0以上之數且γ+δ=n。更好的有機氫化聚矽氧烷(1)係α為0以上且未達1之數,β為1以上2以下之數,γ為1以上之數,δ為1以上之數。再者,於國際公開第2007/018028號說明書中記載之以式(5)所表示之有機氫化聚矽氧烷係β=0之化合物。
線性有機聚矽氧烷(b)係於上述式(1)中β為1以上2以下之數的化合物。較好的線性有機聚矽氧烷(b)係α為0以上且未達1之數、β為1以上2以下之數、γ為1以上之數、δ為1以上之數的化合物。
M2 單元亦可具有2個或3個與矽原子鍵結之氫原子,較好的是具有1個。D2 單元亦可具有2個與矽原子鍵結之氫原子,較好的是具有1個。M1 單元、D1 單元、較好的M2 單元、較好的D2 單元較好的是以下述式所表示者。R1 ~R5 分別獨立表示碳數為4以下之烷基或氟烷基或苯基。R1 ~R5 較好的是全部為甲基。
於存在D2 單元之情形(δ不為0之情形)時,D1 與D2 之存在比即γ/δ係表示分子中之與矽原子鍵結之氫原子的密度之指標。該存在比(γ/δ)較好的是0.2~30,尤其好的是0.5~20。若該存在比過小,則有可能由於在硬化聚矽氧樹脂中未反應之與矽原子鍵結之氫原子之殘留量增多,而使硬化聚矽氧樹脂對於玻璃基板之剝離強度之經時性變化增大,又導致耐熱性降低。又,若存在比過大,則有可能由於硬化聚矽氧樹脂之交聯密度降低,而導致耐熱性降低。
表示M2 單元與D2 單元之存在比之β/δ較好的是15≦(β/δ)×1000≦1500。更好的是15≦(β/δ)×1000≦1000,尤其好的是15≦(β/δ)×1000≦500。若(β/δ)×1000小於15,則有可能由於分子量增大,或官能基之位阻增大,反應性降低,而導致硬化聚矽氧樹脂對於玻璃基板之剝離強度之經時性變化增大。另一方面,若(β/δ)×1000大於1500,則有可能由於交聯密度減小而無法獲得強度等物性充分之硬化聚矽氧樹脂。
上述式(1)係表示有機氫化聚矽氧烷之有機聚矽氧烷單元之平均組成者,線性有機聚矽氧烷(b)之各個分子係α為0或1之整數、β為1或2之整數且α+β=2、γ為1以上之整數、δ為0以上之整數。
線性有機聚矽氧烷(b)以外之有機氫化聚矽氧烷之各個分子係α為2、β為0、γ為0以上之整數、δ為1以上之整數之有機氫化聚矽氧烷。再者,在該等分子中於D1 與D2 均大量存在之情形時,D1 與D2 之排列既可為無規共聚鏈結構亦可為嵌段共聚鏈結構。通常係藉由環狀聚矽氧烷之開環聚合而形成共聚鏈,因此認為已閉環之環狀聚矽氧烷之嵌段具有成無規共聚之結構。
如上所述作為線性有機聚矽氧烷(b),其各個分子不僅為線性有機聚矽氧烷(b)即有機氫化聚矽氧烷,亦可為線性有機聚矽氧烷(b)與其他有機氫化聚矽氧烷之混合物(其平均組成為上述式(1)所表示者)。於此情形時,較好的是於所使用之有機氫化聚矽氧烷之總莫耳數中,線性有機聚矽氧烷(b)含有20莫耳%以上。若未達20莫耳%,則與矽原子鍵結之氫原子變得易殘留,且樹脂層14/玻璃基板16界面之剝離強度易經時性地上升,故欠佳。就硬化聚矽氧樹脂之耐熱性及樹脂層14與玻璃基板之剝離強度之經時穩定性更優異之方面而言,線性有機聚矽氧烷(b)之含量較好的是50莫耳%以上,更好的是80莫耳%以上。
<線性有機聚矽氧烷(a)>
本發明之硬化性聚矽氧樹脂組合物包含與線性有機聚矽氧烷(b)反應之線性有機聚矽氧烷(a)。線性有機聚矽氧烷(a)係每1分子至少具有2個烯基之線性有機聚矽氧烷。再者,以下亦將具有烯基之線性有機聚矽氧烷稱為有機烯基聚矽氧烷。
作為烯基並無特別限定,例如,可列舉乙烯基(ethenyl)、烯丙基(2-丙烯基)、丁烯基、戊烯基、己烯基等,其中就耐熱性優異之方面而言,較好的是乙烯基。
於線性有機聚矽氧烷(a)中,烯基存在於M單元或D單元中,亦可存在於M單元與D單元之兩者中。就硬化速度之方面而言,較好的是至少存在於M單元中,更好的是存在於2個M單元之兩者中。
又,關於僅於M單元中具有烯基之有機烯基聚矽氧烷,由於其分子量越高則每1分子之烯基濃度越低且硬化聚矽氧樹脂之交聯密度越降低,因此有可能導致耐熱性降低,因而較好的是與M單元一起於D單元之一部分中亦具有烯基。
作為線性有機聚矽氧烷(a),較好的是以下述式(2)所表示之平均組成之線性有機聚矽氧烷。
(M1 )a (M3 )b (D1 )c (D3 )d ‧‧‧(2)
其中,M1 表示不具有烯基之M單元(與上述M1 單元相同),M3 表示具有與矽原子鍵結之烯基之M單元,D1 表示不具有烯基之D單元(與上述D1 單元相同),及D3 表示具有與矽原子鍵結之烯基之D單元,a為0~2之數、b為0~2之數且a+b=2、c為0以上之數、d為0以上之數且c+d=n(其中,b+d為2以上)。更好的以式(2)所表示之有機烯基聚矽氧烷係a為0以上且未達1之數、b為1以上2以下之數、c為1以上之數、d為1以上之數。
M3 單元亦可具有2個或3個與矽原子鍵結之烯基,較好的是具有1個。D3 單元亦可具有2個與矽原子鍵結之烯基,較好的是具有1個。作為烯基較好的是乙烯基。M1 單元、D1 單元、較好的M3 單元、較好的D3 單元較好的是以下述式所表示者。R1 ~R5 分別獨立與上述同樣地表示碳數為4以下之烷基或氟烷基或苯基。R1 ~R5 較好的是全部為甲基。
上述式(2)係表示有機烯基聚矽氧烷之有機聚矽氧烷單元之平均組成者,線性有機聚矽氧烷(a)之各個分子係a為0或1之整數、b為1或2之整數且a+b=2、c為1以上之整數、d為0以上之整數。由於線性有機聚矽氧烷(a)係每1分子具有2個以上烯基,因此b+d為2以上。有機烯基聚矽氧烷(a)亦可為與其他有機烯基聚矽氧烷之混合物,但通常僅使用有機烯基聚矽氧烷(a)。但有機烯基聚矽氧烷(a)亦可為2種以上之有機烯基聚矽氧烷(a)混合物。再者,若併用具有不同之La值(每100克之烯基之當量數)之2種有機烯基聚矽氧烷,則可獲得更有利之效果。
又,與上述有機氫化聚矽氧烷之情形同樣,於上述式(2)之有機烯基聚矽氧烷中於D1 與D3 均大量存在之情形時,D1 與D3 之排列既可為無規共聚鏈結構亦可為嵌段共聚鏈結構。
再者,作為有機烯基聚矽氧烷(a),可使用於國際公開第2007/018028號說明書中記載之以式(3)或式(4)所表示之有機烯基聚矽氧烷。
