JP2003110013A - 収納装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
収納装置および半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2003110013A JP2003110013A JP2001301361A JP2001301361A JP2003110013A JP 2003110013 A JP2003110013 A JP 2003110013A JP 2001301361 A JP2001301361 A JP 2001301361A JP 2001301361 A JP2001301361 A JP 2001301361A JP 2003110013 A JP2003110013 A JP 2003110013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage device
- housing
- semiconductor substrate
- maintaining
- dehumidification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
る、半導体基板の収納装置を実現すること。 【解決手段】筐体2内の相対湿度を5%未満に維持する
乾燥剤18を筐体2内に設ける。
Description
よび半導体装置の製造方法に係わり、特に金属膜を有す
る半導体基板を収納する収納装置およびそれを用いた半
導体装置の製造方法に関する。
ティクル(粒子)やメタル等の不純物汚染の制御が重要で
あることはよく知られている。それと同時に工程間での
自然酸化膜の成長もデバイス形状や特性に大きな影響を
与えるのでその対策が必要である。半導体デバイスの製
造工程においては工程間の時間を管理するなどしてその
対策を講じているが、これは時間の制約を著しく受ける
ため製造効率を落としている。
例えばSMIF(Standard Mechanical InterFace)等
に代表されるように主に粒子汚染を防ぐ目的のもの、特
開平7−94577、特開平8−148551が開示す
るようにアンモニア等のガス状不純物の汚染を防止する
ものがある。
汚染は防止できるが、自然酸化膜の成長の抑制に関して
は以下のような問題が残っている。
収納容器内の相対湿度を5〜40%に制御し、且つケミ
カルフィルタを搭載することにより、Si基板の自然酸
化膜の成長を抑制し、且つ容器雰囲気内のガス状不純物
を除去する技術を開示しているが、相対湿度5%以上で
はSi基板上の自然酸化膜成長をある程度抑制できて
も、Si基板よりも酸化しやすい物質、例えばCo等か
らなる金属膜上の自然酸化膜に関しては十分な抑制効果
を発揮できないという問題が残っている。
i基板の収納装置は、Si基板上の自然酸化膜成長をあ
る程度抑制できても、Si基板よりも酸化しやすい金属
膜上の自然酸化膜成長を十分に抑制することができない
という問題がある。
ので、その目的とするところは、金属膜上の酸化膜の成
長を効果的に抑制できる、基板の収納装置及び半導体装
置の製造方法を提供することにある。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係る収納装置は、基板を収納する密閉可能
な筐体と、前記筐体内の気体を循環させる循環手段と、
前記筐体内の気体を清浄化する清浄化手段と、前記筐体
内の相対湿度を5%未満に維持する湿度維持手段とを備
えていることを特徴とする。
筐体内の相対湿度を5%未満(絶対湿度(25℃におい
て対象とする気体1kgあたりに含まれる水分の質量
[kg])/1[kg]:0.974×10-3kg’/
kg(25℃))に設定することにより、金属膜上の自
然酸化膜等の酸化膜の成長を効果的に防止できるように
なる。
i、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、
Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、R
u、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Hf、Ta、W、
Re、W、Re、Os、Ir、Pt、AuおよびTlか
らなる群から選択された少なくとも1種類以上の物質を
含むものである。
は、第1の処理槽内に半導体基板を収容し、該半導体基
板に第1の処理を施す工程と、上記本発明に係る収納装
置内に前記半導体基板を収納し、且つ前記収納装置の循
環手段および清浄化手段を稼働させ、且つ前記除湿維持
手段によって前記筐体内の相対湿度を5%未満に維持す
る工程と、前記収納措置から前記半導体基板を取出し、
第2の処理槽内に前記半導体基板を収容し、前記半導体
基板に第2の処理を施すとともに、前記第2の処理を前
記半導体基板に施している最中に、前記収納装置の循環
手段および清浄化手段を稼働させ、且つ前記除湿維持手
段によって前記筐体内の相対湿度を5%未満に維持する
工程と、前記第2の処理槽から前記半導体基板を取り出
し、前記循環手段および前記清浄化手段を稼働させ、且
つ前記除湿維持手段によって前記筐体内の相対湿度を5
%未満に維持された収納装置内に前記半導体基板を収納
する工程とを含むことを特徴とする。
体基板を本発明の収納装置に収納することにより、製造
途中における金属膜上の自然酸化膜等の酸化膜の成長を
効果的に防止できるようになる。上記金属膜の材料は、
例えば先に例示したものと同じである。
な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明ら
かになるであろう。
の実施の形態(以下、実施形態という)を説明する。
