JP2011100835A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011100835A JP2011100835A JP2009254154A JP2009254154A JP2011100835A JP 2011100835 A JP2011100835 A JP 2011100835A JP 2009254154 A JP2009254154 A JP 2009254154A JP 2009254154 A JP2009254154 A JP 2009254154A JP 2011100835 A JP2011100835 A JP 2011100835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- bonding
- emitting element
- manufacturing
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】熱処理時に接合界面における剥がれが発生することが抑制された直接接合型の発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、発光層部を有するIII−V族化合物よりなる化合物半導体の一方の主表面に、透明半導体基板を直接貼り合わせ、その後接合熱処理を行う発光素子の製造方法であって、前記直接貼り合わせ後から前記接合熱処理までの間、貼り合わせた基板を、25℃での相対湿度10%(絶対湿度2.3g/m3)以下の環境で保管することを特徴とする発光素子の製造方法。
【選択図】図3
【解決手段】少なくとも、発光層部を有するIII−V族化合物よりなる化合物半導体の一方の主表面に、透明半導体基板を直接貼り合わせ、その後接合熱処理を行う発光素子の製造方法であって、前記直接貼り合わせ後から前記接合熱処理までの間、貼り合わせた基板を、25℃での相対湿度10%(絶対湿度2.3g/m3)以下の環境で保管することを特徴とする発光素子の製造方法。
【選択図】図3
Description
本発明は、発光素子の製造方法に関し、具体的には、接合部の剥がれを抑制することができる直接接合型の発光素子の製造方法に関する。
(AlxGa1−x)yIn1−yP混晶(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1;以下、AlGaInP混晶、あるいは単にAlGaInPとも記載する)により発光層部が形成された発光素子は、薄いAlGaInP活性層を、それよりもバンドギャップの大きいn型AlGaInPクラッド層とp型AlGaInPクラッド層とによりサンドイッチ状に挟んだダブルへテロ構造を採用することにより、高輝度の発光素子を実現できる。
ここで、AlGaInP発光素子の場合、発光層部の成長基板としてGaAs基板が使用されるが、GaAsはAlGaInP発光層部の発光波長域において光吸収が大きい。
そこで、特許文献1及び特許文献2に記載があるように、一旦GaAs基板を除去し、発光波長の光に透明な半導体基板であるGaP基板を新たに貼り合わせる方法が開示されている(以下、このような方法で製造される発光素子を、「直接接合型発光素子」と称する)。
そこで、特許文献1及び特許文献2に記載があるように、一旦GaAs基板を除去し、発光波長の光に透明な半導体基板であるGaP基板を新たに貼り合わせる方法が開示されている(以下、このような方法で製造される発光素子を、「直接接合型発光素子」と称する)。
上記のような直接接合型発光素子においては、使用するGaP基板等の透明半導体基板の表面に、一般には厚さ1.5〜2nm程度の自然酸化膜が形成されており、発光層部と透明半導体基板との接合界面の電気抵抗(以下、界面抵抗という)を増大させる要因となっている。
従って、この界面抵抗を低減することが直接接合型発光素子の製造上に係る重要課題の一つである。例えば界面抵抗を減ずる方法として、特許文献1及び2には、接合後に熱処理を行う技術が開示されている。
上述のように、直接接合型発光素子の製造にあたっては、GaP基板と発光層側の基板との接合界面に生じる界面抵抗や容量などの成分を最小限にするため、接合後にエピタキシャル成長温度近傍か、それ以上の高温アニールが必要である。
ここで、この接合熱処理の熱処理温度は、接合装置の耐用温度よりも高い。
このため、現行では接着させたものを一時保管し、一定の量、例えば1週間の製造量分を一括して大量に高温熱処理することを行っている。これにより、アニール工程にかかる作業効率をあげ、製造コストを抑制している。
このため、現行では接着させたものを一時保管し、一定の量、例えば1週間の製造量分を一括して大量に高温熱処理することを行っている。これにより、アニール工程にかかる作業効率をあげ、製造コストを抑制している。