有機烯基聚矽氧烷(a)之重量平均分子量Mw較好的是處於1,000≦Mw≦5,000,000之範圍內。更好的Mw為2,000≦Mw≦3,000,000,進而較好的是3,000≦Mw≦1,000,000。藉由使Mw為該範圍,而於加熱硬化時不會發生昇華,又,黏度不會變得過高而使作業性達到良好。
進而,有機烯基聚矽氧烷(a)之每100克之烯基之當量數用La表示,較好的是處於0.001≦La≦1.0之範圍內。更好的La為0.0015≦La≦0.9,進而較好的是0.002≦La≦0.9。藉由使La為該範圍,而會使硬化聚矽氧樹脂之耐熱性達到良好,又會使硬化聚矽氧樹脂之層與玻璃基板之剝離強度之經時穩定性提高。
硬化性聚矽氧樹脂組合物中之線性有機聚矽氧烷(a)與線性有機聚矽氧烷(b)之含有比率並無特別限定,較好的是進行調整以使線性有機聚矽氧烷(b)中之與矽原子鍵結之氫原子與線性有機聚矽氧烷(a)中之所有烯基之莫耳比(氫原子/烯基)為0.7~1.05。其中,較好的是對含有比率進行調整以使其為0.8~1.0。於與矽原子鍵結之氫原子與烯基之莫耳比超過1.05之情形時,有可能硬化聚矽氧樹脂於長時間放置後之剝離力易上升,且剝離性不充分。尤其於製造LCD等情形時,多數情況是於積層玻璃基板後,經過相當長時間之後將支持體剝離,長時間放置後之剝離性成為較大之問題。又,於與矽原子鍵結之氫原子與烯基之莫耳比未達0.7之情形時,由於硬化聚矽氧樹脂之交聯密度降低,因此有可能於耐化學藥品性等方面產生問題。
於與矽原子鍵結之氫原子與烯基之莫耳比超過1.05之情形時長時間放置後之剝離力上升之原因尚不明確,但認為由於長時間放置,空氣中之水分自積層體端部逐漸浸入,使硬化聚矽氧樹脂中之未反應之矽氫基(Si-H基)發生水解,且與玻璃基板表面之矽烷醇基之間參與某些反應。因此,於樹脂層14中,較好的是實質上不殘留未反應之與矽原子鍵結之氫原子。
<其他構成成分>
於本發明之硬化性聚矽氧樹脂組合物中,視需要於不損害本發明之效果之範圍內,亦可含有各種添加劑。作為添加劑,通常較好的是使用促進與矽原子鍵結之氫原子與烯基之反應的觸媒(加成反應用觸媒)。作為該觸媒,較好的是使用鉑族金屬系觸媒。作為鉑族金屬系觸媒,可列舉鉑系、鈀系、銠系等觸媒,尤其是就經濟性、反應性之方面而言,較好的是使用鉑系觸媒。作為鉑系觸媒,可使用公知者。具體可列舉鉑細粉末,鉑黑,氯亞鉑酸、氯鉑酸等氯鉑酸,四氯化鉑,氯鉑酸之醇化合物、醛化合物,或鉑之烯烴錯合物、烯基聚矽氧烷錯合物、羰基錯合物等。
觸媒相對於線性有機聚矽氧烷(a)與線性有機聚矽氧烷(b)之合計質量之質量比,較好的是2~400 ppm。更好的是5~300 ppm,進而較好的是8~200 ppm。
於本發明之硬化性聚矽氧樹脂組合物中,進而較好的是,為調整觸媒活性而與觸媒一起併用具有抑制觸媒活性之作用之活性抑制劑(亦稱為反應抑制劑、延遲劑等之化合物)。作為活性抑制劑,例如可列舉各種有機氮化合物、有機磷化合物、乙炔系化合物、肟化合物、有機氯化合物等。進而視需要,於不損害本發明之效果之範圍內,亦可含有各種二氧化矽、碳酸鈣、氧化鐵等無機填充料等。
又,己烷、庚烷、辛烷、甲苯、二甲苯等有機溶劑或水等分散介質雖然係不構成硬化聚矽氧樹脂之成分,但為了用於塗佈硬化性聚矽氧樹脂組合物之作業性提高等,可將其調配至本發明之硬化性聚矽氧樹脂組合物中而使用。
<樹脂層之形成>
如上所述,較好的是使硬化性聚矽氧樹脂組合物於支持基板12之第1主面上硬化而形成包含硬化聚矽氧樹脂之樹脂層14。為此,將硬化性聚矽氧樹脂組合物塗佈於支持基板之單面而形成硬化性聚矽氧樹脂組合物之層,繼而使硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化而形成硬化聚矽氧樹脂層。硬化性聚矽氧樹脂組合物之層之形成係於硬化性聚矽氧樹脂組合物為流動性組合物之情形時直接進行塗佈,於硬化性聚矽氧樹脂組合物為流動性較低之組合物或無流動性之組合物之情形時,調配有機溶劑而進行塗佈。又,亦可使用硬化性聚矽氧樹脂組合物之乳化液或分散液等。包含有機溶劑等揮發性成分之塗膜係繼而將該揮發性成分蒸發去除而製成硬化性聚矽氧樹脂組合物之層。硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化可與揮發性成分之蒸發去除連續進行。
硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化並不限定於上述方法。例如可將硬化性聚矽氧樹脂組合物於某些剝離性表面上進行硬化而製造硬化聚矽氧樹脂之膜,將該膜與支持基板積層而製造支持體。又,於硬化性聚矽氧樹脂組合物未包含揮發性成分之情形時,如上所述,可夾持於玻璃基板16與支持基板12之間而使其硬化。
於將硬化性聚矽氧樹脂組合物塗佈於支持基板之單面而形成硬化性聚矽氧樹脂組合物之層之情形時,塗佈方法並無特別限定,可列舉先前公知之方法。作為公知之方法,可列舉噴塗法、模塗法、旋塗法、浸塗法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹版印刷塗佈法。可自上述方法中,根據組合物之種類進行適當選擇。例如於未在硬化性聚矽氧樹脂組合物中調配揮發性成分之情形時,較好的是模塗法、旋塗法或網版印刷法。於調配有溶劑等揮發性成分之組合物之情形時,於硬化前藉由加熱等將揮發性成分去除之後使其硬化。
作為使硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化之條件,因所使用之有機聚矽氧烷等之種類而不同,而適當選擇最佳條件。通常,作為加熱溫度,較好的是50~300℃,作為處理時間,較好的是5~300分鐘。
更具體之加熱硬化條件亦因觸媒之調配量而不同,例如相對於硬化性聚矽氧樹脂組合物中所含之樹脂合計量100重量份,而調配2重量份之鉑系觸媒之情形時,於大氣中於50℃~300℃下、較好的是於100℃~270℃下使其反應而硬化。又,於此時之反應時間為5~180分鐘,較好的是60~120分鐘。
若樹脂層具有低聚矽氧轉移性,則於將玻璃基板剝離時,樹脂層中之成分不易轉移至玻璃基板。為製成具有低聚矽氧轉移性之樹脂層,較好的是儘可能進行硬化反應以使於樹脂層中不殘留未反應之聚矽氧成分。若為如上所述之反應溫度及反應時間,則可於樹脂層中實質上不殘留未反應之有機聚矽氧成分,故較佳。於與上述反應時間相比過長,或反應溫度過高之情形時,有可能同時發生有機聚矽氧成分或硬化聚矽氧樹脂之氧化分解並生成低分子量之有機聚矽氧成分,而使聚矽氧轉移性提高。為了使加熱處理後之剝離性良好,亦較好的是儘可能進行硬化反應以使於樹脂層中不殘留未反應之有機聚矽氧成分。