の実施形態に係る半導体基板の収納装置の概略構成を示
す平面図である。
板等の半導体基板を示しており、半導体基板1はそれを
保持する機能を有する筐体2に収納される。筐体2に
は、基板取り出し口3が設けられ、半導体基板1は取り
出し口3を閉じることにより密閉された空間に収納され
る。
た気体(air)は、筐体2の端部に設置され、図示し
ない外部電源により駆動されるファン4によって圧送さ
れて筐体2内を循環し、乾燥剤5、ケミカルフィルタ6
及びULPAフィルタ7を順次通り、これにより、水
分、ガス状不純物、パーティクルが除かれる。よって半
導体基板1には常時乾燥し、且つ清浄な気体が供給され
ることになる。
酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、ゼオライト、
塩化カルシウム、シリカゲル等吸湿性に優れた物質が使
用されるが、本実施形態では塩化マグネシウムを主成分
とするものを使用している。また、ケミカルフィルタ6
は、プラスチック等から放出される有機ガス等を吸着除
去する活性炭とSOxやアンモニアなどの酸性、アルカ
リ性ガスを置換除去する化学繊維から構成される。
た結果である。外部湿度測定直後に収納装置の蓋を閉め
て密閉状態にして装置内の相対湿度を経時的に測定した
ところ、湿度は10分以内に5%未満に達し、その後そ
の状態をずっと保持した。
上の自然酸化膜成長(WOx 成長)の相関図である。相
対湿度が5%の所で酸化膜(WOx )の成長が進み始
め、相対湿度が5%未満の範囲に設定された収納装置内
に保管することにより、長期間に渡り金属膜の酸化を効
果的に抑制できることが分かる。ここでは、金属膜がW
膜の場合について説明したが、他の金属膜でも同様の傾
向が見えられた。
湿度維持段としての乾燥剤18を備えた収納装置を用
い、半導体基板1を収納する筐体2内を5%未満、さら
に好ましくは図2に示すように2%の相対湿度に維持す
ることによって、金属膜の酸化を効果的に防止できるよ
うになる。
〜6が可能である。
(乾燥剤5)のあとに気体の清浄化手段(ケミカルフィ
ルタ6、ULPAフィルタ7)を設けているが、その順
序は逆でも良い。また、乾燥剤5、ULPAフィルタ
7、ケミカルフィルタ6、またはケミカルフィルタ6、
乾燥剤5、ULPAフィルタ7の順であってもよい。
りファン4を駆動させているが、収納装置にファン4の
制御基板、駆動用電源を搭載しても良い。
体基板1を保持しているが、筐体2内に半導体基板保持
用のカセットを有する構造としても良い。
として乾燥剤5を用いたが、電気的に除湿する手段、例
えばSPE(Solid Polymer Electrolyte)を用いても
良い。この種の電気的に除湿する手段は、乾燥剤とは異
なり、吸収した水分を自分自身から筐体2内に放出する
ことがないので、より効果的に除湿できるようになる。
は、高分子電解質膜8を2つの多孔質電極9in,9out
で挟んだ構成をしている。多孔質電極9inは筐体2内の
雰囲気に繋がっている。多孔質電極9outは筐体2外の
外気に繋がっている。図において、10はSPEを駆動
するための携帯電源を示している。多孔質電極9inから
のH2 Oと多孔質電極9outからのO2 とが高分子電解
質膜8内で反応し、除湿が行われる。除湿原理は、図に
示すように、2H+ +O2 /2+2e- →H2Oであ
る。H2 Oは多孔質電極9outから外に排気され、筐体
2内には戻らない。
5とを併用しても良い。さらに、相対湿度を5%以下に
制御した気体を筐体2内に封入しても良い。
段として活性炭と化学繊維からなるケミカルフィルタ6
を用いたが、活性炭のみもしくは化学繊維のみからなる
ケミカルフィルタを使用しても良い。また、純窒素や純
アルゴン等ガス状不純物が制御された気体を筐体2内に
封入しても良い。
としてULPAフィルタ7を用いたが、必要とする清浄
度に応じてHEPAフィルタを用いても良い。また、フ
ィルタ濾材は通常ガラスである、有機物の放出が少なく
耐薬品性のあるPTFE(ポリテトラフルオロエチレ
ン)やPC(ポリカーボネート)、PBT(ポリブチレ
ンテレフタレート)を濾材としたフィルタを用いても良
い。特に本実施形態のようにULPAフィルタ7が半導
体基板1に最も隣接する場合はこのような濾材を使用し
たフィルタが好ましい。
の実施形態に係る半導体基板の収納装置の概略構成を示
す断面図である。
示しており、半導体基板11はそれを保持する機能を有
する筐体12に収納される。半導体基板11は、筐体1
2を蓋して閉じ込めることにより密閉された空間に収納
される。
ブ付き吸気口13及びバルブ付き排気口14が設けられ
ており、吸入口13及び排気口14のバルブを開放する
ことで乾燥し且つ清浄な気体が筐体12内に導入され、
半導体基板11と共に持ち込まれた空気(air)が筐
体12より排出される。
ユニット16に導かれる。清浄化ユニット16に導入さ
れた気体は、ファン17により、乾燥剤18、ケミカル
フィルタ19、ULPAフィルタ20を順次通過し、乾
燥、ガス状不純物除去、粒子除去され清浄化される。こ
の清浄化された気体は配管15を通り、再び吸気口13
から筐体12内に導入される。
れたら、吸入口13と排気口14のバルブを閉め、再び
筐体12を密閉する。
から外し、搬送可能な状態にする。筐体12内は清浄且
つ乾燥した状態に保たれるため、収納した半導体基板1
1は搬送中、保管中に環境からの悪影響を受けない。
子やガス状不純物が外部から拡散する場合や、微少なリ
ークがあり筐体12を密閉状態に長期間保てない場合
は、定期的にこの操作を繰り返す必要がある。
ウム、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、ゼオラ
