JP4246343B2 - ガス雰囲気形成装置及びガス雰囲気形成方法 - Google Patents
ガス雰囲気形成装置及びガス雰囲気形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4246343B2 JP4246343B2 JP2000000917A JP2000000917A JP4246343B2 JP 4246343 B2 JP4246343 B2 JP 4246343B2 JP 2000000917 A JP2000000917 A JP 2000000917A JP 2000000917 A JP2000000917 A JP 2000000917A JP 4246343 B2 JP4246343 B2 JP 4246343B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- casing
- switching valve
- inert gas
- side switching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 152
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 86
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 28
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 8
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L21/205—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45593—Recirculation of reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Pipeline Systems (AREA)
- Ventilation (AREA)
- Drying Of Gases (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はある板金又はケーシング又はチャンバ等（以下、「ケーシング」と称する）に囲まれた空間内に不活性ガスを循環させ、該空間内を不活性ガスで充満させ所望のガス雰囲気を形成するガス雰囲気形成装置及びガス雰囲気形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１はケーシングで囲まれた空間に不活性ガスを導入する従来装置の構成例を示す図である。図示するように、ケーシング１で囲まれた空間２にドライな不活性ガスＧをガス導入口３から導入し、粒子除去フィルタ（ヘパ、ウルパフィルタ等）４でパーティクル他を除去し、空間２をドライな不活性ガス雰囲気にすると共に、空間２からのドライな不活性ガスは、ガス排出口５から排気される。
【０００３】
上記のように、ケーシング１で囲まれた空間２を不活性ガス雰囲気にすることにより、空間２内の酸素及び水分濃度を低くして、例えば、バッチ式の低圧ＣＶＤ装置等において、空間２にセットしたウエハ等の表面に大気中の酸素や水分による微薄な酸化膜が形成されることを防ぐことができる。これにより大気中の酸素や水分による酸化を嫌うプロセスに対してウエハ等を酸化から保護することができる。
【０００４】
上記従来のケーシング１で囲まれた空間を不活性ガス雰囲気にする装置においては、不活性ガスを大量に流し空間２の酸素及び水分濃度を抑え、不活性ガスはそのまま排出していた。そのため大量の不活性ガスを消費し、ランニングコストが高くなるという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、不活性ガスの消費量が少なくケーシングに囲まれた空間に不活性ガスを充満させ所望のガス雰囲気を形成するガス雰囲気形成装置及びガス雰囲気形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決する手段】
上記課題を解決するため請求項１に記載の発明は、ガスを導入するためのガス導入口と該ガスを排出するためのガス排出口とを備えたケーシングと、ガス導入口に設けた導入口側切替バルブとガス排出口側に設けた排出口側切替バルブと、導入口側切替バルブと排出口側切替バルブを介してケーシングに接続され、ガスを循環させるガス循環管路と、ケーシング内のガスを前記ガス循環管路を通して循環させるための循環ファンと、ガス循環管路に設けられ、該ガス循環管路を通るガス中の水分等を冷却凝縮して当該ガスから除去するためのトラップと、導入口側切替バルブを通してケーシングに不活性ガスを導入し、該不活性ガスを排出口側切替バルブを通してガス循環管路外に排出し、ケーシング内に不活性ガスが充満し、該ケーシング内の酸素、水分が除去されたら、導入口側切替バルブ及び排出口側切替バルブを前記ガス循環管路側に切り替えるバルブ切替制御手段と、ガス循環管路に設けられ、トラップに流入するガスを該トラップから流出するガスで冷却する熱交換器と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
上記のように、導入口側切替バルブを通してケーシングに不活性ガスを導入し、該不活性ガスを排出口側切替バルブを通してガス循環管路外に排出し、ケーシング内に不活性ガスが充満し、該ケーシング内の酸素、水分が除去されたら、導入口側切替バルブ及び排出口側切替バルブをガス循環管路側に切り替えるバルブ切替制御手段を設けたので、不活性ガスの消費量は大幅に減少する。また、ガス循環管路にトラップを設けることにより、該トラップで循環する不活性ガス中の水分及び／又は有機系ガスは除去され、空間は水分及び／又は有機系ガスの含まれない純度の高い不活性ガスで満たされる。ガス循環管路に設けられ、トラップに流入するガスを該トラップから流出するガスで冷却する熱交換器を備えたので、別途冷却器を設ける必要もなく、また、流出する不活性ガスを循環するのに必要な温度に維持することができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のガス雰囲気形成装置において、熱交換器の後段でケーシングとの間の流路に設けられた、循環されるガス中に含まれる粒子等を除去するための粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタを備えたことを特徴とする。
【００１１】