再者,為賦予樹脂層與支持基板之較高之固定力(較高之剝離強度),可於支持基板表面進行表面改質處理(引發處理)。例如可例示:如矽烷偶合劑般以化學方式使固定力提高之化學性方法(底塗處理)、或如火焰(flame)處理般使表面活性基增加之物理性方法、如噴砂處理般藉由使表面之粗糙度增加而使阻障增加之機械式處理方法等。
包含上述硬化聚矽氧樹脂之樹脂層14之厚度並無特別限定,根據玻璃基板16之種類等而適當選擇最佳厚度。其中,較好的是5~50 μm,更好的是5~30 μm,進而較好的是7~20 μm。若樹脂層之厚度為此種範圍,則玻璃基板16表面與樹脂層14之密接變得更加良好。又,即便夾雜有氣泡或異物,亦可進一步抑制玻璃基板16之歪扭缺陷之產生。又,若樹脂層14之厚度過厚,則於形成時需要時間及材料,故並不經濟。
再者,樹脂層14亦可包含2層以上。此時「樹脂層之厚度」係指所有層之合計厚度。
又,於樹脂層14包含2層以上之情形時,形成各個層之樹脂之種類亦可不同。
關於樹脂層14,其剝離性表面之表面張力較好的是30 mN/m以下,更好的是25 mN/m以下,進而較好的是22 mN/m以下。對下限並無特別限定,較好的是15 mN/m以上。
若為此種表面張力,則可更容易地與玻璃基板16表面剝離,同時與玻璃基板表面之密接亦變得充分。
樹脂層14較好的是包含玻璃轉移點低於室溫(25℃左右),或不具有玻璃轉移點之材料。原因在於,若為如上所述之玻璃轉移點,則可一面維持非黏著性一面亦兼具適度之彈力性,且可更容易地與玻璃基板16表面剝離,同時與玻璃基板表面之密接亦變得充分。
又,樹脂層14較好的是具有優異之耐熱性。其原因在於,例如於在玻璃基板16之第2主面上形成顯示裝置用面板之構成構件18之情形時,可將本發明之玻璃基板積層體30供於高溫條件下之熱處理。本發明之上述硬化聚矽氧樹脂具有承受該熱處理之充分的耐熱性。
更具體而言,可於玻璃基板積層狀態下將本發明之包含上述硬化聚矽氧樹脂之樹脂層14之熱分解開始溫度設為400℃以上。該耐熱溫度更好的是420℃以上,尤其好的是430℃~450℃。若為上述範圍內,則即便於TFT陣列之製造製程等高溫條件(約400℃以上)下,亦可抑制樹脂層之分解,並進一步抑制玻璃基板積層體中之發泡之產生等。
再者,熱分解開始溫度係藉由以下之測定方法表示。
將於50 mm見方之支持基板(厚度=約0.4~0.6 mm)上形成樹脂層(厚度=約15~20 μm),同樣地進而積層50 mm見方之玻璃基板(厚度=約0.1~0.4 mm),將所得者作為評價試樣。繼而,將該試樣載置於加熱至300℃之加熱板上,以每分鐘10℃之升溫速度進行加熱,將確認試樣內產生發泡現象之溫度定義為熱分解開始溫度。
又,若樹脂層14之彈性模數過高,則存在與玻璃基板16表面之密接性降低之傾向。另一方面,若彈性模數過低則存在剝離性降低之情形。本發明之硬化聚矽氧樹脂具有滿足該要求性能之彈性模數。
<支持體>
本發明之支持體20於圖示例中,包含上述支持基板12與樹脂層14。由於樹脂層14表面表現出良好之剝離性能,因此可不破壞其上所積層之玻璃基板而進行剝離。因此,可較好地用作用於支持玻璃基板之支持體。又,作為其他用途,可列舉有機EL照明用玻璃基板之支持體等。
<玻璃基板>
玻璃基板16係於其上形成下述顯示裝置用面板之構成構件18,用於製造顯示裝置用面板之玻璃基板。
本發明中所使用之玻璃基板16之製造方法並無特別限定,可藉由先前公知之方法進行製造。例如,先前公知之於將玻璃原料熔解而製成熔融玻璃後,可藉由浮式法、融合法、流孔下引法(slot down draw method)、再拉法、拉升法等成形為板狀而獲得。又,亦可使用市售品。
玻璃基板16之厚度、形狀、大小、物性(熱收縮率、表面形狀、耐化學藥品性等)、組成等並無特別限定,例如可與先前之LCD、OLED等顯示裝置用之玻璃基板相同。
玻璃基板16之厚度並無特別限定,較好的是未達0.7 mm,更好的是0.5 mm以下,進而較好的是0.4 mm以下。又,較好的是0.05 mm以上,更好的是0.07 mm以上,進而較好的是0.1 mm以上。
玻璃基板16具有第1主面及第2主面,其形狀並無限定,較好的是矩形。此處,所謂矩形,實質上為大致矩形,亦包括將周邊部之角切掉(切角(corner cut))而成之形狀。
玻璃基板16之大小並無限定,例如於矩形之情形時,可為100~2000 mm×100~2000 mm,較好的是500~1000 mm×500~1000 mm。
若為此種較好之厚度及較好之大小,則本發明之玻璃基板積層體30可容易地將玻璃基板16與支持體20剝離。
玻璃基板16之熱收縮率、表面形狀、耐化學藥品性等特性亦無特別限定,因所製造之顯示裝置用面板之種類而不同。
然而,較好的是玻璃基板16之熱收縮率較小。具體而言,作為熱收縮率之指標的線性膨脹係數較好的是150×10-7 /℃以下,更好的是100×10-7 /℃以下,進而較好的是45×10-7 /℃以下。作為其理由,係因為若熱收縮率較大則難以製造高精細之顯示裝置。
再者,於本發明中線性膨脹係數係指JIS R3102(1995年)中所規定者。
玻璃基板16例如包括鹼玻璃或無鹼玻璃等。其中,就熱收縮率較小而言,較好的是無鹼玻璃。
上述玻璃基板16之表面既可為經研磨處理之研磨面,或亦可為未經研磨處理之非蝕刻面(原始面)。即,只要根據所製作之顯示面板之要求精度適當地選擇滿足平坦性者即可。
<玻璃基板積層體>
本發明之玻璃基板積層體30於圖示例中,包含上述支持基板12、樹脂層14、及玻璃基板16。
如上所述,樹脂層14具有剝離性表面,可容易地將玻璃基板16或顯示裝置用面板40(形成有顯示裝置用面板之構成構件18之玻璃基板16)剝離。更具體而言,樹脂層14表面與玻璃基板16表面之間的剝離強度,較好的是8.5 N/25 mm以下,更好的是7.8 N/25 mm以下,尤其好的是4.5 N/25 mm以下。若為上述強度內,則不易造成剝離時之樹脂層之破壞,或玻璃基板等之破壞等,故較佳。關於下限,只要具有玻璃基板於樹脂層上不產生位置偏移之程度之密接力即可,通常較好的是1.0 N/25 mm以上。