イト、塩化カルシウム、シリカゲル等があげられるが本
実施形態では塩化マグネシウムを主成分とするものを用
いた。
ック等から放出される有機ガス等を吸着除去するだけで
なくSOxやアンモニアなどの酸性、アルカリ性ガスを
除去できるよう添着剤を付加した活性炭から構成された
ものを用いた。また、清浄化ユニット16には汚染され
た気体の逆流を防ぐため適宜窒素を供給可能な吸気口2
1が設けられている。
〜4が可能である。
としたが、複数の筐体で清浄化ユニットを共用しても良
い。
を用いたが、ヘリウム,ネオン,アルゴン,クリプト
ン,キセノン等の不活性ガスやこれらの気体の混合物で
置換しても良い。
上流側(in側)から窒素を供給したが、例えば絶対湿
度0.1ppb(相対湿度5×10-7%)の純窒素であ
れば下流(out側)から供給しても良い。
・アルカリ性ガスを除去する機構をもつケミカルフィル
タ19を用いたが、何らかの方法で有機物、酸性ガス、
アルカリ性ガス等のガス状不純物を除去する機構を少な
くとも1つ備えていれば良い。
の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図で
ある。ここでは、ポリメタルゲートプロセスを含む半導
体装置の製造工程中における、タングステン(W)上の
自然酸化膜の成長を防止する方法について説明する。
31の表面にゲート酸化膜32を形成し、続いて多結晶
Si膜33、バリアメタル膜34を形成し、その後例え
ばスパッタ装置の成膜室内にSi基板31を収容し、バ
リアメタル膜34上にW膜35をスパッタ形成する(第
1の処理)。
は速やかに相対湿度(RH)を1%に制御した収納装置
内に収納され、次々工程のW膜35のRIE(Reactive
IonEtching)工程まで保管される。上記収納装置は例
えば第1又は第2の実施形態で説明したものである。
り出し、Si基板31をCVD装置等の成膜装置のチャ
ンバ(第1の処理槽)内に収容する。上記収納装置は、
Si基板31を取り出した後も、循環手段および清浄化
手段が稼働し、且つ除湿維持手段によって筐体内の相対
湿度を相対湿度(RH)が1%に制御される。これによ
り、使用していない間に、収納装置自身から発生する水
分、例えば乾燥剤5から発生する水分による湿度の上昇
を効果的に防止できるようになる。
上にシリコン窒化膜36を形成し、続いて図6(c)に
示すように、図示しないフォトレジストパターンをマス
クにして、RIE装置等のドライエッチング装置の成膜
室(第2の処理槽)内でゲート加工(第2の処理)を行
う。
が露出するため、Si基板31は速やかに相対湿度(R
H)1%に制御された収納容器に収納され、次工程のシ
リコン窒化膜の堆積工程まで保管される。
リコン窒化膜を堆積し、RIE法により上記シリコン窒
化膜をエッチングし、ゲート側壁にシリコン窒化膜37
を形成する。
露出した状態のSi基板31を、相対湿度(RH)を1
%に制御した収納装置に収納し、次工程まで保管するこ
とにによって、W膜35上に自然酸化膜等の酸化膜が成
長することを効果的に防止でき、所望のデバイス特性を
得られるようになる。なお、従来技術では、湿度を制御
する手段を備えていない収納装置に製造途中のSi基板
を収容していた。
が可能である。
した工程においてのみ相対湿度を1%に制御した収納装
置を用いたが、本収納装置を使用することにより他工程
へ影響を与えることはない。そのため、金属膜が露出す
る工程を含むプロセスであれば、金属膜が露出しない工
程または金属膜が存在しない工程においても本収納装置
を用いても良い。全ての工程で本収納装置を使用するこ
とにより、工程毎に収納装置を交換する作業を省略でき
作業効率が上がる。
の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図で
ある。ここでは、Al配線プロセスを含む半導体装置の
製造工程中における、Al上の欠陥発生の成長を防止す
る方法について説明する。
い下地が形成されたSi基板41を例えばスパッタ装置
の成膜室内に収容し、Si基板41上にAl配線となる
Al膜42をスパッタ形成し、次にAl膜42上にレジ
ストパターン43を形成する。
イエッチング装置のチャンバ(第1の処理槽)内に収容
し、図7(b)に示すように、レジストパターン43を
マスクにしてAl膜42をドライエッチング法によりエ
ッチングし(第1の処理)、Al配線を形成する。
ターン43を例えばアッシングにより剥離する。
に相対湿度を5%未満に制御し且つ清浄化手段を備えた
収納装置に収納され、次工程(例えばCVD装置のチャ
ンバ(第2の処理槽)内にSi基板を収容し、層間絶縁
膜を形成する(第2の処理)工程)まで保管される。
取り出した後も、循環手段および清浄化手段が稼働し、
且つ除湿維持手段によって筐体内の相対湿度を相対湿度
(RH)が1%に制御される。これにより、使用してい
ない間に、収納装置自身から発生する水分による湿度の
上昇を効果的に防止できるようになる。さらに、清浄化
手段によって、エッチングに起因する酸性ガスも除去さ
れる。また、第3の実施形態と同様な変形例が可能であ
る。
0h保管後の欠陥数を示したものである。図中におい
て、C/Fはケミカルフィルタを、RHは相対湿度をそ
れぞれ示しており、5条件で保管を行っている。一般に
コロージョンは配線金属の腐食、ドライエッチングに用
いられる酸性ガスが原因と考えられており、配線上の欠
陥を数えることで評価できる。
手段を持たない通常の収納装置で保管した場合は、コロ
ージョン起因と見られる欠陥数がイニシャルに比べ2桁
近く増加しているが、ケミカルフィルタや除湿維持手段
を設けることで欠陥数の発生数を劇的に抑えられること
が分かる。さらに、その両方を併用することで欠陥の増
加はほぼ0にまで抑制できている。一般に、酸性および