しかし、接着後からアニール開始までの間の貼り合わせた基板を保管すると、保管期間が一時間半を経過した辺りから、高温アニール時に接合界面から剥がれが発生するという問題があった。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであって、熱処理時に接合界面における剥がれが発生することが抑制された直接接合型の発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明では、少なくとも、発光層部を有するIII−V族化合物よりなる化合物半導体の一方の主表面に、透明半導体基板を直接貼り合わせ、その後接合熱処理を行う発光素子の製造方法であって、前記直接貼り合わせ後から前記接合熱処理までの間、貼り合わせた基板を、25℃での相対湿度10%(絶対湿度2.3g/m3)以下の環境で保管することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
このように貼り合わせた後から接合熱処理前の保管環境を、25℃での相対湿度10%(絶対湿度2.3g/m3)以下とすることで、熱処理時の剥がれを抑制することができる。
上述のような低湿度環境(25℃での相対湿度10%以下)で保管することで剥がれを抑制できる理由としては、以下のようなことが理由と考えられる。
貼り合わせた基板では、保管中に、接合界面に外気に含まれる水分子が進入し、接合の弱い箇所等に集まりやすいと考えられる。そして、この水分が進入したままの状態で熱処理を行うと、熱処理によって接合界面全体の接合強化が進むが、中央付近に閉じ込められた水分子は抜けられなくなり、周りを押し広げるようにして残留することになる。そしてその部分から剥がれが進み、貼り合わせ不良が起きるものと考えられる。
しかし、本発明のように保管環境の湿度を低く(25℃での相対湿度10%以下)保つことによって、接合界面に進入する水分の絶対量を低減することができ、これによって接合熱処理時に接合界面に残留する水分量を減らし、剥がれが発生することを抑制することができる。
上述のような低湿度環境(25℃での相対湿度10%以下)で保管することで剥がれを抑制できる理由としては、以下のようなことが理由と考えられる。
貼り合わせた基板では、保管中に、接合界面に外気に含まれる水分子が進入し、接合の弱い箇所等に集まりやすいと考えられる。そして、この水分が進入したままの状態で熱処理を行うと、熱処理によって接合界面全体の接合強化が進むが、中央付近に閉じ込められた水分子は抜けられなくなり、周りを押し広げるようにして残留することになる。そしてその部分から剥がれが進み、貼り合わせ不良が起きるものと考えられる。
しかし、本発明のように保管環境の湿度を低く(25℃での相対湿度10%以下)保つことによって、接合界面に進入する水分の絶対量を低減することができ、これによって接合熱処理時に接合界面に残留する水分量を減らし、剥がれが発生することを抑制することができる。
なお、本発明におけるIII−V族化合物とは、III族元素とV族元素を用いた半導体のことであり、代表的なIII族(13族)元素としてはアルミニウム(Al)・ガリウム(Ga)・インジウム(In)、V族(15族)元素としては窒素(N)・リン(P)・ヒ素(As)・アンチモン(Sb)がある。この他、ボロン(B)、タリウム(Tl)、ビスマス(Bi)も、そのIII−V族化合物半導体を構成する元素である。
ここで、前記25℃での相対湿度10%以下の環境を、ドライエアーまたは乾燥窒素の雰囲気とすることが好ましい。
ドライエアーまたは乾燥窒素の雰囲気は、容易に準備することができる。従って、保管に要するコストが安価で済み、製造コストの低減を図ることができる。
ドライエアーまたは乾燥窒素の雰囲気は、容易に準備することができる。従って、保管に要するコストが安価で済み、製造コストの低減を図ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、熱処理時に接合界面における剥がれが発生することが抑制された直接接合型の発光素子の製造方法が提供される。
以下、本発明についてより具体的に説明する。
前述のように、AlGaInP発光素子の場合、発光層部の成長基板としてGaAs基板が使用される。
しかし、GaAsはAlGaInP発光層部の発光波長域において光吸収が大きいため、一旦GaAs基板を除去し、発光波長に対して透明な半導体基板であるGaP基板を新たに貼り合わせる方法が行われている。
前述のように、AlGaInP発光素子の場合、発光層部の成長基板としてGaAs基板が使用される。
しかし、GaAsはAlGaInP発光層部の発光波長域において光吸収が大きいため、一旦GaAs基板を除去し、発光波長に対して透明な半導体基板であるGaP基板を新たに貼り合わせる方法が行われている。
そしてこのGaP基板の貼り合わせは、一度、加温・加圧して貼り合わせした後に、接合の強化を図るため高温で熱処理を行っている。ところが、貼り合わせた基板によっては熱処理時に剥がれが発生するという問題があった。
