TW201312788A - 氣相成長方法及發光元件用基板的製造方法 - Google Patents

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Kazuyoshi Nishiyama
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Abstract

本發明提供一種氣相成長方法，是在氣相成長裝置內，藉由氫化物氣相磊晶法使III-V族化合物半導體層磊晶成長於基板上的氣相成長方法，其特徵在於：在前述III-V族化合物半導體層的磊晶成長途中，至少使該磊晶成長中斷並進行前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻1次。藉此，提供一種氫化物氣相磊晶方法，其能夠控制對於HVPE成長裝置內的基板以外之構件的因原料氣體所致之GaP析出數。

Description

氣相成長方法及發光元件用基板的製造方法
本發明是關於一種化合物半導體層的形成方法，且特別是關於一種氣相成長方法及發光元件用基板的製造方法，該氣相成長方法是利用氫化物氣相磊晶法(Hydride Vapor Phase Epitaxy)使化合物半導體層成長在基板上。
以往，已知一種發光元件，該發光元件是在砷化鎵(GaAs)單晶基板上形成發光層與電流擴散層而成。
例如，已知有一種發光元件，該發光元件是藉由有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy法，以下簡稱為MOVPE法)，在n型GaAs單晶基板上形成發光層與電流擴散層(又稱為窗層)而成，該發光層是由以組成式(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0≦x≦1，0≦y≦1)表示之化合物分別構成的n型被覆層、活性層、p型被覆層所依序積層而成，且是由雙異質結構所構成，該電流擴散層則是由磷化鎵(GaP)所構成。
作為形成此GaP電流擴散層的方法，例如在專利文獻1等中揭示有一種方法，該方法是在發光層側藉由MOVPE法而形成較薄的連接層之後，藉由氫化物氣相磊晶法(Hydride Vapor Phase Epitaxy法，以下簡稱為HVPE法)而形成較厚的第一電流擴散層。
又，此種發光元件的發光層所釋放的朝向基板側的光，會被GaAs基板亦即成長用基板所吸收。因此，為了使此朝基板側釋放的光透出，而藉由濕式蝕刻將該GaAs基板去除，並對於前述發光層的經去除該GaAs基板側的表面，成長一GaP電流擴散層(第二電流擴散層)，其對於光為透明，藉此謀求所製造之發光元件的高輝度化，此技術亦已經是習知技術。
[先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：美國專利5,008,718號公報
然而，下述情形已成為問題：對於前述發光層的經去除該GaAs基板側的表面，GaP的成長速度不一致，結果致使GaP層的厚度在各批次之間大幅地不一致，此成為後續要被製造的發光元件等的發生不良情形的原因，並成為良率降低的一大原因。此GaP的成長速度不一致的情形，是由於下述原因而發生的：在HVPE成長裝置內的基板以外的構件上，例如在基座(susceptor)上，若產生如第3圖(b)所示般的因原料氣體所致之GaP的析出，則依其析出程度，GaP層的成長會受到阻礙。
又，已知GaP在基座上的析出數、與基板上的GaP層 的成長速度之間，有著如第2圖所示般的相關性，若GaP的析出數多，則基板上的GaP層的成長速度變慢，相反地，若GaP的析出數少，則基板上的GaP層的成長速度變快；但是，控制此GaP的析出數的方法至今仍為未知。
本發明是鑑於此種習知方法的問題而完成，目的在於提供一種氫化物氣相磊晶方法及一種發光元件用基板的製造方法，該氫化物氣相磊晶方法能夠抑制對於HVPE成長裝置內的基板以外之構件的因原料氣體所致之GaP析出數，該發光元件用基板的製造方法則能夠使n型GaP層亦即第二電流擴散層的膜厚在批次間均一化。