上記のように熱交換器の後段で前記ケーシングとの間の流路に粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタを備えたので、ガス冷却により生じたガスが固化した粒子も、最初からガス中にある粒子もともに除去でき、水分と粒子との除去の効率が向上する。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、ケーシング内の空間に所要のガス雰囲気を形成するためのガス雰囲気形成方法であって、ケーシングはガス導入口に導入口側切替バルブを備え、ガス排出口に排出口側切替バルブを備え、導入口側切替バルブと排出口側切替バルブを介してガス循環管路がケーシングに接続された構成であり、空間に不活性ガスを導入するとともに該不活性ガスを該空間から排出する工程と、空間内が不活性ガスにより充満されたときに、導入口側切替バルブと排出口側切替バルブを切り替えて該不活性ガスの導入及び排出を止めるとともに、ケーシングに連通されたガス循環管路を通して空間内の不活性ガスを循環させる切替工程と、ガス循環管路を通る不活性ガス中の水分等を冷却凝縮して当該不活性ガスから除去する水分等冷却凝縮除去工程と、水分等冷却凝縮除去工程を経たガスで該水分等冷却凝縮除去工程に入る前のガスを冷却する工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のガス雰囲気形成方法において、循環される不活性ガス中に含まれる粒子等を熱交換器の後段でケーシングとの間の流路に設けられた粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタにより除去する粒子除去工程を有することを特徴とする。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載のガス雰囲気形成方法において、ケーシング内の不活性ガスの流れを均一化するガス流均一化工程を有することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて説明する。図２は本発明に係るガス循環システムの構成を示す図である。図２において図１と同一符号を付した部分は同一又は相当部分を示す。本ガス循環システムは、図示するように、ケーシング１で囲まれた空間２のガス導入口３とガス排出口５に切替バルブ６、７を設け、該切替バルブ６、７を介して、ガス導入口３とガス排出口５をガス循環経路８で結んでいる。
【００２１】
一例として、ガス導入口３に循環ファン１１を設け、該ガス循環ファン１１の下流側にフィルタ４を設け、更に該フィルタ４の下流側に空間２内に不活性ガスが均一に流れるようにするガス流均一機構１２を設けている。また、ガス循環経路８には熱交換器９及びトラップ１０を設けている。
【００２２】
上記構成のガス循環システムにおいて、切替バルブ６及び７を反ガス循環経路８側に切り替え、例えば、窒素（Ｎ2）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスＧをガス導入口３に供給すると、該不活性ガスＧは循環ファン１１及びフィルタ４を通り、更にガス流均一機構１２を通ってケーシング１で囲まれた空間２内に均一な不活性ガス流となって流れ込む。空間２内を満たした不活性ガスＧはガス排出口５を通って切替バルブ７から排出される。不活性ガスＧの導入初期は空間２内の酸素、水分を除去するため、空間２に導入された不活性ガスＧはそのまま排出口５から排出すること等任意に切替が可能である。
【００２３】
空間２内に不活性ガスＧが充満し、空間２内の酸素、水分が除去されたら、切替バルブ６、７をガス循環経路８側に切り替える。これにより、空間２内の不活性ガスは切替バルブ７、熱交換器９、トラップ１０、切替バルブ６、循環ファン１１、フィルタ４及びガス流均一機構１２を通って均一なガス流となって空間２に流入し、循環する。
【００２４】
熱交換器９はガス循環経路８から該熱交換器９を通ってトラップ１０に流入する不活性ガスＧ１を該トラップ１０から排出される不活性ガスＧ２で冷却するように構成されている。該トラップ１０では不活性ガスＧ１中に含まれる水分や有機系ガスを捕捉して除去する。この水分や有機系ガスの除去された不活性ガスＧ２はフィルタ４を通ることにより、該不活性ガスＧ２中の粒子を捕捉して除去する。なお、このフィルタ４としては粒子除去フィルタ又はケミカルフィルタ又はその両者を用いる。ケミカルフィルタを用いると不活性ガス中の有機系ガスが除去される。
【００２５】
トラップ１０は、酸素、水分及び有機系コンタミ（有機系ガス）を捕捉するために、捕捉するガスの露点温度以下の低温とし、熱交換器９は不活性ガスＧの循環に必要な温度に保てるように熱除去を可能とする。なお、不活性ガスＧをガス循環経路８を通して循環させる前に、トラップ１０は所望の温度（例えば、−１００℃〜−２００℃）に動作させておく。
【００２６】
図３はトラップ１０の概略構成例を示す図で、図３（ａ）は側断面図、図３（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。トラップ１０はコールドヘッド１０−１とヘリウムコンプレッサ１０−２からなる。コールドヘッド１０−１にはケーシング１０−１ａ内に熱伝導性の良い材料（金属材）からなる同心円状の円筒体１０−１ｂが収納されており、該円筒体１０−１ｂはヘリウムコンプレッサ１０−２からの冷媒（ヘリウムガス）で冷凍（例えば−１００℃〜−２００℃）を発生するヘリウム冷凍機１０−１ｃと機械的に連結され、冷却されるようになっている。
【００２７】
コールドヘッド１０−１のケーシング１０−１ａ内にはガス循環経路８からの不活性ガスＧ１が流入するようになっている。該不活性ガスＧ１は円筒体１０−１ｂの間隙を通る時、その中に含まれる水分や有機系ガスが円筒体１０−１ｂの表面に付着して凝縮し捕捉される。
【００２８】
上記構成のガス循環システムにおいて、例えばケーシング１で囲まれた空間２が、バッチ式低圧ＣＶＤのチャンバー内の空間であった場合、該空間２内に多数の半導体ウエハをセットし、該チャンバー内に窒素ガスやアルゴンガスを導入し、循環させることにより、空間２内の酸素濃度及び水分濃度を極めて低く抑えることができ、半導体ウエハ表面の酸化を防止することができる。また、不活性ガスＧを循環させて使用するため、補給する不活性ガス量はケーシング１から漏れる分や循環経路から外部に排出する少量を補充するだけで済むから、ランニングコストが安価となる。
【００２９】