そこで本発明者らは、この剥がれの原因について鋭意検討した。
その結果、貼り合わせから熱処理までの保管時間が1.5時間を越えた場合に、剥がれの発生が多いことが判った。従って、貼り合わせ後すぐに熱処理すればよいことになるが、それでは熱処理の効率が悪く、コスト高となってしまう。一方、貼り合わせ後接合熱処理までの一般的な保管では、温度・湿度の管理を行っていない。その条件下で保管すると、保管中に接合界面に外気に含まれる水分子が進入し、接合の弱い箇所等に集まること、この水分が熱処理の際に接合界面に残留して剥がれ不良を引き起こしていることが判った。
その結果、貼り合わせから熱処理までの保管時間が1.5時間を越えた場合に、剥がれの発生が多いことが判った。従って、貼り合わせ後すぐに熱処理すればよいことになるが、それでは熱処理の効率が悪く、コスト高となってしまう。一方、貼り合わせ後接合熱処理までの一般的な保管では、温度・湿度の管理を行っていない。その条件下で保管すると、保管中に接合界面に外気に含まれる水分子が進入し、接合の弱い箇所等に集まること、この水分が熱処理の際に接合界面に残留して剥がれ不良を引き起こしていることが判った。
ここで、図4に熱処理時に剥がれが拡大する様子を示す。
接合熱処理前の1)貼り合わせ後、2)保管時の段階では、剥がれが小さく、見えない状態であったが、3)高温の接合熱処理時は、剥がれが拡大または顕在化し、貼り合わせ不良が発生することになる。
接合熱処理前の1)貼り合わせ後、2)保管時の段階では、剥がれが小さく、見えない状態であったが、3)高温の接合熱処理時は、剥がれが拡大または顕在化し、貼り合わせ不良が発生することになる。
そしてこの問題を解決するために、更に検討を行ったところ、貼り合わせた基板を保管するに際し、例えば雰囲気温度が25℃の場合において、従来のように湿度管理を行わずに相対湿度30%程度やそれ以上の環境で保管されると、接合界面に水分が進入しやすいことが判った。そして、相対湿度10%以下の環境で保管することで、水分の進入量を大幅に低減することができ、接合熱処理時の剥がれが抑制できることが判った。
そして上記の知見により、剥がれの発生が大きく抑制された本発明の発光素子の製造方法を完成させた。
そして上記の知見により、剥がれの発生が大きく抑制された本発明の発光素子の製造方法を完成させた。
以下、本発明について図を参照して詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図1は、本発明の製造方法により製造された発光素子の概略の一例を示した図である。図2は化合物半導体基板の製造方法を工程順に示す説明図である。
図1は、本発明の製造方法により製造された発光素子の概略の一例を示した図である。図2は化合物半導体基板の製造方法を工程順に示す説明図である。
まず、図2の工程aに示すように、GaAs単結晶基板11上に、n型GaAsバッファ層12を例えば0.5μm、さらにn型AlInPエッチングストップ層13を例えば0.5μmエピタキシャル成長させる。
次いで、発光層部17として、各々AlxGa1−xInPよりなる、例えば厚さ1μmのn型クラッド層14、厚さ0.6μmの活性層15、及び厚さ1μmのp型AlGaInPクラッド層16を、この順序にてエピタキシャル成長させる。
さらに、p型クラッド層16上にp型GaP層18をエピタキシャル成長させて、MOエピタキシャルウェーハ19を得る。
次いで、発光層部17として、各々AlxGa1−xInPよりなる、例えば厚さ1μmのn型クラッド層14、厚さ0.6μmの活性層15、及び厚さ1μmのp型AlGaInPクラッド層16を、この順序にてエピタキシャル成長させる。
さらに、p型クラッド層16上にp型GaP層18をエピタキシャル成長させて、MOエピタキシャルウェーハ19を得る。
上記各層のエピタキシャル成長は、公知のMOVPE法により行うことができる。
Al、Ga、In(インジウム)、P(リン)の各成分源となる原料ガスとしては、以下のようなものを使用できる。
・Al源ガス;トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリエチルアルミニウム(TEAl)など、
・Ga源ガス;トリメチルガリウム(TMGa)、トリエチルガリウム(TEGa)など、
・In源ガス;トリメチルインジウム(TMIn)、トリエチルインジウム(TEIn)など、
・P源ガス:トリメチルリン(TMP)、トリエチルリン(TEP)、ホスフィン(PH3)など。
Al、Ga、In(インジウム)、P(リン)の各成分源となる原料ガスとしては、以下のようなものを使用できる。
・Al源ガス;トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリエチルアルミニウム(TEAl)など、
・Ga源ガス;トリメチルガリウム(TMGa)、トリエチルガリウム(TEGa)など、
・In源ガス;トリメチルインジウム(TMIn)、トリエチルインジウム(TEIn)など、
