JP4900126B2 - 半導体デバイスの作製方法 - Google Patents
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図1は、本発明に係る半導体デバイスの作製方法の一実施形態を示すフローチャートである。この作製方法は、窒素原子(N)および砒素原子(As)を含むIII−V族化合物半導体層を有する半導体デバイスを作製する方法である。図1に示すように、本実施形態による作製方法は、成長工程S1、第1の熱処理工程S2、第2の熱処理工程S3、および半導体デバイス作製の為の後工程S4を含んでいる。成長工程S1では、例えばGaInNAsなどのIII−V族化合物半導体結晶からなる化合物半導体層を基板上に成長させる。第1の熱処理工程S2では、成長工程S1において成長させた化合物半導体層の周辺を、砒素原子を含む雰囲気(第1の雰囲気)とし、成長工程S1における化合物半導体層の成長温度より高い温度(第1の温度)で該化合物半導体層の熱処理を行う。第2の熱処理工程S3では、化合物半導体層の周辺を水素化合物を含まない雰囲気(第2の雰囲気)または真空雰囲気とし、第1の熱処理工程S2における熱処理温度(第1の温度)より低い温度(第2の温度)で化合物半導体層の熱処理を行う。以下、これらの工程について詳細に説明する。
(1)TBAs及びTEGaを供給してn型バッファ層12としてのGaAs層を成長させる。
(2)TBAs、TEGa、及びTMAlを供給してn型クラッド層13としてのAlGaAs層を成長させる。
(3)TBAs及びTEGaを供給して下部バリア層兼SCH層14としてのGaAs層を成長させる。
(4)TBAs、TEGa、TMIn、およびDMHyを供給して井戸層15としてのGaInNAs層を成長させる。
(5)TBAs及びTEGaを供給して上部バリア層兼SCH層16としてのGaAs層を成長させる。
(6)TBAs、TEGa、及びTMAlを供給してp型クラッド層17としてのAlGaAs層を成長させる。
(7)TBAs及びTEGaを供給してp型コンタクト層18としてのGaAs層を成長させる。
こうして、図2に示したウェハ生産物10が形成される。なお、各半導体層の成長温度は450℃以上700℃以下が好ましく、典型的な成長温度は510℃である。
このTBAsが熱分解すると、As、H(活性水素)、C、およびCH3が生成する。したがって、図5(a)に示すように炉内に水素分圧も付加されるので、上記消滅過程(二)によってGaInNAs井戸層15から水素原子が脱離することは期待できない。
図7に示すように、n型GaAsウェハ51上にアンドープGaAsバッファ層52、アンドープGaInNAs井戸層53、およびアンドープGaAsバッファ層54を減圧MOVPE法により順に成長させて、GaInNAs/GaAs単一量子井戸構造を有するウェハ生産物50を2枚作製した(成長工程)。このウェハ生産物50において、井戸層53の厚さを7[nm]とし、その組成をGa0.66In0.34N0.01As0.99とした。この組成により、井戸層53のフォトルミネッセンス(PL)波長は1250[nm]となる。井戸層53のGa、In、N、及びAsの各原料ガスとしてそれぞれTEGa、TMIn、DMHy、及びTBAsを用いた。ウェハ51としてはSiドープGaAsウェハであって面方位が(100)であり2°のオフ角を有するものを用いた。井戸層53の成長温度を510℃とし、井戸層53の成長速度を0.9[μm/h]とし、TEGa、TMIn、DMHy、及びTBAsの流量および流量比を下の表1のようにした。また、井戸層53の成長圧力を10.1[kPa](76[Torr])とした。
TBAs雰囲気中での熱処理のみ行った場合、Asの脱離による欠陥形成を抑制しながら比較的高い温度まで昇温することが可能となり、非発光再結合中心として働く格子間原子や空格子欠陥等の点欠陥を消滅させることができる。それによりGaInNAs結晶中の発光効率が高くなり、光学特性(PL強度)が向上する。なお、その最適温度は650℃であり、更に高温とすると量子井戸界面における原子の相互拡散が顕著になり、結晶構造が乱れ結晶欠陥が増加し、光学特性(PL強度)は急激に悪化する。
窒素ガス雰囲気中での熱処理のみ行った場合、窒素ガス雰囲気では水素分圧が低いので、水素原子がGaInNAs結晶から脱離しやすい。GaInNAs結晶中において水素原子はN−H結合として存在していると考えられており、このN−H結合が切れることにより水素原子がGaInNAs結晶から脱離する。なお、N−H結合を解離させ得る温度は500℃以上である。また、水素原子は窒素原子と結合することにより結晶欠陥を形成する。したがって、500℃以上の温度で水素原子を脱離させることによって、GaInNAs結晶の光学特性を向上させることができる。