再者,較好的是作為下述實施例欄中所示之密接性之指標的密接強度之經時穩定性評價後之剝離強度,亦處於上述範圍內。
樹脂層表面與玻璃基板表面之間的剝離強度係藉由以下測定方法表示。
將於25×50 mm見方之支持基板(厚度=約0.4~0.6 mm)上之整個面上形成樹脂層(厚度=約15~20 μm),並積層有25×75 mm見方之玻璃基板(厚度=約0.1~0.4 mm),將所得者作為評價試樣。繼而,將該試樣之支持基板之非吸附面用雙面帶固定於操作臺之端部,其後使用數顯測力計(digital force gauge)將露出之玻璃基板(25×25 mm)之中央部垂直地頂起,測定剝離強度。
另一方面,樹脂層14表面與支持基板12表面之間的剝離強度,較好的是9.8 N/25 mm以上,更好的是14.7 N/25 mm以上,尤其好的是19.6 N/25 mm以上。於具有上述剝離強度之情形時,於將玻璃基板等自樹脂層剝離時,不易造成該支持基板與樹脂層之剝離,並可容易地自玻璃基板積層體將玻璃基板等與支持體(支持基板與樹脂層之積層體)分離。如上所述,藉由使硬化性聚矽氧樹脂組合物於支持基板上硬化,而可容易地達成該剝離強度。又,若樹脂層14表面與支持基板12表面之間之剝離強度過高,則有可能於為了支持基板之再利用等而必須剝離支持基板與樹脂層時,該剝離變得困難。因此,樹脂層14表面與支持基板12表面之間的剝離強度較好的是29.4 N/25 mm以下。
又,樹脂層14表面與支持基板12表面之間的剝離強度較好的是比樹脂層14表面與玻璃基板16表面之間的剝離強度高10 N/25 mm以上,更好的是高15 N/25 mm以上。
<玻璃基板積層體之製造方法>
玻璃基板積層體之製造方法,較好的是於上述支持體之樹脂層14之表面積層玻璃基板之方法(積層方法)。然而,如上所述,玻璃基板積層體之製造方法並不限定於該積層方法。於積層方法中,可藉由因非常接近且相對之固體分子間之凡得瓦力而引起之力、即密接力使玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面結合。
因此,於此情形時,可保持經由樹脂層使支持基板與玻璃基板積層之狀態。以下,對藉由於上述支持體之樹脂層之表面積層玻璃基板之方法的玻璃基板積層體之製造方法進行說明。
於支持基板上所固定之樹脂層之表面積層玻璃基板之方法並無特別限定,可使用公知之方法而實施。例如可列舉:於常壓環境下於樹脂層之表面重疊玻璃基板後,使用加壓腔室之非接觸壓接方法,使用輥或壓機使樹脂層與玻璃基板壓接之方法等。藉由用加壓腔室、輥、壓機等進行壓接,而使樹脂層與玻璃基板進一步密接,故較佳。又,藉由利用氣體之加壓,及利用輥或壓機之壓接,而相對較容易地將混入至樹脂層與玻璃基板間之氣泡去除,故較佳。若藉由真空層壓法或真空壓製法進行壓接,則可更好地抑制氣泡之混入或更好地確保良好之密接,故較佳。藉由於真空下進行壓接,亦具有以下優點:即便於殘留有微小之氣泡之情形時亦不會因加熱而使氣泡成長,且不易造成玻璃基板之歪扭缺陷。
於使支持體與玻璃基板積層時,較好的是將玻璃基板之表面充分清洗,於潔淨度較高之環境下進行積層。即便於樹脂層與玻璃基板之間混入異物,亦不會因樹脂層變形而對玻璃基板表面之平坦性造成影響,潔淨度越高其平坦性越良好,故較佳。
<顯示裝置用面板之構成構件>
於本發明中,所謂顯示裝置用面板之構成構件18,係指於使用玻璃基板之LCD、OLED等顯示裝置中,形成於玻璃基板上之構件或其一部分。例如於LCD、OLED等顯示裝置中,於玻璃基板之表面形成TFT陣列(以下,簡稱為「陣列」)、保護層、彩色濾光片、液晶、包含ITO(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)之透明電極等;各種電路圖案等構件;或將該等組合而成者。又,例如於包含OLED之顯示裝置中,可列舉形成於玻璃基板上之透明電極、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等。包含玻璃基板與構成構件18之顯示裝置用面板40係形成有上述構件之至少一部分之玻璃基板。因此,例如形成有陣列之玻璃基板或形成有透明電極之玻璃基板為顯示裝置用面板40。
<附有支持體之顯示裝置用面板>
附有支持體之顯示裝置用面板10於圖示例中,包含支持基板12、樹脂層14、玻璃基板16、及顯示裝置用面板之構成構件18。
再者,於附有支持體之顯示裝置用面板10例如亦包括如下形態:經由密封材料等,將於玻璃基板之第2主面上形成有陣列之附有支持體之顯示裝置用面板之陣列形成面、與於玻璃基板之第2主面上形成有彩色濾光片之其他附有支持體之顯示裝置用面板之彩色濾光片形成面進行黏合。
又,可由此種附有支持體之顯示裝置用面板10獲得顯示裝置用面板40。亦即,可自附有支持體之顯示裝置用面板10,將玻璃基板16與固定於支持基板12之樹脂層14剝離,而獲得具有顯示裝置用面板之構成構件18及玻璃基板16之顯示裝置用面板40。
又,可由此種顯示裝置用面板獲得顯示裝置。作為顯示裝置,可列舉LCD、OLED。作為LCD,可列舉TN(Twisted Nematic,扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic,超扭轉向列)型、FE(Ferro-Electric,鐵電)型、TFT型、MIM(Metal-Insulator-Metal,金屬-絕緣層-金屬)型。
<附有支持體之顯示裝置用面板之製造方法>
上述附有支持體之顯示裝置用面板之製造方法並無特別限定,較好的是於上述玻璃基板積層體之玻璃基板表面上,形成顯示裝置用面板之構成構件之至少一部分。
於玻璃基板積層體之玻璃基板表面上,形成顯示裝置用面板之構成構件之至少一部分之方法並無特別限定,根據顯示裝置用面板之構成構件之種類實施先前公知之方法。