なお、循環ファン１１の軸受には、パーティクルや有機系材料等により不活性ガスが汚染されるのを防止するため、磁気軸受を用い、更に磁気軸受部及びモータ部をキャン構造とするとよい。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように各請求項に記載の発明によれば下記のような優れた効果が得られる。
【００３１】
請求項１に記載の発明によれば、導入口側切替バルブを通してケーシングに不活性ガスを導入し、該不活性ガスを排出口側切替バルブを通してガス循環管路外に排出し、ケーシング内に不活性ガスが充満し、該ケーシング内の酸素、水分が除去されたら、導入口側切替バルブ及び排出口側切替バルブをガス循環管路側に切り替えるバルブ切替制御手段を設けたので、不活性ガスの消費量は大幅に減少する。また、ガス循環管路にトラップを設けることにより、該トラップで循環する不活性ガス中の水分及び／又は有機系ガスは除去され、空間内を満たす不活性ガスの純度を高く保持することができ、該空間内を例えば表面酸化を嫌うウエハ等をセットする好適環境に維持することができるガス雰囲気形成装置を提供できる。また、ガス循環管路に設けられ、トラップに流入するガスを該トラップから流出するガスで冷却する熱交換器を備えたことにより、流出する不活性ガスを循環に必要な温度に維持でき、トラップに流入するガスを冷却するための冷却器を別途設ける必要がない。
【００３２】
請求項２に記載の発明によれば、熱交換器の後段で前記ケーシングとの間の流路に粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタを備えたので、ガス冷却により生じたガスが固化した粒子も、最初からガス中にある粒子もともに除去でき、水分と粒子との除去の効率が向上する。
【００３５】
請求項３に記載の発明によれば、空間内が不活性ガスにより充満されたときに、導入口側切替バルブと排出口側切替バルブを切り替えて該不活性ガスの導入及び排出を止めるとともに、ケーシングに連通されたガス循環管路を通して空間内の不活性ガスを循環させる切替工程を有するから、不活性ガスの消費量は大幅に減少する。従ってランニングコストを大幅に低減できるガス雰囲気形成方法を提供できる。また、ガス循環管路を通る不活性ガス中の水分等を冷却凝縮して当該不活性ガスから除去する水分等冷却凝縮除去工程を有するから、不活性ガス中の水分及び／又は有機系ガスは除去され、空間内を満たす不活性ガスに純度を高く保持することができ、該空間内を例えば表面酸化を嫌うウエハ等をセットする好適環境に維持することができるガス雰囲気形成方法を提供できる。また、水分等冷却凝縮除去工程を経たガスで該水分等冷却凝縮除去工程に入る前のガスを冷却する工程を有するので、別途冷却器を設け該工程に入る前のガスを冷却する必要がなく、流出する不活性ガスを循環に必要な温度に維持できる。
【００３６】
請求項４に記載の発明によれば、循環される不活性ガス中に含まれる粒子等を熱交換器の後段でケーシングとの間の流路に設けられた粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタにより除去する粒子除去工程を有することにより、循環する不活性ガス中の粒子や有機系ガス及び酸素が効率よく除去できるガス雰囲気形成方法を提供できる。
【００３７】
請求項５に記載の発明によれば、ケーシング内の不活性ガスの流れを均一化するガス流均一化工程を有するので、空間内に不活性ガスが均一に流れることになり、空間内の酸素及び水分を低濃度で均一に抑えることができるガス雰囲気形成方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ケーシングで囲まれた空間に不活性ガスを導入する従来装置の構成例を示す図である。
【図２】 本発明に係るガス循環システムの構成を示す図である。
【図３】 本発明に係るガス循環システムに使用するトラップの概略構成例を示す図で、図３（ａ）は側断面図、図３（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【符号の説明】
１ ケーシング
２ 空間
３ ガス導入口
４ フィルタ
５ ガス排出口
６ 切替バルブ
７ 切替バルブ
８ ガス循環経路
９ 熱交換器
１０ トラップ
１１ 循環ファン
１２ ガス流均一機構
【発明の属する技術分野】
本発明はある板金又はケーシング又はチャンバ等（以下、「ケーシング」と称する）に囲まれた空間内に不活性ガスを循環させ、該空間内を不活性ガスで充満させ所望のガス雰囲気を形成するガス雰囲気形成装置及びガス雰囲気形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１はケーシングで囲まれた空間に不活性ガスを導入する従来装置の構成例を示す図である。図示するように、ケーシング１で囲まれた空間２にドライな不活性ガスＧをガス導入口３から導入し、粒子除去フィルタ（ヘパ、ウルパフィルタ等）４でパーティクル他を除去し、空間２をドライな不活性ガス雰囲気にすると共に、空間２からのドライな不活性ガスは、ガス排出口５から排気される。
【０００３】
上記のように、ケーシング１で囲まれた空間２を不活性ガス雰囲気にすることにより、空間２内の酸素及び水分濃度を低くして、例えば、バッチ式の低圧ＣＶＤ装置等において、空間２にセットしたウエハ等の表面に大気中の酸素や水分による微薄な酸化膜が形成されることを防ぐことができる。これにより大気中の酸素や水分による酸化を嫌うプロセスに対してウエハ等を酸化から保護することができる。
【０００４】
上記従来のケーシング１で囲まれた空間を不活性ガス雰囲気にする装置においては、不活性ガスを大量に流し空間２の酸素及び水分濃度を抑え、不活性ガスはそのまま排出していた。そのため大量の不活性ガスを消費し、ランニングコストが高くなるという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、不活性ガスの消費量が少なくケーシングに囲まれた空間に不活性ガスを充満させ所望のガス雰囲気を形成するガス雰囲気形成装置及びガス雰囲気形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決する手段】
