TWI398021B - A method for producing a compound semiconductor substrate, a compound semiconductor substrate, and a light-emitting element - Google Patents

A method for producing a compound semiconductor substrate, a compound semiconductor substrate, and a light-emitting element Download PDF

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Description

化合物半導體基板的製造方法、化合物半導體基板以及發光元件
本發明是關於一種化合物半導體基板的製造方法、化合物半導體基板以及發光元件，具體而言，是關於一種用以安定並地供給發光元件之化合物半導體基板的製造方法、化合物半導體基板以及發光元件，該發光元件幾乎沒有順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf(stabilized voltage drop))升高等的不良情況，且能實現高輝度。
以往已知一種發光元件，其係在GaAs單結晶基板上形成發光層部和電流擴散層而構成。
例如已知有一種發光元件，其係在GaAs單結晶基板上，形成由AlGaInP等4種元素所構成之發光層部和由GaP所構成之窗層(以下簡稱為GaP窗層)。此GaP窗層可藉由下述而製作：在發光層部側藉由有機金屬氣相磊晶成長法(metal organic vapor phase epitaxy，以下簡稱為MOVPE法)形成較薄之層後，藉由氫化物氣相磊晶成長法(hydride vapor phase epitaxy，以下簡稱為HVPE法)形成較厚之層。例如，GaP磊晶層被成長至全體達200μm左右的厚度。
進而已知有一種發光元件，其為了實現由AlGaInP所構成之發光元件的進一步高輝度化，而除去了光吸收性之GaAs基板，並接合了光穿透性之GaP基板來代替(例如參照日本專利特開2002-203987號公報)。
接合GaP基板之前述技術，某種程度上可達成高輝度化。但是因為步驟變得複雜，所以會隨之有製造成本升高的問題。
而且，發光元件的順向電壓(Vf)升高則會發生消耗電力增大的異常(不良情況)。進而會有影響開關特性之穩定電壓降(ΔVf)惡化的問題。在此，所謂的「穩定電壓降」是顯示藉由等速度開關驅動發光元件之際的開關反應特性的指標，是指將藉由20mA通電時在通電開始後瞬間的順向電壓Vf作為初期值時，其後繼續通電之際的穩定值和初期值之間的變化量。
本發明是為了解決此種上述的課題而開發出來，提供了一種化合物半導體基板的製造方法、化合物半導體基板以及發光元件，可實現順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)良好的半導體發光元件，且可減低製造成本。
為了解決上述課題，本發明提供了一種化合物半導體基板的製造方法，是針對至少具有：於GaAs基板上使由AlGaInP所構成之四元發光層磊晶成長之步驟；於該四元發光層之與前述基板相反側的單面的主表面(第一主面)上，使p型GaP窗層氣相成長之步驟；除去前述GaAs基板之步驟；以及於已除去該GaAs基板側之前述發光層的主表面(第二主面)上，使n型GaP窗層磊晶成長之步驟的化合物半導體基板的製造方法，其特徵在於：於除去前述GaAs基板之步驟後，而在使前述n型GaP窗層磊晶成長之步驟前，具有以含有氨之氫氣氣氛來進行熱處理之步驟。
本發明之特徵在於：當製造化合物半導體基板之際，在除去前述GaAs基板之步驟後，至使前述n型GaP窗層磊晶成長之步驟之間，以含有氨之氫氣氣氛來進行熱處理之步驟。
在將GaP基板貼合之以往的製造方法中，已知在四元發光層、GaP基板的兩貼合界面，存在有數十(數nm)之氧化膜，而且每一批次中碳等雜質濃度也會有某種程度的不均而不安定。然後，雖然由於此氧化膜或附著於界面之碳而產生貼合界面上的Vf或ΔVf升高之不良情況，但是如同本發明般，藉由使n型GaP窗層磊晶成長、且在磊晶成長前，以含有氨之氫氣氣氛來進行熱處理，則可使四元發光層的第二主面側也就是四元發光層和n型GaP窗層界面的碳濃度及氧濃度降低，而可製造出一種順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)良好的高輝度發光元件用之化合物半導體基板。