・P源ガス:トリメチルリン(TMP)、トリエチルリン(TEP)、ホスフィン(PH3)など。
また、ドーパントガスとしては、以下のようなものを使用できる。
(p型ドーパント)
・Mg源:ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)など、
・Zn源:ジメチル亜鉛(DMZn)、ジエチル亜鉛(DEZn)など、
(n型ドーパント)
・Si源:モノシランなどのシリコン水素化物など。
(p型ドーパント)
・Mg源:ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)など、
・Zn源:ジメチル亜鉛(DMZn)、ジエチル亜鉛(DEZn)など、
(n型ドーパント)
・Si源:モノシランなどのシリコン水素化物など。
次に、工程bに示すように、前記MOエピタキシャルウェーハ19上に、厚いGaPエピタキシャル層(p型GaP層)20を、例えばHVPE法で気相成長させる。
このHVPE法は、具体的には、容器内にてIII族元素である金属Gaを所定の温度に加熱保持しながら、その金属Ga上に塩化水素を導入することにより、下記(1)式の反応によりGaClを生成させ、キャリアガスであるH2ガスとともに基板上に供給する。
Ga(液体)+HCl(気体) → GaCl(気体)+1/2H2(気体)‥‥(1)
成長温度は例えば640℃以上860℃以下に設定する。また、V族元素であるPは、PH3をキャリアガスであるH2とともに基板上に供給する。さらに、p型ドーパントであるZnは、DMZn(ジメチルZn)の形で供給する。
GaCl(気体)+PH3(気体)
→GaP(固体)+HCl(気体)+H2(気体)‥‥(2)
このHVPE法は、具体的には、容器内にてIII族元素である金属Gaを所定の温度に加熱保持しながら、その金属Ga上に塩化水素を導入することにより、下記(1)式の反応によりGaClを生成させ、キャリアガスであるH2ガスとともに基板上に供給する。
Ga(液体)+HCl(気体) → GaCl(気体)+1/2H2(気体)‥‥(1)
成長温度は例えば640℃以上860℃以下に設定する。また、V族元素であるPは、PH3をキャリアガスであるH2とともに基板上に供給する。さらに、p型ドーパントであるZnは、DMZn(ジメチルZn)の形で供給する。
GaCl(気体)+PH3(気体)
→GaP(固体)+HCl(気体)+H2(気体)‥‥(2)
工程b終了後に、工程cに示すように、GaAs基板11、n型GaAsバッファ層12を、アンモニア/過酸化水素混合液などのエッチング液を用いて化学エッチングすることにより除去する。
次いでAlInPに対して選択エッチング性を有する第二エッチング液(例えば塩酸:Al酸化層除去用にフッ酸を添加してもよい)を用いて、n型AlInPエッチングストップ層13をエッチング除去する工程を採用することもできる。
尚、この工程cのエッチング除去により露出する前記AlGaInPからなる4元発光層17の面が第二主表面17bであり、p型クラッド層16側の表面が第一主表面17aである。
次いでAlInPに対して選択エッチング性を有する第二エッチング液(例えば塩酸:Al酸化層除去用にフッ酸を添加してもよい)を用いて、n型AlInPエッチングストップ層13をエッチング除去する工程を採用することもできる。
尚、この工程cのエッチング除去により露出する前記AlGaInPからなる4元発光層17の面が第二主表面17bであり、p型クラッド層16側の表面が第一主表面17aである。
そして、工程dに示すごとく、汎用接合装置(ボンダー)を用いて、GaAs単結晶基板11の除去により露出した第二主表面17b側に、透明半導体基板として別途用意したn型GaP基板21(厚さ30〜200μm程度)の主表面を重ね合わせ、温度と圧力をかけて圧迫することで貼り合わせる。
尚、接合前に4元発光層17の第二主表面17b及びn型GaP基板21の接合面を洗浄・乾燥しておくことができる。
尚、接合前に4元発光層17の第二主表面17b及びn型GaP基板21の接合面を洗浄・乾燥しておくことができる。
そして、この貼り合わせ(仮接着)後、この後に行う接合熱処理を、一度に大量の貼り合わせた基板に対して行うために、貼り合わせた基板がある程度の数準備できるまで保管する。この保管は、貼り合わせた基板を25℃での相対湿度10%以下(絶対湿度2.3g/m3)の環境下で保管するものとする。
このように低湿度な環境で保管することで、外気から接合界面に水分子が進入し、接合の弱い箇所等に集まることが防止でき、後工程の接合熱処理工程において、剥がれが発生することを抑制することができる。
また、保管時の温度としては0〜40℃とすることができる。
このように低湿度な環境で保管することで、外気から接合界面に水分子が進入し、接合の弱い箇所等に集まることが防止でき、後工程の接合熱処理工程において、剥がれが発生することを抑制することができる。