為了達成上述目的，本發明中提供一種氣相成長方法，是在氣相成長裝置內，藉由氫化物氣相磊晶法使III-V族化合物半導體層磊晶成長於基板上的氣相成長方法，其特徵在於：在前述III-V族化合物半導體層的磊晶成長途中，至少使該磊晶成長中斷並進行前述氣相成長裝置內之氣體蝕刻1次。
如此一來，能夠在氣相成長裝置內的基座等構件上所產生的原料氣體的析出物的大小尚小的階段中，藉由氣體蝕刻來去除該析出物，因此能夠在持續抑制因該析出物所致之對磊晶成長的影響的狀態下，進行前述III-V族化合物半導體層的磊晶成長。
進而，藉此能夠使批次間的各III-V族化合物半導體層 的成長速度均一，結果能夠確實地減低批次間的各III-V族化合物半導體層的厚度不一致的情形。
又，此時較佳是在前述III-V族化合物半導體層的磊晶成長途中，進行前述氣相成長裝置內之氣體蝕刻2次以上。
如此一來，能夠較確實地去除前述氣相成長裝置內的基座等構件上所產生的原料氣體的析出物，藉此能夠使批次間的前述III-V族化合物半導體層的成長速度較為均勻，並較確實地減低批次間的前述III-V族化合物半導體層的厚度不一致的情形。
又，此時，作為在前述III-V族化合物半導體層的磊晶成長途中進行前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻的方法，可以交互且反覆地進行下述步驟：磊晶成長步驟，其使前述III-V族化合物半導體層進行磊晶成長；及前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻步驟，其處理時間比該磊晶成長步驟短。
如此一來，因為能夠一邊較有效率地去除在前述氣相成長裝置內的基座等構件上所產生的原料氣體的析出物，一邊使前述III-V族化合物半導體層進行磊晶成長，因此較佳。
又，此時較佳是利用HCl氣體來進行前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻。
如此一來，因為是利用一般氫化物氣相磊晶法中被用作為原料氣體的HCl氣體來作為蝕刻氣體，所以能夠較有效率地進行前述III-V族化合物半導體層的磊晶成長與氣相成長裝置內的氣體蝕刻。
又，此時可以將前述III-V族化合物半導體層設為GaP層。
如此，作為本發明的氫化物氣相磊晶法中的前述III-V族化合物半導體層，以GaP層較為合適。
又，本發明中提供一種發光元件用基板的製造方法，其具有下述步驟：在n型GaAs基板上，依序積層由(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0≦x≦1，0≦y≦1)所構成的n型被覆層、活性層、p型被覆層而形成發光層的步驟；在該發光層上積層第一電流擴散層亦即p型GaP層的步驟；藉由蝕刻來去除前述n型GaAs基板的步驟；及在前述發光層的經去除前述n型GaAs基板側的表面上積層第二電流擴散層亦即n型GaP層的步驟；其中，該發光元件用基板的製造方法的特徵在於：
在前述n型GaP層的積層步驟中，藉由上述氣相成長方法，在前述發光層的經去除前述n型GaAs基板側的表面上，積層n型GaP層。
在此種發光元件用基板的製造方法中的n型GaP層的積層步驟中，即便在經n型GaAs基板的GaAs晶格匹配而成之發光層上，積層一由晶格常數與GaAs不同之GaP所構成的n型GaP層，亦能夠藉由利用本發明的氣相成長方法，使批次間的前述n型GaP層的成長速度均勻，藉此確實地減低批次間的前述n型GaP層的厚度不一致的情形，並且能夠製造高品質的發光元件用基板而不使良率下降。
如同以上所說明，本發明能夠在確實地抑制氣相成長裝置內的基座構件上所產生的原料氣體的析出物對於磊晶成長的影響的狀態下，進行前述III-V族化合物半導體層的磊晶成長。
進而，藉此能夠使批次間的各III-V族化合物半導體層的成長速度均勻，藉此能夠確實地減低批次間的各III-V族化合物半導體層的厚度不一致的情形。
又，在發光元件用基板的製造方法中的n型GaP層的積層步驟中，即便在經n型GaAs基板的GaAs晶格匹配而成之發光層上，積層一由晶格常數與GaAs不同之GaP所構成的n型GaP層，亦能夠藉由利用本發明的氣相成長方法，使批次間的前述n型GaP層的成長速度均勻，藉此確實地減低批次間的前述n型GaP層的厚度不一致的情形，並且能夠製造高品質的發光元件用基板而不使良率下降。