例如,若將製造OLED之情形作為例子,則為了於玻璃基板積層體之玻璃基板之第2主面上形成有機EL結構體,可進行以下各種之層形成或處理:於玻璃基板之第2主面上形成透明電極,進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層‧電洞傳輸層‧發光層‧電子傳輸層等,形成背面電極,使用密封板進行密封等。作為該等層形成或處理,具體而言,例如可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之黏接處理等。該等構成構件之形成亦可為顯示裝置用面板所需要的所有構成構件之形成之一部分。於此情形時,將形成有該一部分之構成構件之玻璃基板自樹脂層剝離後,於玻璃基板上形成殘留之構成構件而製造顯示裝置用面板。
<顯示裝置用面板之製造方法>
於獲得上述附有支持體之顯示裝置用面板後,進而,將附有支持體之顯示裝置用面板之玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面剝離,而可獲得顯示裝置用面板。如上所述,於剝離時之玻璃基板上之構成構件為顯示裝置用面板所需要之所有構成構件之形成的一部分之情形時,將其後殘留之構成構件形成於玻璃基板上而製造顯示裝置用面板。
將玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面剝離之方法並無特別限定。
具體而言,例如可於玻璃基板與樹脂層之界面中插入銳利的刀狀物,而賦予剝離的啟動點後,噴附水與壓縮空氣之混合流體等進行剝離。較好的是,以使附有支持體之顯示裝置用面板之支持基板成為上側,面板側成為下側之方式設置於固定盤上,使面板側基板真空吸附於固定盤上(於兩面積層有支持基板時依序進行),於該狀態下首先使刀具侵入至玻璃基板-樹脂層界面。繼而,其後用複數個真空吸附墊吸附支持基板側,自插入刀具之部位附近依序使真空吸附墊上升。如此可於樹脂層與面板側玻璃基板之界面形成空氣層,該空氣層於界面之整個面中擴展,而可容易地將支持基板剝離(於在附有支持體之顯示裝置用面板之兩面積層有支持基板之情形時,逐一單面地重複進行上述剝離步驟)。
又,於獲得上述顯示裝置用面板後,進而可使用所獲得之顯示裝置用面板製造顯示裝置。此處獲得顯示裝置之操作並無特別限定,例如可藉由先前公知之方法製造顯示裝置。
例如,於製造TFT-LCD作為顯示裝置之情形時,可與先前公知之各種步驟相同:於玻璃基板上形成陣列之步驟、形成彩色濾光片之步驟、將形成有陣列之玻璃基板與形成有彩色濾光片之玻璃基板經由密封材料等黏合之步驟(陣列‧彩色濾光片黏合步驟)等。更具體而言,作為於該等步驟中所實施之處理,例如可列舉:純水清洗、乾燥、成膜、抗蝕液塗佈、曝光、顯影、蝕刻及抗蝕劑去除。進而,作為於實施陣列‧彩色濾光片黏合步驟後所進行之步驟,具有液晶注入步驟及於實施該處理後所進行之注入口之密封步驟,可列舉於該等步驟中所實施之處理。
實施例
關於以下所示之實施例中所製作之玻璃基板積層體,進行以下所示之項目之評價。
[再剝離性評價]
準備10組玻璃基板積層體,使玻璃基板之第2主面真空吸附於固定盤後,於玻璃基板積層體之1個角部之玻璃基板與樹脂層之界面中,插入厚度為0.1 mm之不鏽鋼製刀具,賦予上述玻璃基板之第1主面與上述樹脂層之剝離性表面之剝離的啟動點。繼而,以90 mm間距用複數個真空吸附墊吸附玻璃基板積層體之支持基板之第2主面後,自靠近上述角部之吸附墊依序使其上升,藉此將玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面剝離。對於所準備之10組玻璃基板積層體連續進行10次該處理,評價哪一組之積層體可不造成玻璃之破裂或樹脂層之破壞而進行剝離。
[耐熱性評價]
自玻璃基板積層體切割50 mm見方之試樣,將該試樣載置於加熱至300℃之加熱板上,以每分鐘10℃之升溫速度進行加熱,將確認於試樣內產生發泡現象時之溫度定義為熱分解開始溫度,以該溫度之高低進行評價。
[密接強度之經時穩定性評價]
為使玻璃基板積層體於長時間放置狀態下進行之樹脂層中殘留矽氫基之水解現象於短時間內再現,而將其暴露於高溫‧高濕度下,其後重新暴露於高溫下,藉此評價耐久性(經時穩定性)。
具體而言,自玻璃基板積層體切割25×75 mm見方之試樣,將僅於該試樣之支持基板側切下25×25 mm見方者作為評價試樣。將該評價試樣於維持在80℃、95%相對濕度之恆溫‧恆濕烘箱內保持20小時後,進而於維持在210℃之恆溫烘箱內保持4小時。繼而,於冷卻至常溫後,用雙面帶將評價試樣之支持基板之非吸附面固定於操作臺之端部,其後使用數顯測力計將露出之薄板玻璃基板(25×25 mm)之中央部垂直地頂起,測定剝離模式及剝離強度。
另一方面,另外準備評價試樣,不進行上述試驗而測定剝離模式及剝離強度,並記為初始值。
(合成例1)有機氫化聚矽氧烷A之合成
將1,1,3,3-四甲基二聚矽氧烷5.4 g、四甲基環四聚矽氧烷96.2 g、八甲基環四聚矽氧烷118.6 g之混合物冷卻至5℃,一面攪拌一面緩緩添加濃硫酸11.0 g後,進而歷時1小時滴加水3.3 g。於一面將溫度保持於10~20℃一面攪拌8小時後,添加甲苯,進行水洗及廢酸分離直至聚矽氧烷層達到中性為止。對已達到中性之聚矽氧烷層進行減壓加熱濃縮而去除甲苯等低沸點餾分,於下述式(6)中,獲得k=40、1=40之有機氫化聚矽氧烷A。
(合成例2)有機氫化聚矽氧烷B之合成
除將1,1,3,3-四甲基二聚矽氧烷5.4 g、四甲基環四聚矽氧烷19.2 g、八甲基環四聚矽氧烷296.6 g用作原料以外,藉由與合成例1相同之方法,於上述式(6)中,獲得k=100、1=8之有機氫化聚矽氧烷B。
(比較合成例1)有機氫化聚矽氧烷C之合成
除將六甲基二聚矽氧烷6.5 g、四甲基環四聚矽氧烷192.4 g用作原料以外,藉由與合成例1相同之方法,於下述式(7)中,獲得a=0、b=80之有機氫化聚矽氧烷C。
(合成例3)含有烯基之聚矽氧烷D之合成
將Si/K=20000/1(mol比)量之氫氧化鉀之矽酸酯添加至1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二聚矽氧烷3.7 g、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四聚矽氧烷41.4 g、八甲基環四聚矽氧烷355.9 g中,使其於氮氣環境下於150℃下,進行6小時之平衡化反應後,相對於K添加2 mol量之氯乙醇(ethylene chlorohydrin),於120℃下,中和2小時。其後,於160℃、666 Pa下進行6小時加熱起泡處理而去除揮發成分,而獲得每100 g之烯基當量數La=0.9、Mw:26,000之含有烯基之聚矽氧烷D。