また、保管時の温度としては0〜40℃とすることができる。
ここで、25℃での相対湿度10%以下の環境を、ドライエアーまたは乾燥窒素の雰囲気とすることができる。
このように、25℃での相対湿度10%以下の環境とするための雰囲気として、ドライエアーまたは乾燥窒素の雰囲気は容易に準備でき、また扱いも容易である。
このように、25℃での相対湿度10%以下の環境とするための雰囲気として、ドライエアーまたは乾燥窒素の雰囲気は容易に準備でき、また扱いも容易である。
次に、ある程度貼り合わせた基板が溜まったら、例えば500℃以上900℃以下の温度の接合熱処理を行う。この際、貼り合わせた基板を加圧しても良い。これによって化合物半導体基板22を得られる。
その後、n側電極23、p側電極24等を形成する。
そして、ダイシングを行い、その後、ダイシングによるダメージを除去するためのエッチングや高輝度化のための粗面化処理等を任意で行うことによって、図1に示す発光素子10を製造することができる。
そして、ダイシングを行い、その後、ダイシングによるダメージを除去するためのエッチングや高輝度化のための粗面化処理等を任意で行うことによって、図1に示す発光素子10を製造することができる。
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
図2に示すような化合物半導体基板の製造方法を用いて、貼り合わせた基板を35枚作製した。
そして作製した貼り合わせた基板33枚を、気温25℃、湿度1〜10%(絶対湿度の平均値1.2g/m3)の環境下で3hr〜30hr保管した。尚、保管は、湿度5%以下としたドライエアーをかけ流したデシケータ中で行った。
その後、熱処理炉で4×10−4Pa程度に減圧した後、温度760℃で接合熱処理を行った。そして剥がれが発生しているか否かについて評価した。その結果を図3に示す。
(実施例1)
図2に示すような化合物半導体基板の製造方法を用いて、貼り合わせた基板を35枚作製した。
そして作製した貼り合わせた基板33枚を、気温25℃、湿度1〜10%(絶対湿度の平均値1.2g/m3)の環境下で3hr〜30hr保管した。尚、保管は、湿度5%以下としたドライエアーをかけ流したデシケータ中で行った。
その後、熱処理炉で4×10−4Pa程度に減圧した後、温度760℃で接合熱処理を行った。そして剥がれが発生しているか否かについて評価した。その結果を図3に示す。
なお、図3において剥がれ拡大のレベルは、接合熱処理前の基板が貼り合わされた面積(ボイド部分を除いた面積)に対して接合熱処理後に新たに剥がれが生じた部分の面積の割合により以下のように区分した。
ほぼなし:0
軽度拡大<10%:1
中度拡大<50%:2
重度拡大>50%:3
ほぼなし:0
軽度拡大<10%:1
中度拡大<50%:2
重度拡大>50%:3
(比較例1)
図2に示すような発光素子の製造方法を用いて、貼り合わせた基板を46枚作製した。
そして作製した貼り合わせた基板43枚を、気温25℃、湿度40〜55%(絶対湿度の平均値12.7g/m3)の環境下で3hr〜30hr保管した。
その後実施例1と同様の条件の接合熱処理を行い、実施例1と同様の評価を行った。その結果を図3に合わせて示す。
図2に示すような発光素子の製造方法を用いて、貼り合わせた基板を46枚作製した。
そして作製した貼り合わせた基板43枚を、気温25℃、湿度40〜55%(絶対湿度の平均値12.7g/m3)の環境下で3hr〜30hr保管した。
その後実施例1と同様の条件の接合熱処理を行い、実施例1と同様の評価を行った。その結果を図3に合わせて示す。
図3に示すように、実施例1では、接合熱処理後の剥がれ発生率は、6%(2枚剥がれ)であった。
これに対し、比較例1では、接合熱処理後の剥がれ発生率は93%(40枚剥がれ)であった。
このように、貼り合わせた基板の保管雰囲気を、25℃での相対湿度10%(絶対湿度2.3g/m3)以下とするかしないかによって、接合熱処理後の剥がれの発生率に大きな差が出ることが判った。すなわち、本発明の発光素子の製造方法によれば、直接接合型発光素子の歩留りを大きく向上させることができ、製造コストの低減を達成することができることが判った。
(実施例2)
実施例1で作製した貼り合わせた基板2枚を、実施例1と同じ条件(保管を、湿度5%以下としたドライエアーをかけ流したデシケータ中で行う)で500hr以上保管した。
これに対し、比較例1では、接合熱処理後の剥がれ発生率は93%(40枚剥がれ)であった。
このように、貼り合わせた基板の保管雰囲気を、25℃での相対湿度10%(絶対湿度2.3g/m3)以下とするかしないかによって、接合熱処理後の剥がれの発生率に大きな差が出ることが判った。すなわち、本発明の発光素子の製造方法によれば、直接接合型発光素子の歩留りを大きく向上させることができ、製造コストの低減を達成することができることが判った。
(実施例2)
実施例1で作製した貼り合わせた基板2枚を、実施例1と同じ条件(保管を、湿度5%以下としたドライエアーをかけ流したデシケータ中で行う)で500hr以上保管した。