如同前述，以往已知一種方法，其是在藉由專利文獻1等所記載的方法所製造的發光元件中，為了使從發光層朝基板側釋放的光透出，而藉由濕式蝕刻將GaAs基板去除，並於前述發光層的經去除前述GaAs基板側的表面上，成長GaP電流擴散層，該GaP電流擴散層對於光為透明。
然而，在此種方法中，在經GaAs(亦即n型GaAs基板的材料)晶格匹配而成之發光層上，必須成長一由晶格 常數與GaAs不同之GaP所構成的n型GaP層。因此，此種條件下之GaP層成長困難，容易受到在氣相成長裝置內的基座等構件上所產生的原料氣體的析出這類的外在擾亂因素所影響。並且，因此而發生下述問題：在GaP層的成長速度亦即GaP層的厚度上發生不一致，而成為後續要被製造的發光元件的發生不良情形的原因，並成為良率降低的一大原因。
有鑑於此種問題，本發明人專心進行探討，結果發現藉由氫化物氣相磊晶法使III-V族化合物半導體層磊晶成長在基板上的途中，至少使該磊晶成長中斷一次並進行前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻，藉此而能夠抑制在基座等構件上所產生的原料氣體的析出，並減低GaP層的厚度不一致的情形，而完成本發明。
以下，基於圖式來詳細說明本發明的氣相成長方法的實施形態，但本發明並不僅限於此實施形態。
首先，一邊參照第1圖一邊簡單地說明能夠適合於本發明的氣相成長方法的氣相成長裝置。另外，第1圖中顯示筒型的氣相成長裝置，但即便是其他的水平型或縱型等的氣相成長裝置，亦可以適合於本發明的氣相成長方法。
氣相成長裝置1，於腔室2的內部具備用以生成III族金屬化合物的III族金屬化合物生成管3。此III族金屬化合物生成管3，於內部具有一配置了III族金屬而成的貯槽4。又，III族金屬化合物生成管3是藉由第一加熱器5而被加熱。當形成含有複數種III族金屬元素之III-V族化合 物半導體層時，只要調整這些金屬之混合物的比例而配置於貯槽4即可。
氣相成長裝置1，進而具備：導入V族元素之V族元素導入管(未圖示)、載置基板W之旋轉自如的基座6、排出各種氣體之氣體排出管(未圖示)、及加熱基板W之第二加熱器7等。
利用具有此種結構的氣相成長裝置1，如以下般地進行III-V族化合物半導體層之磊晶成長。
首先，準備基板W並載置於氣相成長裝置1內的基座6上。作為此基板W，並無特別限定，例如可以設為GaAs、GaN、GaP等III-V族化合物導體基板。
之後，藉由氫化物氣相磊晶法使III-V族化合物半導體層磊晶成長在基板W上。作為此III-V族化合物半導體層，並無特別限定，例如可以設為GaP層。
作為上述藉由氫化物氣相磊晶法來進行的III-V族化合物半導體層的磊晶成長方法，例如當將III-V族化合物半導體層設為GaP層時，在HVPE裝置1內，將III族元素亦即金屬Ga配置於III族金屬化合物生成管3內的貯槽4，一邊藉由第一加熱器5來加熱保持於規定溫度，一邊於該金屬Ga上導入氯化氫，藉此藉由下述式(1)之反應使GaCl生成，而與載體氣體亦即H2氣體一起供給於基板W上。Ga(液體)+HCl(氣體)→GaCl(氣體)+1/2 H2(氣體) (1)
磊晶成長溫度，例如是設定於640℃以上且860℃以下。又，V族元素亦即磷(P)，是將PH3(膦)與載體氣體 亦即H2一起供給於基板上。並且，藉由下述(2)的反應使GaP生成並積層於基板上。
GaCl(氣體)+PH3(氣體)→GaP(固體)+HCl(氣體)+H2(氣體) (2)
當如此地進行而使III-V族化合物半導體層磊晶成長於基板W上時，原料氣體並非全部被供給於基板W上的磊晶成長，而是也會在基座6上等處發生堆積。因此，在本發明中，在磊晶成長的途中，至少使該磊晶成長中斷並進行前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻1次，以2次以上為佳，較佳是5次以上。
此處，本發明人專心研究後，結果發現在氣相成長裝置內的基座等構件上產生的原料氣體的析出物的數量及大小，在磊晶成長的後半部中，均顯著增加。
亦即，作為進行氣體蝕刻的時機，並無特別限定，但較佳是在磊晶成長的前半部進行，亦即，在氣相成長裝置1內的基座6等構件上所產生的析出物數量較少、大小較小的階段中進行。又，當進行氣體蝕刻2次以上時，較佳是進行了一次氣體蝕刻之後，再度於所產生的析出物數量較少、大小較小的階段時，進行後續的氣體蝕刻。如此一來，能夠較有效地抑制因原料氣體的析出物所致之對磊晶成長之影響。
又，作為於III-V族化合物半導體層的磊晶成長途中進行氣相成長裝置1內的氣體蝕刻的方法，首先，作為磊晶成長步驟，例如以第1圖(a)所示般的氣體供給條件來將 原料氣體及載體氣體供給至氣相成長裝置1內，並利用-上述方法使III-V族化合物半導體層磊晶成長一定時間(例如1小時)。繼而，作為氣體蝕刻步驟，將氣體供給條件切換為例如第1圖(b)所示般的條件，以比磊晶成長步驟短的處理時間(例如3分鐘)進行氣體成長裝置1內的氣體蝕刻。而且，若交互且反覆地進行這些磊晶成長步驟與氣體蝕刻步驟，則能夠一邊較有效率地去除在氣相成長裝置1內的基座6等構件上所產生的原料氣體的析出物，一邊使前述III-V族化合物半導體層進行磊晶成長，因此較佳。
又，作為前述氣相成長裝置1內的氣體蝕刻中所使用的蝕刻氣體，若使用HCl氣體，則因為是在一般的氫化物氣相磊晶法中被用作為原料氣體的HCl氣體，所以能夠較有效率地進行前述III-V族化合物半導體層的磊晶成長與氣相成長裝置1內的氣體蝕刻，因此較佳。
特別是當使用如前述般反覆進行磊晶成長步驟與氣體蝕刻步驟的方法時，從磊晶成長步驟進行至氣體蝕刻步驟而切換氣體供給條件之際，只要如第1圖(b)般使HCl氣體以不接觸III族金屬化合物生成管3的貯槽4中所配置之金屬Ga的方式流動即可，所以非常地簡便而有效率。
此處，以下基於第4圖所示之流程圖來詳細說明本發明之發光元件用基板的製造方法的實施形態，但本發明並不限定於此。
首先，如步驟1所示，準備一n型GaAs基板110來作為成長用基板，加以清洗之後，置入MOVPE反應器，於 前述n型GaAs基板110上，使n型GaAs緩衝層120磊晶成長0.1~1.0 μm。
繼而，如步驟2所示，於前述n型GaAs緩衝層120上，依下述順序，使分別由(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0≦x≦1，0≦y≦1)所構成的厚度為0.8~4.0 μm的n型被覆層131、厚度為0.4~2.0 μm的活性層132、厚度為0.8~4.0 μm地p型被覆層133，進行磊晶成長，來作為發光層130。。
另外，上述各層的磊晶成長，是藉由習知的MOVPE法來進行。作為Al、Ga、In、P的各成分來源的原料氣體，例如可以使用以下物質，但並不限定於此。
．Al來源氣體：三甲基鋁(TMAl)、三乙基鋁(TEAl)等。
．Ga來源氣體：三甲基鎵(TMGa)、三乙基鎵(TEGa)等。
．In來源氣體：三甲基銦(TMIn)、三乙基銦(TEIn)等。
．P來源氣體：三甲基磷(TMP)、三乙基磷(TEP)、膦(PH3)等。
又，作為摻雜氣體，可以使用以下般的物質。
(p型摻雜)
．Mg來源：雙(環戊二烯)鎂(CP2Mg)等。
．Zn來源：二甲基鋅(DMZn)、二乙基鋅(DEZn)等。
(n型摻雜)
．Si來源：單矽烷等矽氫化合物等。
繼而，進入步驟3，藉由MOVPE法使厚度為0.05~2.0 μm的GaP連接層140成長於p型被覆層133上，並進而藉 由HVPE法使厚度為5 μm~200 μm的第一電流擴散層亦即p型GaP層150，磊晶成長於GaP連接層140上。在此藉由HVPE法進行的第一電流擴散層的磊晶成長中，於途中進行氣體蝕刻的本發明的氣相成長方法也可以應用。
繼而，如步驟4所示般，藉由蝕刻等，來去除n型GaAs基板110及n型GaAs緩衝層120。然後，如步驟5所示般，利用HVPE法，使第二電流擴散層亦即n型GaP層160磊晶成長在藉由去除n型GaAs基板而暴露出的n型被覆層131上，而製造發光元件用基板100。
此處，在步驟5中，藉由使用本發明的氣相成長方法，於n型GaP層160的磊晶成長途中，至少使磊晶成長中斷並進行氣相成長裝置內的氣體蝕刻1次，以2次以上為佳，較佳是5次以上，來使n型GaP層160進行磊晶成長。