又，因為可使Vf、ΔVf不良情況的發生率降低，且可省去貼合般的複雜步驟，所以可改善製造良率，藉此可削減製造成本。
又，前述以含有氨之氫氣氣氛來進行熱處理之步驟，較佳為設作在300℃以上之溫度範圍中，熱處理累計10分鐘以上之步驟。
藉由像這樣在300℃以上之溫度範圍中，熱處理累計10分鐘以上，則可使四元發光層和n型GaP窗層之界面(第二主面)的碳濃度及氧濃度較為降低，藉此可製造出一種順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)較為良好的化合物半導體基板。
又，前述含有氨之氫氣氣氛，較佳為氨的體積含量是0.01%以上。
藉由像這樣以氨的體積含量是0.01%以上的氫氣氣氛來熱處理，可效率較佳地使第二主面的碳濃度及氧濃度降低。
又，在本發明中，提供一種化合物半導體基板，是針對至少具有：由AlGaInP所構成之四元發光層；形成於該四元發光層之單面的主表面(第一主面)側之p型GaP窗層；以及形成於前述四元發光層的另一面的主表面(第二主面)側之n型GaP窗層的化合物半導體基板，其特徵在於：前述四元發光層和前述n型GaP窗層之界面也就是前述四元發光層的第二主面，其碳濃度是1.0×1017 /cm3 以下，且氧濃度是1.0×1019 /cm3 以下。
如此，本發明中提供一種化合物半導體，其四元發光層的第二主面的碳濃度是1.0×1017 /cm3 以下，且氧濃度是1.0×1019 /cm3 以下。
以往藉由GaP基板之黏貼的製造方法中，四元發光層和n型GaP窗層之界面(第二主面)的碳及氧濃度分別是8.0×1018 ～2.0×1019 /cm3 、2.0×1019 ～1.0×1021 /cm3 ，相對於此，本發明之化合物半導體基板因為四元發光層的第二主面的碳濃度是1.0×1017 /cm3 以下、氧濃度是1.0×1019 /cm3 以下，所以若是此種化合物半導體基板，則可作成高輝度且順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)良好的發光元件。
又，因為順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)良好，所以是不良情況之發生率低的化合物半導體基板，因此成為一種化合物半導體基板，可達成製造良率之改善及製造成本之削減。
在此，本發明中所謂第二主面的碳濃度及氧濃度，是指在第二主面上及其附近的碳濃度及氧濃度。
又，前述四元發光層的第二主面，較佳為碳濃度是1.0×1017 /cm3 以下、氧濃度是1.0×1018 /cm3 以下。
如此，若第二主面進而為碳濃度是1.0×1017 /cm3 以下、氧濃度是1.0×1018 /cm3 以下，則可作為一化合物半導體基板，其能作成順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)更加良好的高輝度發光元件。
又，提供一種發光元件，其特徵在於：是使用本發明所述之化合物半導體基板而製造出來。
如同前述，本發明之化合物半導體基板，因為四元發光層和n型GaP窗層之界面(第二主面)的碳濃度及氧濃度是夠低的水準，所以使用此種化合物半導體基板而製造出來的發光元件，能作成高輝度且順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)良好者。
如同以上所說明，比起將GaP基板貼合之以往的製造方法，本發明之化合物半導體基板的製造方法，能使四元發光層和n型GaP窗層界面的碳濃度及氧濃度降低，藉此可製造出一種化合物半導體基板，其能使順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)比以往更良好。而且，因為可使不良情況的發生率減少，所以能使製造良率提升，藉此可削減製造成本。
 [實施發明的較佳形態]
以下，更具體地說明本發明。
如同前述，能實現順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)良好的半導體發光元件、且能降低製造成本之化合物半導體基板及其製造方法，其開發正受到期待。