(合成例4)含有烯基之聚矽氧烷E之合成
除將1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二聚矽氧烷1.9 g、八甲基環四聚矽氧烷889.8 g用作原料以外,藉由與合成例3相同之方法,獲得每100 g之烯基當量數La=0.002、Mw:91,000之含有烯基之聚矽氧烷E。
(實施例1)
首先準備縱280 mm、橫280 mm、板厚0.5 mm、線性膨脹係數480×10-7 /℃、5%重量損失溫度560℃之聚醯亞胺樹脂片材(宇部興產公司製造之UPILEX AD片材AD110)作為支持基板,進行純水清洗、UV(Ultraviolet,紫外線)清洗而使表面潔淨化。
繼而,於藉由遙距電漿法(remote plasma method)對表面進行活性化處理後,將有機氫化聚矽氧烷A與含有烯基之聚矽氧烷D混合以使所有烯基與和矽原子鍵結之所有氫原子之莫耳比(氫原子/烯基)為0.9,於該聚矽氧烷混合物100重量份中混合以下述式(8)所表示之具有乙炔系不飽和基之矽化合物1重量份,並以鉑金屬濃度為100 ppm之方式添加鉑系觸媒,而獲得硬化性聚矽氧樹脂組合物。將該組合物於支持基板之第1主面上以縱278 mm、橫278 mm之大小,藉由網版印刷進行塗敷(塗敷量為15 g/m2 )。進而,於210℃下於大氣中加熱硬化60分鐘,形成厚度為15 μm之硬化聚矽氧樹脂層,而獲得支持體A。再者,支持體A之聚矽氧樹脂層之表面張力為20.5 N/m。
HC≡C-C(CH3 )2 -O-Si(CH3 )3  (8)
將支持體A之硬化聚矽氧樹脂層之剝離性表面及與該硬化聚矽氧樹脂層相同尺寸且厚度為0.4 mm之玻璃基板(「AN100」。線性膨脹係數38×10-7 /℃之無鹼玻璃板:旭硝子股份有限公司製造)之第1主面,於室溫下藉由真空重合裝置以兩基板之重心重疊之方式加以重合,繼而,於加壓腔室內以0.49 MPa×5分鐘之條件進行靜置,而獲得玻璃基板積層體A(本發明之玻璃基板積層體)。
對玻璃基板積層體A實施上述再剝離性評價、耐熱性評價、密接強度之經時穩定性評價。再者,根據於玻璃基板與硬化聚矽氧樹脂層之間進行剝離之再剝離性試驗之結果,確認玻璃基板與硬化聚矽氧樹脂層之間的剝離強度低於支持基板與硬化聚矽氧樹脂層之間的剝離強度。
再剝離性:10/10(10組全部可剝離)
耐熱性(熱分解開始溫度):430℃
密接強度之經時穩定性:初始值=2.9 N/25 mm、加速後=3.2 N/25 mm
(實施例2)
首先準備縱720 mm、橫600 mm、板厚0.4 mm、線性膨脹係數38×10-7 /℃之玻璃板(「AN100」。旭硝子股份有限公司製造)作為支持基板,進行純水清洗、UV清洗而使表面潔淨化。
繼而,將有機氫化聚矽氧烷B與含有烯基之聚矽氧烷D混合以使所有烯基與和矽原子鍵結之所有氫原子之莫耳比(氫原子/烯基)為0.9,進而將該聚矽氧烷混合物與正庚烷以1/1之重量比混合,而獲得聚矽氧烷混合物之溶液。相對於溶液中之聚矽氧烷混合物100重量份,混合以上述式(8)所表示之具有乙炔系不飽和基之矽化合物1重量份,並以鉑金屬濃度為100 ppm之方式添加鉑系觸媒,而獲得加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物之溶液。
將該溶液於支持基板之第1主面上以縱718 mm、橫598 mm之大小,藉由模塗機進行塗敷(塗敷量為20 g/m2 )。繼而,於210℃下於大氣中加熱硬化60分鐘,而獲得具有厚度為15 μm之硬化聚矽氧樹脂層之支持體B。再者,支持體B之硬化聚矽氧樹脂層之表面張力為20.5 N/m。
繼而,對縱720 mm、橫600 mm、板厚0.3 mm、線性膨脹係數38×10-7 /℃之玻璃板(「AN100」。旭硝子股份有限公司製造)之第1主面(其後使其與硬化聚矽氧樹脂層接觸之側之面)進行純水清洗、UV清洗而使其潔淨化。
繼而,將上述支持基板之第1主面上之聚矽氧樹脂層之剝離性表面與玻璃基板之第1主面,於室溫下藉由真空重合裝置以兩基板之重心重疊之方式加以重合,繼而,於加壓腔室內以0.49 MPa×5分鐘之條件進行靜置,而獲得玻璃基板積層體B(本發明之玻璃基板積層體)。
於此種實施例2之玻璃基板積層體B中,玻璃基板及支持基板不與硬化聚矽氧樹脂層產生氣泡而進行密接,亦無凸狀缺點且平滑性亦良好。
對玻璃基板積層體B亦實施上述再剝離性評價、耐熱性評價、密接強度之經時穩定性評價。再者,根據於玻璃基板與硬化聚矽氧樹脂層之間進行剝離之再剝離性試驗之結果,確認玻璃基板與硬化聚矽氧樹脂層之間的剝離強度低於支持基板與硬化聚矽氧樹脂層之間的剝離強度。
再剝離性:10/10(10組全部可剝離)
耐熱性(熱分解開始溫度):440℃
密接強度之經時穩定性:初始值=3.9 N/25 mm、加速後=4.0 N/25 mm
(實施例3)
首先準備縱720 mm、橫600 mm、板厚0.6 mm、線性膨脹係數38×10-7 /℃之玻璃板(「AN100」。旭硝子股份有限公司製造)作為支持基板,進行純水清洗、UV清洗而使表面潔淨化。
繼而將作為用於形成樹脂層之樹脂的有機氫化聚矽氧烷A、及含有烯基之聚矽氧烷D與含有烯基之聚矽氧烷E之95質量%/5質量%混合物加以混合,以使所有烯基與和矽原子鍵結之所有氫原子之莫耳比(氫原子/烯基)為0.9,於該聚矽氧烷混合物100重量份中混合以上述式(8)所表示之具有乙炔系不飽和基之矽化合物1重量份,並以鉑金屬濃度為100 ppm之方式添加鉑系觸媒,而獲得不含溶劑之加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物。
繼而,將該組合物於支持基板之第1主面上以縱718 mm、橫598 mm之大小藉由網版印刷裝置進行塗敷(塗敷量為20 g/m2 )。繼而,於180℃下於大氣中加熱硬化60分鐘,而獲得具有厚度為20 μm之硬化聚矽氧樹脂層之支持體C。
再者,支持體C之硬化聚矽氧樹脂層之表面張力為20.0 N/m。