上記課題を解決するため請求項１に記載の発明は、ガスを導入するためのガス導入口と該ガスを排出するためのガス排出口とを備えたケーシングと、ガス導入口に設けた導入口側切替バルブとガス排出口側に設けた排出口側切替バルブと、導入口側切替バルブと排出口側切替バルブを介してケーシングに接続され、ガスを循環させるガス循環管路と、ケーシング内のガスを前記ガス循環管路を通して循環させるための循環ファンと、ガス循環管路に設けられ、該ガス循環管路を通るガス中の水分等を冷却凝縮して当該ガスから除去するためのトラップと、導入口側切替バルブを通してケーシングに不活性ガスを導入し、該不活性ガスを排出口側切替バルブを通してガス循環管路外に排出し、ケーシング内に不活性ガスが充満し、該ケーシング内の酸素、水分が除去されたら、導入口側切替バルブ及び排出口側切替バルブを前記ガス循環管路側に切り替えるバルブ切替制御手段と、ガス循環管路に設けられ、トラップに流入するガスを該トラップから流出するガスで冷却する熱交換器と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
上記のように、導入口側切替バルブを通してケーシングに不活性ガスを導入し、該不活性ガスを排出口側切替バルブを通してガス循環管路外に排出し、ケーシング内に不活性ガスが充満し、該ケーシング内の酸素、水分が除去されたら、導入口側切替バルブ及び排出口側切替バルブをガス循環管路側に切り替えるバルブ切替制御手段を設けたので、不活性ガスの消費量は大幅に減少する。また、ガス循環管路にトラップを設けることにより、該トラップで循環する不活性ガス中の水分及び／又は有機系ガスは除去され、空間は水分及び／又は有機系ガスの含まれない純度の高い不活性ガスで満たされる。ガス循環管路に設けられ、トラップに流入するガスを該トラップから流出するガスで冷却する熱交換器を備えたので、別途冷却器を設ける必要もなく、また、流出する不活性ガスを循環するのに必要な温度に維持することができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のガス雰囲気形成装置において、熱交換器の後段でケーシングとの間の流路に設けられた、循環されるガス中に含まれる粒子等を除去するための粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタを備えたことを特徴とする。
【００１１】
上記のように熱交換器の後段で前記ケーシングとの間の流路に粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタを備えたので、ガス冷却により生じたガスが固化した粒子も、最初からガス中にある粒子もともに除去でき、水分と粒子との除去の効率が向上する。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、ケーシング内の空間に所要のガス雰囲気を形成するためのガス雰囲気形成方法であって、ケーシングはガス導入口に導入口側切替バルブを備え、ガス排出口に排出口側切替バルブを備え、導入口側切替バルブと排出口側切替バルブを介してガス循環管路がケーシングに接続された構成であり、空間に不活性ガスを導入するとともに該不活性ガスを該空間から排出する工程と、空間内が不活性ガスにより充満されたときに、導入口側切替バルブと排出口側切替バルブを切り替えて該不活性ガスの導入及び排出を止めるとともに、ケーシングに連通されたガス循環管路を通して空間内の不活性ガスを循環させる切替工程と、ガス循環管路を通る不活性ガス中の水分等を冷却凝縮して当該不活性ガスから除去する水分等冷却凝縮除去工程と、水分等冷却凝縮除去工程を経たガスで該水分等冷却凝縮除去工程に入る前のガスを冷却する工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のガス雰囲気形成方法において、循環される不活性ガス中に含まれる粒子等を熱交換器の後段でケーシングとの間の流路に設けられた粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタにより除去する粒子除去工程を有することを特徴とする。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載のガス雰囲気形成方法において、ケーシング内の不活性ガスの流れを均一化するガス流均一化工程を有することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて説明する。図２は本発明に係るガス循環システムの構成を示す図である。図２において図１と同一符号を付した部分は同一又は相当部分を示す。本ガス循環システムは、図示するように、ケーシング１で囲まれた空間２のガス導入口３とガス排出口５に切替バルブ６、７を設け、該切替バルブ６、７を介して、ガス導入口３とガス排出口５をガス循環経路８で結んでいる。
【００２１】
一例として、ガス導入口３に循環ファン１１を設け、該ガス循環ファン１１の下流側にフィルタ４を設け、更に該フィルタ４の下流側に空間２内に不活性ガスが均一に流れるようにするガス流均一機構１２を設けている。また、ガス循環経路８には熱交換器９及びトラップ１０を設けている。
【００２２】
上記構成のガス循環システムにおいて、切替バルブ６及び７を反ガス循環経路８側に切り替え、例えば、窒素（Ｎ2）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスＧをガス導入口３に供給すると、該不活性ガスＧは循環ファン１１及びフィルタ４を通り、更にガス流均一機構１２を通ってケーシング１で囲まれた空間２内に均一な不活性ガス流となって流れ込む。空間２内を満たした不活性ガスＧはガス排出口５を通って切替バルブ７から排出される。不活性ガスＧの導入初期は空間２内の酸素、水分を除去するため、空間２に導入された不活性ガスＧはそのまま排出口５から排出すること等任意に切替が可能である。
【００２３】
空間２内に不活性ガスＧが充満し、空間２内の酸素、水分が除去されたら、切替バルブ６、７をガス循環経路８側に切り替える。これにより、空間２内の不活性ガスは切替バルブ７、熱交換器９、トラップ１０、切替バルブ６、循環ファン１１、フィルタ４及びガス流均一機構１２を通って均一なガス流となって空間２に流入し、循環する。
【００２４】
熱交換器９はガス循環経路８から該熱交換器９を通ってトラップ１０に流入する不活性ガスＧ１を該トラップ１０から排出される不活性ガスＧ２で冷却するように構成されている。該トラップ１０では不活性ガスＧ１中に含まれる水分や有機系ガスを捕捉して除去する。この水分や有機系ガスの除去された不活性ガスＧ２はフィルタ４を通ることにより、該不活性ガスＧ２中の粒子を捕捉して除去する。なお、このフィルタ４としては粒子除去フィルタ又はケミカルフィルタ又はその両者を用いる。ケミカルフィルタを用いると不活性ガス中の有機系ガスが除去される。
【００２５】