於是，本發明人，針對發光元件的順向電壓(Vf)及穩定電壓降(ΔVf)變高的原因而專心研究。
結果，本發明人發現，在將GaP基板貼合之以往的製造方法中，於四元發光層、GaP基板的兩貼合界面，存在有數十(數nm)的氧化膜，而且每一製造批次中之碳等雜質濃度也會有某種程度的不均而不安定。而且發現，由於此氧化膜或附著於界面之碳的存在，貼合界面上之Vf或ΔVf升高而發生不良情況。此氧化膜或附著於界面之碳，雖然可藉由化學蝕刻或400℃以上等的高溫退火而降低，但若取出至大氣下，則氧化膜會直接再成長、且碳也會再附著。
又，在貼合步驟中，為了防止四元發光層和GaP基板的方位偏移，而要求慎重的作業。因此，在進行將多枚並列而接合的作業時，至接合開始為止會產生15分鐘～40分鐘左右的不一致(偏差)。然後每一貼合批次中會產生氧化膜厚度或碳濃度的不一致，若超過一定時間，則Vf、ΔVf品質會超過容許範圍而成為不良情況。雖然亦有真空保存等防止氧化膜的再成長及碳的再附著的方法，但自作業性、生產性之觀點而言並不佳。
於是，本發明者進而專心研究後的結果，發現藉由不是貼合n型GaP窗層而是使其磊晶成長，且除去GaAs基板而在形成n型GaP窗層前以含有氨之氫氣氣氛來進行熱處理，則可使成長界面之氧化膜及碳濃度大幅地減少，而完成了本發明。
以下，針對本發明參照第1圖、第2圖詳細地說明，但本發明並不限定於此。第一圖是顯示本發明之化合物半導體基板的一例的概略圖。
本發明之化合物半導體基板13，至少具有：厚度是2～10μm左右之四元發光層11、由p型GaP層7與p型GaP磊晶層8所構成而厚度是5～200μm左右之p型GaP窗層9、以及厚度是30～200μm左右之n型GaP窗層10。其中，作為四元發光層11而具有各由AlGaInP所構成且厚度是0.8～4μm左右之n型包覆層(clad layer)4、厚度是0.4～2μm左右之主動層5及厚度是0.8～4μm左右之p型包覆層6。另外，在四元發光層11中，p型包覆層6側的表面是第一主面11a、n型包覆層4側的表面是第二主面11b。然後，第一主面11a是四元發光層11和p型GaP窗層9的界面、第二主面11b是四元發光層11和n型GaP窗層10的界面。
在此，本發明中所謂的四元發光層，是指藉由使用Al、Ga、In等3種III族元素和P之V族元素而成的III-V族化合物半導體材料所構成之層。
而且，此四元發光層11的第二主面11b中的碳濃度是1.0×1017 /cm3 以下，且氧濃度是1.0×1019 /cm3 以下。
如此，作成四元發光層之第二主面的碳濃度是1.0×1017 /cm3 以下、氧濃度是1.0×1019 /cm3 以下之化合物半導體基板，相較於如以往般藉由貼合GaP窗層而製作者，GaP窗層和四元發光層之界面的碳濃度約1/100以下、氧濃度約1/2以下。藉由使用此種化合物半導體基板，可作成一種化合物半導體基板，與以往相比，其能作成順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)更加良好且高輝度的發光元件。
又，因為是順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)良好也就是Vf及ΔVf的不良情況發生率被抑制於低值的化合物半導體基板，因此可作為一種化合物半導體基板，其能達成製造良率之改善及製造成本之削減。
在此，本發明中，四元發光層的第二主面的碳濃度，可作成1.0×1017 /cm3 以下且氧濃度是1.0×1018 /cm3 以下。
詳如後述，若根據本發明之化合物半導體基板的製造方法，因為可得到第二主面的碳濃度是1.0×1017 /cm3 以下、氧濃度是1.0×1018 /cm3 以下的化合物半導體基板，所以可作為一化合物半導體基板，其能作為順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)較良好的高輝度發光元件。
在此，第二主面的碳濃度及氧濃度的下限雖然期望是越低越好，但因為難以達到碳濃度1×1013 /cm3 以下、氧濃度1×1014 /cm3 以下，所以下限較希望是上述值。