藉此，即便在藉由n型GaAs基板110的GaAs晶格匹配而成之發光層130的n型被覆層131上，積層一由晶格常數與GaAs不同之GaP所構成的n型GaP層160，也會因為已經藉由前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻而去除了基座等構件上所產生的原料氣體的析出物，而不容易受到這種析出物所致的影響。藉此，批次間的前述n型GaP層的成長速度能夠均勻，因此能夠確實地減低批次間的前述n型GaP層的厚度不一致的情形，並且能夠製造高品質的發光元件用基板而不使良率下降。
[實施例]
以下，顯示實施例及比較例來較具體地說明本發明，但是本發明並不限定於此實施例。
(實施例)
準備一厚度為200 μm的n型GaAs單晶基板，分別使n型GaAs緩衝層磊晶成長0.5 μm於該基板上；於該n型GaAs緩衝層上，藉由MOVPE法，作為發光層而依下述順序積層：由(Al0.85Ga0.15)0.45In0.55P所構成的n型被覆層(1.0 μm)、由(Al0.1Ga0.9)0.45In0.55P所構成的活性層(0.6 μm)、由(Al0.85Ga0.15)0.45In0.55P所構成的p型被覆層(1.0 μm)。然後，使第一電流擴散層亦即p型GaP層成長在該p型被覆層上。此p型GaP層，是在發光層側藉由MOVPE法形成厚度為2.0 μm的p型GaP連接層之後，藉由HVPE法所形成，厚度為100 μm。
繼而，藉由濕式蝕刻來去除前述n型GaAs單晶基板，在前述發光層的經去除前述n型GaAs單晶基板側的表面上，藉由氫化物氣相磊晶法，以後述條件使第二電流擴散層亦即n型GaP層進行磊晶成長，而製造發光元件用基板。
<條件>
以如第1圖(a)所示般的氣體流量，進行磊晶成長1小時之後，切換為如第1圖(b)所示般的氣體條件，藉由HCl氣體進行氣相成長裝置內之氣體蝕刻3分鐘，重複此循環5次(磊晶成長1 hr×5次，蝕刻4次)，以厚度150 μm為目標而進行前述n型GaP層的磊晶成長。
進行此種發光元件用基板的製造5次(5批次)。本實施例的1批次的片數是設為10片。測量各批次中所製造的10片發光元件用基板中的n型GaP層之厚度的平均值，結果如同以下所述。
第1次：153 μm
第2次：151 μm
第3次：154 μm
第4次：151 μm
第5次：152 μm
此時，如同第3圖(a)所示，即便在n型GaP層的磊晶成長開始後經過4小時之後，各批次中，基座上析出的GaP的數量均為數個，且其大小較小。又，各批次中所製造的發光元件用基板中的n型GaP層的厚度的平均值，其最大值與最小值之差R，是R=3 μm，可知批次間的n型GaP層的厚度不一致的情形，相較於後述的比較例有大幅改善。
(比較例)
除了在發光層的經去除n型GaAs基板側的表面上使第二電流擴散層亦即n型GaP層磊晶成長之際，於該磊晶成長途中不進行氣相成長裝置內的氣體蝕刻以外，與實施例同樣地進行，而進行發光元件用基板之製造5次(5批次)。各批次的預備片數是設為10片。此時，n型GaP層的厚度是以150 μm為目標，持續5小時而進行磊晶成長。測量各批次中所製造的發光元件用基板中的n型GaP層的 厚度的平均值，結果如同以下所述。
第1次：146 μm
第2次：149 μm
第3次：168 μm
第4次：141 μm
第5次：158 μm
此時，如同第3圖(b)所示，在n型GaP層的磊晶成長開始後經過3小時之後，各批次中，基座上析出的GaP的數量均為150~200個，其大小則如第3圖(b)所示般均較大。又，各批次中所製造的發光元件用基板中的n型GaP層的厚度的平均值，其最大值與最小值之差R，是R=27 μm，可知批次間的n型GaP層之厚度非常地不一致。
由以上可知，在氣相成長裝置內藉由氫化物氣相磊晶法使III-V族化合物半導體層進行磊晶成長之際，藉由至少使該磊晶成長中斷並進行氣相成長裝置內的氣體蝕刻1次，則能夠在抑制因氣相成長裝置內的基座等構件上的析出物所致之對磊晶成長的影響的狀態下，進行III-V族化合物半導體層的磊晶成長。