(比較例2)
比較例1で作製した貼り合わせた基板3枚を、比較例1と同じ条件で100hr以上保管した。
比較例1で作製した貼り合わせた基板3枚を、比較例1と同じ条件で100hr以上保管した。
実施例2の貼り合わせた基板は、全ての基板で(2枚とも)剥がれの拡大は軽微(レベル1)であった。
これに対し、比較例2の貼り合わせた基板は、全ての基板で(3枚とも)剥がれの拡大は顕著(レベル3)であった。
このように、本発明のように25℃での相対湿度10%(絶対湿度2.3g/m3)以下で貼り合わせた基板を保管することで、長時間保管しても、接合熱処理後に、貼り合わせ不良が発生することを抑制できることが判った。
これに対し、比較例2の貼り合わせた基板は、全ての基板で(3枚とも)剥がれの拡大は顕著(レベル3)であった。
このように、本発明のように25℃での相対湿度10%(絶対湿度2.3g/m3)以下で貼り合わせた基板を保管することで、長時間保管しても、接合熱処理後に、貼り合わせ不良が発生することを抑制できることが判った。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
10…発光素子、
11…GaAs基板、 12…n型GaAsバッファ層、 13…n型AlInPエッチングストップ層、
14…n型クラッド層、 15…活性層、 16…p型クラッド層、 17…発光層部、 17a…第一主表面、 17b…第二主表面、
18…p型GaP層、
19…MOエピタキシャルウェーハ、
20…GaPエピタキシャル層(p型GaP層)、
21…n型GaP基板、
22…化合物半導体基板、
23…n側電極、 24…p側電極。
11…GaAs基板、 12…n型GaAsバッファ層、 13…n型AlInPエッチングストップ層、
14…n型クラッド層、 15…活性層、 16…p型クラッド層、 17…発光層部、 17a…第一主表面、 17b…第二主表面、
18…p型GaP層、
19…MOエピタキシャルウェーハ、
20…GaPエピタキシャル層(p型GaP層)、
21…n型GaP基板、
22…化合物半導体基板、
23…n側電極、 24…p側電極。
Claims (2)
- 少なくとも、発光層部を有するIII−V族化合物よりなる化合物半導体の一方の主表面に、透明半導体基板を直接貼り合わせ、その後接合熱処理を行う発光素子の製造方法であって、
前記直接貼り合わせ後から前記接合熱処理までの間、貼り合わせた基板を、25℃での相対湿度10%(絶対湿度2.3g/m3)以下の環境で保管することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記25℃での相対湿度10%以下の環境を、ドライエアーまたは乾燥窒素の雰囲気とすることを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009254154A JP2011100835A (ja) | 2009-11-05 | 2009-11-05 | 発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009254154A JP2011100835A (ja) | 2009-11-05 | 2009-11-05 | 発光素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011100835A true JP2011100835A (ja) | 2011-05-19 |
Family
ID=44191797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009254154A Pending JP2011100835A (ja) | 2009-11-05 | 2009-11-05 | 発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011100835A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002334816A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Toshiba Corp | 化合物半導体素子の製造方法及びウェハ接着装置 |
JP2002353287A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Ebara Corp | 基板搬送容器およびその運転制御方法 |