トラップ１０は、酸素、水分及び有機系コンタミ（有機系ガス）を捕捉するために、捕捉するガスの露点温度以下の低温とし、熱交換器９は不活性ガスＧの循環に必要な温度に保てるように熱除去を可能とする。なお、不活性ガスＧをガス循環経路８を通して循環させる前に、トラップ１０は所望の温度（例えば、−１００℃〜−２００℃）に動作させておく。
【００２６】
図３はトラップ１０の概略構成例を示す図で、図３（ａ）は側断面図、図３（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。トラップ１０はコールドヘッド１０−１とヘリウムコンプレッサ１０−２からなる。コールドヘッド１０−１にはケーシング１０−１ａ内に熱伝導性の良い材料（金属材）からなる同心円状の円筒体１０−１ｂが収納されており、該円筒体１０−１ｂはヘリウムコンプレッサ１０−２からの冷媒（ヘリウムガス）で冷凍（例えば−１００℃〜−２００℃）を発生するヘリウム冷凍機１０−１ｃと機械的に連結され、冷却されるようになっている。
【００２７】
コールドヘッド１０−１のケーシング１０−１ａ内にはガス循環経路８からの不活性ガスＧ１が流入するようになっている。該不活性ガスＧ１は円筒体１０−１ｂの間隙を通る時、その中に含まれる水分や有機系ガスが円筒体１０−１ｂの表面に付着して凝縮し捕捉される。
【００２８】
上記構成のガス循環システムにおいて、例えばケーシング１で囲まれた空間２が、バッチ式低圧ＣＶＤのチャンバー内の空間であった場合、該空間２内に多数の半導体ウエハをセットし、該チャンバー内に窒素ガスやアルゴンガスを導入し、循環させることにより、空間２内の酸素濃度及び水分濃度を極めて低く抑えることができ、半導体ウエハ表面の酸化を防止することができる。また、不活性ガスＧを循環させて使用するため、補給する不活性ガス量はケーシング１から漏れる分や循環経路から外部に排出する少量を補充するだけで済むから、ランニングコストが安価となる。
【００２９】
なお、循環ファン１１の軸受には、パーティクルや有機系材料等により不活性ガスが汚染されるのを防止するため、磁気軸受を用い、更に磁気軸受部及びモータ部をキャン構造とするとよい。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように各請求項に記載の発明によれば下記のような優れた効果が得られる。
【００３１】
請求項１に記載の発明によれば、導入口側切替バルブを通してケーシングに不活性ガスを導入し、該不活性ガスを排出口側切替バルブを通してガス循環管路外に排出し、ケーシング内に不活性ガスが充満し、該ケーシング内の酸素、水分が除去されたら、導入口側切替バルブ及び排出口側切替バルブをガス循環管路側に切り替えるバルブ切替制御手段を設けたので、不活性ガスの消費量は大幅に減少する。また、ガス循環管路にトラップを設けることにより、該トラップで循環する不活性ガス中の水分及び／又は有機系ガスは除去され、空間内を満たす不活性ガスの純度を高く保持することができ、該空間内を例えば表面酸化を嫌うウエハ等をセットする好適環境に維持することができるガス雰囲気形成装置を提供できる。また、ガス循環管路に設けられ、トラップに流入するガスを該トラップから流出するガスで冷却する熱交換器を備えたことにより、流出する不活性ガスを循環に必要な温度に維持でき、トラップに流入するガスを冷却するための冷却器を別途設ける必要がない。
【００３２】
請求項２に記載の発明によれば、熱交換器の後段で前記ケーシングとの間の流路に粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタを備えたので、ガス冷却により生じたガスが固化した粒子も、最初からガス中にある粒子もともに除去でき、水分と粒子との除去の効率が向上する。
【００３５】
請求項３に記載の発明によれば、空間内が不活性ガスにより充満されたときに、導入口側切替バルブと排出口側切替バルブを切り替えて該不活性ガスの導入及び排出を止めるとともに、ケーシングに連通されたガス循環管路を通して空間内の不活性ガスを循環させる切替工程を有するから、不活性ガスの消費量は大幅に減少する。従ってランニングコストを大幅に低減できるガス雰囲気形成方法を提供できる。また、ガス循環管路を通る不活性ガス中の水分等を冷却凝縮して当該不活性ガスから除去する水分等冷却凝縮除去工程を有するから、不活性ガス中の水分及び／又は有機系ガスは除去され、空間内を満たす不活性ガスに純度を高く保持することができ、該空間内を例えば表面酸化を嫌うウエハ等をセットする好適環境に維持することができるガス雰囲気形成方法を提供できる。また、水分等冷却凝縮除去工程を経たガスで該水分等冷却凝縮除去工程に入る前のガスを冷却する工程を有するので、別途冷却器を設け該工程に入る前のガスを冷却する必要がなく、流出する不活性ガスを循環に必要な温度に維持できる。
【００３６】
請求項４に記載の発明によれば、循環される不活性ガス中に含まれる粒子等を熱交換器の後段でケーシングとの間の流路に設けられた粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタにより除去する粒子除去工程を有することにより、循環する不活性ガス中の粒子や有機系ガス及び酸素が効率よく除去できるガス雰囲気形成方法を提供できる。
【００３７】
請求項５に記載の発明によれば、ケーシング内の不活性ガスの流れを均一化するガス流均一化工程を有するので、空間内に不活性ガスが均一に流れることになり、空間内の酸素及び水分を低濃度で均一に抑えることができるガス雰囲気形成方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ケーシングで囲まれた空間に不活性ガスを導入する従来装置の構成例を示す図である。
【図２】 本発明に係るガス循環システムの構成を示す図である。
【図３】 本発明に係るガス循環システムに使用するトラップの概略構成例を示す図で、図３（ａ）は側断面図、図３（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【符号の説明】
１ ケーシング
２ 空間
３ ガス導入口
４ フィルタ
５ ガス排出口
６ 切替バルブ
７ 切替バルブ
８ ガス循環経路
９ 熱交換器
１０ トラップ
１１ 循環ファン
１２ ガス流均一機構
Claims (5)
- ガスを導入するためのガス導入口と該ガスを排出するためのガス排出口とを備えたケーシングと、
前記ガス導入口に設けた導入口側切替バルブと前記ガス排出口側に設けた排出口側切替バルブと、
前記導入口側切替バルブと前記排出口側切替バルブを介して前記ケーシングに接続され、ガスを循環させるガス循環管路と、
前記ケーシング内のガスを前記ガス循環管路を通して循環させるための循環ファンと、
前記ガス循環管路に設けられ、該ガス循環管路を通るガス中の水分等を冷却凝縮して当該ガスから除去するためのトラップと、
前記導入口側切替バルブを通して前記ケーシングに不活性ガスを導入し、該不活性ガスを前記排出口側切替バルブを通して前記ガス循環管路外に排出し、前記ケーシング内に前記不活性ガスが充満し、該ケーシング内の酸素、水分が除去されたら、前記導入口側切替バルブ及び前記排出口側切替バルブを前記ガス循環管路側に切り替えるバルブ切替制御手段と、
前記ガス循環管路に設けられ、前記トラップに流入するガスを該トラップから流出するガスで冷却する熱交換器と、を備えたことを特徴とするガス雰囲気形成装置。 - 請求項１に記載のガス雰囲気形成装置において、
前記熱交換器の後段で前記ケーシングとの間の流路に設けられた、前記循環されるガス中に含まれる粒子等を除去するための粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタを備えたことを特徴とするガス雰囲気形成装置。 - ケーシング内の空間に所要のガス雰囲気を形成するためのガス雰囲気形成方法であって、
前記ケーシングはガス導入口に導入口側切替バルブを備え、ガス排出口に排出口側切替バルブを備え、前記導入口側切替バルブと前記排出口側切替バルブを介してガス循環管路が前記ケーシングに接続された構成であり、
前記空間に不活性ガスを導入するとともに該不活性ガスを該空間から排出する工程と、
前記空間内が前記不活性ガスにより充満されたときに、前記導入口側切替バルブと前記排出口側切替バルブを切り替えて該不活性ガスの前記導入及び排出を止めるとともに、前記ケーシングに連通されたガス循環管路を通して前記空間内の不活性ガスを循環させる切替工程と、
前記ガス循環管路を通る不活性ガス中の水分等を冷却凝縮して当該不活性ガスから除去する水分等冷却凝縮除去工程と、
前記水分等冷却凝縮除去工程を経たガスで該水分等冷却凝縮除去工程に入る前のガスを冷却する工程と、を有することを特徴とするガス雰囲気形成方法。 - 請求項３に記載のガス雰囲気形成方法において、
前記循環される不活性ガス中に含まれる粒子等を前記熱交換器の後段で前記ケーシングとの間の流路に設けられた粒子除去フィルタ及び／又はケミカルフィルタにより除去する粒子除去工程を有することを特徴とするガス雰囲気形成方法。 - 請求項４に記載のガス雰囲気形成方法において、
前記ケーシング内の不活性ガスの流れを均一化するガス流均一化工程を有することを特徴とするガス雰囲気形成方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000000917A JP4246343B2 (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | ガス雰囲気形成装置及びガス雰囲気形成方法 |
| US10/168,823 US6881268B2 (en) | 2000-01-06 | 2000-12-21 | Method and apparatus for forming required gas atmosphere |
| PCT/JP2000/009091 WO2001050061A1 (fr) | 2000-01-06 | 2000-12-21 | Procede et dispositif de formation d'une atmosphere gazeuse requise |
| KR1020027008354A KR100748478B1 (ko) | 2000-01-06 | 2000-12-21 | 소요의 가스분위기를 형성하기 위한 방법 및 장치 |
| EP00985814A EP1245896A1 (en) | 2000-01-06 | 2000-12-21 | Method and device for forming required gas atmosphere |
| TW094212407U TWM286991U (en) | 2000-01-06 | 2000-12-30 | Apparatus for forming a required gaseous atmosphere |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000000917A JP4246343B2 (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | ガス雰囲気形成装置及びガス雰囲気形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001193900A JP2001193900A (ja) | 2001-07-17 |
| JP2001193900A5 JP2001193900A5 (ja) | 2004-12-02 |
| JP4246343B2 true JP4246343B2 (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=18530188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000000917A Expired - Lifetime JP4246343B2 (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | ガス雰囲気形成装置及びガス雰囲気形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6881268B2 (ja) |
| EP (1) | EP1245896A1 (ja) |
| JP (1) | JP4246343B2 (ja) |
| KR (1) | KR100748478B1 (ja) |
| TW (1) | TWM286991U (ja) |
| WO (1) | WO2001050061A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3979135B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2007-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ｅｌ装置 |
| EP2063166A1 (en) * | 2002-09-25 | 2009-05-27 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Apparatus and method for filling fuel |
| WO2006020424A2 (en) * | 2004-08-02 | 2006-02-23 | Veeco Instruments Inc. | Multi-gas distribution injector for chemical vapor deposition reactors |
| CN107039319B (zh) | 2011-06-28 | 2022-03-15 | 动力微系统公司 | 半导体储料器系统和方法 |
| KR102539338B1 (ko) * | 2017-09-14 | 2023-06-02 | 가부시키가이샤 세이부 기켄 | 가스 치환용 드라이룸 |
| CN108980615A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-11 | 中车南京浦镇车辆有限公司 | 一种模块化供氧系统 |
| US20220223384A1 (en) * | 2021-01-14 | 2022-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing a semiconductor device |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE8302611L (sv) * | 1983-05-06 | 1984-11-07 | Gambro Lundia Ab | Forfarande och anleggning for atervinning av en eller flera bestandsdelar ur en gasblandning |
| US4690208A (en) * | 1986-02-03 | 1987-09-01 | Deck Brent D | Contaminated fluid heat exchanging |
| JPH0266400A (ja) | 1988-09-01 | 1990-03-06 | Fujitsu Ltd | ガス交換装置 |
| US5188672A (en) * | 1990-06-28 | 1993-02-23 | Applied Materials, Inc. | Reduction of particulate contaminants in chemical-vapor-deposition apparatus |
| JPH0814389B2 (ja) * | 1990-09-03 | 1996-02-14 | 高砂熱学工業株式会社 | 直膨型熱交換器を用いたクリーンルーム |
| JPH07106406A (ja) * | 1991-01-29 | 1995-04-21 | Shinko Electric Co Ltd | ウエハ保管設備 |
| JPH05308170A (ja) | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Nec Corp | エキシマレーザガスの精製法 |
| KR970006728B1 (ko) * | 1992-08-31 | 1997-04-29 | 마쯔시다 덴기 산교 가부시끼가이샤 | 환경제어장치 |
| JP2807150B2 (ja) * | 1992-08-31 | 1998-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 環境制御装置 |
| JP3156452B2 (ja) * | 1993-07-22 | 2001-04-16 | 富士通株式会社 | クリーンエアー供給装置と供給方法 |
| JPH09129561A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-16 | Teisan Kk | ガス回収装置 |
| US5820641A (en) * | 1996-02-09 | 1998-10-13 | Mks Instruments, Inc. | Fluid cooled trap |
| JP3773327B2 (ja) * | 1997-05-14 | 2006-05-10 | 三機工業株式会社 | 空調装置 |
| JP3839555B2 (ja) * | 1997-06-05 | 2006-11-01 | 高砂熱学工業株式会社 | 局所密閉型清浄装置 |
| JPH1129301A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Sumisho Fine Gas Kk | 超高純度水素ガスの製造装置 |
| US6328801B1 (en) * | 1997-07-25 | 2001-12-11 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method and system for recovering and recirculating a deuterium-containing gas |
| JP3425592B2 (ja) * | 1997-08-12 | 2003-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US6086711A (en) * | 1997-10-06 | 2000-07-11 | Nisene Technology Group | Vapor generation system and process |
| JPH11233426A (ja) | 1998-02-10 | 1999-08-27 | Canon Inc | ガス純度管理方法およびガス純度管理システム、ならびに該ガス純度管理システムを適用した半導体露光装置およびデバイス製造方法 |
-
2000
- 2000-01-06 JP JP2000000917A patent/JP4246343B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-21 US US10/168,823 patent/US6881268B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-21 WO PCT/JP2000/009091 patent/WO2001050061A1/ja active Application Filing
- 2000-12-21 KR KR1020027008354A patent/KR100748478B1/ko active IP Right Grant
- 2000-12-21 EP EP00985814A patent/EP1245896A1/en not_active Withdrawn
- 2000-12-30 TW TW094212407U patent/TWM286991U/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030000470A1 (en) | 2003-01-02 |
| WO2001050061A1 (fr) | 2001-07-12 |
| JP2001193900A (ja) | 2001-07-17 |
| EP1245896A1 (en) | 2002-10-02 |
| US6881268B2 (en) | 2005-04-19 |
| KR100748478B1 (ko) | 2007-08-10 |
| KR20020073490A (ko) | 2002-09-26 |
| TWM286991U (en) | 2006-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3839555B2 (ja) | 局所密閉型清浄装置 | |
| JP2001501693A (ja) | クライオポンプ／ゲッターポンプの組み合わせポンプとその再生方法 | |
| KR101744953B1 (ko) | 저노점 저온 제습 기능을 구비하는 efem | |
| US5426865A (en) | Vacuum creating method and apparatus | |
| JP4246343B2 (ja) | ガス雰囲気形成装置及びガス雰囲気形成方法 | |
| CA2609075A1 (en) | Deposition chamber desiccation systems and methods of use thereof | |
| JPH0673542A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH08226382A (ja) | 水蒸気クライオポンプ | |
| JP2002359180A (ja) | ガス循環システム | |
| JP2001193900A5 (ja) | ||
| JP3862263B2 (ja) | 真空処理装置およびその運用方法 | |
| WO2005123212A2 (en) | Cryopump with enhanced hydrogen pumping | |
| JP5307507B2 (ja) | 局所密閉型清浄化装置 | |
| JP3172627B2 (ja) | 真空形成方法および真空形成装置 | |
| JP3111395B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0729962A (ja) | 真空排気方法及び装置 | |
| JP4679720B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH0711762Y2 (ja) | 真空発生装置のコールドトラップ | |
| JP2003110013A (ja) | 収納装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2005116851A (ja) | ロードロックチャンバー、露光装置、デバイスの製造方法 | |
| JPH0350481A (ja) | 冷却装置 | |
| JPH088380B2 (ja) | 連続ガス制御方式エキシマレーザ装置 | |
| JPH08172035A (ja) | 空気浄化装置 | |
| JPH0534743Y2 (ja) | ||
| KR20240068382A (ko) | Cda 순환형 하이브리드 제습을 위한 공기정화장치 및 이를 적용한 밀폐형 efem |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031211 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20031211 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031211 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070719 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070719 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080129 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080331 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080331 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080924 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081119 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081119 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081119 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081126 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090106 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090108 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4246343 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140116 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |