JP2007207929A - Iii−v化合物半導体光装置を作製する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この方法では、活性層のための第1のIII−V化合物半導体層19を有機金属気相成長炉25で形成する。次いで、第1のIII−V化合物半導体層19上に有機金属気相成長炉25を用いて、III族構成元素としてガリウムおよびV族構成元素としてヒ素を含む第2のIII−V化合物半導体層21を形成する。この後に、第2のIII−V化合物半導体層21を形成した後に、有機金属気相成長炉25に熱処理ガスGasを供給すると共に有機金属ガスを供給することなく、第1のIII−V化合物半導体層19を熱処理して第1のIII−V化合物半導体層中の水素濃度を低減する。熱処理ガスGasは、水素ガス、窒素ガス、不活性ガスの少なくともいずれかを含むと共に、水素化物を含まない。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、これにより単一量子井戸構造の活性層が完成した。活性層の構造はこれに限定されることなく、バルクまたは多重量子井戸構造であってもよい。
減圧MOVPE法により、図4に示されるようなGaInNAs/GaAs単一量子井戸(SQW)構造41を作製する。基板43はSiドープGaAs(100)面2度オフ基板を用いる。ガリウム(Ga)原料、インジウム原料(In)、窒素原料(N)、ヒ素(As)原料としてはそれぞれ、TEGa、TMIn、DMHy、TBAsを用いる。量子井戸層45はGaInNAs半導体からなる。量子井戸層は7nmの厚さを有する。量子井戸層45では、インジウム組成は34%であり、窒素組成は1%である。量子井戸層45の下にはGaAsバッファ層47が設けられている。GaAsバッファ層47の厚さは200nmである。量子井戸層の上には、GaAsキャップ層49が設けられている。GaAsキャップ層49の厚さは100nmである。GaInNAs量子井戸層45の成長条件の一例は、摂氏510度の成長温度、0.9μm/時間の成長速度、0.99のモル比[DMHy]/[全V族元素]、76Torrの成長圧力である。GaAsキャップ層49を成長した後に、MOVPE炉内において15秒間のアニール(in−situ)を水素雰囲気で行う。アニール温度は摂氏500度〜650度の範囲にある。アニールされたGaInNAs量子井戸層中の水素濃度を二次イオン質量分析法(SIMS)により評価する。
測定点 温度(摂氏) 水素濃度
P1 450度 3.0×1019cm−3
P2 500度 8.4×1018cm−3
P3 550度 7.0×1018cm−3
P4 600度 4.3×1018cm−3
P5 650度 1.0×1018cm−3
摂氏500度以上のアニールによりGaInNAs中の水素濃度は低下される。故に、摂氏500度付近がN−H結合の解離エネルギーであると推測される。また、摂氏550度以上において解離が促進される。さらに、摂氏600度以上において水素濃度が急激に小さくなる。
減圧MOVPE法によりGaInNAs/GaAs単一量子井戸(SQW)構造の活性層を有するレーザ構造のためのエピタキシャル膜積層51を作製する。このエピタキシャル膜積層51は、GaAs基板53上に形成されたGaAsバッファ層55を有する。GaAs基板53としては、SiドープGaAs(100)2度オフ基板を用いる。GaAsバッファ層55上には、GaInNAs量子井戸層57が設けられている。GaInNAs量子井戸層57は7nmの厚さを有する。そのインジウム組成は34%であり、窒素組成は1%である。GaInNAs量子井戸層57は、GaAs半導体層59とGaAs半導体層61との間に設けられている。GaAs半導体層59は、バリア層59aとしてだけでなくSCH層59bとしても機能するように、140nmの厚さを有する。また、GaAs半導体層61は、バリア層61aとしてだけでなくSCH層61bとしても機能するように、140nmの厚さを有する。GaInNAs量子井戸層57、GaAs半導体層59とGaAs半導体層61は、n型クラッド層63とp型クラッド層65との間に設けられている。n型クラッド層63およびp型クラッド層65には、それぞれn型AlGaAs半導体およびp型AlGaAs半導体を用いる。このAlGaAs半導体は、30%のアルミニウム組成を有する。n型クラッド層63およびp型クラッド層65の厚みは、例えば各々1.5μmである。また、n型ドーパントとしてシリコンを用い、p型ドーパントとして亜鉛を用いてドーピングする。p型クラッド層65の成長後、0.2μmのp型GaAsコンタクト層を成長する。Al、Ga、In、N、As原料としてはそれぞれTMAl、TEGa、TMIn、DMHy、TBAsを用いた。SiおよびZnのドーピング原料としては、テトラエチルシラン(TeESi)、ジメチル亜鉛(DMZn)をそれぞれ用いる。
(1)脱水素処理なし
(2)半導体層(キャップ層)なしで脱水素処理
(3)TBAs原料(水素化物)雰囲気で脱水素処理。
(a)窒素およびその隣のIII族原子と水素(H)が結合したN−H2結合
(b)ダングリングボンド欠陥と結合した水素(H)
等の欠陥を生成しない水素結合も存在している。これらの水素結合(a、b)は解離エネルギーが小さく非常に不安定であり、通電により与えられるエネルギーでも、水素結合が容易に切れることが考えられる。これ故に、脱水素処理がされない半導体レーザでは、これらの水素結合が通電中に切れてダングリングボンド欠陥が活性化し、それらが非発光中心として働くことで劣化が進行したものと考えられる。脱水素処理により、このような不安定な水素結合を無くすことにより、通電における劣化に関する信頼性を向上できると考えられる。
Claims (5)
- III−V化合物半導体光装置を作製する方法であって、
少なくとも窒素およびヒ素をV族構成元素として含んでおり活性層のための第1のIII−V化合物半導体層を有機金属気相成長炉でIII−V化合物半導体領域上に形成する工程と、
前記第1のIII−V化合物半導体層上に前記有機金属気相成長炉を用いて、III族構成元素として少なくともガリウムを含むと共にV族構成元素として少なくともヒ素を含む第2のIII−V化合物半導体層を形成する工程と、
前記第2のIII−V化合物半導体層を形成した後に、前記有機金属気相成長炉に熱処理ガスを供給し、且つ有機金属ガスを供給することなく、前記第1のIII−V化合物半導体層中の水素濃度を低減するように前記第1のIII−V化合物半導体層を熱処理する工程と、
前記第2のIII−V化合物半導体層上に前記有機金属気相成長炉を用いて、第3のIII−V化合物半導体層を形成する工程と
を備え、
前記熱処理ガスは、水素ガス、窒素ガス、不活性ガスの少なくともいずれかを含むと共に、水素化物を含まないことを特徴とする方法。 - 前記熱処理の温度は摂氏500度以上である、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。
- 前記熱処理は、摂氏500度以上の温度で15秒以上の時間で行われる、ことを特徴とする、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。
- 前記第1のIII−V化合物半導体層の材料は、GaInNAsまたはGaNAsである、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載された方法。
- 前記活性層は多重量子井戸構造を有する、ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載された方法。
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JP2006023466A JP2007207929A (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | Iii−v化合物半導体光装置を作製する方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2009060008A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子、エピタキシャルウエハおよびそれらの製造方法 |
JP2009218281A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子および面発光レーザ素子の製造方法 |
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