JP2003110013A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Toshiba Corp | 収納装置および半導体装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-11-05 JP JP2009254154A patent/JP2011100835A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002334816A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Toshiba Corp | 化合物半導体素子の製造方法及びウェハ接着装置 |
JP2002353287A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Ebara Corp | 基板搬送容器およびその運転制御方法 |
JP2003110013A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Toshiba Corp | 収納装置および半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4962840B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP4668225B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP5071484B2 (ja) | 化合物半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法 | |
JP2005129923A (ja) | 窒化物半導体、それを用いた発光素子、発光ダイオード、レーザー素子およびランプ並びにそれらの製造方法 | |
JP5287467B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
US8299480B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same, and epitaxial wafer | |
JP2006344930A (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP5251185B2 (ja) | 化合物半導体基板及びそれを用いた発光素子並びに化合物半導体基板の製造方法 | |
JP2011100835A (ja) | 発光素子の製造方法 | |
TWI398021B (zh) | A method for producing a compound semiconductor substrate, a compound semiconductor substrate, and a light-emitting element | |
JP2004296707A (ja) | 発光素子の製造方法、複合透光性基板及び発光素子 | |
JP2010199344A (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP4565320B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP6008661B2 (ja) | GaN系結晶及び半導体素子の製造方法 | |
TWI672827B (zh) | 磊晶晶圓以及發光二極體 | |
JP2004260109A (ja) | 発光素子の製造方法、複合透光性基板及び発光素子 | |
JP2008277650A (ja) | 窒化物系化合物半導体装置の製造方法 | |
JP5338748B2 (ja) | 化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板 | |
JP4900126B2 (ja) | 半導体デバイスの作製方法 | |
TWI596797B (zh) | Gallium nitride-based crystal and semiconductor device manufacturing method, and light-emitting Device and method of manufacturing the light-emitting device | |
JP5582066B2 (ja) | 化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子 | |
JP2894779B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP6131737B2 (ja) | 発光素子及び発光素子の製造方法 | |
JP5326538B2 (ja) | 化合物半導体基板および発光素子並びに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 | |
JP4963301B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130903 |