繼而,使用縱720 mm、橫600 mm、厚度0.1 mm、線性膨脹係數38×10-7 /℃之玻璃基板(「AN100」。旭硝子股份有限公司製造)作為玻璃基板,將支持基板之第1主面上之硬化聚矽氧樹脂層之剝離性表面與玻璃基板之第1主面,於室溫下藉由真空壓製機以兩基板之重心重疊之方式加以黏合,而獲得玻璃基板積層體C(本發明之玻璃基板積層體)。
於此種實施例3之玻璃基板積層體C中,玻璃基板及支持基板不與硬化聚矽氧樹脂層產生氣泡而進行密接,亦無凸狀缺點且平滑性亦良好。
對玻璃基板積層體C亦實施上述再剝離性評價、耐熱性評價、密接強度之經時穩定性評價。再者,根據於玻璃基板與硬化聚矽氧樹脂層之間進行剝離之再剝離性試驗之結果,確認玻璃基板與硬化聚矽氧樹脂層之間的剝離強度低於支持基板與硬化聚矽氧樹脂層之間的剝離強度。
再剝離性:10/10(10組全部可剝離)
耐熱性(熱分解開始溫度):440℃
密接強度之經時穩定性:初始值=3.6 N/25 mm、加速後=3.6 N/25 mm
(實施例4)
於本例中,使用於實施例3中獲得之玻璃基板積層體C製造LCD。
準備2片玻璃基板積層體C,1片係供於陣列形成步驟而於玻璃基板之第2主面上形成陣列。另外1片係供於彩色濾光片形成步驟,而於玻璃基板之第2主面上形成彩色濾光片。
將形成有陣列之積層體C1(本發明之附有支持體之顯示裝置用面板)與形成有彩色濾光片之積層體C2(本發明之附有支持體之顯示裝置用面板),分別以支持基板成為外側之方式經由密封材料黏合,而獲得兩側附有積層體之LCD之空單元。
繼而,使積層體C1之第2主面真空吸附於固定盤上,於積層體C2之角部之玻璃基板與樹脂層之界面中插入厚度為0.1 mm之不鏽鋼製刀具,賦予玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面之剝離的啟動點。繼而,於用24個真空吸附墊將積層體C2之支持基板之第2主面吸附後,自靠近積層體C2之角部之吸附墊依序使其上升。其結果係,可於固定盤上僅殘留附有積層體C1之支持基板之LCD之空單元,並將固定有樹脂層之支持基板剝離。
繼而,使於第1主面上形成有彩色濾光片之玻璃基板之第2主面真空吸附於固定盤上,於積層體C1之角部之玻璃基板與樹脂層之界面中插入厚度為0.1 mm之不鏽鋼製刀具,賦予玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面之剝離的啟動點。繼而,於用24個真空吸附墊將積層體C1之支持基板之第2主面吸附後,自靠近積層體C1之角部之吸附墊依序使其上升。其結果係,可於固定盤上僅殘留LCD單元,並將固定有樹脂層之支持基板剝離。如此一來,可獲得由厚度為0.1 mm之玻璃基板構成之LCD之空單元。
繼而,於將LCD之空單元切斷,並分割為168個縱51 mm×橫38 mm之LCD之空單元後,實施液晶注入步驟及注入口之密封步驟而完成LCD單元。實施對所完成之LCD單元黏附偏光板之步驟,繼而實施模組形成步驟而獲得LCD。如此所獲得之LCD之特性上不會產生問題。
(實施例5)
於本例中,使用於實施例2中獲得之玻璃基板積層體B製造LCD。
準備2片玻璃基板積層體C,1片係供於陣列形成步驟而於玻璃基板之第2主面上形成陣列。另外1片係供於彩色濾光片形成步驟,而於玻璃基板之第2主面上形成彩色濾光片。
將形成有陣列之積層體B1(本發明之附有支持體之顯示裝置用面板)與形成有彩色濾光片之積層體B2(本發明之附有支持體之顯示裝置用面板),分別以支持基板成為外側之方式經由密封材料黏合,而獲得兩側附有積層體之LCD單元。其後以與實施例4相同之順序將各個玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面剝離。
如此一來,可獲得由厚度為0.3 mm之玻璃基板構成之LCD之空單元。
繼而,藉由化學蝕刻處理使各個玻璃基板之厚度為0.15 mm。於化學蝕刻處理後之玻璃基板之表面不會出現如成為光學性問題之蝕刻斑之產生。
其後,將LCD之空單元切斷,並分割為168個縱51 mm×橫38 mm之LCD之空單元後,實施液晶注入步驟及注入口之密封步驟而形成LCD單元。實施對所形成之LCD單元黏附偏光板之步驟,繼而實施模組形成步驟而獲得LCD。如此所獲得之LCD之特性上不會產生問題。
(實施例6)
於本例中,使用於實施例3中獲得之玻璃基板積層體C製造OLED。
供於形成透明電極之步驟、形成輔助電極之步驟、蒸鍍電洞注入層‧電洞傳輸層‧發光層‧電子傳輸層等之步驟、將該等密封之步驟,於積層體C3(本發明之附有支持體之顯示裝置用面板)之薄板玻璃基板上形成有機EL結構體。
繼而,於使密封體側真空吸附於固定盤後,於積層體C3之角部之玻璃基板與樹脂層之界面中插入厚度為0.1 mm之不鏽鋼製刀具,賦予玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面之剝離的啟動點。繼而,於用24個真空吸附墊將積層體之支持基板之第2主面吸附後,自靠近積層體C3之角部之吸附墊依序使其上升。其結果係,可於固定盤上僅殘留形成了有機EL結構體之玻璃基板,並將固定有樹脂層之支持基板剝離。
繼而,於使用雷射裁刀或切割斷裂法將玻璃基板切斷,分割為288個縱41 mm×橫30 mm之單元後,將形成了有機EL結構體之玻璃基板與對向基板組裝,實施模組形成步驟而製作OLED。如此所獲得之OLED之特性上不會產生問題。
(比較例1)
將有機氫化聚矽氧烷C與含有烯基之聚矽氧烷D混合,以使所有烯基與和矽原子鍵結之所有氫原子之莫耳比(氫原子/烯基)為0.9,進而將該聚矽氧烷混合物與正庚烷以1/1之重量比混合,而獲得聚矽氧烷混合物之溶液。相對於溶液中之聚矽氧烷混合物100重量份,混合以上述式(8)所表示之具有乙炔系不飽和基之矽化合物1重量份,並以鉑金屬濃度為100 ppm之方式添加鉑系觸媒,而獲得加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物之溶液。除使用該溶液以外,以與實施例3相同之順序製作積層體D。
使用所獲得之積層體D,實施上述再剝離性評價、耐熱性評價、密接強度之經時穩定性評價。
再剝離性:10/10(10組全部可剝離)
耐熱性(熱分解開始溫度):390℃
密接強度之經時穩定性:初始值=3.4 N/25 mm、加速後=8.8 N/25 mm(於一部分樹脂層中觀察到破壞)