アルカリ性ガスを除去するケミカルフィルタは中和やイ
オン交換反応を利用するためにある程度水分が存在しな
いと除去性能を発揮できないといわれている。
対湿度を1%まで下げてもコロージョンは発生しなかっ
た。これはSi基板を収納した時に装置内に巻き込まれ
た気体(air)に含まれる水分の作用でケミカルフィ
ルタが作用したと考えられる。
ーがどの程度循環するかを見積もってみると、例えば容
器体積0.027Lに対して循環装置の能力が0.05
L/minの場合は30秒程度で装置内の気体が一巡す
る。図2で示したように装置内の湿度が1%に下がるま
では5分程かかるので、5分の間に巻き込まれた気体は
フィルタを10回通過している。
るものではない。例えば、上記実施形態では、半導体基
板としてSi基板を用いたが、SOI基板、SiGe基
板でも良い。さらに、半導体基板以外の基板、例えばガ
ラス基板でも良い。
Al膜の場合について説明したが、Cu膜等の他の金属
膜でも良い。また、W膜はゲート電極、Al膜及びCu
膜は配線に使用されるものであるが、その他の用途に使
用される金属膜にも本発明は適用できる。例えば、金属
シリサイドの金属供給源に使用される膜、例えばコバル
ト(Co)膜にも本発明は適用できる。その他の金属膜
の材料としては、課題を解決するための手段の項で記載
したもの(Al,Cu、Coを除く)があげられる。
明が含まれており、開示される複数の構成要件における
適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例
えば実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要
件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で
述べた課題を解決できる場合には、この構成要件が削除
された構成が発明として抽出され得る。
で、種々変形して実施できる。
属膜上の酸化膜の成長を効果的に抑制できる、基板の収
納装置及び半導体装置の製造方法を実現できるようにな
る。
納装置の概略構成を示す平面図
図
膜成長との関係を示す図
示す図
納装置の概略構成を示す断面図
造工程を示す断面図
造工程を示す断面図
保管条件で120h保管した後の欠陥数を示す図
Claims (14)
- 【請求項1】基板を収納する密閉可能な筐体と、 前記筐体内の気体を循環させる循環手段と、 前記筐体内の気体を清浄化する清浄化手段と、 前記筐体内の相対湿度を5%未満に維持する湿度維持手
段とを具備してなることを特徴とする収納装置。 - 【請求項2】前記基板は金属膜を有することを特徴とす
る請求項1に記載の収納装置。 - 【請求項3】前記循環手段は、気体を圧送するファンを
含むことを特徴とする請求項1に記載の収納装置。 - 【請求項4】前記ファンを駆動するための携帯電源をさ
らに含むことを特徴とする請求項3に記載の収納装置。 - 【請求項5】前記循環手段は、1気圧以上の気体を装置
内に導入する吸気口と装置内の気体を排気する排気口を
含むことを特徴とする請求項1に記載の収納装置。 - 【請求項6】前記清浄化手段は、ガス状不純物捕集用フ
ィルタを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体
基板の収納装置。 - 【請求項7】前記清浄化手段は、パーティクル除去用フ
ィルタを含むことを特徴とする請求項1に記載の収納装
置。 - 【請求項8】前記清浄化手段は、ガス状不純物捕集用フ
ィルタとパーティクル除去用フィルタを含むことを特徴
とする請求項1に記載の収納装置。 - 【請求項9】前記除湿維持手段は、乾燥剤を含むことを
特徴とする請求項1に記載の収納装置。 - 【請求項10】前記除湿維持手段は、電気的に除湿する
ものであることを特徴とする請求項1に記載の収納装
置。 - 【請求項11】前記除湿維持手段は、除湿膜と、該除湿
膜を駆動するための携帯電源とを含むことを特徴とする
請求項10に記載の収納装置。 - 【請求項12】前記除湿維持手段は、相対湿度が5%未
満の気体を封入する手段を含むことを特徴とする請求項
1に記載の収納装置。 - 【請求項13】第1の処理槽内に半導体基板を収容し、
該半導体基板に第1の処理を施す工程と、 請求項1ないし12のいずれか1項に記載の収納装置内
に前記半導体基板を収納し、且つ前記収納装置の循環手
段および清浄化手段を稼働させ、且つ前記除湿維持手段
によって前記筐体内の相対湿度を5%未満に維持する工
程と、 前記収納措置から前記半導体基板を取出し、第2の処理
槽内に前記半導体基板を収容し、前記半導体基板に第2
の処理を施すとともに、前記第2の処理を前記半導体基
板に施している最中に、前記収納装置の循環手段および
清浄化手段を稼働させ、且つ前記除湿維持手段によって
前記筐体内の相対湿度を5%未満に維持する工程と、 前記第2の処理槽から前記半導体基板を取り出し、前記
循環手段および前記清浄化手段を稼働させ、且つ前記除
湿維持手段によって前記筐体内の相対湿度を5%未満に
維持された収納装置内に前記半導体基板を収納する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項14】前記半導体基板上に金属膜が形成されて
いることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001301361A JP4256088B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001301361A JP4256088B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003110013A true JP2003110013A (ja) | 2003-04-11 |