而且，可知藉此能夠使批次間的各III-V族化合物半導體層的成長速度均一，且藉此能夠確實地減低批次間的各III-V族化合物半導體層的厚度不一致的情形。
另外，本發明並未被限定於上述實施形態。上述實施形態僅為例示，只要是具有與本發明的申請專利範圍中所記載的技術思想實質上相同的構成、能得到同樣的作用效 果者，不論為何者，皆被包含在本發明的技術範圍內。
W‧‧‧基板
1‧‧‧氣相成長裝置
2‧‧‧腔室
3‧‧‧III族金屬化合物生成管
4‧‧‧貯槽
5‧‧‧第一加熱器
6‧‧‧基座
7‧‧‧第二加熱器
100‧‧‧發光元件用基板
110‧‧‧n型GaAs基板
120‧‧‧n型GaAs緩衝層
130‧‧‧發光層
131‧‧‧n型被覆層
132‧‧‧活性層
133‧‧‧p型被覆層
140‧‧‧GaP連接層
150‧‧‧p型GaP層
160‧‧‧n型GaP層
第1圖是顯示能夠適合於本發明所涉及的氫化物氣相磊晶方法的氫化物氣相磊晶裝置的概略剖面圖及氣流的例示的圖。
第2圖是顯示在氣相成長裝置內於基座上產生的GaP析出數與基板上的GaP層的膜厚的相關性的圖。
第3圖是顯示在本發明及習知方法中，於基座上隨時間經過而產生的原料氣體的析出物的狀態的概略圖。
第4圖是顯示本發明的發光元件用基板的製造方法的步驟流程的例示的圖。
W‧‧‧基板
1‧‧‧氣相成長裝置
2‧‧‧腔室
3‧‧‧III族金屬化合物生成管
4‧‧‧貯槽
5‧‧‧第一加熱器
6‧‧‧基座
7‧‧‧第二加熱器

Claims (8)

  1. 一種氣相成長方法，是在氣相成長裝置內，藉由氫化物氣相磊晶法使III-V族化合物半導體層磊晶成長於基板上的氣相成長方法，其特徵在於：在前述III-V族化合物半導體層的磊晶成長途中，至少使該磊晶成長中斷並進行前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻1次。
  2. 如請求項1所述的氣相成長方法，其中，在前述III-V族化合物半導體層的磊晶成長途中，進行前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻2次以上。
  3. 如請求項2所述的氣相成長方法，其中，作為在前述III-V族化合物半導體層的磊晶成長途中進行前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻的方法，是交互且反覆地進行下述步驟：磊晶成長步驟，其使前述III-V族化合物半導體層進行磊晶成長；及前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻步驟，其處理時間比該磊晶成長步驟短。
  4. 如請求項1所述的氣相成長方法，其中，利用HCl氣體來進行前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻。
  5. 如請求項2所述的氣相成長方法，其中，利用HCl氣 體來進行前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻。
  6. 如請求項3所述的氣相成長方法，其中，利用HCl氣體來進行前述氣相成長裝置內的氣體蝕刻。
  7. 如請求項1至6中任一項所述的氣相成長方法，其中，將前述III-V族化合物半導體層設為GaP層。
  8. 一種發光元件用基板的製造方法，其具有下述步驟：在n型GaAs基板上，依序積層由(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0≦x≦1，0≦y≦1)所構成的n型被覆層、活性層、p型被覆層而形成發光層的步驟；在該發光層上積層第一電流擴散層亦即p型GaP層的步驟；藉由蝕刻來去除前述n型GaAs基板的步驟；及在前述發光層的經去除前述n型GaAs基板側的表面上，積層第二電流擴散層亦即n型GaP層的步驟；其中，該發光元件用基板的製造方法的特徵在於：在前述n型GaP層的積層步驟中，藉由如請求項7所述的氣相成長方法，在前述發光層的經去除前述n型GaAs基板側的表面上，積層n型GaP層。
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