已詳細地且參照特定之實施形態對本發明進行了說明,但業者應明瞭只要不脫離本發明之精神與範圍,則可添加各種變更或修正。
本申請案係基於2009年8月28日申請之日本專利申請案2009-198761者,其內容於此作為參照而併入本文。
產業上之可利用性
根據本發明,可提供一種耐熱性優異,可抑制與所積層之玻璃基板之間的經時性剝離強度上升,進而可不破壞所積層之玻璃基板而於短時間內進行剝離,且亦可適用於TFT陣列之製造等高溫條件下之製造製程的用於支持玻璃基板之支持體,及其製造方法。進而,根據本發明,亦可提供一種使用該支持體而獲得之玻璃基板積層體、該玻璃基板積層體之製造方法、使用該玻璃基板積層體而獲得之顯示裝置用面板製造用之附有支持體之顯示裝置用面板、及使用該玻璃基板積層體之顯示裝置用面板之製造方法。
10...附有支持體之顯示裝置用面板
12...支持基板
14...樹脂層
16...玻璃基板
18...顯示裝置用面板之構成構件
20...支持體
30...玻璃基板積層體
40...顯示裝置用面板
圖1係本發明之附有支持體之顯示裝置用面板之一實施形態的示意性剖面圖。
10...附有支持體之顯示裝置用面板
12...支持基板
14...樹脂層
16...玻璃基板
18...顯示裝置用面板之構成構件
20...支持體
30...玻璃基板積層體
40...顯示裝置用面板

Claims (16)

  1. 一種支持體,其特徵在於:其係包含支持基板與設置於支持基板之單面並具有剝離性表面之硬化聚矽氧樹脂層、且用以於該硬化聚矽氧樹脂層表面積層玻璃基板之支持體;上述硬化聚矽氧樹脂層之硬化聚矽氧樹脂係硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化物,該硬化性聚矽氧樹脂組合物包含下述線性有機聚矽氧烷(a)與下述線性有機聚矽氧烷(b);上述硬化聚矽氧樹脂層係藉由使上述硬化性聚矽氧樹脂組合物於上述支持基板表面上硬化而形成者;線性有機聚矽氧烷(a):其為每1分子至少具有2個烯基之線性有機聚矽氧烷;線性有機聚矽氧烷(b):其為每1分子至少具有3個與矽原子鍵結之氫原子之線性有機聚矽氧烷,且為上述氫原子之至少1個與分子末端之矽原子鍵結之線性有機聚矽氧烷。
  2. 如請求項1之支持體,其中於上述硬化性聚矽氧樹脂組合物中,與矽原子鍵結之所有氫原子相對於所有烯基之莫耳比(氫原子/烯基)為0.7~1.05。
  3. 如請求項1或2之支持體,其中支持基板之材料之5%加熱重量損失溫度為300℃以上。
  4. 如請求項1或2之支持體,其中支持基板為玻璃板、矽晶圓、合成樹脂板或金屬板。
  5. 如請求項3之支持體,其中支持基板為玻璃板、矽晶圓、合成樹脂板或金屬板。
  6. 一種支持體之製造方法,其係製造包含支持基板與設置於支持基板之單面並具有剝離性表面之硬化聚矽氧樹脂層、且用以於該硬化聚矽氧樹脂層表面積層玻璃基板之支持體者;該製造方法之特徵在於:將包含下述線性有機聚矽氧烷(a)與線性有機聚矽氧烷(b)之硬化性聚矽氧樹脂組合物塗佈於支持基板之單面而形成硬化性聚矽氧樹脂組合物之層,繼而使上述硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化而形成上述硬化聚矽氧樹脂層;線性有機聚矽氧烷(a):其為每1分子至少具有2個烯基之線性有機聚矽氧烷;線性有機聚矽氧烷(b):其為每1分子至少具有3個與矽原子鍵結之氫原子之線性有機聚矽氧烷,且為上述氫原子之至少1個與分子末端之矽原子鍵結之線性有機聚矽氧烷。
  7. 一種玻璃基板積層體之製造方法,其特徵在於,其係於如請求項1至5中任一項之支持體之硬化聚矽氧樹脂層表面積層玻璃基板。
  8. 如請求項7之玻璃基板積層體之製造方法,其中玻璃基板之厚度為0.05~0.4 mm。
  9. 一種玻璃基板積層體,其特徵在於:其係包含支持基板、玻璃基板及存在於該等之間的硬化聚矽氧樹脂層之玻璃基板積層體; 上述硬化聚矽氧樹脂層包含硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化物,該硬化性聚矽氧樹脂組合物含有下述線性有機聚矽氧烷(a)與下述線性有機聚矽氧烷(b),上述玻璃基板與硬化聚矽氧樹脂層之間的剝離強度低於上述支持基板與硬化聚矽氧樹脂層之間的剝離強度;線性有機聚矽氧烷(a):其為每1分子至少具有2個烯基之線性有機聚矽氧烷;線性有機聚矽氧烷(b):其為每1分子至少具有3個與矽原子鍵結之氫原子之線性有機聚矽氧烷,且為上述氫原子之至少1個與分子末端之矽原子鍵結之線性有機聚矽氧烷。
  10. 如請求項9之玻璃基板積層體,其中上述硬化聚矽氧樹脂層係:使處於與支持基板表面接觸且不與玻璃基板表面接觸之狀態之上述硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化,於硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化後使其與上述玻璃基板表面接觸而形成之層。
  11. 如請求項9之玻璃基板積層體,其中於上述硬化性聚矽氧樹脂組合物中,與矽原子鍵結之所有氫原子相對於所有烯基之莫耳比(氫原子/烯基)為0.7~1.05。
  12. 如請求項9之玻璃基板積層體,其中支持基板之材料之5%加熱重量損失溫度為300℃以上。
  13. 如請求項9之玻璃基板積層體,其中支持基板為玻璃板、矽晶圓、合成樹脂板或金屬板。
  14. 如請求項9之玻璃基板積層體,其中玻璃基板之厚度為 0.05~0.4 mm。
  15. 一種顯示裝置用面板,其附有用於製造顯示裝置用面板之支持體,上述顯示裝置用面板係:於如請求項9至14中任一項之玻璃基板積層體之玻璃基板表面,形成顯示裝置用面板之構成構件之至少一部分而形成者。
  16. 一種顯示裝置用面板之製造方法,該顯示裝置用面板具有玻璃基板,該製造方法之特徵在於:於如請求項9至14中任一項之玻璃基板積層體之玻璃基板表面上,形成顯示裝置用面板之構成構件之至少一部分,其後將玻璃基板與附有硬化聚矽氧樹脂層之支持基板分離。
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