JP4256088B2 JP4256088B2 (ja) | 2009-04-22 |
Family
ID=19121786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001301361A Expired - Fee Related JP4256088B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4256088B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004214516A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011100835A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
US8119020B2 (en) | 2006-07-20 | 2012-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing electronic device |
WO2016104799A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | ライオン株式会社 | 被覆α-スルホ脂肪酸アルキルエステル塩粒子群及びその製造方法並びに粉末洗剤 |
KR20180111547A (ko) * | 2017-03-31 | 2018-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH104085A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Sony Corp | ドライエッチング方法および装置 |
WO1999028213A1 (fr) * | 1997-12-03 | 1999-06-10 | Ebara Corporation | Boite propre |
JPH11307623A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の収納装置及び搬出入ステージ |
JP2000195821A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Nec Corp | 半導体製造方法及び装置 |
WO2001008210A1 (fr) * | 1999-07-28 | 2001-02-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de stockage de plaquette, contenant de stockage destine a cet effet et procede de transfert de plaquette dans ce contenant |
JP2002261159A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-09-13 | Ebara Corp | 基板搬送容器 |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001301361A patent/JP4256088B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH104085A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Sony Corp | ドライエッチング方法および装置 |
WO1999028213A1 (fr) * | 1997-12-03 | 1999-06-10 | Ebara Corporation | Boite propre |
JPH11307623A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の収納装置及び搬出入ステージ |
JP2000195821A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Nec Corp | 半導体製造方法及び装置 |
WO2001008210A1 (fr) * | 1999-07-28 | 2001-02-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de stockage de plaquette, contenant de stockage destine a cet effet et procede de transfert de plaquette dans ce contenant |
JP2002261159A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-09-13 | Ebara Corp | 基板搬送容器 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004214516A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US8119020B2 (en) | 2006-07-20 | 2012-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing electronic device |
JP2011100835A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