此種本發明之化合物半導體基板，雖然可藉由如以下所例示般的化合物半導體基板的製造方法來製造，但當然並不限定於此。在此，第2圖是顯示本發明之化合物半導體基板的製造方法的一例的步驟流程圖。
(步驟a)
首先，如第2圖之步驟a所示般，準備並洗淨n型的GaAs基板1後，配設於例如MOVPE反應器中。然後，於GaAs基板1上，一面導入包含Ga或As、Al、In、P等的原料氣體，一面使n型GaAs緩衝層2、進而使n型AlInP蝕刻停止層3磊晶成長。
接著，作為四元發光層11而使各由AlGaInP所構成之厚度是0.8～4μm左右之n型包覆層、厚度是0.4～2μm左右之主動層、及厚度是0.8～4μm左右之p型包覆層，依此順序而藉由例如MOVPE法來磊晶成長。進而，於p型包覆層上使厚度0.05～1μm左右之p型GaP層磊晶成長，而得到有機金屬化合物磊晶基板(MO磊晶基板)12。另外，四元發光層11，其在p型包覆層側的表面也就是與GaAs基板1相反側的表面，是第一主面11a。
另外，為了形成此各層之磊晶層的製造條件，可根據所謀求之磊晶層厚度或組成比例而適當地選擇。
在此，作為上述各層之磊晶成長所使用之Al、Ga、In(銦)、P(磷)、As(砷)等各成分來源的原料氣體，例如可使用以下般者。
Al源氣體：三甲基鋁(TMAl)、三乙基鋁(TEAl)等。
Ga源氣體：三甲基鎵(TMGa)、三乙基鎵(TEGa)等。
In源氣體：三甲基銦(TMIn)、三乙基銦(TEIn)等。
P源氣體：三甲基磷(TMP)、三乙基磷(TEP)、膦(PH3 )等。
As源氣體：胂(AsH3 )等。
又，作為摻雜氣體，例如可使用下述般者。
(P型摻雜劑)
Mg源：雙環戊二烯鎂(Cp2 Mg)等。
Zn源：二甲基鋅(DMZn)、二乙基鋅(DEZn)等。
(n型摻雜劑)
Si源：單矽烷等的氫化矽。
(步驟b)
接著，於MO磊晶基板12上使厚度5～200μm左右之厚的p型GaP磊晶層8，例如藉由HVPE法來氣相成長，藉此形成p型GaP窗層9。
HVPE法，具體而言是首先於容器內，一面將III族元素也就是金屬Ga，加熱保持於規定之溫度，一面藉由於該金屬Ga上導入氯化氫而根據下述(1)式之反應來使GaCl生成，與載送氣體也就是H2 氣體一起供給至基板上。
Ga(液體)＋HCl(氣體)→GaCl(氣體)＋1/2H2 (氣體)……(1)
成長溫度例如是設定於640℃以上、860℃以下。又，V族元素也就是P，是將PH3 與載送氣體也就是H2 氣體一起供給至基板上。進而，p型摻雜劑也就是Zn，是以DMZn(二甲基鋅)的形式供給，並藉由下述(2)式般的反應來形成n型GaP磊晶層8。
GaCl(氣體)＋PH3 (氣體)→GaP(固體)＋HCl(氣體)＋H2 (氣體)……(2)
(步驟c)
步驟b結束後，將GaAs基板1、GaAs緩衝層2及n型AlInP蝕刻停止層3，例如藉由硫酸、過氧化氫等藥劑溶液來蝕刻並除去。另外，藉由蝕刻除去而露出的AlGaInP之四元發光層11的表面，是第二主面11b。
(步驟d)
接著，將由四元發光層11及p型GaP窗層9所構成之基板，導入至例如HVPE反應機中，將爐內作成氫氣氣氛後，於開始升溫之同時，開始供給氨氣氣體而進行熱處理。
在此，在含有氨之氫氣氣氛下的升溫製程，可設作在300℃以上之溫度範圍中累計10分鐘以上，經過10分鐘以上後即停止氨氣氣體之供給。
藉由以上述條件的含有氨之氫氣氣氛來進行熱處理，可使四元發光層11和n型GaP窗層10之界面(第二主面11b)的碳濃度是1×1017 /cm3 以下、氧濃度是1×1019 /cm3 以下且特別是1.0×1018 /cm3 以下，藉此可得到一種化合物半導體基板，能作成順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)較良好之高輝度發光元件。
較期望的是設定為保持累計20～30分鐘左右。
又，含有氨之氫氣氣氛，可設作氨之體積含有率是至少0.01%以上。
如此，藉由以氨之體積含有率是0.01%以上的氫氣氣氛來進行熱處理，而可使四元發光層和n型GaP層界面的碳濃度及氧濃度更進一步地降低。
較期望的是氨之體積含有率是0.03%以上、1.0%以下的氣氛。
接著，於第二主面11b上，將用以取出在四元發光層11中所發出的光之n型GaP窗層10，成長為30～200μm。
藉由以上步驟，得到一種化合物半導體基板13，實現了順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)良好之半導體發光元件。
在此，進而藉由切斷此種化合物半導體基板13，加工為晶片(chip)，進行電極附加等，而可得到高輝度發光元件。
如同前述，本發明之化合物半導體基板，因為四元發光層和n型GaP窗層之界面(第二主面)的碳濃度及氧濃度是夠低的水準，所以使用此種化合物半導體基板而製造的發光元件，能作成高輝度且順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)良好者。
如此，以往在藉由貼合GaP基板之製造方法中，四元發光層和n型GaP窗層之界面的碳及氧濃度界限分別是8.0×1018 ～2.0×1019 /cm3 、2.0×1019 ～1.0×1021 /cm3 ，相對於此，若依照本發明之化合物半導體基板的製造方法，則由於碳濃度可以是1.0×1017 /cm3 以下、氧濃度是1.0×1019 /cm3 以下，所以可相較於以往而使四元發光層和n型GaP窗層界面的碳濃度及氧濃度降低。藉此，可作成一種化合物半導體基板，其能製造出一種發光元件，不但是高輝度，且其順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)亦比以往良好許多。
[實施例]
以下，顯示實施例及比較例而更具體地說明本發明，但本發明當然不受其限定。
(實施例1)
依循前述第2圖之步驟，於厚度280μm之GaAs單結晶基板1上，使n型GaAs緩衝層2磊晶成長0.5μm、進而使n型AlInP蝕刻停止層3磊晶成長0.5μm，接著，作為發光層11而使各由AlGaInP所構成之厚度是1.0μm之n型包覆層、厚度是0.6μm之主動層、及厚度是1.0μm之p型包覆層，依順序藉由例如MOVPE法來磊晶成長。
進而，於p型包覆層上，使厚度0.1μm之p型GaP層7磊晶成長，而得到MO磊晶基板12。另外，作為上述磊晶成長之原料氣體，是使用三甲基鎵(TMGa)、三甲基銦(TMIn)、三甲基鋁(TMAl)、膦(PH3 )、胂(AsH3 )。
接著，於MO磊晶基板12上，使p型GaP磊晶層8以HVPE法氣相成長約150μm。
接著藉由混合了硫酸、過氧化氫之藥劑溶液來蝕刻並除去GaAs基板1後，設置於HVPE反應器。然後一面將H2 氣體供給至HVPE反應器中一面開始升溫，於開始升溫時，同時開始氨氣氣體之供給。於氨氣之供給開始時，爐內的氨濃度幾乎同時達到0.05%。爐內溫度達到300℃之後的10分鐘後，停止氨氣氣體之供給。
之後，升溫而在爐內溫度達到規定的710℃時，開始成長n型GaP窗層10，形成200μm之n型GaP窗層10，而製作出化合物半導體基板13。
為了評價如此製作之化合物半導體基板，進行了以下的評價。
首先，藉由SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy，二次離子質譜分析)來評價化合物半導體基板之四元發光層和n型GaP窗層之界面(第二主面)的碳濃度及氧濃度。
又，為了評價所製作之化合物半導體基板的順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)，將前述化合物半導體基板切斷，加工為200平方μm之晶片並進行電極附加而製作發光元件。對於其中3個發光元件(基板中心部(1個)、周邊部(2個))，以定電流電源通電20mA而測定Vf。又，將20mA之通電開始後瞬間的電壓作為初期值，而測定其與之後繼續通電之際的穩定值之間的變化量，亦即測定穩定電壓降(ΔVf)。
(實施例2)
除了將實施例1中爐內溫度達到300℃之後的氨氣氣體之供給時間設作20分鐘以外，以與實施例1同樣的條件進行化合物半導體基板之製作，並進行與實施例1同樣的評價。
(比較例1)
至實施例1中除去GaAs單結晶基板為止，是以與實施例1同樣的條件進行化合物半導體基板之製作，之後，則不進行以含有氨之氫氣氣氛來熱處理，且貼合另外備妥之GaP基板來代替進行n型GaP窗層10之成長，藉此製作化合物半導體基板。然後，對於所製作之化合物半導體基板，進行與實施例1同樣的評價。
評價實施例1之化合物半導體基板之第二主面的碳濃度及氧濃度時，碳濃度是1.4×1016 /cm3 、氧濃度是2.0×1018 /cm3 。又，實施例2之化合物半導體基板中，碳濃度是9.5×1015 /cm3 、氧濃度是5.6×1017 /cm3 ，兩實施例均非常良好。實施例2之化合物半導體基板，係藉由使以含有氨之氫氣氣氛來進行熱處理的時間比實施例1更長，而可更加減少第二主面中的碳濃度及氧濃度。
相對於此，比較例1之化合物半導體基板中，碳濃度是1.0×1019 /cm3 、氧濃度是1.2×1021 /cm3 ，比起實施例1、2是非常高的值。
在評價使用實施例1、2、比較例1之半導體基板而製作的發光元件之順向電壓(Vf)、穩定電壓降(ΔVf)時，使用實施例1之半導體基板的發光元件，其Vf=1.93～1.95V、ΔVf=30～60mV而大致良好。又，實施例2因為其Vf=1.92～1.94V、ΔVf=10～40mV，且第二主面之碳濃度及氧濃度比起實施例1之化合物半導體基板更為減少，所以Vf、ΔVf均為更加良好的值。
相對於此，比較例1中，其Vf=1.97～2.35V、ΔVf=160～205mV，比起實施例1、2，其Vf、ΔVf均不安定，而且是很大的值。
另外，本發明並未被限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，只要是具有與本發明之申請專利範圍中所記載的技術思想實質上相同的構成、能得到同樣的作用效果者，不論為何者，皆被包含在本發明的技術範圍內。
1．．．GaAs基板
2．．．n型GaAs緩衝層
3．．．n型AlInP蝕刻停止層
4．．．n型包覆層
5．．．主動層
6．．．p型包覆層
7．．．p型GaP層
8．．．p型GaP磊晶層
9．．．p型GaP窗層
10．．．n型GaP窗層
11．．．四元發光層
11a．．．第一主面
11b．．．第二主面
12．．．MO磊晶基板
13．．．化合物半導體基板
第1圖是顯示本發明之化合物半導體基板的一例的概略圖。
第2圖是顯示本發明之化合物半導體基板的製造方法的一例的步驟流程圖。
4．．．n型包覆層
5．．．主動層
6．．．p型包覆層
7．．．p型GaP層
8．．．p型GaP磊晶層
9．．．p型GaP窗層
10．．．n型GaP窗層
11．．．四元發光層
11a．．．第一主面
11b．．．第二主面
13．．．化合物半導體基板

Claims (6)

  1. 一種化合物半導體基板的製造方法，是針對至少具有：於GaAs基板上使由AlGaInP所構成之四元發光層磊晶成長之步驟；於該四元發光層之與前述基板相反側的單面的主表面(第一主面)上，使p型GaP窗層氣相成長之步驟；除去前述GaAs基板之步驟；以及於已除去該GaAs基板側之前述發光層的主表面(第二主面)上，使n型GaP窗層磊晶成長之步驟的化合物半導體基板的製造方法，其特徵在於：於除去前述GaAs基板之步驟後，而在使前述n型GaP窗層磊晶成長之步驟前，具有以含有氨之氫氣氣氛來進行熱處理之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體基板的製造方法，其中前述以含有氨之氫氣氣氛來進行熱處理之步驟，是設作在300℃以上之溫度範圍中，熱處理累計10分鐘以上之步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之化合物半導體基板的製造方法，其中前述含有氨之氫氣氣氛，其氨的體積含量是0.01%以上。
  4. 一種化合物半導體基板，是針對至少具有：由AlGaInP所構成之四元發光層；形成於該四元發光層的單面的主表面(第一主面)側之p型GaP窗層；以及形成於前述四元發光層的另一面的主表面(第二主面)側之n型GaP窗層的化合物半導體基板，其特徵在於：前述四元發光層和前述n型GaP窗層之界面也就是前述四元發光層的第二主面，其碳濃度是1.0×1017 /cm3 以下，且氧濃度是1.0×1019 /cm3 以下。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之化合物半導體基板，其中前述四元發光層的第二主面，其碳濃度是1.0×1017 /cm3 以下，且氧濃度是1.0×1018 /cm3 以下。
  6. 一種發光元件，其特徵在於：是使用如申請專利範圍第4項或第5項所述之化合物半導體基板而製造出來。
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