TBAs雰囲気中での熱処理(第1の熱処理工程)においては、ウェハ生産物50の周囲を650℃まで昇温させることにより、非発光再結合中心として働く格子間原子や空格子欠陥等の点欠陥を消滅させることができる。そして、窒素雰囲気中において500℃以上で熱処理(第2の熱処理工程)を行うことにより、GaInNAs結晶中から水素原子を脱離させることができる。これらの工程によって点欠陥および水素起因欠陥の双方を効率良く除去することが可能となり、特に第2の熱処理工程における処理温度(第2の温度)が600℃未満の場合にはPL強度が飛躍的に向上する。なお、第2の温度が600℃より高い場合には、熱の過負荷により新たな結晶欠陥が形成されるのでPL強度は低下すると考えられる。したがって、第2の熱処理工程では熱処理温度を500℃以上であってなるべく低い温度とすることが望ましい。
次に、図2に示した構造のウェハ生産物10を減圧MOVPE法により2枚作製した(成長工程)。このウェハ生産物10において、井戸層15の厚さを7[nm]とし、その組成をGa0.66In0.34N0.01As0.99とした。また、バリア層兼SCH層14,16はGaAsにより形成し、それらの層厚を140[nm]とした。n型クラッド層13およびp型クラッド層17はAl組成30%のAlGaAsにより形成し、それぞれにSi,Znをドープした。また、これらクラッド層13,17の層厚を1.5[μm]とした。p型コンタクト層18をGaAsにより形成し、その厚さを0.2[μm]とした。Ga、In、N、及びAsの各原料ガスとしてそれぞれTEGa、TMIn、DMHy、及びTBAsを用い、n型およびp型のドーパント(Si、Zn)の原料ガスとしてそれぞれTeESi、DEZnを用いた。基板11としてはSiドープGaAsウェハであって面方位が(100)であり2°のオフ角を有するものを用いた。井戸層53の成長温度を510℃とし、井戸層53の成長速度を0.9[μm/h]とし、TEGa、TMIn、DMHy、及びTBAsの流量および流量比を先の表1のようにした。また、井戸層53の成長圧力を10.1[kPa](76[Torr])とした。
Claims (5)
- V族元素として窒素原子および砒素原子を含むアンドープIII−V族化合物半導体層を有する半導体デバイスを作製する方法であって、
前記III−V族化合物半導体層を基板上に成長させる成長工程と、
前記III−V族化合物半導体層の周辺を前記砒素原子を含む第1の雰囲気とし、前記成長工程における成長温度より高い第1の温度で前記III−V族化合物半導体層の熱処理を行うことにより、砒素原子の離脱を抑制しつつ点欠陥を低減する第1の熱処理工程と、
前記III−V族化合物半導体層の周辺を水素化合物を含まない第2の雰囲気または真空雰囲気とし、前記第1の温度より低い第2の温度で前記III−V族化合物半導体層の熱処理を行うことにより、前記III−V族化合物半導体層に含まれる水素原子と窒素原子との結合を解離させて水素原子を脱離させる第2の熱処理工程と
を備え、
前記第1及び第2の熱処理工程を、当該半導体デバイスの電極を形成する前に行うことを特徴とする、半導体デバイスの作製方法。 - 前記第1の熱処理工程の際に、前記III−V族化合物半導体層の周辺にターシャリブチルアルシン及びアルシンのうち少なくとも一方を供給することにより前記第1の雰囲気とすることを特徴とする、請求項1に記載の半導体デバイスの作製方法。
- 前記第2の雰囲気が、水素ガス、窒素ガス、および不活性ガスのうち少なくとも一種類のガスからなる雰囲気であることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体デバイスの作製方法。
- 前記第1の熱処理工程における熱処理を終えて降温する際に、該降温処理を水素化合物を含まない雰囲気中で行うことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体デバイスの作製方法。
- 前記第1の熱処理工程を前記成長工程に引き続いて成長炉内で行い、前記第2の熱処理工程を前記成長炉とは別の炉内で行うことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体デバイスの作製方法。
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