WO2016104799A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | ライオン株式会社 | 被覆α-スルホ脂肪酸アルキルエステル塩粒子群及びその製造方法並びに粉末洗剤 |
CN107109295A (zh) * | 2014-12-26 | 2017-08-29 | 狮王株式会社 | 包覆α‑磺基脂肪酸烷基酯盐粒子群及其制造方法,以及粉末洗涤剂 |
KR20180111547A (ko) * | 2017-03-31 | 2018-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법 |
CN108695206A (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基板搬送装置和基板搬送方法 |
JP2018174208A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
KR102174449B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2020-11-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법 |
US10867820B2 (en) | 2017-03-31 | 2020-12-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate transfer device and substrate transfer method |
CN108695206B (zh) * | 2017-03-31 | 2022-03-15 | 东京毅力科创株式会社 | 基板搬送装置和基板搬送方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4256088B2 (ja) | 2009-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI251258B (en) | Substrate processing apparatus and method of processing substrate while controlling for contamination in substrate transfer module | |
JP4769350B2 (ja) | 希ガスの回収方法及び装置 | |
JP5506461B2 (ja) | 超臨界処理装置及び超臨界処理方法 | |
KR100478663B1 (ko) | 반도체 장치의 세정 방법 및 세정 장치 | |
JP2012049446A (ja) | 超臨界乾燥方法及び超臨界乾燥システム | |
JP2004311966A (ja) | ロードロックシステム及び露光処理システム並びにデバイスの製造方法 | |
TW200834690A (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium | |
JP2001015472A (ja) | 紫外光照射方法及び装置 | |
JP2002359180A (ja) | ガス循環システム | |
JP4256088B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4089931B2 (ja) | 基板収納装置 | |
JP2017126734A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム | |
KR102231831B1 (ko) | 이에프이엠 | |
US7312151B2 (en) | System for ultraviolet atmospheric seed layer remediation | |
JP2003115519A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、ロードロック室、基板収納ケース、ストッカ | |
JP4246343B2 (ja) | ガス雰囲気形成装置及びガス雰囲気形成方法 | |
JPH07335602A (ja) | 基板の表面処理方法及び表面処理装置 | |
JPWO2004075277A1 (ja) | エッチング方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP6441499B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体 | |
KR20020047112A (ko) | 반도체 웨이퍼로부터 오염물을 감소시키기 위한 방법 및장치 | |
JP2002217155A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JP2004190892A (ja) | 流体浄化装置 | |
JP2003068697A (ja) | 自動基板洗浄装置 | |
JPH11188329A (ja) | 処理装置 | |
JPH07133004A (ja) | 基板保管装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080930 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090127 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090129 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |